CN116634661A - 一种厚铜hdi电路板复合标靶及其制作工艺 - Google Patents

一种厚铜hdi电路板复合标靶及其制作工艺 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种厚铜HDI电路板复合标靶,包括厚铜HDI电路板,复合标靶设置在厚铜HDI电路板的工艺边上四角处;复合标靶包括对位中心与对位靶点,且对位靶点围绕对位中心环形设置;对位中心及对位靶点均设置为通孔;厚铜HDI电路板内层工艺板边设置有镭射目标PAD,且对位中心穿过镭射目标PAD。本发明通过利用机械钻孔制作的通孔及基于镭射目标PAD制作的通孔结合形成复合标靶,不仅同时兼顾了通孔及盲孔的对位,还避免了在外层线路图形制作前因多次电镀工艺导致的复合标靶失效,保证了外层线路图形制作时的对位精度,同时节省了复合标靶的制作工序,提高了复合标靶的实用性及稳定性。

Description

一种厚铜HDI电路板复合标靶及其制作工艺
技术领域
本发明涉及PCB制造领域,更具体地,涉及一种厚铜HDI电路板复合标靶及其制作工艺。
背景技术
随着集成电路的迅速发展及广泛应用,电子设备的种类及应用迅速发展,电子产品也更加智能化、小型化,与之匹配的,电路板的品类也不断更新,对电路板的精密度和可靠性的要求也越来越高,电路板上设置的线路越来越密集,电路板上设置的通孔及盲孔的数量也越来越多,孔径减小、孔之间的距离也愈加紧密;特别是在HDI(High DensityInterconnector,高密度互联)电路板上,通过采用更高精密线路及更密集的通孔及盲孔组合满足电子性能和效率的更高标准,也意味着在HDI电路板上需要使用更小的孔径、更小的孔到孔距离及更小的锡圈,锡圈是指在电路板外层完全环绕孔的导电材料部分,即钻孔边缘和焊盘外边缘之间的区域,当钻孔与锡圈外边缘相切或超出时即为崩孔,影响电路板的可靠性,因此,为了避免HDI电路板上出现外层崩孔,需要提高外层线路图形制作的精度。目前,在HDI电路板制作外层线路图形时,图形转移工序是采用激光直接成像(Laser DirectImaging,LDI)技术,即使用LDI镭射曝光机通过激光扫描的方式直接将图像在电路板上成像,从而提供更精细的图像,而在使用LDI镭射曝光机进行图形曝光前,还需用使用电路板上的复合标靶进行图形对位。
目前,行业内通用的复合靶标由通孔及盲孔组合形成,一般通孔由机械钻孔制得,盲孔由镭射钻孔制得,采用复合标靶时,由LDI机调整兼顾比例满足盲通孔对位且同时无崩孔的需求。将盲孔和通孔整合在一起的复合标靶应用在外层线路图形转移之前只须经历一次板面电镀的简单HDI板来说效果显著,可有效降低电路板上盲通孔崩孔报废率;但随着电路板制作流程日趋复杂,往往存在外层线路图形转移之前需进行多次板面电镀甚至需使用电镀铜填孔的情况,而复合标靶中的盲孔通常较浅,在多次电镀过程中较易被填满,令复合标靶中的盲孔失效,进而降低后续外层线路图形转移时的对位精度,不仅增大了造成制作过程中的崩孔、歪孔等缺陷的风险,在对位时需要人工操作LDI镭射曝光机手动调整对位,增加操作步骤,还降低了生产效率。因此,为了应对复合标靶中的盲孔易被铜填满导致的对位失效,一些电路板制造企业引入了多重复合标靶的设计,即除了原有的盲通孔复合靶标外,还增加独立盲孔标靶、独立通孔标靶,及drill on pad对位孔等,独立盲孔标靶及独立通孔标靶只能使用单种类型的孔对位,无法兼顾通盲孔同时对位,且独立盲孔标靶在多次电镀时也易被铜填满导致对位失效,drill on pad对位孔则是使用X-Ray自动对位钻孔机抓取镭射层钻孔,其功能相当于独立盲孔标靶,在使用时也无法兼顾通孔,且会增加由于错位导致的短路风险;当原有的复合标靶无法使用时,多重复合标靶的设计为电路板的提供了多重选择空间,但无法同时兼顾盲通孔的对位精度,只能单独对盲孔或单独对通孔生产,并且由于标靶数量的增多,不仅增加了通孔和镭射的钻孔周期,还增加了电路板工艺边的尺寸,导致板料的利用率降低。
发明内容
本发明旨在克服上述现有技术的至少一种缺陷,提供一种厚铜HDI电路板复合标靶,令复合标靶在经历多次电镀工艺后仍能有效对位。
本技术方案提供了一种厚铜HDI电路板复合标靶,复合标靶设置在厚铜HDI电路板的边缘四角处,用于为厚铜HDI电路板上的外层线路图形制作提供对位点;所述复合标靶包括对位中心与对位靶点,且所述对位靶点围绕所述对位中心设置;所述对位中心及所述对位靶点均为通孔;所述厚铜HDI电路板的内层芯板的边缘四角处设置有镭射目标PAD,且所述对位中心穿过所述镭射目标PAD。
在本技术方案中,在电路板上的外层线路图形制作之前,在电路板的边缘四角处设置复合标靶,复合标靶常由电路板上的常见的孔组合构成,令LDI镭射曝光机可利用复合标靶准确定位所需制作的外层线路图形在板面的位置,从而与电路板上所设计的孔等对应匹配,从而令电路板内层与外层图形通过孔可靠互联,提高了电路板上的稳定性及可靠性。在复合标靶的设计时令复合标靶由对位中心及围绕对位中心的对位靶点组合构成,由此令电路板板面上外层图形转移的位置由对位中心及对位靶点的相对位置配合确定,大大降低了对对位中心及对位靶点单独对位精度的要求,降低了对位门槛,并通过对位中心及对位靶点的复合定位提高了LDI镭射曝光机在外层线路图形制作时的对位精度,通常复合标靶由通孔及盲孔构成,实现电路板外层线路图形制作时兼顾板面通孔及盲孔的双重对位。而厚铜HDI电路板作为一类外层线路铜厚较大或孔内填铜充分的电路板,在外层线路图形转移之前,常常需要经历多次电镀过程,包括板面电镀,和/或,填孔电镀,在多次电镀过程中,复合标靶中的盲孔易被填满;因此,通过设计令对位中心及对位靶点均为通孔,使复合标靶在厚铜HDI电路板的多次电镀过程中更不易被填满,提高了复合标靶的适用能力和实用性,令其即使在外层图形转移前即使经历多次电镀仍能保持效能,容易为LDI镭射曝光机所抓取,并为外层线路图形制作提供精确对位,提高了厚铜HDI电路板的可靠性;进一步地,设计令对位中心穿过镭射目标PAD,镭射目标PAD为与盲孔位点处内层设置的镭射目标PAD一同做出,令对位中心可以代表电路板上通过镭射钻孔方法钻取的盲孔,进而令LDI镭射曝光机可以通过抓取对位中心实现对板面盲孔的准确定位,同时,对位靶点可以代表机械钻孔方法钻取的通孔,进而令LDI镭射曝光机可以通过抓取对位靶点实现对板面通孔的准确定位,通过如此设置,令复合标靶实现了同时兼顾电路板板面的通孔及盲孔的对位,进一步提高了复合标靶的适用能力和实用性。
进一步地,所述对位中心的大小为2.0-3.5mm;所述对位靶点的大小为0.15-0.3mm;进一步地,所述对位靶点与所述对位中心同心设置并呈圆环状围绕;所述对位靶点的数量为8-12个;优选地,所述对位靶点的中心形成的环形直径为4.5-5.5mm。
通常在LDI镭射曝光机调取复合标靶对位时,其在扫描抓取复合标靶时的分辨率受所抓取的孔径大小、图形分辨率与数量比影响;在本技术方案中,复合标靶在电路板上的数量为4个,为电路板上盲孔提供定位点的对位中心也减少为4个,因此相应地增大对位中心的大小,具体地,令对位中心为2.0-3.5mm,以提高LDI镭射曝光机抓取对位中心提供盲孔对位时的分辨率;进一步地,在保证所设计的复合标靶同时实现兼顾通孔与盲孔的对位,同时保证复合标靶整体的面积大小合理,而不占用电路板上过大的区域,提高电路板的板面使用率,因此在增大对位中心的大小的同时,减小为电路板上的通孔提供对位的对位靶点的大小,具体地,为0.15-0.3mm。进一步地,为了提高LDI镭射曝光机抓取对位靶点提供通孔对位时的分辨率,在对位靶点的孔径大小较小时,增加对位靶点的数量为8-12个,优选地,为12个;同时,令对位靶点与对位中心同心设置并呈圆环状围绕,令LDI镭射曝光机抓取对位靶点时,可通过抓取3个对位靶点的孔即可确定对位靶点的圆环中心,提高了复合标靶在抓取对位靶点进行通孔对位的图形分辨率,提高LDI镭射曝光机的抓靶成功率及抓靶进度,同时,圆环中心与对位中心同心设置,便于LDI镭射曝光机的抓靶复合标靶中的对位中心及对位靶点的孔中心并进行拟合对位,同时保证了外层板上的盲孔及通孔同时准确对位。优选地,设计令对位靶点的中心形成的环形直径为4.5-5.5mm,在保证复合标靶兼顾电路板通、盲孔对位的功能的基础上,保证复合标靶的整体面积较小,减小复合标靶在电路板边缘的面积占比,提高电路板的板面使用率。
本技术方案还提供一种厚铜HDI电路板的制作工艺,包括以下步骤;
S1、内层芯板制作,内层芯板开料,在内层芯板上形成内层线路图形,并在所述内层芯板上形成镭射目标PAD;
S2、外层板制作,将内层芯板与半固化片叠合后压合成为外层板,在外层板上进行钻孔及外层线路图形制作,在经过防焊及表面处理工序后,最终得到厚铜HDI电路板成品;
其中,所述步骤S2具体还包括:
S21、压合及孔制作,在外层板上进行孔的制作,所述孔包括盲孔及通孔,并在外层板的边缘四角处形成如本技术方案中提供的复合标靶;
S22、电镀工艺,进行板面镀层制作及孔内金属化;
S23、外层线路图形制作,在经电镀工艺后的电路板上采用所述复合标靶对位后进行外层图形转移,并对外层线路图形转移后的厚铜HDI电路板板面进行防焊处理及表面处理;
在所述步骤S21中,所述复合标靶中的对位中心采用机械钻孔方法参考镭射目标PAD钻出;优选地,在步骤S21中,所述复合标靶中的对位中心采用X-Ray自动对位钻孔机参考镭射目标PAD钻出。
在本技术方案中所提供的厚铜HDI电路板的制作工艺中,大体包括内层芯板制作及外层板制作,首先进行的是厚铜HDI电路板的内层芯板的线路图形及孔制作,在内层芯板的线路图形制作的同时,在内层芯板上、与外层板上设计有盲孔钻孔以及电路板边缘需要制作的对位中心对应的位点处,保留制作出与对应设计位点同心的一圆形铜面作为盲孔及对位中心的镭射目标PAD;随后在内层芯板的基础上,通过压合、孔制作、电镀及外层线路图形制作等步骤进行外层板制作,而后经过防焊及表面处理工序后最终得到厚铜HDI电路板成品。具体地,外层板上的孔制作包括盲孔及通孔,分别通过镭射钻孔及机械钻孔等各类钻孔方法钻出,在外层板上的孔制作的同时,并在外层板的边缘四角处一并形成本技术方案中所提供的复合标靶,其中,由于盲孔通常通过镭射钻孔方法参考内层芯板上的镭射目标PAD钻出,复合标靶中的对位中心的制作方式采用机械钻孔方法参考内层芯板上的镭射目标PAD钻出,用于为后续外层线路图形制作时进行板面盲孔的准确对位;优选地,复合标靶中的对位中心采用X-Ray自动对位钻孔机参考镭射目标PAD钻出,提高复合标靶对位中心制作的可靠性;在外层板孔制作完成后,在外层线路图形制作前,通过采取填孔电镀工艺对前序工艺中所制作的孔进行盲孔填充及通孔电镀,同时,还需要采取板面电镀工艺在电路板外层构建所需厚度的铜层;在电镀工艺完成后,外层线路图形制作时,先采用LDI镭射曝光机同时抓取电路板边缘的复合标靶中的对位中心及对位靶点的孔中心并进行拟合对位,同时保证了外层板上的盲孔及通孔同时准确对位,而后LDI镭射曝光机在对位条件下进行外层线路图形转移,避免了盲孔及通孔的崩孔,保证了盲孔与通孔与电路板外层线路图形间的可靠连接,进而保证了所制作的厚铜HDI电路板成品的可靠性;而后,并对外层线路图形转移后的厚铜HDI电路板板面进行防焊处理及表面处理,更好地保护外层线路图形,提高了所制作的厚铜HDI电路板成品的可靠性及使用寿命。
进一步地,在步骤S21中,所述复合标靶中的对位靶点采用机械钻孔方法参考整板对位中心的中点钻出。
在本技术方案中,在复合标靶的制作过程中,复合标靶中的对位靶点采用机械钻孔方法钻出,与电路板外层通孔的制作方式一致,用于为后续外层线路图形制作时进行板面通孔的准确对位;进一步地,在对位靶点的制作时参考整板对位中心的中点钻出,便于LDI镭射曝光机同时抓取复合标靶中进行板面通孔及盲孔对位时的拟合对位。
进一步地,在步骤S22中,电镀工艺中包括至少1次板面电镀及1次填孔电镀。在本技术方案中,为了提高所制作的厚铜HDI电路板的精密度及可靠性,在厚铜HDI电路板外层制作时至少包含两次电镀,具体地,为至少1次板面电镀及1次填孔电镀;通过至少一次填孔电镀对电路板外层的孔进行更精细的盲孔填充及通孔电镀,以保证电路板中孔内填铜的质量,进而提高厚铜HDI电路板中各层高密度互连的可靠性;其次,再通过至少一次板面电镀将电路板外层构建成所需厚度的铜层,保证厚铜HDI电路板的外层镀铜的厚度,同时提高电路板外层镀铜的均匀性。
本技术方案中还提供一种厚铜HDI电路板,厚铜HDI电路板采用本技术方案所提供的制作工艺进行制作;所述电路板上的外层线路图形中包括环绕所述孔设置的锡圈;所述锡圈的大小不大于3.0mil;所述锡圈边缘与所述孔边缘的最小距离不小于2mil,同时最大距离不大于4mil。
在本技术方案中,在最终所制作的厚铜HDI电路板的外层线路图形中包括环绕孔所设置的锡圈,便于与焊盘连接,进而实现电路板的表面器件安装,锡圈作为连接孔与焊盘之间的铜面,若盲孔或通孔的边缘处与锡圈边缘相切或超出,即为崩孔,影响电路板的美观,并可能导致外部器件在电路板上的连接定位不准确、影响电路板层间及外层线路导通性等问题,因此,锡圈的存在可以在保持孔与焊盘之间的安全距离的同时为孔与外部器件的连接导通提供了一定的容错空间;同时,在厚铜HDI电路板上,为了提高厚铜HDI电路板的精密性,电路板外层设计的孔径小,孔的设计也更为密集,因此所设计的锡圈也更小,优选地,锡圈的大小为3.0mil,因此,进一步地,设计令锡圈边缘与孔边缘的最小距离不小于2mil,同时最大距离不大于4mil,保证在厚铜HDI电路板上孔周围有足够的锡圈位置,保证电路板整体导通的可靠性及与外部器件连接安装的可靠性。
进一步地,所述厚铜HDI电路板包括电路板本体及围绕所述电路板本体设置的工艺边,所述复合标靶设置在所述工艺边的四角处,所述工艺边的宽为10-20mm。
在本技术方案中,厚铜HDI电路板包括电路板本体及围绕电路板本体设置的工艺边,令本技术方案中设计的复合标靶设置在工艺边的四角处,为电路板的通孔及盲孔一同提供准确对位;同时,由于本技术方案中复合标靶设计为通孔,令复合标靶在厚铜HDI电路板的制作过程中更不易被填满,增强了复合标靶兼顾通、盲孔的对位功能,提高了复合标靶的适用能力和实用性,使得厚铜HDI电路板上无需设计多重的复合标靶组合,减少了厚铜HDI电路板上的钻孔数量,节省了钻孔时间;同时还减小了用于为电路板提供对位的复合标靶的面积,提高了LDI机的抓孔效率,且由于复合标靶设置在电路板的工艺边的四角处,相应地,也减小了工艺边的宽度,具体地,工艺边的宽为10-20mm,减小了工艺边在电路板整体面积上的占比,提高了电路板的板面使用率,提高了电路板制作的经济性。
与现有技术相比,本发明的有益效果为:
1、提供了一种由全通孔的组合而成复核标靶,使复合标靶在制作厚铜HDI电路板时,经历多次电镀过程中更不易被填满,提高了复合标靶的适用能力和实用性,令其即使在外层图形转移前即使经历多次电镀仍能保持效能,容易为LDI镭射曝光机所抓取;进一步地,通过设计令对位中心穿过内层设置的镭射目标PAD,镭射目标PAD为与盲孔位点处内层设置的镭射目标PAD一同做出,令对位中心可以代表电路板上通过镭射钻孔方法钻取的盲孔,进而令LDI镭射曝光机可以通过抓取对位中心实现对板面盲孔的准确定位,同时,对位靶点可以代表机械钻孔方法钻取的通孔,进而令LDI镭射曝光机可以通过抓取对位靶点实现对板面通孔的准确定位,实现了同时兼顾电路板板面的通孔及盲孔的对位,进一步提高了复合标靶的适用能力和实用性,提高了厚铜HDI电路板的可靠性。
2、通过在厚铜HDI电路板的制作过程中采用由全机械钻孔而成的通孔的组合形成的复核标靶,增强了复合标靶兼顾电路板上对通孔及盲孔的对位功能,提高了复合标靶的适用能力和实用性,使得厚铜HDI电路板上无需设计多重的复合标靶组合,减少了厚铜HDI电路板上的钻孔数量,节省了钻孔时间;相应地,还减小了用于为电路板提供对位的复合标靶的面积,提高了LDI机的抓孔效率,进而还减小了电路板上工艺边的宽度,提高了电路板的板面使用率,提高了电路板制作的经济性。
附图说明
图1为本发明一种厚铜HDI电路板复合标靶的结构示意图之一。
图2为本发明一种厚铜HDI电路板复合标靶的结构示意图之二。
图3为本发明一种厚铜HDI电路板制作工艺的流程图。
图4为本发明一种厚铜HDI电路板的结构示意图。
图5为本发明一种厚铜HDI电路板板面的局部示意图。
附图标记:复合标靶1、对位中心11、对位靶点12、镭射目标PAD 2、电路板本体3、通孔31、盲孔32、锡圈33、焊盘34、工艺边4。
具体实施方式
本发明附图仅用于示例性说明,不能理解为对本发明的限制。为了更好说明以下实施例,附图某些部件会有省略、放大或缩小,并不代表实际产品的尺寸;对于本领域技术人员来说,附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。
实施例1
如图1及图2所示,本实施例提供一种厚铜HDI电路板复合标靶1,复合标靶1设置在厚铜HDI电路板的边缘四角处,用于为厚铜HDI电路板上的外层线路图形制作提供对位点;
其中,复合标靶1包括对位中心11与对位靶点12,且对位靶点12围绕对位中心11设置,令电路板板面上外层图形转移的位置由对位中心11及对位靶点12的相对位置配合确定,大大降低了对对位中心11及对位靶点12单独对位精度的要求,降低了对位门槛,并通过对位中心11及对位靶点12的复合定位提高了LDI镭射曝光机在外层线路图形制作时的对位精度;
进一步地,设计令对位中心11及对位靶点12均为通孔,使复合标靶1在厚铜HDI电路板的多次电镀过程中更不易被填满,令其即使在外层图形转移前即使经历多次电镀仍能保持效能;同时,在厚铜HDI电路板的内层芯板的边缘四角处设置有镭射目标PAD 2,令对位中心11穿过镭射目标PAD 2设置,进而令LDI镭射曝光机可以通过抓取对位中心11实现对板面盲孔的准确定位,同时,LDI镭射曝光机可以通过抓取对位靶点12实现对板面通孔的准确定位,令复合标靶1可以兼顾电路板板面的通孔及盲孔的对位,提高了复合标靶1的适用能力和实用性;
进一步地,复合标靶1中的对位中心11的大小为2.0-3.5mm,对位靶点12的大小为0.15-0.3mm;同时,对位靶点12与对位中心11同心设置并呈圆环状围绕;且对位靶点12的数量为8-12个;优选地,对位靶点12的数量为12个;复合标靶1设计在厚铜HDI电路板边缘的四角处,复合标靶1数量为4个,其中,为电路板上盲孔提供定位点的对位中心11也减少为4个,因此相应地增大对位中心11的大小,具体地,令对位中心11为2.0-3.5mm,同时,为了保持复合标靶1整体的面积大小合理,在保证复合标靶1效能的同时提高电路板的板面使用率,减小对位靶点12的大小,具体地,为0.15-0.3mm,并增加对位靶点12的数量为8-12个,优选地,对位靶点12的数量为12个,可以提高LDI镭射曝光机抓取复合标靶1提供盲孔及通孔对位时的分辨率;进一步地,令对位靶点12与对位中心11同心设置并呈圆环状围绕,令LDI镭射曝光机抓取对位靶12点时,可通过抓取3个对位靶点12的孔即可确定对位靶点12的圆环中心,提高LDI镭射曝光机的抓靶成功率及抓靶进度,同时,圆环中心与对位中心11同心设置,便于LDI镭射曝光机的抓靶复合标靶1中的对位中心11及对位靶点12的孔中心并进行拟合对位,同时保证了外层板上的盲孔及通孔同时准确对位。
优选地,设计令对位靶点12的中心形成的环形直径为4.5-5.5mm,在保证复合标靶1兼顾电路板通、盲孔对位的功能的基础上,减小了复合标靶1在电路板边缘的面积占比,提高电路板的板面使用率,更为经济。
实施例2
如图3所示,本实施例提供一种厚铜HDI电路板的制作工艺,包括以下步骤;
S1、内层芯板制作,内层芯板开料,在内层芯板上形成内层线路图形及盲孔,在内层芯板上、与外层板上设计有盲孔钻取以及电路板边缘需要制作的对位中心对应的位点处,保留制作出与对应设计位点同心的一圆形铜面作为盲孔及对位中心的镭射目标PAD;
S2、外层板制作,在内层芯板上叠合半固化片后压合形成外层板,在外层板上进行孔制作及外层线路图形制作,经过防焊及表面处理工序后,最终得到厚铜HDI电路板成品;
具体地,步骤S2中还包括:
S21、压合及孔制作,所述孔包括盲孔及通孔,通过镭射钻孔方法及机械钻孔方法分别钻出盲孔及通孔,在外层板上的孔制作的同时,并在外层板的边缘四角处一并形成如实施例1中所提供的复合标靶,其中,电路板的外层板上的盲孔通过镭射钻孔方法参考内层芯板上的镭射目标PAD钻出,复合标靶中的对位中心的制作方式与采用机械钻孔方法参考内层芯板上的镭射目标PAD钻出,用于为后续外层线路图形制作时进行板面盲孔的准确对位;优选地,复合标靶中的对位中心采用X-Ray自动对位钻孔机参考镭射目标PAD钻出,提高复合标靶对位中心制作的可靠性;进一步地,复合标靶中的对位靶点采用机械钻孔方法参考对位中心的中点钻出,令对位靶点与电路板外层通孔的制作方式一致,用于为后续外层线路图形制作时进行板面通孔的准确对位,同时,在对位靶点的制作时参考整板上对位中心的中点钻出,便于LDI镭射曝光机同时抓取复合标靶中进行板面通孔及盲孔对位时的拟合对位。
S22、电镀工艺,进行板面镀层制作及孔内金属化;具体地,为通过采取填孔电镀工艺对前序工艺中所制作的孔进行盲孔填充及通孔电镀,同时,还需要采取板面电镀工艺在电路板外层构建所需厚度的铜层;优选地,为了提高所制作的厚铜HDI电路板的精密度及可靠性,在厚铜HDI电路板外层制作时至少包含两次电镀,具体地,为至少1次板面电镀及1次填孔电镀,以保证厚铜HDI电路板中孔内填铜的质量,提高厚铜HDI电路板中各层高密度互连的可靠性,同时保证厚铜HDI电路板的外层镀铜的厚度,同时提高电路板外层镀铜的均匀性;
S23、外层线路图形制作,在经电镀工艺后的电路板上采用所述复合标靶对位后进行外层图形转移;具体地,先采用LDI镭射曝光机同时抓取电路板边缘的复合标靶中的对位中心及对位靶点的孔中心并进行拟合对位,同时保证了外层板上的盲孔及通孔同时准确对位,而后LDI镭射曝光机在对位条件下在电路板板面覆盖干菲林并进行外层线路图形转移,而后,基于外层线路图形转移后的厚铜HDI电路板板面进行防焊处理及表面处理工艺,完成厚铜HDI电路板外层线路图形的制作。
实施例3
如图4-图5所示,本实施例提供一种厚铜HDI电路板,厚铜HDI电路板采用如实施例2所提供的制作工艺进行制作而得;厚铜HDI电路板上的外层线路图形中包括环绕板面上的通孔31及盲孔32设置的锡圈33,且锡圈33的大小不大于3.0mil,提高厚铜HDI电路板的精密性及板面利用率;且锡圈33边缘与孔边缘的最小距离不小于2mil,同时最大距离不大于4mil;保证在厚铜HDI电路板上孔周围有足够的锡圈33位置,在保持孔与焊盘34之间的安全距离的同时为孔与外部器件的连接导通提供了一定的容错空间,保证电路板整体导通的可靠性及与外部器件连接安装的可靠性;
进一步地,厚铜HDI电路板包括电路板本体3及围绕电路板本体3设置的工艺边4,如实施例1中所提供的复合标靶1设置在工艺边4的四角处,为厚铜HDI电路板板面的通孔31及盲孔32一同提供准确对位;并且,由于复合标靶1设计为全通孔,在厚铜HDI电路板的制作过程中更不易被填满,因此厚铜HDI电路板上无需设计多重的复合标靶组合,减少了厚铜HDI电路板上的钻孔数量,节省了钻孔时间,同时还减小了用于为电路板提供对位的复合标靶1的面积,提高了LDI机的抓孔效率,并且由于复合标靶1设置在电路板的工艺边4的四角处,相应地,也减小了工艺边4的宽度,具体地,工艺边的宽设置为10-20mm,减小了工艺边4在电路板整体面积上的占比,提高了电路板的板面使用率,提高了电路板制作的经济性。
显然,本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明技术方案所作的举例,而并非是对本发明的具体实施方式的限定。凡在本发明权利要求书的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种厚铜HDI电路板的制作工艺,其特征在于,包括以下步骤;
S1、内层芯板制作,内层芯板开料,在内层芯板上制作内层线路图形,并在所述内层芯板上制作镭射目标PAD;
S2、外层板制作,将内层芯板与半固化片叠合后压合得到外层板,在外层板上进行钻孔及外层线路图形制作,在经过防焊及表面处理工序后,最终得到厚铜HDI电路板成品;
所述步骤S2具体还包括:
S21、压合及孔制作,在外层板上进行孔的制作,所述孔包括盲孔及通孔,并在外层板的边缘四角处形成为厚铜HDI电路板上的外层线路图形制作提供对位点的复合标靶,所述复合标靶包括对位中心及对位靶点;
S22、电镀工艺,多次电镀进行板面镀层制作及孔内金属化制作;
S23、外层线路图形制作,在经电镀工艺后的电路板上采用所述复合标靶对位后进行外层图形转移,并对外层线路图形转移后的厚铜HDI电路板板面进行防焊处理及表面处理;
在所述步骤S21中,所述复合标靶中的对位中心及对位靶点均为采用机械钻孔方法制作的通孔,且所述对位中心参考镭射目标PAD钻出。
2.根据权利要求1所述的厚铜HDI电路板的制作工艺,其特征在于,在步骤S21中,所述复合标靶中的对位中心采用X-Ray自动对位钻孔机参考镭射目标PAD钻出。
3.根据权利要求1-2任一项所述的厚铜HDI电路板的制作工艺,其特征在于,在步骤S21中,所述复合标靶中的对位靶点采用机械钻孔方法参考整板对位中心的中点钻出。
4.根据权利要求1-2任一项所述的厚铜HDI电路板的制作工艺,其特征在于,在步骤S22中,所述电镀工艺中包括至少1次板面电镀及1次填孔电镀。
5.一种厚铜HDI电路板复合标靶,其特征在于,采用如权利要求1-4任一项所述的厚铜HDI电路板的制作工艺制作,所述复合标靶设置在厚铜HDI电路板的边缘四角处,用于为厚铜HDI电路板上的外层线路图形制作提供对位点,所述复合标靶包括对位中心与对位靶点,且所述对位靶点围绕所述对位中心设置;所述对位中心及所述对位靶点均为通孔;所述厚铜HDI电路板的内层芯板的边缘四角处设置有镭射目标PAD,且所述对位中心穿过所述镭射目标PAD。
6.根据权利要求5所述的厚铜HDI电路板复合标靶,其特征在于,所述对位中心的直径大小为2.0-3.5mm;所述对位靶点的直径大小为0.15-0.3mm。
7.根据权利要求5所述的厚铜HDI电路板复合标靶,其特征在于,所述对位靶点与所述对位中心同心设置并呈圆环状围绕;所述对位靶点的数量为8-12个。
8.根据权利要求7所述的厚铜HDI电路板复合标靶,其特征在于,所述对位靶点的中心形成的环形直径为4.5-5.5mm。
9.一种厚铜HDI电路板,其特征在于,所述厚铜HDI电路板基于如权利要求1-4任一项所述的制作工艺进行制作;所述电路板上的外层线路图形中包括环绕所述孔设置的锡圈;所述锡圈的直径大小不大于3.0mil;所述锡圈边缘与所述孔边缘的最小距离不小于2mil,同时最大距离不大于4mil。
10.根据权利要求9所述的厚铜HDI电路板,其特征在于,所述厚铜HDI电路板包括电路板本体及围绕所述电路板本体设置的工艺边,所述复合标靶设置在所述工艺边的四角处,所述工艺边的宽为10-20mm。
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