CN113248434A - 基于螺环芳烃的低维纳米晶体及其制备方法 - Google Patents
基于螺环芳烃的低维纳米晶体及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113248434A CN113248434A CN202110563202.7A CN202110563202A CN113248434A CN 113248434 A CN113248434 A CN 113248434A CN 202110563202 A CN202110563202 A CN 202110563202A CN 113248434 A CN113248434 A CN 113248434A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- dimensional
- low
- nanocrystal
- fragment
- crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 title claims abstract description 80
- -1 spiro arene Chemical class 0.000 title claims abstract description 16
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 10
- 239000012634 fragment Substances 0.000 claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 claims abstract description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 32
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 claims description 11
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 11
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 4
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 9
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 abstract description 5
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 abstract description 4
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 48
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 5
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000002127 nanobelt Substances 0.000 description 2
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002135 nanosheet Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D221/00—Heterocyclic compounds containing six-membered rings having one nitrogen atom as the only ring hetero atom, not provided for by groups C07D211/00 - C07D219/00
- C07D221/02—Heterocyclic compounds containing six-membered rings having one nitrogen atom as the only ring hetero atom, not provided for by groups C07D211/00 - C07D219/00 condensed with carbocyclic rings or ring systems
- C07D221/20—Spiro-condensed ring systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D311/00—Heterocyclic compounds containing six-membered rings having one oxygen atom as the only hetero atom, condensed with other rings
- C07D311/96—Heterocyclic compounds containing six-membered rings having one oxygen atom as the only hetero atom, condensed with other rings spiro-condensed with carbocyclic rings or ring systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07B—GENERAL METHODS OF ORGANIC CHEMISTRY; APPARATUS THEREFOR
- C07B2200/00—Indexing scheme relating to specific properties of organic compounds
- C07B2200/13—Crystalline forms, e.g. polymorphs
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于螺环芳烃的低维纳米晶体及其制备方法，属于有机纳米材料技术领域。低维纳米晶体包括超分子片段和位阻片段，超分子片段排列在低维纳米晶体的中间，位阻片段排列在低维纳米晶体的两端，低维纳米晶体为一维微米带。本发明制备出了结晶性良好、尺寸均匀的基于螺环芳烃的低维纳米晶体；通过实验数据和软件模拟验证了低维纳米晶体的构象关系；同时，证明了超分子空间位阻效应可以在小尺度上用于预测微/纳米晶体的分子堆叠模式和形貌；进一步的，低维纳米晶体采用传统的重沉淀法制备，符合绿色环保的化学理念。
Description
技术领域
本发明涉及一种基于螺环芳烃的低维纳米晶体及其制备方法，属于有机纳米材料技术领域。
背景技术
在现有技术中，一维(1D)纳米结构因其比表面积高、功耗小而越来越受到物理、化学和生物传感器等领域的高度关注。有机一维纳米材料继承了有机分子的高反应活性，良好的可加工性和高光致发光(PL)效率，在光电应用领域提供了许多极具吸引力的优势。在我们之前的工作中提出了一种超分子空间位阻效应(SSH)，分子在组装过程中斥力片段和引力片段之间存在协同效应。协同的超分子空间位阻(SSH)效应诱导了类磷脂双分子层(ILB)的堆积基序，从而得到二维纳米片的形貌。
现有技术中，我们对没有连接任何取代基的螺环芳烃(SAHs)的聚集行为进行研究，发现它们都趋向于自组装成三维的多面体结构，SAHs是否可以产生低维纳米结构以及超分子空间位阻效应是否可以在更小尺度上用于预测分子堆叠模式和形貌仍然是未知的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于螺环芳烃的低维纳米晶体及其制备方法，该基于螺环芳烃的低维纳米晶体为结晶性良好、尺寸均匀的一维微米带，证明了超分子空间位阻效应可以在小尺度上用于预测微/纳米晶体的分子堆叠模式和形貌。
为实现上述目的，本发明提供了一种基于螺环芳烃的低维纳米晶体，所述低维纳米晶体包括超分子片段和位阻片段，所述超分子片段排列在所述低维纳米晶体的中间，所述位阻片段排列在所述低维纳米晶体的两端，所述低维纳米晶体为一维微米带。
作为本发明的进一步改进，所述超分子片段和位阻片段共用一个中心碳原子。
作为本发明的进一步改进，所述超分子片段与所述位阻片段以十字交叉的方式连接。
作为本发明的进一步改进，所述超分子片段和位阻片段层层排列堆叠形成所述一维微米带。
作为本发明的进一步改进，所述超分子片段上形成有超分子位点，两个相邻所述超分子位点之间通过超分子作用力相互吸引实现堆叠。
作为本发明的进一步改进，所述低维纳米晶体的结构式为SFDBA和SFDBX结构中的一种：
作为本发明的进一步改进，所述超分子片段为杂环片段，所述位阻片段为芴基。
为实现上述目的，本发明还提供了一种低维纳米晶体的制备方法，应用于前述的基于螺环芳烃的低维纳米晶体，所述低维纳米晶体由纳米晶体化合物采用重沉淀法制备而成，且在制备所述纳米晶体化合物的过程中不添加任何表面活性剂。
作为本发明的进一步改进，所述低维纳米晶体的制备步骤具体为：将所述纳米晶体化合物溶于THF溶液中，完全溶解后，将溶有所述纳米晶体化合物的THF溶液注入剧烈搅拌的纯水中，搅拌5min后，静置一定时间后过滤即可得到所述低维纳米晶体。
作为本发明的进一步改进，所述低维纳米晶体为SFDBA一维微米带或SFDBX一维微米带，所述纳米晶体化合物为SFDBA化合物或SFDBX化合物。
本发明的有益效果是：
1、本发明提供了一种基于不含取代基的螺环芳烃的低维纳米晶体。
2、本发明得到了结晶性良好，且尺寸均匀的低维微米带，并成功地解释了其构象关系；本发明形成的基于螺环芳烃的低维纳米晶体的分子排列方式是以杂环片段排列在中间，芴基排列在两端的层层排列堆叠模式。由于层与层之间没有明显的作用力，从而得到一维微米带。
3、本发明证明超分子空间位阻效应可以在小尺度上用于预测微/纳米晶体的分子堆叠模式和形貌。
4、本发明采用传统的重沉淀法，符合绿色环保的化学理念。
附图说明
图1是本发明基于螺环芳烃的低维纳米晶体的构象关系示意图；
图2是图1中SFDBA和SFDBX的晶体单元结构示意图；
图3是图1中SFDBA和SFDBX一维微米带的形貌和结构表征示意图；
图4是本发明中软件预测的SFDBA和SFDBX晶体生长示意图；
图5是本发明中SFDBA和SFDBX的堆叠模式和重复单元示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述。
请参阅图1所示，本发明提供了一种基于螺环芳烃的低维纳米晶体，其中，低维纳米晶体的分子构型为十字交叉的两个平面共用一个中心碳原子，其中一个平面作当超分子片段，另一个平面作为位阻片段，以层层排列的堆叠模式，形成一维微米带。换句话说，低维纳米晶体包括超分子片段和位阻片段，超分子片段和位阻片段共用一个中心碳原子，且超分子片段与位阻片段以十字交叉的方式连接，多个超分子片段与位阻片段层层排列堆叠形成一维微米带，低维纳米晶体的结构式为以下SFDBA和SFDBX中的一种：
本实施例中，低维纳米晶体的结构式为SFDBA和SFDBX，但不应以此为限，只要能够实现超分子片段与位阻片段连接，且超分子片段与位阻片段在分子构型上十字交叉，形成一维微米带即可，此处对低维纳米晶体的结构式不做限制。
在SFDBA和SFDBX的结构式中，超分子片段为杂环片段，位阻片段为芴基，且堆叠排列方式均为芴基排列在低维纳米晶体的两端，杂环片段排列在低维纳米晶体的中间位置，以形成一维微米带。
请参阅图2所示，在SFDBA的晶体单元示意图中，杂环片段与芴基通过一个碳原子并按十字交叉的方式连接，在杂环片段上形成有多个超分子位点，芴基上没有超分子位点，超分子位点之间形成有超分子作用力，两个相邻超分子位点之间通过超分子作用力相互吸引，以实现连接。进一步的，多个SFDBA晶体单元之间通过超分子作用力相互吸引，使多个SFDBA晶体单元层层排列堆叠，以实现晶体的生长，进而形成一维微米带。具体的，超分子作用力包括π…π和C-H…π作用力。
在SFDBX的晶体单元结构示意图中，杂环片段与芴基也通过一个碳原子并按十字交叉的方式连接，杂环片段上形成有多个超分子位点，且芴基上有两个超分子位点，多个SFDBX单晶单元通过超分子作用力层层排列堆叠形成一维微米带。
本发明还提供一种基于螺环芳烃的低维纳米晶体的制备方法，化合物SFDBA和SFDBX的制备路线可以按照现有技术进行设计，且现有技术制备的SFDBA和SFDBX化合物都趋向于自组装成三维的多面体结构，故，本发明以SFDBA和SFDBX为目标化合物，通过传统的重沉淀法，制备一维微米带，同时分别制备SFDBA和SFDBX单晶，通过软件对SFDBA和SFDBX单晶进行测试分析，辅助分析一维微米带的构象关系。
(1)分别制备SFDBA一维微米带和SFDBX一维微米带。
称取一定质量的SFDBA化合物于10mL的样品瓶中，加入1mL四氢呋喃充分溶解。将溶解后的液体快速注入剧烈搅拌放有磁子和5mL去离子水的样品瓶中，盖上盖子搅拌5分钟后，取出磁子，静置10h后得到SFDBA一维微米带的悬浮液，将SFDBA一维微米带的悬浮液离心并用纯水洗涤过滤后得到SFDBA一维微米带。
称取一定质量的SFDBX化合物于10mL的样品瓶中，加入1mL四氢呋喃充分溶解。将溶解后的液体快速注入剧烈搅拌放有磁子和5mL去离子水的样品瓶中，盖上盖子搅拌5分钟后，取出磁子，静置10h后得到SFDBX一维微米带的悬浮液，将SFDBX一维微米带的悬浮液离心并用纯水洗涤过滤后得到SFDBX一维微米带。
用移液枪量分别取20ml的SFDBX一维微米带和SFDBX一维微米带的悬浮液滴加在干净且干燥的硅片基底上。使溶剂完全挥发，然后用场发射扫描电子显微镜在5kV加速电压、10μA发射电流下分别观察SFDBA和SFDBX微米带的形貌和结构表征。
请参阅图3所示，根据SFDBA和SFDBX微米带的扫描电镜照片和对应的选区衍射斑点图可以看出SFDBA和SFDBX微米带中的晶体单元均沿[001]方向生长，且微米带中晶体的结晶性良好，尺寸均匀。
(2)分别制备SFDBA单晶和SFDBX单晶，测试得到单晶数据。
取4mg SFDBA化合物放入10mL的样品瓶中，加入2mL二氯甲烷至SFDBA化合物完全溶解，随后沿瓶壁缓慢注入6mL正己烷使两种溶液分层，控制溶剂缓慢挥发14天左右得到SFDBA单晶。
取4mg SFDBX化合物放入10mL的样品瓶中，加入2mL二氯甲烷至SFDBX化合物完全溶解，随后沿瓶壁缓慢注入6mL正己烷使两种溶液分层，控制溶剂缓慢挥发14天左右得到SFDBX单晶。
将SFDBA单晶和SFDBX单晶分别通过测试得到单晶数据，将单晶数据输入软件中，通过软件分析SFDBA单晶和SFDBX单晶的最大暴露面和生长方向。
请参阅图4所示，使用Materials Studio 8.0软件，通过分别输入SFDBA单晶和SFDBX单晶的数据进行理论计算，得到SFDBA单晶和SFDBX单晶的形貌和最大暴露面，从图中可以看出，两种单晶的形貌相似，最大暴露面均是(100)面。
请参阅图5所示，分别将SFDBA单晶和SFDBX单晶的单晶数据输入MERCURY软件，用MERCURY软件分别研究SFDBA单晶分子和SFDBX单晶分子在a、b、c轴的排列方式，发现两种单晶分子都是在a轴方向上没有较强的π…π或C-H…π作用，使得两种单晶分子在a轴方向上的延伸受限，而两种单晶分子在这一层的b轴、c轴方向均能够堆叠延伸，具体的：π…π作用使两种单晶分子在c轴方向上延伸，与晶体单元的长度延伸方向相同，C-H…π作用使两种单晶分子在b轴方向上延伸。
扫描电镜分析和软件分析的结果都说明了SFDBA单晶分子和SFDBX单晶分子的最大暴露面和生长方向，清楚地阐述了SFDBA单晶分子和SFDBX单晶分子排列的方式，具体为：芴基排列在两端，杂环片段排列在中间，且晶体单元结构中的超分子作用力主要分布在杂环片段上，芴基上没有或仅有极小的作用力，沿着a轴方向没有较大的超分子作用力使晶体单元层层堆叠，沿着b、c轴方向上有超分子作用力使晶体单元层层堆叠，从而形成一维微米带的晶体形貌。
需要注意的是：本发明中的低维纳米晶体为SFDBA一维微米带或SFDBX一维微米带，纳米晶体化合物为SFDBA化合物或SFDBX化合物，用于制备单晶以及微米带的SFDBA化合物和SFDBX化合物在不添加任何表面活性剂的情况下制备得到，换而言之，在制备SFDBA化合物和SFDBX化合物的过程中不能添加任何表面活性剂。
综上所述，本发明通过将超分子片段排列在低维纳米晶体的中间，位阻片段排列在低维纳米晶体的两端，且超分子片段之间有超分子作用力，使得低维纳米晶体的延伸方向受到抑制，形成一维微米带；通过实验数据和软件模拟验证了低维纳米晶体的构象关系；同时，低维纳米晶体的结晶性良好、尺寸均匀，证明了超分子空间位阻效应可以在小尺度上用于预测微/纳米晶体的分子堆叠模式和形貌；进一步的，低维纳米晶体的制备方法采用传统的重沉淀法，符合绿色环保的化学理念。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。
Claims (10)
1.一种基于螺环芳烃的低维纳米晶体，其特征在于：所述低维纳米晶体包括超分子片段和位阻片段，所述超分子片段排列在所述低维纳米晶体的中间，所述位阻片段排列在所述低维纳米晶体的两端，所述低维纳米晶体为一维微米带。
2.根据权利要求1所述的基于螺环芳烃的低维纳米晶体，其特征在于：所述超分子片段和位阻片段共用一个中心碳原子。
3.根据权利要求2所述的基于螺环芳烃的低维纳米晶体，其特征在于：所述超分子片段与所述位阻片段以十字交叉的方式连接。
4.根据权利要求3所述的基于螺环芳烃的低维纳米晶体，其特征在于：所述超分子片段和位阻片段层层排列堆叠形成所述一维微米带。
5.根据权利要求4所述的基于螺环芳烃的低维纳米晶体，其特征在于：所述超分子片段上形成有超分子位点，两个相邻所述超分子位点之间通过超分子作用力相互吸引实现堆叠。
6.根据权利要求1所述的基于螺环芳烃的低维纳米晶体，其特征在于，所述低维纳米晶体的结构式为SFDBA和SFDBX结构中的一种：
7.根据权利要求6所述的基于螺环芳烃的低维纳米晶体，其特征在于：所述超分子片段为杂环片段，所述位阻片段为芴基。
8.一种低维纳米晶体的制备方法，应用于权利要求1-7所述的基于螺环芳烃的低维纳米晶体，其特征在于：所述低维纳米晶体由纳米晶体化合物采用重沉淀法制备而成，且在制备所述纳米晶体化合物的过程中不添加任何表面活性剂。
9.根据权利要求8所述的低维纳米晶体的制备方法，其特征在于，所述低维纳米晶体的制备步骤具体为：将所述纳米晶体化合物溶于THF溶液中，完全溶解后，将溶有所述纳米晶体化合物的THF溶液注入剧烈搅拌的纯水中，搅拌5min后，静置一定时间后过滤即可得到所述低维纳米晶体。
10.根据权利要求9所述的低维纳米晶体的制备方法，其特征在于：所述低维纳米晶体为SFDBA一维微米带或SFDBX一维微米带，所述纳米晶体化合物为SFDBA化合物或SFDBX化合物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110563202.7A CN113248434A (zh) | 2021-05-24 | 2021-05-24 | 基于螺环芳烃的低维纳米晶体及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110563202.7A CN113248434A (zh) | 2021-05-24 | 2021-05-24 | 基于螺环芳烃的低维纳米晶体及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113248434A true CN113248434A (zh) | 2021-08-13 |
Family
ID=77183948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110563202.7A Pending CN113248434A (zh) | 2021-05-24 | 2021-05-24 | 基于螺环芳烃的低维纳米晶体及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113248434A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113480511A (zh) * | 2021-07-13 | 2021-10-08 | 南京邮电大学 | 一种氰基取代的螺环芳烃分子分形晶体及其制备方法和应用 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102229565A (zh) * | 2011-05-10 | 2011-11-02 | 南京邮电大学 | 螺芴二苯并吖啶类有机半导体材料及其制备和应用方法 |
| CN103214340A (zh) * | 2013-04-24 | 2013-07-24 | 南京邮电大学 | 蝶烯类有机纳米材料及制备方法 |
| CN109651328A (zh) * | 2019-01-14 | 2019-04-19 | 南京邮电大学 | 芘基螺环芳烃类有机纳米晶体材料及其制备方法和应用 |
| CN110845484A (zh) * | 2019-09-23 | 2020-02-28 | 南京邮电大学 | 基于螺芴氧杂蒽双边取代咔唑的化合物、有机纳米晶体材料及制备方法和应用 |
-
2021
- 2021-05-24 CN CN202110563202.7A patent/CN113248434A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102229565A (zh) * | 2011-05-10 | 2011-11-02 | 南京邮电大学 | 螺芴二苯并吖啶类有机半导体材料及其制备和应用方法 |
| CN103214340A (zh) * | 2013-04-24 | 2013-07-24 | 南京邮电大学 | 蝶烯类有机纳米材料及制备方法 |
| CN109651328A (zh) * | 2019-01-14 | 2019-04-19 | 南京邮电大学 | 芘基螺环芳烃类有机纳米晶体材料及其制备方法和应用 |
| CN110845484A (zh) * | 2019-09-23 | 2020-02-28 | 南京邮电大学 | 基于螺芴氧杂蒽双边取代咔唑的化合物、有机纳米晶体材料及制备方法和应用 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| OU CHANGJIN等: "Excimer-based white electroluminescence from supramolecular bulk effects of dumbbell-shaped molecules via attractor-repulsor molecular design", 《ORGANIC ELECTRONICS》 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113480511A (zh) * | 2021-07-13 | 2021-10-08 | 南京邮电大学 | 一种氰基取代的螺环芳烃分子分形晶体及其制备方法和应用 |
| CN113480511B (zh) * | 2021-07-13 | 2023-09-22 | 南京邮电大学 | 一种氰基取代的螺环芳烃分子分形晶体及其制备方法和应用 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Robinson et al. | Dimensional control and morphological transformations of supramolecular polymeric nanofibers based on cofacially-stacked planar amphiphilic platinum (II) complexes | |
| CN105694051B (zh) | 基于点击化学的金属有机框架交联膜及其制备方法与应用 | |
| Yang et al. | Growth of CdS nanorods in nonionic amphiphilic triblock copolymer systems | |
| CN106590629A (zh) | 一种提高钙钛矿量子点稳定性的方法 | |
| CN113248434A (zh) | 基于螺环芳烃的低维纳米晶体及其制备方法 | |
| CN108502927A (zh) | 一种铯铋溴钙钛矿纳米片的制备方法 | |
| Cui et al. | How a small change of oligo (p-phenylenevinylene) chain length affects self-seeding of oligo (p-phenylenevinylene)-containing block copolymers | |
| CN105733308A (zh) | 聚硅烷-二硫化钼夹层复合材料的制备方法 | |
| CN114766481A (zh) | 一种高包封率农药微胶囊及其制备方法和应用 | |
| CN111116343B (zh) | 一种Dy(III)-Cu(II)共晶单分子磁体及其制备方法 | |
| CN107383725A (zh) | 一种钆金属有机框架/聚乙烯醇纳米复合膜的制备方法 | |
| CN105727827B (zh) | 表面活性剂、其制备方法及应用 | |
| CN108793122B (zh) | 一种c70富勒烯晶体的制备方法 | |
| CN112266485A (zh) | 一种普适性的二维稀土MOFs材料及其无溶剂化学剥离方法和应用 | |
| Cong et al. | Recrystallization and shape control of crystals of the organic dye acid green 27 in a mixed solvent | |
| CN108300470B (zh) | 一种准低维铋基钙钛矿纳米材料的制备方法 | |
| CN113896900A (zh) | 一种镧系金属有机骨架Ln-MOF材料及其制备方法 | |
| CN109504364B (zh) | 一种一维有机核壳结构微米晶体材料的制备方法 | |
| CN108129354B (zh) | 凝胶剂、凝胶组合物及凝胶制备方法 | |
| CN1143891C (zh) | 聚苯胺/蒙脱土纳米复合材料电流变液及其制备方法 | |
| CN112209425A (zh) | 一种制备花状氧化锌的方法 | |
| CN113480511B (zh) | 一种氰基取代的螺环芳烃分子分形晶体及其制备方法和应用 | |
| CN114560449B (zh) | 一种不同形貌及相态的硒化锰纳米材料的制备方法及应用 | |
| CN114106345B (zh) | 一种发光铜-硫醇聚合物单晶及其制备方法 | |
| KR100429905B1 (ko) | 덴드론 혹은 덴드론 유도체로 안정화된 금속 나노 입자 및그 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210813 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |