CN113231945A - 一种用于半导体晶片排列成型治具 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种用于半导体晶片排列成型治具，包括底板，所述底板的顶部通过支撑腿固定有顶板，所述顶板的顶部设置有用于对晶片表面进行抛光的抛光机构，所述抛光机构下方的底板顶部设置有用于对抛光后的晶片进行覆膜的覆膜机构，所述覆膜机构包括两个轴承板，两个所述轴承板分别固定在底板前后两侧的顶部，两个所述轴承板的相对面共同单向转动安装有转动轴，所述转动轴的外壁固定有转盘，所述转盘的外壁设置有多个用于吸附固定抛光后晶片的活塞管，且多个所述活塞管呈环形排列分布。本发明通过结构之间的配合，达到了将晶片表面抛光后对其进行覆膜的效果，同时还可以较少薄膜与晶片之间的气泡，使之包覆更加完全。

Description

一种用于半导体晶片排列成型治具

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，具体为一种用于半导体晶片排列成型治具。

背景技术

对于半导体晶片加工来说，有一面需要像镜面一样，这样就需要对晶片进行表面抛光，而晶片抛光时一般是对其进行单面抛光，通过抛光垫对其表面进行打磨抛光。

而现有的技术中，只是对晶片进行抛光，如果抛光后对其进行覆膜，可能会对抛光后的面造成其他的磨损，从而使抛光后的面有瑕疵，需要重新进行抛光，不仅浪费资源，而且做了重复的无用功，因此，亟需一种可以在晶片抛光后对抛光面进行覆膜的覆膜成型设备。

鉴于此，本发明提出了一种用于半导体晶片排列成型治具。

发明内容

本发明的目的在于提供一种用于半导体晶片排列成型治具，具备将晶片抛光后对其进行表面覆膜的优点，防止抛光后的面再次造成其他损伤，解决了背景技术中的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种用于半导体晶片排列成型治具，包括底板，所述底板的顶部通过支撑腿固定有顶板，所述顶板的顶部设置有用于对晶片表面进行抛光的抛光机构，所述抛光机构下方的底板顶部设置有用于对抛光后的晶片进行覆膜的覆膜机构。

所述覆膜机构包括两个轴承板，两个所述轴承板分别固定在底板前后两侧的顶部，两个所述轴承板的相对面共同单向转动安装有转动轴，所述转动轴的外壁固定有转盘，所述转盘的外壁设置有多个用于吸附固定抛光后晶片的活塞管，且多个所述活塞管呈环形排列分布，所述转盘与转动轴之间还设置有用于调节活塞管内气压大小的调压机构，且当活塞管向上转动时，活塞管内气压变小，当活塞管向下转动时，活塞管内气压变大。

所述活塞管远离转盘轴心的外壁设置有触发机构，所述触发机构触发后会活塞管通过负压将晶片进行吸附固定。

所述底板靠近转盘的顶部通过支撑板固定有匚形架，所述匚形架的内壁转动安装有放卷辊，且放卷辊上缠绕有薄膜，所述转盘转动时会将薄膜拉出并对晶片进行覆膜。

还包括用于驱动转动轴转动的传动机构。

优选的，所述调节机构包括多个活塞板，多个所述活塞板分别滑动安装在多个活塞管的内壁，所述活塞板的外壁固定有活塞杆，所述活塞杆的一端穿出活塞管靠近转盘中心的外壁，其中一个所述轴承板靠近转盘的外壁通过固定杆固定有固定盘，所述转动轴贯穿固定盘偏心的外壁，且与固定盘的贯穿处转动连接，所述固定盘的外壁转动安装有转动环，所述转盘的外壁铰接有与活塞管的数量相对应的第二连杆，所述转动环的外壁也铰接有多个第一连杆，且每个第一连杆分别与第二连杆相对应，相邻所述第二连杆和第一连杆相对的一端共同转动连接有第三连杆，所述第三连杆远离第一连杆和第二连杆的一端与活塞杆的一端铰接。

优选的，所述抛光机构包括两个导杆，两个所述导杆分别固定在顶板前后两侧的顶部，两个所述顶板的顶部共同固定有安装板，两个所述导杆的外壁共同滑动安装有升降板，所述安装板的顶部安装有电机，所述电机的输出端穿过12的底部，且通过联轴器固定安装有花键轴，所述花键轴的轴杆底端贯穿升降板的外壁，并固定有抛光垫，所述花键轴的轴杆与升降板的贯穿处转动安装，位于所述抛光垫下方的顶板顶部开设有长槽，所述长槽两侧的内壁均开设有用于放置晶片的弧形凹槽，所述顶板靠近长槽两侧的顶部均固定有柔性顶块。

还包括用于驱动升降板上下移动的驱动机构。

优选的，所述驱动机构包括竖板，所述竖板固定在顶板远离长槽的顶部，所述竖板靠近升降板的外壁固定有气缸，所述气缸的输出轴外壁固定有安装块，所述安装块与所述升降板之间铰接有连接杆。

触发机构包括固定板，所述固定板固定在活塞管的内壁，所述活塞管远离转盘中心的外壁开设有梯形槽，所述固定板靠近梯形槽的外壁固定有第二伸缩杆，所述第二伸缩杆的一端固定有梯形块，所述梯形块穿出梯形槽的外壁，且固定有触发块，所述梯形块穿入梯形槽内，所述梯形块与固定板之间的第二伸缩杆外壁套设有弹簧。

优选的，所述传动机构包括传动板，所述传动板固定在升降板的侧壁，所述转动轴穿出轴承板的一端固定有棘轮，所述传动板靠近棘轮的外壁转动安装有棘齿，所述棘齿与棘轮的齿牙间接性啮合。

优选的，位于所述气缸两侧的竖板外壁均水平转动连接有第一伸缩杆，两个所述第一伸缩杆远离竖板的一端均转动连接有直角弧板，两个所述直角弧板呈四分之一圆板设置，且两个所述直角弧板的直角处通过销轴转动连接在气缸输出轴的一端，两个所述直角弧板的顶部开设有合起来可以形成一个圆形的凹槽。

优选的，所述活塞管的外壁固定有密封套，且密封套设置为橡胶材质。

优选的，所述转盘下方的底板顶部设置有用于输送覆膜后的晶片的传送带，所述传送带的外壁固定有多个隔板，所述转动轴与传送带之间通过传动系统传动连接，且所述传送带的传动方向与转盘的转动方向相反。

优选的，所述隔板设置为硬金属材质，且开有刀刃，所述底板的顶部安装有用于对隔板进行加热的加热器。

与现有技术相比，本发明的有益效果如下：

一、本发明通过设置驱动机构和抛光机构，通过结构之间的配合，达到了可以对晶片自动上来的同时对其进行打磨抛光的效果，提高了工作的效率。

二、本发明通过设置覆膜机构，通过结构之间的配合，将薄膜扯出一截并覆盖在晶片表面，然后随着转盘带动晶片转动会将薄膜向外扯出，并绷直，而后随后的晶片会随着转盘的转动，将绷直的薄膜从一边先覆盖，然后随着晶片的转动覆盖到一整面，这样可以较少薄膜与晶片之间的气泡，同时，由于晶片打磨抛光后，晶片的表面温度会升高，当薄膜覆盖到晶片上后，会对薄膜进行加热，然后由于薄膜的热塑性会更加紧密的包覆在晶片上，这样随着晶片的转动覆盖，以及薄膜的热缩，在薄膜可以紧密包覆的同时还可以减少之间的气泡，然后随着转盘的不断间歇转动，达到了将抛光后的晶片进行覆膜的效果，同时随着晶片的转动还可以将薄膜不断拉扯出，并绷直，从而可以对后续的晶片再进行覆膜。

三、本发明通过设置传送带、隔板和加热器，通过加热器对隔板进行加热，当薄膜与隔板的开刃处接触时，隔板会将薄膜熔断，从而可以将晶片进行分离，同时当转盘间歇转动时会通过传动系统带动传送带也间歇式传动，从而达到了对晶片覆膜后再自动分割和运输的效果，形成了流水作业，从而提高了工作效率。

附图说明

图1为本发明右前视轴侧立体图结构示意图；

图2为本发明左后视轴侧立体图结构示意图；

图3为本发明转盘、第一连杆、第二连杆和第三连杆局部放大立体图结构示意图；

图4为本发明活塞管剖视放大立体图结构示意图。

图中：1、底板；2、支撑腿；3、顶板；4、竖板；5、气缸；6、第一伸缩杆；7、安装块；8、直角弧板；9、连接杆；10、升降板；11、导杆；12、安装板；13、电机；14、花键轴；15、抛光垫；16、薄膜；17、匚形架；18、转动轴；19、转盘；20、支撑板；21、轴承板；22、隔板；23、传送带；24、柔性顶块；25、长槽；26、加热器；27、传动系统；28、棘轮；29、棘齿；30、传动板；31、固定杆；32、固定盘；33、转动环；34、第一连杆；35、第二连杆；36、第三连杆；37、活塞杆；38、活塞管；39、晶片；40、触发块；41、密封套；42、梯形槽；43、梯形块；44、第二伸缩杆；45、固定板；46、活塞板；47、弹簧。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1至图4，本发明提供一种技术方案：一种用于半导体晶片排列成型治具，包括底板1，底板1的顶部通过支撑腿2固定有顶板3，顶板3的顶部设置有用于对晶片39表面进行抛光的抛光机构，抛光机构下方的底板1顶部设置有用于对抛光后的晶片39进行覆膜的覆膜机构。

覆膜机构包括两个轴承板21，两个轴承板21分别固定在底板1前后两侧的顶部，两个轴承板21的相对面共同单向转动安装有转动轴18，转动轴18的外壁固定有转盘19，转盘19的外壁设置有多个用于吸附固定抛光后晶片39的活塞管38，且多个活塞管38呈环形排列分布，转盘19与转动轴18之间还设置有用于调节活塞管38内气压大小的调压机构，且当活塞管38向上转动时，活塞管38内气压变小，当活塞管38向下转动时，活塞管38内气压变大。

活塞管38远离转盘19轴心的外壁设置有触发机构，触发机构触发后会活塞管38通过负压将晶片39进行吸附固定。

底板1靠近转盘19的顶部通过支撑板20固定有匚形架17，匚形架17的内壁转动安装有放卷辊，且放卷辊上缠绕有薄膜16，转盘19转动时会将薄膜16拉出并对晶片39进行覆膜。

还包括用于驱动转动轴18转动的传动机构。

先通过顶板3顶部的抛光机构对晶片39进行抛光，然后通过传动机构驱动转动轴18转动，然后转动轴18带动转盘19转动，并带动活塞管38转动，当活塞管38向上转动时，其内部的气压变小，然后当触发机构接触到晶片39触发后，此时活塞管38通过负压对晶片39进行吸附固定，同时带动其进行转动，然后将薄膜16扯出一截并覆盖在晶片39表面，此时然后随着转盘19带动晶片39转动会将薄膜16向外扯出，并绷直，而后随后的晶片39会随着转盘19的转动，将绷直的薄膜16从一边先覆盖，然后随着晶片39的转动覆盖到一整面，这样可以较少薄膜16与晶片39之间的气泡，达到了对抛光后的晶片39表面进行覆膜的效果，同时随着晶片39的转动还可以将薄膜16不断拉扯出，并绷直，从而可以对后续的晶片39再进行覆膜。

同时随着活塞管38带动晶片39向下转动时，此时活塞管38内气压逐渐变小，当活塞管38转动到最低点时，此时活塞管38内的气压与外界气压平衡，此时接触对晶片39的吸附，从而时晶片39落下，然后将中间的薄膜切断即可。

进一步地，调节机构包括多个活塞板46，多个活塞板46分别滑动安装在多个活塞管38的内壁，活塞板46的外壁固定有活塞杆37，活塞杆37的一端穿出活塞管38靠近转盘19中心的外壁，其中一个轴承板21靠近转盘19的外壁通过固定杆31固定有固定盘32，转动轴18贯穿固定盘32偏心的外壁，且与固定盘32的贯穿处转动连接，固定盘32的外壁转动安装有转动环33，转盘19的外壁铰接有与活塞管38的数量相对应的第二连杆35，转动环33的外壁也铰接有多个第一连杆34，且每个第一连杆34分别与第二连杆35相对应，相邻第二连杆35和第一连杆34相对的一端共同转动连接有第三连杆36，第三连杆36远离第一连杆34和第二连杆35的一端与活塞杆37的一端铰接。

当转动轴18带动转盘19转动时，然后转盘19通过第二连杆35和第一连杆34带动转动环33沿着固定盘32的外壁转动，由于固定盘32与转动轴18处于偏心的位置，所以固定盘32的中心与转盘19顶部外壁的距离要大于与转盘19底部外壁的距离，所以当活塞管38转动到固定盘32上方时，此时第二连杆35与第一连杆34之间的夹角会变大，从而通过第三连杆36带动活塞杆37向靠近转动轴18的方向移动，进而带动活塞板46移动，由于此时活塞管38内处于密封状态，所以空间变大，会使活塞管38内产生负压，当活塞管38转动到固定盘32下方时，此时第二连杆35与第一连杆34之间的夹角会变小，从而通过第三连杆36带动活塞杆37向远离转动轴18的方向移动，进而带动活塞板46移动，从而使活塞管38内的气压变大，最后与外界气压趋于平衡，这样当活塞管38向上转动时产生负压，当触发机构触发后，对晶片39进行吸附固定，当活塞管38向下转动时，活塞管38内气压变大，解除对晶片39的吸附。

进一步地，抛光机构包括两个导杆11，两个导杆11分别固定在顶板3前后两侧的顶部，两个顶板3的顶部共同固定有安装板12，两个升降板10的外壁共同滑动安装有升降板10，安装板12的顶部安装有电机13，电机13的输出端穿过安装板12的底部，且通过联轴器固定安装有花键轴14，花键轴14的轴杆底端贯穿升降板10的外壁，并固定有抛光垫15，花键轴14的轴杆与升降板10的贯穿处转动安装，位于抛光垫15下方的顶板3顶部开设有长槽25，长槽25两侧的内壁均开设有用于放置晶片39的弧形凹槽，顶板3靠近长槽25两侧的顶部均固定有柔性顶块24。

还包括用于驱动升降板10上下移动的驱动机构。

启动电机13，然后电机13的输出轴会带动花键轴14转动，从而带动抛光垫15一起转动，将待抛光的晶片39放入弧形凹槽内，然后通过驱动机构带动升降板10向下移动，使抛光垫15与下方的晶片39表面相接触，从而对晶片39表面进行打磨抛光。

进一步地，驱动机构包括竖板4，竖板4固定在顶板3远离长槽25的顶部，竖板4靠近升降板10的外壁固定有气缸5，气缸5的输出轴外壁固定有安装块7，安装块7与升降板10之间铰接有连接杆9，通过启动气缸5，气缸5的输出轴带动安装块7向靠近升降板10的方向移动，在连接杆9的连接作用下会带动升降板10向上移动，反之则会带动升降板10向下移动。

触发机构包括固定板45，固定板45固定在活塞管38的内壁，活塞管38远离转盘19中心的外壁开设有梯形槽42，固定板45靠近梯形槽42的外壁固定有第二伸缩杆44，第二伸缩杆44的一端固定有梯形块43，梯形块43穿出梯形槽42的外壁，且固定有触发块40，梯形块43穿入梯形槽42内，梯形块43与固定板45之间的第二伸缩杆44外壁套设有弹簧47。

转盘19转动会带动活塞管38转动到长槽25内，并将晶片39向上顶起的同时向前移动，当晶片39与柔性顶块24接触时，此时柔性顶块24会挤着晶片39，使晶片39向下挤压触发块40，从而将梯形块43向活塞管38内挤压，并脱离梯形槽42，同时第二伸缩杆44收缩，而弹簧47被压缩，此时活塞管38内的负压会将晶片39进行吸附固定，这时随着活塞管38继续转动到最高点时，晶片39脱离柔性顶块24，从而达到了抛光后可以将晶片39进行吸附固定的效果，然后再带动其进行转动。

进一步地，传动机构包括传动板30，传动板30固定在升降板10的侧壁，转动轴18穿出轴承板21的一端固定有棘轮28，传动板30靠近棘轮28的外壁转动安装有棘齿29，棘齿29与棘轮28的齿牙间接性啮合。

升降板10向上移动时会带动传动板30一起向上移动，然后通过棘齿29与棘轮28之间的配合，传动板30向上移动时会带动棘轮28转动，然后带动转盘19转动，这样随着升降板10的不断上下移动，从而可以带动转动轴18以及转盘19做间歇转动。

进一步地，位于气缸5两侧的竖板4外壁均水平转动连接有第一伸缩杆6，两个第一伸缩杆6远离竖板4的一端均转动连接有直角弧板8，两个直角弧板8呈四分之一圆板设置，且两个直角弧板8的直角处通过销轴转动连接在气缸5输出轴的一端，两个直角弧板8的顶部开设有合起来可以形成一个圆形的凹槽。

将待加工的晶片39放入两个直角弧板8上开设的凹槽内，也可以通过输送带等方式放入，然后启动气缸5，气缸5的输出杆带动直角弧板8移动，此时第一伸缩杆6随着直角弧板8的移动而伸长，当直角弧板8即将移动到抛光垫15下方时，此时第一伸缩杆6伸长到极限，此时两个直角弧板8会沿着直角连接处张开，将其上放置的晶片39落到下方的凹槽内，然后气缸5的输出杆带动直角弧板8反向移动，将两个直角弧板8转动合住，这样通过气缸5的输出杆不断移动，即可达到对晶片39自动上料的效果。

进一步地，活塞管38的外壁固定有密封套41，且密封套41设置为橡胶材质，通过密封套41可以提高晶片39与活塞管38之间的密封性，同时还可以承受一定程度的变形。

进一步地，转盘19下方的底板1顶部设置有用于输送覆膜后的晶片39的传送带23，传送带23的外壁固定有多个隔板22，转动轴18与传送带23之间通过传动系统27传动连接，且传送带23的传动方向与转盘19的转动方向相反，当转动轴18间歇转动时可以通过传动系统27也带动转盘19间歇转动，而且两者的转动方向相反可以方便对覆膜后的晶片39进行收集。

进一步地，隔板22设置为硬金属材质，且开有刀刃，底板1的顶部安装有用于对隔板22进行加热的加热器26，通过加热器26对隔板22进行加热，当薄膜16与隔板22的开刃处接触时，隔板22会将薄膜16熔断，从而可以将每个晶片39进行分离。

工作原理：该用于半导体晶片排列成型治具在使用时，可以先启动电机13，然后电机13的输出轴会带动花键轴14转动，从而带动抛光垫15一起转动。

再将待加工的晶片39放入两个直角弧板8上开设的凹槽内，也可以通过输送带等方式放入，然后启动气缸5，气缸5的输出杆带动直角弧板8移动，此时第一伸缩杆6随着直角弧板8的移动而伸长，同时气缸5的输出杆也会带动安装块7一起移动，通过连接杆9的连接作用带动升降板10向上移动，同时带动花键轴14底端的轴杆一起向上移动，从而方便对晶片39进行上料。

当直角弧板8即将移动到抛光垫15下方时，此时第一伸缩杆6伸长到极限，此时两个直角弧板8会沿着直角连接处张开，将其上放置的晶片39落到下方的凹槽内，然后气缸5的输出杆带动直角弧板8反向移动，将两个直角弧板8转动合住，同时安装块7通过连接杆9带动升降板10向下移动，使抛光垫15与下方的晶片39表面相接触，从而对晶片39表面进行打磨抛光，这样通过气缸5的输出杆不断移动，达到了自动上料然后打磨抛光的效果。

抛光后，随着升降板10向上移动带动抛光垫15脱离晶片39，此时升降板10会带动传动板30一起向上移动，然后通过棘齿29与棘轮28之间的配合，传动板30向上移动时会带动棘轮28转动，然后带动转盘19转动，这样随着升降板10的不断上下移动，从而可以带动转动轴18以及转盘19做间歇转动。

而此时的转盘19转动会带动活塞管38转动到长槽25内，并将晶片39向上顶起的同时向前移动，当晶片39与柔性顶块24接触时，此时柔性顶块24会挤着晶片39，使晶片39向下挤压触发块40，从而将梯形块43向活塞管38内挤压，并脱离梯形槽42，同时第二伸缩杆44收缩，而弹簧47被压缩，通过密封套41的密封作用，此时活塞管38内的负压会将晶片39进行吸附固定，这时随着活塞管38继续转动到最高点时，晶片39脱离柔性顶块24，从而达到了抛光后可以自动下料的效果。

然后将薄膜16扯出一截并覆盖在晶片39表面，然后随着转盘19带动晶片39转动会将薄膜16向外扯出，并绷直，而后随后的晶片39会随着转盘19的转动，将绷直的薄膜16从一边先覆盖，然后随着晶片39的转动覆盖到一整面，这样可以较少薄膜16与晶片39之间的气泡，同时，由于晶片39打磨抛光后，晶片39的表面温度会升高，当薄膜16覆盖到晶片39上后，会对薄膜16进行加热，然后由于薄膜16的热塑性会更加紧密的包覆在晶片39上，这样随着晶片39的转动覆盖，以及薄膜16的热缩，在薄膜16可以紧密包覆的同时还可以减少之间的气泡，然后随着转盘19的不断间歇转动，达到了将抛光后的晶片39进行覆膜的效果，同时随着晶片39的转动还可以将薄膜16不断拉扯出，并绷直，从而可以对后续的晶片39再进行覆膜。

当活塞管38带动晶片39转动到最下方时，此时活塞管38内的气压达到平衡的状态，此时解除对晶片39的吸附固定，然后晶片39会落到下方的传送带23上，通过隔板22可以将晶片39分隔开，然后通过加热器26对隔板22进行加热，当薄膜16与隔板22的开刃处接触时，隔板22会将薄膜16熔断，从而可以将晶片39进行分离，同时当转盘19间歇转动时会通过传动系统27带动传送带23也间歇式传动，从而达到了对晶片39覆膜后再自动分割和运输的效果，形成了流水作业，从而提高了工作效率。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (10)

1.一种用于半导体晶片排列成型治具，包括底板（1），其特征在于：所述底板（1）的顶部通过支撑腿（2）固定有顶板（3），所述顶板（3）的顶部设置有用于对晶片（39）表面进行抛光的抛光机构，所述抛光机构下方的底板（1）顶部设置有用于对抛光后的晶片（39）进行覆膜的覆膜机构；

所述覆膜机构包括两个轴承板（21），两个所述轴承板（21）分别固定在底板（1）前后两侧的顶部，两个所述轴承板（21）的相对面共同单向转动安装有转动轴（18），所述转动轴（18）的外壁固定有转盘（19），所述转盘（19）的外壁设置有多个用于吸附固定抛光后晶片（39）的活塞管（38），且多个所述活塞管（38）呈环形排列分布，所述转盘（19）与转动轴（18）之间还设置有用于调节活塞管（38）内气压大小的调压机构，且当活塞管（38）向上转动时，活塞管（38）内气压变小，当活塞管（38）向下转动时，活塞管（38）内气压变大；

所述活塞管（38）远离转盘（19）轴心的外壁设置有触发机构，所述触发机构触发后会活塞管（38）通过负压将晶片（39）进行吸附固定；

所述底板（1）靠近转盘（19）的顶部通过支撑板（20）固定有匚形架（17），所述匚形架（17）的内壁转动安装有放卷辊，且放卷辊上缠绕有薄膜（16），所述转盘（19）转动时会将薄膜（16）拉出并对晶片（39）进行覆膜；

还包括用于驱动转动轴（18）转动的传动机构。

2.根据权利要求1所述的用于半导体晶片排列成型治具，其特征在于：所述调节机构包括多个活塞板（46），多个所述活塞板（46）分别滑动安装在多个活塞管（38）的内壁，所述活塞板（46）的外壁固定有活塞杆（37），所述活塞杆（37）的一端穿出活塞管（38）靠近转盘（19）中心的外壁，其中一个所述轴承板（21）靠近转盘（19）的外壁通过固定杆（31）固定有固定盘（32），所述转动轴（18）贯穿固定盘（32）偏心的外壁，且与固定盘（32）的贯穿处转动连接，所述固定盘（32）的外壁转动安装有转动环（33），所述转盘（19）的外壁铰接有与活塞管（38）的数量相对应的第二连杆（35），所述转动环（33）的外壁也铰接有多个第一连杆（34），且每个第一连杆（34）分别与第二连杆（35）相对应，相邻所述第二连杆（35）和第一连杆（34）相对的一端共同转动连接有第三连杆（36），所述第三连杆（36）远离第一连杆（34）和第二连杆（35）的一端与活塞杆（37）的一端铰接。

3.根据权利要求1所述的用于半导体晶片排列成型治具，其特征在于：所述抛光机构包括两个导杆（11），两个所述导杆（11）分别固定在顶板（3）前后两侧的顶部，两个所述顶板（3）的顶部共同固定有安装板（12），两个所述导杆（11）的外壁共同滑动安装有升降板（10），所述安装板（12）的顶部安装有电机（13），所述电机（13）的输出端穿过12的底部，且通过联轴器固定安装有花键轴（14），所述花键轴（14）的轴杆底端贯穿升降板（10）的外壁，并固定有抛光垫（15），所述花键轴（14）的轴杆与升降板（10）的贯穿处转动安装，位于所述抛光垫（15）下方的顶板（3）顶部开设有长槽（25），所述长槽（25）两侧的内壁均开设有用于放置晶片（39）的弧形凹槽，所述顶板（3）靠近长槽（25）两侧的顶部均固定有柔性顶块（24）；

还包括用于驱动升降板（10）上下移动的驱动机构。

4.根据权利要求3所述的用于半导体晶片排列成型治具，其特征在于：所述驱动机构包括竖板（4），所述竖板（4）固定在顶板（3）远离长槽（25）的顶部，所述竖板（4）靠近升降板（10）的外壁固定有气缸（5），所述气缸（5）的输出轴外壁固定有安装块（7），所述安装块（7）与所述升降板（10）之间铰接有连接杆（9）。

5.根据权利要求1所述的用于半导体晶片排列成型治具，其特征在于：触发机构包括固定板（45），所述固定板（45）固定在活塞管（38）的内壁，所述活塞管（38）远离转盘（19）中心的外壁开设有梯形槽（42），所述固定板（45）靠近梯形槽（42）的外壁固定有第二伸缩杆（44），所述第二伸缩杆（44）的一端固定有梯形块（43），所述梯形块（43）穿出梯形槽（42）的外壁，且固定有触发块（40），所述梯形块（43）穿入梯形槽（42）内，所述梯形块（43）与固定板（45）之间的第二伸缩杆（44）外壁套设有弹簧（47）。

6.根据权利要求1所述的用于半导体晶片排列成型治具，其特征在于：所述传动机构包括传动板（30），所述传动板（30）固定在升降板（10）的侧壁，所述转动轴（18）穿出轴承板（21）的一端固定有棘轮（28），所述传动板（30）靠近棘轮（28）的外壁转动安装有棘齿（29），所述棘齿（29）与棘轮（28）的齿牙间接性啮合。

7.根据权利要求4所述的用于半导体晶片排列成型治具，其特征在于：位于所述气缸（5）两侧的竖板（4）外壁均水平转动连接有第一伸缩杆（6），两个所述第一伸缩杆（6）远离竖板（4）的一端均转动连接有直角弧板（8），两个所述直角弧板（8）呈四分之一圆板设置，且两个所述直角弧板（8）的直角处通过销轴转动连接在气缸（5）输出轴的一端，两个所述直角弧板（8）的顶部开设有合起来可以形成一个圆形的凹槽。

8.根据权利要求1或5任意一项所述的用于半导体晶片排列成型治具，其特征在于：所述活塞管（38）的外壁固定有密封套（41），且密封套（41）设置为橡胶材质。

9.根据权利要求1所述的用于半导体晶片排列成型治具，其特征在于：所述转盘（19）下方的底板（1）顶部设置有用于输送覆膜后的晶片（39）的传送带（23），所述传送带（23）的外壁固定有多个隔板（22），所述转动轴（18）与传送带（23）之间通过传动系统（27）传动连接，且所述传送带（23）的传动方向与转盘（19）的转动方向相反。

10.根据权利要求9所述的用于半导体晶片排列成型治具，其特征在于：所述隔板（22）设置为硬金属材质，且开有刀刃，所述底板（1）的顶部安装有用于对隔板（22）进行加热的加热器（26）。

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