CN113227217B - 半导体密封用成型材料、半导体密封用成型材料的制造方法、以及使用其的半导体装置 - Google Patents

半导体密封用成型材料、半导体密封用成型材料的制造方法、以及使用其的半导体装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113227217B
CN113227217B CN201980082952.3A CN201980082952A CN113227217B CN 113227217 B CN113227217 B CN 113227217B CN 201980082952 A CN201980082952 A CN 201980082952A CN 113227217 B CN113227217 B CN 113227217B
Authority
CN
China
Prior art keywords
pulverizing
molding material
cooling
semiconductor
rolling
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201980082952.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113227217A (zh
Inventor
今野功雅
前田刚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Publication of CN113227217A publication Critical patent/CN113227217A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113227217B publication Critical patent/CN113227217B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J3/00—Processes of treating or compounding macromolecular substances
    • C08J3/12—Powdering or granulating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B02—CRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING; PREPARATORY TREATMENT OF GRAIN FOR MILLING
    • B02C—CRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING IN GENERAL; MILLING GRAIN
    • B02C23/00—Auxiliary methods or auxiliary devices or accessories specially adapted for crushing or disintegrating not provided for in preceding groups or not specially adapted to apparatus covered by a single preceding group
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29B—PREPARATION OR PRETREATMENT OF THE MATERIAL TO BE SHAPED; MAKING GRANULES OR PREFORMS; RECOVERY OF PLASTICS OR OTHER CONSTITUENTS OF WASTE MATERIAL CONTAINING PLASTICS
    • B29B17/00—Recovery of plastics or other constituents of waste material containing plastics
    • B29B17/04—Disintegrating plastics, e.g. by milling
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C48/00—Extrusion moulding, i.e. expressing the moulding material through a die or nozzle which imparts the desired form; Apparatus therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C48/00—Extrusion moulding, i.e. expressing the moulding material through a die or nozzle which imparts the desired form; Apparatus therefor
    • B29C48/03—Extrusion moulding, i.e. expressing the moulding material through a die or nozzle which imparts the desired form; Apparatus therefor characterised by the shape of the extruded material at extrusion
    • B29C48/07—Flat, e.g. panels
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C48/00—Extrusion moulding, i.e. expressing the moulding material through a die or nozzle which imparts the desired form; Apparatus therefor
    • B29C48/25—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C48/30—Extrusion nozzles or dies
    • B29C48/35—Extrusion nozzles or dies with rollers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C08K3/013—Fillers, pigments or reinforcing additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29B—PREPARATION OR PRETREATMENT OF THE MATERIAL TO BE SHAPED; MAKING GRANULES OR PREFORMS; RECOVERY OF PLASTICS OR OTHER CONSTITUENTS OF WASTE MATERIAL CONTAINING PLASTICS
    • B29B17/00—Recovery of plastics or other constituents of waste material containing plastics
    • B29B17/04—Disintegrating plastics, e.g. by milling
    • B29B2017/0424—Specific disintegrating techniques; devices therefor
    • B29B2017/0468—Crushing, i.e. disintegrating into small particles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2363/00—Characterised by the use of epoxy resins; Derivatives of epoxy resins
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02W—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO WASTEWATER TREATMENT OR WASTE MANAGEMENT
    • Y02W30/00—Technologies for solid waste management
    • Y02W30/50—Reuse, recycling or recovery technologies
    • Y02W30/62—Plastics recycling; Rubber recycling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Food Science & Technology (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
  • Processes Of Treating Macromolecular Substances (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及一种半导体密封用成型材料，其中，大小超过100μm的凝集物和/或凝胶状物质的含有率是50ppm以下。

Description

半导体密封用成型材料、半导体密封用成型材料的制造方法、 以及使用其的半导体装置
技术领域
本发明涉及半导体密封用成型材料及其制造方法、以及使用了半导体密封用成型材料的半导体装置。
背景技术
通常，半导体装置用半导体密封用成型材料对固定于支承体的半导体芯片进行树脂密封。在此，半导体密封用成型材料由电气特性、耐热性、量产性等优异的环氧树脂等热固化性树脂以及其固化剂、催化剂、脱模剂、阻燃剂、着色剂等添加剂以及无机填充剂构成。另外，作为其制造方法，将构成树脂组合物的成分配合规定量而进行混合后，利用辊、单轴挤出机、单轴挤出机和辊的组合、或双轴挤出机进行混炼，将混炼物压延成片状，冷却后，使用冲击式破碎机进行粉碎，根据需要加工成粉粒状或片剂(tablet)状。
然而，半导体装置追求更薄。作为制造薄的半导体装置的方法，进行磨削或减薄半导体晶片，但会存在翘曲、间歇性的成品率、以及可靠性等风险。因此，作为在不损伤半导体晶片的情况下使半导体封装成为所期望的极薄的厚度的方法，正在研究对被树脂密封的封装的表面进行磨削的方法。例如，在专利文献1中公开了为了减少封装的厚度而对成型的封装进行磨削的方法。另外，在专利文献2中公开了如下密封技术，在芯片上的树脂厚度薄的窄间隙结构的封装中，在不产生线流或填充不良等不良的情况下，能够成品率良好地成型。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：美国专利申请公开第2009/0230567号说明书。
专利文献2：日本特开2010-159401号公报。
发明内容
发明所要解决的课题
但是，若芯片上的树脂厚度变薄，则由于成型材料中的无机填充剂的凝集物或凝胶状物质，有可能发生表面的突起、外观异常、线变形、芯片的破裂等不良。
本发明是鉴于上述情况而完成的。例如，提供一种半导体密封用成型材料及其制造方法、以及使用了该半导体密封用成型材料的半导体装置，即使半导体封装的芯片上树脂厚度为100μm以下那样薄，该半导体密封用成型材料也能够使半导体装置的外观和可靠性优异。
用于解决课题的手段
为了达到上述目的，本发明人等进行了深入研究，结果发现，大小超过100μm的凝集物和/或凝胶状物质的含有率在特定的值以下的半导体密封用成型材料满足上述特性，从而完成本发明。
即，本发明提供以下的[1]～[5]。
[1]一种半导体密封用成型材料，其中，大小超过100μm的凝集物和/或凝胶状物质的含有率是50ppm以下。
[2]一种半导体密封用成型材料的制造方法，其是上述[1]所述的半导体密封用成型材料的制造方法，其特征在于，所述半导体密封用成型材料的制造方法包括如下工序：混合工序，该工序对包含环氧树脂、固化剂、以及无机填充剂的原材料进行混合；混炼工序，该工序对在所述混合工序中得到的混合物进行混炼而制成混炼物；压延工序，该工序用压延辊将在所述混炼工序中得到的混炼物压延成片状组合物；冷却工序，该工序一边用冷却传送器搬送在所述压延工序中压延后的片状组合物，一边在气体中进行冷却；以及，粉碎工序，该工序用粉碎机对在所述冷却工序中冷却后的片状组合物进行粉碎，所述半导体密封用成型材料的制造方法还包括粉碎/分级工序，该工序将粉碎对象物粉碎/分级为粒度100μm以下。
[3]一种半导体密封用成型材料的制造方法，其是上述[1]所述的半导体密封用成型材料的制造方法，其中，所述半导体密封用成型材料的制造方法包括如下工序：混合工序，该工序对包含环氧树脂、固化剂、以及无机填充剂的原材料进行混合；混炼工序，该工序对在所述混合工序中得到的混合物进行混炼而制成混炼物；第一压延工序，该工序用压延辊将在所述混炼工序中得到的混炼物压延成片状组合物；第一冷却工序，该工序一边用冷却传送器搬送在所述第一压延工序中压延后的片状组合物，一边在气体中进行冷却；第一粉碎工序，该工序用粉碎机对在所述第一冷却工序中冷却后的片状组合物进行粉碎；粉碎/分级工序，该工序将在所述第一粉碎工序中得到的粉碎物粉碎/分级为粒度100μm以下；第二压延工序，该工序用压延辊将在所述粉碎/分级工序中得到的粉碎物压延成片状；第二冷却工序，该工序一边用冷却传送器搬送在所述第二压延工序中压延后的片状组合物，一边在气体中进行冷却；以及第二粉碎工序，该工序用粉碎机对在所述第二冷却工序中冷却后的片状组合物进行粉碎。
[4]如上述[2]或[3]所述的半导体密封用成型材料的制造方法，其中，在所述粉碎/分级工序中，在10℃以下的低温环境下进行粉碎/分级。
[5]一种半导体装置，其中，其是利用上述[1]所述的半导体密封用成型材料对半导体元件进行密封而成。
发明的效果
根据本发明，能够提供一种半导体密封用成型材料及及其制造方法、以及使用了该半导体密封用成型材料的半导体装置，即使半导体封装的芯片上树脂厚度为100μm以下那样薄，该半导体密封用成型材料也能够使半导体装置的外观以及可靠性优异。
附图说明
图1是用于说明实施例1的半导体密封用成型材料的制造方法的流程图。
图2是用于说明实施例2的半导体密封用成型材料的制造方法的流程图。
具体实施方式
以下，对本发明进行详细说明。
＜半导体密封用成型材料＞
本发明的半导体密封用成型材料(以下，也简称为密封用成型材料)，大小超过100μm的凝集物和/或凝胶状物质的含有率在50ppm以下。当密封用成型材料中所含的大小超过100μm的凝集物和/或凝胶状物质的含有率大于50ppm时，在以半导体封装的芯片上树脂厚度为100μm以下的方式利用上述密封用成型材料将上述芯片密封的情况下，在树脂表面出现凝集物和凝胶状物质作为突起，有可能产生外观异常、线变形、芯片破裂等不良。从这样的观点出发，密封用成型材料中所含的大小超过100μm的凝集物和/或凝胶状物质的含有率可以是30ppm以下，也可以是10ppm以下，也可以是0ppm。
在此，在本说明书中，作为大小超过100μm的凝集物和凝胶状物质，可举出无机填充剂的凝集物和凝胶状物质、无机填充剂以及硅烷偶联剂的凝集物和凝胶状物质、热固化性树脂的反应固化物等。
需要说明的是，密封用成型材料中所含的大小超过100μm的凝集物和/或凝胶状物质的含有率例如能够如下求出：称量150g试样，使其分散在200cc丙酮中，搅拌30分钟后，使用标称筛孔106μm的筛子进行过滤，测定大小大于106μm的凝集物和凝胶状物质的残渣的重量。
本发明的半导体密封用成型材料包含环氧树脂、固化剂、以及无机填充剂。作为环氧树脂、固化剂、以及无机填充剂，只要是通常用于半导体密封用的环氧树脂成型材料的物质即可，没有特别限定。
作为本发明中使用的环氧树脂，只要是在半导体密封用的环氧树脂成型材料中通常使用的环氧树脂即可，没有特别制限，例如，可举出：包括苯酚热塑性酚醛树脂(phenolnovolac)型环氧树脂、邻甲酚热塑性酚醛树脂(orthocresol novolac)型环氧树脂的通过苯酚、甲酚、二甲苯酚、间苯二酚、邻苯二酚、双酚A、双酚F等酚类和/或α-萘酚、β-萘酚、二羟基萘等萘酚类与甲醛、乙醛、丙醛、苯甲醛、水杨醛等具有醛基的化合物在酸性催化剂下缩合或共缩合而得到的热塑性酚醛树脂型树脂环氧化而成的环氧树脂；双酚A、双酚F、双酚S、烷基取代或未取代的联苯酚等的二缩水甘油醚等缩水甘油醚型环氧树脂；均二苯乙烯型环氧树脂；氢醌型环氧树脂；邻苯二甲酸、二聚酸(Dimer acid)等多元酸与表氯醇反应而得到的缩水甘油酯型环氧树脂；通过二氨基二苯基甲烷、异氰脲酸等多胺与表氯醇的反应而得到的缩水甘油胺型环氧树脂；二环戊二烯与苯酚类和/或萘酚类的共缩合树脂的环氧化物；具有萘环的环氧树脂；苯酚芳烷基树脂、萘酚芳烷基树脂等芳烷基型苯酚树脂的环氧化物；三羟甲基丙烷型环氧树脂；萜烯改性环氧树脂；利用过氧乙酸等过酸将烯烃键氧化而得到的线状脂肪族环氧树脂、以及脂环族环氧树脂等。这些可以单独使用一种，也可以组合使用两种以上。
本发明中使用的固化剂只要是在半导体密封用的环氧树脂成型材料中通常使用的固化剂即可，没有特别制限，例如，苯酚、甲酚、间苯二酚、邻苯二酚、双酚A、双酚F、苯基苯酚、氨基苯酚等苯酚类和/或α-萘酚、β-萘酚、二羟基萘等萘酚类与甲醛等具有醛基的化合物在酸性催化剂下缩合或共缩合而得到的树脂；由苯酚类和/或萘酚类与二甲氧基对二甲苯或双(甲氧基甲基)联苯合成的苯酚-芳烷基树脂、萘酚-芳烷基树脂等芳烷基型苯酚树脂等。这些可以单独使用，也可以两种以上组合使用。
本发明中使用的无机填充剂是为了降低吸湿性、降低线膨胀系数、提高热传导性、以及提高强度而配合于密封用成型材料中的无机填充剂，例如，可举出：熔融二氧化硅、结晶二氧化硅、氧化铝、锆石、硅酸钙、碳酸钙、钛酸钾、碳化硅、氮化硅、氮化铝、氮化硼、氧化铍、氧化锆、锆石、镁橄榄石、块滑石(Steatite)、尖晶石、莫来石、二氧化钛等粉体、或将它们球形化而成的珠、玻璃纤维等。进而，作为具有阻燃性的无机填充剂，可举出氢氧化铝、氢氧化镁、硼酸锌、钼酸锌等。这些无机填充剂可以单独使用，也可以两种以上组合使用。其中，从降低线膨胀系数的观点出发，可以是熔融二氧化硅，从高热传导性的观点出发，也可以是氧化铝。另外，从提高成型时的流动性以及模具耐久性的观点出发，无机填充剂的形状可以是球形。
从成型时的流动性和成型性的观点出发，无机填充剂的平均粒径可以是2～25μm，也可以是3～15μm。
需要说明的是，在本说明书中，无机填充材的平均粒径例如能够通过激光衍射式粒度分布测定装置求出。平均粒径是在该装置中测定出的粒度分布中累积体积达到50％的粒径(d50)。
无机填充剂的配合量在半导体密封用成型材料中可以是70～97质量％的范围，也可以是80～95质量％，也可以是88～92质量％。当在70质量％以上时，耐回流性提高，当在97质量％以下时，流动性提高。
另外，在本发明的半导体密封用成型材料中，根据需要，可以适当地添加固化促进剂、硅烷偶联剂、炭黑、巴西棕榈蜡或低分子量聚乙烯等脱模剂、用于保持密封用成型材料的柔软性的硅油、橡胶等。
＜半导体密封用成型材料的制造方法＞
本发明的第一实施方式的半导体密封用成型材料的制造方法(以下，也简称为第一实施方式)具有如下工序：混合工序，该工序对包含环氧树脂、固化剂、以及无机填充剂的原材料进行混合；混炼工序，该工序对在所述混合工序得到的混合物进行混炼而制成混炼物；压延工序，该工序利用压延辊将在所述混炼工序中得到的混炼物压延成片状组合物；冷却工序，该工序一边利用冷却传送器搬送在所述压延工序中压延后的片状组合物，一边在气体中进行冷却；以及粉碎工序，该工序用粉碎机对在所述冷却工序中冷却后的片状组合物进行粉碎；还具有粉碎/分级工序，该工序将粉碎对象物粉碎/分级为粒度100μm以下。
在第一实施方式中，只要具有粉碎/分级工序即可，没有特别限定，粉碎/分级工序可以在混合工序之间进行，也可以在混合工序之后且混炼工序之前进行，也可以在混炼工序之后且压延工序之前进行，也可以在压延工序之后且冷却工序之前进行，也可以在冷却工序之后且粉碎工序之前进行，也可以在粉碎工序之后进行。另外，粉碎/分级工序可以与粉碎工序在同一工序内进行，也可以作为与粉碎工序不同的工序进行。但从使得到的半导体密封用成型材料中所含的大小超过100μm的凝集物和/或凝胶状物质的含有率为50ppm以下的观点出发，粉碎/分级工序可以在混炼工序之后进行。
以下，依次说明各工序。
(混合工序)
混合工序是对含有环氧树脂、固化剂、以及无机填充剂的原材料进行混合的工序，能够使用现有公知的混合方法。作为混合方法，例如可举出：混合器法(Blender method)、亨舍尔法(Henschel method)、研磨盘法(Panmill method)、动力磨法(Power millmethod)、垂直法(Vertical method)等，但没有特别限定。
另外，作为混合机，能够使用现有公知的混合机，没有特别制限，例如，可举出：V型混合机、亨舍尔混合机、摇摆混合机、诺塔混合机、超级混合机等。
(混炼工序)
混炼工序是对在所述混合工序得到的混合物进行混炼而制成混炼物的工序。该混炼工序利用现有使用的混炼机，混炼上述混合物，作为混炼机，可举出现有公知的二轴混炼机、辊混炼机等，没有特别限定。
二轴混炼机在形成有材料供给口和混炼后的材料排出口的料筒内平行地具备在相同方向上旋转的螺杆轴而配置，利用螺杆刀将从材料供给口供给的材料向前输送并混炼。
另外，辊混炼装置具有内置有减速机等的驱动单元，并且具备：一对辊，由以一定的间隔且平行地配置的第一辊和第二辊构成；以及间隔调整机构部，与第一辊的两端部连结并用于调整一对辊之间的间隔；通过向一对辊之间供给混炼材料，接着通过驱动单元向将一对辊相互卷入混炼材料的方向进行驱动，从而对混合物进行混炼。
混炼温度可以是70～110℃，也可以是80～105℃。
(压延工序)
压延工序是用压延辊将在所述混炼工序中得到的混炼物压延成片状组合物的工序。在此，片状组合物的厚度可以为1mm以上且5mm以下，为了提高该片状组合物的冷却效率也可以为1mm以上且3mm以下。
压延辊温度通常为10～60℃，也可以为10～50℃。
(冷却工序)
冷却工序是一边利用冷却传送器搬送在所述压延工序得到的片状组合物，一边在气体中冷却的工序。在该冷却工序中，一边利用冷却传送器搬送在压延工序中得到的片状组合物，一边使其通过低温的气体环境下并进行冷却。
在此，搬送片状组合物的冷却传送器的材质、形状没有特别限定，但也可以是不妨碍低温的气体的循环的网状的冷却传送器。另外，从冷却的效率性以及作业性的观点出发，冷却传送器也可以被框体等覆盖。
作为低温的气体，可举出空气、氮气、碳酸气体等，但从作业性的观点出发可以是空气。需要说明的是，氮气能够由液体氮得到。另外，碳酸气体能够由干冰等得到。另外，在气体中冷却片状组合物的情况下，也可以向片状组合物吹送低温的气体来冷却。需要说明的是，片状组合物可以一边被冷却传送器搬送，一边冷却至5～30℃，也可以冷却至10～15℃。
此时气体的温度可以为0～15℃，也可以为0～10℃。另外，也可以将0～15℃的气体作为冷风向片状组合物直接吹送。当气体的温度为0℃以上时冷却效率好，生成冷却后的气体的冷却装置等的能量成本被抑制，经济性优异。另外，当气体的温度为15℃以下时，则能够充分得到片状组合物的冷却效果。需要说明的是，吹送冷风时的风速可以为1～50m/秒。此时使用的气体也可以使用空气。
(粉碎工序)
粉碎工序是利用粉碎机对在所述冷却工序中冷却后的片状组合物进行粉碎的工序。在本工序中，片状组合物被在现有公知的一般的半导体密封用成型材料的制造方法中使用的粉碎机粉碎而成为粉碎物。粉碎机只要能够粉碎至例如粒径5mm以下大小即可，没有特别的限定，例如可举出切割磨机(Cutting mill)、球磨机、旋风磨机、锤磨机、振动磨机、切碎磨机(Cutter mill)、研磨机(Grinder mill)、速度磨机(Speed mill)等。其中，粉碎机也可以是速度磨机。
利用粉碎机的粉碎，例如可以在通过粗粉粹机等将片状组合物粉碎的比较粗之后，利用微粉碎机进一步细微地粉碎而制成粉碎物，通过该两个阶段以上来进行。
在粉碎工序中的粉碎，可以在低温度低露点的空气中进行。另外，低温度低露点的空气温度可以为10℃以下。
需要说明的是，在上述粉碎工序中得到的粉碎物也可以暂时保管在填充箱中。
(粉碎/分级工序)
粉碎/分级工序是将粉碎对象物粉碎/分级成粒度100μm以下的工序。
在本工序中，粉碎对象物被粉粹成10～40μm的粒度范围。通过将粉碎对象物粉碎至粒度100μm以下，在制造工序中产生的无机填充剂等凝集物或凝胶状物质被更细小地压碎。
在此，在本说明书中，粒度例如是指在由激光衍射式粒度分布测定装置测定的粒度分布中累积体积达到50％的粒径(d50)。
另外，在本说明书中，关于粉碎对象物，在混合工序之前进行粉碎/分级工序的情况下是指原材料，在混合工序之后且混炼工序之前进行粉碎/分级工序的情况下是指混合物，在混炼工序之后且压延工序之前进行粉碎/分级工序的情况下是指混炼物，在压延工序之后且冷却工序之前进行粉碎/分级工序的情况下是指片状组合物，在冷却工序之后且粉碎工序之前进行粉碎/分级工序的情况下是指片状组合物，在粉碎工序之后进行粉碎/分级工序的情况下是指粉碎物。
作为粉碎机，能够使用所述(粉碎工序)项中示例的装置。
本工序的粉碎可以在10℃以下的低温或冷冻环境下进行。温度范围可以为-30～10℃，也可以为-20～5℃，也可以为-10～0℃。通过在这样的低温/冷冻环境下进行粉碎，通过使密封用成型材料低温脆化，从而在制造工序中产生的微细的无机填充剂等的凝集物或凝胶状物质容易被压碎。进而，对橡胶状添加物的微细粉碎也是有效的。
作为寒冷源，例如使用液化氮式冷冻机。另外，寒冷源也可以采用使用了旋转式的转子的干式除湿装置(低温度低露点空气产生装置)等。
将由上述粉碎得到的粉碎物通过筛分级和空气分级而分级为粒度为100μm以下的粉碎物。
筛分级所用的筛孔的尺寸可以为60～100μm，也可以为60～80μm。
另外，本工序也可以同时进行粉碎对象物的粉碎和粉碎后的粉碎物的分级。作为同时进行粉碎和分级的装置，可举例分级机内置型粉碎机，其中具备对粉碎对象物进行粉碎的粉碎部以及对粉碎物进行分级的分级部。分级机内置型粉碎机没有特别限定，例如也可以使用如下结构的冷冻粉碎装置：粉碎对象物与冷却气体一起被投入装置内，在粉碎对象物穿过支撑于旋转轴且在外侧面具有由复数个凹凸构成的粉碎刀的环状的粉碎转子与固定配置的衬垫之间时，粉碎对象物的碰撞在这两构件之间反复从而被粉碎。这样的冷冻粉碎装置例如记载于日本特公昭57-60060号公报、日本特开2017-912号公报等中。
从有效地对粉碎对象物进行粉碎的观点出发，分级机内置型粉碎机的旋转数可以为1000～8000rpm，也可以为2000～6000rpm，也可以为2000～5000rpm。
经过所述工序而得到的半导体密封用成型材料，其中大小超过100μm的凝集物和/或凝胶状物质的含有率为50ppm以下，也可以为30ppm以下，也可以为10ppm以下，也可以为0ppm。
通过使用经过所述工序而得到的半导体密封用成型材料，即使芯片上树脂厚度为100μm以下，也能够得到突出/外观不良、堆叠、芯片的破裂少且线变形小、可靠性优异的半导体装置。
本发明第二实施方式的半导体密封用成型材料的制造方法(以下，也简称为第二实施方式)具有：混合工序，该工序对包含环氧树脂、固化剂、以及无机填充剂的原材料进行混合；混炼工序，该工序对在所述混合工序得到的混合物进行混炼而制成混炼物；第一压延工序，该工序用压延辊将在所述混炼工序得到的混炼物压延成片状组合物；第一冷却工序，该工序一边用冷却传送器搬送在所述第一压延工序中压延后的片状组合物，一边在气体中进行冷却；第一粉碎工序，该工序用粉碎机对所述第一冷却工序中冷却后的片状组合物进行粉碎；粉碎/分级工序，该工序将在所述第一粉碎工序得到的粉碎物粉碎/分级为粒度100μm以下；第二压延工序，该工序用压延辊将在所述粉碎/分级工序得到的粉碎物压延成片状；第二冷却工序，该工序一边用冷却传送器搬送在所述第二压延工序压延后的片状组合物，一边在气体中进行冷却；以及第二粉碎工序，该工序用粉碎机对在所述第二冷却工序冷却后的片状组合物进行粉碎。
在第二实施方式中，在混合工序、混炼工序、第一压延工序、第一冷却工序、第一粉碎工序之后，进行粉碎/分级工序，进而，进行第二压延工序、第二冷却工序、第二粉碎工序。由此，能够将半导体密封用成型材料的大小加工成所期望的尺寸。
以下，依次说明各工序。
第二实施方式中的混合工序、混炼工序、第一压延工序、第一冷却工序、以及第一粉碎工序分别与第一实施方式的混合工序、混炼工序、压延工序、冷却工序、粉碎工序相同，因此省略详细说明。
(粉碎/分级工序)
第二实施方式中的粉碎/分级工序在第一粉碎工序之后进行。由此，能够将半导体密封用成型材料的大小加工成所期望的尺寸。
在粉碎/分级工序中，将第一粉碎工序中得到的粉碎物粉碎成粒度100μm以下，接着分级为粒度100μm以下的粉碎物。粉碎方法和分级方法与第一实施方式的粉碎/分级工序相同，因此省略详细说明。另外，粉碎装置和分级装置能够使用第一实施方式(粉碎/分级工序)项中示例的装置。
(第二压延工序)
第二压延工序是将在所述粉碎/分级工序中得到的粉碎物与第一压延工序同样地使用压延辊压延成片状的工序。在此，片状组合物的厚度与第一压延工序同样地可以为1mm以上且5mm以下，从提高冷却效率的观点出发，也可以为1mm以上且3mm以下。
另外，压延辊温度通常为10～60℃，也可以为10～50℃。
(第二冷却工序)
第二冷却工序是如下工序：使在所述第二压延工序得到的片状组合物与第一冷却工序同样地，一边利用冷却传送器搬送，一边在气体中进行冷却。
(第二粉碎工序)
第二粉碎工序是如下工序：用粉碎机将在第二冷却工序中冷却后的片状组合物与第一粉碎工序同样地进行粉碎。粉碎装置能够使用第一实施方式(粉碎工序)项中示例的装置。
进而，在第二粉碎工序中得到的粉碎物也可以进行筛分级以及空气分级。
经过所述工序得到的半导体密封用成型材料，其中大小超过100μm超的凝集物和/或凝胶状物质的含有率为50ppm以下，也可以为30ppm以下，也可以为10ppm以下，也可以为0ppm。
经过所述工序得到的半导体密封用成型材料例如可以保管在低温环境中的保管库。需要说明的是，低温环境中的保管库的温度可以是-5～5℃，也可以是-5～3℃。
另外，经过所述工序得到的粉粒状的半导体密封用成型材料也可以使用公知的片剂成型机以传递成型用的方式加工成适当的尺寸以及质量的片剂，作为片剂状的半导体密封用成型材料。
＜半导体装置＞
本发明的半导体装置是将半导体元件用上述半导体密封用成型材料密封而成的。具体而言，可举出在引线框、带载体、布线板、硅晶片等支承构件上搭载半导体芯片、晶体管、二极管、晶闸管等有源元件、电容器、电阻体、线圈等无源元件等元件，利用本发明的半导体密封用成型材料来密封所需部分的半导体装置。
作为使用本发明的半导体密封用成型材料来密封半导体元件的方法，没有特别限定，可举出传递成型法、注射成型法、压缩成型法等。
实施例
接着，利用实施例对本发明进行具体的说明，但本发明并不限定于这些例子。
(实施例1)
作为密封用成型材料的原料，准备5.64质量份的环氧树脂YL-6121H(商品名，三菱化学株式会社制)，作为固化剂准备3.36质量份的酚醛树脂MEH-7500(商品名，明和化成株式会社制)，作为无机填充剂准备89质量份的球状二氧化硅混合物FB-105FC(商品名，电气化学工业株式会社制，平均粒径为12μm)、0.3质量份的巴西棕榈蜡，作为固化促进剂准备0.1质量份的2MZ-P(商品名，四国化成株式会社制)，作为硅烷偶联剂准备0.4质量份的γ-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、0.2质量份的炭黑、0.05质量份的1mm以上且2mm以下的球状二氧化硅和偶联剂的凝集物(密封用成型材料中的含有率为505ppm)，按照如图1所示的各工序进行处理，得到了密封用成型材料。
将上述原料投入混合机(日本焦炭工业株式会社(日本コークス工业株式会社)制，商品名：FM混合机(FMミキサ))，混合了3分钟(混合工序)。
将在混合工序中得到的混合物投入双轴混炼机(株式会社栗本铁工所制，商品名：KRC-T-2)中，在混炼温度为100℃且混炼时间为5分钟的条件下，进行了混炼(混炼工序)。
使用表面温度15℃的加压辊将在混炼工序中得到的混炼物压延成1mm厚度，得到了片状组合物(压延工序)。
在钢带传送器上搬送在压延工序中得到的片状组合物，吹出15℃以下的冷风进行了冷却(冷却工序)。
将在冷却工序中冷却后的片状组合物投入速度磨机(有限会社五桥制作所制)，在温度8℃条件下粉碎至通过2mm筛目为止(粉碎工序)。
将在粉碎工序中得到的粉碎物投入分级机内置型粉碎机(细川密克朗株式会社(Hosokawa Micron Co.,Ltd.，ホソカワミクロン株式会社)制，商品名：Linlex Mill LX(リンレックスミルLX))，在温度8℃条件下，在粉碎盘3000rpm，分级转子2300rpm，供给量100kg/小时的条件下进行粉碎，对粒度100μm以下的粉碎物进行分级，仅将该粉碎物搬送至下一工序(粉碎/分级工序)。
将在粉碎/分级工序得到的粒度100μm以下的粉碎物用强力压片机(株式会社菊水制作所制，商品名：BARPRESS)加工成直径14mm且高度20mm的圆柱状片剂，得到传递成型用片剂(密封用成型材料)(片剂成型工序)。
(实施例2)
作为密封用成型材料的原料，准备5.64质量份的环氧树脂YL-6121H(商品名，三菱化学株式会社制)，作为固化剂准备3.36质量份的酚醛树脂MEH-7500(商品名，明和化成株式会社制)，作为无机填充剂准备89质量份的球状二氧化硅混合物FB-105FC(商品名，电气化学工业株式会社制，平均粒径为12μm)、0.3质量份的巴西棕榈蜡，作为固化促进剂准备0.1质量份的2MZ-P(商品名，四国化成株式会社制)，作为硅烷偶联剂准备0.4质量份的γ-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、0.2质量份的炭黑、0.05质量份的1mm以上且2mm以下的球状二氧化硅和偶联剂的凝集物(密封用成型材料中的含有率为505ppm)，按照图2所示的各工序进行处理，得到密封用成型材料。
将上述原料投入混合机(日本焦炭工业株式会社制，商品名：FM混合机)，混合了3分钟(混合工序)。
将在混合工序中得到的混合物投入双轴混炼机(株式会社栗本铁工所制，商品名：KRC-T-2)，在混炼温度为100℃且混炼时间为5分钟的条件下，进行了混炼(混炼工序)。
使用表面温度15℃的加压辊将在混炼工序中得到的混炼物压延成1mm厚度，得到片状组合物(第一压延工序)。
在钢带传送器上搬送在第一压延工序中得到的片状组合物，吹送15℃以下的冷风进行了冷却(第一冷却工序)。
将在第一冷却工序中冷却后的片状组合物投入速度磨机(有限会社五桥制作所制)，在温度8℃条件下粉碎至通过2mm筛目为止(第一粉碎工序)。
将在第一粉碎工序得到的粉碎物投入分级机内置型粉碎机(细川密克朗株式会社制，商品名：Linlex Mill LX)，在温度8℃条件下，在粉碎盘3000rpm，分级转子2300rpm，供给量100kg/小时的条件下进行粉碎，对粒度100μm以下的粉碎物进行分级，仅将该粉碎物搬送至下一工序(粉碎/分级工序)。
使用表面温度40℃的加压辊压将在粉碎/分级工序中得到的粒度100μm以下的粉碎物压延成1mm厚度，得到片状组合物(第二压延工序)。
在钢带传送器上搬送在第二压延工序中得到的片状组合物，吹送15℃以下的冷风进行了冷却(第二冷却工序)。
将在第二冷却工序中冷却后的片状组合物投入速度磨机(有限会社五桥制作所制)，在温度8℃条件下粉碎至通过2mm筛目(第二粉碎工序)。
使用筛孔0.2～2.0mm的筛子对在第二粉碎工序中得到的粉碎物进行筛分(筛分工序)。
(比较例1)
在实施例2中，除了不进行第一压延工序、第一冷却工序、第一粉碎工序、粉碎/分级工序以外，与实施例2同样地进行，得到比较例1的密封用成型材料。
(评价方法)
[密封用成型材料中的凝集物和/或凝胶状物质的除去性评价]
分别称量150g的实施例1、2和比较例1中得到的密封用成型材料，使其分散于200cc丙酮，搅拌了30分钟。然后，使用标称筛孔106μm的筛子进行过滤，测定大小大于106μm的凝集物以及凝胶状物质的残渣的重量，计算密封用成型材料中所含的大小超过106μm的凝集物和/或凝胶状物质的含有率，通过下述判定基准进行了评价。
A：10ppm以下。
B：大于10ppm且50ppm以下。
C：大于50ppm。
[半导体装置的成型后的外观评价]
使用所述密封用成型材料，将以芯片上树脂厚度为100μm的方式设定的FBGA(50mm×50mm×0.54mm)在175℃条件下进行2分钟成型之后，目测观察成型品表面，通过下述判定基准进行了评价。
A：无突起的产生。
C：有突起的产生。
表1
/>

Claims (3)

1.一种半导体密封用成型材料的制造方法，其是大小超过100μm的凝集物和/或凝胶状物质的含有率是50ppm以下的半导体密封用成型材料的制造方法，其特征在于，
所述半导体密封用成型材料的制造方法包括如下工序：
混合工序，该工序对包含环氧树脂、固化剂、以及无机填充剂的原材料进行混合；
混炼工序，该工序对在所述混合工序中得到的混合物进行混炼而制成混炼物；
压延工序，该工序用压延辊将在所述混炼工序中得到的混炼物压延成片状组合物；
冷却工序，该工序一边用冷却传送器搬送在所述压延工序中压延后的片状组合物，一边在气体中进行冷却；以及
粉碎工序，该工序用粉碎机对在所述冷却工序中冷却后的片状组合物进行粉碎，
所述半导体密封用成型材料的制造方法还包括粉碎/分级工序，该工序将粉碎对象物粉碎/分级为粒度100μm以下，
在所述粉碎/分级工序中，在10℃以下的低温环境或冷冻环境下进行粉碎对象物的粉碎和粉碎后的粉碎物的分级。
2.一种半导体密封用成型材料的制造方法，其是大小超过100μm的凝集物和/或凝胶状物质的含有率是50ppm以下的半导体密封用成型材料的制造方法，其中，
所述半导体密封用成型材料的制造方法包括如下工序：
混合工序，该工序对包含环氧树脂、固化剂、以及无机填充剂的原材料进行混合；
混炼工序，该工序对在所述混合工序中得到的混合物进行混炼而制成混炼物；
第一压延工序，该工序用压延辊将在所述混炼工序中得到的混炼物压延成片状组合物；
第一冷却工序，该工序一边用冷却传送器搬送在所述第一压延工序中压延后的片状组合物，一边在气体中进行冷却；
第一粉碎工序，该工序用粉碎机对在所述第一冷却工序中冷却后的片状组合物进行粉碎；
粉碎/分级工序，该工序将在所述第一粉碎工序中得到的粉碎物粉碎/分级为粒度100μm以下；
第二压延工序，该工序用压延辊将在所述粉碎/分级工序中得到的粉碎物压延成片状；
第二冷却工序，该工序一边用冷却传送器搬送在所述第二压延工序中压延后的片状组合物，一边在气体中进行冷却；以及
第二粉碎工序，该工序用粉碎机对在所述第二冷却工序中冷却后的片状组合物进行粉碎，
在所述粉碎/分级工序中，在10℃以下的低温环境或冷冻环境下进行粉碎对象物的粉碎和粉碎后的粉碎物的分级。
3.如权利要求1或2所述的半导体密封用成型材料的制造方法，其中，
在所述粉碎/分级工序中，同时进行粉碎对象物的粉碎和粉碎后的粉碎物的分级。
CN201980082952.3A 2018-12-21 2019-12-16 半导体密封用成型材料、半导体密封用成型材料的制造方法、以及使用其的半导体装置 Active CN113227217B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-240147 2018-12-21
JP2018240147 2018-12-21
PCT/JP2019/049133 WO2020129885A1 (ja) 2018-12-21 2019-12-16 半導体封止用成形材料、半導体封止用成形材料の製造方法及びそれを用いた半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113227217A CN113227217A (zh) 2021-08-06
CN113227217B true CN113227217B (zh) 2024-02-09

Family

ID=71101289

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201980082952.3A Active CN113227217B (zh) 2018-12-21 2019-12-16 半导体密封用成型材料、半导体密封用成型材料的制造方法、以及使用其的半导体装置

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7270645B2 (zh)
KR (1) KR102577534B1 (zh)
CN (1) CN113227217B (zh)
TW (1) TWI743632B (zh)
WO (1) WO2020129885A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6989044B1 (ja) * 2021-03-31 2022-01-05 住友ベークライト株式会社 封止構造体の製造方法およびタブレット

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003012763A (ja) * 2001-06-27 2003-01-15 Toto Kasei Co Ltd エポキシ樹脂，それを含有するエポキシ樹脂組成物及びその硬化物
JP2008184544A (ja) * 2007-01-30 2008-08-14 Nitto Denko Corp 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
JP2009126108A (ja) * 2007-11-26 2009-06-11 Kao Corp 立体複合シートの製造装置
JP2013091253A (ja) * 2011-10-26 2013-05-16 Kyocera Chemical Corp 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料の製造方法、半導体封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5935715B2 (ja) * 1975-08-14 1984-08-30 株式会社東芝 金属溶接方法
JPH05222539A (ja) * 1992-02-13 1993-08-31 Ibiden Co Ltd 配線板用プリプレグとこのプリプレグを用いたプリント配線板の製造方法およびプリント配線板
JP4699419B2 (ja) * 2002-07-19 2011-06-08 株式会社日本触媒 アミノ樹脂架橋粒子の製造方法
JP3560161B1 (ja) * 2003-01-30 2004-09-02 日立化成工業株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法
US20040265596A1 (en) * 2003-04-28 2004-12-30 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Epoxy resin composition for semiconductor sealing and semiconductor device
US8124471B2 (en) 2008-03-11 2012-02-28 Intel Corporation Method of post-mold grinding a semiconductor package
CN102246296B (zh) 2008-12-10 2014-02-05 住友电木株式会社 半导体封装用树脂组合物、半导体装置的制造方法及半导体装置
JP6705325B2 (ja) * 2016-07-22 2020-06-03 日本ゼオン株式会社 熱伝導シート用複合粒子およびその製造方法、熱伝導一次シートおよび熱伝導二次シートの製造方法、熱伝導一次シート付き発熱体の製造方法、並びに、積層シート付き発熱体の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003012763A (ja) * 2001-06-27 2003-01-15 Toto Kasei Co Ltd エポキシ樹脂，それを含有するエポキシ樹脂組成物及びその硬化物
JP2008184544A (ja) * 2007-01-30 2008-08-14 Nitto Denko Corp 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
JP2009126108A (ja) * 2007-11-26 2009-06-11 Kao Corp 立体複合シートの製造装置
JP2013091253A (ja) * 2011-10-26 2013-05-16 Kyocera Chemical Corp 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料の製造方法、半導体封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR102577534B1 (ko) 2023-09-13
TW202039687A (zh) 2020-11-01
JPWO2020129885A1 (ja) 2021-11-04
WO2020129885A1 (ja) 2020-06-25
KR20210091238A (ko) 2021-07-21
CN113227217A (zh) 2021-08-06
JP7270645B2 (ja) 2023-05-10
TWI743632B (zh) 2021-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI477545B (zh) 半導體密封用樹脂組成物，半導體裝置之製造方法及半導體裝置
CN103415923A (zh) 半导体装置和半导体装置的制造方法
KR20110104507A (ko) 과립상의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 그것을 이용한 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
CN113227217B (zh) 半导体密封用成型材料、半导体密封用成型材料的制造方法、以及使用其的半导体装置
JP4662133B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法
KR101829085B1 (ko) 수지 콤팩트 및 그 제조 방법, 수지 조성물 및 그 제조 방법 그리고 전자 부품 장치
JP2020132800A (ja) 半導体封止用成形材料、半導体封止用成形材料の製造方法及びそれを用いた半導体装置
JP2013091253A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料の製造方法、半導体封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP6520779B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂粒状体の製造方法、および半導体装置の製造方法
JP4973325B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法及び半導体装置の製造方法
US11702537B2 (en) Tablet-type epoxy resin composition for sealing semiconductor device, and semiconductor device sealed using the same
JP5277569B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
JP4569296B2 (ja) 半導体封止用樹脂タブレットの製造方法および樹脂成形体の製造方法
JP6070529B2 (ja) 顆粒状半導体封止用樹脂組成物の製造方法及び半導体装置
US8906147B2 (en) Degassing apparatus
CN107810551B (zh) 粒状环氧树脂组成物、半导体装置及其封装方法
JP2008303368A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
TWI507471B (zh) 樹脂成形體及其製造方法、樹脂組成物及其製造方法、及電子零件裝置
JP6555000B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂粒状体の製造方法、及び、半導体装置の製造方法
TWI411594B (zh) 陶瓷粉末及其用途
JP2000290378A (ja) 顆粒状エポキシ樹脂封止材の製造方法
JP2012035468A (ja) エポキシ樹脂成形材料の製造方法及び製造装置並びに樹脂封止型半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant