CN113168860A - 存储器装置的模式相关加热 - Google Patents

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Abstract

描述了用于存储器装置的受控且模式相关的加热的方法、系统和装置。在各种实例中，存储器装置或包含存储器装置的设备可具有经配置以加热所述存储器装置的电路。经配置以加热所述存储器装置的所述电路可基于(例如，所述存储器装置的)温度的指示而激活、去激活或以其它方式操作。在一些实例中，激活或以其它方式操作经配置以加热所述存储器装置的所述电路可基于(例如，所述存储器装置的)操作模式，其可与(例如，所述存储器装置的)特定存取操作或操作状态相关联。(例如，所述存储器装置的)各种操作或操作模式还可基于(例如，所述存储器装置的)温度的指示。

Description

存储器装置的模式相关加热
交叉引用
本专利申请要求迈尔(Mayer)等人于2019年9月23日提交的题为“存储器装置的模式相关加热(MODE-DEPENDENT HEATING OF A MEMORY DEVICE)”的第16/579,475号美国专利申请和迈尔等人于2018年10月23日提交的题为“存储器装置的模式相关加热(MODE-DEPENDENT HEATING OF A MEMORY DEVICE)”的第62/749,454号美国临时专利申请的优先权，所述申请中的每一者均转让给本受让人，并且所述申请中的每一者均明确地以全文引用的方式并入本文中。
背景技术
下文大体上涉及一种包含至少一个存储器装置的系统，且更确切地说，涉及存储器装置的受控且模式相关的加热。
存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过编程存储器装置的不同状态来存储信息。举例来说，二进制装置最常存储通常由逻辑1或逻辑0表示的两个状态中的一个。在其它装置中，可以存储多于两个状态。为了存取所存储的信息，装置的组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，装置的组件可写入或编程存储器装置中的状态。
存在各种类型的存储器装置，包含采用磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)等等的那些。存储器装置可为易失性或非易失性的。例如PCM和FeRAM的非易失性存储器即使在无外部电源存在的情况下仍可在很长一段时间内维持所存储的逻辑状态。易失性存储器装置(例如，DRAM)除非通过电源定期刷新，否则可能随时间丢失存储的逻辑状态。在一些情况下，非易失性存储器可使用类似装置架构作为易失性存储器，但可通过采用这些物理现象作为铁电电容或不同材料相位而具有非易失性性质。
在一些应用中，存储器装置可包含为主机装置的部分，或以其它方式与主机装置相关联(例如，与其耦合，受其控制)。主机装置可经配置以用于在与环境温度范围相关联的环境中操作，且存储器装置的至少一些操作可为温度敏感的。
附图说明
图1说明根据本文中所公开的方面的支持存储器装置的受控且模式相关的加热的系统的实例。
图2说明根据本文中所公开的方面的支持存储器装置的受控且模式相关的加热的存储器裸片的实例。
图3说明根据本文中所公开的方面的支持存储器装置的受控且模式相关的加热的系统的实例。
图4说明根据本文中所公开的方面的与存储器装置的受控且模式相关的加热相关联的温度曲线的实例。
图5说明根据本文中所公开的方面的与存储器装置的受控且模式相关的加热相关联的温度曲线的实例。
图6A和6B说明根据本文中所公开的方面的支持存储器装置的受控且模式相关的加热的存储器加热器的实例。
图7展示根据本文中所公开的方面的支持存储器装置的受控且模式相关的加热的装置的框图。
图8展示根据本文中所公开的方面的支持存储器装置的受控且模式相关发热的装置的框图。
图9到12展示说明根据本文中所公开的方面的支持存储器装置的受控且模式相关的加热的一或多种方法的流程图。
具体实施方式
包含存储器装置的系统或主机装置可经设计或经配置以在环境温度范围内操作，所述环境温度范围与经设计或经配置以用于存储器装置的操作温度范围不同。举例而言，汽车系统(例如，车辆、车辆组件、车辆处理器或控制器)、联网系统(例如，无线基站)或移动装置可经设计以在相对低的环境温度(例如，低至-40℃的环境温度，-40℃至105℃或115℃的环境温度范围)下操作，环境温度可低于存储器装置的经设计操作温度(例如，低至0℃)(例如，所支持的，具有一或多个受保证的或以其它方式指定的性能特性)。
存储器装置操作的一或多个方面可为温度相关的，且可能需要确保存储器装置在系统或主机装置所预期的环境温度范围内满足操作参数。在所描述技术的各种实例中，存储器装置或包含存储器装置的设备或系统可包含经配置以加热存储器装置的电路或其它组件。经配置以加热存储器装置的电路或其它组件可基于存储器装置的温度的指示(例如，存储器装置的整体温度的指示、存储器装置的平均温度的指示、存储器装置的聚合温度的指示)而激活、去激活或以其它方式操作，其在一些实例中可将存储器装置的操作温度范围减小为比包含存储器装置的系统或主机装置的环境温度范围更窄。
根据所描述技术的受控存储器加热可有利地使得存储器装置能够满足系统或主机装置的相对较宽的环境温度范围参数，同时在相对较窄操作温度范围内操作存储器装置。相对较窄操作温度范围可进一步支持存储器装置的操作参数(例如，电压或时序参数)的改进优化。
在一些实例中，激活、去激活或以其它方式操作经配置以加热存储器装置的电路或其它组件可基于存储器装置的目标(所要)操作模式，其可与存储器装置的特定存取操作或操作状态相关联。举例而言，相对较低温度可有益于某些操作或操作模式(例如，自刷新操作或模式、断电或待用模式)，而相对较高温度可有益于其它操作或操作模式(例如，读取或写入操作或支持存储器存取的相关模式)。另外，存储器装置的各种操作或操作模式可基于存储器装置的温度的指示而启用或停用。举例来说，一些操作或模式可基于存储器装置的所指示温度是否在对应(例如，合适、所要的、目标)温度范围内而启用(例如，激活、可用、支持)或停用(例如，去激活、不可用、受限)。可有利地通过基于存储器装置的操作模式激活、去激活或以其它方式操作经配置以加热存储器装置的电路或其它组件来节省电力(例如，可通过在存储器装置处于自刷新模式时不加热存储器装置来节省电力)。
首先在如参考图1和2所描述的存储器系统及存储器裸片的上下文中描述本公开的特征。在如参考图3到6B所描述的用于以存储器装置的受控且模式相关的加热操作存储器装置的系统及温度曲线的上下文中进一步描述本公开的特征。进一步通过涉及如参考图7到12所描述的存储器装置的受控且模式相关的加热的设备图、系统图和流程图说明并参考其描述本公开的这些和其它特征。
图1说明根据本文中所公开的方面的支持存储器装置的受控且模式相关的加热的系统100的实例。系统100可包含外部存储器控制器105、存储器装置110和使外部存储器控制器105与存储器装置110耦合的多个信道115。系统100可包含一或多个存储器装置，但为易于描述，一或多个存储器装置可被描述为单个存储器装置110。
系统100可包含电子装置的各方面，例如计算装置、移动计算装置、无线装置或图形处理装置。系统100可以是便携式电子装置的实例。系统100可为计算机、膝上型计算机、平板计算机、智能电话、蜂窝电话、可穿戴装置、因特网连接装置等等的实例。存储器装置110可以是经配置以存储用于系统100的一或多个其它组件的数据的系统的组件。在一些实例中，系统100经配置以用于使用基站或存取点与其它系统或装置进行双向无线通信。在一些实例中，系统100能够进行机器类型通信(machine-type communication，MTC)、机器对机器(machine-to-machine，M2M)通信或装置对装置(device-to-device，D2D)通信。
系统100的至少部分可以是主机装置的实例。这种主机装置可为将存储器用于执行过程的装置的实例，例如计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理装置(例如，图形处理单元(graphics processing unit，GPU))、计算机、膝上型计算机、平板计算机、智能电话、蜂窝电话、可穿戴装置、因特网连接装置、某一其他固定或便携式电子装置等等。在一些情况下，主机装置可以指实施外部存储器控制器105的功能的硬件、固件、软件或其组合。在一些情况下，外部存储器控制器105可被称为主机或主机装置。在一些实例中，系统100是图形卡。
在一些情况下，存储器装置110可以是独立的装置或组件，其经配置以与系统100的其它组件通信，并提供系统100可使用或引用的物理存储器地址/空间。在一些实例中，存储器装置110可为可配置的，以与至少一种或多种不同类型的系统100一起工作。系统100的组件与存储器装置110之间的信令可为可操作的以支持用以调制信号的调制方案、用于传达信号的不同引脚设计、系统100和存储器装置110的不同封装、系统100与存储器装置110之间的时钟信令和同步、时序惯例，和/或其它因素。
存储器装置110可经配置以存储用于系统100的组件的数据。在一些情况下，存储器装置110可充当系统100的从属型装置(例如，对系统100由外部存储器控制器105提供的命令作出响应和执行所述命令)。这类命令可包含用于存取操作的存取命令，例如用于写入操作的写入命令、用于读取操作的读取命令、用于刷新操作的刷新命令或其它命令。存储器装置110可包含两个或更多个支持用于数据存储的所需或指定容量的存储器裸片160(例如存储器芯片)。包含两个或更多个存储器裸片的存储器装置110可被称作多裸片存储器或封装(也被称作多芯片存储器或封装)。
系统100可进一步包含处理器120、基本输入/输出系统(basic input/outputsystem，BIOS)组件125、一或多个外围组件130和输入/输出(I/O)控制器135。系统100的组件可使用总线140彼此耦合或电子通信。
处理器120可经配置以控制系统100的至少部分。处理器120可以是通用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件，或其可为这些类型的组件的组合。在这些情况下，处理器120可以是中央处理单元(CPU)、GPU、通用GPU(GPGPU)或芯片上系统(SoC)的实例，以及其它实例。
BIOS组件125可为包含操作为固件的BIOS的软件组件，其可初始化且运行系统100的各种硬件组件。BIOS组件125还可管理处理器120与系统100的各种组件(例如外围组件130、I/O控制器135等)之间的数据流动。BIOS组件125可包含存储在只读存储器(ROM)、快闪存储器或任何其它非易失性存储器中的程序或软件。
外围组件130可以是任何输入装置或输出装置，或这类装置的接口，其可集成到系统100中或与系统100集成在一起。实例可以包含磁盘控制器、声音控制器、图形控制器、以太网控制器、调制解调器、通用串行总线(USB)控制器、串行或并行端口，或外围卡插槽，例如外围组件互连(peripheral component interconnect，PCI)或加速图形端口(accelerated graphics port，AGP)插槽。外围组件130可以是所属领域的一般技术人员理解为外围装置的其它组件。
I/O控制器135可管理处理器120与外围组件130、输入装置145或输出装置150之间的数据通信。I/O控制器135可以管理未集成到系统100中或未与系统100集成的外围装置。在某些情况下，I/O控制器135可表示到外部外围组件的物理连接或端口。
输入145可表示在系统100外部并且可将信息、信号或数据提供到系统100或其组件的装置或信号。此可包含用户接口或与其它装置介接或在其它装置之间。在一些情况下，输入145可为经由一或多个外围组件130与系统100介接的外围装置，或可由I/O控制器135管理。
输出150可以表示在系统100外部的装置或信号，其经配置以从系统100或其组件中的任一者接收输出。输出150的实例可包含显示器、音频扬声器、打印装置或印刷电路板上的另一处理器等。在一些情况下，输出150可以是经由一或多个外围组件130与系统100介接的外围装置，或可以由I/O控制器135管理。
系统100的组件可由经设计以执行其功能的通用或专用电路构成。这可包含经配置以执行本文中所描述的功能的输出驱动器电路和各种其它电路元件，例如导电线、晶体管、电容器、电感器、电阻器、放大器，或其它有源或无源元件。举例来说，系统100可包含一或多个温度传感器，其可包含于存储器装置、外部存储器控制器105或系统100的其它方面中或以其它方式与存储器装置、外部存储器控制器105或系统100的其它方面耦合。作为另一实例，系统100可包含经配置以加热存储器装置110的电路，且这类电路可包含于存储器装置或系统100的其它方面中或以其它方式与存储器装置或系统100的其它方面耦合。
存储器装置110可包含装置存储器控制器155及一或多个存储器裸片160。每一存储器裸片160可包含本地存储器控制器165(例如，本地存储器控制器165-a、本地存储器控制器165-b和/或本地存储器控制器165-N)和存储器阵列170(例如，存储器阵列170-a、存储器阵列170-b和/或存储器阵列170-N)。存储器阵列170可以是存储器单元的集合(例如，网格)，其中每一存储器单元经配置以存储至少一位数字数据。参考图2进一步描述存储器阵列170和/或存储器单元的特征。
存储器阵列170可以是二维(2D)存储器单元阵列的实例或可以是三维(3D)存储器单元阵列的实例。举例来说，2D存储器装置可包含单个存储器裸片160。3D存储器装置可包含两个或更多个存储器裸片160(例如，存储器裸片160-a、存储器裸片160-b和/或任何数量的存储器裸片160-N)。在3D存储器装置中，多个存储器裸片160-N可彼此上下堆叠。在一些情况下，3D存储器装置中的存储器裸片160-N可称为叠组、层级、层或裸片。3D存储器装置可包含任何数量的堆叠的存储器裸片160-N(例如，两个高、三个高、四个高、五个高、六个高、七个高、八个高)。与单个2D存储器装置相比，这可以增加可定位于衬底上的存储器单元的数量，这继而可以降低生产成本，提高存储器阵列的性能，或这两者。在一些3D存储器装置中，不同叠组可共享至少一个共同存取线以使得一些叠组可共享字线、数字线和/或板线中的至少一者。
装置存储器控制器155可包含经配置以控制存储器装置110的操作的电路或组件。因此，装置存储器控制器155可包含使存储器装置110能够执行命令的硬件、固件及软件，且可经配置以接收、发射或执行关于存储器装置110的命令、数据或控制信息。装置存储器控制器155可经配置以与外部存储器控制器105、一或多个存储器裸片160或处理器120通信。在一些情况下，存储器装置110可从外部存储器控制器105接收数据和/或命令。
举例来说，存储器装置110可接收指示存储器装置110将代表系统100的组件(例如，处理器120)存储某些数据的写入命令，或指示存储器装置110将把存储于存储器裸片160中的某些数据提供到系统100的组件(例如，处理器120)的读取命令。在一些情况下，装置存储器控制器155可结合存储器裸片160的本地存储器控制器165控制本文中所描述的存储器装置110的操作。包含在装置存储器控制器155和/或本地存储器控制器165中的组件的实例可包含用于解调从外部存储器控制器105接收的信号的接收器、用于调制信号和将信号发射到外部存储器控制器105的解码器、逻辑、解码器、放大器、滤波器等等。
本地存储器控制器165(例如，在存储器裸片160的本地)可经配置以控制存储器裸片160的操作。此外，本地存储器控制器165可经配置以与装置存储器控制器155通信(例如，接收和发射数据和/或命令)。本地存储器控制器165可支持装置存储器控制器155控制如本文中所描述的存储器装置110的操作。在一些情况下，存储器装置110不包含装置存储器控制器155，且本地存储器控制器165或外部存储器控制器105可执行本文中所描述的各种功能。因此，本地存储器控制器165可经配置以与装置存储器控制器155通信，与其它本地存储器控制器165通信，或直接与外部存储器控制器105或处理器120通信。因此，在一些情况下，装置存储器控制器155或一或多个本地存储器控制器165可支持经配置以加热如本文中所描述的存储器装置110的电路的操作。
外部存储器控制器105可经配置以实现系统100的组件(例如，处理器120)与存储器装置110之间的信息、数据和/或命令的传达。外部存储器控制器105可充当系统100的组件与存储器装置110之间的联络者，使得系统100的组件可不需要知道存储器装置的操作细节。系统100的组件可以向外部存储器控制器105呈现外部存储器控制器105满足的请求(例如，读取命令或写入命令)。外部存储器控制器105可以转换或转化在系统100的组件与存储器装置110之间交换的通信。在一些情况下，外部存储器控制器105可包含产生共同(源)系统时钟信号的系统时钟。在一些情况下，外部存储器控制器105可包含产生共同(源)数据时钟信号的共同数据时钟。因此，在一些情况下，外部存储器控制器105可支持经配置以加热如本文中所描述的存储器装置110的电路的操作。
在一些情况下，外部存储器控制器105或系统100的其它组件或本文中所描述的其功能可由处理器120实施。举例来说，外部存储器控制器105可以是由处理器120或系统100的其它组件实施的硬件、固件或软件或其某一组合。虽然将外部存储器控制器105描绘为在存储器装置110外部，但在一些情况下，外部存储器控制器105或本文中所描述的其功能可由存储器装置110实施。举例来说，外部存储器控制器105可为由装置存储器控制器155或一或多个本地存储器控制器165实施的硬件、固件或软件或其某一组合。在一些情况下，外部存储器控制器105可以跨越处理器120和存储器装置110分布，使得外部存储器控制器105的部分由处理器120实施，且其它部分由装置存储器控制器155或本地存储器控制器165实施。同样，在一些情况下，本文中归属于装置存储器控制器155或本地存储器控制器165的一或多个功能可以在一些情况下由外部存储器控制器105(与处理器120分离或包含于处理器120中)执行。
系统100的组件可使用多个信道115与存储器装置110交换信息。在一些实例中，信道115可使得能够在外部存储器控制器105与存储器装置110之间进行通信。每一信道115可包含与系统100的组件相关联的端子之间的一或多个信号路径或发射媒体(例如，导体)。举例来说，信道115可包含第一端子，其包含外部存储器控制器105处的一或多个引脚或衬垫，及存储器装置110处的一或多个引脚或衬垫。引脚可为系统100的装置的导电输入或输出点的实例，且引脚可经配置以充当信道的一部分。在一些情况下，端子的引脚或衬垫可为信道115的信号路径的部分。额外信号路径可与信道的端子耦合以在系统100的组件内路由信号。举例来说，存储器装置110可以包含将信号从信道115的端子路由到存储器装置110的各种组件(例如，装置存储器控制器155、存储器裸片160、本地存储器控制器165、存储器阵列170)的信号路径(例如，在存储器装置110或其组件内部的信号路径，例如在存储器裸片160内部的信号路径)。
信道115(和相关联的信号路径和端子)可专用于传达特定类型的信息。在一些情况下，信道115可为聚合信道(aggregated channel)，且因此可包含多个个别信道。举例来说，数据信道190可以是x4(例如，包含四个信号路径)、x8(例如，包含八个信号路径)、x16(包含十六个信号路径)等等。
在一些情况下，信道115可包含一或多个命令和地址(CA)信道186。CA信道186可经配置以在外部存储器控制器105和存储器装置110之间传送命令，包含与命令相关联的控制信息(例如，地址信息)。举例来说，CA信道186可以包含具有所需数据的地址的读取命令。在一些情况下，CA信道186可寄存在上升时钟信号沿和/或下降时钟信号沿上。在一些情况下，CA信道186可包含八个或九个信号路径。
在一些情况下，信道115可包含一或多个时钟信号(CK)信道188。CK信道188可经配置以在外部存储器控制器105与存储器装置110之间传达一或多个共同时钟信号。每一时钟信号可经配置以在高状态与低状态之间进行调整(例如，振荡)并且协调外部存储器控制器105和存储器装置110的动作。在一些情况下，时钟信号可为差分输出(例如，CK_t信号和CK_c信号)，并且CK信道188的信号路径可相应地予以配置。在一些情况下，时钟信号可以是单端的。在一些情况下，时钟信号可以是1.5GHz信号。CK信道188可包含任何数量的信号路径。在一些情况下，时钟信号CK(例如，CK_t信号和CK_c信号)可提供用于存储器装置110的命令和寻址操作或用于存储器装置110的其它全系统操作的时序参考。时钟信号CK可因此不同地被称作控制时钟信号CK、命令时钟信号CK或系统时钟信号CK。系统时钟信号CK可由系统时钟产生，所述系统时钟可包含一或多个硬件组件(例如，振荡器、晶体、逻辑门、晶体管等)。
在一些情况下，信道115可包含一或多个数据(DQ)信道190。举例来说，信道115可包含数据信道190-1到190-n。每一数据信道可与一或多个传输线相关联或包含一或多个传输线。数据信道190可经配置以在外部存储器控制器105与存储器装置110之间传达数据和/或控制信息。举例来说，数据信道190可传达待写入到存储器装置110的信息(例如，双向)或从存储器装置110读取的信息。数据信道190可传达使用多种不同调制方案(例如，NRZ、PAM4)调制的信号。
在一些情况下，信道115可包含可专用于其它目的的一或多个其它信道192。这些其它信道192可包含任何数量的信号路径。
在一些情况下，其它信道192可包含一或多个写入时钟信号(WCK)信道。虽然WCK中的‘W’在名义上可代表“写入”，但写入时钟信号WCK(例如，WCK_t信号和WCK_c信号)可提供通常用于存储器装置110的存取操作的时序参考(例如，用于读取和写入操作两者的时序参考)。因此，写入时钟信号WCK还可被称作数据时钟信号WCK。WCK信道可经配置以在外部存储器控制器105与存储器装置110之间传达共同数据时钟信号。数据时钟信号可经配置以协调外部存储器控制器105与存储器装置110的存取操作(例如，写入操作或读取操作)。在一些情况下，写入时钟信号可为差分输出(例如，WCK_t信号和WCK_c信号)，并且WCK信道的信号路径可相应地予以配置。WCK信道可包含任何数量的信号路径。数据时钟信号WCK可由数据时钟产生，所述数据时钟可包含一或多个硬件组件(例如，振荡器、晶体、逻辑门、晶体管等)。
在一些情况下，其它信道192可包含一或多个错误检测码(error detectioncode，EDC)信道。EDC信道可经配置以传达错误检测信号，例如校验和，以提高系统可靠性。EDC信道可包含任何数量的信号路径。
信道115可以使用各种不同架构将外部存储器控制器105与存储器装置110耦合。各种架构的实例可包含总线、点对点连接、纵横开关、例如硅内插件的高密度内插件，或形成于有机衬底中的信道，或其某一组合。举例来说，在一些情况下，信号路径可以至少部分地包含高密度内插件，例如硅内插件或玻璃内插件。
经由信道115传达的信号可使用多种不同调制方案进行调制。在一些情况下，可以使用二进制符号(或二进制层级)调制方案来调制在外部存储器控制器105与存储器装置110之间传达的信号。二进制符号调制方案可以是M等于二的M进制调制方案的实例。二进制符号调制方案的每一符号可经配置以表示一位数字数据(例如符号可表示逻辑1或逻辑0)。二进制符号调制方案的实例包含但不限于非归零(NRZ)、单极编码、双极编码、曼彻斯特(Manchester)编码、具有两个符号(例如，PAM2)的脉冲幅度调制(PAM)、PAM4等。
在一些情况下，多符号(或多层级)调制方案可用于调制在外部存储器控制器105与存储器装置110之间传达的信号。多符号调制方案可以是其中M大于或等于三的M进制调制方案的实例。多符号调制方案的每一符号可经配置以表示多于一位数字数据(例如，PAM4符号可表示逻辑00、逻辑01、逻辑10或逻辑11)。多符号调制方案的实例包含但不限于PAM4、PAM8、正交幅度调制(QAM)、正交相移键控(QPSK)等。多符号信号(例如，PAM4信号)可以是使用包含用以对多于一个位的信息进行编码的至少三个层级的调制方案来调制的信号。多符号调制方案及符号可替代地称为非二进制、多位或高阶调制方案及符号。
根据所描述的技术，系统100可包含经配置以加热存储器装置110(例如，加热存储器装置110、存储器裸片160或存储器阵列170的主体，或总体上加热存储器装置110、存储器裸片160或存储器阵列170的质量或体积)的电路或其它组件。经配置以加热存储器装置110的电路或其它组件可基于存储器装置110的温度的指示(例如，从与外部存储器控制器105、与存储器装置110或与系统100的某一其它方面相关联(例如，包含于其中或与其耦合)的温度传感器产生及接收)而激活、去激活或以其它方式操作(例如，由外部存储器控制器105、装置存储器控制器155或本地存储器控制器165)。在一些实例中，激活或以其它方式操作经配置以加热存储器装置110的电路或其它组件可基于存储器装置110的操作模式，其可与存储器装置的特定存取操作或操作状态相关联。存储器装置110的各种操作或操作模式还可基于存储器装置110的温度的指示。
图2说明根据本文中所公开的方面的支持存储器装置的受控且模式相关的加热的存储器裸片160-b的实例。存储器裸片200可以是参考图1所描述的存储器裸片160的实例。在一些情况下，存储器裸片200可以被称为存储器芯片、存储器装置或电子存储器设备。存储器裸片200可以包含可编程以存储不同逻辑状态的一或多个存储器单元205。每个存储器单元205可为可编程的以存储两个或更多个状态。举例来说，存储器单元205可经配置以每次存储一位数字逻辑(例如，逻辑0和逻辑1)。在一些情况下，单个存储器单元205(例如，多层级存储器单元)可经配置以每次存储多于一位数字逻辑(例如，逻辑00、逻辑01、逻辑10或逻辑11)。
存储器单元205可将表示可编程状态的电荷存储在电容器中。在DRAM架构中，存储器单元205可包含电容器，所述电容器包含用以存储表示可编程状态的电荷的介电材料。在其它存储器架构中，其它存储装置和组件是可能的。举例来说，可使用非线性介电材料。
可以通过激活或选择例如字线210和/或数字线215等存取线来对存储器单元205执行例如读取和写入等操作。在一些情况下，数字线215还可被称作位线。对存取线、字线和数字线或其类似物的引用在不影响理解或操作的情况下可互换。激活或选择字线210或数字线215可包含将电压施加到相应线。
存储器裸片200可包含布置成网格状图案的存取线(例如，字线210和数字线215)。存储器单元205可定位于字线210与数字线215的相交点处。通过偏置字线210及数字线215(例如，将电压施加到字线210或数字线215)，可在其相交点处存取单个存储器单元205。
可通过行解码器220或列解码器225控制存取存储器单元205。举例来说，行解码器220可从本地存储器控制器260接收行地址且基于所接收行地址激活字线210。列解码器225可从本地存储器控制器260接收列地址且可基于接收的列地址而激活数字线215。举例来说，存储器裸片200可包含标记为WL_1到WL_M的多个字线210以及标记为DL_1到DL_N的多个数字线215，其中M和N取决于存储器阵列的大小。因此，通过激活字线210和数字线215，例如WL_1和DL_3，可存取其相交点处的存储器单元205。在二维或三维配置中的字线210和数字线215的相交点可被称作存储器单元205的地址。
存储器单元205可包含逻辑存储组件，例如电容器230和开关组件235。电容器230可以是介电电容器或铁电电容器的实例。电容器230的第一节点可与开关组件235耦合，且电容器230的第二节点可与电压源240耦合。在一些情况下，电压源240是地，例如Vss。在一些情况下，电压源240可以是与板线驱动器耦合的板线的实例。开关组件235可以是选择性地建立或取消建立两个组件之间的电子通信的晶体管或任何其它类型的开关装置的实例。
选择或撤销选择存储器单元205可通过激活或去激活开关组件235来实现。电容器230可以使用开关组件235与数字线215电子通信。举例来说，当去激活开关组件235时，电容器230可与数字线215隔离，且当激活开关组件235时，电容器230可与数字线215耦合。在一些情况下，开关组件235可以是或包含晶体管且其操作可通过将电压施加到晶体管栅极来控制，其中晶体管栅极与晶体管源极之间的电压差分可大于或小于晶体管的阈值电压。在一些情况下，开关组件235可以是或包含p型晶体管或n型晶体管。字线210可与开关组件235的栅极电子通信，且可基于施加到字线210的电压而激活/去激活开关组件235。
字线210可以是与可用于对存储器单元205执行存取操作的存储器单元205电子通信的导电线。在一些架构中，字线210可与存储器单元205的开关组件235的栅极电子通信，且可经配置以控制存储器单元的开关组件235。在一些架构中，字线210可与存储器单元205的电容器的节点电子通信，且存储器单元205可不包含开关组件。
数字线215可以是连接存储器单元205与感测组件245的导电线。在一些架构中，存储器单元205可在存取操作的部分期间选择性地与数字线215耦合。举例来说，字线210和存储器单元205的切换组件235可经配置以耦合和/或隔离存储器单元205的电容器230和数字线215。在一些架构中，存储器单元205可以与数字线215电子通信。
感测组件245可经配置以检测存储在存储器单元205的电容器230上的状态(例如，电荷)，且基于所存储状态确定存储器单元205的逻辑状态。在一些情况下，由存储器单元205存储的电荷可能较小。因此，感测组件245可包含一或多个感测放大器以放大由存储器单元205输出的信号。感测放大器可以在读取操作期间检测数字线215的电荷的小变化，且可以基于检测到的电荷产生对应于逻辑状态0或逻辑状态1的信号。
在读取操作期间，存储器单元205的电容器230可将信号(例如，对电荷进行放电)输出到其对应的数字线215。信号可使数字线215的电压发生改变。感测组件245可经配置以将跨越数字线215从存储器单元205接收的信号与参考信号250(例如，参考电压)进行比较。感测组件245可基于所述比较而确定存储器单元205的所存储的状态。举例来说，在二进制信令中，如果数字线215具有比参考信号250高的电压，那么感测组件245可以确定存储器单元205的所存储状态为逻辑1，且如果数字线215具有比参考信号250低的电压，那么感测组件245可以确定存储器单元205的所存储状态为逻辑0。
感测组件245可以包含各种晶体管或放大器以检测和放大信号的差异。在一些情况下，感测组件245可以是另一组件(例如，列解码器225、行解码器220)的部分。在一些情况下，感测组件245可与行解码器220或列解码器225电子通信。
如由感测组件245确定的存储器单元205的所检测到的逻辑状态可通过列解码器225作为输出255进行输出。输出255可将所检测到的逻辑状态传递到一或多个中间组件(例如，本地存储器控制器)以供在一或多个信道上传送(例如，供在一或多个传输线上传输)。因此，存储器单元205的所检测到的逻辑状态可输送到存储器裸片200外部的装置或组件。
本地存储器控制器260可以通过各种组件(例如，行解码器220、列解码器225和感测组件245)控制存储器单元205的操作。本地存储器控制器260可以是参考图1所描述的本地存储器控制器165的实例。在一些情况下，行解码器220、列解码器225和感测组件245中的一或多个可以与本地存储器控制器260协同定位。本地存储器控制器260可经配置以从外部存储器控制器105(或参考图1所描述的装置存储器控制器155)接收命令和/或数据，将命令和/或数据转化成存储器裸片200可使用的信息，对存储器裸片200执行一或多个操作，且响应于执行一或多个操作将数据从存储器裸片200传达到外部存储器控制器105(或装置存储器控制器155)。
本地存储器控制器260可以产生行和列地址信号以激活目标字线210和目标数字线215。本地存储器控制器260还可以产生并控制在存储器裸片200的操作期间使用的各种电压或电流。一般来说，本文中论述的所施加电压或电流的振幅、形状或持续时间可经调整或变化，并可针对操作存储器裸片200时论述的各种操作而不同。
在一些情况下，本地存储器控制器260可经配置以对存储器裸片200的一或多个存储器单元205执行写入操作(例如，编程操作)。写入操作可用于从外部装置接收的数据。在写入操作期间，存储器裸片200的存储器单元205可经编程以存储所要逻辑状态。在一些情况下，可在单个写入操作期间对多个存储器单元205进行编程。本地存储器控制器260可以识别将执行写入操作的目标存储器单元205。本地存储器控制器260可以识别与目标存储器单元205电子通信的目标字线210和目标数字线215(例如，目标存储器单元205的地址)。本地存储器控制器260可激活目标字线210和目标数字线215(例如，将电压施加到字线210或数字线215)以存取目标存储器单元205。本地存储器控制器260可在写入操作期间将第一信号(例如，电压)施加到数字线215以将第一状态(例如，电荷)存储在存储器单元205的电容器230中，且第一状态(例如，电荷)可指示所要逻辑状态。
在一些情况下，本地存储器控制器260可经配置以对存储器裸片200的一或多个存储器单元205执行读取操作(例如，感测操作)。读取操作可用于外部装置所请求的或旨在用于外部装置的数据。在读取操作期间，可以确定存储在存储器裸片200的存储器单元205中的逻辑状态。在一些情况下，可在单个读取操作期间对多个存储器单元205进行感测。本地存储器控制器260可以识别将执行读取操作的目标存储器单元205。本地存储器控制器260可以识别与目标存储器单元205电子通信的目标字线210和目标数字线215(例如，目标存储器单元205的地址)。本地存储器控制器260可激活目标字线210和目标数字线215(例如，将电压施加到字线210或数字线215)以存取目标存储器单元205。
目标存储器单元205可以响应于偏置存取线而将信号传送到感测组件245。感测组件245可放大信号。本地存储器控制器260可激活感测组件245(例如锁存感测组件)，且由此将从存储器单元205接收到的信号与参考信号250进行比较。基于所述比较，感测组件245可确定存储于存储器单元205上的逻辑状态。作为读取操作的一部分，本地存储器控制器260可将存储在存储器单元205上的逻辑状态传达到外部存储器控制器105(或装置存储器控制器155)。
在一些存储器架构中，存取存储器单元205可使存储在存储器单元205中的逻辑状态降级或毁坏。例如，在DRAM架构中执行的读取操作可以使目标存储器单元的电容器部分或完全放电。本地存储器控制器260可以执行重写操作或刷新操作以将存储器单元恢复到其原始逻辑状态。本地存储器控制器260可以在读取操作之后将逻辑状态重写到目标存储器单元。在一些情况下，重写操作可视为读取操作的部分。另外，激活单个存取线(例如，字线210)可干扰存储在与所述存取线电子通信的一些存储器单元中的状态。因此，可对可能尚未被存取的一或多个存储器单元执行重写操作或刷新操作。
存储器裸片200说明二维(2D)存储器单元阵列。在一些情况下，存储器装置可包含三维(3D)阵列或存储器单元。3D存储器阵列可包含彼此上下堆叠的两个或更多个2D存储器阵列。在一些情况下，3D存储器阵列中的2D存储器阵列可称为叠组、层级、层或裸片。3D存储器阵列可包含任何数量的堆叠2D存储器阵列(例如，两个高、三个高、四个高、五个高、六个高、七个高、八个高)。与单个2D存储器阵列相比，这可以增加可以定位于单个裸片或衬底上的存储器单元的数量，这继而可以降低生产成本，提高存储器阵列的性能，或这两者。在一些3D存储器阵列中，不同叠组可共享至少一个共同存取线，使得一些叠组可共享字线210或数字线215中的至少一个。
包含存储器裸片200或以其它方式与存储器裸片200相关联(例如，包含包含存储器裸片200或以其它方式与存储器裸片200相关联的存储器装置110)的系统100或外部存储器控制器105可经设计或经配置以在环境温度范围内操作，所述环境温度范围与原本经设计或经配置以用于存储器裸片200的操作温度范围不同。举例来说，当系统100或外部存储器控制器105包含于车辆中时，所述车辆可经设计以在可低于存储器裸片200的经设计操作温度(例如，低至0℃)的相对低的环境温度(例如，低至-40℃的环境温度)下操作。
存储器裸片200的一或多个操作性方面可为温度敏感的，且存储器裸片200或包含存储器裸片的系统(例如，如系统100的系统)可经配置以使得存储器装置在包含存储器裸片200或以其它方式与存储器裸片200相关联的系统100或外部存储器控制器105所预期的环境温度范围内满足操作参数。举例来说，存储器裸片200或包含存储器裸片200的设备或系统100可包含经配置以加热存储器裸片200的电路或其它组件(例如，经配置以加热存储器裸片200或包含存储器裸片200的存储器装置110的电路，经配置以加热包含于存储器裸片200中的存储器阵列的电路，经配置以加热存储器裸片200的所有存储器单元205的电路)。经配置以加热存储器裸片200的电路或其它组件可基于存储器装置110或其组件的温度的指示(例如，基于对升高存储器装置110的温度的确定)而激活、去激活或以其它方式操作。在一些实例中，激活、去激活或以其它方式操作经配置以加热存储器裸片200的电路或其它组件可基于包含存储器裸片200的存储器装置110的操作模式，其可与存储器装置110的特定存取操作或操作状态相关联。存储器装置110的各种操作或操作模式还可基于存储器装置110或其组件的温度的指示。
图3说明根据本文中所公开的方面的支持存储器装置的受控且模式相关的加热的系统100-c的实例300。系统100-c可包含主机装置305及存储器装置110-c，其可为参考图1和2描述的相应组件的实例。尽管系统100-c经说明为具有一个存储器装置110(例如，存储器装置110-c)，但本文中所描述的组件及技术可说明包含一个存储器装置110或一组存储器装置110(例如，多于一个存储器装置110)的系统100。
系统100-c可在具有环境温度(例如，TA)的环境302中操作，所述环境温度可指系统100-c经设计以操作的环境温度或环境温度范围(例如，室外温度，含有系统100-c的壳体或其内部的温度)。在一些实例中，环境302可与环境温度范围相关联，所述环境温度范围不同于与存储器装置110-c相关联的操作温度范围，或不同于原本将经配置用于存储器装置110-c的操作温度范围。举例来说，系统100-c或主机装置305可表示车辆或车辆组件(例如，车辆控制器、车辆处理单元，或包含于车辆中的外部存储器控制器105)，且环境302(例如，户外环境、车辆环境、发动机舱环境、车辆内部环境)可与-40℃至100℃的环境温度范围或某一其它温度范围相关联。在一些实例中，存储器装置110-c可经设计或以其它方式经配置以用于在0℃至100℃之间的操作温度。根据本文中所公开的方面，系统100-c可包含电路，所述电路经配置以加热存储器装置110-c(例如，基于与升高存储器装置110-c的温度相关联的确定)，使得即使当环境302的环境温度低于操作温度(例如，低至-40℃)时，存储器装置110-c可在经设计或经配置的操作温度范围(例如，在0℃至100℃之间)内的温度下执行操作。
系统100-c可包含用于测量或指示存储器装置110-c的温度的各种温度传感器。在一些实例中，系统100-c可包含存储器装置温度传感器320，其可为存储器装置110-c的组件。存储器装置温度传感器320可嵌入于装置存储器控制器155、存储器裸片160、本地存储器控制器165、存储器阵列170或包含于存储器装置110-c中的任何其它组件中的任一者内(例如，作为其整体组件)，或耦合到装置存储器控制器155、存储器裸片160、本地存储器控制器165、存储器阵列170或包含于存储器装置110-c中的任何其它组件中的任一者。尽管在存储器装置110-c的说明性边界内展示，但存储器装置温度传感器320还可耦合到(例如，熔合到、紧固到、焊接到)存储器装置110-c的外部封装，其可包含例如热膏的导热耦合或导热材料之间的其它耦合。存储器装置温度传感器320可提供存储器装置110-c或其组件的温度的相对直接测量或指示(例如，温度T1)。在一些实例中，与存储器装置温度传感器320相关联的获取速率(例如，确定温度指示的速率)可链接到存储器装置110-c的操作，例如刷新或自动刷新(auto-refresh，AREF)命令，且可根据经配置间隔(例如，每1.9μs)发生。
另外或替代地，系统100-c可包含主机装置温度传感器330，其可为主机装置305的组件。主机装置温度传感器330可嵌入于外部存储器控制器105内(例如，作为其整体组件)，或耦合到外部存储器控制器105，或在这类组件包含于主机装置305中的情况下，主机装置温度传感器330可嵌入于处理器120、BIOS组件125、外围组件130或I/O控制器135内或耦合到处理器120、BIOS组件125、外围组件130或I/O控制器135。尽管在主机装置305的说明性边界内展示，但主机装置温度传感器330还可耦合到(例如，熔合到、紧固到、焊接到)主机装置305的外部封装，其可包含例如热膏的导热耦合或导热材料之间的其它耦合。主机装置温度传感器330可提供主机装置305或其组件的温度的相对直接测量或指示(例如，温度T2)，在一些实例或条件中，可提供用于支持本文中所描述的技术的存储器装置110-c的温度的合适测量或指示(例如，相对间接测量或指示)。
在一些实例中，主机装置305及存储器装置110-c可经由耦合组件310耦合，但在系统100-c的各种实例中，耦合组件310或其所描述的功能可包含于系统100-c中或从系统100-c省略。耦合组件310可为系统100-c的提供主机装置305与存储器装置110-c之间的耦合的物理组件。所描述的耦合可包含在主机装置305与存储器装置110-c之间输送热能的热耦合。举例来说，耦合组件310可具有相对较高热导率(例如，低耐热性)，其可促进在主机装置305与存储器装置110-c之间的相对较小温差下在主机装置305与存储器装置110-c之间的热能传送。换句话说，耦合组件310可以相对类似的温度(例如，经由相对强的热耦合)支持主机装置305及存储器装置110-c。
通过经由耦合组件310(例如，经由热耦合)将存储器装置110-c与主机装置305耦合，主机装置温度传感器330可提供比在省略耦合组件310时更准确的对存储器装置110-c的温度的指示。举例来说，当系统100-c包含耦合组件310时，主机装置温度传感器330可在热瞬变期间或在存储器装置110-c的内部产热不同于主机装置305的内部产热时提供存储器装置温度的更准确指示。然而，在一些实例中，可从系统100-c省略耦合组件310，且主机装置温度传感器330可适合于支持本文中所描述的技术。
在一些实例中，耦合组件310可经特定配置以减小主机装置温度传感器330与存储器装置110-c之间的温度差。举例来说，耦合组件310可为主机装置温度传感器330或主机装置305与存储器装置110-c之间的具体设计的热桥或连接，例如衬底的导热迹线或衬垫(例如，与存储器装置110-c及主机装置305两者耦合的印刷电路板的导电部分)。在一些实例中，耦合组件310可出于其它目的而配置，但另外支持存储器装置110-c与主机装置305之间的热传导。举例来说，耦合组件310可为经配置以从存储器装置110-c或主机装置305吸走热能的散热器或冷却鳍片，且可另外限制存储器装置110-c与主机装置305之间的温度差(例如，作为耦合组件310的次要或额外目的)。在一些实例中，耦合组件310还可指代印刷电路板的导电迹线或经配置以在存储器装置110-c与主机装置305之间传达信号的其它介接组件(例如，与一或多个信道115相关联的信号路径)。
尽管耦合组件310说明为与存储器装置110-c及主机装置305分离的组件，但在系统100-c的各种实例中，耦合组件310或其所描述特性可包含于存储器装置110-c或主机装置305中的一者或这两者中。举例来说，存储器装置110-c可包含安装到印刷电路板或其它衬底的一或多个存储器裸片160，且存储器装置110-c的印刷电路板可包含导热部分，所述导热部分经配置或以其它方式支持存储器装置110-c与主机装置305之间的热能交换，由此减小存储器装置110-c与主机装置温度传感器330-c之间的温度差。另外或替代地，主机装置305可包含印刷电路板，且主机装置305的印刷电路板可包含导热部分，所述导热部分经配置或以其它方式支持主机装置305与存储器装置110-c之间的热能交换，由此限制存储器装置110-c与主机装置温度传感器330-c之间的温度差。
对于包含耦合组件310的系统100-c，系统100-c可包含耦合组件温度传感器340(例如，除存储器装置温度传感器320或主机装置温度传感器330中的一者或两者以外或作为其中的一者或两者的替代方案)，其可为耦合组件310的组件。耦合组件温度传感器340可嵌入于耦合组件310内(例如，作为其整体组件)，或以其它方式耦合到耦合组件310，其可包含例如热膏的导热耦合或导热材料之间的其它耦合。耦合组件温度传感器340可提供耦合组件310的温度的相对直接测量或指示(例如，温度T3)，在一些实例或条件中，可提供存储器装置110-c的温度或主机装置305的温度中的一者或两者的合适测量或指示(例如，相对间接测量或指示)。在各种实例中，耦合组件温度传感器340可与存储器装置110-c或主机装置305或这两者通信(例如，可向其提供温度指示)。
尽管说明为单个组件，但可在系统100-c中重复存储器装置温度传感器320、主机装置温度传感器330或耦合组件温度传感器340中的任何一或多者。举例来说，存储器装置110-c可包含跨越多个存储器裸片160分布或以其它方式跨越存储器装置110-c的不同位置分布的一组存储器装置温度传感器320。另外或替代地，主机装置305可包含跨越主机装置305的各种组件分布或以其它方式跨越主机装置305的不同位置分布的一组主机装置温度传感器330。另外或替代地，耦合组件310可包含跨越耦合组件310的各种组件分布或以其它方式跨越耦合组件310的不同位置分布的一组耦合组件温度传感器340。
在各种实例中，多个温度传感器可在系统100-c中使用以提供聚合指示(例如，特定存储器装置110-c的平均或以其它方式聚合的温度指示、一组存储器装置110-c的平均或以其它方式聚合的温度、系统100-c的平均或以其它方式聚合的温度)、最小或最大指示(例如，特定存储器装置110-c的最小或最大温度、一组存储器装置110-c的最小或最大温度、系统100-c的最小或最大温度)，或合理性指示(例如，可用于检测温度传感器是否失效的指示发生故障或以其它方式提供不合理的温度指示)，或其各种组合。
在各种实例中，多个温度传感器可在系统100-c中使用以基于一个温度传感器的指示而支持另一温度传感器的指示的偏移确定、交叉校准或其它处理。在一个实例中，主机装置305或存储器装置110-c(例如，外部存储器控制器105或装置存储器控制器155)可识别同一装置的温度传感器之间(例如，主机装置温度传感器330之间、存储器装置温度传感器320之间)的偏移或缩放差，且可将偏移或缩放应用于同一装置的温度传感器(例如，作为所识别的偏移或缩放差的加法或减法，作为所识别的偏移或缩放差异的某一比例或加权量的加法或减法)，其可为系统100-c的同一装置内的温度传感器的交叉校准。在另一实例中，主机装置305或存储器装置110-c(例如，外部存储器控制器105或装置存储器控制器155)可识别存储器装置温度传感器320与主机装置温度传感器330之间的偏移或缩放差，且可将偏移或缩放差应用于来自存储器装置温度传感器320的指示或来自主机装置温度传感器330的指示中的一者或两者(例如，作为所识别的偏移或缩放差的加法或减法，作为所识别的偏移或缩放差的某一比例或加权量的加法或减法)，其可为跨越系统100-c的不同装置的温度传感器的交叉校准的实例。
在一些实例中，主机装置305或存储器装置110-c(例如，外部存储器控制器105或装置存储器控制器155)可识别存储器装置110-c的所指示温度与主机装置305的所指示温度之间的差，且主机装置305或存储器装置110-c可基于所识别的差而执行所描述的操作或交换命令或信令。举例来说，主机装置305可识别存储器装置温度传感器320与主机装置温度传感器330之间的差(例如，偏移)，且主机装置305可将所识别差应用(例如，通过加法或减法)于主机装置温度传感器330的稍后指示以估计存储器装置温度传感器320的指示，且基于存储器装置温度传感器320的所估计指示而执行操作。
在一些情况下，一个装置的温度与另一装置的温度之间(例如，主机装置305的温度与存储器装置110-c的温度之间、耦合组件310的温度与存储器装置110-c的温度之间)的偏移可在主机装置305或存储器装置110-c处预先配置(例如，存储在一或多个熔丝或反熔丝中)，且主机装置305或存储器装置110-c可使用如本文中所描述识别的此预先配置偏移。
存储器装置温度传感器320、主机装置温度传感器330或耦合组件温度传感器340可包含提供温度的指示的不同类型的组件，且这类指示可在数字域或模拟域中经输送、用信号发送、比较或以其它方式处理。举例来说，存储器装置温度传感器320、主机装置温度传感器330或耦合组件温度传感器340中的任何一或多者可包含热电偶、热敏电阻器、半导体温度传感器、电阻温度检测器(resistance temperature detector，RTD)或某一其它类型的传感器。
在一些实例中，系统100-c的特定组件的一组温度传感器可为同一类型的传感器。举例来说，存储器装置110-c的一组存储器装置温度传感器320中的每一者可为半导体温度传感器。在一些实例中，系统100-c的组件可具有多种类型的温度传感器，其可支持不同温度范围、不同操作条件(例如，不同操作模式、不同功率消耗、经供能的组件的不同部分)、冗余或合理性检测。举例来说，存储器装置110-c的存储器装置温度传感器320可包含一组热电偶及一或多个RTD。
在各种实例中，系统100-c的组件可使用相同或不同类型的温度传感器。举例来说，存储器装置温度传感器320存储器装置110-c可包含热电偶，且主机装置305的主机装置温度传感器330可包含热电偶或RTD或这两者。根据所描述的技术，温度传感器类型的各种其它组合可用于存储器装置温度传感器320、主机装置温度传感器330或耦合组件温度传感器340中。
系统100-c还可包含经配置以加热存储器装置110-c的各种电路或组件。在一些实例中，系统100-c可包含存储器装置存储器加热器350，其可为存储器装置110-c的组件。存储器装置存储器加热器350可嵌入于装置存储器控制器155、存储器裸片160、本地存储器控制器165、存储器阵列170或包含于存储器装置110-c中的任何其它组件中的任一者内(例如，作为其整体组件)，或耦合到装置存储器控制器155、存储器裸片160、本地存储器控制器165、存储器阵列170或包含于存储器装置110-c中的任何其它组件中的任一者。举例来说，存储器装置存储器加热器350可包含将电能转换成热能(例如，经由欧姆加热)的电阻元件或电阻路径(例如，迹线、电线或电极)。在一些实例中，存储器装置存储器加热器350可包含开关组件，所述开关组件经配置以耦合电压源与接地、底盘接地或支持电流的某一其它电压源。这类电阻元件、电阻路径、接地、电压源或开关组件可与存储器装置110-c的一或多个各种组件(例如，装置存储器控制器155、存储器裸片160、本地存储器控制器165、存储器阵列170)相关联。
在一些实例中，经配置以加热存储器装置110-c的电路中包含的开关组件可经配置以(例如，经由电阻元件，经由电阻路径，经由短路)选择性地耦合与存储器阵列170相关联的两个存取线。在一些实例中，存储器装置110-c可经配置以执行虚拟操作(例如，虚拟存取操作、不与同主机装置305交换信息相关联的存取操作)，所述虚拟操作经配置以加热存储器装置110-c(例如，经配置以用于升高存储器阵列170的整体温度，经配置以升高存储器阵列170的多个存储器单元205的温度，响应于升高存储器装置110-c的温度的确定的操作)，在此情况下，存储器装置存储器加热器350可包含本地存储器控制器165、存储器阵列170或这两者的部分。在一些实例中，存储器装置存储器加热器350可包含经配置以加热不用于存取操作的存储器装置110-c的电路(例如，经配置以用于加热不在存储器装置110-c的存取操作中使用的存储器装置110-c的组件)。
尽管在存储器装置110-c的说明性边界内展示，但存储器装置存储器加热器350还可耦合到(例如，熔合到、紧固到、焊接到)存储器装置110-c的外部封装，其可包含例如热膏的导热耦合或导热材料之间的其它耦合。存储器装置存储器加热器350可提供存储器装置110-c的相对直接加热。
另外或替代地，系统100-c可包含主机装置存储器加热器360，其可为主机装置305的组件。主机装置存储器加热器360可嵌入于外部存储器控制器105内(例如，作为其整体组件)，或耦合到外部存储器控制器105，或在这类组件包含于主机装置305中的情况下，主机装置存储器加热器360可嵌入于处理器120、BIOS组件125、外围组件130或I/O控制器135内或耦合到处理器120、BIOS组件125、外围组件130或I/O控制器135。在一些实例中，主机装置存储器加热器360可包含将电能转换成热能(例如，经由欧姆加热)的电阻元件或电阻路径(例如，迹线、电线或电极)。尽管在主机装置305的说明性边界内展示，但主机装置存储器加热器360还可耦合到(例如，熔合到、紧固到、焊接到)主机装置305的外部封装，其可包含例如热膏的导热耦合或导热材料之间的其它耦合。主机装置存储器加热器360可提供主机装置305的相对直接加热，在一些实例或条件中，可提供适合于升高存储器装置110-c的温度以用于支持本文中所描述的技术的加热(例如，相对间接加热)。
对于包含耦合组件310的系统100-c，系统100-c可包含耦合组件存储器加热器370(例如，除存储器装置温度传感器320或主机装置温度传感器330中的一者或两者以外或作为其中的一者或两者的替代方案)，其可为耦合组件310的组件。耦合组件存储器加热器370可嵌入于耦合组件310内(例如，作为其整体组件)，或以其它方式耦合到耦合组件310，其可包含例如热膏的导热耦合或导热材料之间的其它耦合。在一些实例中，耦合组件存储器加热器370可包含将电能转换成热能(例如，经由欧姆加热)的电阻元件或电阻路径。在一些实例中，耦合组件存储器加热器370可指通常与冷却功能相关联的循环流体或流体路径(例如，当耦合组件310包含与液体冷却系统相关联的散热器或歧管时)，但可在某些条件下经配置以向存储器装置110-c提供加热(例如，当流体源的流体具有比存储器装置110-c更高的温度时)。耦合组件存储器加热器370可提供耦合组件310的相对直接加热，在一些实例或条件中，可提供适合于升高存储器装置110-c或主机装置305的温度的加热(例如，相对间接加热)。在各种实例中，耦合组件存储器加热器370可与存储器装置110-c或主机装置305或这两者通信(例如，从其接收控制命令、从其接收激活命令、从其接收去激活命令)。
尽管说明为单个组件，但可在系统100-c中重复存储器装置存储器加热器350、主机装置存储器加热器360或耦合组件存储器加热器370中的任何一或多者。举例来说，存储器装置110-c可包含跨越多个存储器裸片160分布、分布在每一存储器裸片160内或以其它方式跨越存储器装置110-c的不同位置分布的一组存储器装置存储器加热器350。另外或替代地，主机装置305可包含跨越主机装置305的各种组件分布或以其它方式横跨主机装置305的不同位置分布的一组主机装置存储器加热器360。另外或替代地，耦合组件310可包含跨越耦合组件310的各种子组件分布或以其它方式跨越耦合组件310的不同位置分布的一组耦合组件存储器加热器370。在各种实例中，多个存储器加热器可用于支持相对均匀的加热(例如，分布式热流)、相对均匀的组件温度(例如，最小化或减少跨越组件或组件内的热点或冷点)、某些组件或子组件的特定加热(例如，存储器装置110的有源部分的加热、有源或目标存储器装置110的加热)，或其各种组合。
系统100-c还可包含存储器装置110-c与主机装置305(例如，主机装置305的外部存储器控制器105)之间的各种信令，其可支持存储器装置110-c及主机装置305的各种操作或在其之间的各种操作。举例来说，系统100-c可支持数据信令380、温度信令385、初始化信令390、模式信令395或其各种组合。所描述的信令中的每一者可经由信道115(例如参考图1的系统100描述的那些信道)输送。
数据信令380可包含双向数据交换，例如作为对存储器装置110-c的存储器单元205进行读取或写入的部分输送的数据。数据信令380可例如经由如参考图1的系统100所描述的数据信道190或存储器装置110-c与主机装置305之间的某一其它操作信道或线输送。
温度信令385可包含在存储器装置110-c或主机装置305之间传达的温度的各种指示，且可经由数据信道190或与另一信道192相关联的EDC引脚或联合测试行动小组(JTAG)信号(例如参考图1的系统100描述的那些)或某一其它温度反馈信道或线输送。举例来说，存储器装置110-c及主机装置305可交换温度的显式指示(例如，表达以华氏度或摄氏度为单位的温度的数字值)或温度的隐式指示(例如，热电偶的电压，或跨越原本与以华氏度或摄氏度为单位的特定温度相关联的RTD的电压或电流)。举例来说，存储器装置110-c可经由温度信令385将存储器装置110-c的温度的指示(例如，从存储器装置温度传感器320)提供到主机装置305。举例来说，主机装置305可经由温度信令385将主机装置305的温度的指示(例如，从主机装置温度传感器330)提供到存储器装置110-c。这类温度信令可用于支持用于存储器装置的受控且模式相关的加热的所描述的技术的各种实例。
初始化信令390可包含用于由存储器装置110-c或主机装置305执行的初始化的初始化操作或触发事件的各种指示，且可经由数据信道190或与另一信道192(例如，电力信道)相关联的EDC引脚或JTAG信号(例如参考图1的系统100描述的那些)或某一其它初始化反馈信道或线输送。举例来说，可通过电力接通或以其它方式提供到系统100-c(例如，经由输入端145)或主机装置305以其它方式激活或启用存储器装置110-c来触发初始化。在一些实例中，初始化信令390可包含电力提供到存储器装置110-c(例如，经由电力信道)，或可包含存储器装置110-c执行初始化的显式命令，其中的任一者或两者可触发存储器装置110-c的初始化。在一些实例中，在电力提供到存储器装置110-c后，存储器装置110-c可在无来自主机装置305的信令的情况下执行初始化，但可将存储器装置110-c正执行初始化操作(例如，经由初始化信令390)的指示提供到主机装置305。在一些实例中，可由存储器装置110-c或主机装置305从空闲状态或待用状态执行初始化(例如，当退出空闲状态或待用状态时)，所述初始化可由初始化信令390触发，无论是否存在提供到存储器装置110-c或主机装置305的电力的转变。
模式信令395可包含存储器装置110-c或主机装置305在其中操作的操作模式的各种指示，且可经由数据信道190或与另一信道192相关联的EDC引脚或JTAG信号(例如参考图1的系统100描述的那些)或某一其它模式反馈信道或线输送。
第一操作模式(例如，刷新模式、自刷新模式)可与存储器装置110-c的刷新操作或自刷新操作相关联，其可包含由存储器装置110-c的存储器单元205存储的逻辑状态的周期性刷新。在第一模式期间，存储器装置110-c可不执行或可能不可用于执行读取或写入操作。因此，第一模式可与存储器装置110-c与主机装置305之间的数据传送的缺乏相关联(例如，与不存在数据信令380相关联的操作模式)。
在一些实例中，在第一模式中操作可由存储器装置110-c的温度的指示触发(例如，当第一模式与相对较低温度模式或相对较高温度模式相关联时)，或第一模式可与基于存储器装置110-c的温度的指示经配置的操作相关联(例如，当第一模式与相对较低温度操作或相对较高温度操作相关联时)。举例来说，第一模式可与相对较低温度模式相关联且可包含或支持刷新或自刷新操作，此是因为在较低温度下泄漏速率可减小(较慢)(例如，存储器单元205可展现所存储逻辑状态的较长保留时间)。在各种实例中，模式信令395可包含存储器装置110-c向主机装置305指示存储器装置110-c在第一模式中操作(例如，存储器装置110-c不可用于存取命令或操作)，或模式信令395可包含主机装置305命令存储器装置110-c进入第一模式(例如，根据第一模式操作的命令)。
第二操作模式(例如，读取/写入模式)可与相对较高温度操作相关联，且可包含或支持存储器装置110-c的读取操作、存储器装置110-c的写入操作，或这两者。因此，第二模式可与存储器装置110-c与主机装置305之间的数据传送的存在相关联(例如，与数据信令380的存在相关联的操作模式)。
在一些实例中，在第二模式中操作可由存储器装置110-c的温度的指示触发(例如，当第二模式与相对较低温度模式或相对较高温度模式相关联时)，或第二模式可与基于存储器装置110-c的温度的指示经配置的操作相关联(例如，当第二模式与相对较低温度操作或相对较高温度操作相关联时)。举例来说，当第二模式与特定存取操作(例如，读取操作、写入操作)相关联时，这类操作在存储器装置110-c处于相对较高温度下(例如，在可高于环境302的环境温度的操作温度范围内)时可更快速、有效或可靠地执行。因此，在第二模式中操作可与至少部分地基于存储器装置110-c在某些条件下的加热所达到的温度相关联。在各种实例中，模式信令395可包含存储器装置110-c向主机装置305指示存储器装置110-c在第二模式中操作(例如，存储器装置110-c可用于存取命令或操作)，或模式信令395可包含主机装置305命令存储器装置110-c进入第二模式，所述第二模式可包含存取存储器装置110-c的请求。在一些实例中，当在第二模式中操作时，存储器装置110-c可经由模式信令395提供“准备好操作”信号。
尽管参考第一模式和第二模式进行描述，但本文中所描述的技术可应用于任何数目种类型的模式，例如低或高功率模式、空闲模式、待用模式、高性能模式、节能模式等。换句话说，存储器装置110-c的受控且模式相关的加热通常可支持与存取类型对准的存储器温度，例如允许或实现用于具有较低电力消耗的刷新操作的相对较低温度，或用于具有较高性能(例如，增加的数据输送量、效率或可靠性)的读取或写入操作的相对较高温度。在各种实例中，可基于所指示的温度(例如，在加热存储器装置110-c之前、当时或之后的温度)而选择、激活(允许、可用、支持)或去激活(不允许、不可用、受限)操作模式。
因此，系统100-c可经配置以基于存储器装置110-c的温度的各种指示(例如，来自存储器装置温度传感器320、主机装置温度传感器330、耦合组件温度传感器340或其组合中的一或多者)激活、去激活或以其它方式控制存储器装置存储器加热器350、主机装置存储器加热器360或耦合组件存储器加热器370中的一或多者。在一些实例中，系统100-c对存储器加热器的此控制可至少部分地基于数据信令380、温度信令385、初始化信令390或模式信令395或其某一组合中的一或多者，或系统100-c对存储器加热器的此控制可另外伴有此信令。
图4说明根据本文中所公开的方面的与存储器装置110的受控且模式相关的加热相关联的温度曲线400的实例。温度曲线400可说明当在参考图3所描述的系统100-c中执行受控且模式相关的加热时存储器装置110-c的所指示温度405的实例。在各种实例中，所指示温度405可说明在存储器装置110-c处指示的温度(例如，T1，如由一或多个存储器装置温度传感器320指示)、在主机装置305处指示的温度(例如，T2，如由一或多个主机装置温度传感器330指示)、在耦合组件310处指示的温度(例如，T3，如由一或多个耦合组件温度传感器340指示)，或其某一组合。在一些实例中，所指示温度405可说明一组温度传感器的平均所指示温度、一组温度传感器的最小所指示温度、一组传感器的最大所指示温度，或应用于一组温度传感器的某一其它组合或操作。
在t0处，系统100-c、主机装置305或存储器装置110-c可处于待用、空闲或断电状态或模式。在一些实例中，在t0处，存储器装置110-c可能并不执行读取操作、写入操作或其它存取操作。在一些实例中，系统100-c、主机装置305或存储器装置110-c可能并不接收电力(例如，从系统100-c或主机装置305的电源，或从输入端145)。在系统100-c或主机装置305为车辆的实例中，在t0之前，在点火系统或其它电力或推进系统停用或以其它方式受限的模式中，或在车辆或车辆的某一子系统断电或在低功率或空闲状态下操作的某一其它模式中，车辆可关闭。
在t0处的所指示温度405可等于与环境302相关联的环境温度TA。换句话说，系统100-c、主机装置305或存储器装置110-c可能已达到与环境302的热平衡，其中存储器装置110-c的所指示温度等于TA。在其它实例中，所指示温度405可能尚未达到与环境302的平衡，但所指示温度405可另外已达到相对较低温度(例如，低于阈值，在操作温度范围之外)。
在t0处的所指示温度405可低于与存储器装置110-c相关联的操作温度范围或在所述操作温度范围之外。举例来说，温度Tth,1可表示与存储器装置110-c相关联的第一阈值(例如，操作温度范围的下限阈值或界限)。在一些实例中，第一阈值Tth,1可为0℃，但其它实例可包含处于不同温度(例如，比0℃更高或更低的温度)下的第一阈值。
在t1处，所指示温度405可由系统100-c的一或多个组件在t1处确定，且由于所指示温度405处于或低于或以其它方式满足第一阈值Tth,1，所以系统100-c可根据各种技术起始对存储器装置110-c的加热，所述技术在一些实例中可包含系统100-c在执行特定存取操作之前预加热存储器装置110-c。换句话说，可响应于存储器装置110-c的温度(例如，整体温度、聚合温度)应升高的确定而起始存储器装置110-c的加热。
因此，在t1处的操作中的一或多者之后，所指示温度405可上升。在一些实例中，系统100-c、主机装置305或存储器装置110-c可作为可与初始化相关联的t1的操作的部分而改变到不同操作模式或状态。举例来说，系统100-c、主机装置305或存储器装置110-c中的任何一或多者可接收电力(例如，经由电力信道)，或可接收某一其它信令以命令改变或触发操作模式或状态的改变(例如，经由初始化信令390或模式信令395)，且作为响应可激活经配置以加热存储器装置110-c的电路。在t1处所指示温度405并不低于第一阈值Tth,1的实例中，系统100-c可继续进行存取操作而无需激活经配置以加热存储器装置110-c的电路，但当所指示温度405下降(例如，基于所指示温度405与第三阈值Tth,3之间的比较，例如参考t4描述的操作)时可激活经配置以加热存储器装置110-c的电路。
在t1的第一实例中，存储器装置110-c可接收电力、接收初始化命令或这两者。举例来说，在系统100-c或主机装置305为车辆的情况下，t1可指示车辆的点火系统、推进系统或某一其它系统激活或初始化。作为响应，存储器装置110-c可初始化存储器装置110-c(例如，存储器装置110-c可执行初始化操作)。作为t1的初始化的部分，或另外基于存储器装置110-c的模式或状态的改变(例如，基于存储器装置110-c检测初始化)，存储器装置110-c可确定所指示温度405(例如，来自一或多个存储器装置温度传感器320)，且将所指示温度405与第一阈值Tth,1进行比较或以其它方式评估(例如，确定所指示温度405处于或低于或以其它方式满足第一阈值Tth,1)。基于所述比较或评估，存储器装置110-c可激活、启用或以其它方式控制经配置以加热存储器装置110-c的电路或其它组件(例如，激活一或多个存储器装置存储器加热器350，发送激活一或多个主机装置存储器加热器360或一或多个耦合组件存储器加热器370的命令)。在一些实例中，基于t1的操作中的一或多者(例如，基于检测初始化)，存储器装置110-c可(例如，向主机装置305)指示存储器装置110-c处于初始化模式或存储器装置110-c正被加热，或指示存储器装置110-c的存取操作的限制(例如，存储器装置110-c不可用于读取或写入命令，针对存储器装置110-c停用读取或写入操作)。在一些实例中，可经由初始化信令390、模式信令395或例如EDC或JTAG信号或数据线的某一其它信令输送这些指示。
在t1的第二实例中，主机装置305可接收电力、接收初始化命令或这两者。作为响应，主机装置305可执行主机装置305的初始化操作，其可包含(例如，经由初始化信令390，经由模式信令395)初始化存储器装置110-c。作为在t1处的初始化的部分，或另外基于主机装置305的模式或状态的改变，主机装置305可确定或以其它方式接收与所指示温度405相关联的信令(例如，从一或多个主机装置温度传感器330或耦合组件温度传感器340，经由指示存储器装置110-c的温度的温度信令385)，且将所指示的温度405与第一阈值Tth,1进行比较或以其它方式评估(例如，确定所指示温度405处于或低于或以其它方式满足第一阈值Tth,1)。在其它实例中，主机装置305可另外识别或确定存储器装置110-c的温度处于或低于或以其它方式满足第一阈值Tth,1(例如，经由指示存储器装置110-c的温度处于或低于或以其它方式满足阈值的初始化信令390或模式信令395)。基于t1的比较或其它识别或确定，主机装置305可激活、启用或以其它方式控制经配置以加热存储器装置110-c的电路或其它组件(例如，激活一或多个主机装置存储器加热器360，发送激活一或多个存储器装置存储器加热器350或一或多个耦合组件存储器加热器370的命令)。在系统100-c包含多个存储器装置110的实例中，主机装置可激活经配置以加热所有存储器装置110的电路，或激活经配置以加热存储器装置110的子集的电路，其中基于操作条件、存储器装置110的类型、待与存储器装置110交换的数据的类型、存取操作的类型及其它考虑因素而选择此子集。
在一些实例中(例如，根据t1的第二实例)，基于t1的操作中的一或多者，存储器装置110-c可(例如，向主机装置305)指示存储器装置110-c处于初始化模式中或存储器装置110-c正被加热，或指示存储器装置110-c的存取操作的限制(例如，存储器装置110-c不可用于读取或写入命令，针对存储器装置110-c停用读取或写入操作)。在一些实例中，主机装置305可另外理解或认识到存储器不可用于存取操作(例如，基于来自存储器装置110-c的温度信令385，基于经由初始化信令390发送初始化命令，基于未接收到“准备好操作”信号)。因此，基于t1的操作中的一或多者，主机装置可在t1之后抑制存取存储器装置的一或多个命令。
在t2处，所指示温度405可超过第一阈值Tth,1(例如，基于存储器装置110-c的加热或操作)。在一些实例中，第一阈值Tth,1可为存储器装置110-c的下限操作阈值。所指示温度405可在t2处由系统100-c的一或多个组件确定，且因为所指示温度405处于或高于或以其它方式满足第一阈值Tth,1，所以存储器装置110-c可变得可用于存取操作(例如，读取操作、写入操作)。尽管存储器装置110-c的所指示温度可处于或高于或以其它方式满足第一阈值Tth,1，但存储器装置110-c的加热可继续至t2(例如，当不同阈值用于停用、去激活或以其它方式控制存储器加热时)。
在t2的第一实例中，存储器装置110-c可(例如，从一或多个存储器装置温度传感器320)确定所指示温度405，且将所指示温度405与第一阈值Tth,1进行比较或以其它方式评估(例如，确定所指示温度405处于或高于或以其它方式满足第一阈值Tth,1)。基于t2的比较或评估，存储器装置110-c可转变到活动或启用状态(例如，停止对存取操作的限制)，其可伴有存储器装置110-c用信号发送(例如，到主机装置305，经由模式信令395)存储器装置110-c可用于存取操作(例如，经由“准备好操作”信号)。
在t2的第二实例中，主机装置305可确定或以其它方式接收与所指示温度405相关联的信令(例如，从一或多个主机装置温度传感器330或耦合组件温度传感器340，经由指示存储器装置110-c的温度的温度信令385)，且将所指示温度405与第一阈值Tth,1进行比较或以其它方式评估(例如，确定所指示温度405处于或高于或以其它方式满足第一阈值Tth,1)。在其它实例中，主机装置305可另外识别或确定存储器装置110-c的温度处于或高于或以其它方式满足第一阈值Tth,1(例如，经由指示存储器装置110-c的温度处于或高于或以其它方式满足阈值的初始化信令390或模式信令395)。基于t2的比较或其它识别或确定(例如，基于存储器装置可用的指示，基于接收到“准备好操作”信号)，主机装置305可继续发布或发射命令(例如，经由数据信令380)以存取存储器装置。
在t3处，所指示温度405可超过第二阈值Tth,2(例如，基于存储器装置110-c的加热或操作)。在一些实例中，第二阈值Tth,2可为存储器装置110-c的阈值，其不同于存储器装置110-c的操作温度范围的下限阈值(例如，不同于Tth,1，大于Tth,1)。在一些实例中，第二阈值Tth,2可为10℃，但其它实例可包含处于不同温度(例如，比10℃更高或更低的温度)下的第二阈值。
在一些实例中，第二阈值Tth,2可经配置、设置或选择以减小经启用及停用的存储器加热的速率或工作循环(例如，当第二阈值Tth,2不同于第一阈值Tth,1时)。因此，不同的第一阈值Tth,1及第二阈值Tth,2或第一阈值Tth,1与第二阈值Tth,2之间的带可被称作与加热存储器装置110-c相关联的温度滞后范围或滞后带。尽管第二阈值Tth,2描述为不同于第一阈值Tth,1，但在一些实例中，第二阈值Tth,2可与第一阈值Tth,1相同(例如，当系统100-c经配置有用于存储器加热的单个阈值时)，且激活、去激活或以其它方式控制存储器装置110-c的加热可基于所指示温度405与单个阈值之间的关系(例如，所指示温度405是高于所述阈值还是低于所述阈值)。
所指示温度405可在t3处由系统100-c的一或多个组件确定，且因为所指示温度405处于或高于或以其它方式满足第二阈值Tth,2，所以系统100-c可根据各种技术停用、去激活或以其它方式调整存储器装置110-c的加热。因此，在t3处的操作中的一或多者之后，所指示温度405可下降(例如，当环境温度TA低于所指示温度405时，当从冷却损失的热大于从操作存储器装置110-c产生的热时)，其在所指示温度405超过第二阈值Tth,2的t3之后可或可不跟随过冲(例如，归因于跨越组件的热扩散，归因于施加热与温度传感器处的温度上升之间的延迟，归因于信令延迟或处理延迟)。存储器装置110-c可保持可用于存取操作(例如，读取操作、写入操作)至t3。
在t3的第一实例中，存储器装置110-c可(例如，从一或多个存储器装置温度传感器320)确定所指示温度405，且将所指示温度405与第二阈值Tth,2进行比较或以其它方式评估(例如，确定所指示温度405处于或高于或以其它方式满足第二阈值Tth,2)。基于所述比较或评估，存储器装置110-c可去激活、停用或以其它方式调整经配置以加热存储器装置110-c的电路或其它组件(例如，去激活一或多个存储器装置存储器加热器350，发送去激活一或多个主机装置存储器加热器360或一或多个耦合组件存储器加热器370的命令)。在一些实例中，基于t3的操作中的一或多者，存储器装置110-c可(例如，向主机装置305)指示存储器装置110-c未被加热。在一些实例中，可经由初始化信令390、模式信令395或例如EDC或JTAG信号或数据线的某一其它信令输送这些指示。
在t3的第二实例中，主机装置305可确定或以其它方式接收与所指示温度405相关联的信令(例如，从一或多个主机装置温度传感器330或耦合组件温度传感器340，经由指示存储器装置110-c的温度的温度信令385)，且将所指示温度405与第二阈值Tth,2进行比较或以其它方式评估(例如，确定所指示温度405处于或高于或以其它方式满足第二阈值Tth,2)。基于t3的比较或其它识别或确定，主机装置305可去激活、停用或以其它方式调整或控制经配置以加热存储器装置110-c的电路或其它组件(例如，去激活一或多个主机装置存储器加热器360，发送去激活一或多个存储器装置存储器加热器350或一或多个耦合组件存储器加热器370的命令)。主机装置可继续发射或发布存取命令以存取存储器装置110-c至t3。
在t4处，所指示温度405可超过第三阈值Tth,3(例如，基于存储器装置110-c的冷却)。在一些实例中，第三阈值Tth,3可为存储器装置110-c的阈值，其不同于存储器装置110-c的操作温度范围的下限阈值(例如，不同于Tth,1，大于Tth,1)，或不同于与停用或去激活存储器装置110-c的加热相关联的阈值(例如，不同于Tth,2，小于Tth,2)。在一些实例中，第三阈值Tth,3可为5℃，但其它实例可包含处于不同温度(例如，比5℃更高或更低的温度)下的第三阈值。尽管第三阈值Tth,3描述为不同于第一阈值Tth,1及第二阈值Tth,2，但在一些实例中，第三阈值Tth,3可与第一阈值Tth,1、第二阈值Tth,2或这两者相同(例如，当系统100-c经配置有用于存储器加热的单个阈值时)，且激活、去激活或以其它方式控制存储器装置110-c的加热可基于所指示温度405与单个阈值之间的关系(例如，所指示温度405是高于所述阈值还是低于所述阈值)。
所指示温度405可在t4处由系统100-c的一或多个组件确定，且因为所指示温度405处于或低于或以其它方式满足第三阈值Tth,3，所以系统100-c可根据各种技术再次起始存储器装置110-c的加热。因此，在t4处的操作中的一或多者之后，所指示温度405可上升。存储器装置110-c可保持可用于存取操作(例如，读取操作、写入操作)至t4。
在t4的第一实例中，存储器装置110-c可(例如，从一或多个存储器装置温度传感器320)确定所指示温度405，且将所指示温度405与第三阈值Tth,3进行比较或以其它方式评估(例如，确定所指示温度405处于或低于或以其它方式满足第三阈值Tth,3)。基于所述比较或评估，存储器装置110-c可激活、启用或以其它方式控制经配置以加热存储器装置110-c的电路或其它组件(例如，激活一或多个存储器装置存储器加热器350，发送激活一或多个主机装置存储器加热器360或一或多个耦合组件存储器加热器370的命令)。在一些实例中，基于t4的操作中的一或多者，存储器装置110-c可(例如，向主机装置305)指示存储器装置110-c正被加热。在一些实例中，可经由初始化信令390、模式信令395或例如EDC或JTAG信号或数据线的某一其它信令输送这些指示。
在t4的第二实例中，主机装置305可确定或以其它方式接收与所指示温度405相关联的信令(例如，从一或多个主机装置温度传感器330或耦合组件温度传感器340，经由指示存储器装置110-c的温度的温度信令385)，且将所指示温度405与第三阈值Tth,3进行比较或以其它方式评估(例如，确定所指示温度405处于或低于或以其它方式满足第一阈值Tth,3)。在其它实例中，主机装置305可另外识别或确定存储器装置110-c的温度处于或低于或以其它方式满足第三阈值Tth,3(例如，经由指示存储器装置110-c的温度处于或低于或以其它方式满足阈值的初始化信令390或模式信令395)。基于t4的比较或其它识别或确定，主机装置305可激活、启用或以其它方式控制经配置以加热存储器装置110-c的电路或其它组件(例如，激活一或多个主机装置存储器加热器360，发送激活一或多个存储器装置存储器加热器350或一或多个耦合组件存储器加热器370的命令)。主机装置可继续发射或发布存取命令以存取存储器装置110-c至t4。
在t5处，所指示温度405可再次超过第二阈值Tth,2(例如，基于存储器装置110-c的加热或操作)。所指示温度405可在t5处由系统100-c的一或多个组件确定，且因为所指示温度405处于或高于或以其它方式满足第二阈值Tth,2，所以系统100-c可根据各种技术(例如，类似于参考所指示温度405在t3处超过第二阈值Tth,2而描述的技术)停用、去激活或以其它方式调整存储器装置110-c的加热。因此，在t5处的操作中的一或多者之后，所指示温度405可再次下降(例如，当环境温度TA低于所指示温度405时，当从冷却损失的热大于从操作存储器装置110-c产生的热时)，其在所指示温度405超过第二阈值Tth,2的t5之后可或可不跟随过冲(例如，归因于跨越组件的热扩散，归因于施加热与温度传感器处的温度上升之间的延迟，归因于信令延迟或处理延迟)。存储器装置110-c可保持可用于存取操作(例如，读取操作、写入操作)至t5，且系统100-c可继续进行各种操作，包含用于受控存储器加热的所描述技术。
在参考图3到5描述的技术的各种实例中，所描述的阈值(例如，第一阈值Tth,1、第二阈值Tth,2、第三阈值Tth,3、第四阈值Tth,4)中的任何一或多者可根据各种技术经配置、识别或确定。举例来说，阈值中的任何一或多者可配置在装置处(例如，作为存储器装置110-c处的静态值或水平或静态值或水平的集合，作为主机装置305处的静态值或水平或静态值或水平的集合)，其可存储在相应装置的模式寄存器、修整参数或一或多个非易失性存储元件(例如，熔丝、反熔丝)中，所述非易失性存储元件经配置以存储相应装置的一或多个配置或阈值的指示。在各种实例中，存储器装置110-c或主机装置305可通过存取这些非易失性存储元件识别配置(例如，所配置阈值)。
另外或替代地，可至少部分地基于装置的操作模式(例如，刷新模式、存取模式、读取/写入模式、空闲模式、主动模式)或不同装置的操作模式(例如，基于另一装置的操作模式的信令，例如模式信令395)在装置处确定或识别阈值中的任何一或多者。在一些实例中，可至少部分地基于装置的操作条件在装置处确定或识别阈值中的任何一或多者。举例来说，当所指示温度405经历快速波动时(例如，当环境302的环境温度TA特别低时)，第二阈值Tth,2可设置成相对较高(例如，较宽滞后带)，或第三阈值Tth,3可设置成相对较高(例如，以限制超出存储器装置110-c的操作温度范围的所指示温度405的过冲)，或这两者。
所描述的具有各种阈值的所指示温度(例如，所指示温度405或505)的比较或评估可根据各种技术由存储器装置110-c或主机装置305中的一者或两者执行，所述技术可包含在装置存储器控制器155或外部存储器控制器105处执行的操作。举例来说，当在存储器装置110-c或主机装置305处在数字域中表示所指示温度时，可在处理器或数字比较器处在数字域中执行这些比较(例如，作为二进制值的比较，作为整数值的比较，作为浮点值的比较)。当在存储器装置110-c或主机装置305处在模拟域中表示所指示温度(例如，作为热电偶的电压，作为跨越RTD的电压或电流)时，可在处理器、比较器、晶体管(例如，在栅极与源极或漏极节点之间)或其它电路处在模拟域中执行这些比较(例如，作为电压与指示阈值的参考电压的比较，作为电流与指示阈值的参考电流的比较)。
此外，尽管参考图3到5描述的操作描述为包含激活及去激活经配置以加热存储器装置110-c的电路，但可应用更复杂的控制形式。举例来说，可通过各种控制技术控制、调整或以其它方式调制加热程度(例如，热通量的量)，所述控制技术例如比例积分微分(proportional-integral-derivative，PID)控制、脉宽调制(PWM)及其它技术。在一些实例中，温度阈值或水平可应用于这些控制技术，如目标温度、最后频带、增益调度及其它技术。
图5说明根据本文中所公开的方面的与存储器装置110的受控且模式相关的加热相关联的温度曲线500的实例。温度曲线500可说明当在参考图3所描述的系统100-c中执行模式相关的加热时存储器装置110-c的所指示温度505的实例。在各种实例中，所指示温度505可说明在存储器装置110-c处指示的温度(例如，T1，如由一或多个存储器装置温度传感器320指示)、在主机装置305处指示的温度(例如，T2，如由一或多个主机装置温度传感器330指示)、在耦合组件310处指示的温度(例如，T3，如由一或多个耦合组件温度传感器340指示)，或其某一组合。在一些实例中，所指示温度505可说明一组温度传感器的平均所指示温度、一组温度传感器的最小所指示温度、一组传感器的最大所指示温度，或应用于一组温度传感器的某一其它组合或操作。
在t0处，存储器装置110-c可在存储器装置110-c的第一模式中操作。在各种实例中，第一模式可为刷新模式、自刷新模式、待用模式、存储器装置空闲模式、主机装置空闲模式或另一模式，其中数据并不在存储器装置110-c与系统中的另一组件之间交换(例如，不与主机装置305交换数据)。因此，在t0处，存储器装置110-c可在与刷新存储器装置110-c的一或多个存储器单元205相关联的模式中操作(例如，至少部分地基于存储器装置110-c在存储器装置110-c的第一模式中操作)。
在一些实例中，存储器装置110-c的电源可(例如，由存储器装置110-c，由主机装置305，经由模式信令395)确定，且在第一模式中操作存储器装置110-c(例如，存储器装置110-c的操作、主机装置305的命令)可至少部分地基于所确定的电源。举例来说，在车辆应用中，在第一模式中操作可基于存储器装置110-c以电池电力而不是交流发电机或发电机操作的确定(例如，通过主机装置305，通过存储器装置110-c)。在一些实例中，存储器装置110-c可接收电力，但存储器装置110-c可能不可用于读取操作或写入操作(例如，归因于与存储器装置110-c的第一模式相关联的限制或其它操作条件)。
在一些实例中，在存储器装置110-c的第一模式中操作可基于所指示温度505与阈值(例如，第三阈值，Tth,3)的比较，其可为由存储器装置110-c或主机装置305中的任一者或两者执行的比较或评估。换句话说，存储器装置110-c的第一模式可基于所指示温度505处于或低于第三阈值Tth,3而触发，或与存储器装置110-c的第一模式相关联的各种操作可至少部分地基于所指示温度505处于或低于第三阈值Tth,3。因此，第一模式可为存储器装置110-c的低温刷新模式或低温自刷新模式。
在t0的第一实例中，存储器装置110-c可(例如，从一或多个存储器装置温度传感器320)确定所指示温度505，且将所指示温度505与第三阈值Tth,3进行比较或以其它方式评估(例如，确定所指示温度505处于或低于或以其它方式满足第三阈值Tth,3)。至少部分地基于所述比较或评估，存储器装置110-c可操作或确定在存储器装置110-c的第一模式中操作。在一些实例中，存储器装置110-c可(例如，向主机装置305)指示存储器装置110-c在第一模式中操作时的存取操作的限制(例如，存储器装置110-c不可用于读取或写入命令，针对存储器装置110-c停用读取或写入操作)。在一些实例中，这些指示可经由模式信令395或例如EDC或JTAG信号或数据线的某一其它信令输送。
在t0的第二实例中，主机装置305可确定或以其它方式接收与所指示温度505相关联的信令(例如，从一或多个主机装置温度传感器330或耦合组件温度传感器340，经由指示存储器装置110-c的温度的温度信令385)，且将所指示温度405与第三阈值Tth,3进行比较或以其它方式评估(例如，确定所指示温度505处于或低于或以其它方式满足第三阈值Tth,3)。在其它实例中，主机装置305可另外识别或确定存储器装置110-c的温度处于或低于或以其它方式满足第三阈值Tth,3(例如，经由指示存储器装置110-c的温度与存储器装置110-c的第一模式相关联的模式信令395)。
基于t0的比较或其它识别或确定(例如，由主机装置305进行的所指示温度505与第一模式相关联的确定)，主机装置305可根据第一模式操作存储器装置110-c，在一些实例中，所述第一模式可包含由主机装置305抑制存取操作(例如，读取操作、写入操作)。在一些实例中，主机装置305可另外理解存储器装置110-c在第一模式中操作(例如，经由与第一模式相关联的模式信令395)，且主机装置可基于所述理解抑制存储器装置110-c的存取操作(例如，读取操作、写入操作)。在其它实例中，主机装置305可能不具有在t0处执行或请求执行存取操作的原因，例如，其可支持主机装置305在主机装置空闲模式中的操作。在一些实例中，存储器装置110-c可基于来自主机装置305的命令(例如，经由模式信令395)在第一模式中操作，所述命令可基于t0的比较或其它识别或确定。
在t1处，可能期望转变到存储器装置110-c的第二模式。举例来说，主机装置305可具有待写入到存储器装置110-c的信息，或可希望从存储器装置110-c检索数据，或系统100-c可具有与转变到第二模式相关联的某一其它条件(例如，系统100-c的一部分的启用或激活、与系统100-c相关联的电源的改变、车辆的点火触发)。在一些实例中，存储器装置110-c的第二模式可与特定存取操作相关联，例如所读取操作或写入操作相关联的模式(例如，读取模式、写入模式、读取/写入模式、与存储器装置110-c处的信息交换相关联的模式)。在一些实例中，存储器装置110-c的第二模式可相关联于与存储器装置110-c的第一模式不同(例如，更高)的温度或温度范围(例如，高于温度t1的操作温度范围)。因此，为了支持转变到存储器装置110-c的第二模式，可在t1处激活经配置以加热存储器装置110-c的电路。
在t1的第一实例中，主机装置305可将与存储器装置110-c的第二模式相关联的信令发射到存储器装置110-c。此信令可包含切换到存储器装置110-c的第二模式的指示(例如，用于存储器装置110-c)，或存取存储器装置110-c的命令(例如，存取命令、读取命令、写入命令)。因此，存储器装置110-c可接收与第二模式相关联的信令，且作为响应，存储器装置110-c可激活、启用或以其它方式控制经配置以加热存储器装置110-c的电路或其它组件(例如，激活一或多个存储器装置存储器加热器350，发送激活一或多个主机装置存储器加热器360或一或多个耦合组件存储器加热器370的命令)。因此，在t1之后，所指示温度505可上升(例如，基于存储器装置110-c激活经配置以加热存储器装置110-c的电路或其它组件)。
在一些实例中，基于t1的操作中的一或多者(例如，基于接收到与第二模式相关联的信令)，存储器装置110-c可(例如，向主机装置305)指示存储器装置110-c正被加热，或指示存储器装置110-c的存取操作的限制(例如，存储器装置110-c不可用于读取或写入命令，针对存储器装置110-c停用读取或写入操作)。在一些实例中，可经由初始化信令390、模式信令395或例如EDC或JTAG信号或数据线的某一其它信令输送这些指示。
在一些实例中，存储器装置110-c可(例如，从一或多个存储器装置温度传感器320)确定所指示温度505，且将所指示温度405与第二阈值Tth,2进行比较或以其它方式评估(例如，确定所指示温度505处于或低于或以其它方式满足第二阈值Tth,2)。在一些实例中，可至少部分地基于所述比较或评估来激活、启用或控制经配置以加热存储器装置110-c的电路或其它组件。尽管第二阈值Tth,2及第三阈值Tth,3说明为具有不同值，但在一些实例中，第二阈值Tth,2及第三阈值Tth,3可具有相同值(例如，用于在第一模式中操作的相同阈值，且用于在接收到与第二模式相关联的信令时激活存储器加热)。
在t1的第二实例中，主机装置305可确定或以其它方式接收与所指示温度505相关联的信令(例如，从一或多个主机装置温度传感器330或耦合组件温度传感器340，经由指示存储器装置110-c的温度的温度信令385)，且将所指示温度505与第二阈值Tth,2进行比较或以其它方式评估(例如，确定所指示温度505处于或低于或以其它方式满足第二阈值Tth,2)。在其它实例中，主机装置305可另外识别或确定存储器装置110-c处于第一模式(例如，经由模式信令395)，且因此，存储器装置110-c处于与第一模式相关联的温度(例如，低于与第二模式相关联的温度或温度范围的温度)。
基于t1的比较或其它识别或确定，主机装置305可激活、启用或以其它方式控制经配置以加热存储器装置110-c的电路或其它组件(例如，激活一或多个主机装置存储器加热器360，发送激活一或多个存储器装置存储器加热器350或一或多个耦合组件存储器加热器370的命令)。在系统100-c包含多个存储器装置110的实例中，主机装置可激活经配置以加热所有存储器装置110的电路，或激活经配置以加热存储器装置110的子集的电路，其中基于操作条件、存储器装置110的类型、待与存储器装置110交换的数据的类型、存取操作的类型及其它考虑因素而选择此子集。因此，在t1之后，所指示温度505可上升(例如，基于主机装置305激活经配置以加热存储器装置110-c的电路或其它组件)。
在t2处，所指示温度505可超过第一阈值Tth,1(例如，基于存储器装置110-c的加热或操作)。在一些实例中，第一阈值Tth 1可为与存储器装置110-c的第二模式相关联的下限阈值温度，或存储器装置110-c的操作范围的下限温度。所指示温度505可在t2处由系统100-c的一或多个组件确定，且因为所指示温度505处于或高于或以其它方式满足第一阈值Tth,1，所以存储器装置110-c的操作可转变到第二模式。换句话说，存储器装置110-c可至少部分地基于激活经配置以加热存储器装置的电路或其它组件而在第二模式中操作。
在一些实例中，在t2处(例如，基于到第二模式的转变)，存储器装置110-c可变得可用于存取操作(例如，读取操作、写入操作)。因此，在t2处，存储器装置110-c可在与存取存储器装置110-c的一或多个存储器单元205相关联的模式中操作(例如，至少部分地基于存储器装置110-c在存储器装置110-c的第一模式中操作)。在一些实例中，基于t2的操作，存储器装置110-c可与主机装置交换信息(例如，经由数据信令380)，且存取可至少部分地基于与主机装置交换的信息。在一些实例中，与在第一模式中操作存储器装置110-c相比，在第二模式中操作存储器装置110-c可与较高功率消耗相关联(例如，其中例如读取操作及写入操作的存取操作与比刷新或自刷新操作更高的功率相关联)。尽管存储器装置110-c的所指示温度可处于或高于或以其它方式满足第一阈值Tth,1，但存储器装置110-c的加热可继续至t2(例如，当不同阈值用于停用、去激活或以其它方式控制存储器加热时)。
在t2的第一实例中，存储器装置110-c可(例如，从一或多个存储器装置温度传感器320)确定所指示温度505，且将所指示温度405与第一阈值Tth,1进行比较或以其它方式评估(例如，确定所指示温度505处于或高于或以其它方式满足第一阈值Tth,1)。基于t2的比较或评估，存储器装置110-c可转变到在第二模式中操作(例如，停止存取操作的限制，从刷新模式转变到存取模式)，其可伴有存储器装置110-c用信号发送(例如，到主机装置305，经由模式信令395或例如EDC或JTAG信号或数据线的某一其它信令)存储器装置110-c在第二模式中操作或存储器装置110-c可用于存取操作(例如，经由“准备好操作”信号)。
在t2的第二实例中，主机装置305可确定或以其它方式接收与所指示温度505相关联的信令(例如，从一或多个主机装置温度传感器330或耦合组件温度传感器340，经由指示存储器装置110-c的温度的温度信令385)，且将所指示温度505与第一阈值Tth,1进行比较或以其它方式评估(例如，确定所指示温度505处于或高于或以其它方式满足第一阈值Tth,1)。在其它实例中，主机装置305可另外识别或确定存储器装置110-c的温度处于或高于或以其它方式满足第一阈值Tth,1(例如，经由指示存储器装置110-c的温度处于或高于或以其它方式满足阈值的模式信令395)。基于t2的比较或其它识别或确定(例如，基于存储器装置可用于存取操作的指示，基于接收到“准备好操作”信号)，主机装置305可转变到在存储器装置110-c的第二模式中操作存储器装置110-c，其可包含行进发布或发射命令(例如，经由数据信令380)以存取存储器装置110-c，或以其它方式执行与处于第二模式的存储器装置110-c相关联的存取操作。
在t3处，所指示温度505可超过第四阈值Tth,4(例如，基于存储器装置110-c的加热或操作)。在一些实例中，第四阈值Tth,4可为存储器装置110-c的阈值，且不同于存储器装置110-c的操作温度范围的下限阈值，不同于与激活存储器装置110-c的加热相关联的阈值(例如，不同于Tth,2，大于Tth,2)，或不同于与转变到第二模式相关联的阈值(例如，不同于Tth,1，大于Tth,1)。在一些实例中，第二阈值Tth,2可为10℃，但其它实例可包含处于不同温度(例如，比10℃更高或更低的温度)下的第二阈值。
在一些实例中，第四阈值Tth,4可经配置、设置或选择以减小经启用及停用的存储器加热的速率或工作循环(例如，当第四阈值Tth,4不同于第二阈值Tth,2时)。因此，不同的第四阈值Tth,4及第二阈值Tth,2或第四阈值Tth,4与第二阈值Tth,2之间的带可被称作与加热存储器装置110-c相关联的温度滞后范围或滞后带。尽管第四阈值Tth,4描述为不同于第二阈值Tth,2，但在一些实例中，第四阈值Tth,4可与第二阈值Tth,2相同(例如，当系统100-c经配置有用于存储器加热的单个阈值时)，且激活、去激活或以其它方式控制存储器装置110-c的加热可基于所指示温度505与单个阈值之间的关系(例如，所指示温度505是高于所述阈值还是低于所述阈值)。另外，尽管第四阈值Tth,4描述为不同于第一阈值Tth,1，但在一些实例中，第四阈值Tth,4可与第一阈值Tth,1相同(例如，当系统100-c经配置有针对存储器加热及模式切换共享的阈值时)，且激活、去激活或以其它方式控制存储器装置110-c的加热可基于存储器装置110-c是在第一模式还是第二模式中操作，或是否已完成从第一模式转变到第二模式。
所指示温度505可在t3处由系统100-c的一或多个组件确定，且因为所指示温度405处于或高于或以其它方式满足第四阈值Tth,4，所以系统100-c可根据各种技术停用、去激活或以其它方式调整存储器装置110-c的加热。因此，在t3处的操作中的一或多者之后，所指示温度505可下降(例如，当环境温度TA低于所指示温度505时，当从冷却损失的热大于从操作存储器装置110-c产生的热时)，其在所指示温度505超过第四阈值Tth,4的t3之后可或可不跟随过冲(例如，归因于跨越组件的热扩散，归因于施加热与温度传感器处的温度上升之间的延迟，归因于信令延迟或处理延迟)。存储器装置110-c可保持可用于存取操作(例如，读取操作、写入操作)至t3。
在t3的第一实例中，存储器装置110-c可(例如，从一或多个存储器装置温度传感器320)确定所指示温度505，且将所指示温度505与第四阈值Tth,4进行比较或以其它方式评估(例如，确定所指示温度505处于或高于或以其它方式满足第四阈值Tth,4)。基于所述比较或评估，存储器装置110-c可去激活、停用或以其它方式调整经配置以加热存储器装置110-c的电路或其它组件(例如，去激活一或多个存储器装置存储器加热器350，发送去激活一或多个主机装置存储器加热器360或一或多个耦合组件存储器加热器370的命令)。在一些实例中，基于t3的操作中的一或多者，存储器装置110-c可(例如，向主机装置305)指示存储器装置110-c未被加热。在一些实例中，可经由初始化信令390、模式信令395或例如EDC或JTAG信号或数据线的某一其它信令输送这些指示。
在t3的第二实例中，主机装置305可确定或以其它方式接收与所指示温度505相关联的信令(例如，从一或多个主机装置温度传感器330或耦合组件温度传感器340，经由指示存储器装置110-c的温度的温度信令385)，且将所指示温度505与第四阈值Tth,4进行比较或以其它方式评估(例如，确定所指示温度505处于或高于或以其它方式满足第四阈值Tth,4)。基于t3的比较或其它识别或确定，主机装置305可去激活、停用或以其它方式调整或控制经配置以加热存储器装置110-c的电路或其它组件(例如，去激活一或多个主机装置存储器加热器360，发送去激活一或多个存储器装置存储器加热器350或一或多个耦合组件存储器加热器370的命令)。主机装置可继续发射或发布存取命令以存取存储器装置110-c至t3。
在t4处，操作存储器装置110-c可从在存储器装置110-c的第二模式中操作转变，其可包含转变到存储器装置110-c的第一模式，存储器装置110-c的第一模式的修改，或不同于第二模式的存储器装置110-c的某一其它模式。在一些实例中，从第二模式转变可基于与主机装置305和存储器装置110-c之间的数据交换相关联的存取操作的缺乏(例如，数据信令380的缺乏或缺少)。在一些实例中，t4的转变可与到刷新模式、自刷新模式、待用模式、存储器装置空闲模式或主机装置空闲模式的转变相关联，所述模式可为与t0处相同的模式或不同的模式。
在t4的第一实例中，存储器装置110-c可识别待与主机装置305交换的数据的缺乏(例如，数据信令395的缺乏)、运用主机装置305的存取操作的完成，或改变存储器装置110-c的模式的某一其它确定。在一些实例中，作为改变存储器装置110-c的模式的确定的部分，存储器装置110-c可将所指示温度505与阈值进行比较或以其它方式评估。因此，根据各种实例，可在存储器装置110-c处执行在t4处改变模式的确定。
在一些实例中，转变可至少部分地基于所指示温度505与第三阈值Tth,3的比较。根据所指示温度505-a，举例来说，转变到在存储器装置110-c的第一模式中操作可直接发生在确定运用主机装置305完成存取操作之后，这是因为所指示温度505-a处于或低于第三阈值Tth,3(例如，当第一模式或第三阈值Tth,3与低温刷新或自刷新模式相关联时)。根据所指示温度505-b，举例来说，转变到在存储器装置110-c的第一模式中操作可直接发生在确定运用主机装置305完成存取操作之后，即使在所指示温度505-b高于第三阈值Tth,3时(例如，当第一模式为与低温操作无关联的刷新模式或自刷新模式时，或当所指示温度505-b的温度降低到仍与低温刷新或自刷新模式相关联的范围内时，或当第一模式通常指代刷新或自刷新模式时)。
在另一实例中，转变到在存储器装置110-c的第一模式中操作可能不直接发生在确定主机装置305完成存取操作之后，而是可发生在降低到或低于第三阈值Tth,3之后，其在所指示温度505降低到或低于第三阈值Tth,3之前可包含中间模式。在一些实例中，可在所指示温度505与阈值的比较或其它评估之后通过存储器装置110-c作出主机装置305是否正执行存取操作的确定。在一些实例中，存储器装置110-c可确定从存取操作以来的流逝时间，且从在存储器装置110-c的第二模式中操作切换到在存储器装置110-c的第一模式中操作可至少部分地基于流逝时间，所述时间可或可不基于所指示温度505。
在t4的第二实例中，主机装置305可识别待与存储器装置110-c交换的数据的缺乏、运用存储器装置110-c的存取操作的完成，或改变存储器装置110-c的模式的某一其它确定。在一些实例中，作为根据存储器装置110-c的模式改变操作的确定的部分，主机装置305可将所指示温度505与阈值进行比较或以其它方式评估。因此，根据各种实例，可在主机装置305处执行在t4处改变模式的确定。
在一些实例中，主机装置305可将从存储器装置110-c的第二模式切换的指示发射到存储器装置110-c(例如，经由模式信令395)。在一些实例中，指示可为存储器装置110-c转变到第一模式的显式指示。在一些实例中，指示可为存储器装置110-c另外与第一模式相关联的指示，存储器装置110-c可使用所述指示来确定是否转变到第一模式(例如，结合由存储器装置110-c对所指示温度505与阈值的评估，例如是按照所指示温度505-a还是505-b)。
在一个实例中，存储器装置110-c可基于来自主机装置305的与进入第一模式或退出第二模式相关联的信令及所指示温度505与第三阈值Tth,3的比较而确定转变到第一模式。根据所指示温度505-a，转变到在存储器装置110-c的第一模式中操作可直接发生在从主机装置305接收到指示之后，这是因为所指示温度505-a处于或低于第三阈值Tth,3(例如，当第一模式或第三阈值Tth,3与低温刷新或自刷新模式相关联时)。根据所指示温度505-b，转变到在存储器装置110-c的第一模式中操作可直接发生在从主机装置305接收到指示之后，即使在所指示温度505-b高于第三阈值Tth,3时(例如，当第一模式为与低温操作无关联的刷新模式或自刷新模式时，或当所指示温度505-b的温度降低到仍与低温刷新或自刷新模式相关联的范围内时，或当第一模式通常指代刷新或自刷新模式时)。在另一实例中，转变到在存储器装置110-c的第一模式中操作可能不直接发生在从主机装置305接收到指示之后，而是可发生在降低到或低于第三阈值Tth,3之后，其在所指示温度505降低到或低于第三阈值Tth,3之前可包含中间模式。
根据本文中所描述的各种技术，运用存储器装置110-c的操作可根据存储器装置110-c的第一模式、存储器装置110-c的第二模式或存储器装置110-c的其它模式而继续。在各种条件下(例如，根据不同模式)，存储器装置110-c在给定时间处可或可能不可用于运用主机装置305的各种存取操作，但系统100-c可包含激活经配置以加热存储器装置110-c以支持各种操作模式的电路或其它组件。因此，参考图5所描述的存储器装置110-c的模式相关加热可说明将存储器温度与存取类型对准的实例。
在参考图3到5描述的技术的各种实例中，所描述的阈值(例如，第一阈值Tth,1、第二阈值Tth,2、第三阈值Tth,3、第四阈值Tth,4)中的任何一或多者可根据各种技术经配置、识别或确定。举例来说，阈值中的任何一或多者可配置在装置处(例如，作为存储器装置110-c处的静态值或水平或静态值或水平的集合，作为主机装置305处的静态值或水平或静态值或水平的集合)，其可存储在相应装置的模式寄存器、修整参数或一或多个非易失性存储元件(例如，熔丝、反熔丝)中，所述非易失性存储元件经配置以存储相应装置的一或多个配置或阈值的指示。在各种实例中，存储器装置110-c或主机装置305可通过存取这些非易失性存储元件识别配置(例如，所配置阈值)。
另外或替代地，可至少部分地基于装置的操作模式(例如，刷新模式、存取模式、读取/写入模式、空闲模式、主动模式)或不同装置的操作模式(例如，基于另一装置的操作模式的信令，例如模式信令395)在装置处确定或识别阈值中的任何一或多者。在一些实例中，可至少部分地基于装置的操作条件在装置处确定或识别阈值中的任何一或多者。举例来说，当所指示温度405经历快速波动时(例如，当环境302的环境温度TA特别低时)，第二阈值Tth,2可设置成相对较高(例如，较宽滞后带)，或第三阈值Tth,3可设置成相对较高(例如，以限制超出存储器装置110-c的操作温度范围的所指示温度405的过冲)，或这两者。
所描述的具有各种阈值的所指示温度(例如，所指示温度405或505)的比较或评估可根据各种技术由存储器装置110-c或主机装置305中的一者或两者执行，所述技术可包含在装置存储器控制器155、本地存储器控制器165或外部存储器控制器105处执行的操作。举例来说，当在存储器装置110-c或主机装置305处在数字域中表示所指示温度时，可在处理器或数字比较器处在数字域中执行这些比较(例如，作为二进制值的比较，作为整数值的比较，作为浮点值的比较)。当在存储器装置110-c或主机装置305处在模拟域中表示所指示温度(例如，作为热电偶的电压，作为跨越RTD的电压或电流)时，可在处理器、比较器、晶体管(例如，在栅极与源极或漏极节点之间)或其它电路处在模拟域中执行这些比较(例如，作为电压与指示阈值的参考电压的比较，作为电流与指示阈值的参考电流的比较)。
此外，尽管参考图3到5描述的操作描述为包含激活及去激活经配置以加热存储器装置110-c的电路，但可应用更复杂的控制形式。举例来说，可通过各种控制技术控制、调整或以其它方式调制加热程度(例如，热通量的量)，所述控制技术例如比例积分微分(PID)控制、脉宽调制(PWM)及其它技术。在一些实例中，温度阈值或水平可应用于这些控制技术，如目标温度、最后频带、增益调度及其它技术。
图6A说明根据本文中所公开的方面的支持存储器装置110的受控且模式相关的加热的存储器加热器605-a的实例600-a。在系统100的各种实例中，存储器加热器605-a可说明存储器装置存储器加热器350、主机装置存储器加热器360或耦合组件存储器加热器370中的任一者。
存储器加热器605-a可包含加热电阻器610(例如，可经配置以加热存储器装置110的电阻组件)，其可表示呈现电阻的任何组件或电路，且因此可将电能转换成热能(例如，热)。在各种实例中，加热电阻器610可为用于提供加热的专用组件，或可为集成到相关组件(例如，存储器装置110、外部存储器控制器105或耦合组件310)中的另外可控制电路。在存储器加热器605-a为存储器装置110的部分的实例中，加热电阻器610可为存储器裸片160的组件，其可包含本地存储器控制器165、存储器阵列170或某一其它组件的组件(例如，集成到存储器裸片160中，与存储器裸片160耦合)。存储器加热器605-a还可包含开关组件615，其可为经配置以选择性地激活或去激活存储器加热器605-a(例如，基于输入信号SW1)的组件。开关组件615可为n型或p型晶体管，且输入信号SW1可施加到晶体管的栅极。在各种实例中，输入信号SW1可为由存储器控制器产生的逻辑值(例如，数字信号)，或可为从温度传感器提供的模拟信号(例如，提供从温度传感器直接的电压，或来自温度传感器的原本已放大或转换的电压或其它信号)。
在一些实例中，存储器加热器605-a可与第一电压源620-a及第二电压源620-b耦合或耦合于第一电压源620-a与第二电压源620-b之间。在一些实例中，第一电压源620-a可表示接地电压源或底盘接地电压源，且第二电压源620-b可表示某一其它电压(例如，相对较高电压电源或轨)。更一般来说，第一电压源620-a的电压V0可以是不同于第二电压源620-b的电压V1的任何电压。激活开关组件615可准许电流流经第一电压源620-a与第二电压源620-b之间的加热电阻器610。因此，激活开关组件可实现由存储器加热器605-a产热(例如，经由加热电阻器610的欧姆加热)。去激活开关组件615可防止电流流经第一电压源620-a与第二电压源620-b之间的加热电阻器610。因此，去激活开关组件可禁止存储器加热器605-a的产热。
图6B说明根据本文中所公开的方面的支持存储器装置110的受控且模式相关的加热的存储器加热器605-b的实例600-b。在系统100的各种实例中，存储器加热器605-b可说明存储器装置存储器加热器350、主机装置存储器加热器360或耦合组件存储器加热器370中的任一者。
存储器加热器605-b可包含一或多个驱动器级630(例如，驱动器组件)，其可与电容负载(例如，电容器635、振荡器、谐振器)耦合。在一些实例中，驱动器级630的输出端可与电容器635的第一端子或板耦合，且电压源620-c(例如，接地或底盘接地电压源)可与电容器635的第二端子或板耦合。驱动器级630的输入端可与AND门640耦合。在各种实例中，存储器加热器605-b可包含单个驱动器级630，或任何数目个驱动器级630(例如，在存储器加热器605-b的实例中以串联布置说明)。
AND门640可表示经配置以在多个输入信号中的每一者为相对较高状态或电压或另外启用状态或电压时提供输出信号(例如，可施加到一或多个驱动器组件的输出信号)的电路。在存储器加热器605-b的实例中，到AND门640的输入可包含时钟信号650及加热器开/关(Heater On/Off)信号660。时钟信号650可表示任何时钟信号，其可为包含存储器加热器605-b的相同组件的源极，或不同组件的源极(例如，如由时钟信道188所输送)。因此，AND门640可接收在相对高值与相对低值之间振荡的振荡信号作为一个输入。AND门640还可接收在存储器加热器605-b经激活或另外经配置以用于产生热量时启用(例如，相对高状态或电压)或在存储器加热器605经去激活或另外不经配置以用于产生热量时停用(例如，相对低状态或电压)的信号作为另一输入。
当启用加热器开/关信号时，AND门640可将振荡信号输出到一或多个驱动器级630，其可支持流入和流出驱动器级630和电容器635的电流。因此，可通过在驱动器级630内、在电容器635内或沿导体或这些组件、AND门640与电压源620之间的其它信号路径的欧姆加热产生热量。当停用加热器开/关信号时，AND门640可不输出任何信号，由此停用存储器加热器605-b的加热。在各种实例中，加热器开/关信号660可为由存储器控制器产生的逻辑值(例如，数字信号)，或可为从温度传感器提供的模拟信号(例如，直接从温度传感器提供或以其它方式放大或转换的电压)。
图7展示根据本文中所公开的方面的支持存储器装置的受控且模式相关的加热的装置705的框图700。根据所描述技术的各种实例，装置705可为如参考图1到6所描述的系统100、外部存储器控制器105、外部存储器控制器105、存储器装置110或装置存储器控制器155的方面的实例。装置705可包含温度组件710、比较组件715、加热控制组件720、信令组件725、加热组件730、操作控制组件735和数据交换组件740。这些模块中的每一个可直接或间接地彼此通信(例如，经由一或多个总线)。
温度组件710可确定存储器装置的温度。在一些实例中，温度组件710可在激活经配置以加热存储器装置的电路之后确定存储器装置的第二温度。在一些实例中，温度组件710可在去激活经配置以加热存储器装置的电路之后确定存储器装置的第三温度。
比较组件715可将存储器装置的温度与阈值进行比较。在一些实例中，比较组件715可确定存储器装置的第二温度满足第二阈值。在一些情况下，第二阈值高于所述阈值。在一些实例中，比较组件715可将存储器装置的第三温度与高于所述阈值且低于第二阈值的第三阈值进行比较。
在一些实例中，比较组件715可将存储器装置的温度与第三阈值进行比较，且在第一模式中操作存储器装置可基于与第三阈值的比较。在一些实例中，比较组件715可在激活经配置以加热存储器装置的电路之后确定存储器装置的温度满足阈值，且在第二模式中操作存储器装置可基于存储器装置的温度满足所述阈值的确定。在一些实例中，比较组件715可将存储器装置的温度与小于所述阈值的第二阈值进行比较，且激活经配置以加热存储器装置的电路可基于与第二阈值的比较。在一些实例中，比较组件715可确定存储器装置的温度满足第四阈值。
加热控制组件720可基于温度与阈值的比较而激活经配置以加热存储器装置的电路或其它组件。在一些实例中，加热控制组件720可基于接收到与第二模式相关联的信令而激活经配置以加热存储器装置的电路或其它组件。在一些实例中，加热控制组件720可基于第二温度满足第二阈值的确定而去激活经配置以加热存储器装置的电路或其它组件。在一些实例中，加热控制组件720可至少部分地基于比较第三温度与第三阈值而激活经配置以加热存储器装置的电路或其它组件。在一些实例中，加热控制组件720可基于存储器装置的温度满足第四阈值的确定而去激活经配置以加热存储器装置的电路或其它组件。
信令组件725可(例如，从主机装置)接收与存储器装置的第二模式相关联的信令。在一些情况下，与第二模式相关联的信令包含切换到第二模式的指示。在一些情况下，与第二模式相关联的信令包含存取存储器装置的命令。在一些实例中，信令组件725可发射存储器装置在第二模式中操作的指示(例如，到主机装置)。在一些情况下，存储器装置在第二模式中操作的指示包含存储器装置可用于读取操作、写入操作或其组合的指示。
在一些实例中，信令组件725可基于温度与阈值的比较而发射存储器装置的存取操作受限的指示(例如，到主机装置)。在一些实例中，信令组件725可指示针对存储器装置停用读取操作或写入操作中的至少一者。在一些实例中，信令组件725可初始化存储器装置，且发射存储器装置的存取操作受限的指示可基于初始化。在一些实例中，信令组件725可确定存储器装置的电源，且在第一模式中操作存储器装置可基于存储器装置的电源。在一些实例中，信令组件725可(例如，从主机装置)接收切换到第一模式的指示。
加热组件730可耦合电压源与存储器装置中的一或多个电阻组件，所述电阻组件经配置以加热存储器装置，且激活经配置以加热存储器装置的电路或其它组件可基于所述耦合。在一些实例中，加热组件730可将信号施加到存储器装置的一或多个驱动器组件，且激活经配置以加热存储器装置的电路或其它组件可基于所述施加。
操作控制组件735可在存储器装置的第一模式中操作存储器装置。在一些实例中，操作控制组件735可基于在第一模式中操作存储器装置而刷新存储器装置的存储器单元。在一些实例中，在第一模式中操作存储器装置与第一功率消耗相关联。
在一些实例中，操作控制组件735可基于激活经配置以加热存储器装置的电路或其它组件而在第二模式中操作存储器装置。在一些实例中，操作控制组件735可基于在第二模式中操作存储器装置而存取存储器装置的存储器单元。在一些实例中，在第二模式中操作存储器装置与大于第一功率消耗的第二功率消耗相关联。
在一些实例中，操作控制组件735可基于切换到第一模式的指示而从在第二模式中操作存储器装置切换到在第一模式中操作存储器装置。在一些实例中，操作控制组件735可确定从存取操作以来的流逝时间，且基于流逝时间从在第二模式中操作存储器装置切换到在第一模式中操作存储器装置。
数据交换组件740可与主机装置交换信息。在一些实例中，存取存储器装置可基于与主机装置交换的信息。
图8展示根据本文中所公开的方面的支持存储器装置的受控且模式相关的加热的装置805的框图800。根据所描述技术的各种实例，装置805可为参考图1到6描述的系统100、外部存储器控制器105或外部存储器控制器105的方面的实例。装置805可包含温度组件810、温度评估组件815、存取组件820、信令组件825和初始化组件830。这些模块中的每一个可直接或间接地彼此通信(例如，经由一或多个总线)。
温度组件810可接收(例如，在主机装置处)与主机装置耦合的存储器装置的温度的指示。在一些实例中，温度组件810可接收(例如，在主机装置处)存储器装置的温度的指示，且温度可与存储器装置的第一模式相关联。在一些情况下，第一模式包含刷新模式。在一些实例中，温度组件810可接收(例如，在抑制存取存储器装置的命令之后，在主机装置处)存储器装置的第二温度的指示。
温度评估组件815可评估存储器装置相对于阈值的温度。
存取组件820可基于确定存储器装置相对于阈值的温度而抑制(例如，通过主机装置)存取存储器装置的命令。在一些实例中，存取组件820可基于接收到指示存储器装置处于第二模式的信令而执行与存储器装置处于第二模式相关联的存取操作。
在一些实例中，存取组件820可基于存储器装置的第二温度的指示而向存储器装置发布存取存储器装置的命令。在一些实例中，存取组件820可基于存储器装置可用的指示将存取存储器装置的命令发出到存储器装置。在一些实例中，存取组件820可基于初始化将提供存储器装置的温度的指示的命令发出到存储器装置。
信令组件825可(例如，从主机装置)发射与存储器装置的第二模式相关联的信令。在一些情况下，与第二模式相关联的信令可包含切换到第二模式的指示。在一些情况下，与第二模式相关联的信令可包含存取存储器装置的命令。
在一些实例中，信令组件825可接收(例如，在主机装置处)指示存储器装置处于第二模式的信令。在一些情况下，指示存储器装置处于第二模式的信令可包含存储器装置可用于存取操作的指示。在一些情况下，指示存储器装置处于第二模式的信令可包含存储器装置的第二温度的指示。在一些实例中，信令组件825可接收(例如，在抑制存取存储器装置的命令之后，在主机装置处)存储器装置可用的指示。
初始化组件830可初始化存储器装置(例如，通过主机装置)。在一些实例中，抑制存取存储器装置(例如，通过主机装置)的命令可基于初始化。
图9展示根据本文中所公开的方面的支持存储器装置的受控且模式相关的加热的方法900的流程图。方法900的操作可由如参考图1到8所描述的存储器装置110、外部存储器控制器105、系统100，或存储器装置110、外部存储器控制器105或系统100的各种组件实施。举例来说，方法900的操作可由如参考图7所描述的装置705执行。在一些实例中，存储器装置110、外部存储器控制器105或系统100可执行一组指令以控制存储器装置110、外部存储器控制器105或系统100的功能元件执行所描述功能。另外或替代地，存储器装置110、外部存储器控制器105或系统100可使用专用硬件或电路执行所描述功能的方面。
在905处，方法900可包含确定存储器装置的温度。可根据本文中所描述的技术来执行905的操作。在一些实例中，可通过如参考图7所描述的温度组件710来执行905的操作的方面。
在910处，方法900可包含将存储器装置的温度与阈值进行比较。可根据本文中所描述的技术来执行910的操作。在一些实例中，可通过如参考图7所描述的比较组件715来执行910的操作的方面。
在915处，方法900可包含基于温度与阈值的比较而激活经配置以加热存储器装置的电路。可根据本文中所描述的技术来执行915的操作。在一些实例中，可通过如参考图7所描述的加热控制组件720来执行915的操作的方面。
描述了用于执行存储器装置的受控且模式相关的加热的设备。设备可包含：用于确定存储器装置的温度的装置，用于将存储器装置的温度与阈值进行比较的装置，和用于基于温度与阈值的比较而激活经配置以加热存储器装置的电路的装置。
描述了用于执行存储器装置的受控且模式相关的加热的另一设备。设备可包含控制器或电路，所述控制器或电路经配置以确定存储器装置的温度，将存储器装置的温度与阈值进行比较，且基于温度与阈值的比较而激活经配置以加热存储器装置的电路。
在方法或设备的一些实例中，存储器装置可包含具有电容或铁电存储元件的单元。
方法或设备的一些实例可进一步包含用于以下各项的操作、特征、装置或指令：在激活经配置以加热存储器装置的电路之后确定存储器装置的第二温度；确定存储器装置的第二温度满足第二阈值；和基于第二温度满足第二阈值的确定而去激活经配置以加热存储器装置的电路。在方法或设备的一些实例中，第二阈值高于所述阈值。
方法或设备的一些实例可进一步包含用于以下各项的操作、特征、装置或指令：在去激活经配置以加热存储器装置的电路之后确定存储器装置的第三温度；将存储器装置的第三温度与高于所述阈值且低于第二阈值的第三阈值进行比较；和至少部分地基于将第三温度与第三阈值进行比较而激活经配置以加热存储器装置的电路。
方法或设备的一些实例可进一步包含用于基于温度与阈值的比较而将存储器装置的存取操作受限的指示发射到主机装置的操作、特征、装置或指令。在方法或设备的一些实例中，发射存储器装置的存取操作受限的指示可包含用于指示针对存储器装置停用读取操作或写入操作中的至少一者的操作、特征、装置或指令。
方法或设备的一些实例可进一步包含用于初始化存储器装置的操作、特征、装置或指令，且发射存储器装置的存取操作受限的指示可基于所述初始化。
方法或设备的一些实例可进一步包含用于耦合电压源与存储器装置中的经配置以加热存储器装置的一或多个电阻组件的操作、特征、装置或指令，且激活经配置以加热存储器装置的电路可基于所述耦合。
方法或设备的一些实例可进一步包含用于将信号施加到存储器装置的一或多个驱动器组件的操作、特征、装置或指令，且激活经配置以加热存储器装置的电路可基于所述施加。
图10展示根据本文中所公开的方面的支持存储器装置的受控且模式相关的加热的方法1000的流程图。方法1000的操作可由如参考图1到8所描述的系统100或外部存储器控制器105，或系统100或外部存储器控制器105的各种组件实施。举例来说，方法1000的操作可由如参考图8所描述的装置805执行。在一些实例中，系统100或外部存储器控制器105可以执行一组指令以控制主机装置的功能元件执行所描述的功能。另外或替代地，系统100或外部存储器控制器105可使用专用硬件或电路执行所描述功能的方面。
在1005处，方法1000可包含接收(例如，在主机装置处)与主机装置耦合的存储器装置的温度的指示。可根据本文中所描述的技术来执行1005的操作。在一些实例中，可通过如参考图8所描述的温度组件810来执行1005的操作的方面。
在1010处，方法1000可包含相对于阈值评估存储器装置的温度。可根据本文中所描述的技术来执行1010的操作。在一些实例中，可通过如参考图8所描述的温度评估组件815来执行1010的操作的方面。
在1015处，方法1000可包含基于相对于阈值确定存储器装置的温度而抑制(例如，通过主机装置)存取存储器装置的命令。可根据本文中所描述的技术来执行1015的操作。在一些实例中，可通过如参考图8所描述的存取组件820来执行1015的操作的方面。
描述了用于执行方法的设备。设备可包含：用于在主机装置处接收与主机装置耦合的存储器装置的温度的指示的装置，用于相对于阈值评估存储器装置的温度的装置，和用于通过主机装置基于相对于阈值确定存储器装置的温度而抑制存取存储器装置的命令的装置。
描述了用于执行存储器装置的受控且模式相关的加热的另一设备。设备可包含控制器或电路，所述控制器或电路经配置以：在主机装置处接收与主机装置耦合的存储器装置的温度的指示，相对于阈值评估存储器装置的温度；和通过主机装置基于相对于阈值确定存储器装置的温度而抑制存取存储器装置的命令。
在方法或设备的一些实例中，存储器装置可包含具有电容或铁电存储元件的单元。
方法或设备的一些实例可进一步包含用于以下各项的操作、特征、装置或指令：在抑制存取存储器装置的命令之后在主机装置处接收存储器装置的第二温度的指示，和基于存储器装置的第二温度的指示而向存储器装置发布存取存储器装置的命令。
方法或设备的一些实例可进一步包含用于以下各项的操作、特征、装置或指令：接收(例如，在抑制存取存储器装置的命令之后，在主机装置处)存储器装置可用的指示，和基于存储器装置可能可用的指示而向存储器装置发布存取存储器装置的命令。
方法或设备的一些实例可进一步包含用于初始化存储器装置的操作、特征、装置或指令，且抑制存取存储器装置的命令可基于所述初始化。方法或设备的一些实例可进一步包含用于基于所述初始化而向存储器装置发布提供存储器装置的温度的指示的命令的操作、特征、装置或指令。
图11展示根据本文中所公开的方面的支持存储器装置的受控且模式相关的加热的方法1100的流程图。方法1100的操作可由如参考图1到8所描述的存储器装置110或存储器装置110的各种组件实施。举例来说，方法1100的操作可由如参考图7所描述的装置705执行。在一些实例中，存储器装置110可执行一组指令以控制存储器装置110的功能元件执行所描述的功能。另外或替代地，存储器装置110可使用专用硬件或电路执行所描述功能的方面。
在1105处，方法1100可包含在存储器装置的第一模式中操作存储器装置。可根据本文中所描述的技术来执行1105的操作。在一些实例中，可通过如参考图7所描述的操作控制组件735来执行1105的操作的方面。
在1110处，方法1100可包含从主机装置接收与存储器装置的第二模式相关联的信令。可根据本文中所描述的技术来执行1110的操作。在一些实例中，可通过如参考图7所描述的信令组件725来执行1110的操作的方面。
在1115处，方法1100可包含基于接收到与第二模式相关联的信令而激活经配置以加热存储器装置的电路。可根据本文中所描述的技术来执行1115的操作。在一些实例中，可通过如参考图7所描述的加热控制组件720来执行1115的操作的方面。
在1120处，方法1100可包含基于激活经配置以加热存储器装置的电路而在第二模式中操作存储器装置。可根据本文中所描述的技术来执行1120的操作。在一些实例中，可通过如参考图7所描述的操作控制组件735来执行1120的操作的方面。
描述了用于执行存储器装置的受控且模式相关的加热的设备。设备可包含：用于在存储器装置的第一模式中操作存储器装置的装置；用于从主机装置接收与存储器装置的第二模式相关联的信令的装置；用于基于接收到与第二模式相关联的信令而激活经配置以加热存储器装置的电路的装置；和用于基于激活经配置以加热存储器装置的电路而在第二模式中操作存储器装置的装置。
描述了用于执行存储器装置的受控且模式相关的加热的另一设备。设备可包含控制器或电路，所述控制器或电路经配置以在存储器装置的第一模式中操作存储器装置，从主机装置接收与存储器装置的第二模式相关联的信令，基于接收到与第二模式相关联的信令而激活经配置以加热存储器装置的电路的，和基于激活经配置以加热存储器装置的电路而在第二模式中操作存储器装置。
在方法或设备的一些实例中，存储器装置可包含具有电容或铁电存储元件的单元。
方法或设备的一些实例可进一步包含用于在激活电路之后确定存储器装置的温度满足阈值的操作、特征、装置或指令，且在第二模式中操作存储器装置可基于存储器装置的温度满足阈值的确定。方法或设备的一些实例可进一步包含用于将存储器装置的温度与小于所述阈值的第二阈值进行比较的操作、特征、装置或指令，且激活经配置以加热存储器装置的电路可基于与第二阈值的比较。
方法或设备的一些实例可进一步包含用于基于在第一模式中操作存储器装置而刷新存储器装置的存储器单元的操作、特征、装置或指令。
方法或设备的一些实例可进一步包含用于基于在第二模式中操作存储器装置而存取存储器装置的存储器单元的操作、特征、装置或指令。方法或设备的一些实例可进一步包含用于与主机装置交换信息的操作、特征、装置或指令，且存取存储器装置的存储器单元可基于与主机装置交换的信息。
在方法或设备的一些实例中，在第一模式中操作存储器装置可与第一功率消耗相关联，且在第二模式中操作存储器装置可与大于第一功率消耗的第二功率消耗相关联。
在方法或设备的一些实例中，与第二模式相关联的信令可包含切换到第二模式的指示。在方法或设备的一些实例中，与第二模式相关联的信令可包含存取存储器装置的命令。
方法或设备的一些实例可进一步包含用于将存储器装置在第二模式中操作的指示发射到主机装置的操作、特征、装置或指令。在方法或设备的一些实例中，存储器装置在第二模式中操作的指示可包含存储器装置可用于读取操作、写入操作或其组合的指示。
方法或设备的一些实例可进一步包含用于将存储器装置的温度与第三阈值进行比较的操作、特征、装置或指令，且在第一模式中操作存储器装置可基于与第三阈值的比较。
方法或设备的一些实例可进一步包含用于以下各项的操作、特征、装置或指令：确定存储器装置的温度满足第四阈值，和基于存储器装置的温度满足第四阈值的确定而去激活经配置以加热存储器装置的电路。
方法或设备的一些实例可进一步包含用于确定存储器装置的电源的操作、特征、装置或指令，且在第一模式中操作存储器装置可基于存储器装置的电源。
方法或设备的一些实例可进一步包含用于以下各项的操作、特征、装置或指令：从主机装置接收切换到第一模式的指示，且基于切换到第一模式的指示而从在第二模式中操作存储器装置切换到在第一模式中操作存储器装置。
方法或设备的一些实例可进一步包含用于以下各项的操作、特征、装置或指令：确定从存取操作以来的流逝时间，且基于流逝时间而从在第二模式中操作存储器装置切换到在第一模式中操作存储器装置。
图12展示根据本文中所公开的方面的支持存储器装置的受控且模式相关的加热的方法1200的流程图。方法1200的操作可由如参考图1到8所描述的系统100或外部存储器控制器105，或系统100或外部存储器控制器105的各种组件实施。举例来说，方法1200的操作可由如参考图8所描述的装置805执行。在一些实例中，系统100或外部存储器控制器105可以执行一组指令以控制主机装置的功能元件执行所描述的功能。另外或替代地，系统100或外部存储器控制器105可使用专用硬件或电路执行所描述功能的方面。
在1205处，方法1200可包含接收(例如，在主机装置处)存储器装置的温度的指示，其中温度与存储器装置的第一模式相关联。可根据本文中所描述的技术来执行1205的操作。在一些实例中，可通过如参考图8所描述的温度组件810来执行1205的操作的方面。
在1210处，方法1200可包含发射(例如，从主机装置)与存储器装置的第二模式相关联的信令。可根据本文中所描述的技术来执行1210的操作。在一些实例中，可通过如参考图8所描述的信令组件825来执行1210的操作的方面。
在1215处，方法1200可包含接收(例如，在主机装置处)指示存储器装置处于第二模式的信令。可根据本文中所描述的技术来执行1215的操作。在一些实例中，可通过如参考图8所描述的信令组件825来执行1215的操作的方面。
在1220处，方法1200可包含基于接收到指示存储器装置处于第二模式的信令而执行与存储器装置处于第二模式相关联的存取操作。可根据本文中所描述的技术来执行1220的操作。在一些实例中，可通过如参考图8所描述的存取组件820来执行1220的操作的方面。
描述了用于执行方法的设备。设备可包含：用于在主机装置处接收存储器装置的温度的指示的装置，其中所述温度与存储器装置的第一模式相关联；用于从主机装置发射与存储器装置的第二模式相关联的信令、在主机装置处接收指示存储器装置处于第二模式的信令和基于接收到指示存储器装置处于第二模式的信令而执行与存储器装置处于第二模式相关联的存取操作的装置。
描述了用于执行存储器装置的受控且模式相关的加热的另一设备。设备可包含控制器或电路，所述控制器或电路经配置以：在主机装置处接收存储器装置的温度的指示，其中所述温度与存储器装置的第一模式相关联；从主机装置发射与存储器装置的第二模式相关联的信令；在主机装置处接收指示存储器装置处于第二模式的信令；和基于接收到指示存储器装置处于第二模式的信令而执行与存储器装置处于第二模式相关联的存取操作。
在方法或设备的一些实例中，存储器装置可包含具有电容或铁电存储元件的单元。
在方法或设备一些实例中，指示存储器装置处于第二模式的信令可包含存储器装置可用于存取操作的指示。在方法或设备的一些实例中，指示存储器装置处于第二模式的信令可包含存储器装置的第二温度的指示。
在方法或设备的一些实例中，与第二模式相关联的信令可包含切换到第二模式的指示。在方法或设备的一些实例中，与第二模式相关联的信令可包含存取存储器装置的命令。在方法或设备的一些实例中，第一模式可包含刷新模式。
应注意，本文中所描述的方法、系统和设备描述可能的实施方案，且操作和步骤可以重新布置或以其它方式加以修改，且其它实施方案是可能的。此外，可组合来自所述方法或其它技术中的两种或更多种的方面。
描述了一种设备。设备可包含：存储器装置，其包括具有电容存储元件的单元；温度传感器，其与存储器装置耦合且经配置以产生存储器装置的温度的指示；和电路，其与存储器装置耦合且经配置以至少部分地基于由温度传感器产生的指示而加热存储器装置。
在一些实例中，设备可进一步包含存储器装置的控制器，其经配置以至少部分地基于由温度传感器产生的指示而识别存储器装置的温度，且至少部分地基于存储器装置的温度与阈值的比较而启用经配置以加热存储器装置的电路。
在一些实例中，存储器装置的控制器可进一步经配置以将存储器装置的温度与第二阈值进行比较，且至少部分地基于存储器装置的温度与第二阈值的比较而调整经配置以加热存储器装置的电路。
在一些实例中，存储器装置的控制器可进一步经配置以至少部分地基于存取存储器装置的非易失性存储组件而识别阈值，所述非易失性存储组件经配置以存储阈值的指示。
在一些实例中，阈值可与存储器装置的配置相关联，且存储器装置的控制器可进一步经配置以至少部分地基于存取非易失性存储组件而识别存储器装置的配置，且至少部分地基于所述配置而确定阈值。
在一些实例中，存储器装置的控制器可进一步经配置以识别存储器装置的操作模式，至少部分地基于所述操作模式而确定阈值。
在一些实例中，存储器装置的控制器可进一步经配置以检测存储器装置的初始化，且至少部分地基于所述初始化和存储器装置的温度与阈值的比较而将信令发射到主机装置，所述信令指示存取存储器装置受限。
在一些实例中，信令可指示存储器装置不可用于读取或写入操作。
在一些实例中，信令可指示存储器装置的温度。
在一些实例中，经配置以加热存储器装置的电路可包含电压源、一或多个电阻元件，和经配置以选择性地耦合电压源与一或多个电阻元件的一或多个开关组件。
在一些实例中，经配置以加热存储器装置的电路可包含与负载耦合的一或多个驱动器，和经配置以选择性地将信号施加到与负载耦合的一或多个驱动器的开关组件。
描述另一种设备。设备可包含：存储器装置，其包括具有电容存储元件的单元；温度传感器，其经配置以指示存储器装置的温度；和存储器装置的控制器。存储器装置的控制器可经配置以使得设备：在存储器装置处于第一模式时从主机装置接收与存储器装置的第二模式相关联的信令；至少部分地基于接收到与第二模式相关联的信令而激活经配置以加热存储器装置的电路；将由温度传感器产生的存储器装置的温度的指示与阈值进行比较；和至少部分地基于所述指示与阈值的比较而在第二模式中操作存储器装置。
在一些实例中，控制器可进一步经配置以使得设备将由温度传感器产生的存储器装置的温度的第二指示与第二阈值进行比较，其中激活经配置以加热存储器装置的电路至少部分地基于所述第二指示与第二阈值的比较。
在一些实例中，控制器可进一步经配置以使得设备在第一模式中操作存储器装置时执行存储器装置的刷新操作。在一些实例中，控制器可进一步经配置以使得设备在第二模式中操作存储器装置时执行读取操作或写入操作。
在一些实例中，控制器可进一步经配置以使得设备至少部分地基于所述指示与阈值的比较而将存储器装置在第二模式中操作的指示发射到主机装置。在一些实例中，控制器可进一步经配置以使得设备将由温度传感器产生的存储器装置的温度的第三指示与第三阈值进行比较，其中在第一模式中操作存储器装置至少部分地基于第三指示与第三阈值的比较。
在一些实例中，控制器可进一步经配置以使得设备将由温度传感器产生的存储器装置的温度的第四指示与第四阈值进行比较，且至少部分地基于第四指示与第四阈值的比较而调整经配置以加热存储器装置的电路。
本文中的描述提供实例且并不限制在权利要求书中所阐述的范围、适用性或实例。在不脱离本公开的范围的情况下可进行所论述的元件的功能及配置的改变。一些实例可适当地省略、取代或添加各种程序或组件。此外，关于一些实例描述的特征可在其它实例中加以组合。
尽管本文中可相对于电容性存储器技术(例如，DRAM技术)或在电容性存储器技术的上下文中描述某些特征或技术，但此类描述出于说明性目的，且所属领域的技术人员将了解，本文中的教示可应用于任何类型的存储器装置。举例来说，本文中的教示可应用于易失性或非易失性存储器装置，例如磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)等。
可使用各种不同技艺和技术中的任一个来表示本文中所描述的信息和信号。举例来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。一些图式可将信令说明为单个信号。然而，所属领域的一般技术人员应理解，信号可表示信号的总线，其中总线可具有各种位宽度。
如本文所使用，术语“虚拟接地”是指保持在大约零伏(0V)的电压下而不直接与接地耦合的电路节点。因此，虚拟接地的电压可能会临时波动且在稳定状态下返回到大约0V。可使用例如由运算放大器和电阻器组成的分压器的各种电子电路元件实施虚拟接地。其他实施方案也是可能的。“虚拟接地”或“虚拟地接地”是指连接到大约0V。
术语“电子通信”、“导电接触”、“连接”及“耦合”可指代支持信号在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在可在任何时间支持信号在组件之间流动的任何导电路径，那么组件被视为彼此电子通信(或彼此导电接触，或彼此连接，或彼此耦合)。在任何给定时间，基于包含所连接组件的装置的操作，彼此电子通信(或彼此导电接触，或彼此连接，或彼此耦合)的组件之间的导电路径可以是开路或闭路。所连接组件之间的导电路径可以是组件之间的直接导电路径，或所连接组件之间的导电路径可以是可以包含例如开关、晶体管或其它组件等中间组件的间接导电路径。在一些情况下，可例如使用例如开关或晶体管的一或多个中间组件将所连接组件之间的信号流动中断一段时间。
短语“耦合于…之间”可指组件相对于彼此的次序并且可指电耦合。在一个实例中，电耦合于组件“A”与组件“C”之间的组件“B”可指在电意义上的组件次序“A-B-C”或“C-B-A”。换句话说，电信号(例如，电压、电荷、电流)可借助于组件B从组件A传送到组件C。
组件B“耦合于组件A与组件C之间”的描述不应一定解释为在所描述的次序中排除其它中间组件。举例来说，组件“D”可耦合于所描述的组件A与组件B之间(例如，作为实例，涉及组件次序“A-D-B-C”或“C-B-D-A”)，同时仍支持组件B电耦合于组件A与组件C之间。换句话说，使用短语“耦合于…之间”不应被理解为一定涉及排它性的循序次序。
另外，组件B“耦合在组件A与组件C之间”的描述不排除组件A与组件C之间的第二不同耦合。举例来说，组件A和组件C可在与经由组件B的耦合电平行的单独耦合中与彼此耦合。在另一实例中，组件A和组件C可经由另一组件“E”耦合(例如，组件B耦合于组件A与组件C之间且组件E耦合于组件A与组件C之间)。换句话说，使用短语“耦合于…之间”不应被理解为组件之间的排它性耦合。
术语“耦合”可指从组件之间的开路关系移动到组件之间的闭路关系的条件，在所述开路关系中，信号当前无法通过导电路径在所述组件之间传达，在所述闭路关系中，信号能够通过所述导电路径在所述组件之间传达。当例如控制器等组件将其它组件耦合在一起时，组件起始允许信号经由先前不准许信号流动的导电路径在其它组件之间流动的改变。
术语“隔离”可指信号当前无法在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在开路，则所述组件彼此隔离。举例来说，由定位在两个组件之间的开关间隔开的所述组件在开关断开时彼此隔离。当控制器隔离两个组件时，所述控制器实现以下改变：阻止信号使用先前准许信号流动的导电路径在组件之间流动。
本文中使用的术语“层”是指几何结构的分层或薄片。每一层可具有三个维度(例如，高度、宽度和深度)并且可覆盖表面的至少一部分。举例来说，层可为其中两个维度大于第三维度的三维结构，例如薄膜。层可以包含不同元件、组件和/或材料。在一些情况下，一个层可由两个或更多个子层构成。在一些附图中，出于说明的目的而描绘三维层的两个维度。然而，所属领域的技术人员将认识到，层在本质上是三维的。
如本文所使用，术语“电极”可指电导体，并且在一些情况下，可用作到存储器单元或存储器阵列的其它组件的电接点。电极可包含迹线、电线、导电线、导电层或提供存储器阵列的元件或组件之间的导电路径的其它特征。
如本文所使用的术语“光刻”可指使用光致抗蚀剂材料进行图案化并使用电磁辐射使此类材料暴露的工艺。举例来说，可通过例如在基底材料上旋转涂布光致抗蚀剂来在基底材料上形成光致抗蚀剂材料。可通过使光致抗蚀剂暴露于辐射而在光致抗蚀剂中产生图案。举例来说，图案可由在空间上描绘辐射在何处暴露光致抗蚀剂的光掩模限定。举例来说，可接着通过化学处理去除经暴露光致抗蚀剂区域，从而留下所要图案。在一些情况下，暴露区可保留，且未暴露区可被去除。
本文讨论的包含存储器阵列的装置可以形成于半导体衬底上，例如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等。在一些情况下，衬底是半导体晶片。在其它情况下，衬底可为绝缘体上硅(SOI)衬底，例如玻璃上硅(SOG)或蓝宝石上硅(SOP)，或另一衬底上的半导体材料的外延层。可以通过使用包含但不限于磷、硼或砷的各种化学物种的掺杂来控制衬底或衬底的子区的导电性。可在衬底的初始形成或生长期间，通过离子植入或通过任何其它掺杂方法来执行掺杂。
本文中所论述的开关组件或晶体管可表示场效应晶体管(FET)，并且包括包含源极、漏极和栅极的三端装置。所述端可通过例如金属的导电材料连接到其它电子元件。源极和漏极可为导电的，且可包括重度掺杂(例如简并)的半导体区。源极与漏极可由轻掺杂的半导体区或沟道间隔开。如果沟道是n型(即，大部分载体为信号)，那么FET可被称作n型FET。如果沟道是p型(即，多数载流子为电穴)，那么FET可被称作p型FET。所述沟道可由绝缘栅极氧化物封端。可通过将电压施加到栅极来控制沟道导电性。举例来说，将正电压或负电压分别施加到n型FET或p型FET可使得沟道变为导电的。在大于或等于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可“接通”或“激活”。当小于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可“断开”或“去激活”。
本文中结合附图阐述的描述内容描述了实例配置，且并不表示可以实施的或在权利要求书的范围内的所有实例。本文中所使用的术语“示范性”是指“充当实例、例子或说明”，且不“优选于”或“优于”其它实例。具体实施方式包含提供对所描述的技术的理解的具体细节。然而，可以在没有这些具体细节的情况下实践这些技术。在一些情况下，以框图形式展示众所周知的结构及装置以免混淆所描述实例的概念。
在附图中，类似组件或特征可具有相同的参考标记。此外，可以通过在参考标记后面跟着短划线和区分类似组件的第二标签来区分相同类型的各种组件。如果在说明书中仅使用第一参考标记，则描述适用于具有相同第一参考标记而与第二参考标记无关的类似组件中的任一者。
可使用各种不同技艺和技术中的任一个来表示本文中所描述的信息和信号。举例来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。
结合本文的公开内容所描述的各种说明性块和模块可使用设计成执行本文所描述的功能的通用处理器、数字信号处理器、专用集成电路、现场可编程门阵列或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其任何组合来实施或执行。通用处理器可为微处理器，但在替代方案中，处理器可为任何处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器还可实施为计算装置的组合(例如，DSP和微处理器的组合、多个微处理器、一或多个微处理器结合DSP核心，或任何其它此类配置)。
本文中所描述的功能可以硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合实施。如果以由处理器执行的软件来实施，那么可将功能作为一或多个指令或代码存储于计算机可读媒体上或通过计算机可读媒体发射。其它实例及实施方案在本公开及所附权利要求书的范围及精神内。举例来说，归因于软件的性质，所描述的功能可使用由处理器、硬件、固件、硬连线或这些中的任一个的组合执行的软件实施。实施功能的特征也可物理上位于各个位置处，包含经分布以使得功能的各部分在不同物理位置处实施。并且，如本文中所使用，包含在权利要求书中，项目的列表(例如，以例如“中的至少一个”或“中的一或多个”等短语开始的项目的列表)中所使用的“或”指示包含性列表，使得(例如)A、B或C中的至少一个的列表意指A或B或C或者AB或AC或BC或者ABC(即，A和B和C)。
如本文中所使用，术语“基本上”意指被修饰的特性(例如，被术语“基本上”修饰的动词或形容词)无需是绝对的，而是足够接近到达成特性的优点，或足够接近到所涉及的特性在本公开的相关方面的上下文中是真实的。
如本文中所使用，词组“基于”不应被解释为对一组封闭条件的引用。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，描述为“基于条件A”的示范性步骤可基于条件A和条件B两者。换句话说，如本文所用，短语“基于”应同样地解释为短语“至少部分地基于”。
计算机可读媒体包含非暂时性计算机存储媒体以及包含促进将计算机程序从一处传递到另一处的任何媒体的通信媒体两者。非暂时性存储媒体可为可由通用或专用计算机存取之任何可用媒体。借助于实例而非限制，非暂时性计算机可读媒体可包括RAM、ROM、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、光盘(CD)ROM或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置，或可用于携载或存储呈指令或数据结构形式的所要程序代码构件且可由通用或专用计算机或通用或专用处理器存取的任何其它非暂时性媒体。并且，适当地将任何连接称作计算机可读媒体。举例来说，如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)或例如红外线、无线电和微波的无线技术从网站、服务器或其它远程源传输软件，则所述同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)或例如红外线、无线电和微波的无线技术包含在媒体的定义中。如本文中所使用，磁盘和光盘包含CD、激光光盘、光学光盘、数字多功能光盘(DVD)、软盘和蓝光光盘，其中磁盘通常以磁性方式再现数据，而光盘用激光以光学方式再现数据。以上各项的组合也包含在计算机可读媒体的范围内。
提供本文描述以使得所属领域的技术人员能够制造或使用本公开。所属领域技术人员将易于了解对本公开的各种修改，且本文中定义的一般原理可应用于其它变体而不脱离本公开的范围。因此，本公开不限于本文中所描述的实例和设计，而是被赋予与本文所公开的原理和新颖特征一致的最宽范围。

Claims (25)

1.一种方法，其包括：
在包括具有电容存储元件的单元的存储器装置的第一模式中操作所述存储器装置；
从主机装置接收与所述存储器装置的第二模式相关联的信令；
至少部分地基于接收到与所述第二模式相关联的所述信令而激活经配置以加热所述存储器装置的电路；及
至少部分地基于激活经配置以加热所述存储器装置的所述电路而在所述第二模式中操作所述存储器装置。
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
在激活所述电路之后确定所述存储器装置的温度满足阈值，其中在所述第二模式中操作所述存储器装置至少部分地基于所述存储器装置的所述温度满足所述阈值的确定。
3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：
将所述存储器装置的所述温度与小于所述阈值的第二阈值进行比较，其中激活经配置以加热所述存储器装置的所述电路至少部分地基于与所述第二阈值的比较。
4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
至少部分地基于在所述第一模式中操作所述存储器装置而刷新所述存储器装置的存储器单元。
5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
至少部分地基于在所述第二模式中操作所述存储器装置而存取所述存储器装置的存储器单元。
6.根据权利要求5所述的方法，其进一步包括：
与所述主机装置交换信息，其中所述存取至少部分地基于与所述主机装置交换的信息。
7.根据权利要求1所述的方法，其中：
在所述第一模式中操作所述存储器装置与第一功率消耗相关联；且
在所述第二模式中操作所述存储器装置与大于所述第一功率消耗的第二功率消耗相关联。
8.根据权利要求1所述的方法，其中与所述第二模式相关联的所述信令包括切换到所述第二模式的指示。
9.根据权利要求1所述的方法，其中与所述第二模式相关联的所述信令包括存取所述存储器装置的命令。
10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
将所述存储器装置在所述第二模式中操作的指示发射到所述主机装置。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述存储器装置在所述第二模式中操作的所述指示包括所述存储器装置可用于读取操作、写入操作或其组合的指示。
12.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
将所述存储器装置的温度与第三阈值进行比较，其中在所述第一模式中操作所述存储器装置至少部分地基于与所述第三阈值的比较。
13.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
确定所述存储器装置的温度满足第四阈值；及
至少部分地基于所述存储器装置的所述温度满足所述第四阈值的确定而去激活经配置以加热所述存储器装置的所述电路。
14.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
确定所述存储器装置的电源，其中在所述第一模式中操作所述存储器装置至少部分地基于所述存储器装置的所述电源。
15.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
从所述主机装置接收切换到所述第一模式的指示；及
至少部分地基于切换到所述第一模式的所述指示而从在所述第二模式中操作所述存储器装置切换到在所述第一模式中操作所述存储器装置。
16.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
确定从存取操作以来的流逝时间；及
至少部分地基于所述流逝时间而从在所述第二模式中操作所述存储器装置切换到在所述第一模式中操作所述存储器装置。
17.一种设备，其包括：
存储器装置，其包括具有电容存储元件的单元；
温度传感器，其经配置以指示所述存储器装置的温度；及
所述存储器装置的控制器，其经配置以使所述设备进行以下操作：
在所述存储器装置处于第一模式时从主机装置接收与所述存储器装置的第二模式相关联的信令；
至少部分地基于接收到与所述第二模式相关联的所述信令而激活经配置以加热所述存储器装置的电路；
将由所述温度传感器产生的所述存储器装置的所述温度的指示与阈值进行比较；及
至少部分地基于所述指示与所述阈值的比较而在所述第二模式中操作所述存储器装置。
18.根据权利要求17所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以使所述设备进行以下操作：
将由所述温度传感器产生的所述存储器装置的所述温度的第二指示与第二阈值进行比较，其中激活经配置以加热所述存储器装置的所述电路至少部分地基于所述第二指示与所述第二阈值的比较。
19.根据权利要求17所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以使所述设备进行以下操作：
当在所述第一模式中操作所述存储器装置时执行所述存储器装置的刷新操作。
20.根据权利要求17所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以使所述设备进行以下操作：
当在所述第二模式中操作所述存储器装置时执行读取操作或写入操作。
21.根据权利要求17所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以使所述设备进行以下操作：
至少部分地基于所述指示与所述阈值的比较而将所述存储器装置在所述第二模式中操作的指示发射到所述主机装置。
22.根据权利要求17所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以使所述设备进行以下操作：
将由所述温度传感器产生的所述存储器装置的所述温度的第三指示与第三阈值进行比较，其中在所述第一模式中操作所述存储器装置至少部分地基于所述第三指示与所述第三阈值的比较。
23.根据权利要求17所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以：
将由所述温度传感器产生的所述存储器装置的所述温度的第四指示与第四阈值进行比较；及
至少部分地基于所述第四指示与所述第四阈值的比较而调整经配置以加热所述存储器装置的电路。
24.一种方法，其包括：
在主机装置处接收包括具有电容存储元件的单元的存储器装置的温度的指示，其中所述温度与所述存储器装置的第一模式相关联；
从所述主机装置发射与所述存储器装置的第二模式相关联的信令；
在所述主机装置处接收指示所述存储器装置处于所述第二模式的信令；及
至少部分地基于接收到指示所述存储器装置处于所述第二模式的所述信令而执行与所述存储器装置处于所述第二模式相关联的存取操作。
25.根据权利要求24所述的方法，其中指示所述存储器装置处于所述第二模式的所述信令包括所述存储器装置的第二温度的指示。
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