CN114945983A - 使用短接对存储器裸片的电力管理的反馈 - Google Patents

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Abstract

描述使用短接对存储器裸片的电力管理的反馈的方法、系统和装置。存储器装置可使第一轨与电压源短接以用于将关于供应电压的反馈传送到电力管理组件，例如存储器系统的电力管理集成电路。所述存储器装置可检测与所述存储器单元阵列耦合的用于递送电力的一或多个电压轨的条件。所述存储器装置可基于检测到所述条件而使所述用于递送电力的组件网络的第一轨与电压源短接。在一些情况下，所述存储器装置可基于短接所述第一轨而产生跨所述用于递送电力的组件网络的所述第一轨的反馈信号。

Description

使用短接对存储器裸片的电力管理的反馈
交叉引用
本专利申请案主张崔(Choi)等人在2020年1月10日申请的标题为“使用短接对存储器裸片的电力管理的反馈(FEEDBACK FOR POWER MANAGEMENT OF A MEMORY DIE USINGSHORTING)”的美国临时专利申请案第16/740,281号的优先权，所述美国临时专利申请案让渡给本受让人并且以全文引用的方式并入本文中。
背景技术
下文大体上涉及一或多个存储器系统，且更具体地说，涉及使用短接对存储器裸片的电力管理的反馈。
存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等的各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。例如，二进制存储器单元可以被编程为两个支持状态中的一个，经常由逻辑1或逻辑0表示。在一些实例中，单个存储器单元可以支持超过两个状态，其中的任一状态可存储。为了存取所存储信息，组件可以读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，组件可在存储器装置中写入状态或对状态进行编程。
存在各种类型的存储器装置和存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、自选存储器、硫族化物存储器技术等。存储器单元可为易失性的或非易失性的。非易失性存储器，例如FeRAM，可维持其所存储的逻辑状态很长一段时间，即使无外部电源存在也是这样。例如DRAM的易失性存储器装置在与外部电源断开连接时可能会丢失其所存储的状态。
附图说明
图1说明根据本文所公开的实例的支持使用短接对存储器裸片的电力管理的反馈的系统的实例。
图2说明根据本文所公开的实例的支持使用短接对存储器裸片的电力管理的反馈的存储器系统的实例。
图3示出根据本文所公开的实例的支持使用短接对存储器裸片的电力管理的反馈的存储器装置的框图。
图4示出说明根据本文所公开的实例的支持使用短接对存储器裸片的电力管理的反馈的一或多种方法的流程图。
图5示出说明根据本文所公开的实例的支持使用短接对存储器裸片的电力管理的反馈的一或多种方法的流程图。
具体实施方式
在一些存储器系统中，例如电力管理集成电路(PMIC)的电力管理组件可用于通过控制电源轨的电压来管理供应到一或多个存储器装置的电力。电源轨上的电压可出于多种原因发生变化。举例来说，由于沿着轨的寄生电容或其它因素，电源轨上的电压可在离电力管理组件较远的方位处衰减。对于离电力管理组件相对较远的存储器装置，电源轨上的电压可充分衰减到低于最小供应电压，这可导致存储器装置处的错误。
电力管理组件可能不存取关于沿着轨的各种方位处的电压的信息，且可能无法调整供应到轨的电力以补偿这类变化(过高或过低电压)。在其它实例中，供应给存储器装置的电压可在给定范围内变化。当供应电压设置有更紧密的公差，进而使供应电压之间的方差减至最小时可改进存储器装置的功能。为了改进存储器装置的功能性，存储器装置可测量供应电压并且将反馈提供给电力管理组件。
存储器装置可使用电压轨本身将反馈传送到电力管理组件。举例来说，存储器装置可在电压轨本身上产生干扰以向电力管理组件指示反馈信息。在一些情况下，存储器装置可将第一电压轨与第二电压轨短接以指示反馈信息。存储器装置可检测条件(即，存储器装置的高电压和/或高温)并且短接两个电压轨。将两个电压轨短接可致使电压脉冲发送到电力管理组件。在这类情况下，电压脉冲可为存储器装置产生的反馈信号的实例并且传送到电力管理组件以使得电力管理组件能够恰当地调整电压。电力管理组件可使用这类反馈信息确定是否以及如何调整经由电源轨供应给存储器装置的电力(例如，供应电压)；也就是说，电力管理组件可基于从一或多个存储器装置接收的反馈调整轨的电压。
一开始在参考图1所描述的存储器系统和裸片的上下文中描述本公开的特征。首先在如参考图2描述的存储器系统的上下文中描述本公开的特征。通过涉及参考图3-5所描述的使用短接对存储器裸片的电力管理的反馈的设备图和流程图进一步说明并且参考所述设备图和流程图进一步描述本公开的这些和其它特征。
图1说明根据本文所公开的实例的支持使用短接对存储器裸片的电力管理的反馈的系统100的实例。系统100可包含主机装置105、存储器装置110以及将主机装置105与存储器装置110耦合的多个信道115。系统100可包含一或多个存储器装置110，但所述一或多个存储器装置110的方面可在单个存储器装置(例如，存储器装置110)的上下文中描述。
系统100可包含如计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理装置、车辆或其它系统的电子装置的部分。举例来说，系统100可说明计算机、笔记本计算机、平板计算机、智能手机、蜂窝电话、可穿戴装置、联网装置、车辆控制器等的方面。存储器装置110可以是可用于存储用于系统100的一或多个其它组件的数据的系统的组件。
系统100的至少部分可为主机装置105的实例。主机装置105可以是使用存储器执行过程的装置内的处理器或其它电路系统的实例，例如在计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理装置、计算机、膝上型计算机、平板计算机、智能手机、蜂窝式电话、可穿戴装置、因特网连接装置、车辆控制器、芯片上系统(SoC)或某一其它固定或便携式电子装置以及其它实例内。在一些实例中，主机装置105可指代实施外部存储器控制器120的功能的硬件、固件、软件或其组合。在一些实例中，外部存储器控制器120可称为主机或主机装置105。
存储器装置110可以是可操作以提供可由系统100使用或参考的物理存储器地址/空间的独立装置或组件。在一些实例中，存储器装置110可为可配置的以与一或多个不同类型的主机装置一起工作。主机装置105与存储器装置110之间的信令可为可操作的以支持以下中的一或多个：用以调制信号的调制方案、用于传送信号的各种引脚配置、用于主机装置105和存储器装置110的物理封装的各种外观尺寸、主机装置105与存储器装置110之间的时钟信令和同步、定时惯例，或其它因素。
存储器装置110可为可操作的以存储用于主机装置105的组件的数据。在一些实例中，存储器装置110可充当主机装置105的从属型装置(例如，响应和执行由主机装置105通过外部存储器控制器120提供的命令)。此类命令可包含用于写入操作的写入命令、用于读取操作的读取命令、用于刷新操作的刷新命令或其它命令中的一或多个。
主机装置105可包含外部存储器控制器120、处理器125、基本输入/输出系统(BIOS)组件130或例如一或多个外围组件或一或多个输入/输出控制器的其它组件中的一或多个。主机装置的组件可使用总线135彼此耦合。
处理器125可为可操作的以提供用于系统100的至少部分或主机装置105的至少部分的控制或其它功能性。处理器125可以是通用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件，或这些组件的组合。在此类实例中，处理器125可以是中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)、通用GPU(GPGPU)或芯片上系统(SoC)的实例，以及其它实例。在一些实例中，外部存储器控制器120可由处理器125实施或为所述处理器的一部分。
BIOS组件130可以是包含作为固件操作的BIOS的软件组件，其可初始化且运行系统100或主机装置105的各种硬件组件。BIOS组件130还可管理处理器125与系统100或主机装置105的各种组件之间的数据流。BIOS组件130可包含存储于只读存储器(ROM)、快闪存储器或其它非易失性存储器中的一或多个中的程序或软件。
在一些实例中，系统100或主机装置105可以包含I/O控制器。I/O控制器可以管理处理器125与外围组件、输入装置或输出装置之间的数据通信。I/O控制器可管理未集成到系统100或主机装置105中或与所述系统或主机装置集成的外围设备。在一些实例中，I/O控制器可表示到外部外围组件的物理连接或端口。
存储器装置110可包含装置存储器控制器155和一或多个存储器裸片160(例如，存储器芯片)以支持用于数据存储的期望容量或指定容量。每一存储器裸片160可包含本地存储器控制器165(例如，本地存储器控制器165-a、本地存储器控制器165-b和/或本地存储器控制器165-N)以及存储器阵列170(例如，存储器阵列170-a、存储器阵列170-b、存储器阵列170-N)。存储器阵列170可以是存储器单元的集合(例如，一或多个网格、一或多个存储体、一个或多个平铺块、一或多个区段)，其中每一存储器单元可用于存储至少一位数据。包含两个或更多个存储器裸片的存储器装置110可称为多裸片存储器或多裸片封装，或多芯片存储器或多芯片封装。
在一些实例中，存储器裸片160可与电力管理组件耦合，所述电力管理组件可操作以将一或多个供应电压提供到存储器裸片160。举例来说，电力管理组件可使用电源轨(例如，导电线)供应VDD电压、VSS电压、VDDQ电压等。电力管理组件可操作以维持轨上的基本恒定的供应电压，以在操作期间向存储器装置110或存储器裸片160提供电力。电力管理组件可包含可操作以产生适当供应电压的一或多个电压源组件或可与所述一或多个电压源组件耦合。
在一些情况下，沿着电源轨的电压可沿着轨变化。举例来说，由于例如沿着电源轨的寄生电容，所述轨上的电压可随着离电力管理组件的距离增大而衰减。因此，如果多个存储器裸片160与提供供应电压到存储器裸片160的电源轨耦合，那么离电力管理组件相对较远的存储器裸片160可接收相比于更接近于电力管理组件的存储器裸片160更低的供应电压。在一些情况下，如果供应电压突降到低于下限电压阈值，那么存储器裸片160可遭遇错误。
如本文所描述，在一些情况下，存储器装置110可使第一轨与第二轨短接以用于将关于存储器裸片160处电源轨上的供应电压的反馈提供到电力管理组件，进而使得电力管理组件能够恰当地调整供应电压。
装置存储器控制器155可包含可用于控制存储器装置110的操作的电路、逻辑或组件。装置存储器控制器155可包含使得存储器装置110能够执行各种操作的硬件、固件或指令，且可用于接收、传输或执行与存储器装置110的组件相关的命令、数据或控制信息。装置存储器控制器155可用于与外部存储器控制器120、所述一或多个存储器裸片160或处理器125中的一或多个通信。在一些实例中，装置存储器控制器155可结合存储器裸片160的本地存储器控制器165控制本文中所描述的存储器装置110的操作。
本地存储器控制器165(例如，在存储器裸片160本地)可为可操作的以控制存储器裸片160的操作。在一些实例中，本地存储器控制器165可为可操作的以与装置存储器控制器155通信(例如，接收或发射数据或命令或这两者)。在一些实例中，存储器装置110可不包含装置存储器控制器155，且本地存储器控制器165或外部存储器控制器120可执行本文中所描述的各种功能。由此，本地存储器控制器165可操作以与装置存储器控制器155、与其它本地存储器控制器165或直接与外部存储器控制器120或处理器125或其组合通信。装置存储器控制器155或本地存储器控制器165或这两者中可包含的组件的实例可包含用于(例如，从外部存储器控制器120)接收信号的接收器、用于传输信号(例如，到外部存储器控制器120)的传输器、用于解码或解调所接收信号的解码器、用于编码或调制待传输信号的编码器，或可操作用于支持所描述的装置存储器控制器155或本地存储器控制器165或这两者的操作的各种其它电路或控制器。
在一些情况下，存储器裸片160的本地存储器控制器165可为可操作的以确定电压是否满足电压阈值，温度是否满足温度阈值。如果本地存储器控制器165确定电压或温度分别满足阈值，那么本地存储器控制器165可使第一轨与第二轨短接。在一些情况下，存储器装置110的反馈组件可由装置存储器控制器155、本地存储器控制165或其组合实施。
外部存储器控制器120可用于使得能够在系统100或主机装置105的组件(例如，处理器125)与存储器装置110之间传送信息、数据或命令中的一或多个。外部存储器控制器120可转换或转译在主机装置105的组件与存储器装置110之间交换的通信。在一些实例中，外部存储器控制器120或系统100的其它组件或主机装置105或本文中所描述的功能可由处理器125实施。例如，外部存储器控制器120可为由处理器125或系统100的其它组件或主机装置105实施的硬件、固件或软件或其某一组合。尽管外部存储器控制器120描绘为在存储器装置110外部，但在一些实例中，外部存储器控制器120或本文中所描述的功能可由存储器装置110的一或多个组件(例如，装置存储器控制器155、本地存储器控制器165)实施，反之亦可。
主机装置105的组件可使用一或多个信道115与存储器装置110交换信息。信道115可为可操作的以支持外部存储器控制器120与存储器装置110之间的通信。每一信道115可为在主机装置105与存储器装置之间运载信息的传输媒体的实例。每一信道115可包含与系统100的组件相关联的端子之间的一或多个信号路径或传输媒体(例如，导体)。信号路径可以是可操作以运载信号的导电路径的实例。举例来说，信道115可包含第一端子，其包含在主机装置105处的一或多个引脚或衬垫以及在存储器装置110处的一或多个引脚或衬垫。引脚可以是系统100的装置的导电输入或输出点的实例，且引脚可为可操作的以充当信道的部分。
信道115(和相关联的信号路径和端子)可专用于传送一或多种类型的信息。举例来说，信道115可包含一或多个命令和地址(CA)信道186、一或多个时钟信号(CK)信道188、一或多个数据(DQ)信道190、一或多个其它信道192，或其组合。在一些实例中，可使用单倍数据速率(SDR)信令或双倍数据速率(DDR)信令经由信道115传达。在SDR信令中，可针对(例如，在时钟信号的上升或下降沿上的)每个时钟周期登记信号的一个调制符号(例如，信号电平)。在DDR信令中，可针对(例如，在时钟信号的上升沿和下降沿两者上的)每个时钟周期登记信号的两个调制符号(例如，信号电平)。
图2说明根据本文所公开的实例的支持使用短接对存储器裸片的电力管理的反馈的存储器系统200的实例。存储器系统200可包含具有反馈组件210的电力管理组件205、包含存储器裸片220-a和存储器裸片220-b的存储器装置215。电力管理组件205可经由电压轨230-a、230-b、230-c和230-d与存储器装置215电子通信。存储器装置215还可包含短接组件235-a、235-b和235-c和反馈组件225。存储器装置215可以是参考图1描述的存储器装置110的实例，例如DRAM装置。
电力管理组件205(例如，PMIC)可与存储器装置215或多个存储器装置耦合。电力管理组件205可产生供应电压给组件网络的电压轨230-a、230-b、230-c和230-d，进而将电力递送给存储器装置215。可基于在反馈组件210处接收到的反馈信号产生供应电压。反馈信号可从存储器装置215的反馈组件225发射到电力管理组件205的反馈组件210。
电力管理组件205可检测反馈信号并且相应地调整供应给存储器装置215的电压(例如，供应电压)。举例来说，反馈组件210可基于对电压轨230低于较低电压阈值的确定增加供应电压。在一些实例中，反馈组件210可基于对电压轨230高于较高电压阈值的确定减小供应电压。在一些实例中，电力管理组件205可为PMIC的实例。
电力管理组件205可使用电压轨230-a、230-b、230-c和230-d与存储器装置215电子通信。电压轨230-a、230-b、230-c和230-d可被配置成接收供应电压并且将电力递送到存储器装置215。在一些实例中，电压轨230-a、230-b、230-c和230-d可以任何组合方式彼此短接以致使反馈信号从存储器装置215的反馈组件225发送到电力管理组件205的反馈组件210。
存储器装置215可包含短接组件235-a、235-b和235-c。短接组件235-a、235-b和235-c可各自为晶体管或其它开关组件的实例。在一些实例中，短接组件235-a可与电压轨230-a和电压轨230-b电子通信。短接组件235-b可与电压轨230-b和电压轨230-c电子通信。短接组件235-c可与电压轨230-c和电压轨230-d电子通信。
存储器装置215可检测存储器装置的条件、用于递送电力的组件网络(例如，电压轨230-a、230-b、230-c和230-d)的条件，或这两者。在这类情况下，存储器装置215可使用短接组件235-a、235-b和235-c中的任一个使第一轨(例如，电压轨230-a)与电压源短接。在一些情况下，电压源可为电压轨230-b、230-c或230-d或不同的电压源(例如，接地节点)。举例来说，存储器装置215可基于检测到所述条件经由短接组件235-a使电压轨230-a与电压轨230-b短接。每个短接组件235-a、235-b和235-c可将任何两个电压轨230-a、230-b、230-c和230-d短接在一起。举例来说，短接组件235-b可使电压轨230-b与电压轨230-c短接，且短接组件235-c可使电压轨230-c与电压轨230-d。
存储器装置215可包含反馈组件225。反馈组件225可与短接组件235-a、235-b和235-c电子通信。在这类情况下，反馈组件225可基于短接至少两个电压轨230-a、230-b、230-c和230-d产生反馈信号。反馈组件225可将反馈信号发射到电力管理组件205。在一些情况下，反馈信号可为电压脉冲的实例。在一些实例中，反馈组件225可与存储器裸片220-a和存储器裸片220-b上的传感器耦合以测量供应电压。反馈组件225可由图1的控制器实施。
在一些实例中，存储器装置215可选择将哪些电压轨230-a、230-b、230-c和230-d短接在一起。举例来说，存储器装置215可基于识别电压轨230-b、230-c或230-d中的任一个有错误而选择电压轨230-a与电压轨230-b、230-c或230-d短接。在这类情况下，可选择第一电压轨与包含错误的第二电压轨短接。在其它实例中，存储器装置215可基于识别电压轨230-a有错误而选择电压轨230-a与电压轨230-b、230-c或230-d短接。电压轨230-a、230-b、230-c和230-d可基于检测到电压轨230-a、230-b、230-c和230-d中的任一个上有错误而以任何组合彼此短接。
存储器装置215可基于感测到的温度、电压或这两者来选择将哪些电压轨230-a、230-b、230-c和230-d短接在一起。举例来说，存储器装置215可确定存储器装置215的方位处的温度满足温度阈值。在这类情况下，存储器装置215可经由短接组件235-a、235-b或235-c中的一个使第一电压轨(例如，电压轨230-a)与电压源(例如，电压轨230-b、230-c、230-d或接地节点)短接。
在其它实例中，存储器装置215可感测存储器装置215的方位处的电压并且确定感测的电压满足电压阈值。在这类情况下，存储器装置215可经由短接组件235-a、235-b或235-c中的一个使第一电压轨(例如，电压轨230-a)与电压源(例如，电压轨230-b、230-c、230-d或接地节点)短接。电压源的电压可不同于第一电压轨的电压。
基于所检测到的条件(例如，感测的电压、温度或这两者)，存储器装置215可确定短接电压轨230-a、230-b、230-c和230-d中的两个的持续时间。在其它实例中，存储器装置215可基于所检测到的条件确定用于短接电压轨230-a、230-b、230-c和230-d中的两个的脉冲模式。存储器装置215可根据所确定的持续时间、脉冲模式或这两者使两个电压轨230-a、230-b、230-c和230-d短接。脉冲模式可基于电压轨230-a、230-b、230-c和230-d的电压低于目标范围的较低电压阈值，电压轨230-a、230-b、230-c和230-d的电压高于目标范围的较高电压阈值，或这两者。脉冲模式的实例可包含不同长度脉冲的各种组合(例如，长脉冲和短脉冲的模式)。在一些实例中，脉冲模式可包含类似或相同长度的脉冲的各种组合。
在一些实例中，存储器装置215可确定电压轨230-a、230-b、230-c或230-d的电压低于目标范围的较低电压阈值。在此类实例中，如果电压轨230-a的电压低于目标范围的较低电压阈值，那么短接组件235-a可根据第一脉冲模式和第一持续时间使电压轨230-a与电压轨230-b、230-c或230-d短接。在一些情况下，较低电压阈值可包含多个电压阈值。
在其它实例中，存储器装置215还可以确定电压轨230-a、230-b、230-c或230-d的电压高于目标范围的较高电压阈值。举例来说，如果电压轨230-a的电压高于目标范围的较高电压阈值，那么短接组件235-a可根据不同于第一脉冲模式和第一持续时间的第二脉冲模式和第二持续时间使电压轨230-a与电压轨230-b、230-c或230-d短接。在一些情况下，较高电压阈值可包含多个电压阈值。电压轨230-a、230-b、230-c和230-d可以脉冲模式、持续时间或这两者的任何组合彼此短接。
本文中提供用于使用电压轨230-a、230-b、230-c和230-d的技术，通过基于检测到存储器装置215的条件使电压轨230-a、230-b、230-c和230-d中的两个短接，使组件235-a、235-b和235-c短接以提供反馈给电力管理组件205。所述条件可被电力管理组件205(和/或另一装置，例如主机装置)检测到并且可供电力管理组件205用于调节(例如，维持或调整)供应给存储器装置215的电压或调节存储器装置215的另一操作方面。
图3示出根据本文所公开的实例的支持使用短接对存储器裸片的电力管理的反馈的存储器装置305的框图300。存储器装置305可为参考图1和2所描述的存储器装置的方面的实例。存储器装置305可包含检测组件310、短接组件315、反馈组件320、电压组件325和选择组件330。这些模块中的每一个可彼此直接或间接(例如，经由一或多个总线)通信。
检测组件310可检测与存储器阵列耦合的用于递送电力的组件网络的条件。在一些实例中，检测组件310可基于检测到的条件确定用于使第一轨与电压源短接的持续时间，其中使第一轨与电压源短接是在所述持续时间内完成的。
在一些实例中，检测组件310可基于检测到的条件确定用于使第一轨与电压源短接的脉冲模式，其中使第一轨与电压源短接是根据所述脉冲模式完成的。在一些情况下，所述脉冲模式是基于用于递送电力的组件网络的轨的电压低于目标范围的较低电压阈值，用于递送电力的组件网络的轨的电压高于目标范围的较高电压阈值，或这两者。
短接组件315可基于检测到所述条件而使用于递送电力的组件网络的第一轨与电压源短接。在一些实例中，短接组件315可确定用于递送电力的组件网络或存储器阵列的方位处的温度满足温度阈值，其中使第一轨与电压源短接是基于确定温度满足温度阈值。
反馈组件320可基于短接第一轨而产生跨用于递送电力的组件网络的第一轨的反馈信号。在一些实例中，反馈组件320可基于产生反馈信号，将反馈信号跨可操作以供应电压给用于递送电力的组件网络的第一轨的信号路径发射到电力管理集成电路。在一些情况下，所述反馈信号包含电压脉冲。
电压组件325可感测用于递送电力的组件网络或存储器阵列的方位处的电压。在一些实例中，电压组件325可基于感测所述方位处的电压确定感测的电压满足电压阈值，其中使第一轨与电压源短接是基于确定感测的电压满足电压阈值。
在一些实例中，电压组件325可确定用于递送电力的组件网络的轨的电压低于目标范围的较低电压阈值，其中检测用于递送电力的组件网络的条件是基于确定所述电压低于较低电压阈值。
在一些实例中，电压组件325可确定用于递送电力的组件网络的轨的电压高于目标范围的较高电压阈值，其中检测用于递送电力的组件网络的条件是基于确定所述电压高于较高电压阈值。
在一些情况下，电压源包含用于递送电力的组件网络的第二轨。在一些情况下，第一轨包含第一电压电平且第二轨包含不同于所述第一电压电平的第二电压电平。在一些情况下，电压源包含接地节点。
选择组件330可基于识别用于递送电力的组件网络的轨的错误，选择用于递送电力的组件网络的第一轨与电压源短接。在一些实例中，选择组件330可基于识别用于递送电力的组件网络的第一轨的错误，选择用于递送电力的组件网络的第一轨与电压源短接。
图4示出说明根据本文所公开的实例的支持使用短接对存储器裸片的电力管理的反馈的方法400的流程图。方法400的操作可由如本文所描述的存储器装置或其组件实施。举例来说，可由如参考图3所描述的存储器装置执行方法400的操作。在一些实例中，存储器装置可执行指令集以控制存储器装置的功能元件以执行所描述的功能。另外或替代地，存储器装置可使用专用硬件执行所描述的功能的方面。
在405处，所述存储器装置可检测与存储器阵列耦合的用于递送电力的组件网络的条件。可根据本文中所描述的方法执行405的操作。在一些实例中，可由参考图3所描述的检测组件执行405的操作的方面。
在410处，存储器装置可基于检测到所述条件而使用于递送电力的组件网络的第一轨与电压源短接。可根据本文中所描述的方法执行410的操作。在一些实例中，可由参考图3所描述的短接组件执行410的操作的方面。
在415处，存储器装置可基于短接第一轨而产生跨用于递送电力的组件网络的第一轨的反馈信号。可根据本文中所描述的方法执行415的操作。在一些实例中，可由参考图3所描述的反馈组件执行415的操作的方面。
在一些实例中，如本文中所描述的设备可执行一或多种方法，例如方法400。所述设备可包含用于以下操作的特征、装置或指令(例如，非暂时性计算机可读媒体存储的可由处理器执行的指令)：检测与存储器阵列耦合的用于递送电力的组件网络的条件；基于检测到所述条件而使用于递送电力的组件网络的第一轨与电压源短接；和基于短接第一轨而产生跨用于递送电力的组件网络的第一轨的反馈信号。
本文所描述的方法400和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、装置或指令：基于产生反馈信号，将反馈信号跨可操作以供应电压给用于递送电力的组件网络的第一轨的信号路径发射到电力管理集成电路。本文所描述的方法400和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、装置或指令：基于识别用于递送电力的组件网络的轨的错误，选择用于递送电力的组件网络的第一轨与电压源短接。本文所描述的方法400和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、装置或指令：基于识别用于递送电力的组件网络的第一轨的错误，选择用于递送电力的组件网络的第一轨与电压源短接。
在本文所描述的方法400和设备的一些实例中，检测所述条件可另外包含用于以下操作的操作、特征、装置或指令：确定用于递送电力的组件网络或存储器阵列的方位处的温度满足温度阈值，其中使第一轨与电压源短接可基于确定温度满足温度阈值。在本文所描述的方法400和设备的一些实例中，检测所述条件可另外包含用于以下操作的操作、特征、装置或指令：感测用于递送电力的组件网络或存储器阵列的方位处的电压；和基于感测所述方位处的电压确定感测的电压满足电压阈值，其中使第一轨与电压源短接可基于确定感测的电压满足电压阈值。
本文所描述的方法400和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、装置或指令：基于检测到的条件确定用于使第一轨与电压源短接的持续时间，其中使第一轨与电压源短接可在所述持续时间内完成的。本文所描述的方法400和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、装置或指令：基于检测到的条件确定用于使第一轨与电压源短接的脉冲模式，其中使第一轨与电压源短接可根据所述脉冲模式完成的。
在本文所描述的方法400和设备的一些实例中，所述脉冲模式可基于用于递送电力的组件网络的轨的电压低于目标范围的较低电压阈值，用于递送电力的组件网络的轨的电压高于目标范围的较高电压阈值，或这两者。本文所描述的方法400和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、装置或指令：确定用于递送电力的组件网络的轨的电压可低于目标范围的较低电压阈值，其中检测用于递送电力的组件网络的条件可基于确定所述电压可低于较低电压阈值。
本文所描述的方法400和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、装置或指令：确定用于递送电力的组件网络的轨的电压可高于目标范围的较高电压阈值，其中检测用于递送电力的组件网络的条件可基于确定所述电压可高于较高电压阈值。在本文所描述的方法400和设备的一些实例中，电压源包含用于递送电力的组件网络的第二轨。在本文所描述的方法400和设备的一些实例中，第一轨包含第一电压电平且第二轨包含不同于所述第一电压电平的第二电压电平。在本文所描述的方法400和设备的一些实例中，电压源包含接地节点。在本文所描述的方法400和设备的一些实例中，反馈信号包含电压脉冲。
图5示出说明根据本文所公开的实例的支持使用短接对存储器裸片的电力管理的反馈的方法500的流程图。方法500的操作可由如本文所描述的存储器装置或其组件实施。举例来说，方法500的操作可由如参考图3所描述的存储器装置执行。在一些实例中，存储器装置可执行指令集以控制存储器装置的功能元件以执行所描述的功能。另外或替代地，存储器装置可使用专用硬件执行所描述的功能的方面。
在505处，所述存储器装置可检测与存储器阵列耦合的用于递送电力的组件网络的条件。可根据本文中所描述的方法执行505的操作。在一些实例中，可由参考图3所描述的检测组件执行505的操作的方面。
在510处，存储器装置可基于检测到所述条件而使用于递送电力的组件网络的第一轨与电压源短接。可根据本文中所描述的方法执行510的操作。在一些实例中，可由参考图3所描述的短接组件执行510的操作的方面。
在515处，存储器装置可基于短接第一轨而产生跨用于递送电力的组件网络的第一轨的反馈信号。可根据本文中所描述的方法执行515的操作。在一些实例中，可由参考图3所描述的反馈组件执行515的操作的方面。
在520处，存储器装置可基于产生反馈信号，将反馈信号跨可操作以供应电压给用于递送电力的组件网络的第一轨的信号路径发射到电力管理集成电路。可根据本文中所描述的方法执行520的操作。在一些实例中，可由参考图3所描述的反馈组件执行520的操作的方面。
应注意，上文所描述的方法描述了可能的实施方案，且操作和步骤可经重新布置或以其它方式修改，且其它实施方案是可能的。此外，可以组合来自方法中的两个或更多个的部分。
描述一种设备。所述设备可包含存储器单元阵列、与所述存储器单元阵列电子通信的电力管理集成电路以及控制器，所述控制器可操作以致使所述设备检测与存储器阵列耦合的用于递送电力的组件网络的条件；基于检测到所述条件而使用于递送电力的组件网络的第一轨与电压源短接；和基于短接第一轨而产生跨用于递送电力的组件网络的第一轨的反馈信号。
一些实例可另外包含基于产生反馈信号，将反馈信号跨可操作以供应电压给用于递送电力的组件网络的第一轨的信号路径发射到电力管理集成电路。一些实例可另外包含基于识别用于递送电力的组件网络的轨的错误，选择用于递送电力的组件网络的第一轨与电压源短接。
描述一种设备。所述设备可包含检测组件，其可操作以检测与存储器单元阵列耦合的用于递送电力的组件网络的条件；短接组件，其可操作以基于检测到所述条件而使所述用于递送电力的组件网络的第一轨与电压源短接；和反馈组件，其可操作以基于短接所述第一轨而产生跨所述用于递送电力的组件网络的所述第一轨的反馈信号。
在一些实例中，反馈组件可进一步可操作以基于产生所述反馈信号，将所述反馈信号跨可操作以供应电压给所述用于递送电力的组件网络的所述第一轨的信号路径发射到电力管理集成电路。所述设备的一些实例可包含选择组件，其可操作以基于识别所述用于递送电力的组件网络的轨的错误，选择所述用于递送电力的组件网络的所述第一轨与所述电压源短接。
可使用多种不同技术和技艺中的任一个来表示本文中所描述的信息和信号。举例来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。一些图式可将信令说明为单个信号；然而，所属领域的一般技术人员应理解，信号可表示信号的总线，其中总线可具有各种位宽度。
术语“电子连通”、“导电接触”、“连接”和“耦合”可以指组件之间支持电子在组件之间流动的关系。如果组件之间存在可在任何时间支持信号在组件之间流动的任何导电路径，那么组件被视为彼此电子通信(或彼此导电接触，或彼此连接，或彼此耦合)。在任何给定时间，基于包含所连接组件的装置的操作，彼此电子连通(或导电接触或连接或耦合)的组件之间的导电路径可以是开路或闭路。所连接组件之间的导电路径可以是组件之间的直接导电路径，或所连接组件之间的导电路径可以是可包含如开关、晶体管或其它组件的中间组件的间接导电路径。在一些实例中，可例如使用例如开关或晶体管等一或多个中间组件来中断所连接组件之间的信号流一段时间。
术语“耦合”是指从组件之间的开路关系移动到组件之间的闭路关系的条件，在开路关系中，信号当前无法通过导电路径在组件之间传达，在闭路关系中，信号能够通过导电路径在组件之间传达。当例如控制器等组件将其它组件耦合在一起时，组件起始允许信号经由先前不准许信号流动的导电路径在其它组件之间流动的改变。
本文中论述的装置，包含存储器阵列，可形成于例如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等半导体衬底上。在一些实例中，衬底是半导体晶片。在其它实例中，衬底可为绝缘体上硅(SOI)衬底，例如玻璃上硅(SOG)或蓝宝石上硅(SOP)，或另一衬底上的半导体材料的外延层。可通过使用包含但不限于磷、硼或砷的各种化学物质的掺杂来控制衬底或衬底的子区的导电性。可在衬底的初始形成或生长期间，通过离子植入或通过任何其它掺杂方法执行掺杂。
本文中所论述的开关组件或晶体管可表示场效应晶体管(FET)，且包括包含源极、漏极和栅极的三端装置。所述端子可通过导电材料(例如金属)连接到其它电子元件。源极和漏极可为导电的且可包括经重掺杂(例如，简并)半导体区。源极与漏极可通过经轻掺杂半导体区或沟道分离。如果沟道是n型(例如，大部分载流子为信号)，那么FET可以被称作n型FET。如果沟道是p型(即，多数载流子是空穴)，则FET可被称为p型FET。沟道可由绝缘栅极氧化物封端。可通过将电压施加到栅极来控制沟道导电性。例如，将正电压或负电压分别施加到n型FET或p型FET可导致沟道变得导电。当大于或等于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可“接通”或“激活”。当小于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可“断开”或“解除激活”。
本文结合附图阐述的描述内容描述了实例配置，且并不表示可以实施的或在权利要求书的范围内的所有实例。本文中所使用的术语“示范性”是指“充当实例、例子或说明”，且不“优选于”或“优于”其它实例。详细描述包含具体细节，以提供对所描述技术的理解。然而，可在没有这些具体细节的情况下实践这些技术。在一些情况下，以框图形式示出熟知结构和装置，以免混淆所描述实例的概念。
在附图中，类似组件或特征可以具有相同的参考标记。另外，可通过在参考标记之后跟着短划线及在类似组件当中进行区分的第二标记来区分相同类型的各种组件。如果说明书中仅使用第一参考标记，那么描述适用于具有相同第一参考标记的类似组件中的任一者，与第二参考标记无关。
可使用多种不同技术和技艺中的任一个来表示本文中所描述的信息和信号。举例来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。
结合本文中本公开所描述的各种说明性块和模块可使用通用处理器、DSP、ASIC、FPGA或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件、或经设计以执行本文所描述的功能的其任何组合来实施或执行。通用处理器可为微处理器，但在替代方案中，处理器可为任何处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器还可被实施为计算装置的组合(例如，DSP与微处理器的组合、多个微处理器、结合DSP核心的一或多个微处理器，或任何其它这类配置)。
本文中所描述的功能可在硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合中实施。如果以由处理器执行的软件来实施，那么可将功能作为一或多个指令或代码存储于计算机可读媒体上或通过计算机可读媒体予以传输。其它实例和实施在本公开和所附权利要求书的范围内。举例来说，归因于软件的性质，上文所描述的功能可使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬连线或任何这些的组合实施。实施功能的特征还可物理上位于各种位置处，包含经分布以使得功能的部分在不同物理位置处实施。并且，如本文中所使用，包含在权利要求书中，项目的列表(例如，以例如“……中的至少一个”或“……中的一或多个”的短语开始的项目的列表)中所使用的“或”指示包含性列表，使得例如A、B或C中的至少一个的列表意指A或B或C或AB或AC或BC或ABC(即，A和B和C)。另外，如本文所用，短语“基于”不应理解为提及封闭条件集。举例来说，在不脱离本公开的范围的情况下，描述为“基于条件A”的示范性步骤可基于条件A和条件B两者。换句话说，如本文所用，短语“基于”应同样地解释为短语“至少部分地基于”。
计算机可读媒体包含非暂时性计算机存储媒体和通信媒体两者，通信媒体包含有助于将计算机程序从一处传送到另一处的任何媒体。非暂时性存储媒体可为可由通用或专用计算机存取的任何可用媒体。借助于实例而非限制，非暂时性计算机可读媒体可包括RAM、ROM、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、光盘(CD)ROM或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置，或可用于携载或存储呈指令或数据结构形式的所要程序代码构件且可由通用或专用计算机或通用或专用处理器存取的任何其它非暂时性媒体。并且，适当地将任何连接称作计算机可读媒体。举例来说，如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)或例如红外线、无线电和微波的无线技术从网站、服务器或其它远程源传输软件，那么所述同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)或例如红外线、无线电和微波的无线技术包含在媒体的定义中。如本文中所使用，磁盘和光盘包含CD、激光光盘、光学光盘、数字影音光盘(DVD)、软性磁盘和蓝光光盘，其中磁盘通常以磁性方式再现数据，而光盘利用激光以光学方式再现数据。以上各者的组合也包含在计算机可读媒体的范围内。
提供本文中的描述使得所属领域的技术人员能够进行或使用本公开。所属领域技术人员将清楚对本公开的各种修改，且本文中所定义的一般原理可应用于其它变化形式而不会脱离本公开的范围。因此，本公开不限于本文所述的实例和设计，而是被赋予与本文所公开的原理和新颖特征一致的最宽范围。

Claims (21)

1.一种方法，其包括：
检测与存储器阵列耦合的用于递送电力的组件网络的条件；
至少部分地基于检测到所述条件而使所述用于递送电力的组件网络的第一轨与电压源短接；和
至少部分地基于短接所述第一轨而产生跨所述用于递送电力的组件网络的所述第一轨的反馈信号。
2.根据权利要求1所述的方法，其另外包括：
至少部分地基于产生所述反馈信号，将所述反馈信号跨能够操作以供应电压给所述用于递送电力的组件网络的所述第一轨的信号路径发射到电力管理集成电路。
3.根据权利要求1所述的方法，其另外包括：
至少部分地基于识别所述用于递送电力的组件网络的轨的错误，选择所述用于递送电力的组件网络的所述第一轨与所述电压源短接。
4.根据权利要求1所述的方法，其另外包括：
至少部分地基于识别所述用于递送电力的组件网络的所述第一轨的错误，选择所述用于递送电力的组件网络的所述第一轨与所述电压源短接。
5.根据权利要求1所述的方法，其中检测所述条件另外包括：
确定所述用于递送电力的组件网络或所述存储器阵列的方位处的温度满足温度阈值，其中使所述第一轨与所述电压源短接至少部分地基于确定所述温度满足所述温度阈值。
6.根据权利要求1所述的方法，其中检测所述条件另外包括：
感测所述用于递送电力的组件网络或所述存储器阵列的方位处的电压；和
至少部分地基于感测所述方位处的所述电压确定所述感测的电压满足电压阈值，其中使所述第一轨与所述电压源短接至少部分地基于确定所述感测的电压满足所述电压阈值。
7.根据权利要求1所述的方法，其另外包括：
至少部分地基于所述检测到的条件确定用于使所述第一轨与所述电压源短接的持续时间，其中使所述第一轨与所述电压源短接是在所述持续时间内完成的。
8.根据权利要求1所述的方法，其另外包括：
至少部分地基于所述检测到的条件确定用于使所述第一轨与所述电压源短接的脉冲模式，其中使所述第一轨与所述电压源短接是根据所述脉冲模式完成的。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述脉冲模式至少部分地基于所述用于递送电力的组件网络的轨的电压低于目标范围的较低电压阈值，所述用于递送电力的组件网络的所述轨的所述电压高于所述目标范围的较高电压阈值，或这两者。
10.根据权利要求1所述的方法，其另外包括：
确定所述用于递送电力的组件网络的轨的电压低于目标范围的较低电压阈值，其中检测所述用于递送电力的组件网络的所述条件至少部分地基于确定所述电压低于所述较低电压阈值。
11.根据权利要求1所述的方法，其另外包括：
确定所述用于递送电力的组件网络的轨的电压高于目标范围的较高电压阈值，其中检测所述用于递送电力的组件网络的所述条件至少部分地基于确定所述电压高于所述较高电压阈值。
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述电压源包括所述用于递送电力的组件网络的第二轨。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一轨包括第一电压电平且所述第二轨包括不同于所述第一电压电平的第二电压电平。
14.根据权利要求1所述的方法，其中所述电压源包括接地节点。
15.根据权利要求1所述的方法，其中所述反馈信号包括电压脉冲。
16.一种设备，其包括：
存储器单元阵列，
电力管理集成电路，其与所述存储器单元阵列电子通信，和
控制器，其能够操作以使得所述设备：
检测与所述存储器单元阵列耦合的用于递送电力的组件网络的条件；
至少部分地基于检测到所述条件而使所述用于递送电力的组件网络的第一轨与电压源短接；和
至少部分地基于短接所述第一轨而产生跨所述用于递送电力的组件网络的所述第一轨的反馈信号。
17.根据权利要求16所述的设备，其中所述控制器能够进一步操作以致使所述设备：
至少部分地基于产生所述反馈信号，将所述反馈信号跨能够操作以供应电压给所述用于递送电力的组件网络的所述第一轨的信号路径发射到所述电力管理集成电路。
18.根据权利要求16所述的设备，其中所述控制器能够进一步操作以致使所述设备：
至少部分地基于识别所述用于递送电力的组件网络的轨的错误，选择所述用于递送电力的组件网络的所述第一轨与所述电压源短接。
19.一种设备，其包括：
检测组件，其能够操作以检测与存储器单元阵列耦合的用于递送电力的组件网络的条件；
短接组件，其能够操作以至少部分地基于检测到所述条件而使所述用于递送电力的组件网络的第一轨与电压源短接；和
反馈组件，其能够操作以至少部分地基于短接所述第一轨而产生跨所述用于递送电力的组件网络的所述第一轨的反馈信号。
20.根据权利要求19所述的设备，其中所述反馈组件能够进一步操作以至少部分地基于产生所述反馈信号，将所述反馈信号跨能够操作以供应电压给所述用于递送电力的组件网络的所述第一轨的信号路径发射到电力管理集成电路。
21.根据权利要求19所述的设备，其另外包括：
选择组件，其能够操作以至少部分地基于识别所述用于递送电力的组件网络的轨的错误，选择所述用于递送电力的组件网络的所述第一轨与所述电压源短接。
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US9372522B2 (en) * 2012-04-20 2016-06-21 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Overvoltage protection systems and method
US9292065B2 (en) 2013-10-16 2016-03-22 Nvidia Corporation System and method for providing low-voltage, self-powered voltage multi-sensing feedback
CN104700886B (zh) 2013-12-06 2019-05-31 恩智浦美国有限公司 具有电源状态传感器的存储器电路
US9350155B2 (en) * 2014-01-08 2016-05-24 Dell Products L.P. Memory short protection system
US10019048B2 (en) 2015-05-04 2018-07-10 Mediatek Inc. Early power compensation method and apparatus thereof
US11216323B2 (en) 2015-09-16 2022-01-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Solid state memory system with low power error correction mechanism and method of operation thereof
US9829967B2 (en) 2015-10-08 2017-11-28 Nvidia Corporation Techniques for limiting power via secondary control of a voltage regulator

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