CN105453065A - 在数据突发之前冷却存储器的温度控制的存储模块 - Google Patents

在数据突发之前冷却存储器的温度控制的存储模块 Download PDF

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CN105453065A CN201480037478.XA CN201480037478A CN105453065A CN 105453065 A CN105453065 A CN 105453065A CN 201480037478 A CN201480037478 A CN 201480037478A CN 105453065 A CN105453065 A CN 105453065A
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Abstract

一种在数据突发之前冷却存储器的温度控制的存储器。在一个实施例中，提供一种存储模块，其包括存储器、温度传感器、热电冷却器和控制器。控制器确定与存储模块通信的主机即将发送数据的突发，然后激活热电冷却器以冷却存储器。控制器可以从来自主机的通知，或者通过基于一段时间的来自主机的写入活动进行推断来确定主机即将发送数据突发。这使得在突发期间更高的并行性，因此改进突发的性能。

Description

在数据突发之前冷却存储器的温度控制的存储模块
背景技术
存储器、诸如NAND闪存的表现往往非常依赖于它的操作和存储温度。在高温下，由于更好的退火，耐久性被改进，但是数据保持性根据阿列纽斯(Arrhenius)方程而恶化。在非常低的温度下，其他效果突出。存储器设计者考虑到这种依赖来生产在宽的温度范围内操作的存储器，该存储器提供数据保存性、耐久性和其他存储器特征之间的折衷。然而，在宽的温度范围内操作是一种折衷，因为某些特征更适合于为其具体操作定制的较小温度范围。
与温度相关的问题也能通过其他方式影响存储模块。例如，增加的读取和写入性能往往需要多个存储器裸芯或平面并行以实现所需的性能。电流消耗和散热量是可能限制在存储模块中并行的数量的两个主要因素。即使对电流消耗没有限制并且主机可以保证所需的壳体温度，但由于存储器裸芯和壳体之间的被动耐热性仍然可能是热问题。此外，对存储模块的典型主机访问往往是对于被称为突发的数据的短时间、集中的需求。在突发的时间期间，更多的需求放置在存储器上，这可能将存储器的温度增加到达到或超过最大操作温度额定值的水平。
发明内容
本发明的实施例由权利要求来限定，并且在该部分不会被认为是作为对该权利要求的限制。
通过介绍，下面的实施例涉及在接收数据突发之前冷却存储器的温度控制的存储模块。在一个实施例中，提供一种存储模块，其包括存储器、温度传感器、热电冷却器和控制器。该控制器确定与存储模块通信的主机即将发送数据的突发，并且然后激活热电冷却器以冷却存储器。控制器可以从来自主机的通知，或者通过基于一段时间的来自主机的写入活动做出推断，来确定主机即将发送数据突发。这使能在突发期间的更高的并行性，因此改进突发的性能。
其他实施例是可能的，并且实施例的每个可以单独使用或结合在一起使用。因此，现在各个实施例将参考附图来描述。
附图说明
图1是实施例的示例存储模块的框图。
图2A是实施例的主机的框图，其中图1的示例的存储模块被嵌入在主机中。
图2B是可拆卸地连接到主机的图1的示例存储模块的框图，其中该存储模块和主机是可分离的、可移动的装置。
图3是用于控制存储模块的温度的实施例的方法的流程图。
图4是用于控制存储模块的温度的实施例的电路的示意图。
图5是具有单个热电冷却器的实施例的存储模块的示意图。
图6是示出了从图5的存储模块的热传递的示意图。
图7是具有两个热电冷却器的实施例的存储模块的示意图。
图8是示出了从图7的存储模块的热传递的示意图。
图9A和图9B是在突发时段之前冷却存储器裸芯的实施例的图示。
图10是另一个实施例的存储模块的图示。
图11是现有技术的热电冷却器的图示。
具体实施方式
参见附图，图1是实施例的存储模块100的示意图。如图1中所示，存储模块100包括与一个或多个存储器裸芯120通信的控制器110，存储器裸芯120具有在存储器裸芯120中或在存储器裸芯120上的温度传感器125。如这里所使用的，短语“与......通信”能够意味着与其直接地通信或通过一个或多个组件而间接地通信，该一个或多个组件可能在这里示出或描述，或者可能不在这里示出或描述。图1显示了存储器裸芯120作为NAND存储器裸芯；然而，可以使用其它存储器技术。而且，存储器120可以是一次性可编程的、少次可编程的、或多次可编程的。存储器120也可以使用单级单元(single-levelcell，SLC)、多级单元(multiple-levelcell，MLC)、三级单元(triple-levelcell，TLC)、或现在已知的或以后开发的其它存储器技术。而且，存储器120可以是二维或三维的(例如，位成本存储器(BitCostMemory，BiCS)，并且可以是多芯片封装体或单芯片封装体。
图1中的存储模块100还包括温度传递器件，诸如热电冷却器(thermoelectriccooler，TEC)130。(在一个实施例中，控制器110、存储器裸芯130、和TEC130都堆叠在基板上，以及所有那些组件都被包裹在集成电路封装体50中。)热电冷却器是使用珀尔帖效应(Peltiereffect)来创建两个不同类型的材料的接合体之间的热通量的固态装置。通常，热电冷却器通过珀耳帖效应来操作。如图11所示，一种类型的现有技术的热电冷却器1100(可以使用其他类型)具有两侧，并且当直流电流流过冷却器1100，它将热量从冷却器1100一侧带到另一侧。这会导致一侧变得冷却，而另一侧变得更热。变得冷却的一侧被附接到冷却板1110，并且变得更热的一侧被附接到散热器1120。热电冷却器1100可以由具有不同的电子密度的两个独特的半导体(一个p型1130和一个n型1140)制成。半导体1130、1140彼此热并行且电串联地放置，然后与在每侧上的导热板1150、1160(在它们旁边有绝缘体1170、1180)结合。当将电压施加到两个半导体1130、1140的自由端时，直流电流流动穿过半导体1130、1140的接合体引起温度差。具有冷却板1110的一侧吸收热量，热量然后被移动到具有散热器1112的另一侧。
因为热电冷却器是热泵，该热泵由于电能的消耗而将热量从装置的一侧传递到另一侧，热电冷却器可以用于依赖于电流的方向而冷却(制冷)或加热。如将在下面所讨论的，在这些实施例中，热电冷却器用于冷却或加热存储器裸芯120，以保持期望的温度。因为冷却和加热需要来自电源的额外的电流，当设计系统用于与存储模块100一起使用时应当考虑到这样的电力需求，以确保有足够的电力被供给存储模块100。由于电力需求，存储模块100可能发现在没有电力不足的情形下的特定用途，诸如在固态盘中或在具有嵌入式存储器的主机装置(例如，机顶盒)中。然而，这些实施例也可以与可移动存储装置一起使用。例如，存储模块100可以从外部源接收电力以供电给控制器110和存储器120，或者可以具有其自己的电源(例如，电池)。此外，如将在下面描述的，还可以有存储模块100的内部或外部的附加的TEC(诸如(TEC2)150)。热电冷却器130的使用将在下面详细地讨论。
如图2A所示，存储模块100可以被嵌入在具有主控制器220的主机210中。也就是说，主机210体现了主机控制器220和存储模块100，使得主机控制器220与嵌入式存储模块100接口以管理其操作。例如，存储模块100可以采取由SanDisk公司的iNANDTMeSD/eMMC嵌入式快闪盘的形式。在主机210中的主机控制器220或另一个组件将为存储模块100提供电力。例如，主机控制器220可以使用存储接口，诸如eMMC、UFS、USB、SATA、SAS、SCSI、光纤通道、或PCIe，来与嵌入式存储模块100接口。主机210可以采取任何形式，诸如，但不限于，固态盘(SSD)、混合存储装置(具有硬盘驱动器和固态盘)、存储器缓存系统、移动电话、平板计算机、数字媒体播放器、游戏装置、个人数字助理(PDA)、移动(例如，笔记本、膝上)个人计算机(PC)、或电子书阅读器。如图2A所示，主机210可以包括可选的其他功能模块230。例如，如果主机210是移动电话，其他功能模块230可以包括硬件和/或软件组件来拨打和处理电话。作为另一个例子，如果主机210具有网络连接能力，其他的功能模块230可包括网络接口。当然，这些只是一些示例，并且可以使用其它实现方式。另外，主机210可以包括其它组件(例如，音频输出、输入-输出端口，等等)，这些其他组件未在图2A中示出以简化附图。
如图2B所示，代替主机中的嵌入式装置，存储模块100可以具有如下物理和电连接器，这种连接器允许存储模块100经由配对连接器可拆卸地连接到(具有主机控制器245的)主机240。在主机240中的主机控制器245或另一个组件可以给存储模块100供电，或可以从另一个装置提供电力给存储模块100。在该实施例中，存储模块100是与主机240分离(且不嵌入其中)的装置。例如，存储模块100可以是例如可移动存储器装置，诸如安全数字(SD)存储卡，微型SD(microSD)存储卡，紧凑型快闪(CF)存储卡，或通用串行总线(USB)装置(具有与主机的USB接口)，并且主机240是分离的装置，诸如移动电话、平板计算机、数字媒体播放器、游戏装置、个人数字助理(PDA)、移动(例如，笔记本，膝上)个人计算机(PC)，或电子书阅读器等。
在图2A和2B中，存储模块100经由存储接口与主机控制器220或主机240通信。例如，存储接口可以采取任何适当的形式，诸如，但不限于，eMMC、UFS、UBS、SATA、SAS、SCSI、光纤通道、或PCIe。在存储模块110中的接口从主机控制器220(图2A)或主机240(图2B)向控制器110传送存储器管理命令，并且也从控制器110向主机控制器220(图2A)或主机240(图2B)传送存储器响应。此外，应该指出的是，当存储模块110被嵌入在主机210中时，由存储模块100中的控制器110执行的这里描述的一些或全部功能可以改为由主机控制器220来执行。
回到图1，控制器110包括主机接口模块111、快闪管理模块112、闪存接口模块113、TEC控制器115、和可选的温度传感器117。控制器110可以以任何合适的方式实现，并且可以是来自SanDisk公司或其他供应商的控制器。例如，控制器110可以采取微处理器或处理器以及计算机可读介质的形式，计算机可读介质存储由例如(微)处理器、逻辑门、开关、专用集成电路(ASIC)、可编程逻辑控制器和嵌入式微控制器可执行的计算机可读程序代码(例如，软件或固件)。TEC控制器115与各种模块111、112、113、115中的一个或多个可以在硬件中实现，或可以通过由控制器110的中央处理单元(CPU)执行的(存储在存储器120或另一个位置中的)计算机可读程序代码来实现。
例如，主机接口模块111通过存储接口接收主机命令(例如，读取和写入命令)，该存储接口诸如eMMC或上面列出的任何其它接口。快闪管理模块112是由控制器110执行来处理主机请求并把它们翻译成NAND快闪操作的固件，并且闪存接口模块113根据由快闪管理模块112提供的指令执行存储器操作。
TEC控制器115用于与TEC130结合以向TEC130提供电力，以适当地加热或冷却NAND存储器裸芯120。如上所述，存储器、诸如NAND闪存的表现往往非常依赖于温度。在高温下，由于更好的退火，耐久性被改进，但是数据保持性恶化。在非常低的温度下，其他效果突出。存储器设计者考虑到这种依赖以生产在宽的温度范围内操作的存储器，但是使用宽的温度范围往往不是最理想的，因为某些特征更适合于为其具体操作定制的较小温度范围。
该实施例可以用于设置存储模块100的温度在最适合其特定操作的温度。此外，通过该实施例，存储模块100的终端用户可以有能力来控制存储模块的温度来强调期望的系统或存储器(例如，NAND)特征，诸如耐久性或数据保持性。例如，通过一些存储器技术，优选0℃至40℃的温度范围用于高数据保持性，而优选55℃至85℃的温度范围用于高耐久性。
在操作中，TEC控制器115将从温度传感器125的温度读数与目标温度比较。目标温度可以由快闪管理模块112提供给TEC控制器115，并且TEC控制器115可以通过NAND命令获得从温度传感器125的温度读数。如果从温度传感器125的温度读数与目标温度不同，TEC控制器115可以激活TEC130以适当地冷却或加热存储器120。该操作在图3的流程图300中示出。
如图3所示，TEC控制器115将从温度传感器125的温度读数与目标温度比较(动作310)。目标温度可以是由存储模块100的用户预定(固定)或可调节。例如，用户可以通过存储协议命令改变温度，以获得期望的存储器特征。另外，目标温度可以是单个温度(例如，55℃)或温度范围(例如，55℃至85℃)。如果从温度传感器125的温度读数比目标温度更高，TEC控制器115设置TEC130的电力，以使其冷却存储器裸芯120(动作320)。如果从温度传感器125的温度读数比目标温度更低，TEC控制器115设置TEC130的电力，以使其加热存储器裸芯120(动作330)。如果从温度传感器125的温度读数等于目标温度，TEC控制器115关闭TEC130的电源，以使其不加热也不冷却存储器裸芯120(动作340)。在等待一段时间(动作350)之后，该方法可以重新开始。
图4是用于控制温度的实施例的电路示意图。在该实施例中，目标温度是在基准1(例如，55℃)和基准2(例如，85℃)之间的范围。如图4所示，该电路包括两个运算放大器410、420、在TEC130的一侧的第一组MOSFET430、440、以及在TEC130的另一侧的第二组MOSFET450、460。在每一对中，一次只有一个MOSFET导通。在操作中，第一运算放大器410将从温度传感器125的温度读数与第一基准温度进行比较。如果温度读数比基准温度高时，电压被施加到第一组的MOSFET430、440(430正导通)以推动电流通过TEC130以激活冷却操作。第二运算放大器420比较从温度传感器125的温度读数与第二基准温度。如果温度读数比基准温度更低时，电压被施加到第二组MOSFET450、460以拉动电流通过TEC130，以激活加热操作。以这种方式，TEC130可以在存储器裸芯120上保持固定的温度或温度范围。
这些实施例有许多配置和替代。例如，在上述实施例中，温度传感器125是存储器裸芯120的一部分。然而，代替或除了存储器裸芯120中的温度传感器125，存储模块110可以具有在控制器110的ASIC中或在存储模块100中的另一个位置中的温度传感器117(见图1)。如果使用多个温度传感器时，TEC控制器115可分别使用单独的读数(例如，取最高/最低读数)或以某种方式一起使用它们(例如，平均这些读数，将不同的权重应用于读数等)。
TEC130可以位于在存储模块100中的任何合适的位置，并且图5-8示出一些示例的配置。在图5中，控制器110、存储器裸芯120、和TEC130都堆叠在基板500上，TEC130位于基板500和在存储器裸芯120的堆叠中的第一存储器裸芯之间。基板500经由多个焊球520而热和电地耦合到印刷电路板510。基板500和焊球520可以是球栅阵列(BGA)封装体的一部分，诸如来自英特尔的HL-PBGA封装体。图6示出了从图5的存储模块100热传递的示意图。如图6中所示，虽然有来自存储器裸芯130的侧面和顶部的一些热流，但大部分热量通过TEC130从存储器裸芯120传递，并且经由基板500和焊球520通过印刷电路板510消散。
如果在离TEC130最近的裸芯和最远的裸芯之间有显著的温度梯度，可能需要附加的加热/冷却，并且一个或多个附加的TEC可以被添加到存储模块100中。例如，在图7中，第二个TEC700被添加到堆叠的顶部，从而使存储器裸芯120被夹在两个TEC130、700之间，以便于将内部裸芯与外界温度隔绝。与图5和6所示的配置比较，控制器110从存储器裸芯120的顶部移动到底部，并且导热填充物710被添加以填充空隙。图8示出了这种配置的热传递，其中两个TEC130、170从存储模块100的顶部和底部消散热量。
应当注意的是，虽然TEC是在上述示例中的存储模块100的封装体50(壳体)的内部，但代替或除了封装体50的内部的TEC以外，可以使用在封装体50(见图1)的外部的TEC。在存储模块100正操作在异常温暖或寒冷的环境的情形中，该替代可以是优选的。由于外部TEC150位于存储模块100的外面并且不受空间和其他制约影响，因此可以使用用于冷却或加热的更大的装置(例如，标准冷藏技术)。
在上述示例中，假定期望目标温度用于整个存储器裸芯120以优化一个NAND特征。然而，可能有超过一个的NAND特征，为超过一个的NAND特征期望不同的目标温度。例如，可能期望设计具有非常长的数据保持性用于用户内容和非常高的耐久性用于单级单元(SLC)高速缓存的存储模块，这样的数据保持性和耐久性两者不能在相同的温度来最佳地实现。为了解决这种情况，存储器裸芯可以被分成多个区域，每个区域与不同的目标温度相关联。也可以将TEC分成由TEC控制器独立地控制的相应的多个区域。因此，对于上面的示例，优点是可以采取TEC和存储器的平面性的优点以将存储器和TEC分成两个分离的独立单元。第一个TEC区域可以加热高速缓存块且保证高的耐久性，然而，同时，第二个TEC区域可以冷却用户内容块(完整块)，并保证高数据保持性。以这种方式，横跨TEC的非均匀的温度特性(profile)被用来实现不同的温度条件用于不同的存储器用途(在此，高速缓存和完整块的存储)。
在另一个实施例中，当主机发送数据的突发时，存储模块的温度控制用于阻止存储器的温度升高到或高于最大操作温度额定值。如这里所使用的，“数据的突发”指的是主机的相对高的负载时段(即，主机正在写入相对高的数量的数据和/或发出相对高的数量的写入命令的时段)。即，突发是当要求存储模块100的性能高于平均性能以满足主机的写入活动时的时间段。在许多情况下，主机正大部分时间操作在近空闲模式，且当对于数据有高需求时(例如，当用户激活主机装置(诸如相机或移动电话)时，或者当带有大附件的邮件到达时)，偶尔发送数据的突发。数据的突发的典型持续时间是几秒钟，以及所需的性能比在其他模式更高。对于数据的短期且集中的需求可能增加存储器的温度到危险的程度，并且可能负面地影响系统的响应，特别是当使用多个裸芯并行以满足增长的读取和写入性能的要求时。
为了解决该问题，在另一个实施例中(可与上述讨论的实施例一起或单独使用，TEC控制器115确定主机即将发送数据突发，然后在接收数据冲突之前激活TEC130以冷却存储器120。
TEC控制器115可以确定器主机即将以任何合适的方式发送数据突发。例如，TEC控制器115可以(例如，经由存储协议命令)接收主机即将发送数据突发的通知。该通知可以明确地指示，数据突发即将到来，或者可以包含指示即将到来的突发(例如，主机缓冲区已满)的一些其他消息。作为另一个示例，存储模块100可以具有用于基于主机活动来推理何时即将发生突发的内部检测机构。例如，存储模块100可以确定一段时间的主机的写入活动是否超过阈值。写入活动可以是例如从主机接收的将被写入到存储模块100中的数据的量和/或从主机接收的写入命令的数量(例如，每秒输入/输出操作的数目(“IOPS”))。优选的，存储模块100评估是否有数据的突发的时间段足够小以能够进行数据突发的快速检测，但足够大(例如，100-200毫秒)以消除在检测中的噪声。此外，用以衡量写入活动的阈值可以是静态的(绝对数)(例如，以40MB/s的速率从主机接收数据和/或在100-200毫秒窗口期间从主机接收200-2000个写入命令)或动态的(相对数目)(例如，作为以加权的或未加权的方式的基于主机的以前的写入活动的百分比(在相同或不同的时间段期间))。如果存储模块100被设计成既从主机接受通知并且具有内部检测机构，规则可被设置为如果有冲突(例如，来自主机的通知将触发冷却操作，并且来自内部检测机构的随后指示将被忽略)，确定跟随哪个指示。
不考虑所使用的方法，当TEC控制器115确定主机即将发送突发时，TEC控制器115激活TEC130以在主机发送突发之前冷却存储器120。目标较低的温度可以被设置，或者TEC130可以运行直至关闭。这“预冷却”存储器120以考虑当主机发送的突发时将要产生的热量。TEC控制器115可以响应于来自主机的通知或者通过从主机的写入活动做出推断，来确定何时停止冷却存储器120。
图9A和9B示出了该实施例。如图9A所示，在数据突发之前和之后，主机处于空闲模式。如图9A和9B所示，在主机发送数据突发之前，存储器120正操作在低于最大操作温度的恒定温度。在使用四个裸芯并行的情况下，当主机发送数据的突发且在高于正常操作条件的温度以ΔT的温度达到峰值时，存储器120的温度上升。如图9B所示，该峰值温度低于最大操作温度，但仍是相对高的。然而，当使用8个裸芯并行时，在突发期间遭遇2XΔT的温度升高，这使存储器120的温度增加到最大操作温度以上，并且可能导致对存储模块100的损坏。
使用该实施例的方法时，当存储模块100从主机接收突发通知时，它在接收到突发之前冷却存储器120。这降低了存储器120的温度底线，因此即使有2XΔT的温度升高，温度也比最大操作温度更低。
有许多替代可与本实施例一起使用。例如，代替在突发的结束时停止冷却存储器，TEC控制器115可以在突发的结束之后提供进一步地冷却，来为下一个突发准备，特别是如果下一个突发将在很短时间(例如，15秒)后发生，或者当由存储装置100内部检测到突发的启动(由于在已经开始突发之后内部检测可能导致启动冷却)时。在另一个替代的实施例中(在图10中示出)，代替或除了控制一个或多个TEC的在存储模块100中的TEC控制器115以外，主机1025可以包含它自己的TEC控制器1040以及在存储模块封装体50外部(但最好接近它)的一个或多个它自己的TEC1050。作为另一个替代，在主机1025中的控制器30可以(例如，经由存储协议命令)发送指令给存储模块100中的TEC控制器115来操作在存储模块100中及围绕存储模块100的TEC130、150。相反地，在存储模块100中的TEC控制器115可以命令在主机1025中的TEC控制器1040操作它的TEC1050。
上述详细描述意在理解为本发明可以采取而不作为本发明限定的选择形式的说明。只有下面的权利要求，包括所有等同，意在限定本发明要求保护的范围。最后，应当注意的是，这里描述的任何优选的实施例的任何方面可以单独使用或彼此组合使用。

Claims (34)

1.一种存储模块，包括：
存储器；
温度传感器；
热电冷却器；以及
与所述存储器、所述温度传感器、和所述热电冷却器通信的控制器，其中所述控制器被配置为：
确定与所述存储模块通信的主机即将发送数据突发；以及
激活所述热电冷却器以冷却所述存储器。
2.如权利要求1所述的存储模块，其中所述控制器从来自所述主机的通知确定所述主机即将发送所述数据突发。
3.如权利要求1所述的存储模块，其中所述控制器通过基于来自所述主机的写入活动进行推断来确定所述主机即将发送所述数据突发。
4.如权利要求3所述的存储模块，其中所述来自所述主机的写入活动包括下列的一个或两个：(i)从所述主机接收的将被写入在所述存储器中的数据的量，以及(ii)从所述主机接收的写入命令的数目。
5.如权利要求1所述的存储模块，其中所述控制器还被配置为：
确定所述主机不再发送所述数据突发；以及
去激活所述热电冷却器。
6.如权利要求5所述的存储模块，其中所述控制器从来自主机的通知确定所述主机不再发送所述数据突发。
7.如权利要求5所述的存储模块，其中所述控制器通过基于来自所述主机的写入活动进行推断来确定所述主机不再发送所述数据突发。
8.如权利要求7所述的存储模块，其中所述来自所述主机的写入活动包括下列的一个或两个：(i)从所述主机接收的将被写入在所述存储器中的数据的量，以及(ii)从所述主机接收的写入命令的数目。
9.如权利要求1所述的存储模块，其中所述控制器还被配置为在主机发送所述数据突发之后继续冷却所述存储器以为下次所述主机发送数据突发做准备。
10.如权利要求1所述的存储模块，其中所述控制器还被配置为从所述主机的控制器接收命令以激活所述热电冷却器。
11.如权利要求1所述的存储模块，其中所述控制器还被配置为向所述主机的控制器发送命令以激活由所述主机控制的所述热电冷却器。
12.如权利要求1所述的存储模块，其中所述存储器包括多个存储器裸芯，其中所述存储模块包括附加的热电冷却器，并且其中所述多个存储器裸芯位于所述热电冷却器和所述附加的热电冷却器之间。
13.如权利要求1所述的存储模块，还包括包裹所述控制器和所述存储器的封装体，并且其中所述热电冷却器在封装体的外部。
14.如权利要求1所述的存储模块，其中所述存储模块被嵌入在所述主机中。
15.如权利要求1所述的存储模块，其中所述存储模块可移动地连接到所述主机。
16.如权利要求1所述的存储模块，其中所述存储器是NAND存储器。
17.如权利要求1所述的存储模块，其中所述存储模块是固态盘。
18.一种用于在数据突发之前冷却存储模块的方法，所述方法包括：
在具有存储器、温度传感器和热电冷却器的存储模块中执行以下步骤：
确定与所述存储模块通信的主机即将发送数据突发；以及
激活所述热电冷却器以冷却所述存储器。
19.如权利要求18所述的方法，其中所述方法从来自所述主机的通知确定所述主机即将发送所述数据突发。
20.如权利要求18所述的方法，其中所述方法通过基于来自所述主机的写入活动进行推断来确定所述主机即将发送所述数据突发。
21.如权利要求20所述的方法，其中所述来自所述主机的写入活动包括下列的一个或两个：(i)从所述主机接收的将被写入在所述存储器中的数据的量，以及(ii)从所述主机接收的写入命令的数目。
22.如权利要求18所述的方法，还包括：
确定所述主机不再发送所述数据突发；以及
去激活所述热电冷却器。
23.如权利要求22所述的方法，其中所述方法从来自所述主机的通知确定所述主机不再发送所述数据突发。
24.如权利要求22所述的方法，其中所述方法通过基于来自所述主机的写入活动进行推断来确定所述主机不再发送所述数据突发。
25.如权利要求24所述的方法，其中所述来自所述主机的写入活动包括下列的一个或两个：(i)从所述主机接收的将被写入在所述存储器中的数据的量，以及(ii)从所述主机接收的写入命令的数目。
26.如权利要求18所述的方法，还包括：
在主机发送所述数据突发之后继续冷却所述存储器以为下次所述主机发送数据突发做准备。
27.如权利要求18所述的方法，还包括：
从所述主机的控制器接收命令以激活所述热电冷却器。
28.如权利要求18所述的方法，还包括：
向所述主机的控制器发送命令以激活由所述主机控制的热电冷却器。
29.如权利要求18所述的方法，其中所述存储器包括多个存储器裸芯，其中所述存储模块包括附加的热电冷却器，并且其中所述多个存储器裸芯位于所述热电冷却器和所述附加的热电冷却器之间。
30.如权利要求18所述的方法，其中所述存储模块还包括包裹所述控制器和所述存储器的封装体，并且其中所述热电冷却器在封装体的外部。
31.如权利要求18所述的方法，其中所述存储模块被嵌入在所述主机中。
32.如权利要求18所述的方法，其中所述存储模块可移动地连接到所述主机。
33.如权利要求18所述的方法，其中所述存储器是NAND存储器。
34.如权利要求18所述的方法，其中所述存储模块是固态盘。
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