CN108710475A - 增强固态硬盘低温鲁棒性的方法、装置及计算机设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及增强固态硬盘低温鲁棒性的方法、装置及计算机设备，该方法包括获取系统温度；获取系统所处状态；根据系统所处状态判断系统温度是否满足设定条件；若是，则根据系统所处状态对系统进行自热处理，并进入下一步骤；若否，则进入下一步骤；驱动系统响应请求。本发明通过在系统处于不同状态下，监测系统温度，当系统温度满足低温设定条件时，通过不断访问器件以提高系统温度，使温度处于正常的工作温度之内，以实现增强固态硬盘的低温鲁棒性，提高SSD的可靠性。

Description

增强固态硬盘低温鲁棒性的方法、装置及计算机设备
技术领域
本发明涉及固态硬盘，更具体地说是指增强固态硬盘低温鲁棒性的方法、装置及计算机设备。
背景技术
NAND Flash和DRAM作为SSD(即固态硬盘)的主要存储介质，SSD的工作温度主要取决于这两类器件，其中商业级的NAND Flash和DRAM工作低温一般都是在0℃，实际商业级SSD(固态硬盘)使用环境，不可避免地低于0℃。
如图1所示，SD组成如下：主控作为控制运算单元，管理SSD内部系统；NAND Flash阵列作为存储单元，存储数据，包括用户数据和系统数据；DRAM作为缓存，算法表存储单元；以及其他外围单元。
如图2所示，典型的NAND Flash组成如下：可独立并发操作的单元DIE，DIE包括若干可独立擦除单元，使用前必须要将整个擦除单元擦除；擦除单元包括若干读写单元，“坏块”指由于可靠性等原因，永久性不能使用的擦除单元。
对于商业级的NAND Flash和DRAM工作低温一般都是在0℃以及实际商业级SSD(固态硬盘)使用环境不可避免地低于0℃，现有传统的处理方法都是通过在低温时降低对NANDFlash的访问速度和频率来减少错误的发生。如图3所示，通过降频的方法，来减少SSD系统包括NAND Flash自身工作产生的温度，从而减弱温度的影响；同时可能采用增加内部延时的方法，减少对NAND Flash访问速度，从而减少发生错误的概率；但是读写操作并不关联温度相关的判断条件，且如NAND或者DRAM对低温敏感，那么此类方法是无法增强SSD本身的鲁棒性，容易导致SSD的可靠性较低以及容易出错。
因此，有必要设计一种方法，实现增强固态硬盘的低温鲁棒性，提高SSD的可靠性。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供增强固态硬盘低温鲁棒性的方法、装置及计算机设备。
为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：增强固态硬盘低温鲁棒性的方法，所述方法包括：
获取系统温度；
获取系统所处状态；
根据系统所处状态判断系统温度是否满足设定条件；
若是，则根据系统所处状态对系统进行自热处理，并进入下一步骤；
若否，则进入下一步骤；
驱动系统响应请求。
其进一步技术方案为：根据系统所处状态判断系统温度是否满足设定条件的步骤，包括以下具体步骤：
判断系统所处状态是否启动状态；
若系统所处状态是启动状态，则判断系统温度是否低于设定阈值；
若系统温度低于设定阈值，则系统温度满足设定条件；
若系统温度不低于设定阈值，则系统温度不满足设定条件；
若系统所处状态不是启动状态，则判断系统温度是否处于下降趋势且当前系统温度低于设定阈值；
若系统温度处于下降趋势且当前系统温度低于设定阈值，则系统温度满足设定条件；
若否，则系统温度不满足设定条件。
其进一步技术方案为：根据系统所处状态对系统进行自热处理的步骤，包括以下具体步骤：
判断系统所处状态是否为运行状态；
若是，则设置自热标志，并进入下一步骤；
若否，则进入下一步骤；
对系统进行自热处理。
其进一步技术方案为：对系统进行自热处理的步骤，包括以下具体步骤：
对NAND和DRAM进行空间分配，设置鲁棒模块；
全速访问NAND，并读取数据写入DRAM内；
读取系统温度；
判断当前系统温度是否达到工作温度阈值；
若当前系统温度达到工作温度阈值，则进入驱动系统响应请求的步骤；
若当前系统温度未达到工作温度阈值，则判断是否进入正常响应状态；
若进入正常响应状态，则返回判断当前系统温度是否达到工作温度阈值的步骤；
若不是进入正常响应状态，则判断是否达到超时阈值；
若达到超时阈值，则进入驱动系统响应请求的步骤；
若未达到超时阈值，则返回全速访问NAND，并读取数据写入DRAM内的步骤。
其进一步技术方案为：驱动系统响应请求的步骤中，所述请求包括启动请求以及处理主控的读写请求。
其进一步技术方案为：当请求为启动请求时，所述驱动系统响应请求的步骤，包括以下具体步骤：
加载固件；
运行SSD系统。
本发明还提供了增强固态硬盘低温鲁棒性的装置，包括温度获取单元、状态获取单元、判断单元、自热处理单元以及驱动单元；
所述温度获取单元，用于获取系统温度；
所述状态获取单元，用于获取系统所处状态；
所述判断单元，用于根据系统所处状态判断系统温度是否满足设定条件；
所述自热处理单元，用于若是，则根据系统所处状态对系统进行自热处理；
所述驱动单元，用于驱动系统响应请求。
其进一步技术方案为：所述判断单元包括启动状态判断模块、设定阈值判断模块以及温度判断模块；
所述启动状态判断模块，用于判断系统所处状态是否启动状态；
所述设定阈值判断模块，用于若系统所处状态是启动状态，则判断系统温度是否低于设定阈值，若系统温度低于设定阈值，则系统温度满足设定条件，若系统温度不低于设定阈值，则系统温度不满足设定条件；
所述温度判断模块，用于若系统所处状态不是启动状态，则判断系统温度是否处于下降趋势且当前系统温度低于设定阈值；若系统温度处于下降趋势且当前系统温度低于设定阈值，则系统温度满足设定条件；若否，则系统温度不满足设定条件。
其进一步技术方案为：所述自热处理单元包括运行状态判断模块、标志设置模块以及处理模块；
所述运行状态判断模块，用于判断系统所处状态是否为运行状态；
所述标志设置模块，用于若是，则设置自热标志；
所述处理模块，用于对系统进行自热处理。
本发明还提供了一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述的增强固态硬盘低温鲁棒性的方法。
本发明与现有技术相比的有益效果是：本发明的增强固态硬盘低温鲁棒性的方法，通过在系统处于不同状态下，监测系统温度，当系统温度满足低温设定条件时，通过不断访问器件以提高系统温度，使温度处于正常的工作温度之内，以实现增强固态硬盘的低温鲁棒性，提高SSD的可靠性。
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步描述。
附图说明
图1为现有技术的SSD的示意性框图；
图2为现有技术的NAND的示意性框图；
图3为现有技术的SSD对温度的处理方法的示意流程图；
图4为本申请一具体实施例提供的增强固态硬盘低温鲁棒性的方法的示意流程图；
图5是图4中增强固态硬盘低温鲁棒性的方法的子步骤示意流程图；
图6是图4中增强固态硬盘低温鲁棒性的方法的子步骤示意流程图；
图7是图6中对系统进行自热处理的子步骤示意流程图；
图8是图5中增强固态硬盘低温鲁棒性的方法的子步骤示意流程图；
图9是图5中的鲁棒性模块的示意性框图；
图10是本申请一具体实施例提供的NAND和DRAM处理的示意流程图；
图11为本申请一具体实施例提供的增强固态硬盘低温鲁棒性的装置的示意性框图；
图12为本申请一具体实施例提供的判断单元的示意性框图；
图13为本申请一具体实施例提供的自热处理单元的示意性框图；
图14为本申请一具体实施例提供的处理模块的示意性框图；
图15为本申请一具体实施例提供的驱动单元的示意性框图；
图16是本申请一实施例提供的一种计算机设备的示意性框图。
具体实施方式
为了更充分理解本发明的技术内容，下面结合具体实施例对本发明的技术方案进一步介绍和说明，但不局限于此。
应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
还应当理解，在此本申请说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本申请。如在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。
还应当进一步理解，在本申请说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。
如图4～16所示的具体实施例，本实施例提供的增强固态硬盘低温鲁棒性的方法、装置及计算机设备，可以运用在固态硬盘在低温状态工作的鲁棒性，实现增强固态硬盘的低温鲁棒性，提高SSD的可靠性。
请参阅图4，图4为本申请一具体实施例提供的增强固态硬盘低温鲁棒性的方法的示意流程图，该增强固态硬盘低温鲁棒性的方法适用于低温环境中工作的SSD系统，如图4所示，增强固态硬盘低温鲁棒性的方法，包括步骤S101～S105：
S101、获取系统温度。
在本实施例中，采用温度传感器实时检测系统的温度，由系统温度判断其是否进入低温，以便于及时增强固态硬盘的低温鲁棒性。
S102、获取系统所处状态。
系统所处状态包括启动状态以及正常运行状态，无论系统是处于启动状态还是正常运行状态，当系统的温度满足设定条件时，则需要启动自热程序，进行系统的自热，使其低温的鲁棒性提高，降低数据写入和其他操作的失误，提高SSD系统的可靠性。
S103、根据系统所处状态判断系统温度是否满足设定条件。
在本实施例中，对于系统处于启动状态的系统温度要求以及系统处于运行状态的系统要求不相同，因此需要结合系统所处状态以及系统温度来判断是否需要进入自热程序，以此增强固态硬盘的低温鲁棒性，提高SSD的可靠性。
若是，则S104、根据系统所处状态对系统进行自热处理，并进入下一步骤；
若否，则进入下一步骤。
在本实施例中，自热处理具体是利用主控、DRAM以及NAND自身运行来提升器件温度到工作温度，可有效地减少在低于器件工作温度下对器件的访问操作，从而增强SSD的可靠性，增强固态硬盘一定低温范围内的鲁棒性。
S105、驱动系统响应请求。
当系统温度通过自热处理后，满足条件，则由系统响应请求，包括启动系统以及运行系统。
在本实施例中，上述的请求包括启动请求以及处理主控的读写请求。
具体地，如图5所示，即步骤S103包括步骤S1031～S1034：
S1031、判断系统所处状态是否启动状态；
S1032、若系统所处状态是启动状态，则判断系统温度是否低于设定阈值；
若系统温度低于设定阈值，则S1033、系统温度满足设定条件；
若系统温度不低于设定阈值，则S1034、系统温度不满足设定条件
S1035、若系统所处状态不是启动状态，则判断系统温度是否处于下降趋势且当前系统温度低于设定阈值；
若系统温度处于下降趋势且当前系统温度低于设定阈值，则进入步骤S1033；
若否，则进入步骤S 1034。
当系统启动时，首先进行初始化，并通过温度传感器获得当前系统温度，如果低于温度阈值，则进入自热处理过程，直到温度到达可工作的温度才进行加载固件后，SSD系统正常运行；其中，设定阈值为可配置，取决于产品需求和主要器件(NAND和DRAM)的温度特性。
当系统处于运行状态时，具体是温控管理模块来判断是否需要进入自热模块，如果温控模块返回为“真”，则进入自热处理过程，经过自热处理后，进入响应请求管理，SSD系统正常运行；其中，温控管理模块获得系统温度，并通过在一定的时间间隔，多次获得温度，对温度趋势进行判断，输出温度趋势和当前系统温度；在系统运行过程中，判断是否进入自热处理的判断条件为系统温度是否满足温度处于下降趋势且当前温度低于低温阈值的条件，若是，则需要进入自热处理过程，在进入自热处理过程之前，还需要设置自热标志；其中，自热标志是进入自热处理的标志之一。
如图6所示，即步骤S104包括步骤S1041～S1043。
S1041、判断系统所处状态是否为运行状态；
若是，则S1042、设置自热标志，并进入步骤S1043；
若否，则进入步骤S1043；
S1043、对系统进行自热处理。
当系统处于启动状态时，满足条件则直接进入自热处理即可，而当系统处于运行状态时，满足条件需要进入自热处理，则需要先设置自热标志，在设置自热标志之处进行自热处理。
即：在启动阶段通过温度传感器监控系统温度，当温度过低则进入自热处理，直到温度达到阈值才进入启动系统；在运行阶段通过温度传感器监控系统温度，当温度呈下降趋势且达到低温阈值则进入自热处理，同时协调管理系统读写，保证响应主控访问。可有效地减少在低于器件工作温度下对器件的访问操作，从而增强SSD的可靠性，增强固态硬盘一定低温范围内的鲁棒性。
具体地，如图7所示，上述的步骤S1041包括步骤S1041a～S1041f：
S1041a、对NAND和DRAM进行空间分配，设置鲁棒模块。
请参阅图9，本发明专门设定鲁棒性模块，即在主控、NAND以及DRAM设定特定模块作为专用鲁棒性模块，控制所需NAND和DRAM空间及操作：目的是隔离正常运行所需NAND和DRAM，防止在进行鲁棒性处理时，去访问正常数据空间，从而避免造成可能的数据异常。
对于NAND空间的分配，会选择在SSD上每个NAND上选择一个擦除单元作为鲁棒性模块的专用擦除单元，该擦除单元在生产过程，会首次写入数据。
S1041b、全速访问NAND，并读取数据写入DRAM内。
请参阅图10，在本实施例中，操作设定为仅进行对NAND进行读操作，对DRAM进行写入操作，即通过主控从NAND读数据到DRAM；为了保证操作强度，最大限度的并行操作，即并行访问SSD上每个NAND，通过不断访问器件来提升温度，不断平行地全速访问NAND，通过主控从NAND读取数据写入到DRAM，这样NAND、DRAM和主控等主要器件处于高功耗的运行态下，可以把器件本身的温度提升上去；同时由于隔离了访问范围，不会对正常数据产生影响。
S1041c、读取系统温度。
S1041d、判断当前系统温度是否达到工作温度阈值；
若当前系统温度达到工作温度阈值，则进入步骤S105；
S1041e、若当前系统温度未达到工作温度阈值，则判断是否进入正常响应状态；
若进入正常响应状态，则返回步骤S1041d；
S1041f、若不是进入正常响应状态，则判断是否达到超时阈值；
若达到超时阈值，则进入步骤S105；
若未达到超时阈值，则返回步骤S1041b。
其中，工作温度阈值为可配置，取决于产品需求和主要器件(NAND和DRAM)的温度特性，一般设置在比主要器件最低工作温度高3℃.
退出自热处理的判断：处于启动阶段，为了保护SSD本身，如果系统温度无法达到工作温度阈值，则处于死循环之中；在非启动阶段，由于需要同时响应主控命令，则通过设定超时机制来管理退出；其中工作温度阈值为可配置，取决于产品需求和主要器件(NAND和DRAM)的温度特性；其中超时阈值为动态可变，取决要求响应主控的性能和时间。
并且，在非启动阶段，响应请求管理处理主控的读写请求等访问，即正常的SSD系统运行，整体可见，由于自热处理操作，系统响应会受到影响，但并不是突出的不良影响，属于业界共识。
具体地，即步骤S105在当请求为启动请求时，包括S105a～S105b：
S105a、加载固件；
S105b、运行SSD系统。
为了保证及增强SSD在低温工作的鲁棒性，在系统不同阶段，通过监控系统温度，对系统的启动阶段和运行阶段进行有效管理，使主要器件处于其正常的工作温度之内，从而强化SSD低温下的系统稳定性，避免由于低于工作温度的原因而出现数据错误等问题,从而提高固态硬盘在一定低温范围内的鲁棒性。
上述的增强固态硬盘低温鲁棒性的方法，通过在系统处于不同状态下，监测系统温度，当系统温度满足低温设定条件时，通过不断访问器件以提高系统温度，使温度处于正常的工作温度之内，以实现增强固态硬盘的低温鲁棒性，提高SSD的可靠性。
请参阅图11，图11为本申请一具体实施例提供的增强固态硬盘低温鲁棒性的装置的示意性框图，如图11所示，增强固态硬盘低温鲁棒性的装置包括温度获取单元1、状态获取单元2、判断单元3、自热处理单元4以及驱动单元5。
温度获取单元1，用于获取系统温度。
状态获取单元2，用于获取系统所处状态。
判断单元3，用于根据系统所处状态判断系统温度是否满足设定条件。
自热处理单元4，用于若是，则根据系统所处状态对系统进行自热处理。
驱动单元5，用于驱动系统响应请求。
具体地，如图12所示，上述的判断单元3包括启动状态判断模块31、设定阈值判断模块32以及温度判断模块33。
启动状态判断模块31，用于判断系统所处状态是否启动状态。
设定阈值判断模块32，用于若系统所处状态是启动状态，则判断系统温度是否低于设定阈值，若系统温度低于设定阈值，则系统温度满足设定条件，若系统温度不低于设定阈值，则系统温度不满足设定条件。
温度判断模块33，用于若系统所处状态不是启动状态，则判断系统温度是否处于下降趋势且当前系统温度低于设定阈值；若系统温度处于下降趋势且当前系统温度低于设定阈值，则系统温度满足设定条件；若否，则系统温度不满足设定条件。
具体地，如图13所示，上述的自热处理单元4包括运行状态判断模块41、标志设置模块42以及处理模块43。
运行状态判断模块41，用于判断系统所处状态是否为运行状态。
标志设置模块42，用于若是，则设置自热标志。
处理模块43，用于对系统进行自热处理。
如图14所示，上述的处理模块43包括空间分配子模块431、访问子模块432、温度读取子模块433、判断子模块434、状态判断子模块435以及超时判断子模块436。
空间分配子模块431，用于对NAND和DRAM进行空间分配，设置鲁棒模块。
访问子模块432，用于全速访问NAND，并读取数据写入DRAM内。
温度读取子模块433，用于读取系统温度。
判断子模块434，用于判断当前系统温度是否达到工作温度。
状态判断子模块435，用于若当前系统温度未达到工作温度，则判断是否进入正常响应状态。
超时判断子模块436，用于若不是进入正常响应状态，则判断是否达到超时阈值。
另外，如图15所示，当请求为启动请求时，上述的驱动单元5包括加载模块51以及启动模块52。
加载模块51，用于加载固件。
启动模块52，用于运行SSD系统。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，上述描述的增强固态硬盘低温鲁棒性的装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
上述增强固态硬盘低温鲁棒性的装置可以实现为一种计算机程序的形式，计算机程序可以在如图16所示的计算机设备上运行。
上述的增强固态硬盘低温鲁棒性的装置，通过在系统处于不同状态下，监测系统温度，当系统温度满足低温设定条件时，通过不断访问器件以提高系统温度，使温度处于正常的工作温度之内，以实现增强固态硬盘的低温鲁棒性，提高SSD的可靠性。
请参阅图16，图16是本申请实施例提供的一种计算机设备的示意性框图。该计算机设备700设备可以是终端或服务器。
参照图16，该计算机设备700包括通过系统总线710连接的处理器720、存储器和网络接口750，其中，存储器可以包括非易失性存储介质730和内存储器740。
该非易失性存储介质730可存储操作系统731和计算机程序732。该计算机程序732被执行时，可使得处理器720执行任意一种增强固态硬盘低温鲁棒性的方法。
该处理器720用于提供计算和控制能力，支撑整个计算机设备700的运行。
该内存储器740为非易失性存储介质730中的计算机程序732的运行提供环境，该计算机程序732被处理器720执行时，可使得处理器720执行任意一种增强固态硬盘低温鲁棒性的方法。
该网络接口750用于进行网络通信，如发送分配的任务等。本领域技术人员可以理解，图16中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备700的限定，具体的计算机设备700可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。其中，所述处理器720用于运行存储在存储器中的程序代码，以实现以下步骤：
获取系统温度；
获取系统所处状态；
根据系统所处状态判断系统温度是否满足设定条件；
若是，则根据系统所处状态对系统进行自热处理，并进入下一步骤；
若否，则进入下一步骤；
驱动系统响应请求。
在一实施例中，所述处理器720用于运行存储在存储器中的程序代码以实现根据系统所处状态判断系统温度是否满足设定条件，具体包括：
判断系统所处状态是否启动状态；
若系统所处状态是启动状态，则判断系统温度是否低于设定阈值；
若系统温度低于设定阈值，则系统温度满足设定条件；
若系统所处状态不是启动状态，则判断系统温度是否处于下降趋势且当前系统温度低于设定阈值；
若系统温度处于下降趋势且当前系统温度低于设定阈值，则系统温度满足设定条件；
若否，则系统温度不满足设定条件。
在一实施例中，所述处理器720用于运行存储在存储器中的程序代码以实现根据系统所处状态对系统进行自热处理，具体包括：
判断系统所处状态是否为运行状态；
若是，则设置自热标志，并进入下一步骤；
若否，则进入下一步骤；
对系统进行自热处理。
在一实施例中，所述处理器720用于运行存储在存储器中的程序代码以实现对系统进行自热处理，具体包括：
对NAND和DRAM进行空间分配，设置鲁棒模块；
全速访问NAND，并读取数据写入DRAM内；
读取系统温度；
判断当前系统温度是否达到工作温度阈值；
若当前系统温度达到工作温度阈值，则进入驱动系统响应请求的步骤；
若当前系统温度未达到工作温度阈值，则判断是否进入正常响应状态；
若进入正常响应状态，则返回判断当前系统温度是否达到工作温度阈值的步骤；
若不是进入正常响应状态，则判断是否达到超时阈值；
若达到超时阈值，则进入驱动系统响应请求的步骤；
若未达到超时阈值，则返回全速访问NAND，并读取数据写入DRAM内的步骤。
在一实施例中，所述处理器720用于运行存储在存储器中的程序代码以实现驱动系统响应请求，请求包括启动请求以及处理主控的读写请求。
在一实施例中，所述处理器720用于运行存储在存储器中的程序代码以实现当请求为启动请求时，所述驱动系统响应请求具体包括：
加载固件；
运行SSD系统。
应当理解，在本申请实施例中，处理器720可以是中央处理单元(CentralProcessing Unit，CPU)，该处理器720还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(DigitalSignal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现成可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。其中，通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。
本领域技术人员可以理解，图16中示出的计算机设备700结构并不构成对计算机设备700的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。
上述的一种计算机设备，通过在系统处于不同状态下，监测系统温度，当系统温度满足低温设定条件时，通过不断访问器件以提高系统温度，使温度处于正常的工作温度之内，以实现增强固态硬盘的低温鲁棒性，提高SSD的可靠性。
上述仅以实施例来进一步说明本发明的技术内容，以便于读者更容易理解，但不代表本发明的实施方式仅限于此，任何依本发明所做的技术延伸或再创造，均受本发明的保护。本发明的保护范围以权利要求书为准。

Claims (10)

1.增强固态硬盘低温鲁棒性的方法，其特征在于，所述方法包括：
获取系统温度；
获取系统所处状态；
根据系统所处状态判断系统温度是否满足设定条件；
若是，则根据系统所处状态对系统进行自热处理，并进入下一步骤；
若否，则进入下一步骤；
驱动系统响应请求。
2.根据权利要求1所述的增强固态硬盘低温鲁棒性的方法，其特征在于，根据系统所处状态判断系统温度是否满足设定条件的步骤，包括以下具体步骤：
判断系统所处状态是否启动状态；
若系统所处状态是启动状态，则判断系统温度是否低于设定阈值；
若系统温度低于设定阈值，则系统温度满足设定条件；
若系统温度不低于设定阈值，则系统温度不满足设定条件；
若系统所处状态不是启动状态，则判断系统温度是否处于下降趋势且当前系统温度低于设定阈值；
若系统温度处于下降趋势且当前系统温度低于设定阈值，则系统温度满足设定条件；
若否，则系统温度不满足设定条件。
3.根据权利要求1所述的增强固态硬盘低温鲁棒性的方法，其特征在于，根据系统所处状态对系统进行自热处理的步骤，包括以下具体步骤：
判断系统所处状态是否为运行状态；
若是，则设置自热标志，并进入下一步骤；
若否，则进入下一步骤；
对系统进行自热处理。
4.根据权利要求3所述的增强固态硬盘低温鲁棒性的方法，其特征在于，对系统进行自热处理的步骤，包括以下具体步骤：
对NAND和DRAM进行空间分配，设置鲁棒模块；
全速访问NAND，并读取数据写入DRAM内；
读取系统温度；
判断当前系统温度是否达到工作温度阈值；
若当前系统温度达到工作温度阈值，则进入驱动系统响应请求的步骤；
若当前系统温度未达到工作温度阈值，则判断是否进入正常响应状态；
若进入正常响应状态，则返回判断当前系统温度是否达到工作温度阈值的步骤；
若不是进入正常响应状态，则判断是否达到超时阈值；
若达到超时阈值，则进入驱动系统响应请求的步骤；
若未达到超时阈值，则返回全速访问NAND，并读取数据写入DRAM内的步骤。
5.根据权利要求1至4任一项所述的增强固态硬盘低温鲁棒性的方法，其特征在于，驱动系统响应请求的步骤中，所述请求包括启动请求以及处理主机的读写请求。
6.根据权利要求5所述的增强固态硬盘低温鲁棒性的方法，其特征在于，当请求为启动请求时，所述驱动系统响应请求的步骤，包括以下具体步骤：
加载固件；
运行SSD系统。
7.增强固态硬盘低温鲁棒性的装置，其特征在于，包括温度获取单元、状态获取单元、判断单元、自热处理单元以及驱动单元；
所述温度获取单元，用于获取系统温度；
所述状态获取单元，用于获取系统所处状态；
所述判断单元，用于根据系统所处状态判断系统温度是否满足设定条件；
所述自热处理单元，用于若是，则根据系统所处状态对系统进行自热处理；
所述驱动单元，用于驱动系统响应请求。
8.根据权利要求7所述的增强固态硬盘低温鲁棒性的装置，其特征在于，所述判断单元包括启动状态判断模块、设定阈值判断模块以及温度判断模块；
所述启动状态判断模块，用于判断系统所处状态是否启动状态；
所述设定阈值判断模块，用于若系统所处状态是启动状态，则判断系统温度是否低于设定阈值，若系统温度低于设定阈值，则系统温度满足设定条件，若系统温度不低于设定阈值，则系统温度不满足设定条件；
所述温度判断模块，用于若系统所处状态不是启动状态，则判断系统温度是否处于下降趋势且当前系统温度低于设定阈值；若系统温度处于下降趋势且当前系统温度低于设定阈值，则系统温度满足设定条件；若否，则系统温度不满足设定条件。
9.根据权利要求8所述的增强固态硬盘低温鲁棒性的装置，其特征在于，所述自热处理单元包括运行状态判断模块、标志设置模块以及处理模块；
所述运行状态判断模块，用于判断系统所处状态是否为运行状态；
所述标志设置模块，用于若是，则设置自热标志；
所述处理模块，用于对系统进行自热处理。
10.一种计算机设备，其特征在于，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至6中任意一项所述的增强固态硬盘低温鲁棒性的方法。
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