KR20210059785A - 메모리 디바이스의 모드-의존형 가열 - Google Patents

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KR20210059785A
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미카엘 디이터 리히터
마틴 브록스
볼프강 안톤 스피어클
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마이크론 테크놀로지, 인크
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Abstract

메모리 디바이스의 제어형 및 모드-의존형 가열을 위한 방법들, 시스템들, 및 디바이스들이 설명된다. 다양한 예들에서, 메모리 디바이스 또는 메모리 디바이스를 포함하는 장치는 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부를 가질 수 있다. 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부는 (예컨대, 메모리 디바이스의) 온도의 표시에 기초하여 활성화되고, 비활성화되거나, 또는 다른 식으로 동작될 수 있다. 몇몇 예들에서, 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부를 활성화하거나 또는 다른 식으로 동작시키는 것은 (예컨대, 메모리 디바이스의) 특정한 액세스 동작들 또는 동작 상태들과 연관될 수 있는, (예컨대, 메모리 디바이스의) 동작 모드에 기초할 수 있다. (예컨대, 메모리 디바이스의) 다양한 동작들 또는 동작 모드들은 또한 (예컨대, 메모리 디바이스의) 온도의 표시들에 기초할 수 있다.

Description

메모리 디바이스의 모드-의존형 가열
상호 참조
본 특허 출원은 2019년 9월 23일에 출원된, "메모리 디바이스의 모드-의존형 가열"이라는 제목의, Mayer 등에 의한 미국 특허 출원 번호 제16/579,475호, 및 2018년 10월 23일에 출원된, "메모리 디바이스의 모드-의존형 가열"이라는 제목의, Mayer 등에 의한 미국 가 특허 출원 번호 제62/749,454호에 대한 우선권을 주장하며, 그 각각은 그 양수인에게 양도되며, 그 각각은 본 출원에 전체가 참조로서 명확하게 통합된다.
이하는 전반적으로 적어도 하나의 메모리 디바이스를 포함하는 시스템에 관한 것이며 보다 구체적으로 메모리 디바이스의 제어형 및 모드-의존형 가열에 관한 것이다.
메모리 디바이스들은 컴퓨터들, 무선 통신 디바이스들, 카메라들, 디지털 디스플레이들 등과 같은 다양한 전자 디바이스들에서 정보를 저장하기 위해 널리 사용된다. 정보는 메모리 디바이스의 상이한 상태들을 프로그램함으로써 저장된다. 예를 들어, 이진 디바이스들은 종종 논리 1 또는 논리 0으로 표시된, 두 개의 상태들 중 하나를 가장 자주 저장한다. 다른 디바이스들에서, 두 개보다 많은 상태들이 저장될 수 있다. 저장된 정보를 액세스하기 위해, 디바이스의 컴포넌트는 메모리 디바이스에서 적어도 하나의 저장된 상태를 판독하거나, 또는 감지할 수 있다. 정보를 저장하기 위해, 디바이스의 컴포넌트는 메모리 디바이스에서 상태를 기록하거나, 또는 프로그램할 수 있다.
자기 하드 디스크들, 랜덤 액세스 메모리(RAM), 판독-전용 메모리(ROM), 동적 RAM(DRAM), 동기식 동적 RAM(SDRAM), 강유전성 RAM(FeRAM), 자기 RAM(MRAM), 저항성 RAM(RRAM), 플래시 메모리, 상 변화 메모리(PCM), 및 기타를 이용하는 것들을 포함한, 다양한 유형들의 메모리 디바이스들이 존재한다. 메모리 디바이스들은 휘발성 또는 비-휘발성일 수 있다. PCM 및 FeRAM과 같은, 비-휘발성 메모리는 외부 전원의 부재 시에도 연장된 기간들 동안 그것들의 저장된 논리 상태를 유지할 수 있다. DRAM과 같은, 휘발성 메모리 디바이스들은 그것들이 전원에 의해 주기적으로 리프레시되지 않는다면 시간에 걸쳐 저장된 논리 상태들을 잃을 수 있다. 몇몇 경우들에서, 비-휘발성 메모리는 휘발성 메모리와 유사한 디바이스 아키텍처들을 사용할 수 있지만 강유전성 커패시턴스 또는 상이한 재료 상들과 같은 이러한 물리적 현상들을 이용함으로써 비-휘발성 속성들을 가질 수 있다.
몇몇 애플리케이션들에서, 메모리 디바이스는 호스트 디바이스의 부분으로서 포함되거나, 또는 그 외 그것과 연관될(예컨대, 그것과 결합되고, 그것에 의해 제어되는) 수 있다. 호스트 디바이스는 주위 온도 범위와 연관된 환경에서의 동작을 위해 구성될 수 있으며, 메모리 디바이스의 적어도 몇몇 동작들은 온도-민감성일 수 있다.
도 1은 본 출원에 개시된 양태들에 따른, 메모리 디바이스의 제어형 및 모드-의존형 가열을 지원하는 시스템의 예를 예시한다.
도 2는 본 출원에 개시된 양태들에 따른, 메모리 디바이스의 제어형 및 모드-의존형 가열을 지원하는 메모리 다이의 예를 예시한다.
도 3은 본 출원에 개시된 양태들에 따른, 메모리 디바이스의 제어형 및 모드-의존형 가열을 지원하는 시스템의 예를 예시한다.
도 4는 본 출원에 개시된 양태들에 따른, 메모리 디바이스의 제어형 및 모드-의존형 가열과 연관된 온도 프로필의 예를 예시한다.
도 5는 본 출원에 개시된 양태들에 따른, 메모리 디바이스의 제어형 및 모드-의존형 가열과 연관된 온도 프로필의 예를 예시한다.
도 6a 및 도 6b는 본 출원에 개시된 양태들에 따른, 메모리 디바이스의 제어형 및 모드-의존형 가열을 지원하는 메모리 히터들의 예들을 예시한다.
도 7은 본 출원에 개시된 양태들에 따른, 메모리 디바이스의 제어형 및 모드-의존형 가열을 지원하는 디바이스의 블록도를 도시한다.
도 8은 본 출원에 개시된 양태들에 따른, 메모리 디바이스의 제어형 및 모드-의존형 가열을 지원하는 디바이스의 블록도를 도시한다.
도 9 내지 도 12는 본 출원에 개시된 양태들에 따른, 메모리 디바이스의 제어형 및 모드-의존형 가열을 지원하는 방법 또는 방법들을 예시한 흐름도들을 도시한다.
메모리 디바이스를 포함하는 시스템 또는 호스트 디바이스는 메모리 디바이스를 위해 설계되거나 또는 구성된 동작 온도들의 범위와 상이한 주위 온도들의 범위에서 동작하도록 설계되거나 또는 구성될 수 있다. 예를 들어, 자동차 시스템들(예컨대, 차량들, 차량 컴포넌트들, 차량 프로세서들 또는 제어기들), 네트워킹 시스템들(예컨대, 무선 기지국들), 또는 이동 디바이스들은 메모리 디바이스의 설계된 동작 온도(예컨대, 지원된, 하나 이상의 보장된 또는 그 외 특정된 성능 특성들)(예컨대, 0℃만큼 낮은)보다 낮을 수 있는, 비교적 낮은 주위 온도들(예컨대, -40℃만큼 낮은 주위 온도, -40℃ 내지 105℃ 또는 115℃의 주위 온도 범위)에서 동작하도록 설계될 수 있다.
메모리 디바이스 동작의 하나 이상의 양태들은 온도-의존형일 수 있으며 메모리 디바이스가 시스템 또는 호스트 디바이스에 대해 예상된 주위 온도 범위에 걸쳐 동작 파라미터들을 만족시킨다는 것을 보장하는 것이 바람직할 수 있다. 설명된 기술들의 다양한 예들에서, 메모리 디바이스 또는 메모리 디바이스를 포함하는 장치 또는 시스템은 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부 또는 다른 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부 또는 다른 컴포넌트들은 메모리 디바이스의 온도의 표시(예컨대, 메모리 디바이스의 포용(bulk) 온도의 표시, 메모리 디바이스의 평균 온도의 표시, 메모리 디바이스의 총 온도의 표시)에 기초하여 활성화되고, 비활성화되거나, 또는 다른 식으로 동작될 수 있으며, 이것은 몇몇 예들에서 메모리 디바이스를 포함하는 시스템 또는 호스트 디바이스의 주위 온도 범위보다 좁도록 메모리 디바이스의 동작 온도 범위를 감소시킬 수 있다.
설명된 기술들에 따른 제어형 메모리 가열은 유리하게는 비교적 더 좁은 동작 온도 범위 내에서 메모리 디바이스를 동작시키면서 메모리 디바이스가 시스템 또는 호스트 디바이스의 비교적 더 넓은 주위 온도 범위 파라미터를 만족시킬 수 있게 할 수 있다. 비교적 더 좁은 동작 온도 범위는 또한 메모리 디바이스에 대한 동작 파라미터들(예컨대, 전압 또는 타이밍 파라미터들)의 개선된 최적화를 지원할 수 있다.
몇몇 예들에서, 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부 또는 다른 컴포넌트들을 활성화하고, 비활성화하거나, 또는 다른 식으로 동작시키는 것은 메모리 디바이스의 특정한 액세스 동작들 또는 동작 상태들과 연관될 수 있는, 메모리 디바이스의 타겟(원하는) 동작 모드에 기초할 수 있다. 예를 들어, 비교적 더 낮은 온도들은 특정한 동작들 또는 동작 모드들(예컨대, 자체-리프레시(self-refresh) 동작들 또는 모드들, 파워-다운 또는 대기 모드들)에 대해 유리할 수 있지만, 비교적 더 높은 온도들은 다른 동작들 또는 동작 모드들(예컨대, 판독 또는 기록 동작들 또는 메모리 액세스들을 지원하는 관련 모드들)에 대해 유리할 수 있다. 뿐만 아니라, 메모리 디바이스의 다양한 동작들 또는 동작 모드들은 메모리 디바이스의 온도의 표시들에 기초하여 가능화되거나 또는 불능화될 수 있다. 예를 들어, 몇몇 동작들 또는 모드들은 메모리 디바이스의 표시된 온도가 대응하는(예컨대, 적절한, 원하는, 타겟) 온도 범위 내에 있는지에 기초하여 가능화되거나(예컨대, 활성화되고, 이용 가능하고, 지원되는) 또는 불능화된(예컨대, 비활성화되고, 이용 가능하지 않고, 제한되는) 수 있다. 전력은 유리하게는 메모리 디바이스의 동작 모드에 기초하여 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부 또는 다른 컴포넌트들을 활성화하고, 비활성화하거나, 또는 다른 식으로 동작시킴으로써 보존될 수 있다(예컨대, 전력은 메모리 디바이스가 자체-리프레시 모드에 있는 동안 메모리 디바이스를 가열하지 않음으로써 보존될 수 있다).
본 개시의 특징들은 처음에 도 1 및 도 2를 참조하여 설명된 바와 같이 메모리 시스템 및 메모리 다이의 맥락에서 설명된다. 본 개시의 특징들은 또한 도 3 내지 도 6b를 참조하여 설명된 바와 같이 메모리 디바이스의 제어형 및 모드-의존형 가열을 갖고 메모리 디바이스를 동작시키기 위한 시스템 및 온도 프로필들의 맥락에서 설명된다. 본 개시의 이들 및 다른 특징들은 또한 도 7 내지 도 12를 참조하여 설명된 바와 같이 메모리 디바이스의 제어형 및 모드-의존형 가열에 관한 장치 다이어그램들, 시스템 다이어그램들, 및 흐름도들에 의해 예시되며 그것을 참조하여 설명된다.
도 1은 본 출원에 개시된 양태들에 따른, 메모리 디바이스의 제어형 및 모드-의존형 가열을 지원하는 시스템(100)의 예를 예시한다. 시스템(100)은 외부 메모리 제어기(105), 메모리 디바이스(110), 및 메모리 디바이스(110)와 외부 메모리 제어기(105)를 결합하는 복수의 채널들(115)을 포함할 수 있다. 시스템(100)은 하나 이상의 메모리 디바이스들을 포함할 수 있지만, 설명의 용이함을 위해, 하나 이상의 메모리 디바이스들은 단일 메모리 디바이스(110)로서 설명될 수 있다.
시스템(100)은 컴퓨팅 디바이스, 이동 컴퓨팅 디바이스, 무선 디바이스, 또는 그래픽스 프로세싱 디바이스와 같은, 전자 디바이스의 양태들을 포함할 수 있다. 시스템(100)은 휴대용 전자 디바이스의 예일 수 있다. 시스템(100)은 컴퓨터, 랩탑 컴퓨터, 태블릿 컴퓨터, 스마트폰, 휴대 전화, 착용 가능한 디바이스, 인터넷-연결 디바이스 등의 예일 수 있다. 메모리 디바이스(110)는 시스템(100)의 하나 이상의 다른 컴포넌트들에 대한 데이터를 저장하도록 구성된 시스템의 컴포넌트일 수 있다. 몇몇 예들에서, 시스템(100)은 기지국 또는 액세스 포인트를 사용하여 다른 시스템들 또는 디바이스들과 양-방향 무선 통신을 위해 구성된다. 몇몇 예들에서, 시스템(100)은 기계-형 통신(MTC), 기계-대-기계(M2M) 통신, 또는 디바이스-대-디바이스(D2D) 통신이 가능하다.
시스템(100)의 적어도 부분들은 호스트 디바이스의 예들일 수 있다. 이러한 호스트 디바이스는 컴퓨팅 디바이스, 이동 컴퓨팅 디바이스, 무선 디바이스, 그래픽 프로세싱 디바이스(예컨대, 그래픽 프로세싱 유닛(GPU)), 컴퓨터, 랩탑 컴퓨터, 태블릿 컴퓨터, 스마트폰, 휴대 전화, 착용 가능한 디바이스, 인터넷-연결 디바이스, 몇몇 다른 고정된 또는 휴대용 전자 디바이스 등과 같은 프로세스들을 실행하기 위해 메모리를 사용하는 디바이스의 예일 수 있다. 몇몇 경우들에서, 호스트 디바이스는 외부 메모리 제어기(105)의 기능들을 구현하는 하드웨어, 펌웨어, 소프트웨어, 또는 이들의 조합을 나타낼 수 있다. 몇몇 경우들에서, 외부 메모리 제어기(105)는 호스트 또는 호스트 디바이스로 불리울 수 있다. 몇몇 예들에서, 시스템(100)은 그래픽 카드이다.
몇몇 경우들에서, 메모리 디바이스(110)는 시스템(100)의 다른 컴포넌트들과 통신하며 잠재적으로 시스템(100)에 의해 사용되거나 또는 참조될 물리적 메모리 어드레스들/공간을 제공하도록 구성되는 독립형 디바이스 또는 컴포넌트일 수 있다. 몇몇 예들에서, 메모리 디바이스(110)는 적어도 하나 또는 복수의 상이한 유형들의 시스템들(100)과 함께 동작하도록 구성 가능할 수 있다. 시스템(100)의 컴포넌트들 및 메모리 디바이스(110) 간의 시그널링은 신호들을 변조하기 위한 변조 기법들, 신호들을 전달하기 위한 상이한 핀 설계들, 시스템(100) 및 메모리 디바이스(110)의 별개의 패키징, 시스템(100)과 메모리 디바이스(110) 간의 클록 시그널링 및 동기화, 타이밍 관계들, 및/또는 다른 인자들을 지원하도록 동작 가능할 수 있다.
메모리 디바이스(110)는 시스템(100)의 컴포넌트들에 대한 데이터를 저장하도록 구성될 수 있다. 몇몇 경우들에서, 메모리 디바이스(110)는 시스템(100)에 대한 슬레이브-형 디바이스로서 동작할 수 있다(예컨대, 외부 메모리 제어기(105)를 통해 시스템(100)에 의해 제공된 명령들에 응답하고 실행하는). 이러한 명령들은 기록 동작을 위한 기록 명령, 판독 동작을 위한 판독 명령, 리프레시 동작을 위한 리프레시 명령, 또는 다른 명령들과 같은, 액세스 동작을 위한 액세스 명령을 포함할 수 있다. 메모리 디바이스(110)는 데이터 저장을 위해 요구된 또는 특정된 용량을 지원하기 위해 둘 이상의 메모리 다이들(160)(예컨대, 메모리 칩들)을 포함할 수 있다. 둘 이상의 메모리 다이들을 포함한 메모리 디바이스(110)는 다중-다이 메모리 또는 패키지로서 불리울 수 있다(또한 다중-칩 메모리 또는 패키지로 불리운다).
시스템(100)은 프로세서(120), 기본 입력/출력 시스템(BIOS) 컴포넌트(125), 하나 이상의 주변 컴포넌트들(130), 및 입력/출력(I/O) 제어기(135)를 추가로 포함할 수 있다. 시스템(100)의 컴포넌트들은 버스(140)를 사용하여 서로 결합되거나 또는 전자 통신할 수 있다.
프로세서(120)는 시스템(100)의 적어도 부분들을 제어하도록 구성될 수 있다. 프로세서(120)는 범용 프로세서, 디지털 신호 프로세서(DSP), 애플리케이션-특정 집적 회로(ASIC), 필드-프로그램 가능한 게이트 어레이(FPGA) 또는 다른 프로그램 가능한 논리 디바이스, 이산 게이트 또는 트랜지스터 로직, 이산 하드웨어 컴포넌트들일 수 있거나, 또는 그것은 이들 유형들의 컴포넌트들의 조합일 수 있다. 이러한 경우들에서, 프로세서(120)는 다른 예들 중에서, 중앙 프로세싱 유닛(CPU), GPU, 범용 GPU(GPGPU), 또는 시스템 온 칩(SoC)의 예일 수 있다.
BIOS 컴포넌트(125)는 시스템(100)의 다양한 하드웨어 컴포넌트들을 초기화하고 구동할 수 있는, 펌웨어로서 동작된 BIOS를 포함하는 소프트웨어 컴포넌트일 수 있다. BIOS 컴포넌트(125)는 또한 프로세서(120) 및 시스템(100)의 다양한 컴포넌트들, 예컨대 주변 컴포넌트들(130), I/O 제어기(135) 등 사이에서 데이터 흐름을 관리할 수 있다. BIOS 컴포넌트(125)는 판독-전용 메모리(ROM), 플래시 메모리, 또는 임의의 다른 비-휘발성 메모리에 저장된 프로그램 또는 소프트웨어를 포함할 수 있다.
주변 컴포넌트(들)(130)는 시스템(100)으로 또는 그것과 함께 통합될 수 있는 임의의 입력 디바이스 또는 출력 디바이스, 또는 이러한 디바이스들을 위한 인터페이스일 수 있다. 예들은 디스크 제어기들, 사운드 제어기, 그래픽 제어기, 이더넷 제어기, 모뎀, 범용 직렬 버스(USB) 제어기, 직렬 또는 병렬 포트, 또는 주변 컴포넌트 상호연결(PCI) 또는 가속화 그래픽 포트(AGP) 슬롯들과 같은, 주변 카드 슬롯들을 포함할 수 있다. 주변 컴포넌트(들)(130)는 주변장치들로서 이 기술분야에서의 통상의 기술자들에 의해 이해될 바와 같이 다른 컴포넌트들일 수 있다.
I/O 제어기(135)는 프로세서(120) 및 주변 컴포넌트(들)(130), 입력 디바이스들(145), 또는 출력 디바이스들(150) 사이에서 데이터 통신을 관리할 수 있다. I/O 제어기(135)는 시스템(100)으로 또는 그것과 통합되지 않은 주변장치들을 관리할 수 있다. 몇몇 경우들에서, I/O 제어기(135)는 외부 주변 컴포넌트들로의 물리적 연결 또는 포트를 나타낼 수 있다.
입력(145)은 시스템(100) 또는 그것의 컴포넌트들로 정보, 신호들, 또는 데이터를 제공할 수 있는 시스템(100)의 외부에 있는 디바이스 또는 신호를 나타낼 수 있다. 이것은 사용자 인터페이스 또는 다른 디바이스들과의 또는 그 사이에서의 인터페이스를 포함할 수 있다. 몇몇 경우들에서, 입력(145)은 하나 이상의 주변 컴포넌트들(130)을 통해 시스템(100)과 인터페이스하는 주변장치일 수 있거나 또는 I/O 제어기(135)에 의해 관리될 수 있다.
출력(150)은 시스템(100) 또는 그것의 컴포넌트들 중 임의의 것으로부터 출력을 수신하도록 구성된 시스템(100)의 외부에 있는 디바이스 또는 신호를 나타낼 수 있다. 출력(150)의 예들은 디스플레이, 오디오 스피커들, 인쇄 디바이스, 또는 인쇄 회로 보드 상에서의 또 다른 프로세서 등을 포함할 수 있다. 몇몇 경우들에서, 출력(150)은 하나 이상의 주변 컴포넌트들(130)을 통해 시스템(100)과 인터페이스하는 주변장치일 수 있거나 또는 I/O 제어기(135)에 의해 관리될 수 있다.
시스템(100)의 컴포넌트들은 그것들의 기능들을 실행하도록 설계된 범용 또는 특수 목적 회로부로 구성될 수 있다. 이것은 본 출원에서 설명된 기능들을 실행하도록 구성된, 출력 구동기 회로부 및 다양한 다른 회로 엘리먼트들, 예를 들어, 도전성 라인들, 트랜지스터들, 커패시터들, 인덕터들, 저항기들, 증폭기들, 또는 다른 능동 또는 수동 엘리먼트들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 시스템(100)은 메모리 디바이스, 외부 메모리 제어기(105), 또는 시스템(100)의 다른 양태들에 포함되거나 또는 그 외 그것과 결합될 수 있는, 하나 이상의 온도 센서들을 포함할 수 있다. 또 다른 예로서, 시스템(100)은 메모리 디바이스(110)를 가열하도록 구성된 회로부를 포함할 수 있으며, 이러한 회로부는 메모리 디바이스 또는 시스템(100)의 다른 양태들에 포함되거나 또는 그 외 그것과 결합될 수 있다.
메모리 디바이스(110)는 디바이스 메모리 제어기(155) 및 하나 이상의 메모리 다이들(160)을 포함할 수 있다. 각각의 메모리 다이(160)는 로컬 메모리 제어기(165)(예컨대, 로컬 메모리 제어기(165-a), 로컬 메모리 제어기(165-b), 및/또는 로컬 메모리 제어기(165-N)) 및 메모리 어레이(170)(예컨대, 메모리 어레이(170-a), 메모리 어레이(170-b), 및/또는 메모리 어레이(170-N))를 포함할 수 있다. 메모리 어레이(170)는 메모리 셀들의 모음(예컨대, 그리드)일 수 있으며, 각각의 메모리 셀은 적어도 1비트의 디지털 데이터를 저장하도록 구성된다. 메모리 어레이들(170) 및/또는 메모리 셀들의 특징들은 도 2를 참조하여 추가로 설명된다.
메모리 어레이들(170)은 메모리 셀들의 2-차원(2D) 어레이들의 예들일 수 있거나 또는 메모리 셀들의 3-차원(3D) 어레이들의 예들일 수 있다. 예를 들어, 2D 메모리 디바이스는 단일 메모리 다이(160)를 포함할 수 있다. 3D 메모리 디바이스는 둘 이상의 메모리 다이들(160)(예컨대, 메모리 다이(160-a), 메모리 다이(160-b), 및/또는 임의의 양의 메모리 다이들(160-N))을 포함할 수 있다. 3D 메모리 디바이스에서, 다수의 메모리 다이들(160-N)은 서로의 최상부 상에 적층될 수 있다. 몇몇 경우들에서, 3D 메모리 디바이스에서 메모리 다이들(160-N)은 데크들, 레벨들, 층들, 또는 다이들로서 불리울 수 있다. 3D 메모리 디바이스는 임의의 양의 적층된 메모리 다이들(160-N)(예컨대, 2 높이, 3 높이, 4 높이, 5 높이, 6 높이, 7 높이, 8 높이)을 포함할 수 있다. 이것은 단일 2D 메모리 디바이스와 비교하여 기판상에 배치될 수 있는 메모리 셀들의 수를 증가시킬 수 있으며, 결과적으로 생산 비용들을 감소시키거나 또는 메모리 어레이의 성능을 증가시키거나, 또는 둘 모두일 수 있다. 몇몇 3D 메모리 디바이스에서, 상이한 데크들은 몇몇 데크들이 워드 라인, 디지트 라인, 및/또는 판 라인 중 적어도 하나를 공유할 수 있도록 적어도 하나의 공통 액세스 라인을 공유할 수 있다.
디바이스 메모리 제어기(155)는 메모리 디바이스(110)의 동작을 제어하도록 구성된 회로들 또는 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 이와 같이, 디바이스 메모리 제어기(155)는 메모리 디바이스(110)가 명령들을 수행할 수 있는 하드웨어, 펌웨어, 및 소프트웨어를 포함할 수 있으며 메모리 디바이스(110)에 관련된 명령들, 데이터 또는 제어 정보를 수신하고, 송신하거나, 또는 실행하도록 구성될 수 있다. 디바이스 메모리 제어기(155)는 외부 메모리 제어기(105), 하나 이상의 메모리 다이들(160), 또는 프로세서(120)와 통신하도록 구성될 수 있다. 몇몇 경우들에서, 메모리 디바이스(110)는 외부 메모리 제어기(105)로부터 데이터 및/또는 명령들을 수신할 수 있다.
예를 들어, 메모리 디바이스(110)는 메모리 디바이스(110)가 시스템(100)의 컴포넌트(예컨대, 프로세서(120))를 대신하여 특정한 데이터를 저장한다는 것을 나타내는 기록 명령 또는 메모리 디바이스(110)가 메모리 다이(160)에 저장된 특정한 데이터를 시스템(100)의 컴포넌트(예컨대, 프로세서(120))로 제공한다는 것을 나타내는 기록 명령을 수신할 수 있다. 몇몇 경우들에서, 디바이스 메모리 제어기(155)는 메모리 다이(160)의 로컬 메모리 제어기(165)와 함께 본 출원에서 설명된 메모리 디바이스(110)의 동작을 제어할 수 있다. 디바이스 메모리 제어기(155) 및/또는 로컬 메모리 제어기들(165)에 포함된 컴포넌트들의 예들은 외부 메모리 제어기(105)로부터 수신된 신호들을 복조하기 위한 수신기들, 신호들을 변조하고 외부 메모리 제어기(105)로 송신하기 위한 디코더들, 로직, 디코더들, 증폭기들, 필터들 등을 포함할 수 있다.
로컬 메모리 제어기(165)(예컨대, 메모리 다이(160)에 국소적인)는 메모리 다이(160)의 동작들을 제어하도록 구성될 수 있다. 또한, 로컬 메모리 제어기(165)는 디바이스 메모리 제어기(155)와 통신하도록(예컨대, 데이터 및/또는 명령들을 수신하고 송신하도록) 구성될 수 있다. 로컬 메모리 제어기(165)는 본 출원에서 설명된 바와 같이 메모리 디바이스(110)의 동작을 제어하기 위해 디바이스 메모리 제어기(155)를 지원할 수 있다. 몇몇 경우들에서, 메모리 디바이스(110)는 디바이스 메모리 제어기(155)를 포함하지 않으며, 로컬 메모리 제어기(165) 또는 외부 메모리 제어기(105)는 본 출원에서 설명된 다양한 기능들을 수행할 수 있다. 이와 같이, 로컬 메모리 제어기(165)는 디바이스 메모리 제어기(155)와, 다른 로컬 메모리 제어기들(165)과, 또는 외부 메모리 제어기(105) 또는 프로세서(120)와 직접 통신하도록 구성될 수 있다. 따라서, 몇몇 경우들에서, 디바이스 메모리 제어기(155) 또는 하나 이상의 로컬 메모리 제어기들(165)은 본 출원에서 설명된 바와 같이 메모리 디바이스(110)를 가열하도록 구성된 회로부의 동작을 지원할 수 있다.
외부 메모리 제어기(105)는 시스템(100)의 컴포넌트들(예컨대, 프로세서(120)) 및 메모리 디바이스(110) 사이에서 정보, 데이터, 및/또는 명령들의 통신을 가능화하도록 구성될 수 있다. 외부 메모리 제어기(105)는 시스템(100)의 컴포넌트들이 메모리 디바이스의 동작의 세부사항들을 알 필요가 없도록 시스템(100)의 컴포넌트들 및 메모리 디바이스(110) 사이에서의 연락(liaison)으로서 동작할 수 있다. 시스템(100)의 컴포넌트들은 외부 메모리 제어기(105)가 만족하는 요청들을 외부 메모리 제어기(105)로 제공할 수 있다(예컨대, 판독 명령들 또는 기록 명령들). 외부 메모리 제어기(105)는 시스템(100)의 컴포넌트들과 메모리 디바이스(110) 사이에서 교환된 통신들을 전환하거나 또는 변환할 수 있다. 몇몇 경우들에서, 외부 메모리 제어기(105)는 공통 (소스) 시스템 클록 신호를 발생시키는 시스템 클록을 포함할 수 있다. 몇몇 경우들에서, 외부 메모리 제어기(105)는 공통 (소스) 데이터 클록 신호를 발생시키는 공통 데이터 클록을 포함할 수 있다. 따라서, 몇몇 경우들에서, 외부 메모리 제어기(105)는 본 출원에서 설명된 바와 같이 메모리 디바이스(110)를 가열하도록 구성된 회로부의 동작을 지원할 수 있다.
몇몇 경우들에서, 외부 메모리 제어기(105) 또는 시스템(100)의 다른 컴포넌트, 또는 본 출원에서 설명된 그것의 기능들은 프로세서(120)에 의해 구현될 수 있다. 예를 들어, 외부 메모리 제어기(105)는 프로세서(120) 또는 시스템(100)의 다른 컴포넌트에 의해 구현된 하드웨어, 펌웨어, 또는 소프트웨어, 또는 그것의 몇몇 조합일 수 있다. 외부 메모리 제어기(105)가 메모리 디바이스(110)의 외부에 있는 것으로 묘사되지만, 몇몇 경우들에서, 외부 메모리 제어기(105), 또는 본 출원에서 설명된 그것의 기능들은 메모리 디바이스(110)에 의해 구현될 수 있다. 예를 들어, 외부 메모리 제어기(105)는 디바이스 메모리 제어기(155) 또는 하나 이상의 로컬 메모리 제어기들(165)에 의해 구현된 하드웨어, 펌웨어, 또는 소프트웨어, 또는 그것의 몇몇 조합일 수 있다. 몇몇 경우들에서, 외부 메모리 제어기(105)는 외부 메모리 제어기(105)의 부분들이 프로세서(120)에 의해 구현되며 다른 부분들이 디바이스 메모리 제어기(155) 또는 로컬 메모리 제어기(165)에 의해 구현되도록 프로세서(120) 및 메모리 디바이스(110)에 걸쳐 분포될 수 있다. 마찬가지로, 몇몇 경우들에서, 본 출원에서 디바이스 메모리 제어기(155) 또는 로컬 메모리 제어기(165)에 속하는 것으로 생각되는 하나 이상의 기능들은 몇몇 경우들에서 외부 메모리 제어기(105)(프로세서(120)로부터 분리되거나 또는 그것에 포함되는 것으로)에 의해 수행될 수 있다.
시스템(100)의 컴포넌트들은 복수의 채널들(115)을 사용하여 메모리 디바이스(110)와 정보를 교환할 수 있다. 몇몇 예들에서, 채널들(115)은 외부 메모리 제어기(105)와 메모리 디바이스(110) 사이에서 통신들을 가능하게 할 수 있다. 각각의 채널(115)은 시스템(100)의 컴포넌트들과 연관된 단자들 사이에서 하나 이상의 신호 경로들 또는 송신 매체들(예컨대, 도체들)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 채널(115)은 외부 메모리 제어기(105)에서의 하나 이상의 핀들 또는 패드들 및 메모리 디바이스(110)에서의 하나 이상의 핀들 또는 패드들을 포함한 제 1 단자를 포함할 수 있다. 핀은 시스템(100)의 디바이스의 도전성 입력 또는 출력 포인트의 예일 수 있으며, 핀은 채널의 부분으로서 동작하도록 구성될 수 있다. 몇몇 경우들에서, 단자의 핀 또는 패드는 채널(115)의 신호 경로로의 부분일 수 있다. 부가적인 신호 경로들은 시스템(100)의 컴포넌트 내에서 신호들을 라우팅하기 위해 신호의 단자와 결합될 수 있다. 예를 들어, 메모리 디바이스(110)는 채널(115)의 단자로부터 메모리 디바이스(110)의 다양한 컴포넌트들(예컨대, 디바이스 메모리 제어기(155), 메모리 다이들(160), 로컬 메모리 제어기들(165), 메모리 어레이들(170))로 신호를 라우팅하는 신호 경로들(예컨대, 메모리 다이(160) 내부와 같은, 메모리 디바이스(110) 또는 그것의 컴포넌트들의 내부에 있는 신호 경로들)을 포함할 수 있다.
채널들(115)(및 연관된 신호 경로들 및 단자들)은 특정 유형들의 정보를 전달하는데 전용될 수 있다. 몇몇 경우들에서, 채널(115)은 종합 채널일 수 있으며 따라서 다수의 개개의 채널들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 데이터 채널(190)은 x4(예를 들어, 4개의 신호 경로들을 포함한), x8(예를 들어, 8개의 신호 경로들을 포함한), x16(16개의 신호 경로들을 포함한) 등일 수 있다.
몇몇 경우들에서, 채널들(115)은 하나 이상의 명령 및 어드레스(CA) 채널들(186)을 포함할 수 있다. CA 채널들(186)은 명령들과 연관된 제어 정보(예컨대, 어드레스 정보)를 포함하여 명령들을 외부 메모리 제어기(105)와 메모리 디바이스(110) 사이에서 전달하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, CA 채널(186)은 원하는 데이터의 어드레스를 가진 판독 명령을 포함할 수 있다. 몇몇 경우들에서, CA 채널들(186)은 상승 클록 신호 에지 및/또는 하강 클록 신호 에지 상에 등록될 수 있다. 몇몇 경우들에서, CA 채널(186)은 8 또는 9개 신호 경로들을 포함할 수 있다.
몇몇 경우들에서, 채널들(115)은 하나 이상의 클록 신호(CK) 채널들(188)을 포함할 수 있다. CK 채널들(188)은 외부 메모리 제어기(105)와 메모리 디바이스(110) 사이에서 하나 이상의 공통 클록 신호들을 전달하도록 구성될 수 있다. 각각의 클록 신호는 하이 상태 및 로우 상태 사이에서 조정(예컨대, 진동)하며 외부 메모리 제어기(105) 및 메모리 디바이스(110)의 동작들을 조직화하도록 구성될 수 있다. 몇몇 경우들에서, 클록 신호는 차동 출력(예컨대, CK_t 신호 및 CK_c 신호)일 수 있으며 CK 채널들(188)의 신호 경로들은 그에 따라 구성될 수 있다. 몇몇 경우들에서, 클록 신호는 단일 엔드형일 수 있다. 몇몇 경우들에서, 클록 신호는 1.5GHz 신호일 수 있다. CK 채널(188)은 임의의 양의 신호 경로들을 포함할 수 있다. 몇몇 경우들에서, 클록 신호 CK(예컨대, CK_t 신호 및 CK_c 신호)는 메모리 디바이스(110)에 대한 명령 및 어드레싱 동작들, 또는 메모리 디바이스(110)에 대한 다른 시스템-와이드 동작들을 위한 타이밍 기준을 제공할 수 있다. 클록 신호 CK는 그러므로 제어 클록 신호 CK, 명령 클록 신호 CK, 또는 시스템 클록 신호 CK로 다양하게 불리울 수 있다. 시스템 클록 신호 CK는 시스템 클록에 의해 발생될 수 있으며, 이것은 하나 이상의 하드웨어 컴포넌트들(예컨대, 발진기들, 수정들, 논리 게이트들, 트랜지스터들 등)을 포함할 수 있다.
몇몇 경우들에서, 채널들(115)은 하나 이상의 데이터(DQ) 채널들(190)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 채널들(115)은 데이터 채널들(190-1 내지 190-n)을 포함할 수 있다. 각각의 데이터 채널은 하나 이상의 송신 라인들과 연관되거나 또는 이를 포함할 수 있다. 데이터 채널들(190)은 외부 메모리 제어기(105) 및 메모리 디바이스(110) 사이에서 데이터 및/또는 제어 정보를 전달하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 데이터 채널들(190)은 메모리 디바이스(110)로 기록될 정보 또는 메모리 디바이스(110)로부터 판독된 정보를 전달할 수 있다(예컨대, 양-방향). 데이터 채널들(190)은 다양한 상이한 변조 기법들(예컨대, NRZ, PAM4)을 사용하여 변조될 수 있는 신호들을 전달할 수 있다.
몇몇 경우들에서, 채널들(115)은 다른 목적들에 전용될 수 있는 하나 이상의 다른 채널들(192)을 포함할 수 있다. 이들 다른 채널들(192)은 임의의 양의 신호 경로들을 포함할 수 있다.
몇몇 경우들에서, 다른 채널들(192)은 하나 이상의 기록 클록 신호(WCK) 채널들을 포함할 수 있다. WCK에서 'W'는 공칭 '기록'을 나타낼 수 있고, 기록 클록 신호 WCK(예컨대, WCK_t 신호 및 WCK_c 신호)는 일반적으로 메모리 디바이스(110)에 대한 액세스 동작들을 위한 타이밍 기준(예컨대, 판독 및 기록 동작들 모두를 위한 타이밍 기준)을 제공할 수 있다. 따라서, 기록 클록 신호 WCK는 또한 데이터 클록 신호 WCK로서 불리울 수 있다. WCK 채널들은 외부 메모리 제어기(105)와 메모리 디바이스(110) 사이에서 공통 데이터 클록 신호를 전달하도록 구성될 수 있다. 데이터 클록 신호는 외부 메모리 제어기(105) 및 메모리 디바이스(110)의 액세스 동작(예컨대, 기록 동작 또는 판독 동작)을 조정하도록 구성될 수 있다. 몇몇 경우들에서, 기록 클록 신호는 차동 출력(예컨대, WCK_t 신호 및 WCK_c 신호)일 수 있으며 WCK 채널들의 신호 경로들은 그에 따라 구성될 수 있다. WCK 채널은 임의의 양의 신호 경로들을 포함할 수 있다. 데이터 클록 신호 WCK는 데이터 클록에 의해 발생될 수 있으며, 이것은 하나 이상의 하드웨어 컴포넌트들(예컨대, 발진기들, 수정들, 논리 게이트들, 트랜지스터들 등)을 포함할 수 있다.
몇몇 경우들에서, 다른 채널들(192)은 하나 이상의 에러 검출 코드(EDC) 채널들을 포함할 수 있다. EDC 채널들은 시스템 신뢰성을 개선하기 위해, 체크섬들과 같은, 에러 검출 신호들을 전달하도록 구성될 수 있다. EDC 채널은 임의의 양의 신호 경로들을 포함할 수 있다.
채널들(115)은 다양한 상이한 아키텍처들을 사용하여 메모리 디바이스(110)와 외부 메모리 제어기(105)를 결합할 수 있다. 다양한 아키텍처들의 예들은 버스, 점-대-점 연결, 크로스바, 실리콘 인터포저와 같은 고-밀도 인터포저, 또는 유기 기판에 형성된 채널들 또는 그것의 몇몇 조합을 포함할 수 있다. 예를 들어, 몇몇 경우들에서, 신호 경로들은 적어도 부분적으로 실리콘 인터포저 또는 유리 인터포저와 같은, 고-밀도 인터포저를 포함할 수 있다.
채널들(115)을 통해 전달된 신호들은 다양한 상이한 변조 기법들을 사용하여 변조될 수 있다. 몇몇 경우들에서, 이진-심볼(또는 이진-레벨) 변조 기법은 외부 메모리 제어기(105) 및 메모리 디바이스(110) 사이에서 전달된 신호들을 변조하기 위해 사용될 수 있다. 이진-심볼 변조 기법은 M-진 변조 기법의 예일 수 있으며 여기에서 M은 2와 같다. 이진-심볼 변조 기법의 각각의 심볼은 디지털 데이터의 1비트를 나타내도록 구성될 수 있다(예컨대, 심볼은 논리 1 또는 논리 0을 나타낼 수 있다). 이진-심볼 변조 기법들의 예들은, 이에 제한되지 않지만, 비-제로-복귀(NRZ), 단극성 인코딩, 양극성 인코딩, 맨체스터 인코딩, 두 개의 심볼들을 가진 펄스 진폭 변조(PAM)(예컨대, PAM2), PAM4, 및/또는 기타를 포함한다.
몇몇 경우들에서, 다중-심볼(예컨대, 다중-레벨) 변조 기법은 외부 메모리 제어기(105)와 메모리 디바이스(110) 사이에서 전달된 신호들을 변조하기 위해 사용될 수 있다. 다중-심볼 변조 기법은 M-진 변조 기법의 예일 수 있으며 여기에서 M은 3 이상이다. 다중-심볼 변조 기법의 각각은 1비트보다 큰 디지털 데이터를 나타내도록 구성될 수 있다(예컨대, PAM4 심볼은 논리 00, 논리 01, 논리 10, 또는 논리 11을 나타낼 수 있다). 다중-심볼 변조 기법들의 예들은, 이에 제한되지 않지만, PAM4, PAM8 등, 직교 진폭 변조(QAM), 직교 위상 시프트 키잉(QPSK), 및/또는 기타를 포함한다. 다중-심볼 신호(예컨대, PAM4 신호)는 1보다 큰 비트의 정보를 인코딩하기 위해 적어도 3개의 레벨들을 포함하는 변조 기법을 사용하여 변조되는 신호일 수 있다. 다중-심볼 변조 기법들 및 심볼들은 대안적으로, 비-이진, 다중-비트, 또는 고차 변조 기법들 및 심볼들로 불리울 수 있다.
설명된 기술들에 따르면, 시스템(100)은 메모리 디바이스(110)를 가열하도록(예컨대, 메모리 디바이스(110), 메모리 다이(160), 또는 메모리 어레이(170)의 벌크를 가열하거나, 또는 메모리 디바이스(110), 메모리 다이(160), 또는 메모리 어레이(170)의 질량 또는 볼륨을 모두 합쳐 가열하도록) 구성된 회로부 또는 다른 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 메모리 디바이스(110)를 가열하도록 구성된 회로부 또는 다른 컴포넌트들은 메모리 디바이스(110)의 온도의 표시(예컨대, 외부 메모리 제어기(105)와, 메모리 디바이스(110)와, 또는 시스템(100)의 몇몇 다른 양태과 연관된(예컨대, 그것에 포함되거나 또는 그것과 결합된) 온도 센서로부터 생성되고 수신된 것에 기초하여 활성화되고, 비활성화되거나, 또는 다른 식으로 동작될 수 있다(예컨대, 외부 메모리 제어기(105), 디바이스 메모리 제어기(155), 또는 로컬 메모리 제어기(165)에 의해). 몇몇 예들에서, 메모리 디바이스(110)를 가열하도록 구성된 회로부 또는 다른 컴포넌트들을 활성화하거나 또는 다른 식으로 동작시키는 것은 메모리 디바이스(110)의 동작 모드에 기초할 수 있으며, 이것은 메모리 디바이스의 특정한 액세스 동작들 또는 동작 상태들과 연관될 수 있다. 메모리 디바이스(110)의 다양한 동작들 또는 동작 모드들은 또한 메모리 디바이스(110)의 온도의 표시들에 기초할 수 있다.
도 2는 본 출원에 개시된 양태들에 따른, 메모리 디바이스의 제어형 및 모드-의존형 가열을 지원하는 메모리 다이(160-b)의 예를 예시한다. 메모리 다이(200)는 도 1을 참조하여 설명된 메모리 다이들(160)의 예일 수 있다. 몇몇 경우들에서, 메모리 다이(200)는 메모리 칩, 메모리 디바이스, 또는 전자 메모리 장치로서 불리울 수 있다. 메모리 다이(200)는 상이한 논리 상태들을 저장하도록 프로그램 가능한 하나 이상의 메모리 셀들(205)을 포함할 수 있다. 각각의 메모리 셀(205)은 둘 이상의 상태들을 저장하도록 프로그램 가능할 수 있다. 예를 들어, 메모리 셀(205)은 한 번에 1비트의 디지털 논리(예컨대, 논리 0 및 논리 1)를 저장하도록 구성될 수 있다. 몇몇 경우들에서, 단일 메모리 셀(205)(예컨대, 다중-레벨 메모리 셀)은 한 번에 1보다 큰 비트의 디지털 논리(예컨대, 논리 00, 논리 01, 논리 10, 또는 논리 11)를 저장하도록 구성될 수 있다.
메모리 셀(205)은 커패시터에 프로그램 가능한 상태들을 나타내는 전하를 저장할 수 있다. DRAM 아키텍처들에서, 메모리 셀(205)은 프로그램 가능한 상태를 나타내는 전하를 저장하기 위해 유전체 재료를 포함하는 커패시터를 포함할 수 있다. 다른 메모리 아키텍처들에서, 다른 저장 디바이스들 및 컴포넌트들이 가능하다. 예를 들어, 비선형 유전체 재료들이 이용될 수 있다.
판독 및 기록과 같은 동작들은 워드 라인(210) 및/또는 디지트 라인(215)과 같은 액세스 라인들을 활성화하거나 또는 선택함으로써 메모리 셀들(205) 상에서 수행될 수 있다. 몇몇 경우들에서, 디지트 라인들(215)은 또한 비트 라인들로서 불리울 수 있다. 액세스 라인들, 워드 라인들 및 디지트 라인들, 또는 그것들의 유사물들에 대한 참조들은 이해 또는 동작의 손실 없이 상호 교환 가능하다. 워드 라인(210) 또는 디지트 라인(215)을 활성화하거나 또는 선택하는 것은 각각의 라인에 전압을 인가하는 것을 포함할 수 있다.
메모리 다이(200)는 그리드-형 패턴으로 배열된 액세스 라인들(예컨대, 워드 라인들(210) 및 디지트 라인들(215))을 포함할 수 있다. 메모리 셀들(205)은 워드 라인들(210) 및 디지트 라인들(215)의 교차점들에 배치될 수 있다. 워드 라인(210) 및 디지트 라인(215)을 바이어싱함으로써(예컨대, 전압을 워드 라인(210) 또는 디지트 라인(215)에 인가하는), 단일 메모리 셀(205)은 그것들의 교차점에서 액세스될 수 있다.
메모리 셀들(205)을 액세스하는 것은 행 디코더(220) 또는 열 디코더(225)를 통해 제어될 수 있다. 예를 들어, 행 디코더(220)는 로컬 메모리 제어기(260)로부터 행 어드레스를 수신하며 수신된 행 어드레스에 기초하여 워드 라인(210)을 활성화할 수 있다. 열 디코더(225)는 로컬 메모리 제어기(260)로부터 열 어드레스를 수신할 수 있으며 수신된 열 어드레스에 기초하여 디지트 라인(215)을 활성화할 수 있다. 예를 들어, 메모리 다이(200)는 WL_1 내지 WL_M으로 라벨링된 다수의 워드 라인들(210), 및 DL_1 내지 DL_N으로 라벨링된 다수의 디지트 라인들(215)을 포함할 수 있으며, 여기에서 M 및 N은 메모리 어레이의 크기에 의존한다. 따라서, 워드 라인(210) 및 디지트 라인(215), 예컨대, WL_1 및 DL_3을 활성화함으로써, 그것들의 교차점에서 메모리 셀(205)이 액세스될 수 있다. 워드 라인(210) 및 디지트 라인(215)의 교차점은, 2-차원 또는 3-차원 구성에서, 메모리 셀(205)의 어드레스로서 불리울 수 있다.
메모리 셀(205)은 커패시터(230) 및 스위칭 컴포넌트(235)와 같은, 논리 저장 컴포넌트를 포함할 수 있다. 커패시터(230)는 유전체 커패시터 또는 강유전성 커패시터의 예일 수 있다. 커패시터(230)의 제 1 노드는 스위칭 컴포넌트(235)와 결합될 수 있으며 커패시터(230)의 제 2 노드는 전압 소스(240)와 결합될 수 있다. 몇몇 경우들에서, 전압 소스(240)는 Vss와 같은 접지일 수 있다. 몇몇 경우들에서, 전압 소스(240)는 판 라인 구동기와 결합된 판 라인의 예일 수 있다. 스위칭 컴포넌트(235)는 두 개의 컴포넌트들 사이에서 전자 통신을 선택적으로 수립하거나 또는 수립-해제하는(예컨대, 중지시키는) 트랜지스터 또는 임의의 다른 유형의 스위치 디바이스의 예일 수 있다.
메모리 셀(205)을 선택하거나 또는 선택 해제하는 것은 스위칭 컴포넌트(235)를 활성화하거나 또는 비활성화함으로써 수립될 수 있다. 커패시터(230)는 스위칭 컴포넌트(235)를 사용하여 디지트 라인(215)과 전자 통신할 수 있다. 예를 들어, 커패시터(230)는 스위칭 컴포넌트(235)가 비활성화될 때 디지트 라인(215)으로부터 격리될 수 있으며, 커패시터(230)는 스위칭 컴포넌트(235)가 활성화될 때 디지트 라인(215)과 결합될 수 있다. 몇몇 경우들에서, 스위칭 컴포넌트(235)는 트랜지스터이거나 또는 이를 포함할 수 있으며 그것의 동작은 트랜지스터 게이트에 전압을 인가함으로써 제어될 수 있고, 여기에서 트랜지스터 게이트와 트랜지스터 소스 간의 전압 차는 트랜지스터의 임계 전압보다 크거나 또는 작을 수 있다. 몇몇 경우들에서, 스위칭 컴포넌트(235)는 p-형 트랜지스터 또는 n-형 트랜지스터이거나 또는 이를 포함할 수 있다. 워드 라인(210)은 스위칭 컴포넌트(235)의 게이트와 전자 통신할 수 있으며 워드 라인(210)에 인가되는 전압에 기초하여 스위칭 컴포넌트(235)를 활성화/비활성화할 수 있다.
워드 라인(210)은 메모리 셀(205) 상에서 액세스 동작들을 수행하기 위해 사용되는 메모리 셀(205)과 전자 통신하는 도전성 라인일 수 있다. 몇몇 아키텍처들에서, 워드 라인(210)은 메모리 셀(205)의 스위칭 컴포넌트(235)의 게이트와 전자 통신할 수 있으며 메모리 셀의 스위칭 컴포넌트(235)를 제어하도록 구성될 수 있다. 몇몇 아키텍처들에서, 워드 라인(210)은 메모리 셀(205)의 커패시터의 노드와 전자 통신할 수 있으며 메모리 셀(205)은 스위칭 컴포넌트를 포함하지 않을 수 있다.
디지트 라인(215)은 감지 컴포넌트(245)와 메모리 셀(205)을 연결하는 도전성 라인일 수 있다. 몇몇 아키텍처들에서, 메모리 셀(205)은 액세스 동작의 부분들 동안 디지트 라인(215)과 선택적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 워드 라인(210) 및 메모리 셀(205)의 스위칭 컴포넌트(235)는 메모리 셀(205)의 커패시터(230) 및 디지트 라인(215)을 결합하고 및/또는 격리하도록 구성될 수 있다. 몇몇 아키텍처들에서, 메모리 셀(205)은 디지트 라인(215)과 전자 통신할 수 있다.
감지 컴포넌트(245)는 메모리 셀(205)의 커패시터(230) 상에 저장된 상태(예컨대, 전하)를 검출하고 저장된 상태에 기초하여 메모리 셀(205)의 논리 상태를 결정하도록 구성될 수 있다. 메모리 셀(205)에 의해 저장된 전하는 몇몇 경우들에서, 작을 수 있다. 이와 같이, 감지 컴포넌트(245)는 메모리 셀(205)에 의해 출력된 신호를 증폭시키기 위해 하나 이상의 감지 증폭기들을 포함할 수 있다. 감지 증폭기들은 판독 동작 동안 디지트 라인(215)의 전하에서 작은 변화들을 검출할 수 있으며 검출된 전하에 기초하여 논리 상태 0 또는 논리 상태 1에 대응하는 신호들을 생성할 수 있다.
판독 동작 동안, 메모리 셀(205)의 커패시터(230)는 그것의 대응하는 디지트 라인(215)으로 신호를 출력할 수 있다(예컨대, 전하를 방전시킬 수 있다). 신호는 디지트 라인(215)의 전압을 변하게 할 수 있다. 감지 컴포넌트(245)는 디지트 라인(215)에 걸쳐 메모리 셀(205)로부터 수신된 신호를 기준 신호(250)(예컨대, 기준 전압)에 비교하도록 구성될 수 있다. 감지 컴포넌트(245)는 비교에 기초하여 메모리 셀(205)의 저장된 상태를 결정할 수 있다. 예를 들어, 이진-시그널링에서, 디지트 라인(215)이 기준 신호(250)보다 높은 전압을 갖는다면, 감지 컴포넌트(245)는 메모리 셀(205)의 저장된 상태가 논리 1임을 결정할 수 있으며, 디지트 라인(215)이 기준 신호(250)보다 낮은 전압을 갖는다면, 감지 컴포넌트(245)는 메모리 셀(205)의 저장된 상태가 논리 0임을 결정할 수 있다.
감지 컴포넌트(245)는 신호들에서의 차이를 검출하고 증폭시키기 위해 다양한 트랜지스터들 또는 증폭기들을 포함할 수 있다. 몇몇 경우들에서, 감지 컴포넌트(245)는 또 다른 컴포넌트(예컨대, 열 디코더(225), 행 디코더(220))의 부분일 수 있다. 몇몇 경우들에서, 감지 컴포넌트(245)는 행 디코더(220) 또는 열 디코더(225)와 전자 통신할 수 있다.
감지 컴포넌트(245)에 의해 결정된 바와 같이, 메모리 셀들(205)의 검출된 논리 상태들은 출력(255)으로서 열 디코더(225)를 통해 출력될 수 있다. 출력(255)은 하나 이상의 채널들을 통한 전달을 위해(예컨대, 하나 이상이 송신 라인들을 통한 송신을 위해) 검출된 논리 상태들을 하나 이상의 중간 컴포넌트들(예컨대, 로컬 메모리 제어기)로 전달할 수 있다. 따라서, 메모리 셀들(205)의 검출된 논리 상태는 메모리 다이(200)의 외부에 있는 디바이스들 또는 컴포넌트들로 운반될 수 있다.
로컬 메모리 제어기(260)는 다양한 컴포넌트들(예컨대, 행 디코더(220), 열 디코더(225), 및 감지 컴포넌트(245))을 통해 메모리 셀들(205)의 동작을 제어할 수 있다. 로컬 메모리 제어기(260)는 도 1을 참조하여 설명된 로컬 메모리 제어기(165)의 예일 수 있다. 몇몇 경우들에서, 행 디코더(220), 열 디코더(225), 또는 감지 컴포넌트(245)의 양태들은 로컬 메모리 제어기(260)와 같은 장소에 배치될 수 있다. 로컬 메모리 제어기(260)는 외부 메모리 제어기(105)(또는 도 1을 참조하여 설명된 디바이스 메모리 제어기(155))로부터 명령들 및/또는 데이터를 수신하고, 명령들 및/또는 데이터를 메모리 다이(200)에 의해 사용될 수 있는 정보로 변환하고, 메모리 다이(200) 상에서 하나 이상의 동작들을 수행하며, 하나 이상의 동작들을 수행하는 것에 응답하여 메모리 다이(200)로부터의 데이터를 외부 메모리 제어기(105)(또는 디바이스 메모리 제어기(155))로 전달하도록 구성될 수 있다.
로컬 메모리 제어기(260)는 타겟 워드 라인(210) 및 타겟 디지트 라인(215)을 활성화하기 위해 행 및 열 어드레스 신호들을 생성할 수 있다. 로컬 메모리 제어기(260)는 또한 메모리 다이(200)의 동작 동안 사용된 다양한 전압들 또는 전류들을 생성하고 제어할 수 있다. 일반적으로, 본 출원에서 논의된 인가된 전압 또는 전류의 진폭, 형태, 또는 지속 기간은 조정되거나 또는 변경될 수 있으며 메모리 다이(200)를 동작시키는데 논의된 다양한 동작들에 대해 상이할 수 있다.
몇몇 경우들에서, 로컬 메모리 제어기(260)는 메모리 다이(200)의 하나 이상의 메모리 셀들(205) 상에서 기록 동작(예컨대, 프로그래밍 동작)을 수행하도록 구성될 수 있다. 기록 동작은 외부 디바이스로부터 수신된 데이터에 대한 것일 수 있다. 기록 동작 동안, 메모리 다이(200)의 메모리 셀(205)은 원하는 논리 상태를 저장하도록 프로그램될 수 있다. 몇몇 경우들에서, 복수의 메모리 셀들(205)은 단일 기록 동작 동안 프로그램될 수 있다. 로컬 메모리 제어기(260)는 기록 동작을 수행할 타겟 메모리 셀(205)을 식별할 수 있다. 로컬 메모리 제어기(260)는 타겟 메모리 셀(205)(예컨대, 타겟 메모리 셀(205)의 어드레스)과 전자 통신하는 타겟 워드 라인(210) 및 타겟 디지트 라인(215)을 식별할 수 있다. 로컬 메모리 제어기(260)는 타겟 메모리 셀(205)을 액세스하기 위해 타겟 워드 라인(210) 및 타겟 디지트 라인(215)을 활성화할 수 있다(예컨대, 전압을 워드 라인(210) 또는 디지트 라인(215)에 인가한다). 로컬 메모리 제어기(260)는 메모리 셀(205)의 커패시터(230)에 제 1 상태(예컨대, 전하)를 저장하기 위해 기록 동작 동안 제 1 신호(예컨대, 전압)를 디지트 라인(215)에 인가할 수 있으며, 제 1 상태(예컨대, 전하)는 원하는 논리 상태를 나타낼 수 있다.
몇몇 경우들에서, 로컬 메모리 제어기(260)는 메모리 다이(200)의 하나 이상의 메모리 셀들(205) 상에서 판독 동작(예컨대, 감지 동작)을 수행하도록 구성될 수 있다. 판독 동작은 외부 디바이스에 의해 요청되거나, 또는 그것을 위해 의도된 데이터에 대한 것일 수 있다. 판독 동작 동안, 메모리 다이(200)의 메모리 셀(205)에 저장된 논리 상태가 결정될 수 있다. 몇몇 경우들에서, 복수의 메모리 셀들(205)은 단일 판독 동작 동안 감지될 수 있다. 로컬 메모리 제어기(260)는 판독 동작을 수행할 타겟 메모리 셀(205)을 식별할 수 있다. 로컬 메모리 제어기(260)는 타겟 메모리 셀(205)(예컨대, 타겟 메모리 셀(205)의 어드레스)과 전자 통신하는 타겟 워드 라인(210) 및 타겟 디지트 라인(215)을 식별할 수 있다. 로컬 메모리 제어기(260)는 타겟 메모리 셀(205)을 액세스하기 위해, 타겟 워드 라인(210) 및 타겟 디지트 라인(215)을 활성화할 수 있다(예컨대, 전압을 워드 라인(210) 또는 디지트 라인(215)에 인가한다).
타겟 메모리 셀(205)은 액세스 라인들을 바이어싱하는 것에 응답하여 신호를 감지 컴포넌트(245)로 전달할 수 있다. 감지 컴포넌트(245)는 신호를 증폭시킬 수 있다. 로컬 메모리 제어기(260)는 감지 컴포넌트(245)를 활성화하며(예컨대, 감지 컴포넌트를 래칭하며) 그에 의해 메모리 셀(205)로부터 수신된 신호를 기준 신호(250)에 비교할 수 있다. 상기 비교에 기초하여, 감지 컴포넌트(245)는 메모리 셀(205) 상에 저장되는 논리 상태를 결정할 수 있다. 로컬 메모리 제어기(260)는 판독 동작의 부분으로서 메모리 셀(205) 상에 저장된 논리 상태를 외부 메모리 제어기(105)(또는 디바이스 메모리 제어기(155))로 전달할 수 있다.
몇몇 메모리 아키텍처들에서, 메모리 셀(205)을 액세스하는 것은 메모리 셀(205)에 저장된 논리 상태를 저하시키거나 또는 파괴할 수 있다. 예를 들어, DRAM 아키텍처들에서 수행된 판독 동작은 타겟 메모리 셀의 커패시터를 부분적으로 또는 완전히 방전시킬 수 있다. 로컬 메모리 제어기(260)는 메모리 셀을 그것의 원리 논리 상태로 되돌아가기 위해 재-기록 동작 또는 리프레시 동작을 수행할 수 있다. 로컬 메모리 제어기(260)는 판독 동작 후 타겟 메모리 셀로 논리 상태를 재-기록할 수 있다. 몇몇 경우들에서, 재-기록 동작은 판독 동작의 부분으로 고려될 수 있다. 부가적으로, 워드 라인(210)과 같은, 단일 액세스 라인을 활성화하는 것은 상기 액세스 라인과 전자 통신하는 몇몇 메모리 셀들에 저장된 상태를 방해할 수 있다. 따라서, 재-기록 동작 또는 리프레시 동작은 액세스되지 않은 하나 이상의 메모리 셀들 상에서 수행될 수 있다.
메모리 다이(200)는 메모리 셀들의 2-차원(2D) 어레이를 예시한다. 몇몇 경우들에서, 메모리 디바이스는 3-차원(3D) 어레이들 또는 메모리 셀들을 포함할 수 있다. 3D 메모리 어레이는 서로의 최상부 상에 적층된 둘 이상의 2D 메모리 어레이들을 포함할 수 있다. 몇몇 경우들에서, 3D 메모리 어레이에서 2D 메모리 어레이들은 데크들, 레벨들, 층들, 또는 다이들로서 불리울 수 있다. 3D 메모리 어레이는 임의의 양의 적층된 2D 메모리 어레이들(예컨대, 2 높이, 3 높이, 4 높이, 5 높이, 6 높이, 7 높이, 8 높이)을 포함할 수 있다. 이것은 단일 2D 메모리 어레이와 비교하여 단일 다이 또는 기판상에 배치될 수 있는 메모리 셀들의 양을 증가시킬 수 있으며, 결과적으로 생산 비용들을 감소시키고, 메모리 어레이의 성능을 증가시키거나, 또는 둘 모두를 할 수 있다. 몇몇 3D 메모리 어레이들에서, 상이한 데크들은 몇몇 데크들이 워드 라인(210) 또는 디지트 라인(215) 중 적어도 하나를 공유할 수 있도록 적어도 하나의 공통 액세스 라인을 공유할 수 있다.
메모리 다이(200)를 포함하거나 또는 그 외 그것과 연관되는(예컨대, 메모리 다이(200)를 포함하거나 또는 그 외 그것과 연관된 메모리 디바이스(110)를 포함하는) 시스템(100) 또는 외부 메모리 제어기(105)는 그 외 메모리 다이(200)를 위해 설계되거나 또는 구성될 동작 온도들의 범위와 상이한 주위 온도들의 범위에서 동작하도록 설계되거나 또는 구성될 수 있다. 예를 들어, 시스템(100) 또는 외부 메모리 제어기(105)가 차량에 포함될 때, 차량은 메모리 다이(200)의 설계된 동작 온도(예컨대, 0℃만큼 낮은)보다 낮을 수 있는 비교적 낮은 주위 온도들(예컨대, -40℃만큼 낮은 주위 온도)에서 동작하도록 설계될 수 있다.
메모리 다이(200)의 하나 이상의 동작 양태들은 온도-민감성일 수 있으며, 메모리 다이(200) 또는 메모리 다이를 포함하는 시스템(예컨대, 시스템(100)과 같은 시스템)은 메모리 디바이스가 메모리 다이(200)를 포함하거나 또는 그 외 그것과 연관되는 시스템(100) 또는 외부 메모리 제어기(105)에 대해 예상된 주위 온도 범위에 걸쳐 동작 파라미터들을 만족하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 메모리 다이(200) 또는 메모리 다이(200)를 포함하는 장치 또는 시스템(100)은 메모리 다이(200)를 가열하도록 구성된 회로부 또는 다른 컴포넌트들(예컨대, 메모리 다이(200) 또는 메모리 다이(200)를 포함하는 메모리 디바이스(110)를 가열하도록 구성된 회로부, 메모리 다이(200)에 포함된 메모리 어레이를 가열하도록 구성된 회로부, 메모리 다이(200)의 메모리 셀들(205) 모두를 가열하도록 구성된 회로부)를 포함할 수 있다. 메모리 다이(200)를 가열하도록 구성된 회로부 또는 다른 컴포넌트들은 메모리 디바이스(110) 또는 그것의 컴포넌트의 온도의 표시에 기초하여(예컨대, 메모리 디바이스(110)의 온도를 올리기 위한 결정에 기초하여), 활성화되고, 비활성화되거나, 또는 다른 식으로 동작될 수 있다. 몇몇 예들에서, 메모리 다이(200)를 가열하도록 구성된 회로부 또는 다른 컴포넌트들을 활성화하고, 비활성화하거나, 또는 다른 식으로 동작시키는 것은 메모리 디바이스(110)의 특정한 액세스 동작들 또는 동작 상태들과 연관될 수 있는, 메모리 다이(200)를 포함하는 메모리 디바이스(110)의 동작 모드에 기초할 수 있다. 메모리 디바이스(110)의 다양한 동작들 또는 동작 모드들은 또한 메모리 디바이스(110) 또는 그것의 컴포넌트의 온도의 표시들에 기초할 수 있다.
도 3은 본 출원에 개시된 양태들에 따른, 메모리 디바이스의 제어형 및 모드-의존형 가열을 지원하는 시스템(100-c)의 예(300)를 예시한다. 시스템(100-c)은 도 1 및 도 2를 참조하여 설명된 각각의 컴포넌트들의 예들일 수 있는, 호스트 디바이스(305) 및 메모리 디바이스(110-c)를 포함할 수 있다. 시스템(100-c)은 하나의 메모리 디바이스(110)(예컨대, 메모리 디바이스(110-c))를 갖고 예시되지만, 본 출원에서 설명된 컴포넌트들 및 기술들은 하나의 메모리 디바이스(110) 또는 메모리 디바이스들(110)의 세트(예컨대, 하나보다 많은 메모리 디바이스(110))를 포함하는 시스템(100)을 예시할 수 있다.
시스템(100-c)은 시스템(100-c)이 동작하도록 설계되는 주위 온도 또는 주위 온도의 범위(예컨대, 옥외 온도, 시스템(100-c)을 포함하는 엔클로저의 또는 그 안의 온도)를 나타낼 수 있는, 주위 온도(예컨대, TA)를 가진 환경(302)에서 동작할 수 있다. 몇몇 예들에서, 환경(302)은 메모리 디바이스(110-C)와 연관된 동작 온도 범위와 상이한, 또는 그 외 메모리 디바이스(110-c)를 위해 구성될 동작 온도와 상이한 주위 온도 범위와 연관될 수 있다. 예를 들어, 시스템(100-c) 또는 호스트 디바이스(305)는 차량, 또는 차량 컴포넌트(예컨대, 차량 제어기, 차량 프로세싱 유닛, 또는 차량에 포함된 외부 메모리 제어기(105))를 나타낼 수 있으며, 환경(302)(예컨대, 옥외 환경, 차량 환경, 엔진 구획 환경, 차량 내부 환경)은 -40℃ 내지 100℃의 주위 온도 범위, 또는 몇몇 다른 온도 범위와 연관될 수 있다. 몇몇 예들에서, 메모리 디바이스(110-c)는 0℃ 내지 100℃ 사이의 동작 온도들을 위해 설계되거나 또는 그 외 구성될 수 있다. 본 출원에 개시된 양태들에 따르면, 시스템(100-c)은 메모리 디바이스(110-c)를 가열하도록 구성된 회로부를 포함할 수 있으며(예컨대, 메모리 디바이스(110-c)의 온도를 올리는 것과 연관된 결정에 기초하여), 따라서 메모리 디바이스(110-c)는, 환경(302)의 주위 온도가 동작 온도 미만(예컨대, -40℃만큼 낮은)일 때에도, 설계된 또는 구성된 동작 온도 범위(예컨대, 0℃ 내지 100℃ 사이) 내에서의 온도에서 동작들을 수행할 수 있다.
시스템(100-c)은 메모리 디바이스(110-c)의 온도를 측정하거나 또는 나타내기 위한 다양한 온도 센서들을 포함할 수 있다. 몇몇 예들에서, 시스템(100-c)은 메모리 디바이스(110-c)의 컴포넌트일 수 있는, 메모리 디바이스 온도 센서(320)를 포함할 수 있다. 메모리 디바이스 온도 센서(320)는 디바이스 메모리 제어기(155), 메모리 다이(160), 로컬 메모리 제어기(165), 메모리 어레이(170), 또는 메모리 디바이스(110-c)에 포함된 임의의 다른 컴포넌트 중 임의의 것 내에 내장되거나(예컨대, 그것의 일체형 컴포넌트로서), 또는 그것에 결합될 수 있다. 메모리 디바이스(110-c)의 예시적인 경계 내에서 도시되지만, 메모리 디바이스 온도 센서(320)는 또한 메모리 디바이스(110-c)의 외부 패키징에 결합될 수 있으며(예컨대, 그것에 융합되고, 그것에 체결되고, 그것에 솔더링되는), 이것은 열 도전성 재료들 사이에서 열 페이스트 또는 다른 결합과 같은 열 도전성 결합을 포함할 수 있다. 메모리 디바이스 온도 센서(320)는 메모리 디바이스(110-c), 또는 그것의 컴포넌트의 온도(예컨대, 온도(T1))의 비교적 직접적인 측정 또는 표시를 제공할 수 있다. 몇몇 예들에서, 메모리 디바이스 온도 센서(320)와 연관된 획득률(예컨대, 온도 표시를 결정하는 비율)은 리프레시 또는 자동-리프레시(AREF) 명령들과 같은, 메모리 디바이스(110-c)의 동작들에 연계될 수 있으며, 구성된 간격에 따라(예컨대, 1.9μs마다) 발생할 수 있다.
부가적으로 또는 대안적으로, 시스템(100-c)은 호스트 디바이스(305)의 컴포넌트일 수 있는, 호스트 디바이스 온도 센서(330)를 포함할 수 있다. 호스트 디바이스 온도 센서(330)는 외부 메모리 제어기(105) 내에 내장되거나(예컨대, 그것의 일체형 컴포넌트로서), 또는 그것에 결합될 수 있거나, 또는 이러한 컴포넌트들이 호스트 디바이스(305)에 포함되는 경우, 호스트 디바이스 온도 센서(330)는 프로세서(120), BIOS 컴포넌트(125), 주변 컴포넌트(130), 또는 I/O 제어기(135) 내에 내장되거나 또는 그것에 결합될 수 있다. 호스트 디바이스(305)의 예시적인 경계 내에서 도시되지만, 호스트 디바이스 온도 센서(330)는 또한 호스트 디바이스(305)의 외부 패키징에 결합될 수 있으며(예컨대, 그것에 융합되고, 체결되고, 솔더링되는), 이것은 열 도전성 재료들 사이에서 열 페이스트 또는 다른 결합과 같은 열 도전성 결합을 포함할 수 있다. 호스트 디바이스 온도 센서(330)는 호스트 디바이스(305), 또는 그것의 컴포넌트의 온도(예컨대, 온도(T2))의 비교적 직접적인 측정 또는 표시를 제공할 수 있으며, 이것은 몇몇 예들 또는 조건들에서, 본 출원에서 설명된 기술들을 지원하기 위한 메모리 디바이스(110-c)의 온도의 적절한 측정 또는 표시(예컨대, 비교적 간접적인 측정 또는 표시)를 제공할 수 있다.
몇몇 예들에서, 호스트 디바이스(305) 및 메모리 디바이스(110-c)는 결합 컴포넌트(310)를 통해 결합될 수 있지만, 시스템(100-c)의 다양한 예들에서, 결합 컴포넌트(310), 또는 그것의 설명된 기능들은 시스템(100-c)에 포함되거나 또는 시스템(100-c)으로부터 생략될 수 있다. 결합 컴포넌트(310)는 호스트 디바이스(305)와 메모리 디바이스(110-c) 사이에 결합을 제공하는 시스템(100-c)의 물리적 컴포넌트일 수 있다. 설명된 결합은 호스트 디바이스(305)와 메모리 디바이스(110-c) 사이에서 열 에너지를 운반하는 열 결합을 포함할 수 있다. 예를 들어, 결합 컴포넌트(310)는 비교적 높은 열 전도율(예컨대, 낮은 열 저항)을 가질 수 있으며, 이것은 호스트 디바이스(305)와 메모리 디바이스(110-c) 사이에서 비교적 작은 온도 차이들로 호스트 디바이스(305)와 메모리 디바이스(110-c) 사이에서의 열 에너지 전달을 가능하게 할 수 있다. 다시 말해서, 결합 컴포넌트(310)는 비교적 유사한 온도들에 있는(예컨대, 비교적 강한 열 결합을 통해) 호스트 디바이스(305) 및 메모리 디바이스(110-c)를 지원할 수 있다.
결합 컴포넌트(310)를 통해(예컨대, 열 결합을 통해) 호스트 디바이스(305)와 메모리 디바이스(110-c)를 결합함으로써, 호스트 디바이스 온도 센서(330)는 결합 컴포넌트(310)가 생략될 때보다 더 정확한 메모리 디바이스(110-c)의 온도의 표시를 제공할 수 있다. 예를 들어, 시스템(100-c)이 결합 컴포넌트(310)를 포함할 때, 호스트 디바이스 온도 센서(330)는 열 과도들 동안, 또는 메모리 디바이스(110-c)의 내부 열 발생이 호스트 디바이스(305)의 내부 열 발생과 상이할 때 메모리 디바이스 온도의 더 정확한 표시를 제공할 수 있다. 그러나, 몇몇 예들에서, 결합 컴포넌트(310)는 시스템(100-c)으로부터 생략될 수 있으며, 호스트 디바이스 온도 센서(330)는 본 출원에서 설명된 기술들을 지원하는데 적절할 수 있다.
몇몇 예들에서, 결합 컴포넌트(310)는 구체적으로 호스트 디바이스 온도 센서(330)와 메모리 디바이스(110-c) 사이에서 온도 차들을 감소시키도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 결합 컴포넌트(310)는 기판의 열 도전성 트레이스 또는 패드(예컨대, 메모리 디바이스(110-c) 및 호스트 디바이스(305) 둘 모두가 결합되는 인쇄 회로 보드의 도전성 부분)와 같은, 호스트 디바이스 온도 센서(330) 또는 호스트 디바이스(305) 및 메모리 디바이스(110-c) 사이에서의 특히-설계된 열 브리지 또는 연결일 수 있다. 몇몇 예들에서, 결합 컴포넌트(310)는 다른 목적들을 위해 구성될 수 있지만, 그 외 메모리 디바이스(110-c)와 호스트 디바이스(305) 사이에서 열 전도를 지원한다. 예를 들어, 결합 컴포넌트(310)는 메모리 디바이스(110-c) 또는 호스트 디바이스(305)로부터 멀리 열 에너지를 끌어내도록 구성된 열 싱크 또는 냉각 핀들일 수 있으며, 부가적으로 메모리 디바이스(110-c)와 호스트 디바이스(305) 사이에서 온도 차를 제한할 수 있다(예컨대, 결합 컴포넌트(310)의 2차 또는 부가적인 목적으로서). 몇몇 예들에서, 결합 컴포넌트(310)는 또한 메모리 디바이스(110-c)와 호스트 디바이스(305) 사이에서 신호들을 전달하도록 구성된 인쇄 회로 보드 또는 다른 인터페이싱 컴포넌트의 도전성 트레이스를 나타낼 수 있다(예컨대, 하나 이상의 채널들(115)과 연관된 신호 경로들).
결합 컴포넌트(310)는 메모리 디바이스(110-c) 및 호스트 디바이스(305)로부터 별개의 컴포넌트로서 예시되지만, 시스템(100-c)의 다양한 예들에서, 결합 컴포넌트(310), 또는 그것의 설명된 특성들은 메모리 디바이스(110-c) 또는 호스트 디바이스(305) 중 하나 또는 둘 모두에 포함될 수 있다. 예를 들어, 메모리 디바이스(110-c)는 인쇄 회로 보드 또는 다른 기판에 장착된 하나 이상의 메모리 다이들(160)을 포함할 수 있으며, 메모리 디바이스(110-c)의 인쇄 회로 보드는 메모리 디바이스(110-c)와 호스트 디바이스(305) 사이에서 열 에너지의 교환을 지원하도록 구성되거나, 또는 그 외 지원하는 열 도전성 부분을 포함할 수 있으며, 그에 의해 메모리 디바이스(110-c) 및 호스트 디바이스 온도 센서(330-c) 사이에서의 온도 차들을 감소시킬 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 호스트 디바이스(305)는 인쇄 회로 보드를 포함할 수 있으며, 호스트 디바이스(305)의 인쇄 회로 보드는 호스트 디바이스(305)와 메모리 디바이스(110-c) 사이에서 열 에너지의 교환을 지원하도록 구성되거나 또는, 그 외 지원하는 열 도전성 부분을 포함할 수 있으며, 그에 의해 메모리 디바이스(110-c)와 호스트 디바이스 온도 센서(330-c) 사이에서의 온도 차들을 제한할 수 있다.
결합 컴포넌트(310)를 포함하는 시스템(100-c)에 대해, 시스템(100-c)은 결합 컴포넌트(310)의 컴포넌트일 수 있는, 결합 컴포넌트 온도 센서(340)(예컨대, 메모리 디바이스 온도 센서(320) 또는 호스트 디바이스 온도 센서(330) 중 하나 또는 둘 모두 외에, 또는 그것에 대한 대안으로서)를 포함할 수 있다. 결합 컴포넌트 온도 센서(340)는 결합 컴포넌트(310) 내에 내장되거나(예컨대, 그것의 일체형 컴포넌트로서), 또는 그 외 그것에 결합될 수 있으며, 이것은 열 도전성 재료들 사이에서 열 페이스트 또는 다른 결합과 같은 열 도전성 결합을 포함할 수 있다. 결합 컴포넌트 온도 센서(340)는 결합 컴포넌트(310)의 온도(예컨대, 온도(T3))의 비교적 직접적 측정 또는 표시를 제공할 수 있으며, 이것은 몇몇 예들 또는 조건들에서, 메모리 디바이스(110-c)의 온도 또는 호스트 디바이스(305)의 온도 중 하나 또는 둘 모두의 적절한 측정 또는 표시(예컨대, 비교적 간접적인 측정 또는 표시)를 제공할 수 있다. 다양한 예들에서, 결합 컴포넌트 온도 센서(340)는 메모리 디바이스(110-c), 또는 호스트 디바이스(305), 또는 둘 모두와 통신할 수 있다(예컨대, 그것으로 온도 표시를 제공할 수 있다).
단일 컴포넌트들로서 예시되지만, 메모리 디바이스 온도 센서(320), 호스트 디바이스 온도 센서(330), 또는 결합 컴포넌트 온도 센서(340) 중 임의의 하나 이상은 시스템(100-c)에서 반복될 수 있다. 예를 들어, 메모리 디바이스(110-c)는 다수의 메모리 다이들(160)에 걸쳐 분포되거나, 또는 그 외 메모리 디바이스(110-c)의 상이한 위치들에 걸쳐 분포된 메모리 디바이스 온도 센서들(320)의 세트를 포함할 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 호스트 디바이스(305)는 호스트 디바이스(305)의 다양한 컴포넌트들에 걸쳐 분포되거나, 또는 그 외 호스트 디바이스(305)의 상이한 위치들에 걸쳐 분포된 호스트 디바이스 온도 센서들(330)의 세트를 포함할 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 결합 컴포넌트(310)는 결합 컴포넌트(310)의 다양한 컴포넌트들에 걸쳐 분포되거나, 또는 그 외 결합 컴포넌트(310)의 상이한 위치들에 걸쳐 분포된 결합 컴포넌트 온도 센서들(340)의 세트를 포함할 수 있다.
다양한 예들에서, 다수의 온도 센서들은 종합된 표시들(예컨대, 특정한 메모리 디바이스(110-c)의 평균 또는 그 외 종합된 온도 표시, 메모리 디바이스들(110-c)의 세트의 평균 또는 그 외 종합된 온도, 시스템(100-c)의 평균 또는 그 외 종합된 온도), 최소 또는 최대 표시들(예컨대, 특정한 메모리 디바이스(110-c)의 최소 또는 최대 온도, 메모리 디바이스들(110-c)의 세트의 최소 또는 최대 온도, 시스템(100-c)의 최소 또는 최대 온도), 또는 타당성 표시들(예컨대, 온도 센서가 실패하였는지, 결함이 있는지, 또는 그 외 믿기 어려운 온도 표시를 제공하고 있는지를 검출하기 위해 사용될 수 있는 표시), 또는 그것의 다양한 조합들을 제공하기 위해 시스템(100-c)에서 사용될 수 있다.
다양한 예들에서, 다수의 온도 센서들은 또 다른 온도 센서의 표시에 기초하여 하나의 온도 센서의 표시의 오프셋 결정들, 교차-캘리브레이션, 또는 다른 프로세싱을 지원하기 위해 시스템(100-c)에서 사용될 수 있다. 일 예에서, 호스트 디바이스(305) 또는 메모리 디바이스(110-c)(예컨대, 외부 메모리 제어기(105) 또는 디바이스 메모리 제어기(155))는 동일한 디바이스의 온도 센서들 사이에서(예컨대, 호스트 디바이스 온도 센서들(330) 사이에서, 메모리 디바이스 온도 센서들(320) 사이에서) 오프셋 또는 스케일링 차이를 식별할 수 있고, 동일한 디바이스의 온도 센서들에 오프셋 또는 스케일링을 적용할 수 있으며(예컨대, 식별된 오프셋 또는 스케일링 차이의 가산 또는 감산으로서, 식별된 오프셋 또는 스케일링 차이의 동일한 비율 또는 가중된 양의 가산 또는 감산으로서), 이것은 시스템(100-c)의 동일한 디바이스 내에서 온도 센서들의 교차-캘리브레이션의 예일 수 있다. 또 다른 예에서, 호스트 디바이스(305) 또는 메모리 디바이스(110-c)(예컨대, 외부 메모리 제어기(105) 또는 디바이스 메모리 제어기(155))는 메모리 디바이스 온도 센서(320) 및 호스트 디바이스 온도 센서(330) 상이에서 오프셋 또는 스케일링 차이를 식별할 수 있고 메모리 디바이스 온도 센서(320)로부터의 표시 또는 호스트 디바이스 온도 센서(330)로부터의 표시 중 하나 또는 둘 모두로 오프셋 또는 스케일링 차이를 적용할 수 있으며(예컨대, 식별된 오프셋 또는 스케일링 차이의 가산 또는 감산으로서, 식별된 오프셋 또는 스케일링 차이의 몇몇 비율 또는 가중된 양의 가산 또는 감산으로서), 이것은 시스템(100-c)의 상이한 디바이스들에 걸친 온도 센서들의 교차-캘리브레이션의 예일 수 있다.
몇몇 예들에서, 호스트 디바이스(305) 또는 메모리 디바이스(110-c)(예컨대, 외부 메모리 제어기(105) 또는 디바이스 메모리 제어기(155))는 메모리 디바이스(110-c)의 표시된 온도 및 호스트 디바이스(305)의 표시된 온도 간의 차이를 식별할 수 있으며, 호스트 디바이스(305) 또는 메모리 디바이스(110-c)는 식별된 차에 기초하여 설명된 동작들 또는 교환된 명령들 또는 시그널링을 수행할 수 있다. 예를 들어, 호스트 디바이스(305)는 메모리 디바이스 온도 센서(320)와 호스트 디바이스 온도 센서(330) 간의 차이(예컨대, 오프셋)를 식별할 수 있으며, 호스트 디바이스(305)는 메모리 디바이스 온도 센서(320)의 표시를 추정하기 위해 호스트 디바이스 온도 센서(330)의 나중 표시들에 식별된 차이를 적용하며(예컨대, 가산 또는 감산에 의해), 메모리 디바이스 온도 센서(320)의 추정된 표시에 기초하여 동작들을 수행할 수 있다.
몇몇 경우들에서, 하나의 디바이스의 온도 및 또 다른 디바이스의 온도 사이에서(예컨대, 호스트 디바이스(305)의 온도 및 메모리 디바이스(110-c)의 온도 사이에서, 결합 컴포넌트(310)의 온도 및 메모리 디바이스(110-c)의 온도 사이에서)의 오프셋은 호스트 디바이스(305) 또는 메모리 디바이스(110-c)에서 사전 구성될 수 있으며(예컨대, 하나 이상의 퓨즈들 또는 안티-퓨즈들에 저장되며), 포스트 디바이스(305) 또는 메모리 디바이스(110-c)는 본 출원에서 설명된 바와 같이 식별된 이러한 사전 구성된 오프셋을 사용할 수 있다.
메모리 디바이스 온도 센서(320), 호스트 디바이스 온도 센서(330), 또는 결합 컴포넌트 온도 센서(340)는 온도의 표시를 제공하는 다양한 유형들의 컴포넌트들을 포함할 수 있으며, 이러한 표시들은 디지털 도메인 또는 아날로그 도메인에서 운반되고, 시그널링되고, 비교되거나, 또는 그 외 프로세싱될 수 있다. 예를 들어, 메모리 디바이스 온도 센서(320), 호스트 디바이스 온도 센서(330), 또는 결합 컴포넌트 온도 센서(340) 중 임의의 하나 이상은 열전대, 서미스터, 반도체 온도 센서, 저항 온도 검출기(RTD), 또는 몇몇 다른 유형의 센서를 포함할 수 있다.
몇몇 예들에서, 시스템(100-c)의 특정한 컴포넌트의 온도 센서들의 세트는 동일한 유형의 센서일 수 있다. 예를 들어, 메모리 디바이스(110-c)의 메모리 디바이스 온도 센서들(320)의 세트의 각각은 반도체 온도 센서들일 수 있다. 몇몇 예들에서, 시스템(100-c)의 컴포넌트는 다수의 유형들의 온도 센서들을 가질 수 있으며, 이것은 상이한 온도 범위들, 상이한 동작 조건들(예컨대, 상이한 동작 모드들, 상이한 전력 소비, 에너자이징되는 컴포넌트의 상이한 부분들), 중복성, 또는 타당성 검출을 지원할 수 있다. 예를 들어, 메모리 디바이스(110-c)의 메모리 디바이스 온도 센서들(320)은 열전대들의 세트 및 하나 이상의 RTD들을 포함할 수 있다.
다양한 예들에서, 시스템(100-c)의 컴포넌트들은 동일한 또는 상이한 유형들의 온도 센서들을 사용할 수 있다. 예를 들어, 메모리 디바이스(110-c)의 메모리 디바이스 온도 센서(320)는 열전대를 포함할 수 있으며, 호스트 디바이스(305)의 호스트 디바이스 온도 센서(330)는 열전대, 또는 RTD, 또는 둘 모두를 포함할 수 있다. 온도 센서 유형들의 다양한 다른 조합들이 설명된 기술들에 따라 메모리 디바이스 온도 센서들(320), 호스트 디바이스 온도 센서들(330), 또는 결합 컴포넌트 온도 센서들(340)에서 사용될 수 있다.
시스템(100-c)은 또한 메모리 디바이스(110-c)를 가열하도록 구성된 다양한 회로부 또는 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 몇몇 예들에서, 시스템(100-c)은 메모리 디바이스(110-c)의 컴포넌트일 수 있는, 메모리 디바이스 메모리 히터(350)를 포함할 수 있다. 메모리 디바이스 메모리 히터(350)는 디바이스 메모리 제어기(155), 메모리 다이(160), 로컬 메모리 제어기(165), 메모리 어레이(170), 또는 메모리 디바이스(110-c)에 포함된 임의의 다른 컴포넌트 중 임의의 것 내에 내장되거나(예컨대, 그것의 일체형 컴포넌트로서), 또는 그것에 결합될 수 있다. 예를 들어, 메모리 디바이스 메모리 히터(350)는 전기 에너지를 열 에너지를 변환하는(예컨대, 오믹 가열을 통해) 저항성 엘리먼트 또는 저항성 경로(예컨대, 트레이스, 와이어, 또는 전극)를 포함할 수 있다. 몇몇 예들에서, 메모리 디바이스 메모리 히터(350)는 접지, 섀시 접지, 또는 전류 흐름을 지원하는 몇몇 다른 전압 소스와 전압 소스를 결합하도록 구성된 스위칭 컴포넌트를 포함할 수 있다. 이러한 저항성 엘리먼트들, 저항성 경로들, 접지들, 전압 소스들, 또는 스위칭 컴포넌트들은 메모리 디바이스(110-c)의 하나 이상의 다양한 컴포넌트들(예컨대, 디바이스 메모리 제어기(155), 메모리 다이(160), 로컬 메모리 제어기(165), 메모리 어레이(170))와 연관될 수 있다.
몇몇 예들에서, 메모리 디바이스(110-c)를 가열하도록 구성된 회로부에 포함된 스위칭 컴포넌트는 메모리 어레이(170)와 연관된 두 개의 액세스 라인들을 선택적으로 결합하도록 구성될 수 있다(예컨대, 저항성 엘리먼트를 통해, 저항성 경로를 통해, 단락 회로를 통해). 몇몇 예들에서, 메모리 디바이스(110-c)는 메모리 디바이스(110-c)를 가열하도록 구성되는(예컨대, 메모리 어레이(170)의 포용 온도를 상승시키기 위해 구성된, 메모리 어레이(170)의 복수의 메모리 셀들(205)의 온도를 상승시키도록 구성된, 메모리 디바이스(110-c)의 온도를 상승시키기 위한 결정에 응답한 동작들) 더미 동작들(예컨대, 더미 액세스 동작들, 호스트 디바이스(305)와의 정보의 교환과 연관되지 않은 액세스 동작들)을 수행하도록 구성될 수 있으며, 그 경우에 메모리 디바이스 메모리 히터(350)는 로컬 메모리 제어기(165), 메모리 어레이(170), 또는 둘 모두의 부분들을 포함할 수 있다. 몇몇 예들에서, 메모리 디바이스 메모리 히터(350)는 액세스 동작들을 위해 사용되지 않은 메모리 디바이스(110-c)를 가열하도록 구성된 회로부(예컨대, 메모리 디바이스(110-c)의 액세스 동작들에서 사용되지 않은 메모리 디바이스(110-c)를 가열하기 위해 구성된 컴포넌트들)를 포함할 수 있다.
메모리 디바이스(110-c)의 예시적인 경계 내에서 도시되지만, 메모리 디바이스 메모리 히터(350)는 또한 메모리 디바이스(110-c)의 외부 패키징에 결합될(예컨대, 그것에 융합되고, 체결되고, 솔더링되는) 수 있으며, 이것은 열 도전성 재료들 사이에서 열 페이스트 또는 다른 결합과 같은 열 도전성 결합을 포함할 수 있다. 메모리 디바이스 메모리 히터(350)는 메모리 디바이스(110-c)의 비교적 직접적인 가열을 제공할 수 있다.
부가적으로 또는 대안적으로, 시스템(100-c)은 호스트 디바이스(305)의 컴포넌트일 수 있는, 호스트 디바이스 메모리 히터(360)를 포함할 수 있다. 호스트 디바이스 메모리 히터(360)는 외부 메모리 제어기(105) 내에 내장되거나(예컨대, 그것의 일체형 컴포넌트로서), 또는 그것에 결합될 수 있거나, 또는 이러한 컴포넌트들이 호스트 디바이스(305)에 포함되는 경우에, 호스트 디바이스 메모리 히터(360)는 프로세서(120), BIOS 컴포넌트(125), 주변 컴포넌트(130), 또는 I/O 제어기(135) 내에 내장되거나 또는 그것에 결합될 수 있다. 몇몇 예들에서, 호스트 디바이스 메모리 히터(360)는 전기 에너지를 열 에너지로 변환하는(예컨대, 오믹 가열을 통해) 저항성 엘리먼트 또는 저항성 경로(예컨대, 트레이스, 와이어, 또는 전극)를 포함할 수 있다. 호스트 디바이스(305)의 예시적인 경계 내에서 도시되지만, 호스트 디바이스 메모리 히터(360)는 또한 호스트 디바이스(305)의 외부 패키징에 결합될(예컨대, 그것에 융합되고, 체결되고, 솔더링되는) 수 있으며, 이것은 열 도전성 재료들 사이에서 열 페이스트 또는 다른 결합과 같은 열 도전성 결합을 포함할 수 있다. 호스트 디바이스 메모리 히터(360)는 호스트 디바이스(305)의 비교적 직접적인 가열을 제공할 수 있으며, 이것은 몇몇 예들 또는 조건들에서, 본 출원에서 설명된 기술들을 지원하기 위해 메모리 디바이스(110-c)의 온도를 올리기에 적합한 가열(예컨대, 비교적 간접적인 가열)을 제공할 수 있다.
결합 컴포넌트(310)를 포함하는 시스템(100-c)에 대해, 시스템(100-c)은 결합 컴포넌트(310)의 컴포넌트일 수 있는, 결합 컴포넌트 메모리 히터(370)를 포함할 수 있다(예컨대, 메모리 디바이스 온도 센서(320) 또는 호스트 디바이스 온도 센서(330) 중 하나 또는 둘 모두 외에, 또는 그것에 대한 대안으로서). 결합 컴포넌트 메모리 히터(370)는 결합 컴포넌트(310) 내에 내장되거나(예컨대, 그것의 일체형 컴포넌트로서), 또는 그 외 그것에 결합될 수 있으며, 이것은 열 도전성 재료들 사이에서 열 페이스트 또는 다른 결합과 같은 열 도전성 결합을 포함할 수 있다. 몇몇 예들에서, 결합 컴포넌트 메모리 히터(370)는 전기 에너지를 열 에너지로 변환하는(예컨대, 오믹 가열을 통해) 저항성 엘리먼트 또는 저항성 경로를 포함할 수 있다. 몇몇 예들에서, 결합 컴포넌트 메모리 히터(370)는 통상적으로 냉각 기능과 연관되는 순환 유체 또는 유체 경로를 나타낼 수 있지만(예컨대, 결합 컴포넌트(310)가 액체 냉각 시스템과 연관된 열 싱크 또는 매니폴드를 포함할 때), 메모리 디바이스(110-c)에 가열을 제공하기 위해 특정한 조건들하에서 구성될 수 있다(예컨대, 유체 소스의 유체가 메모리 디바이스(110-c)보다 높은 온도를 가질 때). 결합 컴포넌트 메모리 히터(370)는 결합 컴포넌트(310)의 비교적 직접적인 가열을 제공할 수 있으며, 이것은 몇몇 예들 또는 조건들에서, 메모리 디바이스(110-c) 또는 호스트 디바이스(305)의 온도를 올리기에 적합한 가열(예컨대, 비교적 간접적인 가열)을 제공할 수 있다. 다양한 예들에서, 결합 컴포넌트 메모리 히터(370)는 메모리 디바이스(110-c), 또는 호스트 디바이스(305), 또는 둘 모두와 통신할 수 있다(예컨대, 그로부터 제어 명령들을 수신하고, 그로부터 활성화 명령들을 수신하고, 그로부터 비활성 명령들을 수신한다).
단일 컴포넌트들로서 예시되지만, 메모리 디바이스 메모리 히터(350), 호스트 디바이스 메모리 히터(360), 또는 결합 컴포넌트 메모리 히터(370) 중 임의의 하나 이상은 시스템(100-c)에서 반복될 수 있다. 예를 들어, 메모리 디바이스(110-c)는 다수의 메모리 다이들(160)에 걸쳐 분포되고, 각각의 메모리 다이(160) 내에서 분포되거나, 또는 그 외 메모리 디바이스(110-c)의 상이한 위치들에 걸쳐 분포된 메모리 디바이스 메모리 히터들(350)의 세트를 포함할 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 호스트 디바이스(305)는 호스트 디바이스(305)의 다양한 서브컴포넌트들에 걸쳐 분포되거나 또는 그 외 호스트 디바이스(305)의 상이한 위치들에 걸쳐 분포된 호스트 디바이스 메모리 히터들(360)의 세트를 포함할 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 결합 컴포넌트(310)는 결합 컴포넌트(310)의 다양한 서브컴포넌트들에 걸쳐 분포되거나, 또는 그 외 결합 컴포넌트(310)의 상이한 위치들에 걸쳐 분포된 결합 컴포넌트 메모리 히터들(370)의 세트를 포함할 수 있다. 다양한 예들에서, 다수의 메모리 히터들은 비교적 동종 가열(예컨대, 분산된 열 흐름), 비교적 동종 컴포넌트 온도(예컨대, 컴포넌트들에 걸쳐 또는 그것 내에서 핫 스팟들 또는 콜드 스팟들을 최소화하거나 또는 감소시키는), 특정한 컴포넌트들 또는 서브컴포넌트들의 특정 가열(예컨대, 메모리 디바이스(110)의 활성 부분들의 가열, 활성 또는 타겟팅된 메모리 디바이스들(110)의 가열), 또는 그것의 다양한 조합들을 지원하기 위해 사용될 수 있다.
시스템(100-c)은 또한 메모리 디바이스(110-c)와 호스트 디바이스(305)(예컨대, 호스트 디바이스(305)의 외부 메모리 제어기(105)) 사이에서 다양한 시그널링을 포함할 수 있으며, 이것은 메모리 디바이스(110-c)와 호스트 디바이스(305)의 또는 그 사이에서 다양한 동작들을 지원할 수 있다. 예를 들어, 시스템(100-c)은 데이터 시그널링(380), 온도 시그널링(385), 초기화 시그널링(390), 모드 시그널링(395), 또는 그것의 다양한 조합들을 지원할 수 있다. 설명된 시그널링의 각각은 도 1의 시스템(100)을 참조하여 설명된 것들과 같은, 채널들(115)을 통해 운반될 수 있다.
데이터 시그널링(380)은 메모리 디바이스(110-c)의 메모리 셀들(205)을 판독하거나 또는 기록하는 부분으로서 운반된 데이터와 같은, 양방향 데이터 교환을 포함할 수 있다. 데이터 시그널링(380)은, 예를 들어, 도 1의 시스템(100)을 참조하여 설명된 바와 같이 데이터 채널(190), 또는 메모리 디바이스(110-c)와 호스트 디바이스(305) 사이에서의 몇몇 다른 동작 채널 또는 라인을 통해 운반될 수 있다.
온도 시그널링(385)은 메모리 디바이스(110-c) 또는 호스트 디바이스(305) 사이에서 전달된 온도들의 다양한 표시들을 포함할 수 있으며 데이터 채널(190), 도 1의 시스템(100)을 참조하여 설명된 것들과 같은, 다른 채널(192)과 연관된 EDC 핀 또는 연합 검사 수행 그룹(JTAG) 신호, 또는 몇몇 다른 온도 피드백 채널 또는 라인을 통해 운반될 수 있다. 예를 들어, 메모리 디바이스(110-c) 및 호스트 디바이스(305)는 온도의 명시적인 표시들(예컨대, 화씨 도들 또는 섭씨 도들로 온도를 운반하는 디지털 값들) 또는 온도의 암시적인 표시들(예컨대, 열전대의 전압, 또는 그 외 화씨 도들 또는 섭씨 도들로 특정한 온도와 연관되는 RTD에 걸친 전압 또는 전류)을 교환할 수 있다. 메모리 디바이스(110-c)는, 예를 들어, 온도 시그널링(385)을 통해 메모리 디바이스(110-c)의 온도의 표시를(예컨대, 메모리 디바이스 온도 센서(320)로부터의) 호스트 디바이스(305)로 제공할 수 있다. 호스트 디바이스(305)는, 예를 들어, 온도 시그널링(385)을 통해 호스트 디바이스(305)의 온도의 표시를(예컨대, 호스트 디바이스 온도 센서(330)로부터의) 메모리 디바이스(110-c)로 제공할 수 있다. 이러한 온도 시그널링은 메모리 디바이스의 제어형 및 모드-의존형 가열을 위한 설명된 기수들의 다양한 예들을 지원하기 위해 사용될 수 있다.
초기화 시그널링(390)은 메모리 디바이스(110-c) 또는 호스트 디바이스(305)에 의해 수행된 초기화를 위한 초기화 동작들 또는 트리거들의 다양한 표시들을 포함할 수 있으며, 데이터 채널(190), 또는 도 1의 시스템(100)을 참조하여 설명된 바와 같이, 다른 채널(192)(예컨대, 전력 채널)과 연관된 EDC 핀 또는 JTAG 신호, 또는 몇몇 다른 초기화 피드백 채널 또는 라인을 통해 운반될 수 있다. 예를 들어, 초기화는 전력이 턴 온되거나 또는 그 외 시스템(100-c)으로 제공되는 것(예컨대, 입력(145)을 통해), 또는 호스트 디바이스(305)가 그 외 메모리 디바이스(110-c)를 활성화하거나 또는 가능화하는 것에 의해 트리거될 수 있다. 몇몇 예들에서, 초기화 시그널링(390)은 메모리 디바이스(110-c)로 제공되는 전력을 포함할 수 있거나(예컨대, 전력 채널을 통해), 또는 초기화를 수행하기 위한 메모리 디바이스(110-c)로의 명시적 명령을 포함할 수 있으며, 그 중 하나 또는 둘 모두는 메모리 디바이스(110-c)의 초기화를 트리거할 수 있다. 몇몇 예들에서, 전력이 메모리 디바이스(110-c)로 제공될 때, 메모리 디바이스(110-c)는 호스트 디바이스(305)로부터의 시그널링 없이 초기화를 수행할 수 있지만, 메모리 디바이스(110-c)가 초기화 동작을 수행하고 있다는 표시를 호스트 디바이스(305)로 제공할 수 있다(예컨대, 초기화 시그널링(390)을 통해). 몇몇 예들에서, 초기화는 유휴 상태 또는 대기 상태로부터(예컨대, 유휴 상태 또는 대기 상태를 빠져나갈 때) 메모리 디바이스(110-c) 또는 호스트 디바이스(305)에 의해 수행될 수 있으며, 이것은 전력이 메모리 디바이스(110-c) 또는 호스트 디바이스(305)로 제공될 때 전이가 있는지 여부에 관계없이 초기화 시그널링(390)에 의해 트리거될 수 있다.
모드 시그널링(395)은 메모리 디바이스(110-c) 또는 호스트 디바이스(305)가 동작 중인 동작 모드들의 다양한 표시들을 포함할 수 있으며, 데이터 채널(190), 또는 도 1의 시스템(100)을 참조하여 설명된 바와 같이 다른 채널(192)과 연관된 EDC 핀 또는 JTAG 신호, 또는 몇몇 다른 모드 피드백 채널 또는 라인을 통해 운반될 수 있다.
제 1 동작 모드(예컨대, 리프레시 모드, 자체-리프레시 모드)는 메모리 디바이스(110-c)의 리프레시 동작들 또는 자체-리프레시 동작들과 연관될 수 있으며, 이것은 메모리 디바이스(110-c)의 메모리 셀들(205)에 의해 저장된 논리 상태들의 주기적인 리프레싱을 포함할 수 있다. 제 1 모드 동안, 메모리 디바이스(110-c)는 판독 또는 기록 동작들을 수행하지 않을 수 있거나, 또는 수행하는데 이용 가능하지 않을 수 있다. 따라서, 제 1 모드는 메모리 디바이스(110-c)와 호스트 디바이스(305) 사이에서 데이터 전달의 결여와 연관될 수 있다(예컨대, 데이터 시그널링(380)의 부재와 연관된 동작 모드).
몇몇 예들에서, 제 1 모드로 동작하는 것은 메모리 디바이스(110-c)의 온도의 표시에 의해 트리거될 수 있거나(예컨대, 제 1 모드가 비교적 저온 모드 또는 비교적 고온 모드와 연관될 때), 또는 제 1 모드는 메모리 디바이스(110-c)의 온도의 표시에 기초하여 구성되는 동작들과 연관될 수 있다(예컨대, 제 1 모드가 비교적 저온 동작들 또는 비교적 고온 동작들과 연관될 때). 예를 들어, 제 1 모드는 비교적 저온 모드와 연관될 수 있으며 누설율이 더 낮은 온도들에서 감소될(더 느리게) 수 있으므로, 리프레시 또는 자체-리프레시 동작들을 포함하거나 또는 지원할 수 있다(예컨대, 메모리 셀들(205)은 저장된 논리 상태들의 더 긴 보유 시간들을 보일 수 있다). 다양한 예들에서, 모드 시그널링(395)은 메모리 디바이스(110-c)가 제 1 모드에서 동작 중임을(예컨대, 메모리 디바이스(110-c)가 액세스 명령들 또는 동작들에 이용 가능하지 않음을) 호스트 디바이스(305)에 나타내는 메모리 디바이스(110-c)를 포함할 수 있거나, 또는 모드 시그널링(395)은 메모리 디바이스(110-c)가 제 1 모드에 들어가도록 명령하는(예컨대, 제 1 모드에 따라 동작하기 위한 명령) 호스트 디바이스(305)를 포함할 수 있다.
제 2 동작 모드(예컨대, 판독/기록 모드)는 비교적 고온 동작들과 연관될 수 있으며 메모리 디바이스(110-c)의 판독 동작들, 메모리 디바이스(110-c)의 기록 동작들, 또는 둘 모두를 포함하거나 또는 지원할 수 있다. 따라서, 제 2 모드는 메모리 디바이스(110-c)와 호스트 디바이스(305) 사이에서 데이터 전달의 존재와 연관될 수 있다(예컨대, 데이터 시그널링(380)의 존재와 연관된 동작 모드).
몇몇 예들에서, 제 2 모드로 동작하는 것은 메모리 디바이스(110-c)의 온도의 표시에 의해 트리거될 수 있거나(예컨대, 제 2 모드가 비교적 저온 모드 또는 비교적 고온 모드와 연관될 때), 또는 제 2 모드는 메모리 디바이스(110-c)의 온도의 표시에 기초하여 구성되는 동작들과 연관될 수 있다(예컨대, 제 2 모드가 비교적 저온 동작들 또는 비교적 고온 동작들과 연관될 때). 예를 들어, 제 2 모드가 특정한 액세스 동작들(예컨대, 판독 동작들, 기록 동작들)과 연관될 때, 이러한 동작들은 메모리 디바이스(110-c)가 비교적 더 높은 온도에 있을 때(예컨대, 환경(302)의 주위 온도보다 높을 수 있는, 동작 온도 범위 내에서) 더 빨리, 효율적으로, 또는 신뢰 가능하게 수행될 수 있다. 따라서, 제 2 모드로 동작하는 것은 특정한 조건들하에서 메모리 디바이스(110-c)의 가열에 적어도 부분적으로 기초하여 도달되는 온도와 연관될 수 있다. 다양한 예들에서, 모드 시그널링(395)은 메모리 디바이스(110-c)가, 메모리 디바이스(110-c)가 제 2 모드로 동작하고 있음을(예컨대, 메모리 디바이스(110-c)가 액세스 동작들 또는 명령들에 이용 가능함을) 호스트 디바이스(305)로 나타내는 것을 포함할 수 있거나, 또는 모드 시그널링(395)은 호스트 디바이스(305)가, 메모리 디바이스(110-c)가 제 2 모드에 들어가도록 명령하는 것을 포함할 수 있으며, 이것은 메모리 디바이스(110-c)를 액세스하기 위한 요청을 포함할 수 있다. 몇몇 예들에서, 제 2 모드로 동작할 때, 메모리 디바이스(110-c)는 모드 시그널링(395)을 통해 "동작할 준비(ready to operate)" 신호를 제공할 수 있다.
제 1 모드 및 제 2 모드를 참조하여 설명된 바와 같이, 본 출원에서 설명된 기술들은 저 또는 고 전력 모드들, 유휴 모드들, 대기 모드들, 고-성능 모드들, 에너지 절감 모드들, 및 기타와 같은, 임의의 수의 유형의 모드들에 적용될 수 있다. 다시 말해서, 메모리 디바이스(110-c)의 제어형 및 모드-의존형 가열은 일반적으로 더 낮은 전력 소비를 갖고 리프레시 동작들을 위한 비교적 더 낮은 온도들, 또는 더 높은 성능(예컨대, 증가된 데이터 스루풋, 효율, 또는 신뢰성)을 갖고 판독 또는 기록 동작들을 위한 비교적 더 높은 온도들을 허용하거나 또는 가능화하는 것과 같은, 액세스 유형에 동조되는 메모리 온도를 지원할 수 있다. 다양한 예들에서, 동작 모드들은 표시된 온도들(예컨대, 메모리 디바이스(110-c)를 가열하기 전, 동안, 또는 후의 온도들)에 기초하여 선택되고, 활성화되거나(허용되고, 이용 가능하고, 지원되는), 또는 비활성화될(허용되지 않고, 이용 가능하지 않고, 제한되는) 수 있다.
따라서, 시스템(100-c)은 메모리 디바이스(110-c)의 온도의 다양한 표시들(예컨대, 메모리 디바이스 온도 센서(320), 호스트 디바이스 온도 센서(330), 결합 컴포넌트 온도 센서(340), 또는 이들의 조합으로부터의)에 기초하여 메모리 디바이스 메모리 히터(350), 호스트 디바이스 메모리 히터(360), 또는 결합 컴포넌트 메모리 히터(370) 중 하나 이상을 활성화하고, 비활성화하거나, 또는 그 외 제어하도록 구성될 수 있다. 몇몇 예들에서, 시스템(100-c)에 의한 메모리 히터의 이러한 제어는 데이터 시그널링(380), 온도 시그널링(385), 초기화 시그널링(390), 또는 모드 시그널링(395), 또는 그것의 몇몇 조합 중 하나 이상에 적어도 부분적으로 기초할 수 있거나, 또는 시스템(100-c)에 의한 메모리 히터의 이러한 제어는 그 외 이러한 시그널링에 의해 수반될 수 있다.
도 4는 본 출원에 개시된 양태들에 따른, 메모리 디바이스(110)의 제어형 및 모드-의존형 가열과 연관된 온도 프로필(400)의 예를 예시한다. 온도 프로필(400)은 도 3을 참조하여 설명된 시스템(100-c)에서 제어형 및 모드-의존형 가열을 수행할 때 메모리 디바이스(110-c)의 표시된 온도(405)의 예를 예시할 수 있다. 다양한 예들에서, 표시된 온도(405)는 메모리 디바이스(110-c)에서 표시된 온도(예컨대, 하나 이상의 메모리 디바이스 온도 센서들(320)에 의해 표시된 바와 같이, T1), 호스트 디바이스(305)에서 표시된 온도(예컨대, 하나 이상의 호스트 디바이스 온도 센서들(330)에 의해 표시된 바와 같이, T2), 결합 컴포넌트(310)에서 표시된 온도(예컨대, 하나 이상의 결합 컴포넌트 온도 센서들(340)에 의해 표시된 바와 같이, T3), 또는 그것의 몇몇 조합에 대해 예시적일 수 있다. 몇몇 예들에서, 표시된 온도(405)는 온도 센서들의 세트의 평균 표시된 온도, 온도 센서들의 세트의 최소 표시된 온도, 센서들의 세트의 최대 표시된 온도, 또는 온도 센서들의 세트에 적용된 몇몇 다른 조합 또는 동작에 대해 예시적일 수 있다.
t0에서, 시스템(100-c), 호스트 디바이스(305), 또는 메모리 디바이스(110-c)는 대기, 유휴, 또는 파워-다운 상태 또는 모드에 있을 수 있다. 몇몇 예들에서, t0에서, 메모리 디바이스(110-c)는 판독 동작들, 기록 동작들, 또는 다른 액세스 동작들을 수행하지 않을 수 있다. 몇몇 예들에서, 시스템(100-c), 호스트 디바이스(305), 또는 메모리 디바이스(110-c)는 전력을 수신하지 않을 수 있다(예컨대, 시스템(100-c) 또는 호스트 디바이스(305)의 전원으로부터, 또는 입력(145)으로부터). 시스템(100-c) 또는 호스트 디바이스(305)가 차량인 예에서, t0 이전에, 차량은 점화 시스템 또는 다른 전력 또는 추진 시스템은 불능화되거나 또는 그 외 제한되는 모드, 또는 상기 차량 또는 차량의 몇몇 서브시스템은 파워 다운되거나 또는 저-전력 또는 유휴 상태에서 동작하는 몇몇 다른 모드에서, 턴 오프될 수 있다.
t0에서 표시된 온도(405)는 환경(302)과 연관된 주위 온도(TA)와 같을 수 있다. 다시 말해서, 시스템(100-c), 호스트 디바이스(305), 또는 메모리 디바이스(110-c)는 환경(302)과 열 평형에 도달하였으며, 본 출원에서 메모리 디바이스(110-c)의 표시된 온도는 TA와 같다. 다른 예들에서, 표시된 온도(405)는 환경(302)과 평형에 도달하지 않을 수 있으며, 표시된 온도(405)는 그 외 비교적 낮은 온도(예컨대, 임계치 미만, 동작 온도 범위 밖)에 도달할 수 있다.
t0에서 표시된 온도(405)는 메모리 디바이스(110-c)와 연관된 동작 온도 범위 미만 또는 그 밖에 있을 수 있다. 예를 들어, 온도(Tth,1)는 메모리 디바이스(110-c)와 연관된 제 1 임계치(예컨대, 더 낮은 임계치 또는 동작 온도 범위의 경계)를 나타낼 수 있다. 몇몇 예들에서, 제 1 임계치(Tth,1)는 0℃일 수 있지만, 다른 예들은 상이한 온도(예컨대, 0℃보다 높거나 또는 낮은 온도)에서의 제 1 임계치를 포함할 수 있다.
t1에서, 표시된 온도(405)는 시스템(100-c)의 하나 이상의 컴포넌트들에 의해 t1에서 결정될 수 있으며, 표시된 온도(405)가 제 1 임계치(Tth,1)에 있거나 또는 그 미만이거나 또는 그 외 이를 만족하기 때문에, 시스템(100-c)은, 몇몇 예들에서 시스템(100-c)이 특정한 액세스 동작들을 수행하기 전에 메모리 디바이스(110-c)를 예열하는 것을 포함할 수 있는, 다양한 기술들에 따라 메모리 디바이스(110-c)의 가열을 개시할 수 있다. 다시 말해서, 메모리 디바이스(110-c)의 가열은 메모리 디바이스(110-c)의 온도(예컨대, 포용 온도, 총 온도)가 상승되어야 한다는 결정에 응답하여 개시될 수 있다.
따라서, t1에서의 동작들 중 하나 이상에 이어, 표시된 온도(405)는 올라갈 수 있다. 몇몇 예들에서, 시스템(100-c), 호스트 디바이스(305), 또는 메모리 디바이스(110-c)는 초기화와 연관될 수 있는, t1의 동작들의 부분으로서 상이한 동작 모드 또는 상태로 변할 수 있다. 예를 들어, 시스템(100-c), 호스트 디바이스(305), 또는 메모리 디바이스(110-c) 중 임의의 하나 이상은 전력을 수신할 수 있거나(예컨대, 전력 채널을 통해), 또는 변화를 명령하거나 또는 동작 모드 또는 상태에서의 변화를 트리거하기 위해 몇몇 다른 시그널링을 수신할 수 있으며(예컨대, 초기화 시그널링(390) 또는 모드 시그널링(395)을 통해), 메모리 디바이스(110-c)를 가열하도록 구성된 회로부는 이에 응답하여 활성화될 수 있다. 표시된 온도(405)가 t1에서 제 1 임계치(Tth,1) 미만이 아닌 예들에서, 시스템(100-c)은 메모리 디바이스(110-c)를 가열하도록 구성된 회로부를 활성화하지 않고 액세스 동작들을 계속할 수 있지만, 표시된 온도(405)가 떨어진다면(예컨대, t4를 참조하여 설명된 동작들과 같은, 표시된 온도(405)와 제 3 임계치(Tth,3) 사이에서의 비교에 기초하여) 메모리 디바이스(110-c)를 가열하도록 구성된 회로부를 활성화할 수 있다.
t1의 제 1 예에서, 메모리 디바이스(110-c)는 전력을 수신하고, 초기화 명령을 수신하거나, 또는 둘 모두일 수 있다. 예를 들어, 시스템(100-c) 또는 호스트 디바이스(305)가 차량인 경우에, t1은 차량의 점화 시스템, 추진 시스템, 또는 몇몇 다른 시스템이 활성화되거나 또는 초기화됨을 나타낼 수 있다. 이에 응답하여 메모리 디바이스(110-c)는 메모리 디바이스(110-c)를 초기화할 수 있다(예컨대, 메모리 디바이스(110-c)는 초기화 동작을 수행할 수 있다). t1의 초기화의 부분으로서, 또는 그 외 메모리 디바이스(110-c)의 모드 또는 상태에서의 변화에 기초하여(예컨대, 메모리 디바이스(110-c)가 초기화를 검출하는 것에 기초하여), 메모리 디바이스(110-c)는 표시된 온도(405)(예컨대, 하나 이상의 메모리 디바이스 온도 센서들(320)로부터의)를 결정하며, 표시된 온도(405)를 제 1 임계치(Tth,1)에 비교하거나 또는 그 외 평가할 수 있다(예컨대, 표시된 온도(405)가 제 1 임계치(Tth,1)에 있거나 또는 미만이거나 또는 그 외 만족한다고 결정하는). 비교 또는 평가에 기초하여, 메모리 디바이스(110-c)는 메모리 디바이스(110-c)를 가열하도록 구성된 회로부 또는 다른 컴포넌트들을 활성화하고, 가능화하거나, 또는 그 외 제어할 수 있다(예컨대, 하나 이상의 메모리 디바이스 메모리 히터들(350)을 활성화하는 것, 하나 이상의 호스트 디바이스 메모리 히터들(360) 또는 하나 이상의 결합 컴포넌트 메모리 히터들(370)을 활성화하기 위해 명령을 전송하는 것). 몇몇 예들에서, t1의 동작들 중 하나 이상에 기초하여(예컨대, 초기화를 검출하는 것에 기초하여), 메모리 디바이스(110-c)는 메모리 디바이스(110-c)가 초기화 모드에 있거나 또는 메모리 디바이스(110-c)가 가열되고 있음을 나타낼 수 있거나(예컨대, 호스트 디바이스(305)로), 또는 메모리 디바이스(110-c)에 대한 액세스 동작들의 제한을 나타낼 수 있다(예컨대, 메모리 디바이스(110-c)가 판독 또는 기록 명령들에 이용 가능하지 않고, 판독 또는 기록 동작들이 메모리 디바이스(110-c)에 대해 불능화된다). 몇몇 예들에서, 이러한 표시들은 초기화 시그널링(390), 모드 시그널링(395), 또는 EDC 또는 JTAG 신호 또는 데이터 라인과 같은 몇몇 다른 시그널링을 통해 운반될 수 있다.
t1의 제 2 예에서, 호스트 디바이스(305)는 전력을 수신하고, 초기화 명령을 수신하거나, 또는 둘 모두일 수 있다. 이에 응답하여, 호스트 디바이스(305)는 호스트 디바이스(305)의 초기화 동작들을 수행할 수 있으며, 이것은 메모리 디바이스(110-c)를 초기화하는 것을 포함할 수 있다(예컨대, 초기화 시그널링(390)을 통해, 모드 시그널링(395)을 통해). t1에서 초기화의 부분으로서, 또는 그 외 호스트 디바이스(305)의 모드 또는 상태에서의 변화에 기초하여, 호스트 디바이스(305)는 표시된 온도(405)(예컨대, 하나 이상의 호스트 디바이스 온도 센서들(330) 또는 결합 컴포넌트 온도 센서들(340)로부터, 메모리 디바이스(110-c)의 온도를 나타내는 온도 시그널링(385)을 통해)와 연관된 시그널링을 결정하거나 또는 그 외 수신하며, 표시된 온도(405)를 제 1 임계치(Tth,1)에 비교하거나 또는 그 외 평가할 수 있다(예컨대, 표시된 온도(405)가 제 1 임계치(Tth,1)에 있거나 또는 미만이거나 또는 그 외 이를 만족한다고 결정하는). 다른 예들에서, 호스트 디바이스(305)는 그 외 메모리 디바이스(110-c)의 온도가 제 1 임계치(Tth,1)에 있거나 또는 미만이거나 또는 이를 만족한다고 식별하거나 또는 결정할 수 있다(예컨대, 메모리 디바이스(110-c)의 온도가 임계치에 있거나 또는 미만이거나 또는 그 외 이를 만족한다고 나타내는 초기화 시그널링(390) 또는 모드 시그널링(395)을 통해). t1의 비교 또는 다른 식별 또는 결정에 기초하여, 호스트 디바이스(305)는 메모리 디바이스(110-c)를 가열하도록 구성된 회로부 또는 다른 컴포넌트들을 활성화하고, 가능화하거나, 또는 그 외 제어할 수 있다(예컨대, 하나 이상의 호스트 디바이스 메모리 히터들(360)을 활성화하는 것, 하나 이상의 메모리 디바이스 메모리 히터들(350) 또는 하나 이상의 결합 컴포넌트 메모리 히터들(370)을 활성화하기 위해 명령을 전송하는 것). 시스템(100-c)이 다수의 메모리 디바이스들(110)을 포함하는 예들에서, 호스트 디바이스는 메모리 디바이스들(110)의 모두를 가열하도록 구성된 회로부를 활성화하거나, 또는 메모리 디바이스들(110)의 서브세트를 가열하도록 구성된 회로부를 활성화할 수 있으며, 이러한 서브세트는 동작 조건들, 메모리 디바이스들(110)의 유형들, 메모리 디바이스들(110)과 교환될 데이터의 유형들, 액세스 동작들의 유형들, 및 다른 고려사항들에 기초하여 선택된다.
몇몇 예들에서(예컨대, t1의 제 2 예에 따르면), t1의 동작들 중 하나 이상에 기초하여, 메모리 디바이스(110-c)는 메모리 디바이스(110-c)가 초기화 모드에 있거나 또는 메모리 디바이스(110-c)가 가열되고 있음을 나타낼 수 있거나(예컨대, 호스트 디바이스(305)로), 또는 메모리 디바이스(110-c)에 대한 액세스 동작들의 제한을 나타낼 수 있다(예컨대, 메모리 디바이스(110-c)느 판독 또는 기록 명령들에 이용 가능하지 않고, 판독 또는 기록 동작들은 메모리 디바이스(110-c)에 대해 불능화된다). 몇몇 예들에서, 호스트 디바이스(305)는 그 외 메모리가 액세스 동작들에 이용 가능하지 않음을 이해하거나 또는 인식할 수 있다(예컨대, 메모리 디바이스(110-c)로부터의 온도 시그널링(385)에 기초하여, 초기화 시그널링(390)을 통해 초기화 명령을 전송하는 것에 기초하여, "동작할 준비" 신호를 수신하지 않는 것에 기초하여). 따라서, t1의 동작들 중 하나 이상에 기초하여, 호스트 디바이스는 t1 후 메모리 디바이스를 액세스하기 위해 하나 이상의 명령들을 억제할 수 있다.
t2에서, 표시된 온도(405)는 제 1 임계치(Tth,1)를 교차할 수 있다(예컨대, 메모리 디바이스(110-c)의 가열 또는 동작에 기초하여). 몇몇 예들에서, 제 1 임계치(Tth,1)는 메모리 디바이스(110-c)의 더 낮은 동작 임계치일 수 있다. 표시된 온도(405)는 시스템(100-c)의 하나 이상의 컴포넌트들에 의해 t2에서 결정될 수 있으며 표시된 온도(405)가 제 1 임계치(Tth,1)에 있거나 또는 초과하거나 또는 그 외 이를 만족하기 때문에, 메모리 디바이스(110-c)는 액세스 동작들(예컨대, 판독 동작들, 기록 동작들)에 이용 가능해질 수 있다. 메모리 디바이스(110-c)의 표시된 온도는 제 1 임계치(Tth,1)에 있거나 또는 초과하거나 또는 그 외 이를 만족할 수 있지만, 메모리 디바이스(110-c)의 가열은 t2 내내 계속될 수 있다(예컨대, 상이한 임계치가 메모리 가열을 불능화하고, 비활성화하거나, 또는 그 외 제어하기 위해 사용될 때).
t2의 제 1 예에서, 메모리 디바이스(110-c)는 표시된 온도(405)(예컨대, 하나 이상의 메모리 디바이스 온도 센서들(320)로부터의)를 결정하며, 표시된 온도(405)를 제 1 임계치(Tth,1)에 비교하거나 또는 그 외 평가할 수 있다(예컨대, 표시된 온도(405)가 제 1 임계치(Tth,1)에 있거나 또는 초과하거나 또는 그 외 만족한다고 결정하는). t2의 비교 또는 평가에 기초하여, 메모리 디바이스(110-c)는 활성 또는 가능화 상태(예컨대, 액세스 동작들의 제한을 중단시키는)로 전이할 수 있으며, 이것은 메모리 디바이스(110-c)가 액세스 동작들에 이용 가능하다는(예컨대, "동작할 준비" 신호) 메모리 디바이스(110-c) 시그널링에 의해 수반될 수 있다(예컨대, 모드 시그널링(395)을 통해, 호스트 디바이스(305)로).
t2의 제 2 예에서, 호스트 디바이스(305)는 표시된 온도(405)(예컨대, 하나 이상의 호스트 디바이스 온도 센서들(330) 또는 결합 컴포넌트 온도 센서들(340)로부터, 메모리 디바이스(110-c)의 온도를 나타내는 온도 시그널링(395)을 통해)와 연관된 시그널링을 결정하거나 또는 그 외 수신하며, 표시된 온도(405)를 제1 임계치(Tth,1)에 비교하거나 또는 그 외 평가할 수 있다(예컨대, 표시된 온도(405)는 제 1 임계치(Tth,1)에 있거나 또는 초과하거나 또는 그 외 이를 만족한다고 결정하는). 다른 예들에서, 호스트 디바이스(305)는 그 외 메모리 디바이스(110-c)의 온도가 제 1 임계치(Tth,1)에 있거나 또는 이를 초과하거나 또는 그 외 만족한다는 것을 식별하거나 또는 결정할 수 있다(예컨대, 메모리 디바이스(110-c)의 온도가 임계치에 있거나 또는 이를 초과하거나 또는 그 외 만족함을 나타내는 초기화 시그널링(390) 또는 모드 시그널링(395)을 통해). t2의 비교 또는 다른 식별 또는 결정에 기초하여(예컨대, 메모리 디바이스가 이용 가능하다는 표시에 기초하여, "동작할 준비" 신호를 수신하는 것에 기초하여), 호스트 디바이스(305)는 메모리 디바이스를 액세스하기 위해 명령들을 발행하거나 또는 송신하는 것을 계속할 수 있다(예컨대, 데이터 시그널링(380)을 통해).
t3에서, 표시된 온도(405)는 제 2 임계치(Tth,2)를 교차할 수 있다(예컨대, 메모리 디바이스(110-c)의 가열 또는 동작에 기초하여). 몇몇 예들에서, 제 2 임계치(Tth,2)는 메모리 디바이스(110-c)의 동작 온도 범위의 하한 임계치와 상이한(예컨대, Tth,1과 상이한, Tth,1보다 큰) 메모리 디바이스(110-c)의 임계치일 수 있다. 몇몇 예들에서, 제 2 임계치(Tth,2)는 10℃일 수 있지만, 다른 예들은 상이한 온도(예컨대, 10℃보다 높거나 또는 낮은 온도)에서의 제 2 임계치를 포함할 수 있다.
몇몇 예들에서, 제 2 임계치(Tth,2)는 가능화되고 불능화되는(예컨대, 제 2 임계치(Tth,2)가 제 1 임계치(Tth,1)와 상이할 때) 메모리 가열의 레이트 또는 듀티 사이클을 감소시키도록 구성되고, 설정되거나, 또는 선택될 수 있다. 따라서, 상이한 제 1 임계치(Tth,1) 및 제 2 임계치(Tth,2), 또는 제 1 임계치(Tth,1)와 제 2 임계치(Tth,2) 간의 대역은 메모리 디바이스(110-c)d를 가열하는 것과 연관된 온도 히스테리시스 범위 또는 히스테리시스 대역으로 불리울 수 있다. 제 2 임계치(Tth,2)는 제 1 임계치(Tth,1)와 상이한 것으로 설명되지만, 몇몇 예들에서, 제 2 임계치(Tth,2)는 제 1 임계치(Tth,1)와 동일할 수 있으며(예컨대, 시스템(100-c)이 메모리 가열을 위해 단일 임계치를 갖고 구성될 때), 메모리 디바이스(110-c)의 가열을 활성화하고, 비활성화하거나, 또는 그 외 제어하는 것은 표시된 온도(405)와 단일 임계치 간의 관계에 기초할 수 있다(예컨대, 표시된 온도(405)가 임계치를 초과하는지 또는 임계치 미만인지).
표시된 온도(405)는 시스템(100-c)의 하나 이상의 컴포넌트들에 의해 t3에서 결정될 수 있으며, 표시된 온도(405)가 제 2 임계치(Tth,2)에 있거나 또는 이를 초과하거나 또는 그 외 만족하기 때문에, 시스템(100-c)은 다양한 기술들에 따라 메모리 디바이스(110-c)의 가열을 불능화하고, 비활성화하거나, 또는 그 외 조정할 수 있다. 따라서, t3에서의 동작들 중 하나 이상에 이어, 표시된 온도(405)는 떨어질 수 있으며(예컨대, 주위 온도(TA)가 표시된 온도(405) 미만일 때, 냉각으로부터의 열 손실이 메모리 디바이스(110-c)를 동작시키는 것으로부터의 열 발생보다 클 때), 이것은 제 2 임계치(Tth,2)를 지나 표시된 온도(405)의 t3 후 오버슈트를 따르거나 또는 따르지 않을 수 있다(예컨대, 컴포넌트들에 걸친 열 확산으로 인해, 열을 인가하는 것 및 온도 센서에서의 온도 상승 간의 지연으로 인해, 시그널링 지연 또는 프로세싱 지연으로 인해). 메모리 디바이스(110-c)는 t3 내내 액세스 동작들(예컨대, 판독 동작들, 기록 동작들)에 이용 가능한 채로 있을 수 있다.
t3의 제 1 예에서, 메모리 디바이스(110-c)는 표시된 온도(405)(예컨대, 하나 이상의 메모리 디바이스 온도 센서들(320)로부터의)를 결정하며, 표시된 온도(405)를 제 2 임계치(Tth,2)에 비교하거나 또는 그 외 평가할 수 있다(예컨대, 표시된 온도(405)가 제 2 임계치(Tth,2)에 있거나 또는 이를 초과하거나 또는 그 외 만족한다고 결정하는). 비교 또는 평가에 기초하여, 메모리 디바이스(110-c)는 메모리 디바이스(110-c)를 가열하도록 구성된 회로부 또는 다른 컴포넌트들을 비활성화하고, 불능화하거나, 또는 그 외 조정할 수 있다(예컨대, 하나 이상의 메모리 디바이스 메모리 히터들(350)을 비활성화하는 것, 하나 이상의 호스트 디바이스 메모리 히터들(360) 또는 하나 이상의 결합 컴포넌트 메모리 히터들(370)을 비활성화하기 위해 명령을 전송하는 것). 몇몇 예들에서, t3의 동작들 중 하나 이상에 기초하여, 메모리 디바이스(110-c)는 메모리 디바이스(110-c)가 가열되고 있지 않음을 나타낼 수 있다(예컨대, 호스트 디바이스(305)로). 몇몇 예들에서, 이러한 표시들은 초기화 시그널링(390), 모드 시그널링(395), 또는 EDC 또는 JTAG 신호 또는 데이터 라인과 같은 몇몇 다른 시그널링을 통해 운반될 수 있다.
t3의 제 2 예에서, 호스트 디바이스(305)는 표시된 온도(405)(예컨대, 하나 이상의 호스트 디바이스 온도 센서들(330) 또는 결합 컴포넌트 온도 센서들(340)로부터, 메모리 디바이스(110-c)의 온도를 나타내는 온도 시그널링(385)을 통해)와 연관된 시그널링을 결정하거나 또는 그 외 수신하며, 표시된 온도(405)를 제 2 임계치(Tth,2)에 비교하거나 또는 그 외 평가할 수 있다(예컨대, 표시된 온도(405)는 제 2 임계치(Tth,2)에 있거나 또는 이를 초과하거나 또는 그 외 만족한다고 결정하는). t3의 비교 또는 다른 식별 또는 결정에 기초하여, 호스트 디바이스(305)는 메모리 디바이스(110-c)를 가열하도록 구성된 회로부 또는 다른 컴포넌트들을 비활성화하고, 불능화하거나, 또는 그 외 조정하거나 또는 제어할 수 있다(예컨대, 하나 이상의 호스트 디바이스 메모리 히터들(360)을 비활성화하는 것, 하나 이상의 메모리 히터들(350) 또는 하나 이상의 결합 컴포넌트 메모리 히터들(370)을 비활성화하기 위해 명령을 전송하는 것). 호스트 디바이스는 t3 내내 메모리 디바이스(110-c)를 액세스하기 위해 액세스 명령들을 계속해서 송신하거나 또는 발행할 수 있다.
t4에서, 표시된 온도(405)는 제 3 임계치(Tth,3)를 교차할 수 있다(예컨대, 메모리 디바이스(110-c)의 냉각에 기초하여). 몇몇 예들에서, 제 3 임계치(Tth,3)는 메모리 디바이스(110-c)의 동작 온도 범위의 하한 임계치와 상이한(예컨대, Tth,1과 상이한, Tth,1보다 큰), 또는 메모리 디바이스(110-c)의 가열을 불능화하거나 또는 비활성화하는 것과 연관된 임계치와 상이한(예컨대, Tth,2와 상이한, Tth,2보다 작은) 메모리 디바이스(110-c)의 임계치일 수 있다. 몇몇 예들에서, 제 3 임계치(Tth,3)는 5℃일 수 있지만, 다른 예들은 상이한 온도(예컨대, 5℃보다 높거나 또는 낮은 온도)에서의 제 3 임계치를 포함할 수 있다. 제 3 임계치(Tth,3)는 제 1 임계치(Tth,1) 및 제 2 임계치(Tth,2)와 상이한 것으로 설명되지만, 몇몇 예들에서, 제 3 임계치(Tth,3)는 제 1 임계치(Tth,1), 제 2 임계치(Tth,2), 또는 둘 모두와 동일할 수 있으며(예컨대, 시스템(100-c)이 메모리 가열을 위해 단일 임계치를 갖고 구성될 때), 메모리 디바이스(110-c)의 가열을 활성화하고, 비활성화하거나, 또는 그 외 제어하는 것은 표시된 온도(405)와 단일 임계치 간의 관계에 기초할 수 있다(예컨대, 표시된 온도(405)가 임계치를 초과하는지 또는 임계치 미만인지).
표시된 온도(405)는 시스템(100-c)의 하나 이상의 컴포넌트들에 의해 t4에서 결정될 수 있으며, 표시된 온도(405)가 제 3 임계치(Tth,3)에 있거나 또는 미만이거나 또는 그 외 그것을 만족하기 때문에, 시스템(100-c)은 다양한 기술들에 따라 메모리 디바이스(110-c)의 가열을 다시 개시할 수 있다. 따라서, t4에서의 동작들 중 하나 이상에 이어서, 표시된 온도(405)는 오를 수 있다. 메모리 디바이스(110-c)는 t4 내내 액세스 동작들(예컨대, 판독 동작들, 기록 동작들)에 이용 가능한 채로 있을 수 있다.
t4의 제 1 예에서, 메모리 디바이스(110-c)는 표시된 온도(405)(예컨대, 하나 이상의 메모리 디바이스 온도 센서들(320)로부터의)를 결정하며, 표시된 온도(405)를 제 3 임계치(Tth,3)에 비교하거나 또는 그 외 평가할 수 있다(예컨대, 표시된 온도(405)가 제 3 임계치(Tth,3)에 있거나 또는 미만이거나 또는 그 외 이를 만족한다고 결정하는). 비교 또는 평가에 기초하여, 메모리 디바이스(110-c)는 메모리 디바이스(110-c)를 가열하도록 구성된 회로부 또는 다른 컴포넌트들을 활성화하고, 가능화하거나, 또는 그 외 제어할 수 있다(예컨대, 하나 이상의 메모리 디바이스 메모리 히터들(350)을 활성화하는 것, 하나 이상의 호스트 메모리 히터들(360) 또는 하나 이상의 결합 컴포넌트 메모리 히터들(370)을 활성화하기 위해 명령을 전송하는 것). 몇몇 예들에서, t4의 동작들 중 하나 이상에 기초하여, 메모리 디바이스(110-c)는 메모리 디바이스(110-c)가 가열되고 있음을 나타낼 수 있다(예컨대, 호스트 디바이스(305)로). 몇몇 예들에서, 이러한 표시들은 초기화 시그널링(390), 모드 시그널링(395), 또는 EDC 또는 JTAG 신호 또는 데이터 라인과 같은 몇몇 다른 시그널링을 통해 운반될 수 있다.
t4의 제 2 예에서, 호스트 디바이스(305)는 표시된 온도(405)(예컨대, 하나 이상의 호스트 디바이스 온도 센서들(330) 또는 결합 컴포넌트 온도 센서들(340)로부터, 메모리 디바이스(110-c)의 온도를 나타내는 온도 시그널링(385)을 통해)와 연관된 시그널링을 결정하거나 또는 그 외 수신하며, 표시된 온도(405)를 제 3 임계치(Tth,3)에 비교하거나 또는 그 외 평가할 수 있다(예컨대, 표시된 온도(405)가 제 1 임계치(Tth,3)에 있거나 또는 미만이거나 또는 그 외 이를 만족한다고 결정하는). 다른 예들에서, 호스트 디바이스(305)는 그 외 메모리 디바이스(110-c)의 온도가 제 3 임계치(Tth,3)에 있거나 또는 미만이거나 또는 그 외 이를 만족한다고 식별하거나 또는 결정할 수 있다(예컨대, 메모리 디바이스(110-c)의 온도가 임계치에 있거나 또는 미만이거나 또는 그 외 이를 만족한다는 것을 나타내는 초기화 시그널링(390) 또는 모드 시그널링(395)을 통해). t4의 비교 또는 다른 식별 또는 결정에 기초하여, 호스트 디바이스(305)는 메모리 디바이스(110-c)를 가열하도록 구성된 회로부 또는 다른 컴포넌트들을 활성화하고, 가능화하거나, 또는 그 외 제어할 수 있다(예컨대, 하나 이상의 호스트 디바이스 메모리 히터들(360)을 활성화하는 것, 하나 이상의 메모리 디바이스 메모리 히터들(350) 또는 하나 이상의 결합 컴포넌트 메모리 히터들(370)을 활성화하기 위해 명령을 전송하는 것). 호스트 디바이스는 t4 내내 메모리 디바이스(110-c)를 액세스하기 위해 액세스 명령들을 계속해서 송신하거나 또는 발행할 수 있다.
t5에서, 표시된 온도(405)는 다시 제 2 임계치(Tth,2)를 교차할 수 있다(예컨대, 메모리 디바이스(110-c)의 가열 또는 동작에 기초하여). 표시된 온도(405)는 시스템(100-c)의 하나 이상의 컴포넌트들에 의해 t5에서 결정될 수 있으며, 표시된 온도(405)가 제 2 임계치(Tth,2)에 있거나 또는 초과하거나 또는 그 외 이를 만족하기 때문에, 시스템(100-c)은 다양한 기술들(예컨대, t3에서 표시된 온도(405)가 제 2 임계치(Tth,2)를 교차하는 것을 참조하여 설명된 기술들과 유사한)에 따라 메모리 디바이스(110-c)의 가열을 불능화하고, 비활성화하거나, 또는 그 외 조정할 수 있다. 따라서, t5에서의 동작들 중 하나 이상에 이어, 표시된 온도(405)는 다시 떨어질 수 있으며(예컨대, 주위 온도(TA)가 표시된 온도(405) 미만일 때, 냉각으로부터의 열 손실이 메모리 디바이스(110-c)를 동작시키는 것으로부터의 열 발생보다 클 때), 이것은 제 2 임계치(Tth,2)를 지나 표시된 온도(405)의 t5 후 오버슈트를 따르거나 또는 따르지 않을 수 있다(예컨대, 컴포넌트들에 걸친 열 확산으로 인해, 열을 인가하는 것과 온도 센서에서의 온도 상승 간의 지연으로 인해, 시그널링 지연 또는 프로세싱 지연으로 인해). 메모리 디바이스(110-c)는 t5 내내 액세스 동작들(예컨대, 판독 동작들, 기록 동작들)에 이용 가능한 채로 있을 수 있으며, 시스템(100-c)은 제어된 메모리 가열을 위한 설명된 기술들을 포함한 다양한 동작들을 계속할 수 있다.
도 3 내지 도 5를 참조하여 설명된 기술들의 다양한 예들에서, 설명된 임계치들(예컨대, 제 1 임계치(Tth,1), 제 2 임계치(Tth,2), 제 3 임계치(Tth,3), 제 4 임계치(Tth,4)) 중 임의의 하나 이상은 다양한 기술들에 따라 구성되고, 식별되거나, 또는 결정될 수 있다. 예를 들어, 임계치들 중 임의의 하나 이상은 디바이스에 구성될 수 있으며(예컨대, 메모리 디바이스(110-c)에서 정적 값 또는 레벨 또는 정적 값들 또는 레벨들의 세트로서, 호스트 디바이스(305)에서 정적 값 또는 레벨 또는 정적 값들 또는 레벨들의 세트로서), 이것은 각각의 디바이스의 하나 이상의 구성들 또는 임계치들의 표시를 저장하도록 구성되는 각각의 디바이스의 모드 레지스터, 트림 파라미터들, 또는 하나 이상의 비-휘발성 저장 엘리먼트들(예컨대, 퓨즈들, 안티퓨즈들)에 저장될 수 있다. 다양한 예들에서, 메모리 디바이스(110-c) 또는 호스트 디바이스(305)는 이러한 비-휘발성 저장 엘리먼트들을 액세스함으로써 구성(예컨대, 구성된 임계치)을 식별할 수 있다.
부가적으로 또는 대안적으로, 임계치들 중 임의의 하나 이상은 디바이스의(예컨대, 리프레시 모드, 액세스 모드, 판독/기록 모드, 유휴 모드, 활성 모드), 또는 상이한 디바이스의(예컨대, 모드 시그널링(395)과 같은, 다른 디바이스의 동작의 모드의 시그널링에 기초하여) 동작 모드에 적어도 부분적으로 기초하여 디바이스에서 결정되거나 또는 식별될 수 있다. 몇몇 예들에서, 임계치들 중 임의의 하나 이상은 디바이스의 동작 조건들에 적어도 부분적으로 기초하여 디바이스에 결정되거나 또는 식별될 수 있다. 예를 들어, 표시된 온도(405)가 급속한 변동들을 경험할 때(예컨대, 환경(302)의 주위 온도(TA)가 특히 낮을 때), 제 2 임계치(Tth,2)는 비교적 더 높게(예컨대, 더 넓은 히스테리시스 대역) 설정될 수 있거나, 또는 제 3 임계치(Tth,3)는 비교적 더 높게 설정될 수 있거나(예컨대, 메모리 디바이스(110-c)의 동작 온도 범위 밖에 있는 표시된 온도(405)의 오버슈트를 제한하기 위해), 또는 둘 모두일 수 있다.
다양한 임계치들과 표시된 온도들(예컨대, 표시된 온도들(405 또는 505))의 설명된 비교들 또는 평가들은 디바이스 메모리 제어기(155) 또는 외부 메모리 제어기(105)에서 수행된 동작들을 포함할 수 있는, 다양한 기술들에 따라 메모리 디바이스(110-c) 또는 호스트 디바이스(305) 중 하나 또는 둘 모두에 의해 수행될 수 있다. 예를 들어, 표시된 온도가 메모리 디바이스(110-c) 또는 호스트 디바이스(305)에서 디지털 도메인에 표현될 때, 이러한 비교들은 프로세서 또는 디지털 비교기에서의 디지털 도메인에서 수행될 수 있다(예컨대, 이진 값들의 비교로서, 정수 값들의 비교로서, 부동 소수점 값들의 비교로서). 표시된 온도가 메모리 디바이스(110-c) 또는 호스트 디바이스(305)에서의 아날로그 도메인에서 표현될 때(예컨대, 열전대의 전압으로서, RTD에 걸친 전압 또는 전류로서), 이러한 비교들은 프로세서, 비교기, 트랜지스터(예컨대, 게이트 및 소스 또는 드레인 노드 사이에서), 또는 다른 회로부(예컨대, 임계치를 나타내는 기준 전압에 대한 전압의 비교로서, 임계치를 나타내는 기준 전류에 대한 전류의 비교로서)에서의 아날로그 도메인에서 수행될 수 있다.
게다가, 도 3 내지 도 5를 참조하여 설명된 동작들은 메모리 디바이스(110-c)를 가열하도록 구성된 회로부를 활성화하고 비활성화하는 것을 포함하는 것으로서 설명되지만, 더 복잡한 형태들의 제어가 적용될 수 있다. 예를 들어, 가열의 정도(예컨대, 열 유속의 양)는 비례-적분-미분(PID) 제어, 펄스 폭 변조(PWM), 및 다른 기술들과 같은, 다양한 제어 기술들에 의해 제어되고, 조정되거나, 또는 그 외 변조될 수 있다. 몇몇 예들에서, 온도 임계치들 또는 레벨들은 타겟 온도들, 불감대들, 이득 스케줄링, 및 다른 기술들로서 이러한 제어 기술들에 적용될 수 있다.
도 5는 본 출원에 개시된 양태들에 따른, 메모리 디바이스(110)의 제어형 및 모드-의존형 가열과 연관된 온도 프로필(500)의 예를 예시한다. 온도 프로필(500)은 도 3을 참조하여 설명된 시스템(100-c)에서 모드-의존형 가열을 수행할 때 메모리 디바이스(110-c)의 표시된 온도(505)의 예를 예시할 수 있다. 다양한 예들에서, 표시된 온도(505)는 메모리 디바이스(110-c)에서 표시된 온도(예컨대, 하나 이상의 메모리 디바이스 온도 센서들(320)에 의해 표시된 바와 같이, T1), 호스트 디바이스(305)에서 표시된 온도(예컨대, 하나 이상의 호스트 디바이스 온도 센서들(330)에 의해 표시된 바와 같이, T2), 결합 컴포넌트(310)에서 표시된 온도(예컨대, 하나 이상의 결합 컴포넌트 온도 센서들(340)에 의해 표시된 바와 같이, T3), 또는 그것의 몇몇 조합에 대해 예시적일 수 있다. 몇몇 예들에서, 표시된 온도(505)는 온도 센서들의 세트의 평균 표시된 온도, 온도 센서들의 세트의 최소 표시된 온도, 센서들의 세트의 최대 표시된 온도, 또는 온도 센서들의 세트에 적용된 몇몇 다른 조합 또는 동작에 대해 예시적일 수 있다.
t0에서, 메모리 디바이스(110-c)는 메모리 디바이스(110-c)의 제 1 모드에서 동작하고 있을 수 있다. 다양한 예들에서, 제 1 모드는 데이터가 메모리 디바이스(110-c)와 시스템에서의 또 다른 컴포넌트 사이에서 교환되지 않는(예컨대, 호스트 디바이스(305)와 데이터를 교환하지 않는) 리프레시 모드, 자체-리프레시 모드, 대기 모드, 메모리 디바이스 유휴 모드, 호스트 디바이스 유휴 모드, 또는 또 다른 모드일 수 있다. 따라서, t0에서, 메모리 디바이스(110-c)는 메모리 디바이스(110-c)의 하나 이상의 메모리 셀들(205)을 리프레싱하는 것과 연관된 모드에서 동작할 수 있다(예컨대, 메모리 디바이스(110-c)가 메모리 디바이스(110-c)의 제 1 모드에서 동작하는 것에 적어도 부분적으로 기초하여).
몇몇 예들에서, 메모리 디바이스(110-c)의 전원이 결정될 수 있으며(예컨대, 메모리 디바이스(110-c)에 의해, 호스트 디바이스(305)에 의해, 모드 시그널링(395)을 통해) 제 1 모드로 메모리 디바이스(110-c)를 동작시키는 것(예컨대, 메모리 디바이스(110-c)의 동작들, 호스트 디바이스(305)의 명령들)은 결정된 전원에 적어도 부분적으로 기초할 수 있다. 예를 들어, 차량 애플리케이션에서, 제 1 모드로 동작하는 것은 메모리 디바이스(110-c)가 교류 발전기 또는 발전기보다는, 배터리 전력상에서 동작하고 있다는 결정에 기초할 수 있다(예컨대, 호스트 디바이스(305)에 의해, 메모리 디바이스(110-c)에 의해). 몇몇 예들에서, 메모리 디바이스(110-c)는 전력을 수신할 수 있지만, 메모리 디바이스(110-c)는 판독 동작들 또는 기록 동작들에 이용 가능하지 않을 수 있다(예컨대, 메모리 디바이스(110-c)의 제 1 모드와 연관된 제한들 또는 다른 동작 조건들로 인해).
몇몇 예들에서, 메모리 디바이스(110-c)의 제 1 모드에서 동작하는 것은 임계치(예컨대, 제 3 임계치(Tth,3))에 표시된 온도(505)의 비교에 기초할 수 있으며, 이것은 메모리 디바이스(110-c) 또는 호스트 디바이스(305) 중 하나 또는 둘 모두에 의해 수행된 비교 또는 평가일 수 있다. 다시 말해서, 메모리 디바이스(110-c)의 제 1 모드는 표시된 온도(505)가 제 3 임계치(Tth,3)에 있거나 또는 그 미만인 것에 기초하여 트리거될 수 있거나, 또는 메모리 디바이스(110-c)의 제 1 모드와 연관된 다양한 동작들은 표시된 온도(505)가 제 3 임계치(Tth,3)에 있거나 또는 그 미만이라는 것에 적어도 부분적으로 기초할 수 있다. 따라서, 제 1 모드는 메모리 디바이스(110-c)의 저온 리프레시 모드 또는 저온 자체-리프레시 모드일 수 있다.
t0의 제 1 예에서, 메모리 디바이스(110-c)는 표시된 온도(505)(예컨대, 하나 이상의 메모리 디바이스 온도 센서들(320)로부터의)를 결정하며, 표시된 온도(505)를 제 3 암계치(Tth,3)에 비교하거나 또는 그 외 평가할 수 있다(예컨대, 표시된 온도(505)가 제 3 임계치(Tth,3)에 있거나 또는 미만이거나 또는 그 외 이를 만족한다고 결정하는). 비교 또는 평가에 적어도 부분적으로 기초하여, 메모리 디바이스(110-c)는 메모리 디바이스(110-c)의 제 1 모드에서 동작하거나 또는 동작하도록 결정할 수 있다. 몇몇 예들에서, 메모리 디바이스(110-c)는 제 1 모드로 동작하는 동안 메모리 디바이스(110-c)에 대한 액세스 동작들의 제한(예컨대, 메모리 디바이스(110-c)가 판독 또는 기록 명령들에 이용 가능하지 않고, 판독 또는 기록 동작들이 메모리 디바이스(110-c)에 대해 불능화되는)을 표시할 수 있다(예컨대, 호스트 디바이스(305)로). 몇몇 예들에서, 이러한 표시들은 모드 시그널링(395), 또는 EDC 또는 JTAG 신호 또는 데이터 라인과 같은 몇몇 다른 시그널링을 통해 운반될 수 있다.
t0의 제 2 예에서, 호스트 디바이스(305)는 표시된 온도(505)(예컨대, 하나 이상의 호스트 디바이스 온도 센서들(330) 또는 결합 컴포넌트 온도 센서들(340)로부터, 메모리 디바이스(110-c)의 온도를 나타내는 온도 시그널링(385)을 통해)와 연관된 시그널링을 결정하거나 또는 그 외 수신하며, 표시된 온도(405)를 제 3 임계치(Tth,3)에 비교하거나 또는 그 외 평가할 수 있다(예컨대, 표시된 온도(505)가 제 3 임계치(Tth,3)에 있거나 또는 미만이거나 또는 그 외 이를 만족한다고 결정하는). 다른 예들에서, 호스트 디바이스(305)는 그 외 메모리 디바이스(110-c)의 온도가 제 3 임계치(Tth,3)에 있거나 또는 미만이거나 또는 그 외 이를 만족한다고 식별하거나 또는 결정할 수 있다(예컨대, 메모리 디바이스(110-c)의 온도가 메모리 디바이스(110-c)의 제 1 모드와 연관됨을 나타내는 모드 시그널링(395)을 통해).
t0의 비교 또는 다른 식별 또는 결정에 기초하여(예컨대, 표시된 온도(505)가 제 1 모드와 연관된다는 호스트 디바이스(305)에 의한 결정), 호스트 디바이스(305)는 제 1 모드에 따라 메모리 디바이스(110-c)를 동작시킬 수 있으며, 이것은 몇몇 예들에서, 호스트 디바이스(305)에 의해 액세스 동작들(예컨대, 판독 동작들, 기록 동작들)을 억제하는 것을 포함할 수 있다. 몇몇 예들에서, 호스트 디바이스(305)는 그 외 메모리 디바이스(110-c)가 제 1 모드에서 동작하고 있다는 것을 이해할 수 있으며(예컨대, 제 1 모드와 연관된 모드 시그널링(395)을 통해), 호스트 디바이스는 상기 이해에 기초하여 메모리 디바이스(110-c)를 갖고 액세스 동작들(예컨대, 판독 동작들, 기록 동작들)을 억제할 수 있다. 다른 예들에서, 호스트 디바이스(305)는 t0에서 액세스 동작들을 수행하거나 또는 수행하는 것을 요청할 이유가 없을 수 있으며, 이것은 예를 들어, 호스트 디바이스 유휴 모드에서 호스트 디바이스(305)의 동작을 지원할 수 있다. 몇몇 예들에서, 메모리 디바이스(110-c)는 호스트 디바이스(305)로부터의 명령에 기초하여 제 1 모드에서 동작할 수 있으며(예컨대, 모드 시그널링(395)을 통해), 이것은 t0의 비교 또는 다른 식별 또는 결정에 기초할 수 있다.
t1에서, 메모리 디바이스(110-c)의 제 2 모드로 전이하기 위한 바람이 있을 수 있다. 예를 들어, 호스트 디바이스(305)는 메모리 디바이스(110-c)로 기록될 정보를 가질 수 있거나, 또는 메모리 디바이스(110-c)로부터 데이터를 검색하고 싶어할 수 있거나, 또는 시스템(100-c)은 제 2 모드로의 전이와 연관된 몇몇 다른 조건을 가질 수 있다(예컨대, 시스템(100-c)의 일 부분의 가능화 또는 활성화, 시스템(100-c)과 연관된 전원에서의 변화, 차량의 점화 트리거). 몇몇 예들에서, 메모리 디바이스(110-c)의 제 2 모드는 판독 동작들 또는 기록 동작들과 연관된 모드(예컨대, 판독 모드, 기록 모드, 판독/기록 모드, 메모리 디바이스(110-c)에서 정보 교환과 연관된 모드)와 같은, 특정한 액세스 동작들과 연관될 수 있다. 몇몇 예들에서, 메모리 디바이스(110-c)의 제 2 모드는 메모리 디바이스(110-c)의 제 1 모드와 상이한(예컨대, 더 높은) 온도 또는 온도 범위(예컨대, t1의 온도보다 높은 동작 온도 범위)와 연관될 수 있다. 따라서, 메모리 디바이스(110-c)의 제 2 모드로의 전이를 지원하기 위해, 메모리 디바이스(110-c)를 가열하도록 구성된 회로부가 t1에서 활성화될 수 있다.
t1의 제 1 예에서, 호스트 디바이스(305)는 메모리 디바이스(110-c)의 제 2 모드와 연관된 시그널링을, 메모리 디바이스(110-c)로 송신할 수 있다. 이러한 시그널링은 메모리 디바이스(110-c)의 제 2 모드로 스위칭하기 위한 표시(예컨대, 메모리 디바이스(110-c)에 대한), 또는 메모리 디바이스(110-c)를 액세스하기 위한 명령(예컨대, 액세스 명령, 판독 명령, 기록 명령)을 포함할 수 있다. 따라서, 메모리 디바이스(110-c)는 제 2 모드와 연관된 시그널링을 수신할 수 있으며, 이에 응답하여, 메모리 디바이스(110-c)는 메모리 디바이스(110-c)를 가열하도록 구성된 회로부 또는 다른 컴포넌트들을 활성화하고, 가능화하거나, 또는 그 외 제어할 수 있다(예컨대, 하나 이상의 메모리 디바이스 메모리 히터들(350)을 활성화하는 것, 하나 이상의 호스트 디바이스 메모리 히터들(360) 또는 하나 이상의 결합 컴포넌트 메모리 히터들(370)을 활성화하기 위해 명령을 전송하는 것). 따라서, t1 후, 표시된 온도(505)는 올라갈 수 있다(예컨대, 메모리 디바이스(110-c)가 메모리 디바이스(110-c)를 가열하도록 구성된 회로부 또는 다른 컴포넌트들을 활성화하는 것에 기초하여).
몇몇 예들에서, t1의 동작들 중 하나 이상에 기초하여(예컨대, 제 2 모드와 연관된 시그널링을 수신하는 것에 기초하여), 메모리 디바이스(110-c)는 메모리 디바이스(110-c)가 가열되고 있음을 나타내거나(예컨대, 호스트 디바이스(305)로), 또는 메모리 디바이스(110-c)에 대한 액세스 동작들의 제한을 나타낼 수 있다(예컨대, 메모리 디바이스(110-c)는 판독 또는 기록 명령들에 대해 이용 가능하지 않고, 판독 또는 기록 동작들은 메모리 디바이스(110-c)에 대해 불능화된다). 몇몇 예들에서, 이러한 표시들은 초기화 시그널링(390), 모드 시그널링(395), 또는 EDC 또는 JTAG 신호 또는 데이터 라인과 같은 몇몇 다른 시그널링을 통해 운반될 수 있다.
몇몇 예들에서, 메모리 디바이스(110-c)는 표시된 온도(505)(예컨대, 하나 이상의 메모리 디바이스 온도 센서들(320)로부터의)를 결정하며, 표시된 온도(405)를 제 2 임계치(Tth,2)에 비교하거나 또는 그 외 평가할 수 있다(예컨대, 표시된 온도(505)가 제 2 임계치(Tth,2)에 있거나 또는 미만이거나 또는 그 외 이를 만족한다고 결정하는). 몇몇 예들에서, 메모리 디바이스(110-c)를 가열하도록 구성된 회로부 또는 다른 컴포넌트들을 활성화하고, 가능화하거나, 또는 제어하는 것은 비교 또는 평가에 적어도 부분적으로 기초할 수 있다. 제 2 임계치(Tth,2) 및 제 3 임계치(Tth,3)는 상이한 값들을 갖는 것으로 예시되었지만, 몇몇 예들에서, 제 2 임계치(Tth,2) 및 제 3 임계치(Tth,3)는 동일한 값을 가질 수 있다(예컨대, 제 1 모드에서 동작하기 위해, 및 제 2 모드와 연관된 시그널링을 수신할 때 메모리 가열을 활성화하기 위해 사용된 동일한 임계치).
t1의 제 2 예에서, 호스트 디바이스(305)는 표시된 온도(505)(예컨대, 하나 이상의 호스트 디바이스 온도 센서들(330) 또는 결합 컴포넌트 온도 센서들(340)로부터, 메모리 디바이스(110-c)의 온도를 나타내는 온도 시그널링(385)을 통해)와 연관된 시그널링을 결정하거나 또는 그 외 수신하며, 표시된 온도(505)를 제 2 임계치(Tth,2)에 비교하거나 또는 그 외 평가할 수 있다(예컨대, 표시된 온도(505)가 제 2 임계치(Tth,2)에 있거나 또는 미만이거나 또는 그 외 이를 만족한다고 결정하는). 다른 예들에서, 호스트 디바이스(305)는 그 외 메모리 디바이스(110-c)가 제 1 모드에 있으며(예컨대, 모드 시그널링(395)을 통해), 따라서 메모리 디바이스(110-c)가 제 1 모드와 연관된 온도(예컨대, 제 2 모드와 연관된 온도 또는 온도 범위보다 낮은 온도)에 있다고 식별하거나 또는 결정할 수 있다.
t1의 비교 또는 다른 식별 또는 결정에 기초하여, 호스트 디바이스(305)는 메모리 디바이스(110-c)를 가열하도록 구성된 회로부 또는 다른 컴포넌트들을 활성화하고, 가능화하거나, 또는 그 외 제어할 수 있다(예컨대, 하나 이상의 호스트 디바이스 메모리 히터들(360)을 활성화하는 것, 하나 이상의 메모리 디바이스 메모리 히터들(350) 또는 하나 이상의 결합 컴포넌트 메모리 히터들(370)을 활성화하기 위해 명령을 전송하는 것). 시스템(100-c)이 다수의 메모리 디바이스들(110)을 포함하는 예들에서, 호스트 디바이스는 메모리 디바이스들(110) 모두를 가열하도록 구성된 회로부를 활성화하거나, 또는 메모리 디바이스들(110)의 서브세트를 가열하도록 구성된 회로부를 활성화할 수 있으며, 이러한 서브세트는 동작 조건들, 메모리 디바이스들(110)의 유형들, 메모리 디바이스들(110)과 교환될 데이터의 유형들, 액세스 동작들의 유형들, 및 다른 고려사항들에 기초하여 선택된다. 따라서, t1 후, 표시된 온도(505)는 올라갈 수 있다(예컨대, 호스트 디바이스(305)가 메모리 디바이스(110-c)를 가열하도록 구성된 회로부 또는 다른 컴포넌트들을 활성화하는 것에 기초하여).
t2에서, 표시된 온도(505)는 제 1 임계치(Tth,1)를 교차할 수 있다(예컨대, 메모리 디바이스(110-c)의 가열 또는 동작에 기초하여). 몇몇 예들에서, 제 1 임계치(Tth,1)는 메모리 디바이스(110-c)의 제 2 모드와 연관된 하한 임계 온도, 또는 메모리 디바이스(110-c)의 동작 범위의 더 낮은 온도일 수 있다. 표시된 온도(505)는 시스템(100-c)의 하나 이상의 컴포넌트들에 의해 t2에서 결정될 수 있으며, 표시된 온도(505)가 제 1 임계치(Tth,1)에 있거나 또는 초과하거나 또는 그 외 이를 만족하기 때문에, 메모리 디바이스(110-c)의 동작은 제 2 모드로 전이될 수 있다. 다시 말해서, 메모리 디바이스(110-c)는 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부 또는 다른 컴포넌트들을 활성화하는 것에 적어도 부분적으로 기초하여 제 2 모드에서 동작할 수 있다.
몇몇 예들에서, t2에서(예컨대, 제 2 모드로의 전이에 기초하여), 메모리 디바이스(110-c)는 액세스 동작들(예컨대, 판독 동작들, 기록 동작들)에 이용 가능해질 수 있다. 따라서, t2에서, 메모리 디바이스(110-c)는 메모리 디바이스(110-c)의 하나 이상의 메모리 셀들(205)을 액세스하는 것과 연관된 모드에서 동작할 수 있다(예컨대, 메모리 디바이스(110-c)가 메모리 디바이스(110-c)의 제 1 모드에서 동작하는 것에 적어도 부분적으로 기초하여). 몇몇 예들에서, t2의 동작에 기초하여, 메모리 디바이스(110-c)는 호스트 디바이스와 정보를 교환할 수 있으며(예컨대, 데이터 시그널링(380)을 통해), 액세스하는 것은 호스트 디바이스와 교환된 정보에 적어도 부분적으로 기초할 수 있다. 몇몇 예들에서, 제 2 모드에서 메모리 디바이스(110-c)를 동작시키는 것은 제 1 모드에서 메모리 디바이스(110-c)를 동작시키는 것보다 높은 전력 소비와 연관될 수 있다(예컨대, 판독 동작들 및 기록 동작들과 같은 액세스 동작들이 리프레시 또는 자체-리프레시 동작들보다 높은 전력과 연관되는 경우). 메모리 디바이스(110-c)의 표시된 온도는 제 1 임계치(Tth,1)에 있거나 또는 이를 초과하거나 또는 그 외 만족할 수 있지만, 메모리 디바이스(110-c)의 가열은 t2 내내 계속할 수 있다(예컨대, 상이한 임계치가 메모리 가열을 불능화하고, 비활성화하거나, 또는 그 외 제어하기 위해 사용될 때).
t2의 제 1 예에서, 메모리 디바이스(110-c)는 표시된 온도(505)(예컨대, 하나 이상의 메모리 디바이스 온도 센서들(320)로부터의)를 결정하며, 표시된 온도(505)를 제 1 임계치(Tth,1)에 비교하거나 또는 그 외 평가할 수 있다(예컨대, 표시된 온도(505)가 제 1 임계치(Tth,1)에 있거나 또는 이를 초과하거나 또는 그 외 만족한다고 결정하는). t2의 비교 또는 평가에 기초하여, 메모리 디바이스(110-c)는 제 2 모드에서 동작하는 것으로 전이될 수 있으며(예컨대, 액세스 동작들의 제한을 중단시키는 것, 리프레시 모드에서 액세스 모드로 전이하는 것), 이것은 메모리 디바이스(110-c)가, 메모리 디바이스(110-c)가 제 2 모드에서 동작하고 있거나 또는 메모리 디바이스(110-c)가 액세스 동작들에 이용 가능하다는(예컨대, "동작할 준비" 신호를 통해) 것을 시그널링하는 것에 의해 수반될 수 있다(예컨대, 호스트 디바이스(305)로, 모드 시그널링(395) 또는 EDC 또는 JTAG 신호 또는 데이터 라인과 같은 몇몇 다른 시그널링을 통해).
t2의 제 2 예에서, 호스트 디바이스(305)는 표시된 온도(505)(예컨대, 하나 이상의 호스트 디바이스 온도 센서들(330) 또는 결합 컴포넌트 온도 센서들(340)로부터, 메모리 디바이스(110-c)의 온도를 나타내는 온도 시그널링(385)을 통해)와 연관된 시그널링을 결정하거나 또는 그 외 수신하며, 상기 표시된 온도(505)를 제 1 임계치(Tth,1)에 비교하거나 또는 그 외 평가할 수 있다(예컨대, 표시된 온도(505)가 제 1 임계치(Tth,1 )에 있거나 또는 이를 초과하거나 또는 그 외 만족한다고 결정하는). 다른 예들에서, 호스트 디바이스(305)는 그 외 메모리 디바이스(110-c)의 온도가 제 1 임계치(Tth,1)에 있거나 또는 그것을 초과하거나 또는 그 외 만족한다고 식별하거나 또는 결정할 수 있다(예컨대, 메모리 디바이스(110-c)의 온도가 임계치에 있거나 또는 이를 초과하거나 또는 그 외 만족함을 나타내는 모드 시그널링(395)을 통해). t2의 비교 또는 다른 식별 또는 결정에 기초하여(예컨대, 메모리 디바이스가 액세스 동작들에 이용 가능하다는 표시에 기초하여, "동작할 준비" 신호를 수신하는 것에 기초하여), 호스트 디바이스(305)는 메모리 디바이스(110-c)의 제 2 모드에서 메모리 디바이스(110-c)를 동작시키는 것으로 전이할 수 있으며, 이것은 메모리 디바이스(110-c)를 액세스하기 위해 명령들을 발행하거나 또는 송신하는 것을 계속하는 것(예컨대, 데이터 시그널링(380)을 통해), 또는 그 외 제 2 모드에 있는 메모리 디바이스(110-c)와 연관된 액세스 동작을 수행하는 것을 포함할 수 있다.
t3에서, 표시된 온도(505)는 제 4 임계치(Tth,4)를 교차할 수 있다(예컨대, 메모리 디바이스(110-c)의 가열 또는 동작에 기초하여). 몇몇 예들에서, 제 4 임계치(Tth,4)는 메모리 디바이스(110-c)의 동작 온도 범위의 하한 임계치와 상이하고, 메모리 디바이스(110-c)의 가열을 활성화하는 것과 연관된 임계치와 상이하거나(예컨대, Tth,2와 상이한, Tth,2보다 큰), 또는 제 2 모드로의 전이와 연관된 임계치와 상이한(예컨대, Tth,1과 상이한, Tth,1보다 큰) 메모리 디바이스(110-c)의 임계치일 수 있다. 몇몇 예들에서, 제 2 임계치(Tth,2)는 10℃일 수 있지만, 다른 예들에서 상이한 온도(예컨대, 10℃보다 높거나 또는 낮은 온도)에서의 제 2 임계치를 포함할 수 있다.
몇몇 예들에서, 제 4 임계치(Tth,4)는 가능화되고 불능화되는 메모리 가열의 레이트 또는 듀티 사이클을 감소시키도록 구성되고, 설정되거나, 또는 선택될 수 있다(예컨대, 제 4 임계치(Tth,4)가 제 2 임계치(Tth,2)와 상이할 때). 따라서, 상이한 제 4 임계치(Tth,4) 및 제 2 임계치(Tth,2), 또는 제 4 임계치(Tth,4)와 제 2 임계치(Tth,2) 간의 대역은 메모리 디바이스(110-c)를 가열하는 것과 연관된 온도 히스테리시스 범위 또는 히스테리시스 대역으로서 불리울 수 있다. 제 4 임계치(Tth,4)는 제 2 임계치(Tth,2)와 상이한 것으로 설명되지만, 몇몇 예들에서, 제 4 임계치(Tth,4)는 제 2 임계치(Tth,2)와 동일할 수 있으며(예컨대, 시스템(100-c)이 메모리 가열을 위해 단일 임계치를 갖고 구성될 때), 메모리 디바이스(110-c)의 가열을 활성화하고, 비활성화하거나, 또는 그 외 제어하는 것은 표시된 온도(505) 및 단일 임계치 사이에서의 관계에 기초할 수 있다(예컨대, 표시된 온도(505)가 임계치를 초과하는지 또는 임계치 미만인지). 뿐만 아니라, 제 4 임계치(Tth,4)는 제 1 임계치(Tth,1)와 상이한 것으로 설명되지만, 몇몇 예들에서, 제 4 임계치(Tth,4)는 제 1 임계치(Tth,1)와 동일할 수 있으며(예컨대, 시스템(100-c)이 메모리 가열 및 모드 스위칭을 위해 공유된 임계치를 갖고 구성될 때), 메모리 디바이스(110-c)의 가열을 활성화하고, 비활성화하거나, 또는 그 외 제어하는 것은 메모리 디바이스(110-c)가 제 1 모드 또는 제 2 모드에서 동작하고 있는지, 또는 제 1 모드에서 제 2 모드로의 전이가 완료되었는지에 기초할 수 있다.
표시된 온도(505)는 시스템(100-c)이 하나 이상의 컴포넌트들에 의해 t3에서 결정될 수 있으며, 표시된 온도(405)가 제 4 임계치(Tth,4)에 있거나 또는 이를 초과하거나 또는 그 외 만족하기 때문에, 시스템(100-c)은 다양한 기술들에 따라 메모리 디바이스(110-c)의 가열을 불능화하고, 비활성화하거나, 또는 그 외 조정할 수 있다. 따라서, t3에서의 동작들 중 하나 이상에 이어, 표시된 온도(505)는 떨어질 수 있으며(예컨대, 주위 온도(TA)가 표시된 온도(505) 미만일 때, 냉각으로부터의 열 손실이 메모리 디바이스(110-c)를 동작시키는 것으로부터의 열 발생보다 클 때), 이것은 제 4 임계치(Tth,4)를 지나 표시된 온도(505)의 t3 후 오버슈트를 따르거나 또는 따르지 않을 수 있다(예컨대, 컴포넌트들에 걸친 열 확산으로 인해, 열을 인가하는 것 및 온도 센서에서의 온도 상승 간의 지연으로 인해, 시그널링 지연 또는 프로세싱 지연으로 인해). 메모리 디바이스(110-c)는 t3 내내 액세스 동작들(예컨대, 판독 동작들, 기록 동작들)에 이용 가능한 채로 있을 수 있다.
t3의 제 1 예에서, 메모리 디바이스(110-c)는 표시된 온도(505)(예컨대, 하나 이상의 메모리 디바이스 온도 센서들(320)로부터의)를 결정하며, 표시된 온도(505)를 제 4 임계치(Tth,4)에 비교하거나 또는 그 외 평가할 수 있다(예컨대, 표시된 온도(505)가 제 4 임계치(Tth,4)에 있거나 또는 초과하거나 또는 그 외 이를 만족한다고 결정하는). 비교 또는 평가에 기초하여, 메모리 디바이스(110-c)는 메모리 디바이스(110-c)를 가열하도록 구성된 회로부 또는 다른 컴포넌트들을 비활성화하고, 불능화하거나, 또는 그 외 조정할 수 있다(예컨대, 하나 이상의 메모리 디바이스 메모리 히터들(350)을 비활성화하는 것, 하나 이상의 호스트 메모리 히터들(360) 또는 하나 이상의 결합 컴포넌트 메모리 히터들(370)을 비활성화하기 위해 명령을 전송하는 것). 몇몇 예들에서, t3의 동작들 중 하나 이상에 기초하여, 메모리 디바이스(110-c)는 메모리 디바이스(110-c)가 가열되고 있지 않음을 나타낼 수 있다(예컨대, 호스트 디바이스(305)로). 몇몇 예들에서, 이러한 표시들은 초기화 시그널링(390), 모드 시그널링(395), 또는 EDC 또는 JTAG 신호 또는 데이터 라인과 같은 몇몇 다른 시그널링을 통해 운반될 수 있다.
t3의 제 2 예에서, 호스트 디바이스(305)는 표시된 온도(505)(예컨대, 하나 이상의 호스트 디바이스 온도 센서들(330) 또는 결합 컴포넌트 온도 센서들(340)로부터, 메모리 디바이스(110-c)의 온도를 나타내는 온도 시그널링(385)을 통해)와 연관된 시그널링을 결정하거나 또는 그 외 수신하며, 표시된 온도(505)를 제 4 임계치(Tth,4)에 비교하거나 또는 그 외 평가할 수 있다(예컨대, 표시된 온도(505)는 제 4 임계치(Tth,4)에 있거나 또는 이를 초과하거나 또는 그 외 만족한다고 결정하는). t3의 비교 또는 다른 식별 또는 결정에 기초하여, 호스트 디바이스(305)는 메모리 디바이스(110-c)를 가열하도록 구성된 회로부 또는 다른 컴포넌트들을 비활성화하고, 불능화하거나, 또는 그 외 조정하거나 또는 제어할 수 있다(예컨대, 하나 이상의 호스트 디바이스 메모리 히터들(360)을 비활성화하는 것, 하나 이상의 메모리 히터들(350) 또는 하나 이상의 결합 컴포넌트 메모리 히터들(370)을 비활성화하기 위해 명령을 전송하는 것). 호스트 디바이스는 t3 내내 메모리 디바이스(110-c)를 액세스하기 위해 액세스 명령들을 계속해서 송신하거나 또는 발행할 수 있다.
t4에서, 메모리 디바이스(110-c)를 동작시키는 것은 메모리 디바이스(110-c)의 제 2 모드에서 동작하는 것으로부터 전이될 수 있으며, 이것은 메모리 디바이스(110-c)의 제 1 모드로 전이하는 것, 메모리 디바이스(110-c)의 제 1 모드의 수정, 또는 제 2 모드와 상이한 메모리 디바이스(110-c)의 몇몇 다른 모드를 포함할 수 있다. 몇몇 예들에서, 제 2 모드로부터의 전이는 호스트 디바이스(305)와 메모리 디바이스(110-c) 간의 데이터 교환과 연관된 액세스 동작들의 결여(예컨대, 데이터 시그널링(380)의 결여 또는 부재)에 기초할 수 있다. 몇몇 예들에서, t4의 전이는 리프레시 모드, 자체-리프레시 모드, 대기 모드, 메모리 디바이스 유휴 모드, 또는 호스트 디바이스 유휴 모드로의 전이와 연관될 수 있으며, 이것은 t0에서와 동일한 모드 또는 상이한 모드일 수 있다.
t4의 제 1 예에서, 메모리 디바이스(110-c)는 호스트 디바이스(305)와 교환될 데이터의 결여(예컨대, 데이터 시그널링(395)의 결여), 호스트 디바이스(305)와의 액세스 동작들의 완료, 또는 메모리 디바이스(110-c)의 모드를 변경하기 위한 몇몇 다른 결정을 식별할 수 있다. 몇몇 예들에서, 메모리 디바이스(110-c)는 메모리 디바이스(110-c)의 모드를 변경하기 위한 결정의 부분으로서 표시된 온도(505)를 임계치에 비교하거나 또는 그 외 평가할 수 있다. 따라서, 다양한 예들에 따르면, t4에서 모드를 변경하기 위한 결정은 메모리 디바이스(110-c)에서 수행될 수 있다.
몇몇 예들에서, 전이는 제 3 임계치(Tth,3)와 표시된 온도(505)의 비교에 적어도 부분적으로 기초할 수 있다. 표시된 온도(505-a)에 따르면, 예를 들어, 메모리 디바이스(110-c)의 제 1 모드에서 동작하는 것으로의 전이는 표시된 온도(505-a)가 제 3 임계치(Tth,3)에 있거나 또는 미만이기 때문에 액세스 동작들이 호스트 디바이스(305)를 갖고 완료됨을 결정한 직후 발생할 수 있다(예컨대, 제 1 모드 또는 제 3 임계치(Tth,3)가 저온 리프레시 또는 자체-리프레시 모드와 연관될 때). 표시된 온도(505-b)에 따르면, 예를 들어, 메모리 디바이스(110-c)의 제 1 모드에서 동작하는 것으로의 전이는, 표시된 온도(505-b)가 제 3 임계치(Tth,3)를 초과할 때에도(예컨대, 제 1 모드가 저온 동작들과 연관되지 않은 리프레시 모드 또는 자체-리프레시 모드일 때, 또는 표시된 온도(505-b)의 온도가 여전히 저온 리프레시 또는 자체-리프레시 모드와 연관되는 범위에 있을 때, 또는 제 1 모드가 일반적으로 리프레시 또는 자체 리프레시 모드를 나타낼 때), 호스트 디바이스(305)를 갖고 액세스 동작들의 완료를 결정한 직후 발생할 수 있다.
또 다른 예에서, 메모리 디바이스(110-c)의 제 1 모드에서 동작하는 것으로의 전이는 액세스 동작들이 호스트 디바이스(305)를 완료하였다고 결정한 직후 발생하지 않을 수 있으며, 표시된 온도(505)가 제 3 임계치(Tth,3)로 또는 그 아래로 떨어지기 전에 중간 모드를 포함할 수 있는, 제 3 임계치(Tth,3)로 또는 아래로 떨어진 후 발생할 수 있다. 몇몇 예들에서, 액세스 동작들이 호스트 디바이스(305)를 갖고 수행되는지에 대한 결정들은 임계치에 표시된 온도(505)의 비교 또는 다른 평가 후 메모리 디바이스(110-c)에 의해 이루어질 수 있다. 몇몇 예들에서, 메모리 디바이스(110-c)는 액세스 동작 이후 경과된 시간을 결정할 수 있으며, 메모리 디바이스(110-c)의 제 2 모드에서 동작하는 것에서 메모리 디바이스(110-c)의 제 1 모드로 동작하는 것으로의 스위칭은 경과된 시간에 적어도 부분적으로 기초할 수 있고, 이것은 표시된 온도(505)에 기초하거나 또는 기초하지 않을 수 있다.
t4의 제 2 예에서, 호스트 디바이스(305)는 메모리 디바이스(110-c)와 교환될 데이터의 결여, 메모리 디바이스(110-c)를 이용한 액세스 동작들의 완료, 또는 메모리 디바이스(110-c)의 모드를 변경하기 위한 몇몇 다른 결정을 식별할 수 있다. 몇몇 예들에서, 호스트 디바이스(305)는 메모리 디바이스(110-c)의 모드에 따라 동작들을 변경하기 위해 결정의 부분으로서 임계치에 표시된 온도(505)를 비교하거나 또는 그 외 평가할 수 있다. 따라서, 다양한 예들에 따라, t4에서 모드를 변경하기 위한 결정은 호스트 디바이스(305)에서 수행될 수 있다.
몇몇 예들에서, 호스트 디바이스(305)는 메모리 디바이스(110-c)의 제 2 모드로부터 스위칭하기 위해 메모리 디바이스(110-c)로 표시를 송신할 수 있다(예컨대, 모드 시그널링(395)을 통해). 몇몇 예들에서, 표시는 제 1 모드로 전이하기 위한 메모리 디바이스(110-c)에 대한 명시적 표시일 수 있다. 몇몇 예들에서, 표시는 메모리 디바이스(110-c)가 제 1 모드로 전이할지를 결정하기 위해 사용할 수 있는 그 외 제 1 모드와 연관된 메모리 디바이스(110-c)로의 표시일 수 있다(예컨대, 표시된 온도(505-a 또는 505-b)를 따를지와 같은, 메모리 디바이스(110-c)에 의해 임계치와 표시된 온도(505)의 평가와 조합하여).
일 예에서, 메모리 디바이스(110-c)는 제 1 모드에 들어가는 것 또는 제 2 모드를 빠져나오는 것과 연관되는 호스트 디바이스(305)로부터의 시그널링, 및 제 3 임계치(Tth,3)와 표시된 온도(505)의 비교에 기초하여 제 1 모드로 전이하도록 결정할 수 있다. 표시된 온도(505-a)에 따르면, 메모리 디바이스(110-c)의 제 1 모드에서 동작하는 것으로의 전이는 표시된 온도(505-a)가 제 3 임계치(Tth,3)에 있거나 또는 미만이기 때문에, 호스트 디바이스(305)로부터 표시를 수신한 직후 발생할 수 있다(예컨대, 제 1 모드 또는 제 3 임계치(Tth,3)가 저온 리프레시 또는 자체-리프레시 모드와 연관될 때). 표시된 온도(505-b)에 따르면, 메모리 디바이스(110-c)의 제 1 모드에서 동작하는 것으로의 전이는, 표시된 온도(505-b)가 제 3 임계치(Tth,3)를 초과할 때에도(예컨대, 제 1 모드가 저온 동작들과 연관되지 않은 리프레시 모드 또는 자체-리프레시 모드일 때, 또는 표시된 온도(505-b)의 온도가 저온 리프레시 또는 자체-리프레시 모드와 여전히 연관되는 범위에 있을 때, 또는 제 1 모드가 일반적으로 리프레시 또는 자체 리프레시 모드를 나타낼 때), 호스트 디바이스(305)로부터 표시를 수신한 직후 발생할 수 있다. 또 다른 예에서, 메모리 디바이스(110-c)의 제 1 모드에서 동작하는 것으로의 전이는 호스트 디바이스(305)로부터 표시를 수신한 직후 발생하지 않을 수 있으며, 표시된 온도(505)가 제 3 임계치(Tth,3)로 또는 그 아래로 떨어지기 전에 중간 모드를 포함할 수 있는, 제 3 임계치(Tth,3)로 또는 그 아래로 떨어진 후 발생할 수 있다.
메모리 디바이스(110-c)를 이용한 동작들은 본 출원에서 설명된 다양한 기술들에 따라, 메모리 디바이스(110-c)의 제 1 모드, 메모리 디바이스(110-c)의 제 2 모드, 또는 메모리 디바이스(110-c)의 다른 모드에 따라 계속될 수 있다. 다양한 조건들하에서(예컨대, 상이한 모드들에 따라), 메모리 디바이스(110-c)는 주어진 시간에 호스트 디바이스(305)를 이용하여 다양한 액세스 동작들에 이용 가능하거나 또는 이용 가능하지 않을 수 있지만, 시스템(100-c)은 다양한 동작 모드들을 지원하기 위해 메모리 디바이스(110-c)를 가열하도록 구성된 회로부 또는 다른 컴포넌트들을 활성화하는 것을 포함할 수 있다. 따라서, 도 5를 참조하여 설명된 메모리 디바이스(110-c)의 모드-의존형 가열은 액세스 유형에 메모리 온도를 동조시키는 예들을 예시할 수 있다.
도 3 내지 도 5를 참조하여 설명된 기술들의 다양한 예들에서, 설명된 임계치들(예컨대, 제 1 임계치(Tth,1), 제 2 임계치(Tth,2), 제 3 임계치(Tth,3), 제 4 임계치(Tth,4)) 중 임의의 하나 이상은 다양한 기술들에 따라 구성되고, 식별되거나, 또는 결정될 수 있다. 예를 들어, 임계치들 중 임의의 하나 이상은 디바이스에 구성될 수 있으며(예컨대, 메모리 디바이스(110-c)에서 정적 값 또는 레벨 또는 정적 값들 또는 레벨들의 세트로서, 호스트 디바이스(305)에서 정적 값 또는 레벨 또는 정적 값들 또는 레벨들의 세트로서), 이것은 각각의 디바이스의 하나 이상의 구성들 또는 임계치들의 표시를 저장하도록 구성되는 각각의 디바이스의 모드 레지스터, 트림 파라미터들, 또는 하나 이상의 비-휘발성 저장 엘리먼트들(예컨대, 퓨즈들, 안티퓨즈들)에 저장될 수 있다. 다양한 예들에서, 메모리 디바이스(110-c) 또는 호스트 디바이스(305)는 이러한 비-휘발성 저장 엘리먼트들을 액세스함으로써 구성(예컨대, 구성된 임계치)을 식별할 수 있다.
부가적으로 또는 대안적으로, 임계치들 중 임의의 하나 이상은 디바이스의(예컨대, 리프레시 모드, 액세스 모드, 판독/기록 모드, 유휴 모드, 활성 모드), 또는 상이한 디바이스의(예컨대, 모드 시그널링(395)과 같은, 다른 디바이스의 동작의 모드의 시그널링에 기초하여) 동작 모드에 적어도 부분적으로 기초하여 디바이스에서 결정되거나 또는 식별될 수 있다. 몇몇 예들에서, 임계치들 중 임의의 하나 이상은 디바이스의 동작 조건들에 적어도 부분적으로 기초하여 디바이스에 결정되거나 또는 식별될 수 있다. 예를 들어, 표시된 온도(405)가 급속한 변동들을 경험할 때(예컨대, 환경(302)의 주위 온도(TA)가 특히 낮을 때), 제 2 임계치(Tth,2)는 비교적 더 높게(예컨대, 더 넓은 히스테리시스 대역) 설정될 수 있거나, 또는 제 3 임계치(Tth,3)는 비교적 더 높게 설정될 수 있거나(예컨대, 메모리 디바이스(110-c)의 동작 온도 범위 밖에 있는 표시된 온도(405)의 오버슈트를 제한하기 위해), 또는 둘 모두일 수 있다.
다양한 임계치들과 표시된 온도들(예컨대, 표시된 온도들(405 또는 505))의 설명된 비교들 또는 평가들은 디바이스 메모리 제어기(155), 로컬 메모리 제어기(165), 또는 외부 메모리 제어기(105)에서 수행된 동작들을 포함할 수 있는, 다양한 기술들에 따라 메모리 디바이스(110-c) 또는 호스트 디바이스(305) 중 하나 또는 둘 모두에 의해 수행될 수 있다. 예를 들어, 표시된 온도가 메모리 디바이스(110-c) 또는 호스트 디바이스(305)에서 디지털 도메인에 표현될 때, 이러한 비교들은 프로세서 또는 디지털 비교기에서의 디지털 도메인에서 수행될 수 있다(예컨대, 이진 값들의 비교로서, 정수 값들의 비교로서, 부동 소수점 값들의 비교로서). 표시된 온도가 메모리 디바이스(110-c) 또는 호스트 디바이스(305)에서의 아날로그 도메인에서 표현될 때(예컨대, 열전대의 전압으로서, RTD에 걸친 전압 또는 전류로서), 이러한 비교들은 프로세서, 비교기, 트랜지스터(예컨대, 게이트 및 소스 또는 드레인 노드 사이에서), 또는 다른 회로부(예컨대, 임계치를 나타내는 기준 전압에 대한 전압의 비교로서, 임계치를 나타내는 기준 전류에 대한 전류의 비교로서)에서의 아날로그 도메인에서 수행될 수 있다.
게다가, 도 3 내지 도 5를 참조하여 설명된 동작들은 메모리 디바이스(110-c)를 가열하도록 구성된 회로부를 활성화하고 비활성화하는 것을 포함하는 것으로서 설명되지만, 더 복잡한 형태들의 제어가 적용될 수 있다. 예를 들어, 가열의 정도(예컨대, 열 유속의 양)는 비례-적분-미분(PID) 제어, 펄스 폭 변조(PWM), 및 다른 기술들과 같은, 다양한 제어 기술들에 의해 제어되고, 조정되거나, 또는 그 외 변조될 수 있다. 몇몇 예들에서, 온도 임계치들 또는 레벨들은 타겟 온도들, 불감대들, 이득 스케줄링, 및 다른 기술들로서 이러한 제어 기술들에 적용될 수 있다.
도 6a는 본 출원에 개시된 양태들에 따른, 메모리 디바이스(110)의 제어형 및 모드-의존형 가열을 지원하는 메모리 히터(605-a)의 예(600-a)를 예시한다. 시스템(100)의 다양한 예들에서, 메모리 히터(605-a)는 메모리 디바이스 메모리 히터(350), 호스트 디바이스 메모리 히터(360), 또는 결합 컴포넌트 메모리 히터(370) 중 임의의 것에 대해 예시적일 수 있다.
메모리 히터(605-a)는 가열 저항기(610)(예컨대, 메모리 디바이스(110)를 가열하도록 구성될 수 있는 저항성 컴포넌트)를 포함할 수 있으며, 이것은 전기 저항을 보여주는 임의의 컴포넌트 또는 회로부를 나타낼 수 있으며, 따라서 전기 에너지를 열 에너지(예컨대, 열)로 변환할 수 있다. 다양한 예들에서, 가열 저항기(610)는 가열을 제공하기 위한 전용 컴포넌트일 수 있거나, 또는 그 외 연관된 컴포넌트(예컨대, 메모리 디바이스(110), 외부 메모리 제어기(105), 또는 결합 컴포넌트(310))로 통합되는 제어 가능한 회로부일 수 있다. 메모리 히터(605-a)가 메모리 디바이스(110)의 일부인 예들에서, 가열 저항기(610)는 메모리 다이(160)의 컴포넌트일 수 있으며, 이것은 로컬 메모리 제어기(165), 메모리 어레이(170), 또는 몇몇 다른 컴포넌트(예컨대, 메모리 다이(160)로 통합된, 메모리 다이(160)와 결합된)의 컴포넌트를 포함할 수 있다. 메모리 히터(605-a)는 또한 스위칭 컴포넌트(615)를 포함할 수 있으며, 이것은 메모리 히터(605-a)를 선택적으로 활성화하거나 또는 비활성화하도록 구성된 컴포넌트일 수 있다(예컨대, 입력 신호(SW1)에 기초하여). 스위칭 컴포넌트(615)는 n-형 또는 p-형 트랜지스터일 수 있으며, 입력 신호(SW1)는 트랜지스터의 게이트에 인가될 수 있다. 다양한 예들에서, 입력 신호(SW1)는 메모리 제어기에 의해 생성된 논리 값(예컨대, 디지털 신호)일 수 있거나, 또는 온도 센서로부터 제공된 아날로그 신호일 수 있다(예컨대, 온도 센서로부터 직접 제공된 전압, 또는 그 외 증폭되거나 또는 변환된 온도 센서로부터의 전압 또는 다른 신호).
몇몇 예들에서, 메모리 히터(605-a)는 제 1 전압 소스(620-a) 및 제 2 전압 소스(620-b)와 또는 그 사이에서 결합될 수 있다. 몇몇 예들에서, 제 1 전압 소스(620-a)는 접지 전압 소스 또는 섀시 접지 전압 소스를 나타낼 수 있으며 제 2 전압 소스(620-b)는 몇몇 다른 전압(예컨대, 비교적 더 높은 전압 공급 또는 레일)을 나타낼 수 있다. 보다 일반적으로, 제 1 전압 소스(620-a)의 전압(V0)은 제 2 전압 소스(620-b)의 전압(V1)과 상이한 임의의 전압일 수 있다. 스위칭 컴포넌트(615)를 활성화하는 것은 제 1 전압 소스(620-a) 및 제 2 전압 소스(620-b) 사이에서의 가열 저항기(610)를 통해 흐르는 전류를 허용할 수 있다. 따라서, 스위칭 컴포넌트를 활성화하는 것은 메모리 히터(605-a)에 의한 열 발생을 가능화할 수 있다(예컨대, 가열 저항기(610)의 오믹 가열을 통해). 스위칭 컴포넌트(615)를 비활성화하는 것은 제 1 전압 소스(620-a) 및 제 2 전압 소스(620-b) 사이에서의 가열 저항기(610)를 통해 전류가 흐르는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 스위칭 컴포넌트를 비활성화하는 것은 메모리 히터(605-a)의 열 발생을 불능화할 수 있다.
도 6b는 본 출원에 개시된 양태들에 따라, 메모리 디바이스(110)의 제어형 및 모드-의존형 가열을 지원하는 메모리 히터(605-b)의 예(600-b)를 예시한다. 시스템(100)의 다양한 예들에서, 메모리 히터(605-b)는 메모리 디바이스 메모리 히터(350), 호스트 디바이스 메모리 히터(360), 또는 결합 컴포넌트 메모리 히터(370) 중 임의의 것에 대해 예시적일 수 있다.
메모리 히터(605-b)는 하나 이상의 구동기 스테이지들(630)(예컨대, 구동기 컴포넌트들)을 포함할 수 있으며, 이것은 용량성 로드(예컨대, 커패시터(635), 발진기, 공진기)와 결합될 수 있다. 몇몇 예들에서, 구동기 스테이지(630)의 출력은 커패시터(635)의 제 1 단자 또는 판과 결합될 수 있으며 전압 소스(620-c)(예컨대, 접지 또는 섀시 접지 전압 소스)는 커패시터(635)의 제 2 단자 또는 판과 결합될 수 있다. 구동기 스테이지(630)의 입력은 AND 게이트(640)와 결합될 수 있다. 다양한 예들에서, 메모리 히터(605-b)는 단일 구동기 스테이지(630), 또는 임의의 수의 구동기 스테이지들(630)(예컨대, 메모리 히터(605-b)의 예에서 직렬 배열로 예시됨)을 포함할 수 있다.
AND 게이트(640)는 다수의 입력 신호들의 각각이 비교적 높은 상태 또는 전압, 또는 그 외 가능화 상태 또는 전압일 때, 출력 신호(예컨대, 하나 이상의 구동기 컴포넌트들에 인가될 수 있는 출력 신호)를 제공하도록 구성된 회로부를 나타낼 수 있다. 메모리 히터(605-b)의 예에서, AND 게이트(640)로의 입력들은 클록 신호(650) 및 히터 온/오프 신호(660)를 포함할 수 있다. 클록 신호(650)는 임의의 클록 신호를 나타낼 수 있으며, 이것은 메모리 히터(605-b)를 포함하는 동일한 컴포넌트의 소스, 또는 상이한 컴포넌트의 소스(예컨대, 클록 채널(188)에 의해 운반된 바와 같이)일 수 있다. 따라서, AND 게이트(640)는, 하나의 입력으로서, 비교적 높은 값 및 비교적 낮은 값 사이에서 진동하는 진동 신호를 수신할 수 있다. AND 게이트(640)는 또한, 또 다른 입력으로서, 메모리 히터(605-b)가 열을 발생시키기 위해 활성화되거나 또는 그 외 구성될 때 가능화되거나(예컨대, 비교적 높은 상태 또는 전압), 또는 메모리 히터(605)가 열을 발생시키기 위해 비활성화되거나 또는 그 외 구성되지 않을 때 불능화되는(예컨대, 비교적 낮은 상태 또는 전압) 신호를 수신할 수 있다.
히터 온/오프 신호가 가능화될 때, AND 게이트(640)는 진동 신호를 하나 이상의 구동기 스테이지들(630)로 출력할 수 있으며, 이것은 구동기 스테이지들(630) 및 커패시터(635)에서 또는 그 밖으로 흐르는 전류를 지원할 수 있다. 그 결과, 열은 구동기 스테이지들(630) 내에서, 커패시터(635) 내에서, 또는 도체들 또는 이러한 컴포넌트들, AND 게이트(640), 및 전압 소스(620) 사이에서의 다른 신호 경로들을 따라 오믹 가열에 의해 발생될 수 있다. 히터 온/오프 신호가 불능화될 때, AND 게이트(640)는 임의의 신호를 출력하지 않을 수 있으며, 그에 의해 메모리 히터(605-b)에 의한 가열을 불능화할 수 있다. 다양한 예들에서, 히터 온/오프 신호(660)는 메모리 제어기에 의해 생성된 논리 값(예컨대, 디지털 신호)일 수 있거나, 또는 온도 센서로부터 제공된 아날로그 신호일 수 있다(예컨대, 온도 센서로부터 직접 제공되거나, 또는 그 외 증폭되거나 또는 변환된 전압).
도 7은 본 출원에 개시된 양태들에 따른, 메모리 디바이스의 제어형 및 모드-의존형 가열을 지원하는 디바이스(705)의 블록도(700)를 도시한다. 설명된 기술들의 다양한 예들에 따르면, 디바이스(705)는 예 1 내지 예 6을 참조하여 설명된 바와 같이, 시스템(100), 외부 메모리 제어기(105), 외부 메모리 제어기(105), 메모리 디바이스(110) 또는 디바이스 메모리 제어기(155)의 양태들의 예일 수 있다. 디바이스(705)는 온도 컴포넌트(710), 비교 컴포넌트(715), 가열 제어 컴포넌트(720), 시그널링 컴포넌트(725), 가열 컴포넌트(730), 동작 제어 컴포넌트(735), 및 데이터 교환 컴포넌트(740)를 포함할 수 있다. 이들 모듈들의 각각은 서로 직접 또는 간접적으로(예컨대, 하나 이상의 버스들을 통해) 통신할 수 있다.
온도 컴포넌트(710)는 메모리 디바이스의 온도를 결정할 수 있다. 몇몇 예들에서, 온도 컴포넌트(710)는, 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부를 활성화한 후, 메모리 디바이스의 제 2 온도를 결정할 수 있다. 몇몇 예들에서, 온도 컴포넌트(710)는, 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부를 비활성화한 후, 메모리 디바이스의 제 3 온도를 결정할 수 있다.
비교 컴포넌트(715)는 메모리 디바이스의 온도를 임계치에 비교할 수 있다. 몇몇 예들에서, 비교 컴포넌트(715)는 메모리 디바이스의 제 2 온도가 제 2 임계치를 만족한다고 결정할 수 있다. 몇몇 경우들에서, 제 2 임계치는 임계치보다 높다. 몇몇 예들에서, 비교 컴포넌트(715)는 임계치보다 높으며 제 2 임계치보다 낮은 제 3 임계치에 메모리 디바이스의 제 3 온도를 비교할 수 있다.
몇몇 예들에서, 비교 컴포넌트(715)는 제 3 임계치에 메모리 디바이스의 온도를 비교할 수 있으며, 제 1 모드로 메모리 디바이스를 동작시키는 것은 제 3 암계치에 대한 비교에 기초할 수 있다. 몇몇 예들에서, 비교 컴포넌트(715)는, 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부를 활성화한 후, 메모리 디바이스의 온도가 임계치를 만족한다고 결정할 수 있으며, 제 2 모드로 메모리 디바이스를 동작시키는 것은 메모리 디바이스의 온도가 임계치를 만족한다는 결정에 기초할 수 있다. 몇몇 예들에서, 비교 컴포넌트(715)는 임계치보다 작은 제 2 임계치에 메모리 디바이스의 온도를 비교할 수 있으며, 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부를 활성화하는 것은 제 2 임계치에 대한 비교에 기초할 수 있다. 몇몇 예들에서, 비교 컴포넌트(715)는 메모리 디바이스의 온도가 제 4 임계치를 만족한다고 결정할 수 있다.
가열 제어 컴포넌트(720)는 임계치에 대한 온도의 비교에 기초하여 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부 또는 다른 컴포넌트들을 활성화할 수 있다. 몇몇 예들에서, 가열 제어 컴포넌트(720)는 제 2 모드와 연관된 시그널링을 수신하는 것에 기초하여 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부 또는 다른 컴포넌트들을 활성화할 수 있다. 몇몇 예들에서, 가열 제어 컴포넌트(720)는 제 2 온도가 제 2 임계치를 만족한다는 결정에 기초하여 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부 또는 다른 컴포넌트들을 비활성화할 수 있다. 몇몇 예들에서, 가열 제어 컴포넌트(720)는 제 3 임계치에 제 3 온도를 비교하는 것에 적어도 부분적으로 기초하여 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부 또는 다른 컴포넌트들을 활성화할 수 있다. 몇몇 예들에서, 가열 제어 컴포넌트(720)는 메모리 디바이스의 온도가 제 4 임계치를 만족한다는 결정에 기초하여 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부 또는 다른 컴포넌트들을 비활성화할 수 있다.
시그널링 컴포넌트(725)는 메모리 디바이스의 제 2 모드와 연관된 시그널링을 수신할 수 있다(예컨대, 호스트 디바이스로부터). 몇몇 경우들에서, 제 2 모드와 연관된 시그널링은 제 2 모드로 스위칭하기 위한 표시를 포함한다. 몇몇 경우들에서, 제 2 모드와 연관된 시그널링은 메모리 디바이스를 액세스하기 위한 명령을 포함한다. 몇몇 예들에서, 시그널링 컴포넌트(725)는 메모리 디바이스가 제 2 모드로 동작하고 있다는 표시를 송신할 수 있다(예컨대, 호스트 디바이스로). 몇몇 경우들에서, 메모리 디바이스가 제 2 모드로 동작하고 있다는 표시는 메모리 디바이스가 판독 동작들, 기록 동작들, 또는 이들의 조합에 이용 가능하다는 표시를 포함한다.
몇몇 예들에서, 시그널링 컴포넌트(725)는 메모리 디바이스에 대한 액세스 동작들이 제한된다는 표시를 송신할 수 있다(예컨대, 임계치에 대한 온도의 비교에 기초하여, 호스트 디바이스로). 몇몇 예들에서, 시그널링 컴포넌트(725)는 판독 동작들 또는 기록 동작들 중 적어도 하나가 메모리 디바이스에 대해 불능화됨을 나타낼 수 있다. 몇몇 예들에서, 시그널링 컴포넌트(725)는 메모리 디바이스를 초기화할 수 있으며, 메모리 디바이스에 대한 액세스 동작들이 제한된다는 표시를 송신하는 것은 초기화에 기초할 수 있다. 몇몇 예들에서, 시그널링 컴포넌트(725)는 메모리 디바이스의 전원을 결정할 수 있으며, 제 1 모드로 메모리 디바이스를 동작시키는 것은 메모리 디바이스의 전원에 기초할 수 있다. 몇몇 예들에서, 시그널링 컴포넌트(725)는 제 1 모드로 스위칭하기 위한 표시를 수신할 수 있다(예컨대, 호스트 디바이스로부터).
가열 컴포넌트(730)는 메모리 디바이스를 가열하도록 구성되는 메모리 디바이스에서 하나 이상의 저항성 컴포넌트들과 전압 소스를 결합할 수 있으며, 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부 또는 다른 컴포넌트들을 활성화하는 것은 결합에 기초할 수 있다. 몇몇 예들에서, 가열 컴포넌트(730)는 메모리 디바이스의 하나 이상의 구동기 컴포넌트들로 신호를 인가할 수 있으며, 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부 또는 다른 컴포넌트들을 활성화하는 것은 인가에 기초할 수 있다.
동작 제어 컴포넌트(735)는 메모리 디바이스의 제 1 모드에서 메모리 디바이스를 동작시킬 수 있다. 몇몇 예들에서, 동작 제어 컴포넌트(735)는 제 1 모드에서 메모리 디바이스를 동작시키는 것에 기초하여 메모리 디바이스의 메모리 셀을 리프레시할 수 있다. 몇몇 예들에서, 제 1 모드에서 메모리 디바이스를 동작시키는 것은 제 1 전력 소비와 연관된다.
몇몇 예들에서, 동작 제어 컴포넌트(735)는 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부 또는 다른 컴포넌트들을 활성화하는 것에 기초하여 제 2 모드에서 메모리 디바이스를 동작시킬 수 있다. 몇몇 예들에서, 동작 제어 컴포넌트(735)는 제 2 모드에서 메모리 디바이스를 동작시키는 것에 기초하여 메모리 디바이스의 메모리 셀을 액세스할 수 있다. 몇몇 예들에서, 제 2 모드에서 메모리 디바이스를 동작시키는 것은 제 1 전력 소비보다 큰 제 2 전력 소비와 연관된다.
몇몇 예들에서, 동작 제어 컴포넌트(735)는 제 1 모드로 스위칭하기 위한 표시에 기초하여 제 2 모드에서 메모리 디바이스를 동작시키는 것에서 제 1 모드로 메모리 디바이스를 동작시키는 것으로 스위칭할 수 있다. 몇몇 예들에서, 동작 제어 컴포넌트(735)는 액세스 동작 이후 경과된 시간을 결정하며, 경과된 시간에 기초하여 제 2 모드에서 메모리 디바이스를 동작시키는 것에서 제 1 모드로 메모리 디바이스를 동작시키는 것으로 스위칭할 수 있다.
데이터 교환 컴포넌트(740)는 호스트 디바이스와 정보를 교환할 수 있다. 몇몇 예들에서, 메모리 디바이스를 액세스하는 것은 호스트 디바이스와 교환된 정보에 기초할 수 있다.
도 8은 본 출원에 개시된 양태들에 따른, 메모리 디바이스의 제어형 및 모드-의존형 가열을 지원하는 디바이스(805)의 블록도(800)를 도시한다. 설명된 기술들의 다양한 예들에 따르면, 디바이스(805)는 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명된 시스템(100), 외부 메모리 제어기(105), 또는 외부 메모리 제어기(105)의 양태들의 예일 수 있다. 디바이스(805)는 온도 컴포넌트(810), 온도 평가 컴포넌트(815), 액세스 컴포넌트(820), 시그널링 컴포넌트(825), 및 초기화 컴포넌트(830)를 포함할 수 있다. 이들 모듈들의 각각은 서로 직접 또는 간접적으로(예컨대, 하나 이상의 버스들을 통해) 통신할 수 있다.
온도 컴포넌트(810)는 호스트 디바이스와 결합되는 메모리 디바이스의 온도의 표시를 수신할 수 있다(예컨대, 호스트 디바이스에서). 몇몇 예들에서, 온도 컴포넌트(810)는 메모리 디바이스의 온도의 표시를 수신할 수 있으며(예컨대, 호스트 디바이스에서), 온도는 메모리 디바이스의 제 1 모드와 연관될 수 있다. 몇몇 경우들에서, 제 1 모드는 리프레시 모드를 포함한다. 몇몇 예들에서, 온도 컴포넌트(810)는 메모리 디바이스의 제 2 온도의 표시를 수신할 수 있다(예컨대, 호스트 디바이스에서, 메모리 디바이스를 액세스하기 위한 명령을 억제한 후).
온도 평가 컴포넌트(815)는 임계치에 대한 메모리 디바이스의 온도를 평가할 수 있다.
액세스 컴포넌트(820)는 임계치에 대한 메모리 디바이스의 온도를 결정하는 것에 기초하여 메모리 디바이스를 액세스하기 위한 명령을 억제할 수 있다(예컨대, 호스트 디바이스에 의해). 몇몇 예들에서, 액세스 컴포넌트(820)는, 메모리 디바이스가 제 2 모드에 있음을 나타내는 시그널링을 수신하는 것에 기초하여, 제 2 모드에 있는 메모리 디바이스와 연관된 액세스 동작을 수행할 수 있다.
몇몇 예들에서, 액세스 컴포넌트(820)는, 메모리 디바이스의 제 2 온도의 표시에 기초하여 메모리 디바이스를 액세스하기 위한 명령을, 메모리 디바이스로 발행할 수 있다. 몇몇 예들에서, 액세스 컴포넌트(820)는 메모리 디바이스가 이용 가능하다는 표시에 기초하여 메모리 디바이스를 액세스하기 위한 명령을, 메모리 디바이스로 발행할 수 있다. 몇몇 예들에서, 액세스 컴포넌트(820)는, 초기화하는 것에 기초하여, 메모리 디바이스의 온도의 표시를 제공하기 위한 명령을, 메모리 디바이스로 발행할 수 있다.
시그널링 컴포넌트(825)는 메모리 디바이스의 제 2 모드와 연관된 시그널링을 송신할 수 있다(예컨대, 호스트 디바이스로부터). 몇몇 경우들에서, 제 2 모드와 연관된 시그널링은 제 2 모드로 스위칭하기 위한 표시를 포함할 수 있다. 몇몇 경우들에서, 제 2 모드와 연관된 시그널링은 메모리 디바이스를 액세스하기 위한 명령을 포함할 수 있다.
몇몇 예들에서, 시그널링 컴포넌트(825)는 메모리 디바이스가 제 2 모드에 있음을 나타내는 시그널링을 수신할 수 있다(예컨대, 호스트 디바이스에서). 몇몇 경우들에서, 메모리 디바이스가 제 2 모드에 있음을 나타내는 시그널링은 메모리 디바이스가 액세스 동작들을 위해 이용 가능하다는 표시를 포함할 수 있다. 몇몇 경우들에서, 메모리 디바이스가 제 2 모드에 있음을 나타내는 시그널링은 메모리 디바이스의 제 2 온도의 표시를 포함할 수 있다. 몇몇 예들에서, 시그널링 컴포넌트(825)는 메모리 디바이스가 이용 가능하다는 표시를 수신할 수 있다(예컨대, 호스트 디바이스에서, 메모리 디바이스를 액세스하기 위한 명령을 억제한 후).
초기화 컴포넌트(830)는 메모리 디바이스를 초기화할 수 있다(예컨대, 호스트 디바이스에 의해). 몇몇 예들에서, 메모리 디바이스를 액세스하기 위한 명령을 억제하는 것은(예컨대, 호스트 디바이스에 의해) 초기화에 기초할 수 있다.
도 9는 본 출원에 개시된 양태들에 따른, 메모리 디바이스의 제어형 및 모드-의존형 가열을 지원하는 방법(900)을 예시한 흐름도를 도시한다. 방법(900)의 동작들은 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명된 바와 같이, 메모리 디바이스(110), 외부 메모리 제어기(105), 시스템(100), 또는 메모리 디바이스(110), 외부 메모리 제어기(105), 또는 시스템(100)의 다양한 컴포넌트들에 의해 구현될 수 있다. 예를 들어, 방법(900)의 동작들은 도 7을 참조하여 설명된 바와 같이, 디바이스(705)에 의해 수행될 수 있다. 몇몇 예들에서, 메모리 디바이스(110), 외부 메모리 제어기(105), 또는 시스템(100)은 설명된 기능들을 수행하도록 메모리 디바이스(110), 외부 메모리 제어기(105), 또는 시스템(100)의 기능적 엘리먼트들을 제어하기 위해 지시들의 세트를 실행할 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 메모리 디바이스(110), 외부 메모리 제어기(105), 또는 시스템(100)은 특수-목적 하드웨어 또는 회로부를 사용하여 설명된 기능들의 양태들을 수행할 수 있다.
905에서, 방법(900)은 메모리 디바이스의 온도를 결정하는 것을 포함할 수 있다. 905의 동작들은 본 출원에서 설명된 기술들에 따라 수행될 수 있다. 몇몇 예들에서, 905의 동작들의 양태들은 도 7을 참조하여 설명된 바와 같이 온도 컴포넌트(710)에 의해 수행될 수 있다.
910에서, 방법(900)은 메모리 디바이스의 온도를 임계치에 비교하는 것을 포함할 수 있다. 910의 동작들은 본 출원에서 설명된 기술들에 따라 수행될 수 있다. 몇몇 예들에서, 910의 동작들의 양태들은 도 7을 참조하여 설명된 바와 같이 비교 컴포넌트(715)에 의해 수행될 수 있다.
915에서, 방법(900)은 임계치에 대한 임계치의 비교에 기초하여 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부를 활성화하는 것을 포함할 수 있다. 915의 동작들은 본 출원에서 설명된 기술들에 따라 수행될 수 있다. 몇몇 예들에서, 915의 동작들의 양태들은 도 7을 참조하여 설명된 바와 같이 가열 제어 컴포넌트(720)에 의해 수행될 수 있다.
메모리 디바이스의 제어형 및 모드-의존형 가열을 수행하기 위한 장치가 설명된다. 상기 장치는 메모리 디바이스의 온도를 결정하기 위한 수단, 메모리 디바이스의 온도를 임계치에 비교하기 위한 수단, 및 온도 대 임계치의 비교에 기초하여 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부를 활성화하기 위한 수단을 포함할 수 있다.
메모리 디바이스의 제어형 및 모드-의존형 가열을 수행하기 위한 또 다른 장치가 설명된다. 상기 장치는 메모리 디바이스의 온도를 결정하고, 메모리 디바이스의 온도를 임계치에 비교하며, 온도 대 임계치의 비교에 기초하여 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부를 활성화하도록 구성된 제어기 또는 회로부를 포함할 수 있다.
방법 또는 장치들의 몇몇 예들에서, 메모리 디바이스는 용량성 또는 강유전성 저장 엘리먼트들을 가진 셀들을 포함할 수 있다.
방법 또는 장치들의 몇몇 예들은 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부를 활성화한 후, 메모리 디바이스의 제 2 온도를 결정하고, 메모리 디바이스의 제 2 온도가 제 2 임계치를 만족한다고 결정하며, 제 2 온도가 제 2 임계치를 만족한다는 결정에 기초하여 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부를 비활성화하기 위한 동작들, 피처들, 수단들, 또는 지시들을 추가로 포함할 수 있다. 방법 또는 장치들의 몇몇 예들에서, 제 2 임계치는 임계치보다 높다.
방법 또는 장치들의 몇몇 예들은 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부를 비활성화한 후, 메모리 디바이스의 제 3 온도를 결정하고, 메모리 디바이스의 제 3 온도를 임계치보다 높고 제 2 임계치보다 낮은 제 3 임계치에 비교하며, 제 3 온도 대 제 3 임계치를 비교하는 것에 적어도 부분적으로 기초하여 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부를 활성화하기 위한 동작들, 피처들, 수단들, 또는 지시들을 추가로 포함할 수 있다.
방법 또는 장치들의 몇몇 예들은 온도 대 임계치의 비교에 기초하여, 메모리 디바이스에 대한 액세스 동작들이 제한된다는 표시를 호스트 디바이스로 송신하기 위한 동작들, 피처들, 수단들, 또는 지시들을 추가로 포함할 수 있다. 방법 또는 장치들의 몇몇 예들에서, 메모리 디바이스에 대한 액세스 동작들이 제한된다는 표시를 송신하는 것은 판독 동작들 또는 기록 동작들 중 적어도 하나가 메모리 디바이스에 대해 불능화됨을 나타내기 위한 동작들, 피처들, 수단들, 또는 지시들을 포함할 수 있다.
방법 또는 장치들의 몇몇 예들은 메모리 디바이스를 초기화하기 위한 동작들, 피처들, 수단들, 또는 지시들을 추가로 포함할 수 있으며, 메모리 디바이스에 대한 액세스 동작들이 제한된다는 표시를 송신하는 것은 상기 초기화에 기초할 수 있다.
방법 또는 장치들의 몇몇 예들은 메모리 디바이스를 가열하도록 구성되는 메모리 디바이스에서의 하나 이상의 저항성 컴포넌트들과 전압 소스를 결합하기 위한 동작들, 피처들, 수단들, 또는 지시들을 추가로 포함할 수 있으며, 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부를 활성화하는 것은 상기 결합에 기초할 수 있다.
방법 또는 장치들의 몇몇 예들은 메모리 디바이스의 하나 이상의 구동기 컴포넌트들로 신호를 인가하기 위한 동작들, 피처들, 수단들, 또는 지시들을 추가로 포함할 수 있으며, 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부를 활성화하는 것은 상기 인가에 기초할 수 있다.
도 10은 본 출원에 개시된 양태들에 따른, 메모리 디바이스의 제어형 및 모드-의존형 가열을 지원하는 방법(1000)을 예시한 흐름도를 도시한다. 방법(1000)의 동작들은 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명된 바와 같이, 시스템(100) 또는 외부 메모리 제어기(105), 또는 시스템(100) 또는 외부 메모리 제어기(105)의 다양한 컴포넌트들에 의해 구현될 수 있다. 예를 들어, 방법(1000)의 동작들은 도 8을 참조하여 설명된 바와 같이, 디바이스(805)에 의해 수행될 수 있다. 몇몇 예들에서, 시스템(100) 또는 외부 메모리 제어기(105)는 설명된 기능들을 수행하도록 호스트 디바이스의 기능적 엘리먼트들을 제어하기 위해 지시들의 세트를 실행할 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 시스템(100) 또는 외부 메모리 제어기(105)는 특수-목적 하드웨어 또는 회로부를 사용하여 설명된 기능들의 양태들을 수행할 수 있다.
1005에서, 방법(1000)은 호스트 디바이스와 결합되는 메모리 디바이스의 온도의 표시를 수신하는 것을 포함할 수 있다(예컨대, 호스트 디바이스에서). 1005의 동작들은 본 출원에서 설명된 기술들에 따라 수행될 수 있다. 몇몇 예들에서, 1005의 동작들의 양태들은 도 8을 참조하여 설명된 바와 같이 온도 컴포넌트(810)에 의해 수행될 수 있다.
1010에서, 방법(1000)은 임계치에 대한 메모리 디바이스의 온도를 평가하는 것을 포함할 수 있다. 1010의 동작들은 본 출원에서 설명된 기술들에 따라 수행될 수 있다. 몇몇 예들에서, 1010의 동작들의 양태들은 도 8을 참조하여 설명된 바와 같이 온도 평가 컴포넌트(815)에 의해 수행될 수 있다.
1015에서, 방법(1000)은 임계치에 대한 메모리 디바이스의 온도를 결정하는 것에 기초하여 메모리 디바이스를 액세스하기 위한 명령을 억제하는 것을 포함할 수 있다(예컨대, 호스트 디바이스에 의해). 1015의 동작들은 본 출원에서 설명된 기술들에 따라 수행될 수 있다. 몇몇 예들에서, 1015의 동작들의 양태들은 도 8을 참조하여 설명된 바와 같이 액세스 컴포넌트(820)에 의해 수행될 수 있다.
방법을 수행하기 위한 장치가 설명된다. 장치는 호스트 디바이스에서, 호스트 디바이스와 결합되는 메모리 디바이스의 온도의 표시를 수신하기 위한 수단, 임계치에 대해 메모리 디바이스의 온도를 평가하기 위한 수단, 및 호스트 디바이스에 의해, 임계치에 대한 메모리 디바이스의 온도를 결정하는 것에 기초하여 메모리 디바이스를 액세스하기 위한 명령을 억제하기 위한 수단을 포함할 수 있다.
메모리 디바이스의 제어형 및 모드-의존형 가열을 수행하기 위한 또 다른 장치가 설명된다. 상기 장치는 호스트 디바이스에서, 호스트 디바이스와 결합되는 메모리 디바이스의 온도의 표시를 수신하고, 임계치에 대하여 메모리 디바이스의 온도를 평가하며, 호스트 디바이스에 의해, 임계치에 대한 메모리 디바이스의 온도를 결정하는 것에 기초하여 메모리 디바이스를 액세스하기 위한 명령을 억제하도록 구성된 제어기 또는 회로부를 포함할 수 있다.
방법 또는 장치들의 몇몇 예들에서, 메모리 디바이스는 용량성 또는 강유전성 저장 엘리먼트들을 가진 셀들을 포함할 수 있다.
방법 또는 장치들의 몇몇 예들은, 호스트 디바이스에서 메모리 디바이스를 액세스하기 위한 명령을 억제한 후, 메모리 디바이스의 제 2 온도의 표시를 수신하며, 메모리 디바이스의 제 2 온도의 표시에 기초하여 메모리 디바이스를 액세스하기 위한 명령을 메모리 디바이스로 발행하기 위한 동작들, 피처들, 수단들, 또는 지시들을 추가로 포함할 수 있다.
방법 또는 장치들의 몇몇 예들은 메모리 디바이스가 이용 가능하다는 표시를 수신하며(예컨대, 호스트 디바이스에서, 메모리 디바이스를 액세스하기 위한 명령을 억제한 후) 메모리 디바이스가 이용 가능할 수 있다는 표시에 기초하여 메모리 디바이스를 액세스하기 위한 명령을, 메모리 디바이스로 발행하기 위한 동작들, 피처들, 수단들, 또는 지시들을 추가로 포함할 수 있다.
방법 또는 장치들의 몇몇 예들은 메모리 디바이스를 초기화하기 위한 동작들, 피처들, 수단들, 또는 지시들을 추가로 포함할 수 있으며, 메모리 디바이스를 액세스하기 위한 명령을 억제하는 것은 상기 초기화에 기초할 수 있다. 방법 또는 장치들의 몇몇 예들은 상기 초기화에 기초하여, 메모리 디바이스의 온도의 표시를 제공하기 위한 명령을 메모리 디바이스로 발행하기 위한 동작들, 피처들, 수단들, 또는 지시들을 추가로 포함할 수 있다.
도 11은 본 출원에 개시된 양태들에 따른, 메모리 디바이스의 제어형 및 모드-의존형 가열을 지원하는 방법(1100)을 예시한 흐름도를 도시한다. 방법(1100)의 동작들은 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명된 바와 같이, 메모리 디바이스(110), 또는 메모리 디바이스(110)의 다양한 컴포넌트들에 의해 구현될 수 있다. 예를 들어, 방법(1100)의 동작들은, 도 7을 참조하여 설명된 바와 같이, 디바이스(705)에 의해 수행될 수 있다. 몇몇 예들에서, 메모리 디바이스(110)는 설명된 기능들을 수행하도록 메모리 디바이스(110)의 기능적 엘리먼트들을 제어하기 위해 지시들의 세트를 실행할 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 메모리 디바이스(110)는 특수-목적 하드웨어 또는 회로부를 사용하여 설명된 기능들의 양태들을 수행할 수 있다.
1105에서, 방법(1100)은 메모리 디바이스의 제 1 모드에서 메모리 디바이스를 동작시키는 것을 포함할 수 있다. 1105의 동작들은 본 출원에서 설명된 기술들에 따라 수행될 수 있다. 몇몇 예들에서, 1105의 동작들의 양태들은 도 7을 참조하여 설명된 바와 같이 동작 제어 컴포넌트(735)에 의해 수행될 수 있다.
1110에서, 방법(1100)은 호스트 디바이스로부터, 메모리 디바이스의 제 2 모드와 연관된 시그널링을 수신하는 것을 포함할 수 있다. 1110의 동작들은 본 출원에서 설명된 기술들에 따라 수행될 수 있다. 몇몇 예들에서, 1110의 동작들의 양태들은 도 7을 참조하여 설명된 바와 같이 시그널링 컴포넌트(725)에 의해 수행될 수 있다.
1115에서, 방법(1100)은 제 2 모드와 연관된 시그널링을 수신하는 것에 기초하여 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부를 활성화하는 것을 포함할 수 있다. 1115의 동작들은 본 출원에서 설명된 기술들에 따라 수행될 수 있다. 몇몇 예들에서, 1115의 동작들의 양태들은 도 7을 참조하여 설명된 바와 같이 가열 제어 컴포넌트(720)에 의해 수행될 수 있다.
1120에서, 방법(1100)은 메모리 디바이스를 가열하도록 구성도니 회로부를 활성화하는 것에 기초하여 제 2 모드에서 메모리 디바이스를 동작시키는 것을 포함할 수 있다. 1120의 동작들은 본 출원에서 설명된 기술들에 따라 수행될 수 있다. 몇몇 예들에서, 1120의 동작들의 양태들은 도 7을 참조하여 설명된 바와 같이 동작 제어 컴포넌트(735)에 의해 수행될 수 있다.
메모리 디바이스의 제어형 및 모드-의존형 가열을 수행하기 위한 장치가 설명된다. 상기 장치는 메모리 디바이스의 제 1 모드에서 메모리 디바이스를 동작시키기 위한 수단, 호스트 디바이스로부터, 메모리 디바이스의 제 2 모드와 연관된 시그널링을 수신하기 위한 수단, 제 2 모드와 연관된 시그널링을 수신하는 것에 기초하여 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부를 활성화하기 위한 수단, 및 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부를 활성화하는 것에 기초하여 제 2 모드에서 메모리 디바이스를 동작시키기 위한 수단을 포함할 수 있다.
메모리 디바이스의 제어형 및 모드-의존형 가열을 수행하기 위한 또 다른 장치가 설명된다. 상기 장치는 메모리 디바이스의 제 1 모드에서 메모리 디바이스를 동작시키고, 호스트 디바이스로부터, 메모리 디바이스의 제 2 모드와 연관된 시그널링을 수신하고, 제 2 모드와 연관된 시그널링을 수신하는 것에 기초하여 메모리 디바이스를 가열하도로 구성된 회로부를 활성화하며, 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부를 활성화하는 것에 기초하여 제 2 모드에서 메모리 디바이스를 동작시키도록 구성된 제어기 또는 회로부를 포함할 수 있다.
방법 또는 장치들의 몇몇 예들에서, 메모리 디바이스는 용량성 또는 강유전성 저장 엘리먼트들을 가진 셀들을 포함할 수 있다.
방법 또는 장치들의 몇몇 예들은 회로부를 활성화한 후, 메모리 디바이스의 온도가 임계치를 만족한다고 결정하기 위한 동작들, 피처들, 수단들, 또는 지시들을 추가로 포함할 수 있으며, 제 2 모드에서 메모리 디바이스를 동작시키는 것은 메모리 디바이스의 온도가 임계치를 만족한다는 결정에 기초할 수 있다. 방법 또는 장치들의 몇몇 예들은 메모리 디바이스의 온도를 임계치보다 작은 제 2 임계치에 비교하기 위한 동작들, 피처들, 수단들, 또는 지시들을 추가로 포함할 수 있으며, 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부를 활성화하는 것은 제 2 임계치에 비교에 기초할 수 있다.
방법 또는 장치들의 몇몇 예들은 제 1 모드에서 메모리 디바이스를 동작시키는 것에 기초하여 메모리 디바이스의 메모리 셀을 리프레시하기 위한 동작들, 피처들, 수단들, 또는 지시들을 추가로 포함할 수 있다.
방법 또는 장치들의 몇몇 예들은 제 2 모드에서 메모리 디바이스를 동작시키는 것에 기초하여 메모리 디바이스의 메모리 셀을 액세스하기 위한 동작들, 피처들, 수단들, 또는 지시들을 추가로 포함할 수 있다. 방법 또는 장치들의 몇몇 예들은 호스트 디바이스와 정보를 교환하기 위한 동작들, 피처들, 수단들, 또는 지시들을 추가로 포함할 수 있으며, 메모리 디바이스의 메모리 셀을 액세스하는 것은 호스트와 교환된 정보에 기초할 수 있다.
방법 또는 장치들의 몇몇 예들에서, 제 1 모드에서 메모리 디바이스를 동작시키는 것은 제 1 전력 소비와 연관될 수 있으며 제 2 모드에서 메모리 디바이스를 동작시키는 것은 제 1 전력 소비보다 큰 제 2 전력 소비와 연관될 수 있다.
방법 또는 장치들의 몇몇 예들에서, 제 2 모드와 연관된 시그널링은 제 2 모드로 스위칭하기 위한 표시를 포함할 수 있다. 방법 또는 장치들의 몇몇 예들에서, 제 2 모드와 연관된 시그널링은 메모리 디바이스를 액세스하기 위한 명령을 포함할 수 있다.
방법 또는 장치들의 몇몇 예들은 메모리 디바이스가 제 2 모드에서 동작한다는 표시를, 호스트 디바이스로 송신하기 위한 동작들, 피처들, 수단들, 또는 지시들을 추가로 포함할 수 있다. 방법 또는 장치들의 몇몇 예들에서, 메모리 디바이스가 제 2 모드에서 동작한다는 표시는 메모리 디바이스가 판독 동작들, 기록 동작들, 또는 이들의 조합을 위해 이용 가능하다는 표시를 포함할 수 있다.
방법 또는 장치들의 몇몇 예들은 메모리 디바이스의 온도를 제 3 임계치에 비교하기 위한 동작들, 피처들, 수단들, 또는 지시들을 추가로 포함할 수 있으며, 제 1 모드에서 메모리 디바이스를 동작시키는 것은 제 3 임계치에 비교에 기초할 수 있다.
방법 또는 장치들의 몇몇 예들은 메모리 디바이스의 온도가 제 4 임계치를 만족한다고 결정하며 메모리 디바이스의 온도가 제 4 임계치를 만족한다는 결정에 기초하여 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부를 비활성화하기 위한 동작들, 피처들, 수단들, 또는 지시들을 추가로 포함할 수 있다.
방법 또는 장치들의 몇몇 예들은 메모리 디바이스의 전원을 결정하기 위한 동작들, 피처들, 수단들, 또는 지시들을 추가로 포함할 수 있으며, 제 1 모드에서 메모리 디바이스를 동작시키는 것은 메모리 디바이스의 전원에 기초할 수 있다.
방법 또는 장치들의 몇몇 예들은 호스트 디바이스로부터, 제 1 모드로 스위칭하기 위한 지시를 수신하며 제 1 모드로 스위칭하기 위한 표시에 기초하여 제 2 모드에서 메모리 디바이스를 동작시키는 것에서 제 1 모드에서 메모리 디바이스를 동작시키는 것으로 스위칭하기 위한 동작들, 피처들, 수단들, 또는 지시들을 추가로 포함할 수 있다.
방법 또는 장치들의 몇몇 예들은 액세스 동작 이후 경과된 시간을 결정하며 상기 경과된 시간에 기초하여 제 2 모드에서 메모리 디바이스를 동작시키는 것에서 제 1 모드에서 메모리 디바이스를 동작시키는 것으로 스위칭하기 위한 동작들, 피처들, 수단들, 또는 지시들을 추가로 포함할 수 있다.
도 12는 본 출원에 개시된 양태들에 따른, 메모리 디바이스의 제어형 및 모드-의존형 가열을 지원하는 방법(1200)을 예시한 흐름도를 도시한다. 방법(1200)의 동작들은 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명된 바와 같이, 시스템(100) 또는 외부 메모리 제어기(105), 또는 시스템(100) 또는 외부 메모리 제어기(105)의 다양한 컴포넌트들에 의해 구현될 수 있다. 예를 들어, 방법(1200)의 동작들은, 도 8을 참조하여 설명된 바와 같이, 디바이스(805)에 의해 수행될 수 있다. 몇몇 예들에서, 시스템(100) 또는 외부 메모리 제어기(105)는 설명된 기능들을 수행하도록 호스트 디바이스의 기능적 엘리먼트들을 제어하기 위해 지시들의 세트를 실행할 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 시스템(100) 또는 외부 메모리 제어기(105)는 특수-목적 하드웨어 또는 회로부를 사용하여 설명된 기능들의 양태들을 수행할 수 있다.
1205에서, 방법(1200)은 메모리 디바이스의 온도의 표시를 수신하는 것을 포함할 수 있으며(예컨대, 호스트 디바이스에서), 여기에서 온도는 메모리 디바이스의 제 1 모드와 연관된다. 1205의 동작들은 본 출원에서 설명된 기술들에 따라 수행될 수 있다. 몇몇 예들에서, 1205의 동작들의 양태들은 도 8을 참조하여 설명된 바와 같이 온도 컴포넌트(810)에 의해 수행될 수 있다.
1210에서, 방법(1200)은 메모리 디바이스의 제 2 모드와 연관된 시그널링을 송신하는 것을 포함할 수 있다(예컨대, 호스트 디바이스로부터). 1210의 동작들은 본 출원에서 설명된 기술들에 따라 수행될 수 있다. 몇몇 예들에서, 1210의 동작들의 양태들은 도 8을 참조하여 설명된 바와 같이 시그널링 컴포넌트(825)에 의해 수행될 수 있다.
1215에서, 방법(1200)은 메모리 디바이스가 제 2 모드에 있음을 나타내는 시그널링을 수신하는 것을 포함할 수 있다(예컨대, 호스트 디바이스에서). 1215의 동작들은 본 출원에서 설명된 기술들에 따라 수행될 수 있다. 몇몇 예들에서, 1215의 동작들의 양태들은 도 8을 참조하여 설명된 바와 같이 시그널링 컴포넌트(825)에 의해 수행될 수 있다.
1220에서, 방법(1200)은 메모리 디바이스가 제 2 모드에 있음을 나타내는 시그널링을 수신하는 것에 기초하여, 제 2 모드에 있는 메모리 디바이스와 연관된 액세스 동작을 수행하는 것을 포함할 수 있다. 1220의 동작들은 본 출원에서 설명된 기술들에 따라 수행될 수 있다. 몇몇 예들에서, 1220의 동작들의 양태들은 도 8을 참조하여 설명된 바와 같이 액세스 컴포넌트(820)에 의해 수행될 수 있다.
방법을 수행하기 위한 장치가 설명된다. 상기 장치는 호스트 디바이스에서, 메모리 디바이스의 온도의 표시를 수신하기 위한 수단으로서, 상기 온도는 메모리 디바이스의 제 1 모드와 연관되는, 수신하기 위한 수단, 호스트 디바이스로부터, 메모리 디바이스의 제 2 모드와 연관된 시그널링을 송신하고, 호스트 디바이스에서, 메모리 디바이스가 제 2 모드에 있음을 나타내는 시그널링을 수신하며, 메모리 디바이스가 제 2 모드에 있음을 나타내는 시그널링을 수신하는 것에 기초하여, 제 2 모드에 있는 메모리 디바이스와 연관된 액세스 동작을 수행하기 위한 수단을 포함할 수 있다.
메모리 디바이스의 제어형 및 모드-의존형 가열을 수행하기 위한 또 다른 장치가 설명된다. 상기 장치는 호스트 디바이스에서, 메모리 디바이스의 온도의 표시를 수신하는 것으로서, 상기 온도는 메모리 디바이스의 제 1 모드와 연관되는, 상기 온도의 표시를 수신하고, 호스트 디바이스로부터, 메모리 디바이스의 제 2 모드와 연관된 시그널링을 송신하고, 호스트 디바이스에서, 메모리 디바이스가 제 2 모드에 있음을 나타내는 시그널링을 수신하며, 메모리 디바이스가 제 2 모드에 있음을 나타내는 시그널링을 수신하는 것에 기초하여, 제 2 모드에 있는 메모리 디바이스와 연관된 액세스 동작을 수행하도록 구성된 제어기 또는 회로부를 포함할 수 있다.
방법 또는 장치들의 몇몇 예들에서, 메모리 디바이스는 용량성 또는 강유전성 저장 엘리먼트들을 가진 셀들을 포함할 수 있다.
방법 또는 장치들의 몇몇 예들에서, 메모리 디바이스가 제 2 모드에 있음을 나타내는 시그널링은 메모리 디바이스가 액세스 동작들을 위해 이용 가능하다는 표시를 포함할 수 있다. 바법 또는 장치들의 몇몇 예들에서, 메모리 디바이스가 제 2 모드에 있음을 나타내는 시그널링은 메모리 디바이스의 제 2 온도의 표시를 포함할 수 있다.
방법 또는 장치들의 몇몇 예들에서, 제 2 모드와 연관된 시그널링은 제 2 모드로 스위칭하기 위한 표시를 포함할 수 있다. 방법 또는 장치들의 몇몇 예들에서, 제 2 모드와 연관된 시그널링은 메모리 디바이스를 액세스하기 위한 명령을 포함할 수 있다. 방법 또는 장치들의 몇몇 예들에서, 제 1 모드는 리프레시 모드를 포함할 수 있다.
본 출원에서 설명된 방법들, 시스템들, 및 장치들은 가능한 구현들을 설명하며, 동작들 및 단계들은 재배열되거나 또는 그 외 수정될 수 있고 다른 구현들이 가능하다는 것이 주의되어야 한다. 뿐만 아니라, 방법들 또는 다른 기술들 중 둘 이상으로부터의 양태들이 조합될 수 있다.
장치가 설명된다. 상기 장치는 용량성 저장 엘리먼트들을 가진 셀들, 메모리 디바이스와 결합되며 메모리 디바이스의 온도의 표시를 생성하도록 구성된 온도 센서, 및 메모리 디바이스와 결합되며 온도 센서에 의해 생성된 표시에 적어도 부부적으로 기초하여 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부를 포함하는 메모리 디바이스를 포함할 수 있다.
몇몇 예들에서, 장치는 온도 센서에 의해 생성된 표시에 적어도 부분적으로 기초하여 메모리 디바이스의 온도를 식별하며 임계치와 메모리 디바이스의 온도의 비교에 적어도 부분적으로 기초하여 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부를 가능화하도록 구성된 메모리 디바이스의 제어기를 추가로 포함할 수 있다.
몇몇 예들에서, 메모리 디바이스의 제어기는 또한 제 2 임계치와 메모리 디바이스의 온도를 비교하며, 제 2 임계치와 메모리 디바이스의 온도의 비교에 적어도 부분적으로 기초하여 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부를 조정하도록 구성될 수 있다.
몇몇 예들에서, 메모리 디바이스의 제어기는 또한 임계치의 표시를 저장하도록 구성되는 메모리 디바이스의 비-휘발성 저장 컴포넌트를 액세스하는 것에 적어도 부분적으로 기초하여 임계치를 식별하도록 구성될 수 있다.
몇몇 예들에서, 임계치는 메모리 디바이스의 구성과 연관될 수 있으며, 메모리 디바이스의 제어기는 또한 비-휘발성 저장 컴포넌트를 액세스하는 것에 적어도 부분적으로 기초하여 메모리 디바이스의 구성을 식별하며, 구성에 적어도 부분적으로 기초하여 임계치를 결정하도록 구성될 수 있다.
몇몇 예들에서, 메모리 디바이스의 제어기는 또한 메모리 디바이스의 동작의 모드를 식별하고, 동작의 모드에 적어도 부분적으로 기초하여 임계치를 결정하도록 구성될 수 있다.
몇몇 예들에서, 메모리 디바이스의 제어기는 또한 메모리 디바이스의 초기화를 검출하고, 초기화 및 임계치와 메모리 디바이스의 온도의 비교에 적어도 부분적으로 기초하여, 호스트 디바이스로 시그널링을 송신하도록 구성될 수 있으며, 상기 시그널링은 메모리 디바이스로의 액세스가 제한됨을 나타낸다.
몇몇 예들에서, 시그널링은 메모리 디바이스가 판독 또는 기록 동작들을 위해 이용 가능하지 않음을 나타낼 수 있다.
몇몇 예들에서, 시그널링은 메모리 디바이스의 온도를 나타낼 수 있다.
몇몇 예들에서, 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부는 전압 소스, 하나 이상의 저항성 엘리먼트들, 및 하나 이상의 저항성 엘리먼트들과 전압 소스를 선택적으로 결합하도록 구성된 하나 이상의 스위칭 컴포넌트들을 포함할 수 있다.
몇몇 예들에서, 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부는 로드와 결합된 하나 이상의 구동기들, 및 로드와 결합된 하나 이상의 구동기들에 신호를 선택적으로 인가하도록 구성된 스위칭 컴포넌트를 포함할 수 있다.
또 다른 장치가 설명된다. 상기 장치는 용량성 저장 엘리먼트들을 가진 셀들, 메모리 디바이스의 온도를 나타내도록 구성된 온도 센서, 및 메모리 디바이스의 제어기를 포함하는 메모리 디바이스를 포함할 수 있다. 메모리 디바이스의 제어기는 장치로 하여금, 메모리 디바이스가 제 1 모드에 있는 동안 호스트 디바이스로부터, 메모리 디바이스의 제 2 모드와 연관된 시그널링을 수신하고, 제 2 모드와 연관된 시그널링을 수신하는 것에 적어도 부분적으로 기초하여 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부를 활성화하고, 메모리 디바이스에 의해 생성된 메모리 디바이스의 온도의 표시를 임계치와 비교하며, 임계치와 표시의 비교에 적어도 부분적으로 기초하여 제 2 모드에서 메모리 디바이스를 동작시키게 하도록 구성될 수 있다.
몇몇 예들에서, 제어기는 또한 장치가 온도 센서에 의해 생성된 메모리 디바이스의 온도의 제 2 표시를 제 2 임계치와 비교하게 하도록 구성될 수 있으며, 메모리 디바이스를 가열하도록 구성도니 회로부를 활성화하는 것은 제 2 임계치와 제 2 표시의 비교에 적어도 부분적으로 기초한다.
몇몇 예들에서, 제어기는 또한 장치로 하여금 제 1 모드에서 메모리 디바이스를 동작시키는 동안 메모리 디바이스의 리프레시 동작을 수행하게 하도록 구성될 수 있다. 몇몇 예들에서, 제어기는 또한 장치로 하여금 제 2 모드에서 메모리 디바이스를 동작시키는 동안 판독 동작 또는 기록 동작을 수행하게 하도록 구성될 수 있다.
몇몇 예들에서, 제어기는 또한 장치로 하여금, 임계치와 표시의 비교에 적어도 부분적으로 기초하여 메모리 디바이스가 제 2 모드에서 동작하고 있다는 표시를 호스트 디바이스로 송신하게 하도록 구성될 수 있다. 몇몇 예들에서, 제어기는 또한 장치로 하여금 온도 센서에 의해 생성된 메모리 디바이스의 온도의 제 3 표시를 제 3 임계치와 비교하게 하도록 구성될 수 있으며, 제 1 모드에서 메모리 디바이스를 동작시키는 것은 제 3 임계치와 제 3 표시의 비교에 적어도 부분적으로 기초한다.
몇몇 예들에서, 제어기는 장치로 하여금 온도 센서에 의해 생성된 메모리 디바이스의 온도의 제 4 표시를 제 4 임계치와 비교하게 하며, 제 4 임계치와 제 4 표시의 비교에 적어도 부분적으로 기초하여 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부를 조정하게 하도록 구성될 수 있다.
본 출원에서 설명은 예들을 제공하며, 청구항들에서 제시된 범위, 적용 가능성, 또는 예들에 대해 제한적이지 않다. 변화들은 본 개시의 범위로부터 벗어나지 않고 논의된 엘리먼트들의 기능 및 배열에서 이루어질 수 있다. 몇몇 예들은 적절한 경우 다양한 동작들, 절차들, 또는 컴포넌트들을 생략하고, 대체하거나, 또는 부가할 수 있다. 또한, 몇몇 예들에 대하여 설명된 특징들은 다른 예들에서 조합될 수 있다.
특정한 특징들 또는 기술들은 용량성 메모리 기술(예컨대, DRAM 기술)에 대하여 또는 그것의 맥락으로 설명될 수 있지만, 이러한 설명들은 예시적인 목적들을 위한 것이며, 이 기술분야에서의 통상의 기술자는 본 출원에서의 교시들이 임의의 유형의 메모리 디바이스에 적용될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 출원에서의 교시들은 자기 하드 디스크들, 랜덤 액세스 메모리(RAM), 판독-전용 메모리(ROM), 동적 RAM(DRAM), 동기식 동적 RAM(SDRAM), 강유전성 RAM(FeRAM), 자기 RAM(MRAM), 저항성 RAM(RRAM), 플래시 메모리, 상 변화 메모리(PCM), 및 기타와 같은 휘발성 또는 비-휘발성 메모리 디바이스들에 적용될 수 있다.
본 출원에서 설명된 정보 및 신호들은 다양한 상이한 기술들 및 기법들 중 임의의 것을 사용하여 표현될 수 있다. 예를 들어, 상기 설명 전체에 걸쳐 참조될 수 있는 데이터, 지시들, 명령들, 정보, 신호들, 비트들, 심볼들, 및 칩들은 전압들, 전류들, 전자기파들, 자기장들, 또는 입자들, 광학 필드들 또는 입자들, 또는 그것의 임의의 조합에 의해 표현될 수 있다. 몇몇 도면들은 단일 신호로서 시그널링을 예시할 수 있다. 그러나, 이 기술분야의 통상의 기술자에 의해, 신호는 신호들의 버스를 나타낼 수 있으며, 버스는 다양한 비트 폭들을 가질 수 있다는 것이 이해될 것이다.
본 출원에서 사용된, 용어 "가상 접지"는 대략 0 볼트(0V)의 전압에서 유지되지만 접지와 바로 결합되지 않은 전기 회로의 노드를 나타낸다. 따라서, 가상 접지의 전압은 일시적으로 변동되며 정상 상태에서 대략 0V로 돌아갈 수 있다. 가상 접지는 연산 증폭기들 및 저항기들로 이루어진 분압기와 같은, 다양한 전자 회로들을 사용하여 구현될 수 있다. 다른 구현들이 또한 가능하다. "가상 접지" 또는 "가상 접지된"은 대략 0V에 연결됨을 의미한다.
용어 "전자 통신", "도전성 접촉", "연결된", 및 "결합된"은 컴포넌트들 사이에서 신호들의 흐름을 지원하는 컴포넌트들 간의 관계를 나타낼 수 있다. 컴포넌트들은 언제라도, 컴포넌트들 사이에서 신호들이 흐름을 지원할 수 있는 임의의 도전성 경로가 컴포넌트들 사이에 있다면 서로 전자 통신(또는 도전성 접촉하거나 또는 연결되거나 또는 결합되는)하는 것으로 고려된다. 임의의 주어진 시간에, 서로 전자 통신하는(또는 도전성 접촉하거나 또는 연결되거나 또는 결합되는) 컴포넌트들 간의 도전성 경로는 연결된 컴포넌트들을 포함하는 디바이스의 동작에 기초하여 개방 회로 또는 폐쇄 회로일 수 있다. 연결된 컴포넌트들 간의 도전성 경로는 컴포넌트들 사이에서 직접적인 도전성 경로 일 수 있거나 또는 연결된 컴포넌트들 간의 도전성 경로는 스위치들, 트랜지스터들, 또는 다른 컴포넌트들과 같은, 중간 컴포넌트들을 포함할 수 있는 간접적 도전성 경로일 수 있다. 몇몇 경우들에서, 연결된 컴포넌트들 간의 신호들의 흐름은 예를 들어, 스위치들 또는 트랜지스터들과 같은 하나 이상의 중간 컴포넌트들을 사용하여, 잠시 중단될 수 있다.
용어 "사이에 결합된"은 서로에 관한 컴포넌트들의 순서를 나타낼 수 있으며, 전기적 결합을 나타낼 수 있다. 일 예에서, 컴포넌트 "A"와 컴포넌트 "C" 사이에 전기적으로 결합되는 컴포넌트 "B"는 전기적 의미에서 "A-B-C" 또는 "C-B-A"의 컴포넌트들의 순서를 나타낼 수 있다. 다시 말해서, 전기 신호들(예컨대, 전압, 전하, 전류)은 컴포넌트 B에 의해 컴포넌트 A로부터 컴포넌트 C로 전달될 수 있다.
컴포넌트 A 및 컴포넌트 C "사이에 결합되는" 컴포넌트 B의 설명은 반드시 설명된 순서로 다른 매개 컴포넌트들을 배제하는 것으로 해석되지 않아야 한다. 예를 들어, 컴포넌트 "D"는 설명된 컴포넌트 A와 컴포넌트 B 사이에 결합될 수 있지만(예컨대, 예들로서 "A-D-B-C" 또는 "C-B-D-A"의 컴포넌트들의 순서를 나타내는), 컴포넌트 B가 컴포넌트 A와 컴포넌트 C 사이에 전기적으로 결합되는 것을 여전히 지원한다. 다시 말해서, 구절 "사이에 결합되는"의 사용은 반드시 배타적인 순차적 순서를 언급하는 것으로서 해석되지 않아야 한다.
뿐만 아니라, 컴포넌트 B가 컴포넌트 A와 컴포넌트 C "사이에 결합되는" 것에 대한 설명은 컴포넌트 A와 컴포넌트 C 간의 제 2의, 상이한 결합을 배제하지 않는다. 예를 들어, 컴포넌트 A 및 컴포넌트 C는 컴포넌트 B를 통해 결합과 전기적으로 평행하는 별개의 결합에서 서로 결합될 수 있다. 또 다른 예에서, 컴포넌트 A 및 컴포넌트 C는 또 다른 컴포넌트 "E"를 통해 결합될 수 있다(예컨대, 컴포넌트 B는 컴포넌트 A와 컴포넌트 C 사이에서 결합되며 컴포넌트 E는 컴포넌트 A와 컴포넌트 C 사이에 결합된다). 다시 말해서, 구절 "사이에 결합된"의 사용은 컴포넌트들 사이에서의 배타적 결합으로서 해석되지 않아야 한다.
용어 "결합"은 신호들이 도전성 경로를 통해 컴포넌트들 사이에서 현재 전달될 수 없는 컴포넌트들 간의 개방-회로 관계에서, 신호들이 도전성 경로를 통해 컴포넌트들 사이에서 전달될 수 있는 컴포넌트들 간의 폐쇄-회로 관계로 이동하는 조건을 나타낼 수 있다. 제어기와 같은, 컴포넌트들이 다른 컴포넌트들을 함께 결합할 때, 컴포넌트는 신호들이 이전에 신호들이 흐르도록 허용하지 않았던 도전성 경로를 통해 다른 컴포넌트들 사이에서 흐르도록 허용하는 변화를 개시한다.
용어 "격리된"은 신호들이 현재 컴포넌트들 사이에서 흐를 수 없는 컴포넌트들 간의 관계를 나타낸다. 컴포넌트들은 그 사이에 개방 회로가 있다면 서로 격리된다. 예를 들어, 컴포넌트들 사이에 배치되는 스위치에 의해 분리된 두 개의 컴포넌트들은 스위치가 개방될 때 서로 격리된다. 제어기가 두 개의 컴포넌트들을 격리할 때, 제어기는 신호들이 이전에 신호들이 흐르도록 허용했던 도전성 경로를 사용하여 컴포넌트들 사이에서 흐르는 것을 방지하는 변화에 영향을 준다.
본 출원에서 사용된 용어 "층"은 기하학적 구조의 계층 또는 시트를 나타낸다. 각각의 층은 3개의 치수들(예컨대, 높이, 폭, 및 깊이)을 가질 수 있으며 표면의 적어도 일 부분을 커버할 수 있다. 예를 들어, 층은 2개의 치수들이 제 3보다 큰 3-차원 구조, 예컨대 박-막일 수 있다. 층들은 상이한 엘리먼트들, 컴포넌트들, 및/또는 재료들을 포함할 수 있다. 몇몇 경우들에서, 하나의 층은 두 개 이상의 서브층들로 구성될 수 있다. 첨부된 도면들 중 일부에서, 3-차원 층의 두 개의 치수들은 예시의 목적들을 위해 묘사된다. 이 기술분야의 숙련자들은, 그러나, 층들이 사실상 3-차원임을 인식할 것이다.
본 출원에서 사용된, 용어 "전극"은 전기 도체를 나타낼 수 있으며, 몇몇 경우들에서, 메모리 셀 또는 메모리 어레이의 다른 컴포넌트로의 전기적 접촉으로서 이용될 수 있다. 전극은 메모리 어레이의 엘리먼트들 또는 컴포넌트들 사이에서 도전성 경로를 제공하는 트레이스, 와이어, 도전성 라인, 도전성 층, 또는 다른 피처를 포함할 수 있다.
본 출원에서 사용된, 용어 "포토리소그래피"는 포토레지스트 재료들을 사용하여 패터닝하며 전자기 방사를 사용하여 이러한 재료들을 노출시키는 프로세스를 나타낼 수 있다. 예를 들어, 포토레지스트 재료는 예를 들어, 베이스 재료상에 포토레지스트를 스핀-코팅함으로써, 베이스 재료상에 형성될 수 있다. 패턴은 포토레지스트를 방사선에 노출시킴으로써 포토레지스트에 생성될 수 있다. 패턴은, 예를 들어, 방사선이 포토레지스트를 노출시키는 곳을 공간적으로 기술하는 포토 마스크에 의해 정의될 수 있다. 노출된 포토레지스트 면적들은 그 후, 예를 들어, 화학적 처리에 의해 제거되어, 원하는 패턴을 뒤에 남길 수 있다. 몇몇 경우들에서, 노출된 영역들은 남아있을 수 있으며, 노출되지 않은 영역들은 제거될 수 있다.
메모리 어레이를 포함하여, 본 출원에서 논의된 디바이스들은 실리콘, 게르마늄, 실리콘-게르마늄 합금, 갈륨 비소, 갈륨 질화물 등과 같은, 반도체 기판상에 형성될 수 있다. 몇몇 경우들에서, 기판은 반도체 웨이퍼이다. 다른 경우들에서, 기판은 실리콘-온-유리(SOG) 또는 실리콘-온-사파이어(SOP)와 같은, 실리콘-온-절연체(SOI) 기판, 또는 또 다른 기판상에서의 반도체 재료들의 에피택셜 층들일 수 있다. 기판, 또는 기판의 서브-영역들의 도전성은 이에 제한되지 않지만, 인, 붕소, 또는 비소를 포함한 다양한 화학적 종들을 사용하여 도핑을 통해 제어될 수 있다. 도핑은 이온-주입에 의해, 또는 임의의 다른 도핑 수단에 의해 초기 형성 또는 기판의 성장 동안 수행될 수 있다.
본 출원에서 논의된 스위칭 컴포넌트 또는 트랜지스터는 전계-효과 트랜지스터(FET)를 나타내며 소스, 드레인, 및 게이트를 포함한 3 단자 디바이스를 포함할 수 있다. 단자들은 도전성 재료들, 예컨대 금속들을 통해 다른 전자 엘리먼트들에 연결될 수 있다. 소스 및 드레인은 도전성일 수 있으며 고농도-도핑된, 변성, 반도체 영역을 포함할 수 있다. 소스 및 드레인은 저농도-도핑된 반도체 영역 또는 채널에 의해 분리될 수 있다. 채널이 n-형이면(즉, 다수 캐리어들이 신호들이다), FET는 n-형 FET로 불리울 수 있다. 채널이 p-형이면(즉, 다수 캐리어들이 홀들이다), FET는 p-형 FET로 불리울 수 있다. 채널은 절연 게이트 산화물에 의해 캐핑될 수 있다. 채널 도전성은 전압을 게이트에 인가함으로써 제어될 수 있다. 예를 들어, 양의 전압 또는 음의 전압을 각각 n-형 FET 또는 p-형 FET에 인가하는 것은 채널이 도전성이 되는 것을 야기할 수 있다. 트랜지스터는 트랜지스터의 임계 전압 이상인 전압이 트랜지스터 게이트에 인가될 때 "온" 또는 "활성화"될 수 있다. 트랜지스터는 트랜지스터의 임계 전압 미만인 전압이 트랜지스터 게이트에 인가될 때 "오프" 또는 "비활성화"될 수 있다.
첨부된 도면들과 함께, 본 출원에 제시된 설명은 예시적인 구성들을 설명하며 구현될 수 있거나 또는 청구항들의 범위 내에 있는 예들 모두를 나타내지 않는다. 본 출원에서 사용된 용어 "대표적인"은 "예, 인스턴스, 또는 예시로서 작용하는"을 의미하며 "선호된" 또는 "다른 예들에 비해 유리한"을 의미하지 않는다. 상세한 설명은 설명된 기술들의 이해를 제공하는데 특정 세부사항들을 포함한다. 이들 기술들은 그러나, 이들 특정 세부사항들 없이 실시될 수 있다. 몇몇 인스턴스들에서, 잘-알려진 구조들 및 디바이스들이 설명된 예들의 개념들을 모호하게 하지 않기 위해 블록도 형태로 도시된다.
첨부된 도면들에서, 유사한 컴포넌트들 또는 특징들은 동일한 참조 라벨을 가질 수 있다. 뿐만 아니라, 동일한 유형의 다양한 컴포넌트들은 대시 기호에 의한 기준 라벨 및 유사한 컴포넌트들을 구별하는 제 2 라벨을 따름으로부터 구별될 수 있다. 단지 제 1 참조 라벨만이 명세서에서 사용된다면, 설명은 제 2 참조 라벨과 관계없이 동일한 제 1 참조 라벨을 가진 유사한 컴포넌트들 중 임의의 것에 적용 가능하다.
본 출원에서 설명된 정보 및 신호들은 다양한 상이한 기술들 및 기법들 중 임의의 것을 사용하여 표현될 수 있다. 예를 들어, 상기 설명 전체에 걸쳐 참조될 수 있는 데이터, 지시들, 명령들, 정보, 신호들, 비트들, 심볼들, 및 칩들은 전압들, 전류들, 전자기파들, 자기장들 또는 입자들, 광학 필드들 또는 입자들, 또는 그것의 임의의 조합에 의해 표현될 수 있다.
본 출원에서의 개시와 관련되어 설명된 다양한 예시적인 블록들 및 모듈들은 본 출원에서 설명된 기능들을 수행하도록 설계된 범용 프로세서, DSP, ASIC, FPGA 또는 다른 프로그램 가능한 논리 디바이스, 이산 게이트 또는 트랜지스터 로직, 이산 하드웨어 컴포넌트들, 또는 그것의 임의의 조합으로 구현되거나 또는 수행될 수 있다. 범용 프로세서는 마이크로프로세서일 수 있지만, 대안으로, 프로세서는 임의의 프로세서, 제어기, 마이크로제어기, 또는 상태 기계일 수 있다. 프로세서는 또한 컴퓨팅 디바이스들의 조합(예컨대, DSP 및 마이크로프로세서의 조합, 다수의 마이크로프로세서들, DSP 코어와 함께 하나 이상의 마이크로프로세서들, 또는 임의의 다른 이러한 구성)으로서 구현될 수 있다.
본 출원에서 설명된 기능들은 하드웨어, 프로세서에 의해 실행된 소프트웨어, 펌웨어, 또는 그것의 임의의 조합으로 구현될 수 있다. 프로세서에 의해 실행된 소프트웨어로 구현된다면, 기능들은 컴퓨터-판독 가능한 매체상에 하나 이상의 지시들 또는 코드로서 저장되거나 또는 송신될 수 있다. 다른 예들 및 구현들이 본 개시 및 첨부된 청구항들의 범위 내에 있다. 예를 들어, 소프트웨어의 특징으로 인해, 상기 설명된 기능들은 프로세서에 의해 실행된 소프트웨어, 하드웨어, 펌웨어, 하드와이어링, 또는 이들 중 임의의 것의 조합들을 사용하여 구현될 수 있다. 기능들을 구현한 특징들은 또한, 기능들의 부분들이 상이한 물리적 위치들에 구현되도록 분산되는 것을 포함하여, 다양한 위치들에 물리적으로 위치될 수 있다. 또한, 청구항들에서를 포함한, 본 출원에서 사용된, 아이템들의 리스트에서 사용된 바와 같이 "또는"(예를 들어, "중 적어도 하나" 또는 "중 하나 이상"과 같은 구절에 의해 선행된 아이템들의 리스트)은 예를 들어, A, B, 또는 C 중 적어도 하나의 리스트가 A 또는 B 또는 C 또는 AB 또는 AC 또는 BC 또는 ABC(즉, A 및 B 및 C)를 의미하도록 포괄적 리스트를 나타낸다.
본 출원에서 사용된, 용어 "대체로"는 수정된 특성(예컨대, 용어 "대체로"에 의해 한정된 동사 또는 형용사)은 절대적일 필요는 없지만 특성의 이점들을 달성하도록 충분히 가깝거나, 또는 참조된 특성이 본 개시의 관련 양태들의 맥락에서 참이도록 충분히 가깝다는 것을 의미한다.
본 출원에서 사용된, 구절 "에 기초하여"는 조건들의 폐쇄형 세트에 대한 참조로서 해석되지 않을 것이다. 예를 들어, "조건 A에 기초하여"로서 설명되는 대표적인 단계는 본 개시의 범위로부터 벗어나지 않고 조건 A 및 조건 B 둘 모두에 기초할 수 있다. 다시 말해서, 본 출원에서 사용된, 구절 "에 기초하여"는 구절 "에 적어도 부분적으로 기초하여"와 동일한 방식으로 해석될 것이다.
컴퓨터-판독 가능한 미디어는 하나의 장소에서 또 다른 곳으로 컴퓨터 프로그램의 전달을 가능하게 하는 임의의 매체를 포함한 비-일시적 컴퓨터 저장 미디어 및 통신 미디어 둘 모두를 포함한다. 비-일시적 저장 매체는 범용 또는 특수 목적 컴퓨터에 의해 액세스될 수 있는 임의의 이용 가능한 매체일 수 있다. 예로서, 및 제한 없이, 비-일시적 컴퓨터-판독 가능한 미디어는 다른 자기 저장 디바이스들, 또는 지시들 또는 데이터 구조들의 형태로 원하는 프로그램 코드 수단을 운반하거나 또는 저장하기 위해 사용될 수 있으며 범용 또는 특수-목적 컴퓨터, 또는 범용 또는 특수-목적 프로세서에 의해 액세스될 수 있는, RAM, ROM, 전기적으로 소거 가능한 프로그램 가능 판독-전용 메모리(EEPROM), 컴팩트 디스크(CD) ROM 또는 다른 광학 디스크 저장장치, 자기 디스크 저장장치 또는 임의의 다른 비-일시적 매체를 포함할 수 있다. 또한 임의의 연결은 컴퓨터 판독 가능 매체라고 한다. 예를 들어, 소프트웨어가 동축 케이블, 광 섬유 케이블, 꼬임 쌍선, 디지털 가입자 회선(DSL), 또는 적외선, 라디오, 및 마이크로파와 같은 무선 기술들을 사용하여 웹사이트, 서버, 또는 다른 원격 소스로부터 송신된다면, 동축 케이블, 광 섬유 케이블, 꼬임 쌍선, 디지털 가입자 회선(DSL), 또는 적외선, 라디오, 및 마이크로파와 같은 무선 기술들은 매체의 정의에 포함된다. 본 출원에서 사용된 바와 같이 디스크(disk 및 disc)는 CD, 레이저 디스크, 광 디스크, 디지털 다목적 디스크(DVD), 플로피 디스크 및 블루-레이 디스크를 포함하며 본 출원에서 디스크들(disks)은 보통 자기적으로 데이터를 재생하지만, 디스크들(discs)은 레이저들을 갖고 광학적으로 데이터를 재생한다. 상기의 조합들은 또한 컴퓨터-판독 가능한 미디어의 범위 내에 포함된다.
본 출원에서의 설명은 이 기술분야의 숙련자가 개시를 만들거나 사용할 수 있게 하기 위해 제공된다. 개시에 대한 다양한 수정들은 이 기술분야의 숙련자들에게 명백할 것이며 본 출원에서 정의된 일반적인 원리들은 본 개시의 범위로부터 벗어나지 않고 다른 변화들에 적용될 수 있다. 따라서, 본 개시는 본 출원에서 설명된 예들 및 설계들에 제한되지 않으며, 본 출원에서 개시된 원리들 및 신규 특징들과 부합하는 가장 넓은 범위를 따를 것이다.

Claims (25)

  1. 방법에 있어서,
    용량성 저장 엘리먼트들을 가진 셀들을 포함하는 메모리 디바이스의 제 1 모드에서 상기 메모리 디바이스를 동작시키는 단계;
    호스트 디바이스로부터, 상기 메모리 디바이스의 제 2 모드와 연관된 시그널링을 수신하는 단계;
    상기 제 2 모드와 연관된 상기 시그널링을 수신하는 것에 적어도 부분적으로 기초하여 상기 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부를 활성화시키는 단계; 및
    상기 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부를 활성화 시킨 것에 적어도 부분적으로 기초하여 상기 제 2 모드에서 상기 메모리 디바이스를 동작시키는 단계를 포함하는, 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 회로부를 활성화 시킨 후, 상기 메모리 디바이스의 온도가 임계치를 만족하는지 결정하는 단계를 더 포함하며, 상기 제 2 모드에서 상기 메모리 디바이스를 동작시키는 것은 상기 메모리 디바이스의 온도가 상기 임계치를 만족한다는 결정에 적어도 부분적으로 기초하는, 방법.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 메모리 디바이스의 온도를 상기 임계치보다 작은 제 2 임계치에 비교하는 단계를 더 포함하며, 상기 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부를 활성화 시킨 것은 상기 제 2 임계치에 비교에 적어도 부분적으로 기초하는, 방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 1 모드에서 상기 메모리 디바이스를 동작시키는 것에 적어도 부분적으로 기초하여 상기 메모리 디바이스의 메모리 셀을 리프레싱하는 단계(refreshing)를 더 포함하는, 방법.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 2 모드에서 상기 메모리 디바이스를 동작시키는 것에 적어도 부분적으로 기초하여 상기 메모리 디바이스의 메모리 셀을 액세스하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 호스트와 정보를 교환하는 단계를 더 포함하며, 상기 액세스하는 것은 상기 호스트 디바이스와 교환된 정보에 적어도 부분적으로 기초하는, 방법.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 1 모드에서 상기 메모리 디바이스를 동작시키는 것은 제 1 전력 소비와 연관되며;
    상기 제 2 모드에서 상기 메모리 디바이스를 동작시키는 것은 상기 제 1 전력 소비보다 큰 제 2 전력 소비와 연관되는, 방법.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 2 모드와 연관된 상기 시그널링은 상기 제 2 모드로 스위칭하기 위한 표시를 포함하는, 방법.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 2 모드와 연관된 상기 시그널링은 상기 메모리 디바이스를 액세스하기 위한 명령을 포함하는, 방법.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 호스트 디바이스로, 상기 메모리 디바이스가 상기 제 2 모드에서 동작 하고 있다는 표시를 송신하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 메모리 디바이스가 상기 제 2 모드에서 동작하고 있다는 표시는 상기 메모리 디바이스가 판독 동작들, 기록 동작들, 또는 이들의 조합에 이용 가능하다는 표시를 포함하는, 방법.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 메모리 디바이스의 온도를 제 3 임계치에 비교하는 단계를 더 포함하며, 상기 제 1 모드에서 상기 메모리 디바이스를 동작시키는 것은 상기 제 3 임계치에 비교에 적어도 부분적으로 기초하는, 방법.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 메모리 디바이스의 온도가 제 4 임계치를 만족하는지 결정하는 단계; 및
    상기 메모리 디바이스의 온도가 상기 제 4 임계치를 만족한다는 결정에 적어도 부분적으로 기초하여 상기 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부를 비활성화 시키는 단계를 더 포함하는, 방법.
  14. 청구항 1에 있어서,
    상기 메모리 디바이스의 전원을 결정하는 단계를 더 포함하며, 상기 제 1 모드에서 상기 메모리 디바이스를 동작시키는 것은 상기 메모리 디바이스의 전원에 적어도 부분적으로 기초하는, 방법.
  15. 청구항 1에 있어서,
    상기 호스트 디바이스로부터, 상기 제 1 모드로 스위칭하기 위한 표시를 수신하는 단계; 및
    상기 제 1 모드로 스위칭하기 위한 표시에 적어도 부분적으로 기초하여 상기 제 2 모드에서 상기 메모리 디바이스를 동작시키는 것에서 상기 제 1 모드에서 상기 메모리 디바이스를 동작시키는 것으로 스위칭하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  16. 청구항 1에 있어서,
    액세스 동작 이후 경과된 시간을 결정하는 단계; 및
    상기 경과된 시간에 적어도 부분적으로 기초하여 상기 제 2 모드에서 상기 메모리 디바이스를 동작시키는 것에서 상기 제 1 모드에서 상기 메모리 디바이스를 동작시키는 것으로 스위칭하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  17. 장치에 있어서,
    용량성 저장 엘리먼트들을 가진 셀들을 포함하는 메모리 디바이스;
    상기 메모리 디바이스의 온도를 표시하도록 구성된 온도 센서; 및
    상기 메모리 디바이스의 제어기로서, 상기 장치로 하여금:
    상기 메모리 디바이스가 제 1 모드에서 동작하는 동안 호스트 디바이스로부터, 상기 메모리 디바이스의 제 2 모드와 연관된 시그널링을 수신하게 하고;
    상기 제 2 모드와 연관된 시그널링을 수신한 것에 적어도 부분적으로 기초하여 상기 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부를 활성화하게 하고;
    상기 온도 센서에 의해 생성된 상기 메모리 디바이스의 온도의 표시를 임계치와 비교하게 하며; 및
    상기 임계치와 상기 표시의 비교에 적어도 부분적으로 기초하여 상기 제 2 모드에서 상기 메모리 디바이스를 동작하게 하도록 구성된, 상기 제어기를 포함하는, 장치.
  18. 청구항 17에 있어서,
    상기 제어기는 또한, 상기 장치로 하여금:
    상기 온도 센서에 의해 생성된 상기 메모리 디바이스의 온도의 제 2 표시를 제 2 임계치와 비교하게 하도록 구성되며, 상기 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 상기 회로부를 활성화하는 것은 상기 제 2 임계치와 상기 제 2 표시의 비교에 적어도 부분적으로 기초하는, 장치.
  19. 청구항 17에 있어서,
    상기 제어기는 또한 상기 장치로 하여금:
    상기 제 1 모드에서 상기 메모리 디바이스를 동작시키는 동안 상기 메모리 디바이스의 리프레시 동작을 수행하게 하도록 구성되는, 장치.
  20. 청구항 17에 있어서,
    상기 제어기는 또한 상기 장치로 하여금:
    상기 제 2 모드에서 상기 메모리 디바이스를 동작시키는 동안 판독 동작 또는 기록 동작을 수행하게 하도록 구성되는, 장치.
  21. 청구항 17에 있어서,
    상기 제어기는 또한 상기 장치로 하여금:
    상기 임계치와 상기 표시의 비교에 적어도 부분적으로 기초하여 상기 메모리 디바이스가 상기 제 2 모드에서 동작하고 있다는 표시를 상기 호스트 디바이스로 송신하게 하도록 구성되는, 장치.
  22. 청구항 17에 있어서,
    상기 제어기는 또한 상기 장치로 하여금:
    상기 온도 센서에 의해 생성된 상기 메모리 디바이스의 온도의 제 3 표시를 제 3 임계치와 비교하게 하도록 구성되며, 상기 제 1 모드에서 상기 메모리 디바이스를 동작시키는 것은 상기 제 3 임계치와 상기 제 3 표시의 비교에 적어도 부분적으로 기초하는, 장치.
  23. 청구항 17에 있어서,
    상기 제어기는 또한:
    상기 온도 센서에 의해 생성된 상기 메모리 디바이스의 온도의 제 4 표시를 제 4 임계치와 비교하며;
    상기 제 4 임계치와 상기 제 4 표시의 비교에 적어도 부분적으로 기초하여 상기 메모리 디바이스를 가열하도록 구성된 회로부를 조정하도록 구성되는, 장치.
  24. 방법에 있어서,
    호스트 디바이스에서, 용량성 저장 엘리먼트들을 가진 셀들을 포함하는 메모리 디바이스의 온도의 표시를 수신하는 단계로서, 상기 온도는 상기 메모리 디바이스의 제 1 모드와 연관되는, 상기 온도의 표시를 수신하는 단계;
    상기 호스트 디바이스로부터, 상기 메모리 디바이스의 제 2 모드와 연관된 시그널링을 송신하는 단계;
    상기 호스트 디바이스에서, 상기 메모리 디바이스가 상기 제 2 모드에 있음을 나타내는 시그널링을 수신하는 단계; 및
    상기 메모리 디바이스가 상기 제 2 모드에 있음을 나타내는 시그널링을 수신한 것에 적어도 부분적으로 기초하여, 상기 제 2 모드에 있는 상기 메모리 디바이스와 연관된 액세스 동작을 수행하는 단계를 포함하는, 방법.
  25. 청구항 24에 있어서,
    상기 메모리 디바이스가 상기 제 2 모드에 있음을 나타내는 상기 시그널링은 상기 메모리 디바이스의 제 2 온도의 표시를 포함하는, 방법.
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