CN113140381A - 一种点火电阻的制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种点火电阻的制作方法，包括如下步骤：S1、准备具有静电层的点火电阻基体；S2、在所述点火电阻基体的所述静电层上压合绝缘膜层；S3、在所述绝缘膜层上压合粘胶膜层；S4、在所述粘胶膜层上压合电阻膜层；S5、对电阻膜层进行激光蚀刻，形成对应于所述静电层的电阻层图案，从而得到成型的电阻层。本发明的点火电阻制作方法具有工艺流程短、良品率高、成本低等优点。

Description

一种点火电阻的制作方法

技术领域

本发明涉及电阻制作，特别是涉及一种点火电阻的制作方法。

背景技术

目前的方法在制作点火电阻时，电阻层成型采用化学蚀刻方法，通过涂覆感光胶，进行曝光显影、再通过化学蚀刻、去除感光胶来形成电阻层。这种方法工艺流程长，操作复杂，对环境要求高，其中曝光显影需在特定环境下进行；且化学药水带有腐蚀性，不具环保性；化学蚀刻的精度不易控制。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本发明的主要目的在于克服上述背景技术的缺陷，提供一种点火电阻的制作方法。

为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种点火电阻的制作方法，包括如下步骤：

S1、准备具有静电层的点火电阻基体；

S2、在所述点火电阻基体的所述静电层上压合绝缘膜层；

S3、在所述绝缘膜层上压合粘胶膜层；

S4、在所述粘胶膜层上压合电阻膜层；

S5、对电阻膜层进行激光蚀刻，形成对应于所述静电层的电阻层图案，从而得到成型的电阻层。

进一步地：

步骤S1中所述具有静电层的基体为双面覆铜板。

所述基体的材料为FR4。

步骤S2中所述绝缘膜层为聚酰亚胺PI膜。

步骤S3中所述粘胶膜层为纯胶膜。

步骤S4中所述电阻膜层为金属箔或合金箔。

所述基体上设置有靶点，步骤S5中，利用所述靶点进行对位，来控制激光蚀刻形成电阻层图案。

所述绝缘膜层覆盖所述静电层，所述粘胶膜层和所述电阻膜层覆盖所述点火电阻的制成有效区域。

采用如下工艺措施中的一种或多种：

步骤S2中，将PI膜以温度160℃、预压10s、全压100s、压力16kg、真空度-720Pa的参数进行压合；

步骤S3中，将纯胶膜以温度120℃、真空5s、全压10s、压力10kg、真空度-720Pa的参数进行压合；

步骤S4中，将电阻膜层以170℃、真空10s、全压100s、压力15kg、真空度-720Pa的参数进行压合。

步骤S5中，采用紫外飞秒激光或皮秒激光进行所述激光蚀刻。

本发明与现有技术相比的有益效果在于：

本发明提供一种点火电阻制作方法，在生产点火电阻时，先在点火电阻基体的静电层上压合绝缘膜层，然后在绝缘膜层上压合粘胶膜层，再在粘胶膜层上压合电阻膜层，最后对电阻膜层进行激光蚀刻，形成对应于静电层的电阻层图案而得到成型的电阻层，其中，通过采用多次压合薄膜的方式，可大大缩短生产工艺流程，节省生产投入和时间，而通过激光蚀刻方法，可得到蚀刻深度均匀、蚀刻边缘平整的电阻图案，同时激光蚀刻更具环保，可自动化操作，蚀刻图案灵活。本发明解决了传统的电阻层成型方法工艺流程长、不环保、图形蚀刻保真差、线宽不均匀、良品率低、灵活性差的问题。与现有的化学蚀刻成型方法相比，本发明的点火电阻制作方法具有工艺流程短，电阻阻值集中度高、蚀刻良品率高、稳定性高、灵活性好、成本低、无污染、蚀刻精度可高达±3μm等优点。

附图说明

图1是本发明一种实施例的点火电阻制作方法的流程图。

图2是本发明一种实施例的点火电阻的结构示意图。

具体实施方式

以下对本发明的实施方式做详细说明。应该强调的是，下述说明仅仅是示例性的，而不是为了限制本发明的范围及其应用。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。另外，连接既可以是用于固定作用也可以是用于耦合或连通作用。

需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多该特征。在本发明实施例的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

参阅图1，本发明实施例提供一种点火电阻的制作方法，包括如下步骤：

步骤S1、准备设置有静电层1的点火电阻基体8；

步骤S2、在所述点火电阻基体8的所述静电层1上压合绝缘膜层2；

步骤S3、在所述绝缘膜层2上压合粘胶膜层3；

步骤S4、在所述粘胶膜层3上压合电阻膜层4；

步骤S5、对电阻膜层4进行激光蚀刻，形成对应于所述静电层的电阻层图案5，从而得到成型的电阻层6。

在一些优选的实施例中，点火电阻基体8为双面覆铜板。点火电阻基体8上设置有用于辅助激光蚀刻的靶点7。点火电阻基体的材料优选采用FR4。绝缘膜层优选采用聚酰亚胺PI膜。粘胶膜层3优选采用纯胶膜。电阻膜层4可以为金属箔或合金箔。

在一些实施例中，可采用紫外飞秒激光或皮秒激光进行电阻膜层4的激光蚀刻。

采用本发明实施例的点火电阻制作方法，在生产点火电阻时，先在点火电阻基体的静电层上压合绝缘膜层，然后在绝缘膜层上压合粘胶膜层，再在粘胶膜层上压合电阻膜层，最后对电阻膜层进行激光蚀刻，形成对应于静电层的电阻层图案而得到成型的电阻层，其中，通过采用多次压合薄膜的方式，可大大缩短生产工艺流程，节省生产投入和时间，而通过激光蚀刻方法，可得到蚀刻深度均匀、蚀刻边缘平整的电阻图案，同时激光蚀刻更具环保，可自动化操作，蚀刻图案灵活。本发明解决了传统的电阻层成型方法工艺流程长、不环保、图形蚀刻保真差、线宽不均匀、良品率低、灵活性差的问题。与现有的化学蚀刻成型方法相比，本发明的点火电阻制作方法具有工艺流程短，电阻阻值集中度高、蚀刻良品率高、稳定性高、灵活性好、成本低、无污染、蚀刻精度可高达±3μm等优点

以下进一步描述本发明具体实施例。

本发明具体实施例中，在有静电层及靶点的双面覆铜板上通过压合机压合一层PI膜，压合后再在PI膜上压合一层纯胶膜，待固化后再在纯胶膜上压合一层电阻膜(合金箔)，固化后将其放置在激光设备下，通过靶点进行对位，调整激光功率等参数，使激光设备对该金属箔按照电阻层图案进行激光蚀刻，将非电阻图案部分进行蚀刻清除，留下部分为电阻，从而形成一层电阻层。

具体实施例的点火电阻制作工艺流程如图1所示，包括压合PI膜、压合纯胶膜、压合电阻膜三次薄膜的压合过程和电阻层激光蚀刻过程，具体可分为如下步骤：

步骤1：在具备有靶点7标记和静电层1的双面覆铜板(基体8)上进行正面第一层膜即绝缘膜层2压合，压合第一层膜的材质为聚酰亚胺PI膜，该层膜为点火电阻的绝缘层，增强静电层1与电阻层6之间的绝缘性；

步骤2：在上述步骤1之后，压合第二层材质为丙烯酸或环氧胶的纯胶膜，作为绝缘膜层2与电阻层6之间的粘胶膜层3，增强绝缘膜层2与电阻层6之间的结合力；

步骤3：在上述步骤2之后压合第三层材质为金属或合金的金属箔(电阻膜层4)；

步骤4：在上述步骤3之后进行电阻层激光蚀刻，通过将电阻层图案5的靶点7与双面覆铜板正面靶点对位，激光设备按照预先设计好的图案进行蚀刻，调整好激光参数，将非电阻部位(即非黑色填充部分)的电阻层(金属箔)蚀刻掉，并不损坏掉纯胶膜层，留下部分为电阻，从而得到电阻层6。

较佳地，所述双面覆铜板为RF4材质，双面中心方形区域为点火电阻的制成有效区域，双面覆铜板的上下面分别设置有点火电阻的静电层1和电极层9。

双面覆铜板的靶点7位置与电阻层设计的图案靶点位置重合，使用CCD可将双面覆铜板与电阻层图案进行对位。

PI膜全面覆盖双面覆铜板正面。纯胶膜和电阻层金属箔只需覆盖点火电阻制成有效区域。

如图1中(a)，双面覆铜板上的静电层中的小方格为单个点火电阻的静电层，靶点为双面覆铜板在蚀刻时的对位标记。

如图1中(b)，压合前将PI膜舒展平整光滑。将PI膜在快速压合机或压膜机中以温度160℃、预压10s、全压100s、压力16kg、真空度-720Pa的参数进行压合，形成一层紧密贴合静电层、无皱褶的PI膜绝缘层。压合前将PI膜舒展平整光滑。

如图1中(c)，将纯胶膜在快速压合机或压膜机中以温度120℃、真空5s、全压10s、压力10kg、真空度-720Pa的参数进行压合，压合前将纯胶膜舒展平整光滑，压合后表面无皱褶。

如图1中(d)，将电阻膜在快速压合机或压膜机中以170℃、真空10s、全压100s、压力15kg、真空度-720Pa的参数进行压合，压合前将纯胶膜的保护膜撕掉再进行电阻膜压合，压合前将电阻膜舒展平整光滑，压合后表面无皱褶。

如图1中(e)，将电阻膜压合好的基板固定在激光蚀刻设备中，调整CCD镜头，将电阻层图案的4个靶点与基板的4个靶点重合，调整激光功率、雕刻速度、雕刻次数、填充间距、填充次数、频率等参数，具体参数根据电阻层的厚度和激光性能确定，通过调整达到激光只蚀刻掉电阻层，不损坏纯胶膜层。激光蚀刻后即形成所需的电阻层。

如图1中(f)，将激光蚀刻后的电阻层进行清尘处理，点火电阻的电阻层成型完毕。

其他实施例中，也可将三次压合薄膜的先后顺序进行调整，但确保从上到下的结构顺序不变，相应的压合工艺参数进行相应的调整，根据点火电阻的电阻性能精度要求，也可选择皮秒激光设备进行激光蚀刻。

实施例制作的一种点火电阻的结构如图2所示，包括：双面覆铜板的基体8，一般材质可为FR4；双面覆铜板的铜层，即点火电阻的静电层1；PI膜(绝缘膜层2)；纯胶膜(粘胶膜层3)；电阻层6；电极层9；镀层保护层10。

本发明的背景部分可以包含关于本发明的问题或环境的背景信息，而不一定是描述现有技术。因此，在背景技术部分中包含的内容并不是申请人对现有技术的承认。

以上内容是结合具体/优选的实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，其还可以对这些已描述的实施方式做出若干替代或变型，而这些替代或变型方式都应当视为属于本发明的保护范围。在本说明书的描述中，参考术语“一种实施例”、“一些实施例”、“优选实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。尽管已经详细描述了本发明的实施例及其优点，但应当理解，在不脱离专利申请的保护范围的情况下，可以在本文中进行各种改变、替换和变更。

Claims (10)

1.一种点火电阻的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、准备具有静电层的点火电阻基体；

S2、在所述点火电阻基体的所述静电层上压合绝缘膜层；

S3、在所述绝缘膜层上压合粘胶膜层；

S4、在所述粘胶膜层上压合电阻膜层；

S5、对电阻膜层进行激光蚀刻，形成对应于所述静电层的电阻层图案，从而得到成型的电阻层。

2.如权利要求1所述的点火电阻的制作方法，其特征在于，步骤S1中所述具有静电层的基体为双面覆铜板。

3.如权利要求2所述的点火电阻的制作方法，其特征在于，所述基体的材料为FR4。

4.如权利要求1所述的点火电阻的制作方法，其特征在于，步骤S2中所述绝缘膜层为聚酰亚胺PI膜。

5.如权利要求1所述的点火电阻的制作方法，其特征在于，步骤S3中所述粘胶膜层为纯胶膜。

6.如权利要求1所述的点火电阻的制作方法，其特征在于，步骤S4中所述电阻膜层为金属箔或合金箔。

7.如权利要求1至6任一项所述的点火电阻的制作方法，其特征在于，所述基体上设置有靶点，步骤S5中，利用所述靶点进行对位，来控制激光蚀刻形成电阻层图案。

8.如权利要求1至6任一项所述的点火电阻的制作方法，其特征在于，所述绝缘膜层覆盖所述静电层，所述粘胶膜层和所述电阻膜层覆盖所述点火电阻的制成有效区域。

9.如权利要求1至6任一项所述的点火电阻的制作方法，其特征在于，采用如下工艺措施中的一种或多种：

步骤S2中，将PI膜以温度160℃、预压10s、全压100s、压力16kg、真空度-720Pa的参数进行压合；

步骤S3中，将纯胶膜以温度120℃、真空5s、全压10s、压力10kg、真空度-720Pa的参数进行压合；

步骤S4中，将电阻膜层以170℃、真空10s、全压100s、压力15kg、真空度-720Pa的参数进行压合。

10.如权利要求1至6任一项所述的点火电阻的制作方法，其特征在于，步骤S5中，采用紫外飞秒激光或皮秒激光进行所述激光蚀刻。

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