CN113114159A

CN113114159A - 声表面波装置

Info

Publication number: CN113114159A
Application number: CN202110587483.XA
Authority: CN
Inventors: 王阳; 陆彬; 曹庭松; 吴洋洋
Original assignee: Beijing Super Material Information Technology Co ltd
Current assignee: Beijing Super Material Information Technology Co ltd
Priority date: 2021-05-27
Filing date: 2021-05-27
Publication date: 2021-07-13
Anticipated expiration: 2041-05-27
Also published as: CN113114159B

Abstract

本发明提出了一种声表面波装置，包括：压电基板；IDT电极，所述IDT电极包括多个IDT电极单元，所述多个IDT电极单元层叠设置在所述压电基板上，其中每个IDT电极单元包括：第一缓冲层，设置在所述压电基板上，所述第一缓冲层包括金属钛或铬中的至少一种，在将所述IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时，所述第一缓冲层的厚度为0.5％λ以下；第一金属层，设置在所述第一缓冲远层离所述压电基板的表面上，所述第一金属层包括铝,所述第一金属层的厚度范围在1％λ‑30％λ之间。根据本发明的声表面装置，能够提高铝的抗电迁移能力，在提高声表面波装置的最大耐受功率的同时，还可以提高声表面波装置的耐久性，并且能够兼顾声表面波装置的频率特性，避免声表面波装置的频率随温度变化漂移比较大，增强温度稳定性。

Description

声表面波装置

技术领域

本发明涉及声表面波技术领域，具体而言，涉及一种声表面波装置。

背景技术

SAW滤波器的关键指标中，主要的有两类，一类是小信号参数，另一类是功率指标。其中小信号参数即S参数表征器件在实际使用中的性能优劣，而功率指标则主要是器件的最大耐受功率(烧毁临界功率)。

目前SAW滤波器支持的最大耐受功率仅能满足4G下的手机客户端、物联网客户端的功率需求。在5G要求下，如B41等频段对于功率需求相对于4G有所增长。这导致了市面上的SAW滤波器无法满足5G高功率需求。

此外，随着器件频率的提高，IDT(Interdigital transducer)电极的线条将变得更加细小，来自于声表面波的重复应力随着频率提高而急剧增加，导致滤波器失效，因此在SAW滤波器的最大耐受功率提高时，耐久性会降低。

现有技术中亟需一种技术能够提高SAW滤波器的最大耐受功率，也不会降低耐久性。

发明内容

为了解决现有技术中的问题，本发明提供了一种声表面波装置，包括：压电基板；IDT电极，所述IDT电极包括多个IDT电极单元，所述多个IDT电极单元层叠设置在所述压电基板上，其中，每个IDT电极单元包括：第一缓冲层，设置在所述压电基板上，所述第一缓冲层包括金属钛或铬中的至少一种，在将所述IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时，所述第一缓冲层的厚度为0.5％λ以下；第一金属层，设置在所述第一缓冲远层离所述压电基板的表面上，所述第一金属层包括铝,所述第一金属层的厚度范围在1％-30％λ之间。

其中，所述第一金属层中Al的含量在97wt％以上，所述第一金属层还包括含有Al、Si和Cu的金属间化合物。

其中，所述IDT电极的侧面为倾斜面，所述倾斜面与所述压电基板所成的角度为95-135°之间。

其中，所述第一金属层还包括选自Cu、W、Mo、Cr、Ag、Au、Pt、Ga、Nb、Ta、Au、Si、Sc中的一种或一种以上的材料。

其中，所述金属钛或铬的含量在98％以上，所述第一缓冲层还包括选自Al、Si、Mg、Ni中的一种或一种以上的材料。

其中，所述多个IDT电极单元包括第一IDT电极单元和设置在第一IDT电极单元远离所述压电基板表面上的第二IDT电极单元。

其中，所述第一IDT电极单元的第一缓冲层与所述第二IDT单元的第一缓冲层的成分和厚度相同，和/或所述第一IDT电极单元的第一金属层与所述第二IDT单元的第一金属层的成分和厚度相同。

其中，所述第二IDT电极单元的第一金属层包括的铝的含量小于所述第一IDT电极单元的第一金属层包括的铝的含量。

其中，所述第二IDT电极单元的第一金属层的厚度大于所述第一IDT电极单元的第一金属层的厚度，并为所述第一IDT电极单元的第一金属层厚度的10倍以上以下。

其中，所述压电基板包括：高声速支撑基板，所述高声速支撑基板为硅基板；压电膜，设置在所述高声速支撑基板的表面上；所述IDT电极设置在所述压电膜远离所述高声速支撑基板的表面上。

如前所述的声表面波装置，还包括介质层，所述介质层设置在所述高声速支撑基板与所述压电膜之间，或者设置在在所述IDT电极远离所述压电基板的表面上，所述介质层的热膨胀系数在3×10^-6/K至6×10^-6/K之间。

如前所述的声表面波装置，还包括：所述压电基板中设置有凹槽结构，所述凹槽结构容置所述IDT电极，所述凹槽结构的深度大于或等于所述第一IDT单元中的第一缓冲层的厚度。

根据本发明的声表面装置，能够提高铝的抗电迁移能力，在提高声表面波装置的最大耐受功率的同时，还可以提高声表面波装置的耐久性，并且能够兼顾声表面波装置的频率特性，避免声表面波装置的频率随温度变化漂移比较大，增强温度稳定性。

附图说明

附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：

图1是根据本发明一实施方式的声表面波装置的结构示意图。

图2是根据本发明另一实施方式的声表面波装置的结构示意图。

图3是根据本发明另一实施方式的声表面波装置的结构示意图。

图4是根据本发明另一实施方式的声表面波装置的结构示意图。

图5是根据本发明另一实施方式的声表面波装置的结构示意图。

图6是根据本发明另一实施方式的声表面波装置的结构示意图。

图7是根据本发明另一实施方式的声表面波装置的结构示意图。

图8是根据本发明另一实施方式的声表面波装置的结构示意图。

图9是根据本发明另一实施方式的声表面波装置的结构示意图。

图10是根据本发明另一实施方式的声表面波装置的结构示意图。

图11是根据本发明另一实施方式的声表面波装置的结构示意图。

具体实施方式

为了可以更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。

具体实施方式：

(1)实施例一

本实施例提供一种声表面波装置，包括压电基板101和设置在压电基板101上的IDT电极，压电基板可以是石英(SiO2)、铌酸锂(LiNbO3)或钽酸锂(LiTaO3)等压电晶体。IDT电极包括多个IDT电极单元102，多个IDT电极单元层叠设置在压电基板101上。图1示出了IDT电极包括2个IDT电极单元102层叠的情况，图2示出了IDT电极包括3个IDT电极单元102层叠的情况，但是本发明不限于此。

每个IDT电极单元包括设置在压电基板上的第一缓冲层102-1和设置在第一缓冲层102-1上的第一金属层102-2。

第一缓冲层102-1包括金属钛或铬中的至少一种，在将所述IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时，所述第一缓冲层的厚度为0.5％λ以下。第一金属层102-2包括金属铝,Al层厚度的范围在所述声表面波的波长的1％-30％之间。

以金属钛为缓冲层为例，将金属钛缓冲层的厚度设置为0.5％λ以下有利于使得在设置在其上的第一金属层Al薄膜形成强的Al(111)织构，增强Al薄膜的耐功率承受力，降低Al薄膜的电阻率，在缓冲层的厚度高于0.5％λ时，Al薄膜在缓冲层的沉积开始以岛状生长模式为主，形成无择优取向的多晶结构。

所述IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长λ为2μm时，所述第一缓冲层的厚度为10nm以下，在优选的方式中，可以将第一缓冲层的厚度设为2nm，能够获得强Al(111)织构，得到的Al薄膜组织均匀致密，临界载荷增加，与压电基板的附着力显著增强。

此外，在Al电极与基板之间设置钛缓冲层，提高电极与基板的界面结合强度。避免5G高频应用时，IDT电极指振动加剧，容易从基板上脱落从而造成器件失效的问题。

对第一金属层Al层的厚度进行设计，采用厚度为1％λ-30％λ之间的金属Al层与Ti缓冲层一起形成IDT电极，具有抗电迁移性能好，化学性质稳定的优点。

第一金属层102-2中金属铝的含量在95wt％以上，优选的情况下，金属铝的含量在97wt％以上，第一金属层还包括含有Al、Si和Cu的金属间化合物。

第一金属层102-2中包括Si和Cu的掺杂，在第一金属层102中形成有Al、Si和Cu的金属间化合物，能够阻止Al的迁移。尤其在第一金属层铝层与其相邻的钛缓冲层的界面上Al、Si和Cu的金属间化合物的量比较大，大于第一金属层102中其他部分Al、Si和Cu的金属间化合物的量，能够更好阻止Al的迁移。

采用多个IDT电极单元层叠得到IDT电极，可以提高声表面波装置的耐受功率极限，除了能够提高声表面波装置的最大耐受功率之外，还可以提高声表面波装置的耐久性。

随着声表面波器件向着高频、高功率、低损耗方向发展，IDT电极的线宽越来越窄，但是却要承受着越来越高频率的重复应力作用和越来越大的功率，单层的电极结构难以承受高频的重复应力和大功率，声表面波装置的最大耐受功率难以提高，或者即使提高了最大耐受功率，但是声表面波装置的耐久性也难以提高的问题。

本公开实施例中，采用多个IDT电极单元层叠得到IDT电极，IDT电极中可以包括多个缓冲层与金属层之间的界面，以缓冲层为钛为例，可以形成多个Ti膜与Al膜交界的界面，阻止Al的迁移，增强Al薄膜的抗电迁移能力，延长薄膜的平均寿命。此外，多个IDT电极单元层叠得到的多层金属薄膜能够提高IDT电极整体的表面形貌，并且可以部分掩盖或弥补单层金属薄膜中可能出现的小丘或空洞，避免在高频下IDT电极出现断路或短路，导致声面波装置失效。

IDT电极中包括的IDT单元的数量可以为2个、3个或4个及以上，每个IDT电极单元中第一缓冲层和第一金属层的厚度和成分与其他IDT电极单元中第一缓冲和第一金属层的厚度和成分可以相同也可以不同。

每个IDT单元中，第一金属层102-2中掺杂材料的浓度可以发生变化，在一个具体实施方式中，在第一金属层102中，靠近所述第一缓冲层102-1部分的Cu和Si掺杂浓度可以高于远离第一缓冲层102-1部分的掺杂浓度，因此在第一金属层铝层与其相邻的钛缓冲层的界面上Al、Si和Cu的金属间化合物的量要高于远离钛缓冲层处Al、Si和Cu的金属间化合物的量，具体来说，例如在第一IDT单元中，第一金属层102-2与第一缓冲层102-1之间具有Al层与Ti层的界面，第一金属层102-2与设置在其上的第二IDT单元中的第一缓冲层也具有Al层与Ti层的界面，在两个界面处的Al、Si和Cu的金属间化合物的量要大于第一金属层中间位置处的Al、Si和Cu的金属间化合物的量，这样能够阻止铝的迁移，声表面波装置的功率耐受性会显著提高，同时也不降低Al层的反射系数。。

在一实施方式中，包括多个IDT电极单元的IDT电极中，最远离压电基板101的第一金属层的厚度可以最厚，可以更好地提高IDT电极整体的表面形貌，提高声表面波装置的耐久性。

(2)实施例二

本实施例提供一种声表面波装置，包括压电基板201和设置在压电基板201上的IDT电极，压电基板可以是石英(SiO2)、铌酸锂(LiNbO3)或钽酸锂(LiTaO3)等压电晶体。IDT电极包括多个IDT电极单元202，多个IDT电极单元层叠设置在压电基板201上。图3示出了IDT电极包括2个IDT电极单元202层叠的情况，图4示出了IDT电极包括3个IDT电极单元202层叠的情况，但是本发明不限于此。本实施例中IDT电极单元的设置与实施例一相同。

本实施例与实施例一的不同在于，IDT电极的侧面为倾斜面，倾斜面与压电基板所成的角度α在95-135°之间，也就是说IDT电极呈现梯形结构。

在每个IDT电极单元202中第一缓冲层202-1和第一金属层202-2远离所述压电基板的表面的面积大于靠近所述压电基板的表面的面积，第一缓冲层202-1在压电基板上的正投影面积大于第一金属层202-2在压电基板上的正投影面积。

在远离压电基板的方向上，IDT单元中第一缓冲和第一金属层的面积也在减小，以图3为例，IDT电极单元202中第一金属层202-2在压电基板上的正投影面积大于层叠于其上的IDT电极单元202’中的第一缓冲层202’-1在压电基板上的正投影面积。以图4为例IDT电极单元202’中第一金属层202’-2在压电基板上的正投影面积大于层叠于其上的IDT电极单元202”中的第一缓冲层202”-1在压电基板上的正投影面积。

并且第一缓冲层202-1、第一金属层202-2、第二缓冲层202’-1、第二金属层202’-2的面积逐渐减小，也就是，所述第一金属层202-2在所述压电基板401上的正投影面积小于所述第一缓冲层202-1在所述压电基板上的正投影面积，所述第二缓冲层202-1’在所述压电基板401上的正投影面积小于所述第一金属层202-2在所述压电基板401上的正投影面积，所述第二金属层202’-2在所述压电基板401上的正投影面积小于所述第二缓冲层202-1’在所述压电基板201上的正投影面积。

通过将IDT电极设置成梯形结构，减小传播频率的分散，得到理想的频率特性，并且梯形电极能够释放电极指和压电衬底之间的应力，提高声表面波装置的寿命。进一步地，将倾斜面与压电基板所成的角度α设置在95-135°之间可以兼顾频率特性和耐受功率极限，提高声表面波装置的综合性能。

(3)实施例三

本实施例提供一种声表面波装置，包括压电基板301和设置在压电基板301上的IDT电极，压电基板可以是石英(SiO2)、铌酸锂(LiNbO3)或钽酸锂(LiTaO3)等压电晶体。以图5为示例，在该实施例中，IDT电极包括2个IDT电极单元，分别是IDT电极单元302和IDT电极单元302’，IDT电极单元302设置在压电基板301上，IDT电极单元302’设置在IDT电极单元302远离压电基板301的表面上。

IDT电极单元302包括设置在压电基板上的第一缓冲层302-1和设置在第一缓冲层302-1上的第一金属层302-2。

第一缓冲层302-1包括金属钛或铬中的至少一种，在将所述IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时，所述第一缓冲层的厚度为0.5％λ以下。第一金属层102-2包括金属铝,Al层厚度的范围1％λ-30％λ之间。

第一金属层302-2中金属铝的含量在95wt％以上，优选的情况下，金属铝的含量在97％以上，第一金属层还包括含有Al、Si和Cu的金属间化合物。

IDT电极单元302’包括第一缓冲层302’-1和设置在第一缓冲层302’-1上的第一金属层302’-2。

第一缓冲层302’-1包括金属钛或铬中的至少一种，在将所述IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时，所述第一缓冲层的厚度为0.5％λ以下。第一金属层102-2包括金属铝,Al层厚度的范围在1％λ-30％λ之间。

第一金属层302’-2中金属铝的含量在95wt％以上，优选的情况下，金属铝的含量在97％以上，第一金属层还包括含有Al、Si和Cu的金属间化合物。

IDT电极单元302’中的第一缓冲层302’-1与IDT电极单元302中的第一缓冲层302-1的成分和厚度相同，例如两者的成分都是钛或者都是铬，或者是成分配比相同的钛铬合金，并且两者的厚度相同。

在两个第一缓冲层的成分和厚度都相同的情况下，IDT电极单元302中的包括第一金属层302-2和IDT电极单元302’中的第一金属层302’-2的成分可以相同，也可以不同，例如第一金属层302-2和第一金属层302’-2可以同样都含有98％的金属铝、1％的硅和1％的硅。在另一种情况下，第一金属层302’-2中包括的铝的含量可以小于第一金属层302-2中包括的铝的含量。在层叠的IDT电极单元中，在远离压电基板的方向上第一金属层中铝含量的减小，可以提高铝的抗电迁移能力。

第一金属层302-2和第一金属层302’-2厚度可以相同也可以不相同。例如，参见图6，所述第二IDT电极单元的第一金属层302’-2的铝的厚度大于所述第一IDT电极单元的第一金属层302-2的厚度，并为所述第一IDT电极单元的第一金属层厚度的10倍以上。例如，第一金属层302-2的厚度可以为3％λ,第一金属层302’-2的厚度可以为30％λ，在层叠的IDT电极单元中，最远离基板的方向上的第一金属层厚度较厚能够提高IDT电极的可靠性，提高产品良率。

在两个第一金属层的成分和厚度都相同的情况下，IDT电极单元302中的包括第一缓冲层302-1和IDT电极单元302’中的第一缓冲层302’-1的成分可以相同，也可以不同。

(4)实施例四

本实施例提供一种声表面波装置，包括压电基板401和设置在压电基板401上的IDT电极，压电基板可以是石英(SiO2)、铌酸锂(LiNbO3)或钽酸锂(LiTaO3)等压电晶体。本实施例中的IDT电极可以与实施例一至实施例三中的任一IDT电极相同，区别在于压电基板401的结构。以图6为示例，IDT电极包括2个IDT电极单元402，但是本发明不限于此，IDT电极包括的电极单元可以是2个、3个或者4个及以上，IDT单元的结构也可以如实施例二所述的梯形结构。

以图7为示例，该声表面波装置的压电基板401包括高声速支撑基板401-1和设置在高声速支撑基板401-1的压电薄膜401-2。通过在高声速支撑基板设置压电膜，使弹性表面波的一部分能量分布在高声速膜中进行传播，能够使弹性表面波高声速传播。高声速支撑基板401-1可以是单晶的硅、氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石)、金刚石等基板。

在另一实施方式中，以图8为示例，该声表面波装置的压电基板401除了包括高声速支撑基板401-1和设置在高声速支撑基板401-1上的压电薄膜401-2，还包括设在高声速支撑基板401-1和压电薄膜401-2之间的介质层401-3。

所述介质层401-3的热膨胀系数低于6×10^-6/K，介质层可以包括二氧化硅、氮化硅和氮化硅等，其厚度可以在100-200nm之间，压电薄膜401-2的厚度可以在50nm-100nm之间。

合适厚度的介电层能够起到优异的温度补偿作用，降低IDT电极的频率温度系数。合适的压电薄膜厚度不仅能进一步降低IDT电极的频率温度系数还能使IDT电极获得较大的机电耦合系数。

在另外的实施方式中，以图9和图10为示例，该声表面波装置的压电基板401包括高声速支撑基板401-1和设置在高声速支撑基板401-1的压电薄膜401-2，IDT电极设置在压电薄膜401-2之上，介质层403设置在IDT电极之上，介电层完全覆盖整个IDT电极并且覆盖在整个高声速支撑基板401-1上。

所述介质层403的热膨胀系数低于6×10^-6/K，介质层可以包括二氧化硅、氮化硅和氮化硅等，其厚度可以为500nm-1000nm。

IDT电极上形成介电层可以对IDT电极起到温度补偿作用，降低整个IDT电极的频率温度系数，避免声表面波装置的频率随温度变化漂移比较大，增强温度稳定性。将介质层403的热膨胀系数设定为低于6×10^-6/K，能够更好地对IDT电极进行温度补偿，选取热膨胀系数尽可能小的材料作为介质层，在温度变化的时候，IDT电极的间距变化小，通过的频率不发生漂移。

在优选的方式中，采用二氧化硅作为介电层，对全部频率的介电损失小，此外合适厚度的介质层还能抵消IDT电极中压电基板与金属薄膜之间的应力积累，减小应力变化导致的频率改变，提高声表面波装置的频率特性，因此合适厚度的二氧化硅层能够兼顾提升频率温度系数和增大机电耦合系数这两个互相制约的需求。

在一实施方式中，对整个压电基板401沉积介电层403，在介电层403完全覆盖IDT电极和压电基板之后进行平整化处理，使得整个介电层403的表面齐平，如图9所示，介电层403完全覆盖整个IDT电极并且覆盖在整个高声速支撑基板401-1上，整个介电层403的顶表面齐平。

在一实施方式中，如图10所示，对整个压电基板401沉积介电层403，介电层403完全覆盖整个IDT电极并且覆盖在整个高声速支撑基板401-1上。覆盖IDT电极的介电层的厚度与覆盖未设置IDT电极的高声速支撑基板的其他部分的介电层的厚度相同。

(5)实施例五

本实施例提供一种声表面波装置，包括压电基板501和设置在压电基板501上的IDT电极，压电基板可以是石英(SiO2)、铌酸锂(LiNbO3)或钽酸锂(LiTaO3)等压电晶体。本实施例中的IDT电极可以与实施例一至实施例三中的任一IDT电极相同，区别在于压电基板501的结构。以图11为示例，IDT电极包括2个IDT电极单元502，但是本发明不限于此，IDT电极包括的电极单元可以是2个、3个或者4个及以上，IDT单元的结构也可以如实施例二所述的梯形结构。

以图11为示例，压电基板501中设置有凹槽结构501-4，IDT电极容置在凹槽结构501-4，凹槽结构501-4的深度h大于IDT电极中最靠近压电基板的第一IDT单元502中的第一缓冲层502-1的厚度。

由于凹槽结构501-4的深度h大于IDT电极中最靠近压电基板的第一IDT单元502中的第一缓冲层502-1的厚度，使得最靠近压电基板的第一IDT单元502中的第一金属层502-2部分或全部嵌入在压电基板501中，以增加IDT电极与压电基板的机电耦合系数，提高声表面波装置的最大耐受功率。

嵌入到压电基板501中的第一金属层502-2中金属铝的含量在97wt％以上，第一金属层502-2还包括含有Si和Cu的掺杂。在第一金属层靠近第一缓冲层处的掺杂浓度大于第一金属层远离第一缓冲层处的掺杂浓度，在第一金属层502-2中形成Al、Si、Cu的金属间化合物，尤其在与第一缓冲层的交界处形成较多金属间化合物，提高Al的抗迁移性能，同时不降低IDT电极的反射系数，使得声表面波装置具有优异的频率特性和谐振特性。

根据本发明实施例提供的声表面波装置，能够提高铝的抗电迁移能力，在提高声表面波装置的最大耐受功率之外，还可以提高声表面波装置的耐久性，并且能够兼顾声表面波装置的频率特性，避免声表面波装置的频率随温度变化漂移比较大，增强温度稳定性。

在本发明中，术语“第一”、“第二”仅用于描述的目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性；术语“多个”表示两个或两个以上。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims

1.一种声表面波装置，包括：

压电基板；

IDT电极，所述IDT电极包括多个IDT电极单元，所述多个IDT电极单元层叠设置在所述压电基板上，其中

每个IDT电极单元包括：第一缓冲层，设置在所述压电基板上，所述第一缓冲层包括金属钛或铬中的至少一种，在将所述IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时，所述第一缓冲层的厚度为0.5％λ以下；第一金属层，设置在所述第一缓冲远层离所述压电基板的表面上，所述第一金属层包括铝,所述第一金属层的厚度范围在1％λ-30％λ之间。

2.如权利要求1所述的声表面波装置，其中，所述第一金属层中Al的含量在97wt％以上，所述第一金属层还包括含有Al、Si和Cu的金属间化合物。

3.如权利要求1或2所述的声表面波装置，其中所述IDT电极的侧面为倾斜面，所述倾斜面与所述压电基板所成的角度为95-135°之间。

4.如权利要求1或2所述的声表面波装置，其中，所述第一金属层还包括选自Cu、W、Mo、Cr、Ag、Au、Pt、Ga、Nb、Ta、Au、Si、Sc中的一种或一种以上的材料。

5.如权利要求1或2所述的声表面波装置，其中，所述金属钛或铬的含量在98％以上，所述第一缓冲层还包括选自Al、Si、Mg、Ni中的一种或一种以上的材料。

6.如权利要求1或2所述的声表面波装置，其中，所述多个IDT电极单元包括第一IDT电极单元和设置在第一IDT电极单元远离所述压电基板表面上的第二IDT电极单元。

7.如权利要求6所述的声表面波装置，所述第一IDT电极单元的第一缓冲层与所述第二IDT单元的第一缓冲层的成分和厚度相同，和/或所述第一IDT电极单元的第一金属层与所述第二IDT单元的第一金属层的成分和厚度相同。

8.如权利要求6所述的声表面波装置，其中，所述第二IDT电极单元的第一金属层包括的铝的含量小于所述第一IDT电极单元的第一金属层包括的铝的含量。

9.如权利要求6所述的声表面波装置，其中，所述第二IDT电极单元的第一金属层的厚度大于所述第一IDT电极单元的第一金属层的厚度，并为所述第一IDT电极单元的第一金属层厚度的10倍以上。

10.如权利要求7-9中任一所述的声表面波装置，其中，所述压电基板包括：

高声速支撑基板；

压电膜，设置在所述高声速支撑基板的表面上；

所述IDT电极设置在所述压电膜远离所述高声速支撑基板的表面上。

11.如权利要求10所述的声表面波装置，还包括介质层，所述介质层设置在所述高声速支撑基板与所述压电膜之间，或者设置在在所述IDT电极远离所述压电基板的表面上，所述介质层的热膨胀系数低于6×10^-6/K。

12.如权利要求7-9中任一所述的声表面波装置，还包括：

所述压电基板中设置有凹槽结构，所述凹槽结构容置所述IDT电极，所述凹槽结构的深度大于或等于所述第一IDT单元中的第一缓冲层的厚度。