CN113105123A - 一种Micro LED显示屏的抛光处理方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种Micro LED显示屏的抛光处理方法，属于显示屏抛光处理方法技术领域，本发明处理方法步骤为：先在待加工的Micro LED显示屏上开设数个孔径为2‑3μm、孔深为8‑10μm的开孔，然后将开好孔的Micro LED显示屏放置在超声波清洗机中采用清洗液进行清洗，最后将清洗后的MicroLED显示屏浸没于化学抛光药水中进行抛光处理，本发明的方法制备的MicroLED显示屏具有屏幕色彩纯度高，显示屏光滑几乎无划痕，大大延长了MicroLED显示屏的使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及显示屏抛光处理方法技术领域，尤其涉及一种Micro LED显示屏的抛光处理方法。
背景技术
Micro LED是新一代显示技术，是LED微缩化和矩阵化技术，简单来说，就是将LED背光源进行薄膜化、微小化、阵列化，可以让LED单元小于100微米，与OLED一样能够实现每个图元单独定址，单独驱动发光。Mini/Micro LED(简称MLED)显示技术在近两年进入加速发展阶段，可以使用在中小型高附加价值显示器应用领域。相较OLED屏幕，MLED显示可以在成本、高亮度和轻薄外形上表现出更佳性能，但是Micro LED显示屏屏幕色彩纯度不够，屏幕显示屏上划痕太多，因此此类显示屏相对而言寿命较短。
发明内容
本发明实施例提供一种Micro LED显示屏的抛光处理方法，以解决现有技术中显示屏屏幕色彩纯度不够，屏幕显示屏上划痕太多，因此此类显示屏相对而言寿命较短的问题。
本发明实施例采用下述技术方案：包括一种Micro LED显示屏的抛光处理方法，其技术点在于：包括以下步骤：
步骤一，将待加工的Micro LED显示屏置于操作台上，开设数个孔径为2-3μm、孔深为8-10μm的开孔，两个所述开孔的间距为25-35μm；
步骤二，将开好孔的Micro LED显示屏放置在超声波清洗机中采用清洗液进行清洗，通过频率在20-130KHZ的超声波对Micro LED显示屏进行清洗，清洗2-4min，除去MicroLED显示屏上的玻璃残渣；
步骤三，将步骤二中清洗后的Micro LED显示屏浸没于化学抛光药水中，通过翻转Micro LED显示屏控制刻蚀速率为1-3μm/min，刻蚀25-100min。
在本发明的有的实施例中，上述的一种Micro LED显示屏的抛光处理方法步骤一中开孔的方式激光刻蚀。
在本发明的有的实施例中，上述的一种Micro LED显示屏的抛光处理方法激光开孔处理时控制激光器的波长为2-3μm，脉冲宽度为10-20ns，激光冲击功率密度为0.2-0.3GW/cm2，能量为7-9J。
在本发明的有的实施例中，上述的一种Micro LED显示屏的抛光处理方法，按照重量分数计，步骤二中超声波清洗液组分有：纳米石墨相氮化碳2-4份、羟基乙酸10-15份、硬脂酸甘油酯4-5份、氢氧化钾6-8份、二苯甲酮10-15份、二乙二醇丁醚4-6份、生桐油7-10份和去离子水60-80份。
在本发明的有的实施例中，上述的一种Micro LED显示屏的抛光处理方法，按照重量分数计，步骤三中化学抛光药水组分有：硫酸5-10份、盐酸1-3份、氟化氢铵5-10份和水80-90份。
在本发明的有的实施例中，上述的一种Micro LED显示屏的抛光处理方法硫酸浓度是98wt％。
在本发明的有的实施例中，上述的一种Micro LED显示屏的抛光处理方法盐酸浓度是34wt％。
在本发明的有的实施例中，上述的一种Micro LED显示屏的抛光处理方法氟化氢铵纯度≥99.9wt％。
本发明实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果：
本发明的一种Micro LED显示屏的抛光处理方法步骤为：先在待加工的Micro LED显示屏上开设数个孔径为2-3μm、孔深为8-10μm的开孔，然后将开好孔的Micro LED显示屏放置在超声波清洗机中采用清洗液进行清洗，最后将清洗后的Micro LED显示屏浸没于化学抛光药水中进行抛光处理，本发明的方法制备的Micro LED显示屏具有屏幕色彩纯度高，显示屏光滑几乎无划痕，大大延长了Micro LED显示屏的使用寿命。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明具体实施例对本发明技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
本发明的一种Micro LED显示屏的抛光处理方法包括以下步骤：
步骤一，将待加工的Micro LED显示屏置于操作台上，开设数个孔径为2.5μm、孔深为9μm的开孔，两个所述开孔的间距为30μm；
步骤二，将开好孔的Micro LED显示屏放置在超声波清洗机中采用清洗液进行清洗，通过频率在75KHZ的超声波对Micro LED显示屏进行清洗，清洗3min，除去Micro LED显示屏上的玻璃残渣；
步骤三，将步骤二中清洗后的Micro LED显示屏浸没于化学抛光药水中，通过翻转Micro LED显示屏控制刻蚀速率为2μm/min，刻蚀60min。
其中，本发明的Micro LED显示屏的抛光处理方法步骤一中开孔的方式激光刻蚀。
其中，本发明的Micro LED显示屏的抛光处理方法激光开孔处理时控制激光器的波长为2.5μm，脉冲宽度为15ns，激光冲击功率密度为0.25GW/cm2，能量为8J。
其中，本发明的Micro LED显示屏的抛光处理方法，按照重量分数计，步骤二中超声波清洗液组分有：纳米石墨相氮化碳3份、羟基乙酸12.5份、硬脂酸甘油酯4.5份、氢氧化钾7份、二苯甲酮12.5份、二乙二醇丁醚5份、生桐油8.5份和去离子水70份。
其中，本发明的Micro LED显示屏的抛光处理方法，按照重量分数计，步骤三中化学抛光药水组分有：硫酸7.5份、盐酸2份、氟化氢铵7.5份和水83份。
其中，本发明的Micro LED显示屏的抛光处理方法硫酸浓度是98wt％。
其中，本发明的Micro LED显示屏的抛光处理方法盐酸浓度是34wt％。
其中，本发明的Micro LED显示屏的抛光处理方法氟化氢铵纯度≥99.9wt％。
经检测本实施例的Micro LED显示屏屏幕色彩纯度高，显示屏光滑几乎无划痕，经过200h的连续运行实验后，功能正常，无失控像素，使用寿命长。
实施例2
本发明的一种Micro LED显示屏的抛光处理方法包括以下步骤：
步骤一，将待加工的Micro LED显示屏置于操作台上，开设数个孔径为2μm、孔深为8μm的开孔，两个所述开孔的间距为25μm；
步骤二，将开好孔的Micro LED显示屏放置在超声波清洗机中采用清洗液进行清洗，通过频率在20KHZ的超声波对Micro LED显示屏进行清洗，清洗4min，除去Micro LED显示屏上的玻璃残渣；
步骤三，将步骤二中清洗后的Micro LED显示屏浸没于化学抛光药水中，通过翻转Micro LED显示屏控制刻蚀速率为1μm/min，刻蚀100min。
其中，本发明的Micro LED显示屏的抛光处理方法步骤一中开孔的方式激光刻蚀。
其中，本发明的Micro LED显示屏的抛光处理方法激光开孔处理时控制激光器的波长为2μm，脉冲宽度为10ns，激光冲击功率密度为0.2GW/cm2，能量为7J。
其中，本发明的Micro LED显示屏的抛光处理方法，按照重量分数计，步骤二中超声波清洗液组分有：纳米石墨相氮化碳2份、羟基乙酸10份、硬脂酸甘油酯4份、氢氧化钾6份、二苯甲酮10份、二乙二醇丁醚4份、生桐油7份和去离子水60份。
其中，本发明的Micro LED显示屏的抛光处理方法，按照重量分数计，步骤三中化学抛光药水组分有：硫酸5份、盐酸1份、氟化氢铵5份和水80份。
其中，本发明的Micro LED显示屏的抛光处理方法硫酸浓度是98wt％。
其中，本发明的Micro LED显示屏的抛光处理方法盐酸浓度是34wt％。
其中，本发明的Micro LED显示屏的抛光处理方法氟化氢铵纯度≥99.9wt％。
经检测本实施例的Micro LED显示屏屏幕色彩纯度高，显示屏光滑几乎无划痕，经过200h的连续运行实验后，功能正常，无失控像素，使用寿命长。
实施例3
本发明的一种Micro LED显示屏的抛光处理方法包括以下步骤：
步骤一，将待加工的Micro LED显示屏置于操作台上，开设数个孔径为3μm、孔深为10μm的开孔，两个所述开孔的间距为35μm；
步骤二，将开好孔的Micro LED显示屏放置在超声波清洗机中采用清洗液进行清洗，通过频率在130KHZ的超声波对Micro LED显示屏进行清洗，清洗4min，除去Micro LED显示屏上的玻璃残渣；
步骤三，将步骤二中清洗后的Micro LED显示屏浸没于化学抛光药水中，通过翻转Micro LED显示屏控制刻蚀速率为3μm/min，刻蚀25min。
其中，本发明的Micro LED显示屏的抛光处理方法步骤一中开孔的方式激光刻蚀。
其中，本发明的Micro LED显示屏的抛光处理方法激光开孔处理时控制激光器的波长为3μm，脉冲宽度为20ns，激光冲击功率密度为0.3GW/cm2，能量为9J。
其中，本发明的Micro LED显示屏的抛光处理方法，按照重量分数计，步骤二中超声波清洗液组分有：纳米石墨相氮化碳4份、羟基乙酸15份、硬脂酸甘油酯5份、氢氧化钾8份、二苯甲酮15份、二乙二醇丁醚6份、生桐油10份和去离子水80份。
其中，本发明的Micro LED显示屏的抛光处理方法，按照重量分数计，步骤三中化学抛光药水组分有：硫酸10份、盐酸3份、氟化氢铵10份和水90份。
其中，本发明的Micro LED显示屏的抛光处理方法硫酸浓度是98wt％。
其中，本发明的Micro LED显示屏的抛光处理方法盐酸浓度是34wt％。
其中，本发明的Micro LED显示屏的抛光处理方法氟化氢铵纯度≥99.9wt％。
经检测本实施例的Micro LED显示屏屏幕色彩纯度高，显示屏光滑几乎无划痕，经过200h的连续运行实验后，功能正常，无失控像素，使用寿命长。
实施例4
本发明的一种Micro LED显示屏的抛光处理方法包括以下步骤：
步骤一，将待加工的Micro LED显示屏置于操作台上，开设数个孔径为2.1μm、孔深为8.5μm的开孔，两个所述开孔的间距为32μm；
步骤二，将开好孔的Micro LED显示屏放置在超声波清洗机中采用清洗液进行清洗，通过频率在50KHZ的超声波对Micro LED显示屏进行清洗，清洗2.5min，除去Micro LED显示屏上的玻璃残渣；
步骤三，将步骤二中清洗后的Micro LED显示屏浸没于化学抛光药水中，通过翻转Micro LED显示屏控制刻蚀速率为1.5μm/min，刻蚀45min。
其中，本发明的Micro LED显示屏的抛光处理方法步骤一中开孔的方式激光刻蚀。
其中，本发明的Micro LED显示屏的抛光处理方法激光开孔处理时控制激光器的波长为2.2μm，脉冲宽度为12ns，激光冲击功率密度为0.21GW/cm2，能量为7.5。
其中，本发明的Micro LED显示屏的抛光处理方法，按照重量分数计，步骤二中超声波清洗液组分有：纳米石墨相氮化碳2.5份、羟基乙酸12份、硬脂酸甘油酯4.2份、氢氧化钾6.5份、二苯甲酮12份、二乙二醇丁醚4.5份、生桐油8份和去离子水65份。
其中，本发明的Micro LED显示屏的抛光处理方法，按照重量分数计，步骤三中化学抛光药水组分有：硫酸6份、盐酸1.5份、氟化氢铵6份和水87.5份。
其中，本发明的Micro LED显示屏的抛光处理方法硫酸浓度是98wt％。
其中，本发明的Micro LED显示屏的抛光处理方法盐酸浓度是34wt％。
其中，本发明的Micro LED显示屏的抛光处理方法氟化氢铵纯度≥99.9wt％。
经检测本实施例的Micro LED显示屏屏幕色彩纯度高，显示屏光滑几乎无划痕，经过200h的连续运行实验后，功能正常，无失控像素，使用寿命长。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。
Claims (8)
1.一种Micro LED显示屏的抛光处理方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤一，将待加工的Micro LED显示屏置于操作台上，开设数个孔径为2-3μm、孔深为8-10μm的开孔，两个所述开孔的间距为25-35μm；
步骤二，将开好孔的Micro LED显示屏放置在超声波清洗机中采用清洗液进行清洗，通过频率在20-130KHZ的超声波对Micro LED显示屏进行清洗，清洗2-4min，除去Micro LED显示屏上的玻璃残渣；
步骤三，将步骤二中清洗后的Micro LED显示屏浸没于化学抛光药水中，通过翻转Micro LED显示屏控制刻蚀速率为1-3μm/min，刻蚀25-100min。
2.根据权利要求1所述的一种Micro LED显示屏的抛光处理方法，其特征在于：所述步骤一中开孔的方式激光刻蚀。
3.根据权利要求2所述的一种Micro LED显示屏的抛光处理方法，其特征在于：所述激光开孔处理时控制激光器的波长为2-3μm，脉冲宽度为10-20ns，激光冲击功率密度为0.2-0.3GW/cm2，能量为7-9J。
4.根据权利要求1所述的一种Micro LED显示屏的抛光处理方法，其特征在于：按照重量分数计，所述步骤二中超声波清洗液组分有：纳米石墨相氮化碳2-4份、羟基乙酸10-15份、硬脂酸甘油酯4-5份、氢氧化钾6-8份、二苯甲酮10-15份、二乙二醇丁醚4-6份、生桐油7-10份和去离子水60-80份。
5.根据权利要求1所述的一种Micro LED显示屏的抛光处理方法，其特征在于：按照重量分数计，所述步骤三中化学抛光药水组分有：硫酸5-10份、盐酸1-3份、氟化氢铵5-10份和水80-90份。
6.根据权利要求5所述的一种Micro LED显示屏的抛光处理方法，其特征在于：所述硫酸浓度是98wt％。
7.根据权利要求5所述的一种Micro LED显示屏的抛光处理方法，其特征在于：所述盐酸浓度是34wt％。
8.根据权利要求5所述的一种Micro LED显示屏的抛光处理方法，其特征在于：所述氟化氢铵纯度≥99.9wt％。
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