CN113096961A - 一种多层瓷介电容器端面金属化方法 - Google Patents

Abstract

一种多层瓷介电容器及其端面金属化方法，包括多层陶瓷介质、每层陶瓷介质上内部电极、P型电极引出端；P型电极引出端上电极及下电极分别位于多层瓷介电容器厚度方向的两侧面；采用蘸浆端涂工艺进行引出端电极制备，解决了依赖于高精度设备和工装夹具的问题；采用薄膜溅射工艺进行引出端电极制备，提高了端电极的致密性，解决了端涂工艺制备样品推球试验不合格问题。采用P型电极引出端设计有效地减小了电流路径，提高谐振频率。采用金作为端电极材料，解决了Ag/Pd电极在高温高湿环境下的银迁移、Ni/Cu电极在高温环境下氧化的问题。该金属化方法广泛应用于传统MLCC以及具有P型电极引出端结构的电阻、电感等片式元件端电极的制备。

Description

一种多层瓷介电容器端面金属化方法

技术领域

本发明属于电子元器件领域，具体来说，属于陶瓷电容器领域，更进一步来说，属于多层瓷介电容器端面金属化结构及其制造方法领域。

背景技术

随着4G、5G等通信电子技术的飞速发展，多层陶瓷电容器(Multi-layer CeramicCapacitors，简称MLCC)由于具有尺寸小、容量大和可靠性高等特点，被广泛应用于智能手机、数字家电、汽车电器、自动控制仪表等各行业领域，已经成为世界上用量最大、发展最快的一种片式元件。传统MLCC结构如图1所示，包括由陶瓷介质层、每个陶瓷介质层的内部电极、引出端电极等组成，产品形状为长方体，两引出端电极形状及大小一致，端电极为沿长度方向的左右结构(简称为N型电极引出端)；内部电极材料采用银钯导体浆料经厚膜印刷、烧结等工序制备而成，端电极采用银钯(Ag/Pd)导体浆料或镍铜(Ni/Cu)导体浆料等经端涂、烧端等工序制备而成。

多层瓷介电容器作为一种更高可靠性的MLCC产品，是指对尺寸一致性要求高，为上下金电极引出端，外观同单层片式瓷介电容器(Single-layer Ceramic Capacitors，简称SLCC)类似，适用于微组装引线键合工艺，不仅具有SLCC尺寸小、应用频率高的特点，而且还兼具传统MLCC电容量大、等效串联电阻低等优点，具有直流阻断、RF旁路、有源旁路等功能，能够满足微波和毫米波频段电子线路的苛刻要求，被广泛应用于航天、航空、GPS-北斗卫星定位、手机移动通讯等军民领域的振荡电路、定时或延时电路、射频电路和微波单片集成电路，如放大器、振荡器和混频器等，属于量大面广的核心电子元器件。

与此同时，传统MLCC由于工艺和结构的局限性，主要存在如下问题：

1、Ag/Pd或Ni/Cu等端电极在高温高湿环境下的银迁移以及高温氧化问题。

2、引出端电极质量依赖于封端设备与配套工装夹具的精度和自动化程度，不适用于小尺寸产品(例如2020、3030等)端面金属化制备，成品合格率低(＜85％)。

3、引出端电极层金丝焊接性能较差，推球试验不合格。

4、端电极为左右引出端常采用锡铅合金等焊接工艺安装，不适用于微组装引线键合工艺，且电流路径为最长尺寸(L)方向，谐振频率低，高频特性较差。

有鉴于此，特提出本发明。

发明内容

本发明的目的是：解决传统MLCC如下问题：

1、Ag/Pd或Ni/Cu等端电极在高温高湿环境下的银迁移以及高温氧化问题。

2、引出端电极质量依赖于封端设备与配套工装夹具的精度和自动化程度，不适用于小尺寸产品(例如2020、3030等)端面金属化制备，成品合格率低(＜85％)。

3、引出端电极层金丝焊接性能较差，推球试验不合格。

4、端电极为左右引出端常采用锡铅合金等焊接工艺安装，不适用于微组装引线键合工艺，且电流路径为最长尺寸(L)方向，谐振频率低，高频特性较差。

采取的技术构思是：

针对第1至第3个问题，采用金材质作为引出端电极层材料，以解决Ag/Pd或Ni/Cu等端电极在高温高湿环境下的银迁移及高温氧化问题；采用蘸浆端涂工艺方法，无需封装设备与配套工装夹具，且对产品外形尺寸几乎没有限制，特别适用小尺寸产品端电极制备，成品合格率高(＞95％)；采用薄膜溅射工艺方法，提高了引出端电极层致密性，改善了端电极的金丝焊接性能，解决端涂工艺制备端电极推球试验不合格问题。

针对第4个问题，如图2所示，在相同设计尺寸下，将传统MLCC电流路径方向由沿最长尺寸的长度(L)方向设计为沿最短尺寸的厚度(T)方向，相应电极引出端结构由沿长度方向的左右N型电极引出端设计为沿厚度方向的上下结构电极引出端(简称为P型电极引出端)。因此P型电极引出端结构设计可有效减小电流路径，降低寄生效应，提高谐振频率。同时，P型电极引出端适用于引线键合工艺，解决了传统MLCC的N型电极引出端多采用焊接工艺安装而不适用于微组装引线键合工艺的问题，有利于MLCC的小型化以及整机的高密度集成。

为此，本发明提供一种多层瓷介电容器，如图2所示。包括：多层MLCC陶瓷介质8，每层陶瓷介质上的MLCC内部电极9，P型电极引出端。

P型电极引出端包括P型电极引出端上电极6，P型电极引出端下电极7。

P型电极引出端上电极6、P型电极引出端下电极7分别位于多层瓷介电容器厚度T方向的两侧面。

P型电极引出端的电极材料为厚膜金导体，所述厚膜金导体由金浆料烧结而成；或P型电极引出端的电极材料为最外层为金的多层复合金属薄膜，所述多层复合金属薄膜的结构为TiW/Au或TiW/Ni/Au。

本发明提供一种多层瓷介电容器端面金属化的蘸浆端涂工艺方法，具体包括如下步骤：

1、材料准备：X7R型K252瓷料作为陶瓷介质基体材料；银钯导体浆料用作内电极浆料；金导体浆料作为引出端电极材料；感温胶A和感温胶B，用于临时固定待加工件，加工完成后即感温除胶(也称为去胶、脱胶)，且感温胶B的脱胶温度高于感温胶A的脱胶温度；

2、以X7R型K252瓷料作为基体瓷料，经配料与混合、流延、丝印、叠层、等静压、切割、排胶、烧结、倒角工序后形成陶瓷芯片(待加工件)；

X7R和K252说明：

(1)“X7R”为EIA材料分类，代表在-55℃～125℃温度范围内，介电常数随温度的变化率在±15％以内。

(2)“K252”代表材料介电常数K为2500。

(3)本发明提及的“多层瓷介电容器”的制备是通过采用K252这种瓷料(粉体)，经配料与混合、流延、丝印、叠层、等静压、切割、排胶、烧结、倒角、端面金属化工序后制备得到。

3、将陶瓷芯片粘贴固定在感温胶A上，且外露内部电极的引出端面朝上；

关于感温胶的说明：

(1)感温胶名称为单面感温胶，感温胶A是指脱胶温度在150℃的单面感温胶，感温胶B是指脱胶温度在200℃的单面感温胶。

(2)感温胶A配合感温胶B的使用是为了对待端面金属化产品进行固定，选择两种不同脱胶温度的感温胶是因为需要对产品两个引出端分别进行端面金属化，当对另一引出端进行端面金属化时，为了防止产品掉落，便于操作。

(3)选用的单面感温胶在脱胶温度下热处理5min～10min即可脱胶。

4、将粘贴有陶瓷芯片的感温胶A利用印刷机样品台进行真空吸附固定，且引出端面朝上；

5、通过全透丝网印刷金导体浆料；

“全透丝网”是指不含有图文的丝网印版，即印刷浆料可在任意位置通过；丝网目数为200目～300目，典型值为250目。

6、将印刷机真空吸附样品台调高至固定位置，端涂金导体浆料；

7、烘干处理；

8、在陶瓷芯片已端涂金导体浆料的电极端面粘贴感温胶B,并将温度加热至感温胶A的脱胶温度，去掉感温胶A；同时将感温胶B固定在印刷机真空吸附平台上，且另一待端涂引出端面朝上A；

9、通过全透丝网印刷金导体浆料；

10、将样品台调高至固定位置，蘸浆端涂金导体浆料；

11、烘干处理；

12、去掉感温胶B；

13、经端烧处理后得到多层瓷介电容器产品。

该方法摆脱了对设备及工装夹具高精度的依赖，解决了小尺寸产品端面金属化工艺的技术瓶颈，推动了电子元器件的小型化发展。

本发明提供一种多层瓷介电容器端面金属化的薄膜溅射工艺方法，具体包括如下步骤：

1、材料准备：X7R型K252瓷料作为陶瓷介质基体材料；银钯导体浆料用作内电极浆料；TiW/Au或TiW/Ni/Au作为真空溅射靶材，用于溅射待加工件的端电极材料；

2、以X7R型K252瓷料作为基体瓷料，经配料与混合、流延、丝印、叠层、等静压、切割、排胶、烧结、倒角工序后形成陶瓷芯片(待加工件)；

3、将陶瓷芯片固定在真空溅射台内如图3所示的台阶式溅射工装夹具内，且覆盖陶瓷芯片边缘20μm～50μm的区域，保护陶瓷芯片侧面免受溅射金属影响导致绝缘电阻降低；

“台阶式”溅射夹具是通过采用LTCC的“空腔”设计制作而成，以便能够很好的保护产品侧面，防止由于溅射影响而导致产品侧面有金属富集，进而造成产品绝缘电阻降低的问题出现，这也是采用薄膜溅射工艺进行引出端电极制备的关键，为本发明的薄膜溅射工艺方法进行端面金属化的一个必要步骤。该工装夹具的可靠工作温度能够达到500℃，不会发生质量烧损及明显形变现象。

目前，国内外生产厂家针对多层瓷介电容器产品引出端电极制备多采用“厚膜”端涂工艺方法，因此端电极层致密度相对较低，存在空隙，如图4中可以明显看到，无法通过推球试验项目。

所谓推球试验是为验证金电极多层瓷介电容器产品引出端电极焊接可靠性的一项试验项目，具体内容为：首先，利用多功能压焊机在上引出端的金电极层表面植入金球，其次，通过推拉力测试机沿水平方向推动植入的金球；最后，在显微镜下进行合格性判断，当金球有残留时为合格，金球无残留或将金电极层带起均为不合格。执行标准为EIA/JESD22-B116 Wire Bond Shear Test Method。

4、溅射TiW、Au形成TiW/Au结构的薄膜引出端电极，或溅射TiW、Ni、Au形成TiW/Ni/Au结构的薄膜引出端电极；

5、将陶瓷芯片已溅射TiW/Au或TiW/Ni/Au引出端面朝下，另一引出端面朝上且面向靶材，并固定在真空溅射台的工装夹具内，溅射TiW、Au形成TiW/Au结构的薄膜引出端电极，或溅射TiW、Ni、Au形成TiW/Ni/Au结构的薄膜引出端电极，并得到多层瓷介电容器产品。

该方法制作的端电极焊接可靠性高，打破了常规多层瓷介电容器端电极采用厚膜端涂技术制备的工艺限制，提高了引出端电极层的致密性，解决了端涂端电极推球试验不合格问题。

与传统MLCC结构相比，P型电极引出端结构的MLCC可有效地减小电流路径，提高谐振频率。采用蘸浆端涂或薄膜溅射工艺，利用金作为引出端电极材料，有效避免了Ag/Pd电极在高温高湿环境下的银迁移及Ni/Cu电极在高温环境下的氧化问题。该技术方法可以应用于传统MLCC以及具有P型电极引出端结构的电阻、电感等片式元件端电极的制备，具有较广的推广应用价值。

附图说明

图1为传统N型电极引出端多层瓷介电容器结构示意图。

图2为P型电极引出端多层瓷介电容器结构示意图。

图3为台阶式溅射工装夹具结构示意图。

图4为不同金属化工艺制备样品金丝键合拉力曲线图。

图5为不同金属化工艺制备样品推球试验照片。

其中：(a)端涂工艺制备样品，(b)溅射工艺制备样品。

图6为不同金属化工艺制备样品端电极层SEM照片

其中：(c)端涂工艺制备样品，(d)溅射工艺制备样品。

图7为不同金属化工艺制备样品端电极层厚度。

图中：1为传统MLCC陶瓷结构体，2为N型电极引出端，3为传统MLCC陶瓷边缘，4为传统MLCC陶瓷层，5为传统MLCC内部电极，6为P型电极引出端上电极，7为P型电极引出端下电极，8为MLCC陶瓷介质，9为MLCC内部电极，10夹具本体，11为夹具腔体，12为夹具台阶，13为陶瓷芯片，14为待金属化引出端。

具体实施方式

实施例一：蘸浆端涂工艺方法

采用X7R型K252瓷料作为基体材料，以70/30银钯导体浆料作为内电极浆料，经配料与混合、流延、丝印、叠层、等静压、切割、排胶、烧结、倒角工序后形成陶瓷芯片。

采用端烧金导体浆料作为引出端电极材料，通过蘸浆端涂工艺对陶瓷芯片进行端电极制备，具体步骤如下：(1)分别准备脱胶温度为150℃和200℃的单面感温胶A和B；(2)将陶瓷芯片样品固定在感温胶A上，且外露内部电极的一个引出端面朝上；(3)将真空压力调整至-0.05MPa～-0.3MPa，利用真空吸附平台对感温胶A及样品进行固定，并通过250目全透网版进行铺浆；(4)将真空吸附平台调高至固定位置进行端涂，之后采用网带烘干炉中进行烘干处理，烘干温度为150℃±10℃，时间为10min；(5)采用感温胶B对已经端涂的引出端样品进行固定，并将其放置于150℃±5℃的电热鼓风干燥箱中处理5min～10min，去掉感温胶A；重复上述第(3)～第(4)步骤对另一待端涂引出端进行端涂，最后经850℃±5℃端烧35min～50min得到多层瓷介电容器产品。

在同一批次蘸浆端涂工艺制备样品中随机抽取100只，对电容量、损耗角正切、绝缘电阻、端电极层厚度和外观进行检测，结果如表1所示。

表1蘸浆端涂工艺制备样品电性能及外观检测结果

由表1中检测结果可以看出，蘸浆端涂工艺制备样品其性能与外观质量均满足用户要求及检测标准，且具有极高的合格率。多层瓷介电容器作为P型电极上下引出端，适用于金丝球焊接、导电胶粘接或金锡合金焊接的安装方式，其中下电极通常使用焊料共晶烧结或导电胶粘接方式安装，上电极采用金丝键合工艺安装。在同一批次蘸浆端涂工艺制备样品中随机抽取12只进行键合强度试验，结果见图4。由图可知，样品键合强度试验100％合格，且具有较高的键合拉力数值(≥5g)，这表明蘸浆端涂工艺制备样品引出端电极层质量能够满足用户常规使用需求。与传统端涂工艺相比，蘸浆端涂工艺无需封端设备与配套夹具，且对产品外形尺寸几乎没有限制，适合小尺寸产品端电极制备，成品合格率高，生产成本低，解决了国内厂家在小尺寸、高可靠产品端面金属化方面的技术瓶颈，有助于推动国产电子元器件的小型化发展。

实施例二：薄膜溅射工艺方法

采用X7R型K252瓷料作为基体材料，以70/30银钯导体浆料作为内电极浆料，经配料与混合、流延、丝印、叠层、等静压、切割、排胶、烧结、倒角工序后形成陶瓷芯片。

采用TiW/Au作为溅射靶材，通过薄膜溅射工艺进行端电极制备，其中TiW层厚度为500埃～2000埃，Au层厚度为15000埃～50000埃，最后得到多层瓷介电容器产品。

在同一批次溅射产品中随机抽取100只，对电容量、损耗角正切、绝缘电阻、端电极层厚度和外观进行检测，结果如表2所示。

表2溅射工艺制备样品电性能及外观检测结果

由表2可知，溅射工艺制备样品电容量、损耗角正切、绝缘电阻、端电极层厚度以及外观均满足用户要求及检测标准。在同一批次溅射工艺制备样品中随机抽取12只进行键合强度试验，结果如图4所示，溅射工艺制备样品键合强度试验100％合格，同时与端涂工艺相比，溅射工艺制备样品金丝键合拉力数值较大且分布相对集中，具有较好的一致性，这主要是因为溅射电极膜层致密性高、针孔少、纯度高，电极层表面不易形成氧化物膜，端电极丝焊性能好。另外，分别在同一批次溅射和端涂工艺制备样品中随机抽取5只进行推球试验，验证端电极层的焊接可靠性，结果如表3所示。

表3溅射和端涂工艺制备样品推球试验

由表3可知，与端涂工艺相比，溅射工艺制备样品推球试验100％合格，解决了端涂工艺制备样品推球试验不合格问题(见图5)。图6为端涂和溅射工艺制备样品端电极SEM照片。图中可以看到，首先，与溅射电极层相比，端涂电极层与陶瓷介质基体之间存在明显空隙，电极层致密性差，与陶瓷介质基体之间接触面积相对较小，焊接可靠性较低，因而推球试验不合格。其次，端涂电极作为一种烧结型电极，电极层主要由金属导体相和玻璃粘接相组成，由于玻璃分布不均匀，通常会形成1个富金属的上层和1个富玻璃的下层，浸润作用会使玻璃指状突起深入到金膜层中，有些可能达到表面形成“面釉”导致金电极层焊接可靠性降低，即推球试验不合格。最后，端涂电极用金浆料通常由金粉、粘接剂和有机载体组成，其中金粉粒度一般约为0.5μm～5μm，经烧结后金导体中晶粒尺寸处于微米尺度，质地较为疏松，金膜层与植球之间结合较弱，无法满足推球试验。与此同时，溅射电极主要由靶材激发的高能粒子在陶瓷介质基体表面沉积而成，具有镀膜密度高、针孔少、膜层纯度高等特点，且金属导体膜层中晶粒尺寸一般在纳米或亚微米尺度与外植球之间拥有更多的接触界面，因而表现出更高的焊接可靠性，解决了端涂电极推球试验不合格问题。

在同一批次端涂和溅射工艺制备样品中随机抽取20只进行端电极层厚度检测，结果如图7所示，明显可见，与端涂工艺相比，溅射工艺制备样品端电极层厚度浇薄，但厚度分布集中度高，这主要是因为溅射工艺膜层厚度的可控性与重复性更好。

溅射工艺解决了端涂工艺制备端电极层推球试验不合格问题，提高了端电极层的焊接可靠性，打破了多层瓷介电容器MLCC端面金属化采用厚膜端涂工艺的限制，有利于电极层结构的多样化设计，具有极广的扩展应用空间。

综上所述，采用蘸浆端涂或薄膜溅射工艺对多层瓷介电容器产品进行引出端电极制备，且端电极材料为金材质。

(1)与传统端涂工艺相比，蘸浆端涂工艺不需要端涂设备及配套工装夹具，且对产品尺寸及其一致性没有限制，适合小尺寸规格产品的端面金属化制备，例如2020(英制代码，实际尺寸为0.508mm(L)×0.508mm(W)×0.381mm(T))或3030(英制代码，实际尺寸为0.762mm(L)×0.762mm(W)×0.559mm(T))等小尺寸产品的引出端电极制备。

(2)薄膜溅射工艺的引入主要是为了解决端涂工艺制备的引出端电极焊接可靠性较差的问题(即推球试验不合格)。与端涂工艺相比，薄膜溅射工艺制备的引出端电极之所以其焊接可靠性得到提升，主要是因为溅射工艺制备的电极层其微观结构更加致密，空隙较少，与焊接点之间的结合力更强。另外，选择TiW-Au或TiW-Ni-Au电极结构进行端面金属化，其中TiW是作为打底层(与多层瓷介电容器引出端接触)，以增强Au层与陶瓷基体之间的附着力，这主要是因为溅射的Au原子与陶瓷基体之间的附着力较差，需要TiW层进行过渡。中间Ni层则可以提高引出端电极的耐焊性，也可以根据用户需求进行灵活设计。因此，薄膜溅射工艺有助于产品引出端电极层的多样化设计，能够满足用户不同应用环境下对引出端电极的要求，有助于金电极多层瓷介电容器产品推广应用。

最后应说明的是：上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，本发明包括但不限于以上实施例,这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。凡符合本发明要求的实施方案均属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种多层瓷介电容器，其特征在于，包括：多层MLCC陶瓷介质、每层陶瓷介质上的MLCC内部电极、P型电极引出端；

所述P型电极引出端包括P型电极引出端上电极、P型电极引出端下电极；

所述P型电极引出端上电极、P型电极引出端下电极分别位于多层瓷介电容器厚度方向的两侧面；

所述P型电极引出端电极材料为金材质，所述内部电极材料为银钯导体；

所述P型电极引出端安装方式为，下电极采用导电树脂粘接或金锡合金焊接方法安装，上电极采用引线键合工艺方法安装。

2.如权利要求1所述的一种多层瓷介电容器，其特征在于，所述引出端电极的导体材料为厚膜金导体，所述厚膜金导体由金浆料烧结而成。

3.如权利要求1所述的一种多层瓷介电容器，其特征在于，所述引出端电极的导体材料为最外层为金的多层复合金属薄膜；所述多层复合金属薄膜的结构为TiW/Au或TiW/Ni/Au。

4.如权利要求1所述的一种多层瓷介电容器端面金属化方法，其特征在于，具体包括如下步骤：

(1)材料准备：X7R型K252瓷料、银钯内电极浆料、金导体浆料、感温胶A和感温胶B；

(2)以X7R型K252瓷料作为基体瓷料，经配料与混合、流延、丝印、叠层、等静压、切割、排胶、烧结、倒角工序后形成陶瓷芯片；

(3)将陶瓷芯片粘贴固定在感温胶A上，且外露内部电极的引出端面朝上；

(4)将粘贴有陶瓷芯片的感温胶A利用印刷机样品台进行真空吸附固定，且引出端面朝上；

(5)通过全透丝网印刷金导体浆料；

(6)将印刷机真空吸附样品台调高至固定位置，蘸浆端涂金导体浆料；

(7)烘干处理；

(8)在陶瓷芯片已端涂金导体浆料的电极端面粘贴感温胶B,并将温度加热至感温胶A的脱胶温度，去掉感温胶A；同时将感温胶B固定在印刷机真空吸附平台上，且另一待端涂引出端面朝上；

(9)通过全透丝网印刷金导体浆料；

(10)将样品台调高至固定位置，端涂金导体浆料；

(11)烘干处理；

(12)将温度加热到感温胶B的脱胶温度，去掉感温胶B；

(13)经烧端处理得到多层瓷介电容器。

5.如权利要求4所述的一种多层瓷介电容器端面金属化方法，其特征在于：所述银钯内电极浆料为70/30银钯导体浆料，所述全透丝网的目数为200～300目。

6.如权利要求4所述的一种多层瓷介电容器端面金属化方法，其特征在于：所述感温胶A的脱胶温度为150℃，所述感温胶B的脱胶温度为200℃。

7.如权利要求4所述的一种多层瓷介电容器端面金属化方法，其特征在于，所述金导体浆料的烧结条件为850℃±5℃、35min～50min。

8.如权利要求1所述的一种多层瓷介电容器的电极端面金属化方法，其特征在于，具体包括如下步骤：

(1)材料准备：X7R型K252瓷料、银钯内电极浆料、TiW/Au或TiW/Ni/Au靶材；

(2)以X7R型K252瓷料作为基体瓷料，经配料与混合、流延、丝印、叠层、等静压、切割、排胶、烧结、倒角工序后形成陶瓷芯片；

(3)将陶瓷芯片固定在真空溅射台内的台阶式溅射工装夹具内，且覆盖陶瓷芯片边缘20μm～50μm的区域；

(4)溅射TiW、Au形成TiW/Au结构的薄膜引出端电极，或溅射TiW、Ni、Au形成TiW/Ni/Au结构的薄膜引出端电极；

(5)将陶瓷芯片已溅射TiW/Au或TiW/Ni/Au引出端面朝下，另一引出端面朝上且面向靶材，并固定在真空溅射台的工装夹具内，溅射TiW、Au形成TiW/Au结构的薄膜引出端电极，或溅射TiW、Ni、Au形成TiW/Ni/Au结构的薄膜引出端电极。

9.如权利要求8所述的一种多层瓷介电容器端面金属化方法，其特征在于，所述银钯内电极浆料为70/30银钯导体浆料，所述TiW层厚度为500埃～2000埃，所述Ni层厚度为500埃～1000埃,所述Au层厚度为15000埃～50000埃。

10.如权利要求8所述的一种多层瓷介电容器端面金属化方法的台阶式溅射工装夹具，其特征在于，包括：夹具本体、夹具腔体、夹具台阶；

所述夹具腔体的形状与陶瓷芯片的形状一致，所述夹具腔体的大小比陶瓷芯片略大；

所述夹具腔体上部开口，且开口部分露出陶瓷芯片待金属化的一引出端面；所述开口部分与夹具腔体部分形成所述夹具台阶，所述夹具台阶覆盖陶瓷芯片边缘20μm～50μm的区域；

所述夹具腔体底面及侧面完全封闭陶瓷芯片；

所述台阶式溅射工装夹具的可靠工作温度可达500℃。

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