CN113088870A - 成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法 - Google Patents

成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法。更有效地进行基板从静电吸盘分离。一种成膜装置，经由掩模在基板上对成膜材料进行成膜，其中，所述成膜装置具备：第1基板支承部，其配置于腔室内，支承所述基板的第1边的周缘部；第2基板支承部，其配置于所述腔室内，支承所述基板的与所述第1边相向的第2边的周缘部；基板吸附部件，其配置于所述腔室内的所述第1基板支承部及第2基板支承部的上方，用于吸附所述基板；以及控制部，所述控制部在所述基板从所述基板吸附部件分离时，进行控制，以使所述第1基板支承部和所述第2基板支承部依次下降。

Description

成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法
技术领域
本发明涉及成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法。
背景技术
在有机EL显示装置(有机EL显示器)的制造中，在形成构成有机EL显示装置的有机发光元件(有机EL元件；OLED)时，将从成膜装置的蒸发源蒸发的蒸镀材料经由形成有像素图案的掩模蒸镀到基板上，从而形成有机物层、金属层。
在向上蒸镀方式(日文：デポアップ)的成膜装置中，蒸发源设置在成膜装置的真空容器的下部，基板配置在真空容器的上部，向基板的下表面进行蒸镀。在这样的向上蒸镀方式的成膜装置中，基板由基板保持件的支承部支承下表面的周缘，以避免对形成于作为成膜面的下表面的有机物层/电极层造成损伤。在该情况下，随着基板的尺寸变大，未被基板保持件的支承部支承的基板的中央部会因基板的自重而挠曲，这成为降低蒸镀精度的一个要因。对于向上蒸镀方式之外的方式的成膜装置，也有可能产生因基板的自重导致的挠曲。
作为用于减小因基板的自重导致的挠曲的方法，研究了使用静电吸盘的技术。也就是说，在基板的上部设置静电吸盘，使静电吸盘吸附由基板保持件的支承部支承的基板的上表面，从而基板的中央部被静电吸盘的静电引力拉拽，能够减小基板的挠曲。
发明内容
发明要解决的课题
但是，在这样使用静电吸盘吸附基板的方法中，可能存在成膜后从静电吸盘分离基板时基板破损、或者分离花费时间而使整体的工序时间(tact time)增加等问题。
例如，如图9所示，若在基板S分离时，在基板保持件的支承部220离开基板S的状态下将施加于静电吸盘240的吸附电压断开(OFF)，则从静电吸盘240分离的基板S落下到支承部220时，冲击作用于基板S，基板S有可能破损。另一方面，为了防止这样的破损，若在分离时设为使基板支承部220与基板S实质上接触的状态，则基板S被约束，基板分离所花费的时间增加。
因此，本发明鉴于上述的课题，目的在于更有效地进行基板从静电吸盘的分离。
用于解决课题的手段
本发明的一实施方式的成膜装置经由掩模在基板上对成膜材料进行成膜，其中，所述成膜装置包括：第1基板支承部，其配置于腔室内，支承所述基板的第1边的周缘部；第2基板支承部，其配置于所述腔室内，支承所述基板的与所述第1边相向的第2边的周缘部；基板吸附部件，其配置于所述腔室内的所述第1基板支承部及第2基板支承部的上方，用于吸附所述基板；以及控制部，所述控制部在所述基板从所述基板吸附部件分离时，进行控制，以使所述第1基板支承部和所述第2基板支承部依次下降。
另外，本发明的一实施方式的成膜装置经由掩模在基板上对成膜材料进行成膜，其中，所述成膜装置具备：第1基板支承部，其配置于腔室内，支承所述基板的第1边的周缘部；第2基板支承部，其配置于所述腔室内，支承所述基板的与所述第1边相向的第2边的周缘部；以及基板吸附部件，其配置于所述腔室内的所述第1基板支承部及第2基板支承部的上方，用于通过静电力吸附所述基板，所述基板吸附部件包括吸附所述第1边的周缘部的第1吸附电极部和吸附所述第2边的周缘部的第2吸附电极部，在所述基板从所述基板吸附部件分离时，在向所述第1吸附电极部施加了分离电压且向所述第2吸附电极部施加了吸附电压的第1分离状态下，使所述第1基板支承部相对于所述第2基板支承部独立地下降。
本发明的一实施方式的成膜方法在成膜装置的腔室内，在基板上对成膜材料进行成膜，其中，所述成膜方法具有：经由掩模在吸附于基板吸附部件的所述基板上对成膜材料进行成膜的成膜工序；在所述成膜工序之后，从所述基板的第1边的周缘部朝向所述基板的与所述第1边相向的第2边的周缘部，依次使所述基板从所述基板吸附部件分离的分离工序；以及按照进行所述第1边的周缘部和所述第2边的周缘部的分离的时机，使支承所述第1边的周缘部的第1基板支承部和支承所述第2边的周缘部的第2基板支承部依次下降的下降工序。
另外，本发明的一实施方式的成膜方法在成膜装置的腔室内，在基板上对成膜材料进行成膜，其中，所述成膜方法具有：通过向基板吸附部件所具有的、吸附所述基板的第1边的周缘部的第1吸附电极部和吸附所述基板的与所述第1边相向的第2边的周缘部的第2吸附电极部施加吸附电压，将所述基板吸附于所述基板吸附部件的吸附工序；在所述吸附工序之后，经由掩模在吸附于所述基板吸附部件的所述基板上对成膜材料进行成膜的成膜工序；在所述成膜工序之后，向所述第1吸附电极部施加分离电极、或者设为不向所述第1吸附电极部施加电压的状态的分离工序；以及在所述分离工序之后，使支承所述第1边的周缘部的第1基板支承部相对于支承所述第2边的周缘部的第2基板支承部独立地下降的下降工序。
本发明的一实施方式的电子器件的制造方法使用所述成膜方法来制造电子器件。
发明的效果
根据本发明，能够更有效地进行基板从静电吸盘的分离。
此外，在此记载的效果不一定限定，也可以是本发明中记载的任意效果。
附图说明
图1是电子器件的制造装置的一部分的示意图。
图2是本发明的一实施方式的成膜装置的示意图。
图3是从铅垂方向(Z方向)上方观察本发明的一实施方式的基板支承单元的俯视图。
图4a是说明本发明的一实施方式的静电吸盘的吸附部的结构的图。
图4b是说明本发明的一实施方式的静电吸盘的吸附部的结构的图。
图4c是说明本发明的一实施方式的静电吸盘的吸附部的结构的图。
图5是表示本发明的一实施方式的基板分离工序的图。
图6是表示本发明的另一实施方式的基板分离工序的图。
图7是示意性地表示基板吸附时的偏向现象的概念图。
图8是表示电子器件的示意图。
图9是表示以往的基板分离工序的图。
附图标记说明
11：成膜装置，22：基板支承单元，221、222：支承部，23：掩模支承单元，24：静电吸盘，241～249：子电极部。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的优选实施方式及实施例进行说明。但是，以下的实施方式及实施例仅是例示性地表示本发明的优选的结构，本发明的范围并不限定于这些结构。另外，以下的说明中的装置的硬件结构和软件结构、处理流程、制造条件、尺寸、材质、形状等只要没有特别特定的记载，就并非旨在将本发明的范围仅限定于此。
本发明能够应用于使各种材料堆积于基板的表面而进行成膜的装置，能够优选地应用于通过真空蒸镀形成所期望的图案的薄膜(材料层)的装置。作为基板的材料，能够选择玻璃、高分子材料的膜、金属等任意的材料，基板例如也可以是在玻璃基板上层叠有聚酰亚胺等的膜的基板。另外，作为蒸镀材料，也可以选择有机材料、金属性材料(金属、金属氧化物等)等任意的材料。此外，除了以下的说明中说明的真空蒸镀装置之外，也能够将本发明应用于包括溅射装置、CVD(Chemical Vapor Deposition)装置在内的成膜装置。具体而言，本发明的技术能够应用于有机电子器件(例如，有机发光元件、薄膜太阳能电池)、光学部件等的制造装置。在这其中，通过使蒸镀材料蒸发并经由掩模蒸镀到基板上而形成有机发光元件的有机发光元件的制造装置是本发明的优选应用例之一。
＜电子器件的制造装置＞
图1是示意性地表示电子器件的制造装置的一部分结构的俯视图。
图1的制造装置例如用于智能手机用的有机EL显示装置的显示面板的制造。在智能手机用的显示面板的情况下，例如，在对第4.5代的基板(约700mm×约900mm)、第6代的全尺寸(约1500mm×约1850mm)或半切尺寸(约1500mm×约925mm)的基板进行了用于形成有机EL元件的成膜之后，切取该基板而制作成多个小尺寸的面板。
电子器件的制造装置一般而言包括多个集群装置1和将集群装置之间相连的中继装置。
集群装置1具备对基板S进行处理(例如成膜)的多个成膜装置11、收纳使用前后的掩模M的多个掩模储备装置12、以及配置于其中央的输送室13。如图1所示，输送室13与多个成膜装置11及掩模储备装置12分别连接。
在输送室13内配置有输送基板和掩模的输送机器人14。输送机器人14从配置于上游侧的中继装置的通路室15向成膜装置11输送基板S。另外，输送机器人14在成膜装置11与掩模储备装置12之间输送掩模M。输送机器人14例如是具有在多关节臂安装有保持基板S或掩模M的机械手的构造的机器人。
在成膜装置11(也称为蒸镀装置)中，收纳于蒸发源的蒸镀材料由加热器加热而蒸发，经由掩模蒸镀到基板上。与输送机器人14的基板S的交接、基板S与掩模M的相对位置的调整(对准)、基板S向掩模M上的固定、成膜(蒸镀)等一系列的成膜工艺由成膜装置11进行。
在掩模储备装置12中，成膜装置11的成膜工序要使用的新的掩模和已使用的掩模分开收纳在两个盒体中。输送机器人14将已使用的掩模从成膜装置11输送到掩模储备装置12的盒体，将收纳于掩模储备装置12的其他盒体的新的掩模输送到成膜装置11。
在集群装置1连结有通路室15和缓冲室16，该通路室15将来自基板S的流动方向上上游侧的基板S传递到该集群装置1，该缓冲室16用于将在该集群装置1中已完成成膜处理的基板S传递到下游侧的其他集群装置。输送室13的输送机器人14从上游侧的通路室15接收基板S，将其输送到该集群装置1内的成膜装置11之一(例如，成膜装置11a)。另外，输送机器人14从多个成膜装置11之一(例如，成膜装置11b)接收该集群装置1中的成膜处理已完成的基板S，将其输送到与下游侧连结的缓冲室16。
在缓冲室16与通路室15之间设置有改变基板的朝向的回旋室17。在回旋室17设置有用于从缓冲室16接收基板S并使基板S旋转180°、将其输送到通路室15的输送机器人18。由此，在上游侧的集群装置和下游侧的集群装置之间基板S的朝向变得相同，基板处理变得容易。
通路室15、缓冲室16、回旋室17是将集群装置之间连结的所谓的中继装置，设置于集群装置的上游侧及/或下游侧的中继装置包括通路室、缓冲室、回旋室中的至少1个。
成膜装置11、掩模储备装置12、输送室13、缓冲室16、回旋室17等在有机发光元件的制造过程中维持为高真空状态。通路室15通常维持为低真空状态，但根据需要也可以维持为高真空状态。
在本实施例中，参照图1，说明了电子器件的制造装置的结构，但本发明并不限定于此，可以具有其他种类的装置、腔室，这些装置、腔室之间的配置也可以改变。
以下，说明成膜装置11的具体的结构。
＜成膜装置＞
图2是表示成膜装置11的结构的示意图。在以下的说明中，使用将铅垂方向设为Z方向的XYZ直角坐标系。在成膜时基板S固定为与水平面(XY平面)平行的情况下，将基板S的宽度方向(与短边平行的方向)设为X方向，将长度方向(与长边平行的方向)设为Y方向。另外，用θ表示绕Z轴的旋转角。
成膜装置11包括：真空容器21，其维持为真空环境或氮气等非活性气体环境；基板支承单元22，其设置于真空容器21的内部；掩模支承单元23；静电吸盘24；以及蒸发源25。
基板支承单元22是接收并保持由设置于输送室13的输送机器人14输送来的基板S的部件，也称为基板保持件。基板支承单元22包括支承基板的下表面的周缘部的支承部。基板支承单元22的支承部的详细结构将在之后叙述。
在基板支承单元22的下方设置有掩模支承单元23。掩模支承单元23是接收并保持由设置于输送室13的输送机器人14输送来的掩模M的部件，也称为掩模保持件。
掩模M具有与要形成在基板S上的薄膜图案对应的开口图案，载置在掩模支承单元23之上。特别是，为了制造智能手机用的有机EL元件所使用的掩模是形成有微细的开口图案的金属制的掩模，也称为FMM(Fine Metal Mask)。
在基板支承单元22的上方设置有用于通过静电引力吸附并固定基板的静电吸盘24。静电吸盘24具有在电介质(例如，陶瓷材质)基体内埋设有金属电极等电路的构造。静电吸盘24可以是库仑力类型的静电吸盘，也可以是约翰逊·拉别克力类型的静电吸盘，也可以是梯度力类型的静电吸盘。静电吸盘24优选为梯度力类型的静电吸盘。通过使静电吸盘24为梯度力类型的静电吸盘，即使在基板S是绝缘性基板的情况下，也能够通过静电吸盘24良好地进行吸附。在静电吸盘24是库仑力类型的静电吸盘的情况下，当向金属电极施加正(+)和负(－)的电位时，通过电介质基体在基板S等被吸附体上感应出与金属电极相反极性的极化电荷，通过它们之间的静电引力将基板S吸附固定于静电吸盘24。
静电吸盘24可以由一个板形成，也可以形成为具有多个子板。另外，在由一个板形成的情况下，也可以在其内部包含多个电路，控制为在一个板内根据位置不同而静电引力不同。也就是说，静电吸盘能够根据埋设的电路的构造而分为多个吸附部模块。对于静电吸盘24的吸附部的结构以及吸附电压施加的控制方式的详细情况，也将与基板支承单元22的支承部的动作控制一起在之后叙述。
在静电吸盘24的上部，虽未示出，但能够设置磁力施加部件，该磁力施加部件用于在成膜时对掩模M施加磁力，将掩模M向基板S侧吸引而使其紧贴于基板S。作为磁力施加部件的磁体，能够由永磁体或电磁体构成，能够划分为多个模块。
另外，虽在图2中未图示，但也可以通过在静电吸盘24的吸附面的相反侧设置抑制基板S的温度上升的冷却机构(例如，冷却板)来抑制堆积在基板S上的有机材料的变质、劣化。冷却板也能够与上述磁体一体形成。
蒸发源25包括收纳要在基板上成膜的蒸镀材料的坩埚(未图示)、用于加热坩埚的加热器(未图示)、在从蒸发源的蒸发率变得恒定之前阻止蒸镀材料向基板飞散的挡板(未图示)等。蒸发源25能够根据用途而具有多种多样的结构，如点(point)蒸发源、线状(linear)蒸发源等。
虽在图2中未图示，但成膜装置11包括用于测定在基板上蒸镀的膜的厚度的膜厚监视器(未图示)和膜厚计算单元(未图示)。
在真空容器21的上部外侧(大气侧)设置有基板Z致动器26、掩模Z致动器27、静电吸盘Z致动器28、位置调整机构29等。这些致动器和位置调整机构例如由马达和滚珠丝杠、或者马达和线性导向件等构成。基板Z致动器26是用于使基板支承单元22升降(Z方向移动)的驱动部件。通过基板Z致动器26的驱动而进行的基板支承单元22的升降控制的详细情况将在之后叙述。掩模Z致动器27是用于使掩模支承单元23升降(Z方向移动)的驱动部件。静电吸盘Z致动器28是用于使静电吸盘24升降(Z方向移动)的驱动部件。
位置调整机构29是用于对静电吸盘24与基板S及/或基板S与掩模M之间的位置偏移进行调整(对准)的驱动部件。也就是说，位置调整机构29是用于相对于基板支承单元22及掩模支承单元23而使静电吸盘24在与水平面平行的面内在X方向、Y方向、θ方向中的至少一个方向上相对移动/旋转的水平驱动机构。此外，在本实施方式中，将位置调整机构构成为基板支承单元22及掩模支承单元23在水平面内的移动固定，使静电吸盘24在X、Y、θ方向上移动，但本发明并不限定于此，也可以将位置调整机构构成为静电吸盘24沿水平方向的移动固定，使基板支承单元22和掩模支承单元23在XYθ方向上移动。
在真空容器21的外侧上表面，除了上述的驱动机构之外，设置有对准用相机20a、20b，该对准用相机20a、20b用于经由设置于真空容器21的上表面的透明窗，对形成于基板S和掩模M的对准标记进行拍摄。通过从由对准用相机20a、20b拍摄的图像中识别基板S上的对准标记和掩模M上的对准标记，能够测量各自的XY位置、在XY面内的相对偏移。
基板S与掩模M之间的对准能够实施粗略地进行位置对齐的第1位置调整工序即第1对准(也称为“粗对准(rough alignment)”)和高精度地进行位置对齐的第2位置调整工序即第2对准(也称为“精对准(fine alignment)”)这2个阶段的对准。在该情况下，可以使用低分辨率但宽视野的第1对准用的相机20a和窄视野但高分辨率的第2对准用的相机20b这2种相机。对于基板S和掩模120的每一个，用2台第1对准用相机20a测定标附在相向的一对边的2处的对准标记，用4台第2对准用相机20b测定标附在基板S及掩模120的四个角的对准标记。对准标记及其测定用相机的数量没有特别限定，例如，在精对准的情况下，也可以用2台相机测定标附在基板S及掩模120的相向的两个角的标记。
成膜装置11具备控制部(未图示)。控制部具有基板S的输送及对准、蒸发源25的控制、成膜的控制等功能。控制部例如能够由具有处理器、内存、存储器、I/O等的计算机构成。在该情况下，控制部的功能通过处理器执行存储于内存或存储器的程序来实现。作为计算机，可以使用通用的个人计算机，也可以使用嵌入式计算机或PLC(programmable logiccontroller)。或者，也可以由ASIC、FPGA这样的电路构成控制部的一部分或全部功能。另外，可以按每个成膜装置设置控制部，也可以构成为一个控制部控制多个成膜装置。
＜基板支承单元＞
基板支承单元22包括支承基板的下表面的周缘部的支承部。图3是从铅垂方向(Z方向)上方观察基板支承单元22的俯视图，为了便于理解，示出了基板S载置并支承在基板支承单元22上的情形，除此之外，配置于基板S上部的静电吸盘24、基板Z致动器26等驱动机构等省略图示。
如示出的这样，构成基板支承单元22的支承部包括能够分别独立地进行升降控制的支承部221、222，这些支承部221、222设置为支承基板S的相向的两个边的周缘部。具体而言，沿着基板S的相向的两个边中的一侧边(例如，第1长边)设置第1支承部221，沿着另一侧边(第2长边)设置第2支承部222。图3图示了第1支承部221和第2支承部222分别由在该边的方向上延伸得长的一个支承构件构成的结构，但第1支承部221和第2支承部222也可以沿着该边的方向配置多个支承构件，分别构成第1支承部221和第2支承部222。
用于使基板支承单元22在Z轴方向上升降驱动的驱动机构即上述的基板Z致动器26与这些各基板支承部221、222对应地设置。也就是说，在与基板S的相向的两个长边对应的位置设置2个基板Z致动器，与分别对应的基板支承部221、222连结。而且，这些各基板Z致动器由控制部控制为能够使对应的各基板支承部221、222分别独立地升降。
＜静电吸盘24的吸附部的结构＞
参照图4a～图4c说明本发明的一实施方式的静电吸盘的吸附部的结构。
图4a是本实施方式的静电吸盘系统30的概念性的框图，图4b是静电吸盘24的示意性的俯视图，图4c是静电吸盘24的示意性的俯视图。
如图4a所示，本实施方式的静电吸盘系统30包括静电吸盘24、电压施加部31、以及电压控制部32。
电压施加部31对静电吸盘24的电极部施加用于产生静电引力的电压。
电压控制部32根据静电吸盘系统30的吸附及分离工序或成膜装置11的成膜工序的进展，控制由电压施加部31施加于电极部的电压的大小、电压的施加开始时刻、电压的维持时间、电压的施加顺序等。电压控制部32例如能够将向静电吸盘24的电极部所包含的多个子电极部241～249的电压施加按子电极部独立地进行控制。在本实施方式中，电压控制部32在成膜装置11的控制部之外另外实现，但本发明并不限定于此，也可以与成膜装置11的控制部统合。
静电吸盘24包括产生用于将被吸附体(例如，基板S)吸附于吸附面的静电吸附力的电极部，电极部能够包括多个子电极部241～249。例如，如图4c所示，本实施方式的静电吸盘24包括沿着静电吸盘24的长度方向(Y方向)及/或静电吸盘24的宽度方向(X方向)分割的多个子电极部241～249。
各个子电极部包括为了产生静电吸附力而被施加正(第1极性)和负(第2极性)的电位的电极对33。例如，各个电极对33包括被施加正电位作为基板吸附电压的第1电极331和被施加负电位作为基板吸附电压的第2电极332。施加基板分离电压是指，将与基板吸附电压相同极性且绝对值小的电压、或与基板吸附电压不同极性的电压施加于第1电极331和第2电极332。使第1电极331与第2电极332的电位差为0也是施加基板分离电压的一例。该情况也称为使基板吸附电压断开。
如图4c所示，第1电极331和第2电极332分别具有梳形。例如，第1电极331和第2电极332分别包括多个梳齿部和与多个梳齿部连结的基部。各电极331、332的基部向梳齿部供给电位，多个梳齿部在与被吸附体之间产生静电吸附力。在一个子电极部中，第1电极331的各梳齿部以与第2电极332的各梳齿部相向的方式交替配置。这样，设为各电极331、332的各梳齿部相向且相互错杂的结构，从而能够缩小被施加不同电位的电极之间的间隔，能够形成大的不均匀电场，通过梯度力吸附基板S。
在本实施例中，说明了静电吸盘24的子电极部241～249的各电极331、332具有梳形，但本发明并不限定于此，只要能够在与被吸附体之间产生静电引力，则能够具有多种多样的形状。
本实施方式的静电吸盘24具有与多个子电极部对应的多个吸附部。例如，如图4c所示，本实施例的静电吸盘24具有与9个子电极部241～249对应的9个吸附部，但并不限定于此，为了更精细地控制基板S的吸附，也可以具有其他个数的吸附部。
多个吸附部可以通过在物理上使一个板具有多个电极部而实现，也可以通过在物理上使分割的多个板分别具有一个或一个以上的电极部而实现。在图4c所示的实施例中，可以以多个吸附部分别与多个子电极部分别对应的方式实现，也可以以一个吸附部包括多个子电极部的方式实现。
例如，通过电压控制部32对向子电极部241～249的电压施加进行控制，从而如后所述，能够使在与基板S的吸附进行方向(X方向)交叉的方向(Y方向)上配置的3个子电极部241、244、247形成一个吸附部。即，3个子电极部241、244、247分别能够独立地进行电压控制，但通过控制成向这3个子电极部241、244、247同时施加电压，能够使这3个电极部241、244、247作为一个吸附部发挥功能。只要能够对多个吸附部分别独立地进行基板的吸附，则其具体的物理构造以及电路构造可以改变。
＜从静电吸盘24的基板S分离工序＞
以下，参照图5说明本发明的一实施方式的基板分离的结构。
本发明的特征在于，在使基板从静电吸盘分离时，使施加于静电吸盘的吸附电压按吸附区域依次断开(OFF)(或按吸附区施加分离电压)，且使该静电吸盘的吸附区域的控制与基板支承部的驱动控制相互连动。具体而言，特征在于，通过在使基板支承部与基板接触的状态下控制静电吸盘的吸附区域而从一侧的区域开始部分地分离，按照该分离时机，使基板支承部也从开始分离的一侧起依次下降。
图5图示了基于这样的静电吸盘的吸附区域的控制与基板支承部的驱动控制的相互连动，使基板S从一侧的周缘部朝向相向的另一侧的周缘部依次分离的详细工序。在此，以沿着静电吸盘24的长边方向(Y方向)配置的3个子电极部241、244、247构成第1吸附部(C1)、静电吸盘24的中央部的3个子电极部242、245、248构成第2吸附部(C2)、剩余的3个子电极部243、246、249构成第3吸附部(C3)为前提进行说明。
在向静电吸盘24的整个吸附区域(第1吸附部C1、第2吸附部C2、第3吸附部C3)施加基板吸附电压(ΔV1)而使基板S的整个面吸附于静电吸盘24、两侧的基板支承部221、222双方都上升并与基板S的两侧周缘部接触的状态下(图5的(a))，电压控制部32使施加于配置在与第1支承部221对应的位置的静电吸盘24的子电极部、即构成第1吸附部(C1)的3个子电极部241、244、247的基板吸附电压(ΔV1)断开(图5的(b))。由此，从与第1吸附部(C1)对应的基板S的一侧周缘部开始部分地分离。按照该分离开始时机，使支承基板S的该周缘部的第1支承部221下降。
接下来，电压控制部32进行控制，以使施加于构成第2吸附部(C2)的静电吸盘24的中央部的3个子电极部242、245、248的基板吸附电压(ΔV1)断开，由此，从一侧周缘部开始的基板分离朝向相向的另一侧周缘部进行直至与包含基板S的中央部的基板S的大致一半相当的区域为止(图5的(c))。
最后，电压控制部32进行控制，以使施加于构成第3吸附部(C3)的3个子电极部243、246、249的基板吸附电压(ΔV1)断开，由此，按照与第3吸附部(C3)对应的另一侧周缘部处的基板分离开始的时机，使支承基板S的另一侧周缘部的第2支承部222下降(图5的(d))。由此，基板分离完成。
图5的各左侧附图是表示以上的分离进行过程的剖视图，图5的各右侧附图是概念性地表示以上的各电压施加阶段中的基板S的分离状态的俯视图(从静电吸盘24侧观察的俯视图)。用斜线表示各阶段中的基板吸附区域。
这样，在本发明的一实施方式中，在使基板从静电吸盘分离时，使静电吸盘的吸附区域与基板支承部的驱动相互连动地进行控制，从而能够顺利地使其分离以避免基板破损，分离所花费的时间也能够缩短。
图6是用于说明本发明的另一实施方式的基板分离的结构的图。
在本实施方式中，将以上说明的基板分离时的静电吸盘的吸附区域以及基板支承部的驱动控制与基板吸附时的吸附进行方向相关联地进行设定。
也就是说，在上述的实施方式中，主要说明了基板分离工序，但在基板吸附时，也同样能够通过静电吸盘的吸附区域的控制、或基板支承部的驱动控制、或这双方的控制，从一侧的区域朝向另一侧的区域依次吸附基板。
例如，在使基板S吸附于静电吸盘24时，能够在向静电吸盘24施加了吸附电压的状态下，使基板支承部221、222中的第1支承部221先上升而从由第1支承部221支承的基板S的一侧周缘部先开始吸附，接下来，使相向的另一侧的第2支承部222上升，使吸附经过基板S的中央部朝向另一侧周缘部进行。
另外，与基板分离时同样地，也能够通过使要施加于静电吸盘24的基板吸附电压按各吸附区域(第1吸附部C1、第2吸附部C2、第3吸附部C3)依次施加，从基板S的一侧朝向另一侧依次进行吸附，也能够使这样的吸附电压的按区域施加与上述的基板支承部的驱动控制连动。
图6的(a)～图6的(c)示出了通过这样的过程，在基板S的一侧周缘部(第1吸附部C1)开始吸附(图6的(a))，经过基板S的中央部(第2吸附部C2)(图6的(b))，直至相反侧的另一侧周缘部(第3吸附部C3)为止进行吸附(图6的(c))的工序。
图6的(d)～图6的(f)图示了在对这样完成吸附的基板S进行了成膜之后使基板S从静电吸盘24再次分离的工序，如上述的实施方式中说明的那样，将断开施加于静电吸盘24的基板吸附电压(ΔV1)的控制按吸附区域依次进行控制，并且控制成按照该基板分离的时机，使分离开始的一侧的基板支承部先降下，之后，使另一侧的基板支承部下降。
该基板分离时的静电吸盘24的吸附区域的控制以及与其连动的基板支承部221、222的驱动控制的基本动作与上述的实施方式相同，因此其详细情况省略说明。在本实施方式中要注意的是将基板分离时的静电吸盘的吸附区域以及基板支承部的驱动控制的进行方向设定为与基板吸附时的吸附进行方向相反的方向这点。即，如图6的(d)～图6的(f)所示，在基板分离时，进行各吸附区域和基板支承部的驱动控制，以便在图6的(a)～图6的(c)的吸附进行方向(从由第1支承部221支承的基板S的一侧区域朝向由第2支承部222支承的基板S的另一侧区域的方向)的相反方向(从由第2支承部222支承的基板S的另一侧区域朝向由第1支承部221支承的基板S的一侧区域的方向)上进行分离。
在吸附基板时，通过静电吸盘的吸附区域的控制或基板支承部的依次驱动而从一侧的区域朝向另一侧的区域依次吸附基板的情况下，由于存在于基板中央部的挠曲的影响，基板有可能以偏向吸附进行方向的状态吸附于静电吸盘。图7是示意性地表示这样的偏向现象的概念图。若基板的位置产生这样的偏向，则下一工序即与掩模的对准工序中的移动量增加，或者在偏向过度的情况下，在向以后的工序的输送过程等中基板也有可能掉落。
在本实施方式中，通过将基板分离时的吸附区域以及基板支承部的驱动控制设为与进行吸附相反的方向，能够消除基板吸附时可能产生的基板的偏向。也就是说，通过使分离为吸附的相反方向，使向静电吸盘24吸附时产生的向吸附进行方向的偏向在分离时向相反方向还原，能够使从静电吸盘分离的基板在基板支承部上无偏向地载置于原来的位置。因此，根据本实施方式，能够防止因基板的偏向导致的对准移动量的增加、基板掉落等。
＜成膜工艺＞
以下，说明使用了本实施方式的成膜装置的成膜方法。
在掩模M支承于真空容器21内的掩模支承单元23的状态下，基板S被送入真空容器21内。通过以上说明的基板吸附工序，使基板S吸附于静电吸盘24。接下来，在进行了基板S与掩模M的对准之后，若基板S与掩模M的相对位置偏移量比规定的阈值小，则使磁力施加部件下降，使基板S与掩模M紧贴之后，将成膜材料在基板S上进行成膜。在形成为所期望的厚度之后，使磁力施加部件上升，使掩模M分离，通过以上说明的基板分离工序使基板S从静电吸盘24分离之后，将其送出。
＜电子器件的制造方法＞
下面，说明使用了本实施方式的成膜装置的电子器件的制造方法的一例。以下，作为电子器件的例子而例示有机EL显示装置的结构及制造方法。
首先，说明要制造的有机EL显示装置。图8的(a)是有机EL显示装置60的整体图，图8的(b)表示1像素的截面构造。
如图8的(a)所示，在有机EL显示装置60的显示区域61以矩阵状配置有多个具备多个发光元件的像素62。详细情况将在之后说明，但发光元件分别具有具备被一对电极夹着的有机层的构造。此外，在此所说的像素是指，在显示区域61中能够进行所期望的颜色的显示的最小单位。在本实施例的有机EL显示装置的情况下，通过显示出互不相同的发光的第1发光元件62R、第2发光元件62G、第3发光元件62B的组合构成像素62。像素62往往由红色发光元件、绿色发光元件以及蓝色发光元件的组合构成，但也可以是黄色发光元件、青色发光元件以及白色发光元件的组合，只要为至少1种颜色以上，就没有特别限制。
图8的(b)是图8的(a)的A-B线的局部剖视示意图。像素62具有在基板63上具备阳极64、空穴传输层65、发光层66R、66G、66B中的任一个、电子传输层67以及阴极68的有机EL元件。其中，空穴传输层65、发光层66R、66G、66B、电子传输层67相当于有机层。另外，在本实施方式中，发光层66R是发出红色的有机EL层，发光层66G是发出绿色的有机EL层，发光层66B是发出蓝色的有机EL层。发光层66R、66G、66B分别形成为与发出红色、绿色、蓝色的发光元件(也有时描述为有机EL元件)对应的图案。另外，阳极64按每个发光元件分离地形成。空穴传输层65、电子传输层67以及阴极68可以与多个发光元件62R、62G、62B通用地形成，也可以按每个发光元件形成。此外，为了防止阳极64和阴极68因异物而短路，在阳极64之间设置有绝缘层69。并且，由于有机EL层会因水分、氧而劣化，因此，设置有用于保护有机EL元件不受水分、氧的影响的保护层70。
在图8的(b)中，用一个层表示空穴传输层65、电子传输层67，但也可以根据有机EL显示元件的构造，由包括空穴阻挡层、电子阻挡层的多个层形成。另外，也能够在阳极64与空穴传输层65之间形成具有能带构造的空穴注入层，以能够使空穴从阳极64顺利地向空穴传输层65注入。同样地，能够在阴极68与电子传输层67之间也形成电子注入层。
下面，具体说明有机EL显示装置的制造方法的例子。
首先，准备形成有用于驱动有机EL显示装置的电路(未图示)和阳极64的基板63。
在形成有阳极64的基板63上通过旋涂形成丙烯酸树脂，利用光刻法以在形成有阳极64的部分形成开口的方式将丙烯酸树脂形成图案而形成绝缘层69。该开口部相当于发光元件实际发光的发光区域。
将绝缘层69形成图案的基板63送入第1有机材料成膜装置，通过基板保持单元和静电吸盘保持基板，将空穴传输层65作为通用的层在显示区域的阳极64上成膜。空穴传输层65通过真空蒸镀进行成膜。实际上空穴传输层65形成为比显示区域61大的尺寸，因此，不需要高精细的掩模。
接下来，将形成至空穴传输层65的基板63送入第2有机材料成膜装置，通过基板保持单元和静电吸盘进行保持。进行基板与掩模的对准，将基板载置在掩模上，在基板63的配置发出红色的元件的部分形成发出红色的发光层66R。
与发光层66R的成膜同样地，通过第3有机材料成膜装置形成发出绿色的发光层66G，然后通过第4有机材料成膜装置形成发出蓝色的发光层66B。在发光层66R、66G、66B的成膜完成之后，通过第5成膜装置在整个显示区域61形成电子传输层67。电子传输层67作为通用的层而形成于3色的发光层66R、66G、66B。
使形成至电子传输层67的基板移动到金属性蒸镀材料成膜装置而形成阴极68。
之后，移动到等离子CVD装置而形成保护层70，有机EL显示装置60完成。
从将绝缘层69形成图案的基板63送入成膜装置起直到保护层70的成膜完成为止，若暴露在包含水分、氧的环境中，则由有机EL材料构成的发光层有可能因水分、氧而劣化。因此，在本例中，成膜装置之间的基板的送入送出在真空环境或非活性气体环境下进行。
上述实施例表示本发明的一例，从而本发明不限定于上述实施例的结构，也可以在其技术思想的范围内适宜变形。

Claims (18)

1.一种成膜装置，经由掩模在基板上对成膜材料进行成膜，其特征在于，所述成膜装置具备：
第1基板支承部，其配置于腔室内，支承所述基板的第1边的周缘部；
第2基板支承部，其配置于所述腔室内，支承所述基板的与所述第1边相向的第2边的周缘部；
基板吸附部件，其配置于所述腔室内的所述第1基板支承部及第2基板支承部的上方，用于吸附所述基板；以及
控制部，
所述控制部在所述基板从所述基板吸附部件分离时，进行控制，以使所述第1基板支承部和所述第2基板支承部依次下降。
2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述控制部对所述基板吸附部件进行控制，以便从所述第1边的周缘部朝向所述第2边的周缘部依次进行分离，并且进行控制，以便按照在所述第1边的周缘部进行分离的时机使所述第1基板支承部先下降，之后，按照在所述第2边的周缘部进行分离的时机使所述第2基板支承部下降。
3.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述基板吸附部件是通过施加于吸附区域的吸附电压来吸附所述基板的静电吸盘，作为所述吸附区域，具有能够独立地控制所述吸附电压的施加状态的分割的多个吸附区域，
所述控制部在所述基板的分离时，进行控制，以使施加于所述多个吸附区域的所述吸附电压在从所述第1边的周缘部朝向所述第2边的周缘部的方向上依次断开。
4.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述控制部在向所述基板吸附部件吸附所述基板时，对所述基板吸附部件或所述第1基板支承部及第2基板支承部进行控制，以便从所述第2边的周缘部朝向所述第1边的周缘部依次进行吸附。
5.根据权利要求4所述的成膜装置，其特征在于，
所述基板吸附部件是通过施加于吸附区域的吸附电压来吸附所述基板的静电吸盘，作为所述吸附区域，具有能够独立地控制所述吸附电压的施加状态的分割的多个吸附区域，
所述控制部在所述基板的吸附时，进行控制，以便在从所述第2边的周缘部朝向所述第1边的周缘部的方向上依次向所述多个吸附区域施加所述吸附电压。
6.根据权利要求4所述的成膜装置，其特征在于，
所述控制部在所述基板的吸附时，进行控制，以便按照所述第2基板支承部、所述第1基板支承部的顺序使所述第2基板支承部、所述第1基板支承部上升，使所述第2基板支承部比所述第1基板支承部先接近所述基板吸附部件。
7.一种成膜装置，经由掩模在基板上对成膜材料进行成膜，其特征在于，所述成膜装置具备：
第1基板支承部，其配置于腔室内，支承所述基板的第1边的周缘部；
第2基板支承部，其配置于所述腔室内，支承所述基板的与所述第1边相向的第2边的周缘部；以及
基板吸附部件，其配置于所述腔室内的所述第1基板支承部及第2基板支承部的上方，用于通过静电力吸附所述基板，
所述基板吸附部件包括吸附所述第1边的周缘部的第1吸附电极部和吸附所述第2边的周缘部的第2吸附电极部，
在所述基板从所述基板吸附部件分离时，在向所述第1吸附电极部施加了分离电压且向所述第2吸附电极部施加了吸附电压的第1分离状态下，使所述第1基板支承部相对于所述第2基板支承部独立地下降。
8.根据权利要求7所述的成膜装置，其特征在于，
所述第1吸附电极部和所述第2吸附电极部分别包括被施加正电压作为所述吸附电压的第1电极和被施加负电压作为所述吸附电压的第2电极，
施加了所述分离电压的状态包括：向所述第1电极施加了负电压或绝对值比所述吸附电压小的正电压、向所述第2电极施加了正电压或绝对值比所述吸附电压小的负电压的状态；以及在所述第1电极与所述第2电极之间没有电位差的状态。
9.根据权利要求7所述的成膜装置，其特征在于，
在所述第1基板支承部降下之后，在向所述第1吸附电极部和所述第2吸附电极部双方施加了所述分离电压的第2分离状态下，使所述第2基板支承部下降。
10.根据权利要求7所述的成膜装置，其特征在于，
在达到所述第1分离状态之前，在向所述第1吸附电极部和所述第2吸附电极部双方施加了所述吸附电压的吸附状态下，所述第1基板支承部和所述第2基板支承部分别与吸附于所述基板吸附部件的所述基板接触。
11.根据权利要求7所述的成膜装置，其特征在于，
在向所述基板吸附部件吸附所述基板时，向所述第2吸附电极部施加所述吸附电压，之后，向所述第1吸附电极部施加所述吸附电压。
12.根据权利要求10所述的成膜装置，其特征在于，
在向所述第2吸附电极部施加了所述吸附电压之后且向所述第1吸附电极部施加所述吸附电压之前，使所述第2基板支承部相对于所述第1基板支承部独立地上升。
13.根据权利要求12所述的成膜装置，其特征在于，
在向所述第1吸附电极部施加了所述吸附电压之后，使所述第1基板支承部上升。
14.根据权利要求7所述的成膜装置，其特征在于，
所述基板吸附部件包括配置在所述第1吸附电极部与所述第2吸附电极部之间的至少1个第3吸附电极部。
15.一种成膜方法，在成膜装置的腔室内，在基板上对成膜材料进行成膜，其特征在于，所述成膜方法具有：
经由掩模在吸附于基板吸附部件的所述基板上对成膜材料进行成膜的成膜工序；
在所述成膜工序之后，从所述基板的第1边的周缘部朝向所述基板的与所述第1边相向的第2边的周缘部，依次使所述基板从所述基板吸附部件分离的分离工序；以及
按照进行所述第1边的周缘部和所述第2边的周缘部的分离的时机，使支承所述第1边的周缘部的第1基板支承部和支承所述第2边的周缘部的第2基板支承部依次下降的下降工序。
16.一种电子器件的制造方法，其特征在于，使用权利要求15所述的成膜方法来制造电子器件。
17.一种成膜方法，在成膜装置的腔室内，在基板上对成膜材料进行成膜，其特征在于，所述成膜方法具有：
通过向基板吸附部件所具有的、吸附所述基板的第1边的周缘部的第1吸附电极部和吸附所述基板的与所述第1边相向的第2边的周缘部的第2吸附电极部施加吸附电压，将所述基板吸附于所述基板吸附部件的吸附工序；
在所述吸附工序之后，经由掩模在吸附于所述基板吸附部件的所述基板上对成膜材料进行成膜的成膜工序；
在所述成膜工序之后，向所述第1吸附电极部施加分离电极、或者设为不向所述第1吸附电极部施加电压的状态的分离工序；以及
在所述分离工序之后，使支承所述第1边的周缘部的第1基板支承部相对于支承所述第2边的周缘部的第2基板支承部独立地下降的下降工序。
18.一种电子器件的制造方法，其特征在于，使用权利要求17所述的成膜方法来制造电子器件。
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