CN113053602A - 电阻器组件 - Google Patents
电阻器组件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113053602A CN113053602A CN202010770643.XA CN202010770643A CN113053602A CN 113053602 A CN113053602 A CN 113053602A CN 202010770643 A CN202010770643 A CN 202010770643A CN 113053602 A CN113053602 A CN 113053602A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- resistor assembly
- insulating substrate
- resistive layer
- disposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
- H01C1/142—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors the terminals or tapping points being coated on the resistive element
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/02—Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure
- H01C1/034—Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure the housing or enclosure being formed as coating or mould without outer sheath
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/02—Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure
- H01C1/028—Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure the resistive element being embedded in insulation with outer enclosing sheath
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
- H01C1/148—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors the terminals embracing or surrounding the resistive element
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/006—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for manufacturing resistor chips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for manufacturing resistors with envelope or housing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/28—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/003—Thick film resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/001—Mass resistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
本公开提供了一种电阻器组件,所述电阻器组件包括:绝缘基板;电阻层,设置在所述绝缘基板的一个表面上;以及第一端子和第二端子,彼此间隔开地设置在所述绝缘基板上,并且连接到所述电阻层,其中,所述第一端子和所述第二端子中的每个包括内电极层和过孔电极,所述内电极层设置在所述电阻层上,并且所述过孔电极穿透所述电阻层以与所述绝缘基板的所述一个表面和所述内电极层接触。
Description
本申请要求于2019年12月27日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0176428号韩国专利申请的优先权的权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种电阻器组件。
背景技术
电阻器组件是用于实现精确程度的电阻的无源电子组件,并且用于在电子电路中调节电流和降低电压。
在一般电阻器组件的情况下,电阻器膏被涂覆到绝缘基板并被烧结以形成电阻器层,并且电阻值经由激光修整工艺来调节。
此外,由于激光修整工艺期间的热冲击,应力被施加到电阻层,这会导致电阻层的电阻特性劣化。
发明内容
本公开的一方面可提供一种能够容易地减小电阻值的分散的电阻器组件。
根据本公开的一方面,一种电阻器组件包括:绝缘基板;电阻层,设置在所述绝缘基板的一个表面上;以及第一端子和第二端子,彼此间隔开地设置在所述绝缘基板上,并且连接到所述电阻层,其中,所述第一端子和所述第二端子中的每个包括内电极层和过孔电极,所述内电极层设置在所述电阻层之上,并且所述过孔电极穿透所述电阻层以与所述绝缘基板的所述一个表面和所述内电极层接触。
根据本公开的一方面,一种电阻器组件包括:绝缘基板;第一端子和第二端子,设置在所述绝缘基板的相对的端表面上以彼此间隔开;以及电阻层,设置在所述绝缘基板的将所述相对的端表面彼此连接的一个表面上,其中,所述第一端子和所述第二端子中的每个包括:外电极层,设置在所述绝缘基板的所述相对的端表面中的相应一个上并且在所述绝缘基板的所述一个表面上延伸;内电极层,被夹在所述外电极层的延伸部分与所述电阻层之间;以及过孔电极,从所述内电极层延伸以与所述绝缘基板的所述一个表面接触。
附图说明
通过下面结合附图进行的详细描述,将更清楚地理解本公开的以上和其他方面、特征和其他优点,在附图中:
图1是示出根据本公开的示例性实施例1的电阻器组件的示意图;
图2是沿着图1的线I-I'截取的截面图;
图3是示出根据示例性实施例2的电阻器组件并且对应于沿着图1的线I-I'截取的截面的示意图;以及
图4是示出根据示例性实施例3的电阻器组件并且对应于沿着图1的线I-I'截取的截面的示意图。
具体实施方式
在下文中,涉及本公开的元件的术语考虑到各个元件的功能来命名,因此不应被理解为限制本公开的技术要素。如在此使用的,除非上下文另有明确指出,否则单数形式也可包括复数形式。此外,如在此使用的,术语“包括”、“具有”以及他们的同义词表示特定特征、数字、步骤、操作、元件、组件或它们的组合,并且不应被解释为排除一个或多个其他特征、数字、步骤、操作、元件、组件或它们的组合的存在或添加一个或多个其他特征、数字、步骤、操作、元件、组件或它们的组合的可能性。另外,将理解的是,术语“在……上”不一定意味着任意元件定位在基于重力方向的上侧上,而是意味着任意元件定位在目标部分上方或下方。
在整个说明书中,将理解的是,当元件或层被称为“连接到”或“结合到”另一元件或层时,其可被理解为“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层,或者可存在介于中间的元件或层。将进一步理解的是,术语“包括”和/或“包含”表明元件的存在,但不排除存在或添加一个或更多个其他元件。
附图中示出的每个组件的尺寸和厚度是为了便于解释而表示的,并且本公开不必局限于此。
在附图中,表述“W方向”可指“第一方向”或“宽度方向”,表述“L方向”可指“第二方向”或“长度方向”,而表述“T方向”可指“第三方向”或“厚度方向”。
在下文中,现在将参照附图详细描述本公开的示例性实施例。相同或对应的组件被给予相同的附图标记并且将不进一步解释。
图1是示出根据本公开的示例性实施例1的电阻器组件的示意图,并且图2是沿着图1的线I-I'截取的截面图。
基于图1和图2,根据本公开的示例性实施例1的电阻器组件1000包括绝缘层(或绝缘基板)100、电阻层200、保护层G1以及端子300和400,并且还可包括覆盖层G2。端子300和400包括内电极层310和410以及过孔电极320和420。
绝缘基板100可设置为具有预定厚度的板状,并且可包含使在电阻层200中产生的热有效地消散的材料。绝缘基板100可包含诸如氧化铝(Al2O3)的陶瓷绝缘材料,但不限于此。绝缘基板100可包含聚合物材料。作为示例,绝缘基板100可以是通过使铝表面阳极氧化而获得的氧化铝绝缘基板,但不限于此。绝缘基板100可以是烧结氧化铝基板。
电阻层200设置在绝缘基板100的一个表面上。
电阻层200可包含金属、金属合金或金属氧化物。例如,电阻层200可包含铜(Cu)-镍(Ni)合金、Ni-铬(Cr)合金、钌(Ru)氧化物、硅(Si)氧化物和锰(Mn)基合金中的至少一种。例如,电阻层200可利用包含无铅(Pb)合金或无Pb合金氧化物的无铅(Pb)膏形成。
电阻层200可通过厚膜工艺形成。例如,电阻层200可通过丝网印刷法将用于电阻层形成的膏涂覆在绝缘基板100的一个表面上并烧结所述膏而形成,在膏中包含金属、金属合金、金属氧化物等。
保护层G1设置在电阻层200与端子300和400的内电极层310和410之间以保护电阻层200。当在电阻层200上形成通路孔以形成过孔电极320和420时,保护层G1可防止电阻层200破裂或损耗。保护层G1可形成为比电阻层200大,以保护电阻层200。
可通过将用于保护层形成的膏涂覆到绝缘基板100的其上形成有电阻层200的一个表面并烧结所述膏而将保护层G1设置在绝缘基板100的一个表面上。保护层G1可使用包含玻璃的膏形成,使得与绝缘基板100的改善的结合性可防止电阻层200的分离。
第一端子300和第二端子400在绝缘基板100上间隔开并且连接到电阻层200。具体地,第一端子300和第二端子400设置在绝缘基板100的两个端表面上,并因此间隔开,以在长度方向L上彼此面对。
端子300和400包括内电极层310和410、过孔电极320和420以及外电极层330和430。具体地,基于图2的方向,第一端子300包括:第一内电极层310,具有设置在电阻层200之上的第一上电极311和设置在绝缘基板100的下表面上的第一下电极312;第一过孔电极320,穿透电阻层200和保护层G1以与第一上电极311和绝缘层100的上表面接触;以及第一外电极层330。第二端子400包括:第二内电极层410,具有设置在电阻层200之上的第二上电极411和设置在绝缘基板100的下表面上的第二下电极412;第二过孔电极420,穿透电阻层200和保护层G1以与第二上电极411和绝缘层100的上表面接触;以及第二外电极层420。
内电极层310和410可通过将导电膏涂覆在绝缘层100的一个表面和另一表面上然后烧结来形成。用于形成内电极层310和410的导电膏可包含金属粉末、粘合剂和玻璃,其中,金属可以是铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)等。因此,内电极层310和410可包含玻璃和金属。此外,在电阻层200和保护层G1上形成用于过孔电极形成的通路孔之后,执行形成上电极311和411的工艺。此外,形成下电极312和412的工艺可在形成通路孔之前或之后。
过孔电极320和420可通过如下步骤形成:将电阻层200和保护层G1顺序地形成在绝缘基板100上;使用激光工艺形成穿透电阻层200和保护层G1的通路孔;以及利用用于过孔电极形成的导电膏填充通路孔然后烧结导电膏。与使用可固化的导电膏的情况相比,当通过烧结形成过孔电极320和420时,过孔电极320和420可不包含树脂。本示例性实施例的过孔电极320和420是烧结电极。
过孔电极320和420以及上电极311和411可在相同的工艺中形成,因此一体地形成。也就是说,在过孔电极320和420与上电极311和411之间可不形成界面,但是本公开不限于此。
过孔电极320和420的与绝缘基板100接触的一个表面的表面面积可小于过孔电极320和420的与上电极311和411接触的另一表面的表面面积。在这种情况下,可在涉及使绝缘基板100暴露的通路孔形成的工艺期间减少对绝缘基板100的损坏,并且通过增大接触表面面积可改善过孔电极320和420与上电极311和411之间的连接性。
通常,当电阻器组件具有通过厚膜工艺形成的内电极层和电阻层时,电阻值的分散度高,这需要激光修整工艺来减小电阻值的分散。当在激光修整工艺期间执行线性加工时,在电阻层上的相对大的表面面积中执行激光修整工艺,并且激光修整工艺涉及由激光产生的热。因此,电阻层会破裂或损耗,从而增加缺陷百分比。
在本公开的情况下,可通过形成电阻层200并且以相对简单和高精度的方式形成通路孔以及填充通路孔(通路孔形成工艺)来缓解上述问题。也就是说,通过使用具有相对高的精度和相对小的加工表面面积的激光工艺在电阻层200上形成通路孔并且在通路孔中形成过孔电极320和420,可减小电阻值的分散。由于激光的相对高的精度,因此可减小第一过孔电极320和第二过孔电极420之间的距离分散,结果可减小电阻值的分散。这还可使得过孔电极320和420与电阻层200之间的接触表面面积分散减小。
在本示例性实施例中,保护层G1以保护层G1覆盖整个电阻层200的形式设置在内电极层310和410与电阻层200之间。这样,内电极层310和410不与电阻层200接触,并且仅通过过孔电极320和420电连接到电阻层200。也就是说,在本示例性实施例的情况下,端子300和400中的与电阻层200接触的唯一构造是过孔电极320和420。内电极层310和410以及电阻层200通过厚膜工艺形成,因此具有厚度分散、长度分散和表面轮廓分散中的至少一种分散。就这方面而言,当内电极层310和410与电阻层200彼此接触时,电阻值的分散增大。在本示例性实施例的情况下,内电极层310和410与电阻层200通过具有相对均匀的直径和表面面积的过孔电极320和420彼此电连接,而不是使得内电极层310和410与电阻层200接触(其为增大电阻值的分散的因素)。这可用于减小电阻值的分散。
外电极层330和430可通过例如气相沉积法(诸如溅射)、镀覆法、膏印刷等形成。尽管在附图中未示出,当通过镀覆法形成外电极层330和430时,用于形成外电极层330和430的种子层可设置在绝缘基板100的一个表面和另一表面上。种子层可通过无电镀法、诸如溅射等的气相沉积法或印刷法形成。外电极层330和430可包含钛(Ti)、铬(Cr)、钼(Mo)、铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)、锡(Sn)以及它们的合金中的至少一种。
外电极层330和430可形成为多层。作为示例,第一外电极层330可包括第一层和第二层,第一层设置在绝缘基板100的一个侧表面上,并且第二层延伸到绝缘基板100的一个表面和另一表面上以分别覆盖上电极311以及下电极312。第一层可通过印刷包含金属粉末(其中金属是Cu、Ag、Ni等)的膏随后固化或烧结来形成。第一层可通过无电镀法或诸如溅射的气相沉积法形成。第二层可通过镀覆法形成。第二层可具有多层结构(诸如Ni镀层/Sn镀层),但不限于此。
覆盖层G2设置在保护层G1上并且延伸到内电极层310和410的至少一部分上。覆盖层G2与保护层G1一起是用于保护电阻层200免受外部冲击的构造,并且可在形成内电极层310和410之后形成在绝缘基板100上。覆盖层G2可包括可固化树脂。另外,覆盖层G2可通过将包含热塑性树脂和/或光固化树脂的固化膏涂覆到上电极311和411以及保护层G1随后固化来形成。
在一个示例性实施例中,覆盖层G2直接设置在保护层G1上。此外,虽然上面描述了内电极层310、410包括上电极和下电极两者,但是内电极层310、410也可仅包括上电极。此外,外电极层330、430可被省略,或者外电极层330、430可设置在绝缘基板100的相对的端表面上并且在绝缘基板100的连接绝缘基板100的相对的端表面的一个表面上延伸。
图3是示出根据示例性实施例2的电阻器组件并且对应于沿着图1的线I-I'截取的截面的示意图。图4是示出根据示例性实施例3的电阻器组件并且对应于沿着图1的线I-I'截取的截面的示意图。
比较图1至图4,根据示例性实施例2的电阻器组件2000和根据示例性实施例3的电阻器组件3000在保护层G1和覆盖层G2方面与根据示例性实施例1的电阻器组件1000不同。因此,在描述示例性实施例2和3时将仅描述与示例性实施例1的保护层G1和覆盖层G2不同的保护层G1和覆盖层G2。
基于图3,可在根据示例性实施例2的电阻器组件2000中省略保护层(图2的G1),使得覆盖层G2直接设置在电阻层200上。保护层(图2的G1)是用于在通路孔形成期间防止电阻层破裂和损耗的构造;然而,本公开的通路孔以相对较小的表面面积(或体积)形成在电阻层200上,因此,在本示例性实施例中省略了保护层G1。这可用于降低制造成本和工艺数量。
此外,在本示例性实施例的情况下,保护层(图2的G1)没有形成在电阻层200上,结果,上电极311和411以及覆盖层G2可与电阻层200接触。
基于图4,根据示例性实施例3的电阻器组件3000中的保护层G1可被构造为覆盖电阻层200与上电极311和411的重叠区域,并且可与电阻层200上的另一保护层间隔开。具体地,基于图4,第一保护层G1设置在第一上电极311与电阻层200之间,以便覆盖它们之间的重叠区域。第二保护层G1设置在第二上电极411与电阻层200之间,以便覆盖它们之间的重叠区域。第一保护层G1和第二保护层G1彼此间隔开地设置在电阻层200上。此外,由于先前描述的保护层G1的构造,应用于本示例性实施例的覆盖层G2可形成为与上电极311和411、保护层G1和电阻层200接触。这样,覆盖层G2可直接设置在保护层G1的一部分和电阻层200的一部分上。
在本示例性实施例的情况下,在使保护层G1的形成表面面积最小化的同时形成保护层G1,从而降低电阻值的分散以及制造成本。即,在本示例性实施例中,如示例性实施例1中那样,内电极层310和410通过过孔电极320和420间接地连接到电阻层200,从而导致减小的电阻值的分散。另外,保护层G1形成为覆盖上电极311和411与电阻层200之间的重叠区域,从而使形成表面面积最小化。
如上所阐述的,根据本公开,可更容易地减小电阻器组件的电阻值的分散。
虽然上面已经示出和描述了示例性实施例,但是对于本领域技术人员将显而易见的是,在不脱离本发明的由所附权利要求限定的范围的情况下,可做出修改和变化。
Claims (20)
1.一种电阻器组件,包括:
绝缘基板;
电阻层,设置在所述绝缘基板的一个表面上;以及
第一端子和第二端子,彼此间隔开地设置在所述绝缘基板上,并且连接到所述电阻层,
其中,所述第一端子和所述第二端子中的每个包括内电极层和过孔电极,所述内电极层设置在所述电阻层上,并且所述过孔电极穿透所述电阻层以与所述绝缘基板的所述一个表面和所述内电极层接触。
2.根据权利要求1所述的电阻器组件,其中,所述过孔电极的与所述绝缘基板的所述一个表面接触的一个表面的表面面积小于所述过孔电极的与所述内电极层接触的另一表面的表面面积。
3.根据权利要求1所述的电阻器组件,其中,所述过孔电极和所述内电极层一体地形成。
4.根据权利要求1所述的电阻器组件,其中,所述过孔电极不含树脂。
5.根据权利要求1所述的电阻器组件,所述电阻器组件还包括覆盖层,所述覆盖层设置在所述电阻层上并且延伸到所述内电极层的至少一部分上。
6.根据权利要求5所述的电阻器组件,其中,所述覆盖层直接设置在所述电阻层上。
7.根据权利要求5所述的电阻器组件,其中,所述覆盖层包括可固化树脂。
8.根据权利要求1所述的电阻器组件,所述电阻器组件还包括保护层,所述保护层设置在所述电阻层与所述内电极层之间,
其中,所述过孔电极穿透所述电阻层和所述保护层。
9.根据权利要求8所述的电阻器组件,所述电阻器组件还包括覆盖层,所述覆盖层设置在所述保护层上并且延伸到所述内电极层的至少一部分上。
10.根据权利要求9所述的电阻器组件,其中,所述覆盖层直接设置在所述保护层上。
11.根据权利要求8所述的电阻器组件,其中,所述保护层包括彼此间隔开的第一部分和第二部分,所述第一部分设置在所述第一端子的内电极层与所述电阻层之间,并且所述第二部分设置在所述第二端子的内电极层与所述电阻层之间。
12.根据权利要求11所述的电阻器组件,其中,所述第一端子和所述第二端子仅通过所述过孔电极连接到所述电阻层。
13.根据权利要求8所述的电阻器组件,所述电阻器组件还包括覆盖层,所述覆盖层设置在所述保护层和所述电阻层上并且延伸到所述内电极层的至少一部分上。
14.根据权利要求13所述的电阻器组件,其中,所述覆盖层直接设置在所述保护层的一部分和所述电阻层的一部分上。
15.根据权利要求8所述的电阻器组件,其中,所述第一端子和所述第二端子仅通过所述过孔电极连接到所述电阻层。
16.一种电阻器组件,包括:
绝缘基板;
第一端子和第二端子,设置在所述绝缘基板的相对的端表面上以彼此间隔开;以及
电阻层,设置在所述绝缘基板的将所述相对的端表面彼此连接的一个表面上,
其中,所述第一端子和所述第二端子中的每个包括:
外电极层,设置在所述绝缘基板的所述相对的端表面中的相应一个上并且包括在所述绝缘基板的所述一个表面上延伸的延伸部分;
内电极层,被夹在所述外电极层的所述延伸部分与所述电阻层之间;以及
过孔电极,从所述内电极层延伸以与所述绝缘基板的所述一个表面接触。
17.根据权利要求16所述的电阻器组件,其中,所述过孔电极穿透所述电阻层。
18.根据权利要求16所述的电阻器组件,其中,所述过孔电极的靠近所述内电极层的一端的截面积大于所述过孔电极的靠近所述绝缘基板的另一端的截面积。
19.根据权利要求16所述的电阻器组件,所述电阻器组件还包括覆盖层,所述覆盖层设置在所述电阻层上并且延伸到所述内电极层的至少一部分上。
20.根据权利要求16所述的电阻器组件,所述电阻器组件还包括保护层,所述保护层设置在所述电阻层与所述内电极层之间,
其中,所述过孔电极穿透所述电阻层和所述保护层。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190176428A KR102231104B1 (ko) | 2019-12-27 | 2019-12-27 | 저항 부품 |
KR10-2019-0176428 | 2019-12-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113053602A true CN113053602A (zh) | 2021-06-29 |
CN113053602B CN113053602B (zh) | 2022-08-26 |
Family
ID=75223557
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010770643.XA Active CN113053602B (zh) | 2019-12-27 | 2020-08-04 | 电阻器组件 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11094436B2 (zh) |
KR (1) | KR102231104B1 (zh) |
CN (1) | CN113053602B (zh) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020031860A1 (en) * | 2000-04-20 | 2002-03-14 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor and method for manufacturing the same |
CN1395734A (zh) * | 2000-01-17 | 2003-02-05 | 松下电器产业株式会社 | 电阻器及其制造方法 |
US20030127706A1 (en) * | 2001-11-30 | 2003-07-10 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor |
CN208315303U (zh) * | 2018-05-31 | 2019-01-01 | 国巨电子(中国)有限公司 | 薄膜芯片电阻 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6171921B1 (en) * | 1998-06-05 | 2001-01-09 | Motorola, Inc. | Method for forming a thick-film resistor and thick-film resistor formed thereby |
US6272736B1 (en) * | 1998-11-13 | 2001-08-14 | United Microelectronics Corp. | Method for forming a thin-film resistor |
US6860000B2 (en) * | 2002-02-15 | 2005-03-01 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Method to embed thick film components |
JP5543146B2 (ja) * | 2009-07-27 | 2014-07-09 | ローム株式会社 | チップ抵抗器およびチップ抵抗器の製造方法 |
KR101472638B1 (ko) * | 2012-12-31 | 2014-12-15 | 삼성전기주식회사 | 수동소자 내장기판 |
JP2016192509A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | Koa株式会社 | チップ抵抗器 |
JP6495724B2 (ja) * | 2015-04-15 | 2019-04-03 | Koa株式会社 | チップ抵抗器およびその製造方法 |
KR101883039B1 (ko) * | 2016-01-08 | 2018-07-27 | 삼성전기주식회사 | 칩 저항 소자 |
KR20180047411A (ko) * | 2016-10-31 | 2018-05-10 | 삼성전기주식회사 | 저항 소자 및 저항 소자 어셈블리 |
KR102356802B1 (ko) * | 2017-11-28 | 2022-01-28 | 삼성전기주식회사 | 칩 저항기 저항층 형성용 페이스트 및 칩 저항기 |
-
2019
- 2019-12-27 KR KR1020190176428A patent/KR102231104B1/ko active IP Right Grant
-
2020
- 2020-06-02 US US16/889,982 patent/US11094436B2/en active Active
- 2020-08-04 CN CN202010770643.XA patent/CN113053602B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1395734A (zh) * | 2000-01-17 | 2003-02-05 | 松下电器产业株式会社 | 电阻器及其制造方法 |
US20020031860A1 (en) * | 2000-04-20 | 2002-03-14 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor and method for manufacturing the same |
US20030127706A1 (en) * | 2001-11-30 | 2003-07-10 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor |
CN208315303U (zh) * | 2018-05-31 | 2019-01-01 | 国巨电子(中国)有限公司 | 薄膜芯片电阻 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102231104B1 (ko) | 2021-03-23 |
CN113053602B (zh) | 2022-08-26 |
US11094436B2 (en) | 2021-08-17 |
US20210202137A1 (en) | 2021-07-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7098768B2 (en) | Chip resistor and method for making the same | |
US20170202089A1 (en) | Chip resistor element | |
CN107785134B (zh) | 电阻器元件以及电阻器元件组件 | |
JP5225598B2 (ja) | 電子部品およびその製造法 | |
US10643769B2 (en) | Resistor element and resistor element assembly | |
WO2019087725A1 (ja) | チップ抵抗器 | |
CN114388263A (zh) | 电子部件 | |
WO2014109224A1 (ja) | チップ抵抗器 | |
JP2018133554A (ja) | 抵抗素子、その製造方法、並びに抵抗素子アセンブリー | |
CN113053602B (zh) | 电阻器组件 | |
KR20190061946A (ko) | 칩 저항기 저항층 형성용 페이스트 및 칩 저항기 | |
JP7407132B2 (ja) | 抵抗器 | |
CN113597649B (zh) | 片式电阻器 | |
US20210065987A1 (en) | Electronic component and board having the same mounted thereon | |
US11139091B2 (en) | Resistor component | |
KR101771836B1 (ko) | 칩 저항 소자 및 칩 저항 소자 어셈블리 | |
US11862365B2 (en) | Resistor component | |
US11017923B1 (en) | Resistor component | |
WO2023053594A1 (ja) | チップ抵抗器 | |
CN110024055B (zh) | 片式电阻器的制造方法及片式电阻器 | |
US20240212890A1 (en) | Chip resistor | |
CN113130155B (zh) | 电阻器组件 | |
US20230368949A1 (en) | Chip resistor | |
CN115803830A (zh) | 电阻器 | |
KR20180017842A (ko) | 칩 저항 소자 및 칩 저항 소자 어셈블리 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |