CN113046708B - 一种磁场调控纳米阵列结构的制备方法及其应用 - Google Patents
一种磁场调控纳米阵列结构的制备方法及其应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113046708B CN113046708B CN202110181355.5A CN202110181355A CN113046708B CN 113046708 B CN113046708 B CN 113046708B CN 202110181355 A CN202110181355 A CN 202110181355A CN 113046708 B CN113046708 B CN 113046708B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- array structure
- nano
- magnetic field
- etching
- preparing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims abstract description 52
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims abstract description 52
- 239000004005 microsphere Substances 0.000 claims abstract description 50
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 34
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 22
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 46
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 37
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims description 19
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 12
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 12
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 8
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 claims description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 7
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 6
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims description 6
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 claims description 6
- NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K sodium citrate Chemical compound O.O.[Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 6
- 239000001509 sodium citrate Substances 0.000 claims description 6
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 claims description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 5
- 201000007270 liver cancer Diseases 0.000 claims description 4
- 208000014018 liver neoplasm Diseases 0.000 claims description 4
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims 1
- 238000004416 surface enhanced Raman spectroscopy Methods 0.000 abstract description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 3
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 abstract description 2
- 101000674278 Homo sapiens Serine-tRNA ligase, cytoplasmic Proteins 0.000 abstract 1
- 101000674040 Homo sapiens Serine-tRNA ligase, mitochondrial Proteins 0.000 abstract 1
- 102100040516 Serine-tRNA ligase, cytoplasmic Human genes 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 5
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 4
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 4
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 4
- 239000011805 ball Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 239000002077 nanosphere Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- YHWUKNQXVCWKHJ-UHFFFAOYSA-N 5-[[3-carboxy-5-(2,5-dioxopyrrolidin-1-yl)-4-nitrophenyl]disulfanyl]-3-(2,5-dioxopyrrolidin-1-yl)-2-nitrobenzoic acid Chemical compound C=1C(N2C(CCC2=O)=O)=C([N+]([O-])=O)C(C(=O)O)=CC=1SSC(C=C(C=1[N+]([O-])=O)C(O)=O)=CC=1N1C(=O)CCC1=O YHWUKNQXVCWKHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000000427 antigen Substances 0.000 description 1
- 102000036639 antigens Human genes 0.000 description 1
- 108091007433 antigens Proteins 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000003889 chemical engineering Methods 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007123 defense Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000011807 nanoball Substances 0.000 description 1
- 239000007908 nanoemulsion Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000000479 surface-enhanced Raman spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/05—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
- B22F1/054—Nanosized particles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/07—Metallic powder characterised by particles having a nanoscale microstructure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/16—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
- B22F9/18—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds
- B22F9/24—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from liquid metal compounds, e.g. solutions
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y15/00—Nanotechnology for interacting, sensing or actuating, e.g. quantum dots as markers in protein assays or molecular motors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/021—Cleaning or etching treatments
- C23C14/022—Cleaning or etching treatments by means of bombardment with energetic particles or radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/20—Metallic material, boron or silicon on organic substrates
- C23C14/205—Metallic material, boron or silicon on organic substrates by cathodic sputtering
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/65—Raman scattering
- G01N21/658—Raman scattering enhancement Raman, e.g. surface plasmons
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/48—Biological material, e.g. blood, urine; Haemocytometers
- G01N33/50—Chemical analysis of biological material, e.g. blood, urine; Testing involving biospecific ligand binding methods; Immunological testing
- G01N33/53—Immunoassay; Biospecific binding assay; Materials therefor
- G01N33/574—Immunoassay; Biospecific binding assay; Materials therefor for cancer
- G01N33/57407—Specifically defined cancers
- G01N33/57438—Specifically defined cancers of liver, pancreas or kidney
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/48—Biological material, e.g. blood, urine; Haemocytometers
- G01N33/50—Chemical analysis of biological material, e.g. blood, urine; Testing involving biospecific ligand binding methods; Immunological testing
- G01N33/53—Immunoassay; Biospecific binding assay; Materials therefor
- G01N33/574—Immunoassay; Biospecific binding assay; Materials therefor for cancer
- G01N33/57476—Immunoassay; Biospecific binding assay; Materials therefor for cancer involving oncofetal proteins
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2333/00—Assays involving biological materials from specific organisms or of a specific nature
- G01N2333/435—Assays involving biological materials from specific organisms or of a specific nature from animals; from humans
- G01N2333/46—Assays involving biological materials from specific organisms or of a specific nature from animals; from humans from vertebrates
- G01N2333/47—Assays involving proteins of known structure or function as defined in the subgroups
- G01N2333/4701—Details
- G01N2333/471—Pregnancy proteins, e.g. placenta proteins, alpha-feto-protein, pregnancy specific beta glycoprotein
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Immunology (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Urology & Nephrology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Hematology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Pathology (AREA)
- Oncology (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Food Science & Technology (AREA)
- Hospice & Palliative Care (AREA)
- Microbiology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Cell Biology (AREA)
- Biotechnology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Gastroenterology & Hepatology (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Magnetic Means (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
本发明公开了一种磁场调控纳米阵列结构的制备方法及其应用，涉及纳米复合材料微加工技术领域，包括以下制备步骤：（1）清洗硅片；（2）六方密排聚苯乙烯微球阵列结构制备；（3）球状包覆阵列结构制备；（4）周期性纳米孔洞阵列结构制备；（5）银纳米周期阵列制备；（6）纳米阵列结构；本发明纳米阵列结构SERS活性强，灵敏度高，对于新型纳米光子学器件、自标定测量都有积极意义。
Description
技术领域
本发明涉及纳米复合材料微加工技术领域，尤其涉及一种磁场调控纳米阵列结构的制备方法及其应用。
背景技术
表面增强拉曼散射(Surface-enhancement Raman scattering,SERS)是基于粗糙金属表面产生强烈拉曼散射的现象，是一种无损特征性识别的探测方法。SERS技术的光谱不仅具有普通拉曼光谱测量过程中特异性强、不损坏样品等特点，同时具有更高的探测极限，它弥补了传统拉曼信号探测时信号弱的缺点，因此SERS技术作为一种强大的分析工具已经被广泛应用于化学化工、生命科学、国防安全、表面科学等领域。
目前，现有技术中通常采用化学刻蚀等方法进行SERS基底的制备，例如，一种在中国专利文献上公开的“一种纳米金属球碗阵列结构的制备方法”，其公告号CN103626119A，其公开了一种纳米金属球碗阵列结构的制备方法，包括以下步骤：（1）对基片进行亲水性处理；（2）选择直径大小均匀一致的纳米乳胶溶液，利用旋涂法或提拉法在步骤（1）中经过亲水处理的极片上自组装单层紧密排列的纳米球阵列；（3）在步骤（2）所得到的纳米球阵列上，镀金属膜；（4）利用具有粘性、易固化成型或易操作低成本的材料将步骤（3）中表面镀金属膜的纳米阵列从基片上剥离下来；（5）利用具有腐蚀性的有机溶剂或反应离子刻蚀技术将步骤（4）中剥离下来的纳米球去除掉，即获得纳米金属球碗阵列结构。然而，该发明采用化学刻蚀法虽然制备步骤简单，但基底表面微结构均匀性较差，导致SERS光谱的稳定性和重现性较差。
发明内容
本发明是为了克服上述问题，提出了一种磁场调控纳米阵列结构的制备方法及其应用。
为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
一种磁场调控纳米阵列结构的制备方法，包括以下制备步骤：
（1）清洗硅片；
（2）通过自组装的方法制备得到六方密排聚苯乙烯微球阵列结构；
（3）将六方密排聚苯乙烯微球阵列结构进行一次刻蚀制备得到溅射衬底；
（4）将溅射衬底表面进行垂直溅射，得到球状包覆阵列结构；
（5）将溅射完成的球状包覆阵列结构粘结转移到胶带表面；
（6）将胶带置于有机溶剂中进行聚苯乙烯微球溶解；
（7）对溶解后胶带表面纳米阵列结构进行二次刻蚀制备得到周期性纳米孔洞阵列结构；
（8）将周期性纳米孔洞阵列结构置于含银离子溶液中，调节光照促进反应，控制生长在纳米阵列结构表面的银纳米粒子，制备得到银纳米周期阵列；
（9）施加垂直于银纳米周期阵列的磁场，制备得到纳米阵列结构。
本发明在制备过程中，首先利用自组装的方法制备得到六方密排聚苯乙烯微球阵列结构，该阵列结构中每个聚苯乙烯微球周围均匀排列有六个聚苯乙烯微球，随后对聚苯乙烯微球进行刻蚀，使得聚苯乙烯微球的体积缩小到一定程度，为后续的磁控溅射留出空间，从而制备得到溅射衬底，随后对溅射衬底表面进行垂直溅射，得到球状包覆阵列结构，之后将球状包覆阵列结构转移到胶带表面，使得中间小孔朝上，漏出聚苯乙烯微粒，随后用有机溶剂将聚苯乙烯微球溶解，再通过二次蚀刻制备得到了一种中间带有大孔洞，大孔洞周围带有六个大小相同的小孔洞，形同类似于纽扣的高度有序且重复性好呈轴对称的周期性纳米孔洞阵列结构，大孔洞形成是由于胶体粒子与衬底接触使得薄膜不能生长。小孔形成是由于聚苯乙烯微粒相邻部分的阴影效应使局部薄膜生长速度较低，薄膜厚度较小，因此刻蚀使该部分最先被刻穿。随后将周期性纳米孔洞阵列结构置于含银离子溶液中，光照下在表面发生等离激元诱导反应，生成的Ag纳米粒子均匀地分布于小孔洞周围，这是由于促进化学反应的热点及电子在磁场下发生移动。最后在磁场作用下，Ag纳米粒子生长形貌实现纳米尺寸上的移动，由于洛伦兹力作用使得热点集中于周期性纳米孔洞阵列结构的半边，而制备得到纳米阵列结构。
本发明纳米阵列结构SERS活性强，灵敏度高，对于新型纳米光子学器件、自标定测量都有积极意义。
作为优选，步骤（1）中所述清洗硅片为将硅片置于体积比为1:2-3:5-6的氨水、过氧化氢和去离子水的混合溶液中，加热至沸腾5-10min后，冷却，将硅片依次采用去离子水和无水乙醇超声10-20min。
作为优选，步骤（2）所述六方密排聚苯乙烯微球阵列结构中聚苯乙烯微球的直径为200-500nm。
作为优选，步骤（3）中所述一次刻蚀为等离子刻蚀，刻蚀气体为体积比O2:Ar=4-5:1的混合气体，刻蚀后聚苯乙烯微球的直径为180-450nm，聚苯乙烯微球之间的间距为20-50nm。
作为优选，步骤（4）中所述垂直溅射靶材包括金，溅射厚度为310-330nm。
作为优选，步骤（6）中所述有机溶剂为四氢呋喃、二氯甲烷、三氯甲烷、甲苯、二甲基甲酰胺中的一种或几种。
作为优选，步骤（7）中所述二次刻蚀为等离子刻蚀，刻蚀气体为体积比O2:Ar=4-5:1的混合气体，刻蚀时间为3-4min。
本发明将刻蚀后聚苯乙烯微球的直径和间距以及二次刻蚀时间进行严格限定，使得制备得到的周期性纳米孔洞阵列结构中大孔洞直径在100nm左右，孔洞太小，不会形成明显作用的局域电场，对化学反应无明显影响。孔洞太大，则会使整体结构受到破坏。
作为优选，步骤（8）中所述含银离子溶液为0.1-0.5mmol/ml的硝酸银和100-120mmol/ml的柠檬酸钠混合溶液；所述光照光源为620-630nm红光，照射功率为3-5W，光源距离样品的距离为5-15cm，光照反应时间为5-8min。
作为优选，步骤（9）中所述磁场强度为300-500高斯。
一种上述方法制备得到的纳米阵列结构在检测肝癌细胞标志物中的应用。
因此，本发明具有如下有益效果：本发明纳米阵列结构SERS活性强，灵敏度高，对于新型纳米光子学器件、自标定测量都有积极意义。
附图说明
图1是本发明实施例1制备得到的周期性纳米孔洞阵列结构SEM图。
图2是本发明实施例1制备得到的银纳米周期阵列SEM图。
图3是本发明实施例1制备得到的纳米阵列结构SEM图。
图4是本发明对比例1制备得到的周期性纳米孔洞阵列结构SEM图。
图5是本发明对比例2制备得到的周期性纳米孔洞阵列结构SEM图。
图6是本发明实施例1中制备得到的周期性纳米孔洞阵列结构和最终产物纳米阵列结构SERS对比表征图。
图7是本发明实施例1制备得到的纳米阵列结构进行肝癌细胞标志物AFP检测时SERS表征图。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明做进一步的描述。
总实施例：一种磁场调控纳米阵列结构的制备方法，包括以下制备步骤：
（1）将硅片置于体积比为1:2-3:5-6的氨水、过氧化氢和去离子水的混合溶液中，加热至沸腾5-10min后，冷却，将硅片依次采用去离子水和无水乙醇超声10-20min进行硅片清洗；
（2）通过自组装的方法制备得到六方密排聚苯乙烯微球阵列结构，所述六方密排聚苯乙烯微球阵列结构中聚苯乙烯微球的直径为200-500nm；
（3）将六方密排聚苯乙烯微球阵列结构进行一次刻蚀，刻蚀气体为体积比O2:Ar=4-5:1的混合气体，制备得到溅射衬底制备得到溅射衬底；刻蚀后聚苯乙烯微球的直径为180-450nm，聚苯乙烯微球之间的间距为20-50nm；
（4）将溅射衬底表面进行垂直溅射金，溅射厚度为310-330nm，得到球状包覆阵列结构；
（5）将溅射完成的球状包覆阵列结构粘结转移到胶带表面；
（6）将胶带置于有机溶剂中进行聚苯乙烯微球溶解；所述有机溶剂为四氢呋喃、二氯甲烷、三氯甲烷、甲苯、二甲基甲酰胺中的一种或几种
（7）对溶解后胶带表面纳米阵列结构进行二次刻蚀，刻蚀气体为体积比O2:Ar=4-5:1的混合气体，刻蚀时间为3-4min，制备得到周期性纳米孔洞阵列结构；
（8）将周期性纳米孔洞阵列结构置于0.1-0.5mmol/ml的硝酸银和100-120mmol/ml的柠檬酸钠混合溶液中，调节光照，光照光源为620-630nm红光，照射功率为3-5W，光源距离样品的距离为5-15cm，光照反应时间为5-8min，控制生长在纳米阵列结构表面的银纳米粒子，制备得到银纳米周期阵列；
（9）施加300-500高斯、垂直于银纳米周期阵列的磁场，制备得到纳米阵列结构。
实施例1：一种磁场调控纳米阵列结构的制备方法，包括以下制备步骤：
（1）将硅片置于体积比为1:2:6的氨水、过氧化氢和去离子水的混合溶液中，加热至沸腾5min后，冷却，将硅片依次采用去离子水和无水乙醇超声20min进行硅片清洗；
（2）通过自组装的方法制备得到六方密排聚苯乙烯微球阵列结构，所述六方密排聚苯乙烯微球阵列结构中聚苯乙烯微球的直径为500nm；
（3）将六方密排聚苯乙烯微球阵列结构进行一次刻蚀，刻蚀气体为体积比O2:Ar=4:1的混合气体，制备得到溅射衬底制备得到溅射衬底；刻蚀后聚苯乙烯微球的直径为460nm，聚苯乙烯微球之间的间距为20nm；
（4）将溅射衬底表面进行垂直溅射金，溅射厚度为320nm，得到球状包覆阵列结构；
（5）将溅射完成的球状包覆阵列结构粘结转移到胶带表面；
（6）将胶带置于四氢呋喃中进行聚苯乙烯微球溶解；
（7）对溶解后胶带表面纳米阵列结构进行二次刻蚀，刻蚀气体为体积比O2:Ar=4-5:1的混合气体，刻蚀时间为3min，制备得到周期性纳米孔洞阵列结构，（如图1所示）；
（8）将周期性纳米孔洞阵列结构置于0.2mmol/ml的硝酸银和110mmol/ml的柠檬酸钠混合溶液中，调节光照，光照光源为620nm红光，照射功率为4W，光源距离样品的距离为10cm，光照反应时间为7min，控制生长在纳米阵列结构表面的银纳米粒子，制备得到银纳米周期阵列，（如图2所示）；
（9）施加400高斯、垂直于银纳米周期阵列的磁场，制备得到纳米阵列结构。
实施例2：一种磁场调控纳米阵列结构的制备方法，包括以下制备步骤：
（1）将硅片置于体积比为1:3:5的氨水、过氧化氢和去离子水的混合溶液中，加热至沸腾10min后，冷却，将硅片依次采用去离子水和无水乙醇超声10min进行硅片清洗；
（2）通过自组装的方法制备得到六方密排聚苯乙烯微球阵列结构，所述六方密排聚苯乙烯微球阵列结构中聚苯乙烯微球的直径为400nm；
（3）将六方密排聚苯乙烯微球阵列结构进行一次刻蚀，刻蚀气体为体积比O2:Ar=5:1的混合气体，制备得到溅射衬底制备得到溅射衬底；刻蚀后聚苯乙烯微球的直径为350nm，聚苯乙烯微球之间的间距为30nm；
（4）将溅射衬底表面进行垂直溅射金，溅射厚度为310nm，得到球状包覆阵列结构；
（5）将溅射完成的球状包覆阵列结构粘结转移到胶带表面；
（6）将胶带置于四氢呋喃中进行聚苯乙烯微球溶解；
（7）对溶解后胶带表面纳米阵列结构进行二次刻蚀，刻蚀气体为体积比O2:Ar=4:1的混合气体，刻蚀时间为4min，制备得到周期性纳米孔洞阵列结构；
（8）将周期性纳米孔洞阵列结构置于0.5mmol/ml的硝酸银和120mmol/ml的柠檬酸钠混合溶液中，调节光照，光照光源为630nm红光，照射功率为5W，光源距离样品的距离为5cm，光照反应时间为5min，控制生长在纳米阵列结构表面的银纳米粒子，制备得到银纳米周期阵列；
（9）施加300高斯、垂直于银纳米周期阵列的磁场，制备得到纳米阵列结构。
实施例3：一种磁场调控纳米阵列结构的制备方法，包括以下制备步骤：
（1）将硅片置于体积比为1:2:5的氨水、过氧化氢和去离子水的混合溶液中，加热至沸腾8min后，冷却，将硅片依次采用去离子水和无水乙醇超声15min进行硅片清洗；
（2）通过自组装的方法制备得到六方密排聚苯乙烯微球阵列结构，所述六方密排聚苯乙烯微球阵列结构中聚苯乙烯微球的直径为200nm；
（3）将六方密排聚苯乙烯微球阵列结构进行一次刻蚀，刻蚀气体为体积比O2:Ar=5:1的混合气体，制备得到溅射衬底制备得到溅射衬底；刻蚀后聚苯乙烯微球的直径为180nm，聚苯乙烯微球之间的间距为50nm；
（4）将溅射衬底表面进行垂直溅射金，溅射厚度为330nm，得到球状包覆阵列结构；
（5）将溅射完成的球状包覆阵列结构粘结转移到胶带表面；
（6）将胶带置于四氢呋喃中进行聚苯乙烯微球溶解；
（7）对溶解后胶带表面纳米阵列结构进行二次刻蚀，刻蚀气体为体积比O2:Ar=4:1的混合气体，刻蚀时间为3.5min，制备得到周期性纳米孔洞阵列结构；
（8）将周期性纳米孔洞阵列结构置于0.1mmol/ml的硝酸银和100mmol/ml的柠檬酸钠混合溶液中，调节光照，光照光源为630nm红光，照射功率为3W，光源距离样品的距离为5cm，光照反应时间为8min，控制生长在纳米阵列结构表面的银纳米粒子，制备得到银纳米周期阵列；
（9）施加500高斯、垂直于银纳米周期阵列的磁场，制备得到纳米阵列结构。
将实施例1制备得到的纳米阵列结构进行SEM表征，结构如图3所示，图中可知，本发明制备得到的纳米阵列结构中的集中于周期性纳米孔洞阵列结构的半边，（图中虚线区域）。
对比例1：与实施例1的区别在于，二次刻蚀时间为5min，超过限定范围。
对比例2：与实施例1的区别在于，二次刻蚀时间为2min，小于限定范围。
将对比例1-2制备得到的纳米阵列结构进行SEM表征，结构如图4-5所示，图中可知，二次刻蚀时间在限定范围外，无法形成完好的六孔结构。
将实施例1中制备得到的周期性纳米孔洞阵列结构和最终产物纳米阵列结构分别作为基底进行SERS检测，结果如图6所示，图中曲线从上至下依次为最终产物纳米阵列结构和周期性纳米孔洞阵列结构作为基底时SERS活性，对比可知，本发明最终产物纳米阵列结构具有更高的SERS活性。
将实施例1制备得到的矩形有序纳米阵列结构用于肝癌细胞标志物AFP检测；以5,5′-Dithiobis (succinimidyl-2-nitrobenzoate) (DSNB)为探针分子，连接AFP抗体，以其1335cm-1的峰为参考，实现对AFP的定量识别，结果如图7所示，图中曲线浓度从上至下为依次为4ng/ml、2ng/ml、1ng/ml、0.5ng/ml、0ng/ml，图中可知峰位移动量与AFP抗原浓度的对数成正比，从而能够实现定量测量。
本发明中所用原料、设备，若无特别说明，均为本领域的常用原料、设备；本发明中所用方法，若无特别说明，均为本领域的常规方法。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例，并非对本发明作任何限制，凡是根据本发明技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效变换，均仍属于本发明技术方案的保护范围。
Claims (7)
1.一种磁场调控纳米阵列结构的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：
（1）清洗硅片；
（2）通过自组装的方法制备得到六方密排聚苯乙烯微球阵列结构；
（3）将六方密排聚苯乙烯微球阵列结构进行一次刻蚀制备得到溅射衬底；
（4）将溅射衬底表面进行垂直溅射，得到球状包覆阵列结构；
（5）将溅射完成的球状包覆阵列结构粘结转移到胶带表面；
（6）将胶带置于有机溶剂中进行聚苯乙烯微球溶解；
（7）对溶解后胶带表面纳米阵列结构进行二次刻蚀制备得到周期性纳米孔洞阵列结构；
（8）将周期性纳米孔洞阵列结构置于含银离子溶液中，调节光照促进反应，控制生长在纳米阵列结构表面的银纳米粒子，制备得到银纳米周期阵列；
（9）施加垂直于银纳米周期阵列的磁场，制备得到纳米阵列结构；
步骤（9）中，所述磁场的磁场强度为300-500高斯；
步骤（4）中，垂直溅射靶材包括金，溅射厚度为310-330nm；
步骤（7）中，所述二次刻蚀为等离子刻蚀，刻蚀气体为体积比O2:Ar=4-5:1的混合气体，刻蚀时间为3-4min。
2.根据权利要求1所述的一种磁场调控纳米阵列结构的制备方法，其特征在于，步骤（1）中所述清洗硅片为将硅片置于体积比为1:2-3:5-6的氨水、过氧化氢和去离子水的混合溶液中，加热至沸腾5-10min后，冷却，将硅片依次采用去离子水和无水乙醇超声10-20min。
3.根据权利要求1所述的一种磁场调控纳米阵列结构的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述六方密排聚苯乙烯微球阵列结构中聚苯乙烯微球的直径为200-500nm。
4.根据权利要求1所述的一种磁场调控纳米阵列结构的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述一次刻蚀为等离子刻蚀，刻蚀气体为体积比O2:Ar=4-5:1的混合气体，刻蚀后聚苯乙烯微球的直径为180-450nm，聚苯乙烯微球之间的间距为20-50nm。
5.根据权利要求1所述的一种磁场调控纳米阵列结构的制备方法，其特征在于，步骤（6）中所述有机溶剂为四氢呋喃、二氯甲烷、三氯甲烷、甲苯、二甲基甲酰胺中的一种或几种。
6.根据权利要求1所述的一种磁场调控纳米阵列结构的制备方法，其特征在于，步骤（8）中所述含银离子溶液为0.1-0.5mmol/ml的硝酸银和100-120mmol/ml的柠檬酸钠混合溶液；所述光照光源为620-630nm红光，照射功率为3-5W，光源距离样品的距离为5-15cm，光照反应时间为5-8min。
7.一种如权利要求1-6任一所述方法制备得到的纳米阵列结构在检测肝癌细胞标志物中的应用。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110181355.5A CN113046708B (zh) | 2021-02-09 | 2021-02-09 | 一种磁场调控纳米阵列结构的制备方法及其应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110181355.5A CN113046708B (zh) | 2021-02-09 | 2021-02-09 | 一种磁场调控纳米阵列结构的制备方法及其应用 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113046708A CN113046708A (zh) | 2021-06-29 |
| CN113046708B true CN113046708B (zh) | 2023-11-14 |
Family
ID=76509064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110181355.5A Active CN113046708B (zh) | 2021-02-09 | 2021-02-09 | 一种磁场调控纳米阵列结构的制备方法及其应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113046708B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113652689A (zh) * | 2021-08-03 | 2021-11-16 | 杭州电子科技大学 | 一种曲面蜂巢阵列的构筑方法及其曲面蜂巢阵列的应用 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110166045A1 (en) * | 2009-12-01 | 2011-07-07 | Anuj Dhawan | Wafer scale plasmonics-active metallic nanostructures and methods of fabricating same |
| CN109440072A (zh) * | 2018-11-23 | 2019-03-08 | 杭州电子科技大学 | 一种新颖纳米周期阵列及其制备方法 |
| CN109900911A (zh) * | 2019-03-11 | 2019-06-18 | 西安交通大学 | 一种运用核壳结构纳米星检测肝癌肿瘤标志物afp的方法 |
| CN110668399A (zh) * | 2019-09-16 | 2020-01-10 | 吉林师范大学 | 一种高度有序并且重复性好的呈轴对称的周期性的纳米孔洞结构的制备方法 |
| CN111413312A (zh) * | 2020-03-16 | 2020-07-14 | 杭州电子科技大学 | 一种表面粗糙的纳米阵列结构的制备方法 |
| CN111426674A (zh) * | 2020-03-16 | 2020-07-17 | 杭州电子科技大学 | 一种增强sers活性的太阳花纳米阵列结构及其制备方法 |
| CN111879753A (zh) * | 2020-08-05 | 2020-11-03 | 山东寿光检测集团有限公司 | 用于检测新型冠状病毒的贵金属纳米锥sers衬底及制备方法 |
| CN112014375A (zh) * | 2020-09-03 | 2020-12-01 | 鲁东大学 | 一种金属圆环内六角星三聚体纳米阵列及其制备方法和应用 |
-
2021
- 2021-02-09 CN CN202110181355.5A patent/CN113046708B/zh active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110166045A1 (en) * | 2009-12-01 | 2011-07-07 | Anuj Dhawan | Wafer scale plasmonics-active metallic nanostructures and methods of fabricating same |
| CN109440072A (zh) * | 2018-11-23 | 2019-03-08 | 杭州电子科技大学 | 一种新颖纳米周期阵列及其制备方法 |
| CN109900911A (zh) * | 2019-03-11 | 2019-06-18 | 西安交通大学 | 一种运用核壳结构纳米星检测肝癌肿瘤标志物afp的方法 |
| CN110668399A (zh) * | 2019-09-16 | 2020-01-10 | 吉林师范大学 | 一种高度有序并且重复性好的呈轴对称的周期性的纳米孔洞结构的制备方法 |
| CN111413312A (zh) * | 2020-03-16 | 2020-07-14 | 杭州电子科技大学 | 一种表面粗糙的纳米阵列结构的制备方法 |
| CN111426674A (zh) * | 2020-03-16 | 2020-07-17 | 杭州电子科技大学 | 一种增强sers活性的太阳花纳米阵列结构及其制备方法 |
| CN111879753A (zh) * | 2020-08-05 | 2020-11-03 | 山东寿光检测集团有限公司 | 用于检测新型冠状病毒的贵金属纳米锥sers衬底及制备方法 |
| CN112014375A (zh) * | 2020-09-03 | 2020-12-01 | 鲁东大学 | 一种金属圆环内六角星三聚体纳米阵列及其制备方法和应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113046708A (zh) | 2021-06-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103293142B (zh) | 一种柔性的表面增强拉曼光谱基底及其制备方法 | |
| CN112499581B (zh) | 一种表面增强拉曼散射衬底的制备方法 | |
| CN103626119A (zh) | 一种纳米金属球碗阵列结构的制备方法 | |
| CN103447523B (zh) | 金纳米颗粒-银纳米半球阵列及其制备方法和用途 | |
| CN104949957A (zh) | 嵌入式纳米点阵列表面增强拉曼活性基底及其制备方法 | |
| CN103938158A (zh) | 一种自组装球型阵列的sers基底及制备方法 | |
| CN111778479B (zh) | 银纳米颗粒组装的空腔结构阵列及其制备方法和用途 | |
| CN107064107B (zh) | 一种利用硅纳米介电材料制备的超疏水表面增强拉曼基底及其制备方法 | |
| CN112014375B (zh) | 一种金属圆环内六角星三聚体纳米阵列及其制备方法和应用 | |
| CN113046708B (zh) | 一种磁场调控纳米阵列结构的制备方法及其应用 | |
| CN113046707B (zh) | 一种纳米花阵列结构的制备方法及其应用 | |
| CN113125405A (zh) | 一种基于纳米锥针结构的sers基底及制备方法 | |
| CN113125406B (zh) | 一种具有微观有序纳米结构sers基底及制备方法 | |
| WO2020186834A1 (zh) | 一种用于检测合成色素的sers基底及拉曼检测方法 | |
| CN114720448A (zh) | 半导体氧化物纳米颗粒修饰贵金属纳米锥阵列结构的表面增强拉曼衬底的制备方法 | |
| CN103257132A (zh) | 银纳米帽阵列表面增强拉曼活性基底及其制备方法 | |
| CN108611604B (zh) | 一种基于高介电材料的经济型高精密表面增强拉曼活性基底的制造方法 | |
| CN109540791A (zh) | 一种液芯光波导反应器及利用其制备sers芯片的方法 | |
| CN105331943A (zh) | 基于共溅射后腐蚀修饰获得拉曼增强基底的制备方法 | |
| CN108823541B (zh) | 一种表面增强拉曼散射活性基底的制备方法 | |
| CN112179886A (zh) | 金属纳米半球壳阵列的sers检测透明柔性基底及制备方法 | |
| CN117451686A (zh) | 一种基于二氧化钛纳米碗和金属纳米材料的sers基底及其制备方法和应用 | |
| CN105039942B (zh) | 仙人掌结构的银枝晶/硅针尖纳米复合材料的制备方法 | |
| CN106645077A (zh) | 一种基于新型高低温阶梯扩孔法的“热点”尺寸小于5nm的SERS活性基底的制备方法 | |
| CN111781188B (zh) | 一种铝基花状复合纳米结构的sers基底的制备方法及sers基底 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |