CN113013203A - 显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供了一种显示面板及显示装置，涉及显示技术领域，有效提高了光提取效率。显示面板包括：衬底基板；位于衬底基板的阳极；位于衬底基板的辅助提取层，辅助提取层具有第一开口，阳极在衬底基板上的正投影与第一开口交叠；位于阳极背向衬底基板一侧、且位于第一开口内的发光层；位于辅助提取层背向衬底基板一侧的光提取层；位于光提取层背向衬底基板一侧的阴极；位于阴极背向衬底基板一侧的封装层；其中，辅助提取层用于将发光层发出的至少部分大角度的光转换为小角度的光，光提取层的折射率小于封装层的折射率。

Description

显示面板及显示装置

【技术领域】

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。

【背景技术】

有机电致发光二极管(Organic Electroluminescence Display，OLED)显示面板基于其高亮度、高效率、宽视角、自主发光等优良特性，得到了广泛应用。

目前，OLED显示面板多采用顶发光模式，为更大限度将发光元件所发出的光线提取出去，提高面板的出光效率，面板内通常会设有光提取层。在现有技术中，如图1所示，图1为现有技术中光提取层的结构示意图，光提取层1＇一般位于封装层2＇朝向面板出光方向的一侧，例如，光提取层1＇位于触控层3＇与封装层2＇之间，或者，光提取层1＇位于彩膜层4＇朝向面板出光方向的一侧，这就导致光提取层1＇与发光元件5＇相距较远。如此一来，发光元件5＇所发出的光线在朝向光提取层1＇传输的过程中，需要穿过多个膜层，受到膜层吸收、膜层界面反射及全反射的影响，光线损耗较大，较多数量的光线无法被提取，导致提取效率不高。

【发明内容】

有鉴于此，本发明实施例提供了一种显示面板及显示装置，有效提高了光提取效率。

一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板的阳极；

位于所述衬底基板的辅助提取层，所述辅助提取层具有第一开口，所述阳极在所述衬底基板上的正投影与所述第一开口交叠；

位于所述阳极背向所述衬底基板一侧、且位于所述第一开口内的发光层；

位于所述辅助提取层背向所述衬底基板一侧的光提取层；

位于所述光提取层背向所述衬底基板一侧的阴极；

位于所述阴极背向所述衬底基板一侧的封装层；

其中，所述辅助提取层用于将所述发光层发出的至少部分大角度的光转换为小角度的光，所述光提取层的折射率小于所述封装层的折射率。

另一方面，本发明实施例提供了一种显示装置，包括上述显示面板。

上述技术方案中的一个技术方案具有如下有益效果：

在本发明实施例所提供的显示面板中，一方面，基于辅助提取层、发光层和光提取层的相对位置关系，光提取层与发光层的位置较近，发光层所发出的部分光线直接射入光提取层，或是透过辅助提取层后直接射入光提取层，无需再穿过封装层、触控层、滤光层等其它膜层，从而在很大程度上降低了由膜层吸收、膜层界面反射或全反射产生的光线损耗，提高了入射至光提取层的光线数量，进而使得更多数量的光线在光提取层与封装层的界面处发生折射，实现聚光效果，显著提高了面板的光提取效率。

另一方面，部分大角度的光会传输至光提取层中远离第一开口的位置处，该部分光线经光提取层与封装层的界面折射后，可能会朝着远离第一开口的方向传输，从而造成相邻子像素的发光串扰，导致混色。为此，本发明实施例通过进一步利用辅助提取层对发光层发出的光的光路进行调整，将部分大角度的光转换为小角度的光，该小角度的光更趋于传输至光提取层中靠近第一开口的位置处，相应的，该小角度的光在光提取层与封装层的界面进一步发生折射后，折射光也就更趋于从自身对应的第一开口的区域射出面板，降低了混色的风险。

【附图说明】

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为现有技术中光提取层的结构示意图；

图2为本发明实施例所提供的显示面板的俯视图；

图3为图2沿A1-A2方向的剖视图；

图4为本发明实施例所提供的光线传输示意图；

图5为本发明实施例所提供的辅助提取层的另一种结构示意图；

图6为本发明实施例所提供的光线传输对比示意图；

图7为本发明实施例所提供的辅助提取层的再一种结构示意图；

图8为本发明实施例所提供的另一种光线传输对比示意图；

图9为本发明实施例所提供的再一种光线传输对比示意图；

图10为本发明实施例所提供的辅助提取层的又一种结构示意图；

图11为本发明实施例所提供的辅助提取层的另一种结构示意图；

图12为本发明实施例所提供的光提取层的结构示意图；

图13为图12沿B1-B2方向的剖视图；

图14为本发明实施例所提供的光提取层的另一种结构示意图；

图15为本发明实施例所提供的光提取结构的结构示意图；

图16为本发明实施例所提供的光提取结构的另一种结构示意图；

图17为本发明实施例所提供的光提取结构的再一种结构示意图；

图18为本发明实施例所提供的支撑结构的结构示意图；

图19为本发明实施例所提供的支撑结构的另一种结构示意图；

图20为本发明实施例所提供的光提取层的再一种结构示意图；

图21为本发明实施例所提供的显示装置的结构示意图。

【具体实施方式】

为了更好的理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。

应当明确，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。

应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

应当理解，尽管在本发明实施例中可能采用术语第一、第二来描述开口，但这些开口不应限于这些术语。这些术语仅用来将开口彼此区分开。例如，在不脱离本发明实施例范围的情况下，第一开口也可以被称为第二开口，类似地，第二开口也可以被称为第一开口。

本发明实施例提供了一种显示面板，如图2和图3所示，图2为本发明实施例所提供的显示面板的俯视图，图3为图2沿A1-A2方向的剖视图，该显示面板包括：衬底基板1；位于衬底基板1的阳极2；位于衬底基板1的辅助提取层3，辅助提取层3具有第一开口4，阳极2在衬底基板1上的正投影与第一开口4交叠；位于阳极2背向衬底基板1一侧、且位于第一开口4内的发光层5；位于辅助提取层3背向衬底基板1一侧的光提取层6；位于光提取层6背向衬底基板1一侧的阴极7；位于阴极7背向衬底基板1一侧的封装层8。其中，辅助提取层3用于将发光层5发出的至少部分大角度的光转换为小角度的光，光提取层6的折射率小于封装层8的折射率。

其中，上述“大角度的光”是指斜向传输的、传输方向较大偏离正视角方向的光，“小角度的光”是指相较于大角度的光更趋于正视角方向传输的光。

需要说明的是，虽然光提取层6与封装层8之间间隔有阴极7，但由于阴极7的膜厚很小，通常在光的波长程度以下，因此，光提取层6与阴极7之间的界面对光的光路几乎不会产生影响，光在光提取层6表面的折射主要受光提取层6和封装层8的折射率的影响。当显示面板内的封装层8为单层膜结构时，上述“光提取层6的折射率小于封装层8的折射率”指的是光提取层6的折射率小于该单层封装层的折射率；当显示面板内的封装层8为多层膜结构时，例如，请再次参见图3，封装层8包括层叠设置的第一无机封装层9、有机封装层10和第二无机封装层11时，上述“光提取层6的折射率小于封装层8的折射率”指的是光提取层6的折射率小于与其最接近的第一无机封装层9的折射率。

在本发明实施例所提供的显示面板中，一方面，基于辅助提取层3、发光层5和光提取层6的相对位置关系，光提取层6与发光层5的位置较近，发光层5所发出的部分光线直接射入光提取层6，或是透过辅助提取层3后直接射入光提取层6，无需再穿过封装层8、触控层、滤光层等其它膜层，从而在很大程度上降低了由膜层吸收、膜层界面反射或全反射产生的光线损耗，提高了入射至光提取层6的光线数量，进而使得更多数量的光线在光提取层6与封装层8的界面处发生折射，实现聚光效果，显著提高了面板的光提取效率。

另一方面，结合图4所示的光线传输示意图，部分大角度的光(如图中虚线箭头所示)会传输至光提取层6中远离第一开口4的位置处，该部分光线经光提取层6的表面折射后，可能会朝着远离第一开口4的方向传输，从而造成相邻子像素的发光串扰，导致混色。为此，本发明实施例通过进一步利用辅助提取层3对发光层5发出的光的光路进行调整，将部分大角度的光转换为小角度的光(如图中实线箭头所示)，该小角度的光更趋于传输至光提取层6中靠近第一开口4的位置处，相应的，该小角度的光在光提取层6与封装层8的界面进一步发生折射后，折射光也就更趋于从自身对应的第一开口4的区域射出面板，降低了混色的风险。

在一种实施例中，辅助提取层3的折射率小于发光层5的折射率，此时，发光层5发出的至少部分大角度的光传输至发光层5与辅助提取层3的界面时，相当于由光密介质传输至光疏介质，折射角变大，折射后的光更趋于小角度传输，实现了对光路的有效调控，既提高了光提取效率，又进一步降低了混色风险。

在一种实施例中，结合图4和图5，图5为本发明实施例所提供的辅助提取层3的另一种结构示意图，辅助提取层3包括用于形成第一开口4的第一侧壁12、以及与第一侧壁12相交且远离衬底基板1一侧的第一顶面13，第一侧壁12与第一顶面13之间的角度为θ，θ≤110°。其中，90°＜θ≤110°时辅助提取层3结构如图4所示，θ≤90°时辅助提取层3结构如图5所示。

结合图6所示的光线传输对比示意图，将第一侧壁12与第一顶面13之间的角度θ设置在110°以内，发光层5发出的更大角度范围内的光能够透过辅助提取层3射入光提取层6，不仅增大了入射至光提取层6的光线数量，使更多数量的光线能够在光提取层6与封装层8之间的界面发生折射，还优化了视角。

进一步地，请再次参见图5，θ≤90°，此时，第一侧壁12与第一顶面13垂直，或第一侧壁12与第一顶面13之间呈锐角，辅助提取层3近似呈倒梯形体结构，能够令更大角度范围的光线入射至光提取层6，更大程度地提高了光提取效率。

在一种实施方式中，如图7所示，图7为本发明实施例所提供的辅助提取层3的再一种结构示意图，在垂直衬底基板1所在平面的方向上，第一开口4的深度d1大于阳极2和发光层5的膜厚之和d2。

结合图8所示的另一种光线传输对比示意图，当第一开口4的深度与阳极2、发光层5的膜厚之和相等时，发光层5仅靠近边缘位置处发射的光线能够射入光提取层6中，中间位置处发射的光无法射入光提取层6。而在本发明实施例中，当第一开口4的深度d1大于阳极2和发光层5的膜厚之和d2时，发光层5的发光面与光提取层6之间具有一定距离，发光层5边缘位置处以及靠近中间位置处发射的光线均能射入光提取层6，而且，第一开口4越深，射入光提取层6的光线数量也就越多，有效增大了光提取层6所提取到的光线数量。

此外，光提取层6的尺寸与第一开口4的深度d1之间还可呈正比关系，即，第一开口4越深，光提取层6的尺寸也就越大。其中，结合图14，当光提取层封闭环绕第一开口4时，光提取层6的尺寸为光提取层6在垂直其延伸方向上的宽度，或者，结合图12，当光提取层为独立的凸起部时，光提取层6的尺寸为光提取层6在第一方向上的长度，第一方向为光提取层6朝向第一开口4的方向。

结合图9所示的再一种光线传输对比示意图，在第一开口4的深度d1一定的情况下，光提取层6的尺寸L越大，发光层5所发出的光线就越趋于传输至光提取层6靠近第一开口4的一侧，这部分光线在光提取层6与封装层8的界面发生折射后，就更趋于沿正视角方向射出面板，在提高光提取率的同时，还能降低混色风险。

在一种实施例中，如图10所示，图10为本发明实施例所提供的辅助提取层3的又一种结构示意图，辅助提取层3位于阳极2背向衬底基板1的一侧，第一开口4贯穿辅助提取层3，阳极2的至少部分暴露在第一开口4内；辅助提取层3复用为阴极7与阳极2之间的像素定义层14，也就是说，辅助提取层3兼具对光路调控以及限定子像素出光区域的功能，辅助提取层3充当像素定义层14，因而面板内也就无需再设置额外的像素定义层14，简化了工艺流程。

进一步地，为简化工艺流程，降低制作成本，光提取层6可与像素定义层14与阴极7之间的支撑柱采用同一构图工艺形成。

在一种实施例中，如图11所示，图11为本发明实施例所提供的辅助提取层3的另一种结构示意图，第一开口4为不贯穿辅助提取层3的凹槽，阳极2位于第一开口4内；显示面板还包括晶体管层16，辅助提取层3复用为晶体管层16与阳极2之间的平坦化层17。其中，凹槽底部还可设置一贯穿平坦化层17的过孔，以实现阳极2与晶体管层16的电连接。

基于该种设置方式，辅助提取层3兼具对光路调控以及实现膜层平坦化的功能，辅助提取层3充当平坦化层17，因而面板内也就无需再设置额外的平坦化层17，简化了工艺流程。

进一步地，请再次参见图11，光提取层6还可复用为辅助提取层3与阴极7之间的像素定义层14，此时，无需改变面板原有的工艺流程，仅需利用原有形成像素定义层14的工艺形成辅助提取层3即可。

此外，请再次参见图11，光提取层6与像素定义层14复用时，为了提高光提取层6对光线光路的调控，使经光提取层6的表面折射后射出的光线的传输角度范围更大，光提取层6的侧壁可以为曲面。

在一种实施例中，请再次参见图11，光提取层6在衬底基板1上的正投影覆盖辅助提取层3在衬底基板1上的正投影，光提取层6具有暴露第一开口4的多个第二开口18。一方面，光提取层6具有更大的覆盖面积，更多数量的光线能够在光提取层6与封装层8的表面进行提取，更大程度地提高提取效率，另一方面，光提取层6的第二开口18将第一开口4暴露，还能避免对发光层5的正常出光造成影响。

在一种实施例中，如图12和图13所示，图12为本发明实施例所提供的光提取层6的结构示意图，图13为图12沿B1-B2方向的剖视图，光提取层6包括与多个第一开口4对应的多个光提取结构19；辅助提取层3包括围绕第一开口4的开口临近区20和围绕开口临近区20的开口非临近区21，光提取结构19位于开口临近区20内。如此设置，光提取层6的设置位置更靠近第一开口4，更大可能地保证发光层5发出的光线射入光提取层6内，进而在光提取层6的作用下被提取，提高光提取效率。

进一步地，请再次参见图12和图13，光提取结构19在衬底基板1上的正投影与第一开口4的至少部分边缘相交，此时，光提取结构19紧邻第一开口4的边缘设置，使更多的光能够射入光提取层6。

在一种实施方式中，请再次参见图12，各光提取结构19包括多个凸起部22，多个凸起部22围绕第一开口4，从而使第一开口4各个边缘位置射出的光均能入射至凸起部22中，不仅提高了光提取层6提取到的光线数量，还提高了面板的出光均匀性。

或者，如图14所示，图14为本发明实施例所提供的光提取层6的另一种结构示意图，光提取结构19为环绕第一开口4的封闭结构，此时，光提取结构19全方位环绕第一开口4，光提取效率及出光均匀性更优。

在一种实施例中，如图15所示，图15为本发明实施例所提供的光提取结构19的结构示意图，光提取层6包括靠近衬底基板1一侧的第二底面24和与第二底面24相交的出光顶面25，出光顶面25为曲面，此时，出光顶面25对光的光路的调控程度更大，经出光顶面25与封装层8的界面折射后的光线的传输角度范围也更大，相应的就会有更多数量的折射光能够射出面板，进一步提高了面板的光提取效率和出光均匀性。

或者，如图16所示，图16为本发明实施例所提供的光提取结构19的另一种结构示意图，光提取层6包括靠近衬底基板1一侧的第二底面24和与第二底面24相交的出光侧壁26，出光侧壁26为曲面；或，如图17所示，图17为本发明实施例所提供的光提取结构19的再一种结构示意图，出光侧壁26为平面，且出光侧壁26与第三底面之间的角度小于90°。当出光侧壁26为曲面或斜面时，能够对光的光路进行更大程度地调控，经出光侧壁26与封装层8的界面折射后的光线的传输角度范围也更大，出光亮度和出光均匀性更优。而且，当出光侧壁26为斜面结构时，光提取层6的工艺难度较低，可实施性更高。

在一种实施方式中，如图18和图19所示，图18为本发明实施例所提供的支撑结构23的结构示意图，图19为本发明实施例所提供的支撑结构23的另一种结构示意图，与相邻两个第一开口4对应的光提取结构19之间还设有支撑结构23，从而对显示面板进行更稳定的支撑，提高面板不同位置的均一性。

进一步地，请再次参见图18，为简化制作工艺，支撑结构23与光提取结构19采用同一构图工艺形成。

或者，请再次参见图19，支撑结构由遮光材料形成，此时，支撑结构兼具支撑和遮光特性。结合图4，当发光层5发出的部分大角度光线在光提取结构19表面发生折射后，可能会朝着相邻子像素的出光区域传输，通过在相邻两个第一开口4对应的光提取结构19之间设置具有遮光特性的支撑结构23，支撑结构23在起到支撑作用以外，还可以将大角度传输的光线吸收掉，避免其继续传输至相邻子像素的出光区域，降低混色风险。

在一种实施方式中，如图20所示，图20为本发明实施例所提供的光提取层的另一种结构示意图，显示面板可包括堆叠设置的至少两层光提取层6，光提取层6与封装层8相交的界面对光的光路的调控程度更大，经光提取层6与封装层8的界面折射后的光线的传输角度范围也更大，相应的就会有更多数量的折射光能够射出面板，进一步提高了面板的光提取效率和出光均匀性。

进一步地，在堆叠设置的多个光提取层6中，可以令至少两层光提取层6的折射率不同，从而使得光在光提取层6之间的界面也会发生折射，对光路进行更大程度的调整。具体的，在相邻两个光提取层6中，远离衬底基板1一侧的光提取层6的折射率大于靠近衬底基板1一侧的光提取层6的折射率，这样大角度的光在两个光提取层6的界面发生折射后，折射角变小，光线更趋于小角度传输，既能提高所在子像素的出光亮度，还能避免混色。

需要说明的是，显示面板中通常还会设置有用于支撑的支撑柱，为简化工艺以及减薄面板厚度，当多个光提取层6堆叠设置时，支撑柱可以和任意一层光提取层6进行复用。

需要说明的是，请再次参见图10，当辅助提取层3复用为阴极7与阳极2之间的像素定义层14时，光提取层6优选采用图12和图14所示的包括多个光提取结构19的设置方式，此时，光提取层6非整层覆盖，更有利于光提取层6与辅助提取层3与阴极7之间的支撑柱同步形成，利于简化工艺流程。请再次参见图11，当辅助提取层3复用为晶体管层16与阳极2之间的平坦化层17时，光提取层6优选采用图11所示的覆盖辅助提取层3的设置方式，此时，光提取层6与现有面板内的像素定义层14的结构近似，无需对面板现有工艺进行大幅度的调整，可实施性更强。

在一种实施例中，光提取层6与辅助提取层3的折射率相同，此时，辅助提取层3与光提取层6之间的界面对光的光路的影响很小，光线可直接经由辅助提取层3射入光提取层6，进而在光提取层6与封装层8的界面折射，光线在辅助提取层3和光提取层6中传输时的产生的损耗较少。

进一步地，为简化工艺流程，光提取层6与辅助提取层3可采用同一构图工艺形成。

或者，光提取层6的折射率大于辅助提取层3的折射率，此时，大角度的光在辅助提取层3与光提取层6的界面处会发生折射，折射后的光更趋于转换为小角度的光，这部分光进一步在光提取层6与封装层8界面折射之后，也就更趋于正视角方向传输，提高正视角下的出光亮度。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供一种显示装置，如图21所示，图21为本发明实施例所提供的显示装置的结构示意图，该显示装置包括上述显示面板100。其中，显示面板100的具体结构已经在上述实施例中进行了详细说明，此处不再赘述。当然，图21所示的显示装置仅仅为示意说明，该显示装置可以是例如手机、平板计算机、笔记本电脑、电纸书或电视机等任何具有显示功能的电子设备。

由于本发明实施例所提供的显示装置包括上述显示面板100，因此，采用该显示装置，不仅使光提取层6与发光层5的位置较近，降低了光线在传输过程中由膜层吸收、膜层界面反射或全反射导致的损耗，提高射入光提取层6的光线数量，显著提高光提取率，还通过进一步利用辅助提取层3对发光层5发出的至少部分大角度的光的光路进行调整，降低混色风险。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (20)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板的阳极；

位于所述衬底基板的辅助提取层，所述辅助提取层具有第一开口，所述阳极在所述衬底基板上的正投影与所述第一开口交叠；

位于所述阳极背向所述衬底基板一侧、且位于所述第一开口内的发光层；

位于所述辅助提取层背向所述衬底基板一侧的光提取层；

位于所述光提取层背向所述衬底基板一侧的阴极；

位于所述阴极背向所述衬底基板一侧的封装层；

其中，所述辅助提取层用于将所述发光层发出的至少部分大角度的光转换为小角度的光，所述光提取层的折射率小于所述封装层的折射率。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辅助提取层包括用于形成所述第一开口的第一侧壁、以及与所述第一侧壁相交且远离所述衬底基板一侧的第一顶面，所述第一侧壁与所述第一顶面之间的角度为θ，θ≤110°。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，θ≤90°。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在垂直所述衬底基板所在平面的方向上，所述第一开口的深度大于所述阳极和所述发光层的膜厚之和。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辅助提取层的折射率小于所述发光层的折射率。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辅助提取层位于所述阳极背向所述衬底基板的一侧，所述第一开口贯穿所述辅助提取层，所述阳极的至少部分暴露在所述第一开口内；

所述辅助提取层复用为所述阴极与所述阳极之间的像素定义层。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一开口为不贯穿所述辅助提取层的凹槽，所述阳极位于所述第一开口内；

所述显示面板还包括晶体管层，所述辅助提取层复用为所述晶体管层与所述阳极之间的平坦化层。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述光提取层复用为所述辅助提取层与所述阴极之间的像素定义层。

9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述光提取层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述辅助提取层在所述衬底基板上的正投影，并且，所述光提取层具有暴露所述第一开口的多个第二开口。

10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述光提取层包括与多个所述第一开口对应的多个光提取结构；

所述辅助提取层包括围绕所述第一开口的开口临近区和围绕所述开口临近区的开口非临近区，所述光提取结构位于所述开口临近区内。

11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述光提取结构在所述衬底基板上的正投影与所述第一开口的至少部分边缘相交。

12.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，各所述光提取结构包括多个凸起部，多个所述凸起部围绕所述第一开口。

13.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述光提取结构为环绕所述第一开口的封闭结构。

14.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，与相邻两个所述第一开口对应的所述光提取结构之间还设有支撑结构。

15.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，所述支撑结构与所述光提取结构采用同一构图工艺形成。

16.根据权利要求15所述的显示面板，其特征在于，所述支撑结构由遮光材料形成。

17.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述光提取层与所述辅助提取层的折射率相同。

18.根据权利要求17所述的显示面板，其特征在于，所述光提取层与所述辅助提取层采用同一构图工艺形成。

19.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述光提取层的折射率大于所述辅助提取层的折射率。

20.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～19任一项所述的显示面板。

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