CN113011546A - 通用闪速存储存储器卡 - Google Patents

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Abstract

一种存储器卡包括：布置在第一行中的第一地端子，其将地电压提供到至少一个非易失性存储器或者存储器控制器；布置在第二行中的通用闪速存储(UFS)端子，其包括提供第二电力的第一UFS端子、提供参考时钟信号的第二UFS端子和提供输入/输出数据到存储器控制器的路径的第三UFS端子；以及布置在第三行中的第一电力端子，其将第一电源电压(VCC)提供到至少一个非易失性存储器或者存储器控制器。存储器卡的大小由纳米用户识别模块(SIM)卡标准限定，第一地端子与纳米SIM卡标准的“C5”端子相对应，并且第一电力端子与纳米SIM卡标准的“C1”端子相对应。

Description

通用闪速存储存储器卡
相关申请的交叉引用
本申请基于2019年12月18日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0170126的权利要求优先权，该申请的公开以引用方式全文并入本文中。
技术领域
本文公开的本发明构思的实施例涉及一种半导体存储器装置，并且更具体地说，涉及一种通用闪速存储(UFS)存储器卡，其具有与用户识别模块(SIM)卡相同的大小或相同的尺寸。
背景技术
近来，随着存储介质技术的发展，各种存储器卡被用作移动装置的存储。此外，使用各种标准来决定存储器卡的格式，并且形状、大小和尺寸根据存储器卡的格式而变化。这样，通用闪速存储(UFS)卡的使用根据对高速大容量存储装置的需求而增加。
另外，在移动装置中通常使用实施用户识别模块(SIM)的集成电路卡(下文中，称作“SIM卡”)。通常，存储器卡和SIM卡安装在一个插口托盘上，以插入移动装置中。然而，在一些情况下，多个SIM卡可以安装在一个插口托盘上，并且针对大小为15mm×11mm的纳米(nano)SIM卡的标准是最常用的。
然而，由于用作存储器卡的UFS卡和纳米SIM卡的大小不同，插口托盘的空间可能被浪费。
发明内容
本发明构思的实施例提供了一种基于UFS标准的存储器卡，其与SIM卡的大小相同。例如，本发明构思的实施例提供了一种具有与纳米SIM卡相同的大小的UFS存储器卡。
根据本公开的一方面，提供了一种存储器卡，其包括至少一个非易失性存储器和存储器控制器，存储器卡包括：第一地端子，其布置在第一行中，并且被配置为将地电压提供至至少一个非易失性存储器或者存储器控制器；多个通用闪速存储(UFS)端子，其布置在第二行中；以及第一电力端子，其布置在第三行中，并且被配置为将第一电源电压(VCC)提供至至少一个非易失性存储器或者存储器控制器，其中，多个UFS端子包括被配置为提供第二电力的第一UFS端子、被配置为提供参考时钟信号的第二UFS端子和被配置为提供输入/输出数据到存储器控制器的路径的第三UFS端子，其中，存储器卡的大小或尺寸由纳米用户识别模块(SIM)卡标准限定，其中，第一地端子与纳米SIM卡标准的“C5”端子相对应，并且其中，第一电力端子与纳米SIM卡标准的“C1”端子相对应。
根据本公开的另一方面，提供了一种组合卡，该组合卡包括至少一个非易失性存储器、控制至少一个非易失性存储器的存储器控制器和存储或者提供用户信息的SIM控制器，该组合卡包括：第一端子组，其包括布置在组合卡的背面的第一行中的纳米SIM卡标准的“C5”端子、“C6”端子和“C7”端子；第二端子组，其包括布置在背面的第二行中的通用闪速存储(UFS)端子，并且第二端子组提供电力、参考时钟信号和输入/输出数据到存储器控制器的路径；以及第三端子组，其包括布置在背面的第三行中的纳米SIM卡标准的“C1”端子、“C2”端子和“C3”端子，其中，组合卡的大小或尺寸为12.3mm×8.8mm。
根据本公开的另一方面，提供了一种存储器卡，其包括至少一个非易失性存储器和存储器控制器，并且其具有12.3mm×8.8mm的大小或尺寸，该存储器卡包括：第一地端子，其布置在第一行中，以将地电压提供至至少一个非易失性存储器或者存储器控制器；多个通用闪速存储(UFS)端子，其布置在第二行中，以将电力、参考时钟信号和数据传递至存储器控制器；以及第一电力端子，其形成在第三行处，以将第一电源电压(VCC)提供到至少一个非易失性存储器或者存储器控制器，其中，多个UFS端子包括：第一UFS端子，其被配置为将第二电力提供至存储器控制器；第二UFS端子，其被配置为提供参考时钟信号；以及第三UFS端子，其被配置为将数据提供至存储器控制器。
根据本公开的另一方面，提供了一种通用闪速存储(UFS)存储器卡，其包括：第一地端子，其布置在第一区域中，并且被配置为将地电压提供到至少一个非易失性存储器或者存储器控制器；多个UFS端子，其布置在第二区域中；以及第一电力端子，其布置在第三区域中，并且被配置为将第一电源电压(VCC)提供到至少一个非易失性存储器或者存储器控制器，其中，在存储器卡的平面图中，第二区域在第一区域与第三区域之间，其中，多个UFS端子包括被配置为提供第二电力的第一UFS端子、被配置为提供参考时钟信号的第二UFS端子和被配置为提供输入/输出数据到存储器控制器的路径的第三UFS端子，并且其中，存储器卡的尺寸由纳米用户识别模块(SIM)卡标准限定。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明构思的示例性实施例，本发明构思的以上和其它目的和特征将变得清楚。
图1是示出根据本发明构思的示例实施例的存储器卡的平面图；
图2是示意性地示出图1的存储器卡的构造的剖视图；
图3是示出根据本发明构思的示例实施例的存储器卡的构造的框图；
图4是示出根据本发明构思的示例实施例的存储器卡的示图；
图5是示出根据本发明构思的示例实施例的存储器卡的另一示例的示图；
图6是示出根据本发明构思的示例实施例的存储器卡的另一示例的示图；
图7是示出根据本发明构思的示例实施例的存储器卡的另一示例的示图；
图8是示出根据本发明构思的示例实施例的存储器卡的另一示例的示图；
图9A和图9B是示出用于将本发明构思的存储器卡插入UFS卡插槽中的UFS卡适配器的示图；
图10是示出存储器卡被插入其中的UFS卡适配器的形状和端子的连接关系的示图；
图11是示出根据本发明构思的另一示例实施例的组合卡的示图；
图12是示出根据本发明构思的另一示例实施例的组合卡的构造的示例的框图；
图13是示意性地示出图12的组合卡的构造的剖视图；
图14是示出根据本发明构思的另一示例实施例的组合卡的构造的另一示例的框图；
图15是示意性地示出图14的组合卡的构造的剖视图。
具体实施方式
应该理解，上述一般说明和以下详细说明二者均作为示例提供，因此，这些描述不应被视为限制本公开的范围。附图标记将在本发明构思的实施例中详细表示，附图中示出了其示例。在可能的情况下，在附图和说明书中使用相同的附图标记来指代相同或相似的部分。
下面，将例示利用闪速存储器装置的存储装置，以描述本发明构思的特征和功能。然而，本领域技术人员可以根据本文公开的内容容易地理解本发明构思的其它优点和性能。可以通过其它实施例实施或者应用本发明构思。另外，在不脱离权利要求、本发明构思的范围和精神以及任何其它目的的前提下，可以根据不同的观点和用途对详细描述进行改变或修改。
图1是示出根据本发明构思的示例实施例的存储器卡的平面图。参照图1，存储器卡100可以具有与纳米SIM卡相同的宽度“W”和相同的高度“H”。存储器卡100可以包括端子110和130，它们与符合纳米SIM卡标准的端子C5和C1形成的位置相同，并且UFS端子151至159介于端子110与130之间。在下面的描述中，第二方向D2上的顶部区域可被称作“第一行”，第二方向D2上的其中布置有UFS端子151至159的中间区域可被称作“第二行”，并且第二方向D2上的底部区域可被称作“第三行”。
可将第一行处的端子110被设为用于提供存储器卡100的地电压的第一地端子GND。例如，第一地端子110可以与纳米SIM卡的地端子C5形成在相同位置处。可将第三行的端子130设为用于提供存储器卡100的电源电压VCC的第一电力端子。例如，第一电力端子130可以与纳米SIM卡的电力端子C1形成在相同位置。电源电压VCC可以具有3V与5V之间的值。例如，可以提供3.3V的电源电压VCC。第一地端子110和第一电力端子130可以形成为在位置和大小上与纳米SIM卡的地端子C5和电力端子C1基本相同。
此外，UFS端子151至159可以被布置在第二行处。根据与本发明构思的存储器卡100大小相同的纳米SIM卡的标准，USB信号端子C4和C8设置在布置有UFS端子151至159的第二行处。然而，通常，在移动装置中不使用USB信号端子C4和C8。因此，即使在本发明构思的存储器卡100中形成UFS端子151至159，也不会出现碰撞问题。可以将UFS端子151至159划分为多个电力端子151、152、153和154、参考时钟端子155以及数据端子156、157、158和159。
根据示例实施例，多个电力端子151、152、153和154中的第二电力端子151设为接收用于驱动存储器卡100的第二电源电压VCCQ2。这里，例如，第二电源电压VCCQ2的值可以在大约1.0V与大约2.2V之间。可以将第二电源电压VCCQ2供应至存储器卡100中的半导体装置之中的以高速操作的半导体装置。例如，可以将第二电源电压VCCQ2供应至存储器卡100中的存储器控制器。
多个电力端子151、152、153和154中的第三电力端子152、153和154可以设为接收第三电源电压VSS。这里，被供应第三电源电压VSS的第三电力端子152、153和154可以与第一地端子110电连接。也就是说，可以将第三电源电压VSS设为地电压GND。
参考时钟端子155可以布置在第二电力端子151与第二电力端子152之间。根据示例实施例，参考时钟端子155与存储器控制器之间的距离可以针对高速操作被最小化。另外，因为存储器控制器的位置可以根据存储器卡100的设计而改变，所以将参考时钟端子155布置在根据示例实施例的存储器卡100的中心是有利的。
数据输出端子156和157被布置在第三电力端子152与153之间。数据输出端子156和157可以是输出差分信号的端子。因此，可以通过将被设为地电平的第三电力端子152布置在数据输出端子156和157与参考时钟端子155之间来最小化相互干扰或者串扰。
数据输入端子158和159被布置在第三电力端子153与154之间。数据输入端子158和159可以是接收差分信号的端子。可以通过将数据输入端子158和159设置在被设为地电平的第三电力端子153与154之间来最小化提供至数据输入端子158和159的输入信号的噪声或干扰。
根据示例实施例，卡检测端子C/D还可以被包括在UFS卡的第二行中。例如，除UFS端子151至159之外，还可以布置卡检测端子C/D。卡检测端子C/D是用于识别被插入移动装置的插口中的存储器卡100是UFS卡的端子。
例如，存储器卡100可以在第二方向D2上被附接到使用存储器卡100的移动装置或者从使用存储器卡100的移动装置拆卸(或者可以从移动装置移除)。UFS端子151至159中的每一个可以布置为使得它们在第二方向D2上的长度大于在第一方向D1上的长度。因此，当在第二方向D2上插入卡插槽中时，移动装置中的接触引脚和UFS端子151至159可以高度可靠地连接。
另外，UFS端子151至159被布置在与符合相同大小的纳米SIM卡标准的USB信号端子C4和C8相对应的位置。也就是说，UFS端子151至159在第二方向D2上布置在第一地端子110与第一电力端子130之间的卡中心部分。现在，在移动装置中很少使用USB信号端子C4和C8。因此，即使本发明构思的存储器卡100被插入到纳米SIM卡插槽中，也不发生数据信号之间的碰撞。另外，第一地端子110和第一电力端子130与相同大小的纳米SIM卡的电力端子C1和地端子C5形成在相同位置。因此，第一地端子110和第一电力端子130可以与纳米SIM卡标准的电力端子C1和地端子C5共同使用。
上面简单地描述了本发明构思的存储器卡100的接触端子的形状和布置。例如，本发明构思的存储器卡100可以具有8.8mm的宽度(W)和12.3mm的高度(H)。存储器卡100的大小与纳米SIM卡的大小相同。尽管具有与纳米SIM卡相同的大小和形状，但是存储器卡100的用于交换数据和时钟信号的UFS端子151至159被布置在与纳米SIM卡的未使用的USB信号端子C4和C8相对应的位置处。
图2是示意性地示出图1的存储器卡的构造的剖视图。参照图2，存储器卡100包括设置在衬底105的上表面上的存储器控制器(MC)120和非易失性存储器(NVM)140。第一地端子110、第一电力端子130和UFS端子151至159可以布置在衬底105的下表面上。然而，本文中提到的组件的位置、大小和连接关系是示例性的，并且位置、大小和连接关系不限于本公开。
存储器控制器120与非易失性存储器140通过导线L1连接。导线L1可以包括用于在存储器控制器120与非易失性存储器140之间交换命令、地址、数据和控制信号的多条数据线。按照将存储器控制器120与非易失性存储器140电连接的键合线的形式示出导线L1，但是本发明构思不限于此。也就是说，可以通过利用形成在衬底105上的硅通孔(TSV)和印刷电路图案实施导线L1。
第一地端子110、第一电力端子130和UFS端子151至159通过导线L2与存储器控制器120电连接。这里，因为图2是沿着第二行截取的存储器卡100的剖视图，所以未示出第一地端子110和第一电力端子130。UFS端子151至159可以经分离的导线L2与存储器控制器120连接。UFS端子151至159可以通过导线、形成在衬底105的上表面或下表面上的印刷电路图案或者形成在衬底105中的布线层或硅通孔(TSV)与存储器控制器120电连接。
根据示例实施例，非易失性存储器140可以与第一地端子110和第一电力端子130电连接。也就是说，非易失性存储器140可以通过导线、形成在衬底105的上表面或下表面上的印刷电路图案或者形成在衬底105中的布线层或硅通孔(TSV)与第一地端子110和第一电力端子130连接。
上面示出并描述了本发明构思的存储器卡100的示例性剖视图。然而，可以理解，存储器控制器120和非易失性存储器140的位置根据设计目的不同地改变，并且不限于以上公开。
图3是示出根据本发明构思的示例实施例的存储器卡100的构造的框图。参照图3，存储器卡100可以包括存储器控制器120和非易失性存储器(NVM)140。
存储器控制器120可以被配置为控制非易失性存储器140。例如，响应于主机的请求，存储器控制器120可以将数据写至非易失性存储器140，或者可以读取非易失性存储器140中存储的数据。为了访问非易失性存储器140，存储器控制器120可以将命令、地址、数据和控制信号提供至非易失性存储器140。
在存储器控制器120的控制下，非易失性存储器140可以存储从存储器控制器120接收到的数据，或者可以将存储在非易失性存储器140中的数据发送至存储器控制器120。非易失性存储器140可以包括多个存储器块。多个存储器块中的每一个可以具有其中字线层在垂直于衬底的方向上堆叠的三维存储器结构。多个存储器块可以分别由存储器控制器120通过利用诸如编程/擦除计数之类的用于损耗均衡的信息进行管理。
图4是示出根据本发明构思的示例实施例的存储器卡的示图。参照图4，存储器卡200可以具有与纳米SIM卡相同的宽度“W”和相同的高度“H”。存储器卡200可以具有布置在存储器卡200的背面上的电力端子210和230以及UFS端子251至259。
分别布置在第一行处和第三行处的电力端子210和230分别与图1的第一地端子110和第一电力端子130相对应。第一地端子210和第一电力端子230可以形成为在位置和大小上与图1中的第一地端子110和第一电力端子130相同。也就是说，例如，第一地端子210可以形成为在位置上与具有与存储器卡200相同的大小的纳米SIM卡的地端子C5相同。也就是说，例如，第一电力端子230可以形成为在位置上与具有与存储器卡200相同的大小的纳米SIM卡的地端子C1相同。
UFS端子251至259被布置在第二行处。这里，UFS端子251至259不仅在第二行中在第一方向D1上被布置，还在第二行中在第二方向D2上被布置。在与存储器卡200大小相同的纳米SIM卡中，USB信号端子C4和C8可以被布置在第二行处。UFS端子251至259可以包括多个电力端子251、252、253a、253b、254a和254b、参考时钟端子255以及数据端子256、257、258和259。UFS端子251至259按照在存储器卡200在第一方向D1上附接到移动装置和从移动装置拆下的情况下所需的布置和形状被形成。也就是说，UFS端子251至259中的每一个可以按照在第一方向D1上的长度比在第二方向D2上的长度更长的方式被布置。
多个电力端子251、252、253a、253b、254a和254b中的第二电力端子251被设为接收用于驱动存储器卡200的第二电源电压VCCQ2。这里，第二电源电压VCCQ2可以具有，例如，大约1.0V与大约2.2V之间的值。可以将第二电源电压VCCQ2供应至存储器卡200中的半导体装置中的以高速操作的半导体装置。例如，可以将第二电源电压VCCQ2供应至存储器卡200中的至少一个存储器控制器。
多个电力端子251、252、253a、253b、254a和254b中的第三电力端子252、253a、253b、254a和254b被设为接收第三电源电压VSS。这里，第三电源电压VSS可以与例如地电压GND相对应。因此，在这种情况下，电力端子252、253a、253b、254a和254b可以与第一地端子210电连接。
参考时钟端子255可以布置在第二电力端子251与第二电力端子252之间。为了最小化时钟延迟，可以将参考时钟端子255设置在与存储器控制器相距的距离被最小化的位置处。
数据输入端子256和257被布置在第三电力端子253a与254a之间。数据输入端子256和257可以是接收差分信号形式的互补信号的端子。可以通过将数据输入端子256和257布置在地电平VSS的第三电力端子253a与254a之间来最小化进入数据输入端子256和257中的噪声或干扰。
数据输出端子258和259被布置在第三电力端子253b与254b之间。数据输出端子258和259可以是用于输出差分信号的端子。因此，可以最小化诸如干扰或者串扰的被引入数据输出端子258和259中的噪声。
例如，存储器卡200可以在第一方向D1上被附接到移动装置或者从移动装置拆下。因此，移动装置中的接触引脚和UFS端子251至259可以高度可靠地连接。另外，存储器卡200的UFS端子251至259被布置在与纳米SIM卡的USB信号端子C4和C8相对应的位置处。也就是说，UFS端子251至259在第一方向D1上并排布置在第一地端子210与第一电力端子230之间(或者在第二行处)。另外，第一地端子210和第一电力端子230与纳米SIM卡的电力端子C1和地端子C5形成在相同位置。
上面简单地描述了本发明构思的存储器卡200的接触端子的形状和布置。例如，本发明构思的存储器卡200可以具有8.8mm的宽度(W)和12.3mm的高度(H)。存储器卡200的大小与纳米SIM卡的大小相同。尽管大小与纳米SIM卡的相同，但是用于交换数据和时钟信号的UFS端子251至259被布置与在纳米SIM卡处的未用于数据交换的端子C4和C8相对应的位置处。
图5是示出根据本发明构思的示例实施例的存储器卡的另一示例的示图。参照图5，存储器卡300可以具有与纳米SIM卡相同的宽度“W”和相同的高度“H”。存储器卡300可以包括被布置在与纳米SIM卡相同的位置处的电力端子310和330以及UFS端子351至359。这里，布置在第一行处和第三行处的第一地端子310和第一电力端子330可以在位置和形状上与图1的第一地端子110和第一电力端子130相同。因此，将省略额外描述以避免冗余。
UFS端子351至359被布置在第二行处。这里，UFS端子351至359不仅在第二行中在第一方向D1上被布置，还在第二行中在第二方向D2上被布置。USB信号端子C4和C8可以被布置在与存储器卡300相同大小的纳米SIM卡的第二行处。UFS端子351至359可以包括多个电力端子351、352、353a、353b、354a和354b、参考时钟端子355以及数据端子356、357、358和359。UFS端子351至359可以按照在第一方向D1上的长度比在第二方向D2上的长度更长的方式被布置。
多个电力端子351、352、353a、353b、354a和354b中的第二电力端子351被设为用于接收用于驱动存储器卡300的第二电源电压VCCQ2。这里，第二电源电压VCCQ2可以具有，例如，大约1.0V与大约2.2V之间的值。
多个电力端子351、352、353a、353b、354a和354b中的第三电力端子352、353a、353b、354a和354b被设为接收第三电源电压VSS。这里，第三电源电压VSS可以与例如地电压GND相对应。因此，在这种情况下，电力端子352、353a、353b、354a和354b可以与第一地端子310电连接。
参考时钟端子355可以被布置在第二电力端子351与第二电力端子352之间。为了最小化时钟延迟，可以将参考时钟端子355布置在与存储器控制器相距的距离被最小化的位置处。数据输出端子358和359被布置在第三电力端子353a与354a之间。数据输出端子358和359可以是用于输出差分信号的端子。
数据输入端子356和357被布置在第三电力端子353b与354b之间。数据输入端子356和357可以是用于接收差分信号形式的互补输入信号的端子。可以通过将数据输入端子356和357布置在被设为地电平的第三电力端子353b与354b之间来最小化被引入数据输入端子356和357的噪声或干扰。
例如，存储器卡300可以在第一方向D1上被附接到移动装置或者从移动装置拆下。因此，移动装置中的接触引脚和UFS端子351至359可以高度可靠地连接。另外，存储器卡300的UFS端子351至359被布置在与纳米SIM卡的未使用的USB信号端子C4和C8相对应的位置。因此，在纳米SIM卡插槽处不发生数据信号之间的碰撞。另外，第一地端子310和第一电力端子330被布置在与纳米SIM卡的电力端子C1和地端子C5相同的位置处。
上面简单描述了本发明构思的存储器卡300的接触端子的形状和布置。本发明构思的存储器卡300可以符合具有例如8.8mm的宽度(W)和12.3mm的高度(H)的外形因素。尽管与纳米SIM卡大小相同，但是用于交换数据和时钟信号的存储器卡300的UFS端子351至359被布置在与纳米SIM卡的未使用的端子C4和C8相对应的位置处。
图6是示出根据本发明构思的示例实施例的存储器卡的另一示例的示图。参照图6，存储器卡400可以包括被布置在与纳米SIM卡相同的位置处的第一地端子410和第一电力端子430以及UFS端子451至459。
被布置在第一行处和第三行处的第一地端子410和第一电力端子430在位置和形状与图1的第一地端子110和第一电力端子130相同。也就是说，例如，第一地端子410可以被布置在与纳米SIM卡的地端子C5相同的位置处。第一电力端子430可以被布置在与纳米SIM卡的电力端子C1相同的位置处。
UFS端子451至459被布置在第二行处。这里，UFS端子451至459不仅在第二行中在第一方向D1上被布置，而且在第二行中在第二方向D2上被布置。本发明构思的存储器卡400的UFS端子451至459被布置在与纳米SIM卡的USB信号端子C4和C8相对应的位置处。UFS端子451至459可以包括多个电力端子451、452、453a、453b、454a和454b、参考时钟端子455以及数据端子456、457、458和459。UFS端子451至459按照存储器卡400在第一方向D1上被附接到移动装置或从移动装置拆下的情况所需的布置和形状进行被布置。也就是说，UFS端子451至459可以按照这样的方式被布置：在第一方向D1上的长度比在第二方向D2上的长度更长。
根据示例实施例，电力端子451和452以及参考时钟端子455相对于UFS端子451至459的按列的布置方式被布置在最左侧列。第三电力端子453b和454b以及介于它们之间的数据输出端子458和459被布置在最右侧列。第三电力端子453a和454a以及介于它们之间的数据输入端子456和457被布置在存储器卡400的中心。
上面简单地描述了本发明构思的存储器卡400的接触端子的形状和布置。例如，本发明构思的存储器卡400可以具有8.8mm的宽度(W)和12.3mm的高度(H)。存储器卡200的大小与纳米SIM卡相同。尽管大小与纳米SIM卡的相同，但是用于交换数据和时钟信号的UFS端子451至459被布置在与纳米SIM卡的未用于数据交换的端子C4和C8相对应的位置处。
图7是示出根据本发明构思的另一示例实施例的存储器卡的示图。参照图7，存储器卡500可以具有与纳米SIM卡相同的宽度“W”和相同的高度“H”。存储器卡500可以包括被布置在第一行处和第三行处的电力端子510和530以及被布置在第二行处的UFS端子551至559。
被布置在第一行处和第三行处的第一地端子510和第一电力端子530可以在位置和形状上与图1中的第一地端子110和第一电力端子130相同。也就是说，例如，第一地端子510可以与纳米SIM卡的地端子C5布置在相同的位置处。第一电力端子530可以与纳米SIM卡的电力端子C1布置在相同的位置处。
UFS端子551至559被布置在第二行处。这里，UFS端子551至559不仅在第二行中在第一方向D1上被布置，而且在第二行中在第二方向D2上被布置。在纳米SIM卡标准中，USB信号端子C4和C8可以被布置在被布置存储器卡500的UFS端子551至559的第二行处。UFS端子551至559可以包括多个电力端子551、552、553a、553b、554a和554b、参考时钟端子555以及数据端子556、557、558和559。UFS端子551至559按照存储器卡500在第一方向D1上被附接到移动装置或从移动装置拆下的情况所需的布置和形状被布置。也就是说，UFS端子551至559可以按照这样的方式被布置：在第一方向D1上的长度比在第二方向D2上的长度更长。
在实施例中，电力端子551和552以及参考时钟端子555被布置在第一方向D1上的中心。第三电力端子553a和554a以及介于它们之间的数据输入端子556和557被布置在最左侧。第三电力端子553b和554b以及介于它们之间的数据输出端子558和559被布置在最右侧。
例如，存储器卡500可以在第一方向D1上被附接到移动装置或者从移动装置拆下。因此，移动装置中的接触引脚和UFS端子551至559可以高度可靠地连接。
上面简单地描述了本发明构思的存储器卡500的接触端子的形状和布置。例如，本发明构思的存储器卡500可以具有8.8mm的宽度(W)和12.3mm的高度(H)。尽管大小与纳米SIM卡的相同，但是用于交换数据和时钟信号的UFS端子551至559被布置在与纳米SIM卡的未使用的端子C4和C8相对应的位置处。
图8是示出根据本发明构思的另一实施例的存储器卡的示图。参照图8，存储器卡600可以具有与纳米SIM卡相同的宽度“W”和相同的高度“H”。第一地端子610和第一电力端子630以及UFS端子651至659可以被布置在存储器卡600的背面。
被布置在第一行处和第三行处的第一地端子610和第一电力端子630可以在位置和形状上与图1中的第一地端子110和第一电力端子130相同。也就是说，例如，第一地端子610可以与纳米SIM卡的地端子C5布置在相同的位置处。第一电力端子630可以与纳米SIM卡的电力端子C1布置在相同的位置处。
UFS端子651至659被布置在第二行处。这里，UFS端子651至659不仅在第二行中在第一方向D1上被布置，而且在第二行中在第二方向D2上被布置。UFS端子651至659可以包括多个电力端子651、652、653a、653b、654a和654b、参考时钟端子655以及数据端子656、657、658和659。UFS端子651至659按照存储器卡600在第一方向D1上被附接到移动装置或从移动装置拆下的情况所需的布置方式和形状被布置。也就是说，UFS端子651至659可以按照这样的方式被布置：在第一方向D1上的长度比在第二方向D2上的长度更长。
在实施例中，电力端子651和652以及参考时钟端子655被布置在第一方向D1上的中心。相反，与图7的示例不同，第三电力端子653a和654a以及介于它们之间的数据输入端子656和657被布置在最右侧。第三电力端子653b和654b以及介于它们之间的数据输出端子658和659布置在最左侧。
上面简单地描述了本发明构思的存储器卡600的接触端子的形状和布置。例如，本发明构思的存储器卡600可以具有8.8mm的宽度(W)和12.3mm的高度(H)。存储器卡600具有与纳米SIM卡相同的大小。然而，用于交换数据和时钟信号的UFS端子651至659被布置在与纳米SIM卡的未使用的端子C4和C8相对应的位置处(即，在第二行处)。
图9A和图9B是示出用于将本发明构思的存储器卡插入UFS卡插槽的UFS卡适配器的示图。图9A示出了被布置在UFS卡适配器1000的背面1000a上的端子，并且图9B示出了UFS卡适配器1000的正面。参照图9A和图9B，对应于阴影部分的插口端子1320、1340和1360以及开口1100形成在UFS卡适配器1000的背面1000a上。用于容纳本发明构思的存储器卡的插口1200形成在UFS卡适配器1000中。
插口端子1320、1340和1360包括电力端子1320、地端子1340和卡检测端子(C/D(GND))1360。电力端子1320形成为将第一电源电压VCC提供至UFS卡适配器1000。地端子1340形成为将地电压VSS提供至UFS卡适配器1000。当与本发明构思的存储器卡100耦接的UFS卡适配器1000被插入到移动装置的卡插槽中时，卡检测端子1360执行将安装在移动装置上的存储器卡识别为UFS卡的功能。
当本发明构思的存储器卡100被插入插口1200中时，存储器卡100的UFS端子151至159通过开口1100被暴露出来。存储器卡100的第一地端子110与UFS卡适配器1000的地端子1340和卡检测端子1360电连接。另外，存储器卡100的第一电力端子130与UFS卡适配器1000的电力端子1320电连接。
根据以上连接关系并通过开口1100暴露UFS端子151至159，存储器卡100被插入其中的UFS卡适配器1000可以用作符合UFS卡标准的存储器卡。
图10是示出存储器卡被插入其中的UFS卡适配器的形状和端子的连接关系的示图。参照图10，当存储器卡100被插入UFS卡适配器1000中时，存储器卡100和UFS卡适配器1000被识别为一个完整的UFS存储器卡并且作为一个完整的UFS存储器操作。
当存储器卡100被完全插入UFS卡适配器1000中时，存储器卡100的UFS端子151至159通过开口1100被暴露于外部。存储器卡100的第一地端子110与UFS卡适配器1000的地端子1340和卡检测端子(C/D(GND))1360电连接。也就是说，存储器卡100的第一地端子110可以与形成在UFS卡适配器1000中的接触端子连接，并且接触端子可以通过导线1510与地端子1340连接。另外，第一地端子110可以通过形成在UFS卡适配器1000中的导线1520与卡检测端子1360连接。
存储器卡100的第一电力端子130可以与设置在UFS卡适配器1000中的接触端子电连接。接触端子可以通过形成在UFS卡适配器1000中的导线1530与电力端子1320电连接。导线1510、1520和1530可以通过形成在UFS卡适配器1000中的导体的布线被实施。
当存储器卡100和UFS卡适配器1000耦接时，插口端子1320、1340和1360以及UFS端子151至159可被安装在UFS卡插槽上，因此，存储器卡100可被识别为UFS卡。
图11是示出根据本发明构思的另一示例实施例的组合卡的示图。参照图11，本发明构思的组合卡700可以提供存储器卡功能和SIM卡功能二者。组合卡700可以包括形成在与纳米SIM卡相同的位置处的SIM端子710、720、730、740、760和780以及UFS端子751至759。组合卡700可以具有与纳米SIM卡相同的大小(8.8mm×12.3mm)。组合卡700的端子可以被布置在第一行至第三行处。
被布置在第一行处和第三行处的SIM端子710、720、730、740、760和780中的第一地端子710和第一电力端子730可以用作公共端子。也就是说，第一地端子710和第一电力端子730向存储器卡和SIM卡二者提供电力和地。例如，第一地端子710和第一电力端子730可以用于向存储器控制器和SIM控制器二者提供电力。第一地端子710与纳米SIM卡标准中提供地电压GND的“C5”端子相对应。第一电力端子730与纳米SIM卡标准中提供电源电压VCC的“C1”端子相对应。例如，电源电压VCC可以是3V至5V。
SIM端子720与纳米SIM卡标准中提供高电压VPP的“C6”端子相对应。SIM端子720用于针对近场通信(NFC)的单线协议SWP，并且提供用于交换信息以操作关于NFC的功能的信道。SIM端子740与用于交换信息以在组合卡700与移动装置之间通信的输入/输出(I/O)端子(即，“C7”端子)相对应。SIM端子740提供用于与移动装置交换组合卡700的用户信息的路径。SIM端子760与纳米SIM卡标准中的用于接收复位信号RST的“C2”端子相对应。SIM端子780与纳米SIM卡标准中的用于接收时钟信号CLK的“C3”端子相对应。
UFS端子751至759被布置在组合卡700的第二行处。当前未使用的USB端子C4和C8被布置在纳米SIM卡的第二行处。UFS端子751至759是用于UFS存储器卡的操作和数据交换的专用于存储器卡的端子。示例被示出为UFS端子751至759的布置与图1的UFS端子151至159的布置相同。UFS端子751至759被配置为具有与图1的UFS端子151至159相同的功能。然而，本发明构思的组合卡700的UFS端子751至759的布置不限于以上公开。例如，可以根据图4至图8的UFS端子布置方式中的至少一种提供UFS端子751至759。
在组合卡700被安装在移动装置上的情况下，组合卡700可以同时提供纳米SIM卡功能和USF存储器卡功能。根据组合卡700，可以减小插口托盘的大小，同时避免分别安装存储器卡和SIM卡的不便。
图12是示出本发明构思的组合卡的构造的示例的框图。参照图12，组合卡700a可以包括存储器控制器770、非易失性存储器(NVM)775和SIM控制器790。
存储器控制器770可以被配置为控制非易失性存储器775。例如，响应于存储器主机M_Host的请求，存储器控制器770可以将数据写至非易失性存储器775，或者可以读取存储在非易失性存储器775中的数据。为了访问非易失性存储器775，存储器控制器770可以将命令、地址、数据和控制信号提供至非易失性存储器775。通过上述公共SIM端子710和730以及UFS端子751至759，可以向存储器控制器770供应电力，或者其可以执行与存储器主机M_Host的通信。
在存储器控制器770的控制下，非易失性存储器775可以存储数据，或者可以将存储在非易失性存储器775中的数据提供至存储器控制器770。非易失性存储器775可以包括多个存储器块。多个存储器块中的每一个可以具有其中字线层在垂直于衬底的方向上堆叠的三维存储器结构。
SIM控制器790可以响应于SIM主机SIM_Host的请求提供用户信息，并且可以验证从SIM主机SIM_Host提供的认证向量。也就是说，对于SIM主机SIM_Host的用户认证，SIM控制器790可以处理与用户认证相关的信息，并且可以将处理的信息提供至SIM主机SIM_Host。SIM控制器790可以利用SIM端子710、720、730、740、760和780与SIM主机SIM_Host(例如，移动装置)通信。
根据组合卡700a，存储器控制器770和SIM控制器790可以彼此独立地与外部通信。因此，本发明构思的组合卡700可以安装在能与其兼容的移动装置上，并且可以同时提供存储器卡功能和SIM卡功能。
图13是示意性地示出图12的组合卡的构造的剖视图。参照图13，组合卡700a可以包括设置在衬底705的上表面上的存储器控制器(MC)770、非易失性存储器(NVM)775和SIM控制器(SC)790。SIM端子710、720、730、740、760和780以及UFS端子751至759可形成在衬底105的下表面上。然而，本文所述的组件的位置、大小和连接关系是示例性的，并且位置、大小和连接关系不限于本公开。
存储器控制器770通过导线L1与非易失性存储器775连接。导线L1可以包括用于在存储器控制器770与非易失性存储器775之间交换命令、地址、数据和控制信号的多个数据线。导线L1示为将存储器控制器770与非易失性存储器775电连接的键合线的形式，但是本发明构思不限于此。也就是说，可以利用形成在衬底705上的硅通孔(TSV)和印刷电路图案实施导线L1。
公共SIM端子710和730以及UFS端子751至759与存储器控制器770电连接。这里，因为图13是沿着第二行截取的组合卡700的剖视图，所以未示出SIM端子710和730。UFS端子751至759可以通过导线L2与存储器控制器770连接。UFS端子751至759可以通过导线、形成在衬底705的上表面或下表面上的印刷电路图案或者形成在衬底705中的布线层或者硅通孔(TSV)与存储器控制器770电连接。
根据示例实施例，非易失性存储器775还可以通过导线、形成在衬底705的上表面或下表面上的印刷电路图案或者形成在衬底705中的布线层或者硅通孔(TSV)与SIM端子710和730电连接。
SIM控制器790通过导线L3与SIM端子710、720、730、740、760和780连接。SIM控制器790可以利用导线L3和SIM端子710、720、730、740、760和780与SIM主机SIM_Host通信。
图14是示出本发明构思的组合卡的构造的另一示例的框图。参照图14，组合卡700b可以包括组合控制器795和非易失性存储器(NVM)775。
组合控制器795可以执行SIM控制器和控制非易失性存储器775的存储器控制器的所有功能。响应于存储器主机M_Host的请求，组合控制器795可以将数据写至非易失性存储器775，或者可以读取存储在非易失性存储器775中的数据。为了访问非易失性存储器775，组合控制器795可以将命令、地址、数据和控制信号提供至非易失性存储器775。
通过上述SIM端子710和730以及UFS端子751至759，可以为组合控制器795供应电力或者可以执行与存储器主机M_Host的通信。在组合控制器795的控制下，非易失性存储器775可以存储数据，或者可以将存储在非易失性存储器775中的数据提供至组合控制器795。
另外，组合控制器795可以根据SIM主机SIM_Host的请求提供用于用户认证的信息。组合控制器795可以通过利用SIM端子710、720、730、740、760和780与SIM主机SIM_Host通信。
通过组合控制器795，组合卡700b可以与存储器主机M_Host和SIM主机SIM_Host通信。组合卡700b可以安装在包括能够与组合卡700b通信的接口的移动装置上，并且可以同时提供存储器卡功能和SIM卡功能。
图15是示意性地示出图14的组合卡的构造的剖视图。参照图15，组合卡700b可以包括设置在衬底705的上表面上的组合控制器(CC)795和非易失性存储器(NVM)775。SIM端子710、720、730、740、760和780以及UFS端子751至759可形成在衬底705的下表面上。然而，本文所述的组件的位置、大小和连接关系是示例性的，并且位置、大小和连接关系不限于本公开。
组合控制器795通过导线L1与非易失性存储器775连接。导线L1可以包括用于在组合控制器795与非易失性存储器775交换命令、地址、数据和控制信号的多条数据线。导线L1示为将组合控制器795与非易失性存储器775电连接的键合线的形式，但是本发明构思不限于此。也就是说，可以通过利用形成在衬底705上的硅通孔(TSV)和印刷电路图案来实施导线L1。
SIM端子710、720、730、740、760和780以及UFS端子751至759与组合控制器795电连接。这里，因为图15是沿着第二行截取的组合卡700的剖视图，所以未示出SIM端子710、720、730、740、760和780。UFS端子751至759可以通过导线L2与组合控制器795连接。UFS端子751至759可以通过导线、形成在衬底705的上表面或下表面上的印刷电路图案或者形成在衬底705中的布线层或硅通孔(TSV)与组合控制器795电连接。
根据示例实施例，非易失性存储器775也可以通过导线、形成在衬底705的上表面或下表面上的印刷电路图案或者形成在衬底705中的布线层或硅通孔(TSV)与SIM端子710和730电连接。
根据本发明构思的实施例，可以实施大小和形状与纳米SIM卡相同的UFS存储器卡。另外，本发明构思的UFS存储器卡可以包括能够与纳米SIM卡共同使用的连接端子，因此提高空间可利用性。
根据示例性实施例，由附图中(即，图3、图12和图14中)的块表示的组件、元件、模块或单元(在本段中统称为“组件”)中的至少一个可以具体化为执行根据示例性实施例的上述相应功能的各种数量的硬件、软件和/或固件结构。例如，这些组件中的至少一个可以使用可通过一个或多个微处理器或其他控制设备的控制来执行相应的功能的直接电路结构，诸如存储器、处理器、逻辑电路、查找表等。此外，这些组件中的至少一个可以具体地由包含用于执行指定逻辑功能并由一个或多个微处理器或其他控制设备执行的一个或多个可执行指令的模块、程序或代码的一部分来实现。此外，这些组件中的至少一个可以包括或可以由诸如执行相应功能的中央处理单元(CPU)之类的处理器、微处理器等来实现。这些组件中的两个或更多个可以组合成执行所组合的两个或更多个组件的所有操作或功能的单个组件。此外，这些组件中的至少一个组件的至少一部分功能可以由这些组件中的另一个执行。此外，尽管在上述框图中没有示出总线，但是可以通过总线来执行组件之间的通信。上述示例性实施例的功能方面可以在在一个或多个处理器上执行的算法中实现。此外，由块或处理步骤表示的组件可采用用于电子配置、信号处理和/或控制、数据处理等的任何数量的相关技术。
虽然已经参考本发明构思的示例性实施例描述了本发明构思，但是对于本领域的普通技术人员来说，显而易见的是，在不脱离所附权利要求所述的本发明构思的精神和范围的情况下，可以对本发明构思进行各种改变和修改。

Claims (20)

1.一种存储器卡，包括至少一个非易失性存储器和存储器控制器，所述存储器卡包括：
第一地端子，其布置在第一行中，并且被配置为将地电压提供至所述至少一个非易失性存储器或者所述存储器控制器；
多个通用闪速存储端子，其布置在第二行中；以及
第一电力端子，其布置在第三行中，并且被配置为将第一电源电压提供至所述至少一个非易失性存储器或者所述存储器控制器，
其中，所述多个通用闪速存储端子包括被配置为提供第二电力的第一通用闪速存储端子、被配置为提供参考时钟信号的第二通用闪速存储端子以及被配置为提供输入/输出数据到所述存储器控制器的路径的第三通用闪速存储端子，
其中，所述存储器卡的大小或尺寸由纳米用户识别模块卡标准限定，
其中，所述第一地端子与所述纳米用户识别模块卡标准的“C5”端子相对应，并且
其中，所述第一电力端子与所述纳米用户识别模块卡标准的“C1”端子相对应。
2.根据权利要求1所述的存储器卡，其中，所述存储器卡的大小或尺寸为12.3mm×8.8mm。
3.根据权利要求1所述的存储器卡，其中：
所述第一通用闪速存储端子包括被配置为将所述第二电力提供至所述存储器控制器的多个第二电力端子，
所述第二通用闪速存储端子包括与所述存储器控制器连接的至少一个数据输入/输出端子，并且
所述第三通用闪速存储端子包括用于将所述参考时钟信号传递至所述存储器控制器的参考时钟端子。
4.根据权利要求3所述的存储器卡，其中，所述第二电力具有比所述第一电源电压低的第二电源电压。
5.根据权利要求1所述的存储器卡，还包括：
可移除通用闪速存储卡适配器，其包括开口，在所述可移除通用闪速存储卡适配器与所述存储器卡耦接的情况下，所述多个通用闪速存储端子通过所述开口暴露；以及
卡检测端子，其与所述第一地端子电连接。
6.根据权利要求5所述的存储器卡，其中，所述卡检测端子被设置为与所述多个通用闪速存储端子并排。
7.根据权利要求5所述的存储器卡，其中，所述通用闪速存储卡适配器还包括：
在所述通用闪速存储卡适配器与所述存储器卡耦接的情况下与所述第一电力端子连接的第三电力端子和与所述第一地端子连接的第二地端子。
8.根据权利要求5所述的存储器卡，其中，所述通用闪速存储卡适配器符合大小或尺寸为11.0mm×15.0mm的通用闪速存储卡的标准。
9.根据权利要求3所述的存储器卡，其中，在第一方向上布置的所述多个第二电力端子、所述至少一个数据输入/输出端子和所述参考时钟端子与所述第一行、所述第二行和所述第三行的布置相对应。
10.根据权利要求1所述的存储器卡，还包括：
用户识别模块控制器；以及
至少一个用户识别模块端子，其形成在所述第一行和所述第三行中的每一个处，并且被配置为有执行所述用户识别模块控制器与主机之间的通信。
11.根据权利要求10所述的存储器卡，其中，在所述第一行中包括所述纳米用户识别模块卡标准的“C6”端子或者“C7”端子，并且在所述第三行中包括所述纳米用户识别模块卡标准的“C2”端子或者“C3”端子。
12.一种组合卡，其包括至少一个非易失性存储器、控制所述至少一个非易失性存储器的存储器控制器和存储或提供用户信息的用户识别模块控制器，所述组合卡包括：
第一端子组，其包括布置在所述组合卡的背面的第一行中的纳米用户识别模块卡标准的“C5”端子、“C6”端子和“C7”端子；
第二端子组，其包括通用闪速存储端子，所述通用闪速存储端子被布置在所述背面的第二行中，并且所述第二端子组提供电力、参考时钟信号和输入/输出数据到所述存储器控制器的路径；以及
第三端子组，其包括布置在所述背面的第三行中的所述纳米用户识别模块卡标准的“C1”端子、“C2”端子和“C3”端子，
其中，所述组合卡的大小或尺寸为12.3mm×8.8mm。
13.根据权利要求12所述的组合卡，其中，所述“C5”端子和所述“C1”端子共同连接以将第一电源电压供应至所述非易失性存储器、所述存储器控制器和所述用户识别模块控制器。
14.根据权利要求13所述的组合卡，其中，所述第二端子组包括用于将第二电源电压提供至所述存储器控制器的通用闪速存储电力端子。
15.根据权利要求12所述的组合卡，其中，所述存储器控制器和所述用户识别模块控制器形成在单个芯片上。
16.一种存储器卡，其包括至少一个非易失性存储器和存储器控制器，并且其大小或尺寸为12.3mm×8.8mm，所述存储器卡包括：
第一地端子，其布置在第一行中，以将地电压提供至所述至少一个非易失性存储器或者所述存储器控制器；
多个通用闪速存储端子，其布置在第二行中，以将电力、参考时钟信号和数据传递至所述存储器控制器；以及
第一电力端子，其形成在第三行处，以将第一电源电压提供至所述至少一个非易失性存储器或者所述存储器控制器，
其中，所述多个通用闪速存储端子包括被配置为将第二电力提供至所述存储器控制器的第一通用闪速存储端子、被配置为提供参考时钟信号的第二通用闪速存储端子以及被配置为将数据提供至所述存储器控制器的第三通用闪速存储端子。
17.根据权利要求16所述的存储器卡，其中，所述第二电力是比所述第一电源电压低的第二电源电压。
18.根据权利要求16所述的存储器卡，其中，所述第一地端子对应于与所述存储器卡相对应的纳米用户识别模块卡标准的“C5”端子的位置。
19.根据权利要求18所述的存储器卡，其中，所述第一电力端子与所述纳米用户识别模块卡标准的“C1”端子的位置相对应。
20.根据权利要求16所述的存储器卡，其中，所述第二行在所述第一行与所述第三行之间。
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