CN112997295B - 屏蔽封装体 - Google Patents

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Abstract

本发明目的在于提供一种在屏蔽层的表面形成有识别度高的图形部的屏蔽封装体。本发明的屏蔽封装体包含用密封材料密封起电子元件而成的封装体、覆盖所述封装体的屏蔽层，其特征在于：所述屏蔽层的表面有图形部和所述图形部以外的非图形部，所述非图形部的Sal（最小自相关长度）与所述图形部的Sal之比为（非图形部的Sal）／（图形部的Sal）＞4.0。

Description

屏蔽封装体
技术领域
本发明涉及一种屏蔽封装体。
背景技术
近年来，用于传输大量数据的无线通信用的电子元件作为被密封材料密封起来的封装体大量安装在手机、平板终端等电子设备中。
所述无线通信用的电子元件的问题是不仅容易产生噪声，而且对噪声的敏感性高,暴露于来自外部的噪声的话容易引起故障。
此外，为兼顾电子设备的小型轻量化和高功能化，需要提高电子元件的安装密度。但问题是提高安装密度的话不仅成为噪声的产生来源的电子元件会增多，而且受到噪声影响的电子元件也会增多。
一直以来已知一种屏蔽封装体，所述屏蔽封装体用屏蔽层以覆盖整个封装体的方式覆盖噪声的产生来源即电子元件，从而防止电子元件产生噪声并防止噪声入侵（专利文献1、2）。
此外，为了提高用密封材料密封起电子元件而成的封装体的识别度，一直以来也在采用在封装体的表面进行激光打标的方法（专利文献3）。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2017/170390号；
专利文献2：国际公开第2015/186624号；
专利文献3：日本专利特开平03-124051号。
发明内容
发明要解决的技术问题
提高屏蔽封装体的识别度的方法例如有以下方法。
首先，向封装体的密封材料照射激光来蚀刻密封材料表面从而形成槽部。通过该激光的蚀刻在密封材料表面的槽部的底部形成微细的凹凸。
接着，用溅射法在密封材料堆积金属薄膜来形成屏蔽层，形成含有由密封材料表面的微细的凹凸所引起的凹凸的屏蔽层，从而形成具有识别功能的图形部。
用溅射法形成的屏蔽层的特征在于，其含有由密封材料表面的微细的凹凸所引起的凹凸，并且该凹凸形成图形部，因此图形部的边界易辨别。但用溅射法形成的屏蔽层的问题在于，密封电子元件的密封材料与金属薄膜的线膨胀率不同，所以热循环试验的可靠度差。而且溅射装置价格高，因此生产率不佳。
此外，用喷洒法将导电性涂料涂布到密封材料的表面后，导电性涂料的整平效果使得在密封材料的槽部的微细的凹凸之上形成的屏蔽层变得平整。这样一来，有时会产生照射了激光之处的边界难以辨别，具有识别功能的图形部的边界模糊的问题。
本发明为解决上述技术问题，目的在于提供一种在屏蔽层的表面形成有识别度高的图形部的屏蔽封装体。
解决技术问题的技术手段
在本发明的屏蔽封装体中，屏蔽层的表面有图形部和所述图形部以外的非图形部。
在本发明的屏蔽封装体中，表示非图形部的形状的特定的参数与表示图形部的形状的该特定的参数之比满足一定关系，由此非图形部与图形部的反射率出现差异，与图形部以外的非图形部的明度之差大。因此图形部的边界明显。所以本发明的屏蔽封装体的图形部的识别度高。
并且，在本说明书中，“图形部”除了圆、三角形等简单图形外，也包括文字、标识等表示具有识别力的信息之物。
此外，“表示具有识别力的信息之物”除了能通过肉眼识别之物外，也包括能通过读取器等光学手段识别之物。
本发明的屏蔽封装体包含用密封材料密封起电子元件而成的封装体、覆盖所述封装体的屏蔽层，所述屏蔽封装体的特征在于：所述屏蔽层的表面有图形部和所述图形部以外的非图形部，所述非图形部的Sal（最小自相关长度）与所述图形部的Sal之比为（非图形部的Sal）／（图形部的Sal）＞4.0。
在本发明的屏蔽封装体中，表示非图形部的形状的特定的参数以及表示图形部的形状的该特定的参数为Sal（最小自相关长度）。
Sal之比在上述范围内时，图形部比非图形部陡峭的凹凸多，因此能抑制光的反射。所以图形部与非图形部之间的明暗之差明显，图形部的识别度进一步提高。
本发明的另一屏蔽封装体包含用密封材料密封起电子元件而成的封装体、覆盖所述封装体的屏蔽层，所述屏蔽封装体的特征在于：所述屏蔽层的表面有图形部和所述图形部以外的非图形部，所述非图形部的Smr1（分离突出轮廓峰部和中心部的负载面积率）与所述图形部的Smr1之比为（非图形部的Smr1）／（图形部的Smr1）＞1.0。
在本发明的另一屏蔽封装体中，表示非图形部的形状的特定的参数及表示图形部的形状的该特定的参数为Smr1（分离突出轮廓峰部和中心部的负载面积率）。
Smr1之比在上述范围内时，图形部比非图形部陡峭的凹凸多，因此能抑制光的反射。所以图形部与非图形部之间的明暗之差明显，图形部的识别度进一步提高。
本发明的另一屏蔽封装体包含用密封材料密封起电子元件而成的封装体、覆盖所述封装体的屏蔽层，所述屏蔽封装体的特征在于：所述屏蔽层的表面有图形部和所述图形部以外的非图形部，所述非图形部的Ssk（偏度）与所述图形部的Ssk之比为（非图形部的Ssk）／（图形部的Ssk）＜5.0。
在本发明的另一屏蔽封装体中，表示非图形部的形状的特定的参数及表示图形部的形状的该特定的参数为Ssk（偏度）。
Ssk之比在上述范围内时，图形部比非图形部细小的凸部多，因此能抑制光的反射。所以图形部与非图形部之间的明暗之差明显，图形部的识别度进一步提高。
本发明的另一屏蔽封装体包含用密封材料密封起电子元件而成的封装体、覆盖所述封装体的屏蔽层，所述屏蔽封装体的特征在于：所述屏蔽层的表面有图形部和所述图形部以外非图形部，所述非图形部的Rvk（突出轮廓谷部深度）与所述图形部的Rvk之比为（非图形部的Rvk）／（图形部的Rvk）＜0.4。
在本发明的另一屏蔽封装体中，表示非图形部的形状的特定的参数及表示图形部的形状的该特定的参数为Rvk（突出轮廓谷部深度）。
Rvk之比在上述范围内时，相比非图形部的表面的轮廓谷部，图形部的表面的轮廓谷部足够深，因此能抑制光的反射。所以图形部与非图形部之间的明暗之差明显，图形部的识别度进一步提高。
在本发明的屏蔽封装体中，可设计为：所述密封材料的表面包含描绘区域和所述描绘区域以外的非描绘区域，所述描绘区域由复数个槽部集合而被线描绘和／或点描绘出，其中，位于所述描绘区域之上的所述屏蔽层的表面形成有由所述槽部所引起的复数个凹部，所述凹部集合并线描绘和／或点描绘所述图形部。
能通过在密封材料的表面形成槽部，从而轻松地在屏蔽层的表面形成图形部。
此外，通过线描绘和/或点描绘而形成图形部，因此图形部的识别度良好。
在本发明的屏蔽封装体中，可设计为：复数个所述槽部中的至少一部分形成为线状。
线状的槽部易于通过激光打标形成。
在本发明的屏蔽封装体中，优选复数个所述槽部中的至少一部分形成为直线状且所述槽部彼此平行。
直线状且平行的槽部是简单的形状，因此能高效地形成。
在本发明的屏蔽封装体中，优选相邻的所述槽部彼此的间隔为10～100μm。
槽部彼此的间隔在上述范围内时，在屏蔽层的表面线描绘的图形部与非图形部的明度之差更加明显。
相邻槽部彼此的间隔不足10μm时，形成槽部耗时，不高效。此外，导电性涂料的整平效果使得难以用读取器等光学手段识别图形部。
相邻槽部彼此的间隔超过100μm时，在屏蔽层的表面形成的凹部的间隔大，单位面积的凹部的数量少。因此线描绘图形部的凹部的数量少。
这样一来，屏蔽层的表面的图形部和非图形部的明度之差小，图形部难以识别。
在本发明的屏蔽封装体中，可设计为：复数个所述槽部中的至少一部分形成为格子状。
格子状的槽部能通过呈十字激光打标轻松形成。
在本发明的屏蔽封装体中，优选由所述槽部形成的格子的宽度为10～100μm。
由槽部形成的格子的宽度在上述范围内时，在屏蔽层的表面线描绘的图形部与非图形部的明度之差明显。
由槽部形成的格子的宽度不足10μm时，形成槽部耗时，不高效。此外，导电性涂料的整平效果使得难以用读取器等光学手段识别图形部。
由槽部形成的格子的宽度超过100μm时，在屏蔽层的表面形成的凹部的间隔大，单位面积的凹部的数量少。因此线描绘图形部的凹部的数量少。
这样一来，屏蔽层的表面的图形部与非图形部的明度之差小，图形部难以识别。
在本发明的屏蔽封装体中，优选所述槽部的宽度为5～100μm。
槽部的宽度在上述范围内时，在屏蔽层的表面线描绘和/或点描绘的图形部与非图形部的明度之差明显。
槽部的宽度不足5μm时，难以在屏蔽层的表面形成凹部。这样一来，屏蔽层的表面的图形部与非图形部的明度之差小，图形部难以识别。此外，导电性涂料的整平效果使得难以用读取器等光学手段识别图形部。
槽部的宽度超过100μm时，在屏蔽层的表面形成的凹部的宽度大，因此单位面积的凹部的数量少。所以线描绘图形部的凹部的数量少。
这样一来，屏蔽层的表面的图形部与非图形部的明度之差小，图形部难以识别。
在本发明的屏蔽封装体中，优选所述槽部的深度为5μm以上。
槽部的深度为5μm以上时，在屏蔽层的表面会清晰地形成凹部，因此在屏蔽层的表面线描绘和/或点描绘的图形部与非图形部的明度之差明显。
在本发明的屏蔽封装体中，优选所述屏蔽层的厚度为3～15μm。
屏蔽层的厚度不足3μm时，难以获得足够的屏蔽性能。
屏蔽层的厚度超过15μm时，从槽部到屏蔽层的表面的距离长，因此难以形成凹部。
这样一来，屏蔽层的表面的图形部与非图形部的明度之差小，图形部难以识别。
在本发明的屏蔽封装体中，优选所述图形部是二维码。
如上所述，本发明的屏蔽封装体的图形部的识别度高。因此，即使图形部是二维码也能用读取器等光学手段轻松读取。
发明效果
在本发明的屏蔽封装体中，非图形部的Sal与图形部的Sal之比为（非图形部的Sal）／（图形部的Sal）＞4.0。
Sal之比在上述范围内时，图形部比非图形部陡峭的凹凸多，因此能抑制光的反射。所以图形部与非图形部之间的明暗之差明显，图形部的识别度进一步提高。
在本发明的另一屏蔽封装体中，非图形部的Smr1与图形部的Smr1之比为（非图形部的Smr1）／（图形部的Smr1）＞1.0。
Smr1之比在上述范围内时，图形部比非图形部陡峭的凹凸多，因此能抑制光的反射。所以图形部与非图形部之间的明暗之差明显，图形部的识别度进一步提高。
在本发明的另一屏蔽封装体中，非图形部的Ssk与图形部的Ssk之比为（非图形部的Ssk）／（图形部的Ssk）＜5.0。
Ssk之比在上述范围内时，图形部比非图形部细小的凸部多，因此能抑制光的反射。所以图形部与非图形部之间的明暗之差明显，图形部的识别度进一步提高。
在本发明的屏蔽封装体中，非图形部的Rvk与图形部的Rvk之比为（非图形部的Rvk）／（图形部的Rvk）＜0.4。
Rvk之比在上述范围内时，相比非图形部的表面的轮廓谷部，图形部的表面的轮廓谷部足够深，因此能抑制光的反射。所以图形部与非图形部之间的明暗之差明显，图形部的识别度进一步提高。
附图说明
[图1]图1（a）是本发明的屏蔽封装体的一个例子的斜视示意图；图1（b）是图1（a）中用虚线围起的部分的放大图；图1（c）是沿图1（b）的A－A线的截面图；
[图2]图2（a）是在屏蔽层中由一个凹部描绘了一个图形部的比较技术的屏蔽封装体的一个例子的斜视示意图；图2（b）是图2（a）中用虚线围起的部分的放大图；图2（c）是沿图2（b）的B－B线的截面图；
[图3]图3（a）及（b）是在本发明的屏蔽封装体的密封材料上形成的槽部的形状的一个例子的俯视示意图；
[图4]图4是本发明的屏蔽封装体的制造方法中的封装体准备工序的一个例子的工序示意图；
[图5]图5是本发明的屏蔽封装体的制造方法中描绘预定区域决定工序的一个例子的工序示意图；
[图6]图6是图5中用虚线围起的部分的放大图，且是本发明的屏蔽封装体的制造方法中描绘区域形成工序的一个例子的工序示意图；
[图7]图7是本发明的屏蔽封装体的制造方法中屏蔽层形成工序的一个例子的工序示意图；
[图8]图8（a）是实施例1涉及的屏蔽封装体的图片；图8（b）是图8（a）所示的屏蔽封装体的图形部的放大图片；
[图9]图9是示出各实施例及各比较例中屏蔽封装体的非图形部的Sal与图形部的Sal之比（（非图形部的Sal）／（图形部的Sal））的图表；
[图10]图10是示出各实施例及各比较例中屏蔽封装体的非图形部的Smr1与图形部的Smr1之比（（非图形部的Smr1）／（图形部的Smr1））的图表；
[图11]图11是示出各实施例及各比较例中屏蔽封装体的非图形部的Ssk与图形部的Ssk之比（（非图形部的Ssk）／（图形部的Ssk））的图表；
[图12]图12是各实施例及各比较例中屏蔽封装体的非图形部的Rvk与图形部的Rvk之比（（非图形部的Rvk）／（图形部的Rvk））的图表。
具体实施方式
以下就本发明的屏蔽封装体进行具体的说明。但是，本发明不限于以下实施方式，能够在不改变本发明主旨的范围内适当地变更并适用。
（第1实施方式）
以下利用附图就本发明的屏蔽封装体的一形态进行说明。
图1（a）是本发明的屏蔽封装体的一个例子的斜视示意图。图1（b）是图1（a）中用虚线围起的部分的放大图。图1（c）是沿图1（b）的A－A线的截面图。
如图1（a）所示，屏蔽封装体1包含用密封材料20密封起电子元件10而成的封装体30、覆盖封装体30的屏蔽层40。
而且，屏蔽层40有图形部50和非图形部60。
如图1（b）所示，图形部50由在屏蔽层40的表面形成的凹部41集合而被线描绘。
此外，如图1（c）所示，密封材料20的表面包含描绘区域22和描绘区域22以外的非描绘区域23，所述描绘区域22由复数个槽部21集合而被线描绘。
复数个凹部41由槽部21引起，形成在位于描绘区域22之上的屏蔽层40的表面。
在此，就比较技术的屏蔽封装体进行说明，在所述比较技术的屏蔽封装体中，由一个槽部在密封材料形成描绘区域，在此之上形成屏蔽层并形成凹部，由一个凹部描绘图形部。
图2（a）是在屏蔽层中由一个凹部描绘了一个图形部的比较技术的屏蔽封装体的一个例子的斜视示意图。图2（b）是图2（a）中用虚线围起的部分的放大图。图2（c）是沿图2（b）的B－B线的截面图。
如图2（a）所示，屏蔽封装体501包含用密封材料520密封起电子元件510而成的封装体530、覆盖封装体530的屏蔽层540。
而且，在屏蔽层540形成有图形部550。
如图2（b）所示，图形部550由在屏蔽层540的表面形成的一个凹部541形成。
此外，如图2（c）所示，在密封材料520形成有槽部521，由一个槽部521形成了描绘区域522。此外，这以外的部分是非描绘区域523。
所述一个槽部521通过激光的蚀刻而形成。
通过所述蚀刻，一个槽部521的底部通过激光蚀刻形成了微细的凹凸525。
此外，一个凹部541由槽部521引起，形成在位于描绘区域522之上的屏蔽层540的表面。
制造所述屏蔽封装体501时，在密封材料520形成槽部521后，涂布导电性涂料形成屏蔽层540。
如图2（c）中虚线围起的部分所示，由于导电性涂料的整平效果，在微细的凹凸525之上形成的屏蔽层540变得平整。这样一来，凹部541的边界难以辨别，图形部550的边界模糊。
另一方面，在屏蔽封装体1中，复数个凹部41集合从而在屏蔽层40的表面线描绘图形部50。
如上线描绘出的图形部50由于反射率不同，而与非图形部60的明度之差大。因此图形部50的边界明显。
在屏蔽封装体1中，非图形部60的Sal与图形部50的Sal之比为（非图形部的Sal）／（图形部的Sal）＞4.0。
Sal之比在上述范围内时，图形部比非图形部陡峭的凹凸多，因此能抑制光的反射。所以图形部与非图形部之间的明暗之差明显，图形部的识别度进一步提高。
并且，能依照ISO25178通过共聚焦显微镜（Lasertec公司制，OPTELICS HYBRID）测定非图形部60及图形部50的Sal。
此外，能通过调整槽部21的宽度、深度、槽部21彼此的间隔、用于形成屏蔽层的导电性涂料的组分等来控制上述参数。
在屏蔽封装体1中，优选槽部21的宽度W（图1（c）中符号“W”所示的距离）为5～100μm。
槽部21的宽度W在上述范围内时，在屏蔽层40的表面线描绘的图形部50与非图形部60的明度之差明显。
槽部21的宽度W不足5μm时，难以在屏蔽层40的表面形成凹部41。这样一来，屏蔽层40的表面的图形部50与非图形部60的明度之差小，图形部50难以识别。此外，导电性涂料的整平效果使得难以用读取器等光学手段识别图形部。
槽部21的宽度W超过100μm时，在屏蔽层40的表面形成的凹部41的宽度大，因此单位面积的凹部41的数量少。所以线描绘图形部50的凹部41的数量少。
这样一来，屏蔽层40的表面的图形部50与非此部分的明度之差小，图形部50难以识别。
在屏蔽封装体1中，优选槽部21的深度D（图1（c）中符号“D”所示的距离）为5μm以上，更优选20μm以上。
槽部21的深度D为5μm以上时，在屏蔽层40的表面清晰地形成凹部41，因此在屏蔽层40的表面线描绘的图形部50与非图形部60的明度之差明显。
在本发明的屏蔽封装体中，槽部只要是能在屏蔽层的表面形成凹部的形状，即可任意形成。
比如槽部可以是线状，也可以是点状。
特别是，槽部为线状时易于通过激光打标形成。
在此，利用附图就本发明的屏蔽封装体中的槽部的形状进行说明。
图3（a）及（b）是在本发明的屏蔽封装体的密封材料上形成的槽部的形状的一个例子的俯视示意图。
在图3（a）所示的密封材料120形成有槽部121，所述槽部121形成为直线状且槽部121彼此平行。
此外，相邻槽部121彼此的间隔I（图3（a）中符号“I”所示的距离）为等间隔。
直线状且平行的槽部121是简单的形状，因此能高效地形成。
优选密封材料120中相邻槽部121彼此的间隔I为10～100μm。
槽部121彼此的间隔I在上述范围内时，在屏蔽层的表面线描绘的图形部与非图形部之差明显。
相邻槽部彼此的间隔不足10μm时会形成很多槽部，因此形成槽部耗时，不高效。此外，导电性涂料的整平效果使得难以用读取器等光学手段识别图形部。
相邻槽部彼此的间隔超过100μm时，在屏蔽层的表面形成的凹部的间隔大，单位面积的凹部的数量少。因此线描绘图形部的凹部的数量少。
这样一来，屏蔽层的表面的图形部与非图形部的明度之差小，图形部难以识别。
在图3（a）中，相邻槽部121彼此的间隔I为等间隔，但在本发明的屏蔽封装体中，相邻槽部彼此的间隔可以不是等间隔。
槽部221呈格子状形成于图3（b）所示的密封材料220。
此外，由槽部221形成的格子各自互为相同的形状。
格子状的槽部221能通过呈十字进行激光打标轻松形成。
优选密封材料220中由槽部221形成的格子225的宽度S（图3（b）中符号“S”所示的距离）为10～100μm。
格子225的宽度S在上述范围内时，在屏蔽层的表面线描绘的图形部与非图形部的明度之差明显。
由槽部形成的格子的宽度不足10μm时会形成很多槽部，因此形成槽部耗时，不高效。此外，导电性涂料的整平效果使得难以用读取器等光学手段识别图形部。
由槽部形成的格子的宽度超过100μm时，在屏蔽层的表面形成的凹部的间隔大，单位面积的凹部的数量少。因此线描绘图形部的凹部的数量少。
这样一来，屏蔽层的表面的图形部与非图形部的明度之差小，图形部难以识别。
在图3（b）中，由槽部221形成的格子为相同形状的正方形，但在本发明的屏蔽封装体中，由槽部形成的格子可以不是相同形状,也可以是长方形。
本发明的屏蔽封装体的电子元件无特别限定，例如可以是以往的无线通信用的电子元件。
本发明的屏蔽封装体中密封电子元件的密封材料的材料无特别限定，可以是一般使用的树脂材料。
所述树脂材料能列举出环氧树脂、苯酚树脂、硅树脂、不饱和聚酯树脂、三聚氰胺树脂、尿素树脂、邻苯二甲酸二烯丙酯树脂、聚酰亚胺树脂、聚苯硫醚树脂等。
此外，树脂材料可以包含从热固性树脂、热塑性树脂、活性能量射线固化性树脂中选择的至少任意一者，但从耐热性的观点来看，优选包含热固性树脂或活性能量射线固化性树脂。
本发明的屏蔽封装体的屏蔽层无特别限定，可以由公知的导电性涂料形成。
屏蔽层可以包含作为粘结剂成分的树脂以及导电性粒子。
构成屏蔽层的粘结剂成分例如能列举出环氧树脂、醇酸树脂、三聚氰胺树脂、二甲苯树脂、(甲基)丙烯酸酯化合物等。
环氧树脂能列举出双酚 A型环氧树脂、双酚 F型环氧树脂、双酚 S型环氧树脂等双酚型环氧树脂、螺环形（spirocycle）型环氧树脂、萘型环氧树脂、联苯型环氧树脂、萜烯型环氧树脂、三(缩水甘油氧基苯基)甲烷、四（缩水甘油氧基苯基）乙烷等缩水甘油醚型环氧树脂、四缩水甘油二氨基二苯甲烷等缩水甘油胺型环氧树脂、四溴双酚 A型环氧树脂、甲酚（线型）酚醛型环氧树脂、苯酚（线型）酚醛型环氧树脂、α-萘酚（线型）酚醛型环氧树脂、溴化苯酚（线型）酚醛型环氧树脂等（线型）酚醛型环氧树脂、橡胶改性环氧树脂等。
(甲基)丙烯酸酯化合物是丙烯酸酯化合物或甲基丙烯酸酯化合物，只要是含有丙烯酰基或甲基丙烯酰基的化合物即可，无特别限定。(甲基)丙烯酸酯化合物的例子能列举出丙烯酸异戊酯、新戊二醇二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、二三羟甲基丙烷四丙烯酸酯、2-羟基-3-丙烯酰氧基丙基甲基丙烯酸酯、苯基缩水甘油醚丙烯酸酯六亚甲基二异氰酸酯预聚物、双酚A二缩水甘油醚 丙烯酸加成物、乙二醇二甲基丙烯酸酯以及二乙二醇二甲基丙烯酸酯等。
构成屏蔽层的导电性粒子例如能列举出铜粒子、银粒子、镍粒子、银包铜粒子、金包铜粒子、银包镍粒子、金包镍粒子等金属粒子。
金属粒子的形状无特别限定，可以是球状、薄片状（鳞片状）、树枝状、纤维状等。
另外，球状不仅包括大致完全球形（雾化粉），也包括大致多面体状的球体（还原粉）、不定形状（电解粉）等大致球状。
并且，屏蔽层是包含固化剂的导电性涂料固化而形成的，因此屏蔽层中可以含有来自固化剂的成分。
此外，根据需要，屏蔽层中也可以含有消泡剂、增粘剂、粘着剂、填充剂、阻燃剂、着色剂等公知的添加剂。
在本发明的屏蔽封装体中，屏蔽层的表面的图形部可以是简单图形、文字、标识等表示具有识别力的信息之物。
图形部是文字时，可以是产品的型号、批次编号、生产时间及日期等。此外，图形部是文字时，优选能用眼睛确认。
表示具有识别力的信息之物例如能列举出二维码。
图形部是二维码时，优选能用读取器（例如Honey well公司条形码扫描仪Xenon1902系列等）读取。
在所述屏蔽封装体1中，密封材料20的表面形成复数个槽部21，从而在屏蔽层40的表面形成了图形部50。
但在本发明的屏蔽封装体中，只要非图形部的Sal与图形部的Sal之比即（非图形部的Sal）／（图形部的Sal）＞4.0即可，可以不在密封材料的表面形成槽部。
例如能设计为：在屏蔽层的表面形成复数个凸部和/或复数个凹部来形成图形部。复数个凸部或复数个凹部可以无规则排列也可以规则地排列。此外，复数个凸部或复数个凹部可以被线描绘和/或点描绘。
在屏蔽层的表面形成复数个凸部和/或凹部的方法无特别限定，能采用通过压纹处理、喷砂处理等对屏蔽层的表面进行加工的方法、在形成屏蔽层的导电性涂料中添加粒子的方法等以往的方法。
此外，也可设计为：通过压纹处理、喷砂处理等对用密封材料覆盖起电子元件的封装体进行加工或在封装体中添加粒子，从而在封装体的表面形成复数个凸部和/或凹部后，涂布导电性涂料形成屏蔽层，由此在屏蔽层的表面形成复数个凸部和/或凹部。
接着，就本发明的屏蔽封装体的制造方法的一个例子进行说明。
本发明的屏蔽封装体的制造方法包括（1）封装体准备工序、（2）描绘预定区域决定工序、（3）描绘区域形成工序、（4）屏蔽层形成工序。
以下利用附图就各工序进行说明。
图4是本发明的屏蔽封装体的制造方法中封装体准备工序的一个例子的工序示意图。
图5是本发明的屏蔽封装体的制造方法中描绘预定区域决定工序的一个例子的工序示意图。
图6是图5中用虚线围起的部分的放大图，且是本发明的屏蔽封装体的制造方法中描绘区域形成工序的一个例子的工序示意图。
图7是本发明的屏蔽封装体的制造方法中屏蔽层形成工序的一个例子的工序示意图。
（1）封装体准备工序
首先，如图4所示，准备用密封材料20密封起电子元件10而成的封装体30。
已经对电子元件的种类、密封材料的材料进行过了说明，故不再赘述。
（2）描绘预定区域决定工序
接着，如图5所示，在密封材料20的表面决定描绘预定区域22a、描绘预定区域22a以外的非描绘区域23。
（3）描绘区域形成工序
接着，如图6所示，通过向描绘预定区域22a照射激光L来形成复数个线状的槽部21，使线状的槽部21集合从而线描绘描绘区域22。
此外，在图6中，由线状的槽部21线描绘描绘区域22，但在本发明的屏蔽封装体的制造方法中，也可以形成点状的槽部来点描绘描绘区域。
能够通过调整激光的输出及移动速度来控制在描绘预定区域形成的槽部的宽度和深度。
此外，此时，控制槽部的宽度、深度，槽部之间的宽度，涂布到封装体表面的导电性涂料的组分等，使得在经过之后的工序而形成的屏蔽层中非图形部的Sal与图形部的Sal之比为（非图形部的Sal）／（图形部的Sal）＞4.0。
（4）屏蔽层形成工序
接着，如图7所示，在密封材料20的表面涂布导电性涂料40a后，使导电性涂料固化形成屏蔽层40。
在该工序中，形成由线状的槽部21所引起的线状的凹部41，使凹部41集合从而线描绘图形部50。
并且，在图7中，形成了由线状的槽部21所引起的线状的凹部41。如上所述，在本发明的屏蔽封装体的制造方法中，也可以在描绘区域形成工序中形成点状的槽部。此时形成点状的凹部，由点状的凹部点描绘图形部。
在本工序中，涂布导电性涂料的方法无特别限定，例如能列举出喷洒法、网印法、浸渍法等。其中，优选用容易得到均一厚度的屏蔽层的喷洒法进行涂布。
此外，能通过控制喷洒时间等调整导电性涂料的涂布量来调整屏蔽层的厚度。
就本工序中所使用的导电性涂料进行说明。
导电性涂料含有粘结剂成分、导电性粒子及固化剂。
粘结剂成分及导电性粒子的优选种类与构成所述屏蔽层的粘结剂成分及导电性粒子的优选种类相同，故在此省略说明。
导电性粒子的配混量优选相对于粘结剂成分100重量份为500～1800重量份，更优选550～1800重量份。
固化剂例如能列举出苯酚类固化剂、咪唑类固化剂、胺类固化剂、阳离子类固化剂、自由基类固化剂等。
苯酚类固化剂例如能列举出（线型）酚醛苯酚、萘酚类化合物等。
咪唑类固化剂例如能列举出咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-苯基咪唑、2-乙基-4-甲基-咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、2-苯基咪唑。
阳离子类固化剂的例子能列举出以三氟化硼的胺盐、对甲氧基苯重氮六氟磷酸盐、二苯基碘鎓六氟磷酸盐、三苯基锍盐、四正丁基磷鎓四苯基硼酸盐、四正丁基磷鎓-o，o-二乙基二硫代磷酸酯等为代表的鎓类化合物。
自由基类固化剂（聚合引发剂）的例子能列举出过氧化二异丙苯、过氧化叔丁基异丙苯、过氧化氢叔丁基、过氧化氢异丙苯等。
固化剂的配混量也根据固化剂的种类而不同，一般优选相对于粘结剂成分的总量100重量份为0.3～40重量份，更优选0.5～35重量份。
此外，根据需要，导电性涂料也可以含有甲基乙基酮等溶剂。
优选导电性涂料的粘度为10～5000mPa・s。
导电性涂料的粘度不足10mPa・s时粘度太低，凹凸容易被填埋。
导电性涂料的粘度超过5000mPa・s时粘度太高，涂膜的表面粗糙度大。这样一来，屏蔽特性容易变差，外观容易变差。
固化导电性涂料的方法能采用通过加热来固化粘结剂成分的方法、照射活性能量射线使粘结剂成分固化的方法等公知的固化方法。固化条件能根据粘结剂成分中的固化剂的种类、配混量恰当设定。
（第2实施方式）
关于本发明的第2实施方式涉及的屏蔽封装体，与第1实施方式涉及的屏蔽封装体的非图形部的Sal与图形部的Sal之比为（非图形部的Sal）／（图形部的Sal）＞4.0不同，非图形部的Smr1与图形部的Smr1之比为（非图形部的Smr1）／（图形部的Smr1）＞1.0，除此以外与本发明的第1实施方式涉及的屏蔽封装体相同。
Smr1之比在上述范围内时，图形部比非图形部陡峭的凹凸多，因此能抑制光的反射。所以图形部与非图形部之间的明暗之差明显，图形部的识别度进一步提高。
能够依照ISO25178，用共聚焦显微镜（Lasertec公司制、OPTELICS HYBRID）测定非图形部及图形部的Smr1。
（第3实施方式）
关于本发明的第3实施方式涉及的屏蔽封装体，与第1实施方式涉及的屏蔽封装体的非图形部的Sal与图形部的Sal之比为（非图形部的Sal）／（图形部的Sal）＞4.0不同，非图形部的Ssk与图形部的Ssk之比为（非图形部的Ssk）／（图形部的Ssk）＜5.0，除此以外与本发明的第1实施方式涉及的屏蔽封装体相同。
Ssk之比在上述范围内时，图形部比非图形部细小的凸部多，因此能抑制光的反射。所以图形部与非图形部之间的明暗之差明显，图形部的识别度进一步提高。
能够依照ISO25178，用共聚焦显微镜（Lasertec公司制、OPTELICS HYBRID）测定非图形部及图形部的Ssk。
（第4实施方式）
关于本发明的第4实施方式涉及的屏蔽封装体，与第1实施方式涉及的屏蔽封装体的非图形部的Sal与图形部的Sal之比为（非图形部的Sal）／（图形部的Sal）＞4.0不同，非图形部的Rvk与图形部的Rvk之比为（非图形部的Rvk）／（图形部的Rvk）＜0.4，除此以外与本发明的第1实施方式涉及的屏蔽封装体相同。
Rvk之比在上述范围内时，相比非图形部的表面的轮廓谷部，图形部表面的轮廓谷部足够深，因此能抑制光的反射。所以图形部与非图形部之间的明暗之差明显，图形部的识别度进一步提高。
能够依照JIS B 0601：2001，用共聚焦显微镜（Lasertec公司制、OPTELICSHYBRID）测定非图形部及图形部的Rvk。
（其他实施方式）
上述本发明的第1实施方式～第4实施方式涉及的屏蔽封装体分别满足“非图形部的Sal与图形部的Sal之比为（非图形部的Sal）／（图形部的Sal）＞4.0”、“非图形部的Smr1与图形部的Smr1之比为（非图形部的Smr1）／（图形部的Smr1）＞1.0”、“非图形部的Ssk与图形部的Ssk之比为（非图形部的Ssk）／（图形部的Ssk）＜5.0”以及“非图形部的Rvk与图形部的Rvk之比为（非图形部的Rvk）／（图形部的Rvk）＜0.4”。
本发明的屏蔽封装体可以同时满足“非图形部的Sal与图形部的Sal之比为（非图形部的Sal）／（图形部的Sal）＞4.0”、“非图形部的Smr1与图形部的Smr1之比为（非图形部的Smr1）／（图形部的Smr1）＞1.0”、“非图形部的Ssk与图形部的Ssk之比为（非图形部的Ssk）／（图形部的Ssk）＜5.0”以及“非图形部的Rvk与图形部的Rvk之比为（非图形部的Rvk）／（图形部的Rvk）＜0.4”中的2者以上。
特别是，Sal、Smr1及Ssk是表示三维形状的参数，因此本发明的屏蔽封装体也可以同时满足上述项。
实施例
以下基于实施例对本发明的内容进行详细说明，但本发明不限于以下内容。
（实施例1）
（1）封装体准备工序
准备了用包含热固性环氧树脂的密封材料密封起来的模型IC的纵1cm×横1cm大小的模型封装体。
（2）描绘预定区域决定工序
在模型封装体的密封材料的表面决定了作为二维码的描绘预定区域、除此之外的非描绘区域。
（3）描绘区域形成工序
接着，用激光打标机（esi公司制“LodeStone”）在激光输出0.3W、激光蚀刻宽度4.0μm、激光移动速度400mm／s的条件下，在描绘预定区域形成复数个槽部并形成了描绘区域。
槽部形成为直线状且相邻槽部彼此等间隔平行。
此外，槽部的宽度为10μm，深度为40μm，相邻槽部彼此的间隔为15μm。
（4）屏蔽层形成工序
首先，准备了下述组分的导电性涂料。
＜导电性涂料的组分＞
・粘结剂成分（环氧树脂）
三菱化学（株）制，商品名“JER157S70”20重量份
（株）ADEKA制，商品名“EP－3905S”30重量份
（株）ADEKA制，商品名“EP－4400”50质量份
・导电性粒子
银包铜合金粒子（平均粒径5μm，薄片状，纵横比2～10）1000重量份
・固化剂
苯酚（线型）酚醛（荒川化学工业（株）制，商品名“TAMANOL758”）15重量份
2-甲基咪唑（四国化成工业（株）制，商品名“2MZ－H”）5重量份
・溶剂
1-甲氧基-2-丙醇 24Wt％。
接着，在下述条件下进行喷涂，在模型封装体的密封材料的表面形成了厚度为7μm的屏蔽层。
＜喷洒条件＞Nordson Asymtek公司制 SL－940E
膏体挤压压力：2.8Psi
辅助空气（喷雾化空气）：5Psi
封装体表面的温度：22℃
从封装体表面到喷嘴的距离：约15cm
喷头移动间距：5mm
喷头移动速度：500mm／秒
喷洒次数：4次
固化条件：在160℃的干燥机内放置20分钟。
在该工序中制造了实施例1涉及的模型屏蔽封装体，所述模型屏蔽封装体在屏蔽层形成由槽部引起的复数个凹部，凹部集合从而线描绘出了二维码。
图8（a）是实施例1涉及的屏蔽封装体的图片。图8（b）是图8（a）所示的屏蔽封装体的图形部的放大图片。
（实施例2～3）及（比较例1～2）
在上述（3）描绘区域形成工序中，相邻槽部彼此的间隔如表1所示有所变更，除此以外与实施例1同样地制造了实施例2～3及比较例1～2涉及的屏蔽封装体。
（图形部及非图形部的参数测定）
用共聚焦显微镜（Lasertec公司制、OPTELICS HYBRID、物镜20倍）测定了各实施例及各比较例的屏蔽封装体的屏蔽层的图形部及非图形部的各参数，其中，Sal、Smr1及Ssk依照了ISO25178，Rvk依照了JIS B 0601：2001。另外，Sal、Smr1、Ssk以及Rvk均采用了分别在图形部和非图形部的任意3处测定的值的平均值。此外，Sal、Smr1及Ssk的测定面积为纵200μm×横200μm，Rvk的测定长为200μm。结果如表1所示。
[表1]
此外，各实施例及各比较例中的屏蔽封装体的屏蔽层的图形部及非图形部的各参数之比如图8～图11所示。
图9是示出各实施例及各比较例中的屏蔽封装体的非图形部的Sal与图形部的Sal之比（（非图形部的Sal）／（图形部的Sal））的图表。
图10是示出各实施例及各比较例中的屏蔽封装体的非图形部的Smr1与图形部的Smr1之比（（非图形部的Smr1）／（图形部的Smr1））的图表。
图11是示出各实施例及各比较例中的屏蔽封装体的非图形部的Ssk与图形部的Ssk之比（（非图形部的Ssk）／（图形部的Ssk））的图表。
图12是示出各实施例及各比较例中的屏蔽封装体的非图形部的Rvk与图形部的Rvk之比（（非图形部的Rvk）／（图形部的Rvk））的图表。
（二维码读取试验）
用“Honey well公司条形码扫描仪Xenon1902系列”，对在各实施例及各比较例涉及的模型屏蔽封装体形成的二维码进行了读取试验。结果如表1所示。
如表1所示，能读取各实施例涉及的屏蔽封装体的图形部。与此相对的，未能读取各比较例涉及的屏蔽封装体的图形部。
附图标记
1、501 屏蔽封装体
10、510 电子元件
20、120、220、520 密封材料
21、121、221、521 槽部
22、522 描绘区域
22a 描绘预定区域
23、523 非描绘区域
30、530 封装体
40、540 屏蔽层
40a 导电性涂料
41、541 凹部
50、550 图形部
60 非图形部
225 格子
525 微细的凹凸

Claims (9)

1.一种屏蔽封装体，包含用密封材料密封起电子元件而成的封装体、覆盖所述封装体的屏蔽层，其特征在于：
所述屏蔽层通过喷洒法在所述密封材料表面涂布导电性涂料形成；
所述密封材料的表面包含通过复数个槽部集合而线描绘和/或点描绘出的描绘区域、所述描绘区域以外的非描绘区域；
在位于所述描绘区域之上的所述屏蔽层的表面形成有由所述槽部引起的复数个凹部，所述复数个凹部集合来线描绘和/或点描绘一个图形，所述屏蔽层的表面有图形部和所述图形部以外的非图形部；
其中，
复数个所述槽部中的至少一部分形成为直线状且所述槽部彼此平行，且相邻的所述槽部彼此的间隔为10～100μm；
所述槽部的宽度为5～100μm；
所述槽部的深度为5μm以上；
所述屏蔽层的厚度为3～15μm；
所述非图形部的Sal（最小自相关长度）与所述图形部的Sal之比为（非图形部的Sal）／（图形部的Sal）＞4.0。
2.一种屏蔽封装体，包含用密封材料密封起电子元件而成的封装体、覆盖所述封装体的屏蔽层，其特征在于：
所述屏蔽层通过喷洒法在所述密封材料表面涂布导电性涂料形成；
所述密封材料的表面包含通过复数个槽部集合而线描绘和/或点描绘出的描绘区域、所述描绘区域以外的非描绘区域；
在位于所述描绘区域之上的所述屏蔽层的表面形成有由所述槽部引起的复数个凹部，所述复数个凹部集合来线描绘和/或点描绘一个图形，所述屏蔽层的表面有图形部和所述图形部以外的非图形部；
其中，
复数个所述槽部中的至少一部分形成为直线状且所述槽部彼此平行，且相邻的所述槽部彼此的间隔为10～100μm；
所述槽部的宽度为5～100μm；
所述槽部的深度为5μm以上；
所述屏蔽层的厚度为3～15μm；
所述非图形部的Smr1（分离突出轮廓峰部和中心部的负载面积率）与所述图形部的Smr1之比为（非图形部的Smr1）／（图形部的Smr1）＞1.0。
3.一种屏蔽封装体，包含用密封材料密封起电子元件而成的封装体、覆盖所述封装体的屏蔽层，其特征在于：
所述屏蔽层通过喷洒法在所述密封材料表面涂布导电性涂料形成；
所述密封材料的表面包含通过复数个槽部集合而线描绘和/或点描绘出的描绘区域、所述描绘区域以外的非描绘区域；
在位于所述描绘区域之上的所述屏蔽层的表面形成有由所述槽部引起的复数个凹部，所述复数个凹部集合来线描绘和/或点描绘一个图形，所述屏蔽层的表面有图形部和所述图形部以外的非图形部；
其中，
复数个所述槽部中的至少一部分形成为直线状且所述槽部彼此平行，且相邻的所述槽部彼此的间隔为10～100μm；
所述槽部的宽度为5～100μm；
所述槽部的深度为5μm以上；
所述屏蔽层的厚度为3～15μm；
所述非图形部的Ssk（偏度）与所述图形部的Ssk之比为（非图形部的Ssk）／（图形部的Ssk）＜5.0。
4.一种屏蔽封装体，包含用密封材料密封起电子元件而成的封装体、覆盖所述封装体的屏蔽层，其特征在于：
所述屏蔽层通过喷洒法在所述密封材料表面涂布导电性涂料形成；
所述密封材料的表面包含通过复数个槽部集合而线描绘和/或点描绘出的描绘区域、所述描绘区域以外的非描绘区域；
在位于所述描绘区域之上的所述屏蔽层的表面形成有由所述槽部引起的复数个凹部，所述复数个凹部集合来线描绘和/或点描绘一个图形，所述屏蔽层的表面有图形部和所述图形部以外的非图形部；
其中，
复数个所述槽部中的至少一部分形成为直线状且所述槽部彼此平行，且相邻的所述槽部彼此的间隔为10～100μm；
所述槽部的宽度为5～100μm；
所述槽部的深度为5μm以上；
所述屏蔽层的厚度为3～15μm；
所述非图形部的Rvk（突出轮廓谷部深度）与所述图形部的Rvk之比为（非图形部的Rvk）／（图形部的Rvk）＜0.4。
5.一种屏蔽封装体，包含用密封材料密封起电子元件而成的封装体、覆盖所述封装体的屏蔽层，其特征在于：
所述屏蔽层通过喷洒法在所述密封材料表面涂布导电性涂料形成；
所述密封材料的表面包含通过复数个槽部集合而线描绘和/或点描绘出的描绘区域、所述描绘区域以外的非描绘区域；
在位于所述描绘区域之上的所述屏蔽层的表面形成有由所述槽部引起的复数个凹部，所述复数个凹部集合来线描绘和/或点描绘一个图形，所述屏蔽层的表面有图形部和所述图形部以外的非图形部；
其中，
复数个所述槽部中的至少一部分形成为格子状，由所述槽部形成的格子的宽度为10～100μm；
所述槽部的宽度为5～100μm；
所述槽部的深度为5μm以上；
所述屏蔽层的厚度为3～15μm；
所述非图形部的Sal（最小自相关长度）与所述图形部的Sal之比为（非图形部的Sal）／（图形部的Sal）＞4.0。
6.一种屏蔽封装体，包含用密封材料密封起电子元件而成的封装体、覆盖所述封装体的屏蔽层，其特征在于：
所述屏蔽层通过喷洒法在所述密封材料表面涂布导电性涂料形成；
所述密封材料的表面包含通过复数个槽部集合而线描绘和/或点描绘出的描绘区域、所述描绘区域以外的非描绘区域；
在位于所述描绘区域之上的所述屏蔽层的表面形成有由所述槽部引起的复数个凹部，所述复数个凹部集合来线描绘和/或点描绘一个图形，所述屏蔽层的表面有图形部和所述图形部以外的非图形部；
其中，
复数个所述槽部中的至少一部分形成为格子状，由所述槽部形成的格子的宽度为10～100μm；
所述槽部的宽度为5～100μm；
所述槽部的深度为5μm以上；
所述屏蔽层的厚度为3～15μm；
所述非图形部的Smr1（分离突出轮廓峰部和中心部的负载面积率）与所述图形部的Smr1之比为（非图形部的Smr1）／（图形部的Smr1）＞1.0。
7.一种屏蔽封装体，包含用密封材料密封起电子元件而成的封装体、覆盖所述封装体的屏蔽层，其特征在于：
所述屏蔽层通过喷洒法在所述密封材料表面涂布导电性涂料形成；
所述密封材料的表面包含通过复数个槽部集合而线描绘和/或点描绘出的描绘区域、所述描绘区域以外的非描绘区域；
在位于所述描绘区域之上的所述屏蔽层的表面形成有由所述槽部引起的复数个凹部，所述复数个凹部集合来线描绘和/或点描绘一个图形，所述屏蔽层的表面有图形部和所述图形部以外的非图形部；
其中，
复数个所述槽部中的至少一部分形成为格子状，由所述槽部形成的格子的宽度为10～100μm；
所述槽部的宽度为5～100μm；
所述槽部的深度为5μm以上；
所述屏蔽层的厚度为3～15μm；
所述非图形部的Ssk（偏度）与所述图形部的Ssk之比为（非图形部的Ssk）／（图形部的Ssk）＜5.0。
8.一种屏蔽封装体，包含用密封材料密封起电子元件而成的封装体、覆盖所述封装体的屏蔽层，其特征在于：
所述屏蔽层通过喷洒法在所述密封材料表面涂布导电性涂料形成；
所述密封材料的表面包含通过复数个槽部集合而线描绘和/或点描绘出的描绘区域、所述描绘区域以外的非描绘区域；
在位于所述描绘区域之上的所述屏蔽层的表面形成有由所述槽部引起的复数个凹部，所述复数个凹部集合来线描绘和/或点描绘一个图形，所述屏蔽层的表面有图形部和所述图形部以外的非图形部；
其中，
复数个所述槽部中的至少一部分形成为格子状，由所述槽部形成的格子的宽度为10～100μm；
所述槽部的宽度为5～100μm；
所述槽部的深度为5μm以上；
所述屏蔽层的厚度为3～15μm；
所述非图形部的Rvk（突出轮廓谷部深度）与所述图形部的Rvk之比为（非图形部的Rvk）／（图形部的Rvk）＜0.4。
9.根据权利要求1至8其中任意一项所述的屏蔽封装体，其特征在于：
所述图形部为二维码。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0613475A (ja) * 1992-04-28 1994-01-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 符号を備えた電子部品とプリント配線基板と電子機器と符号の形成方法
JP2000334785A (ja) * 1999-05-31 2000-12-05 Matsushita Electronics Industry Corp 樹脂射出成形金型及び樹脂構造体
CN102653035A (zh) * 2011-03-04 2012-09-05 三菱电机株式会社 SiC半导体晶片的标刻方法以及SiC半导体晶片
JP2015015498A (ja) * 2013-03-22 2015-01-22 株式会社東芝 半導体装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03124051A (ja) 1989-10-06 1991-05-27 Nitto Denko Corp レーザーマーキング可能な多層封止電気・電子部品
JP3827488B2 (ja) 1999-10-15 2006-09-27 松下電器産業株式会社 電子部品、マーク用マスクおよびその製造方法
US9362196B2 (en) 2010-07-15 2016-06-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor package and mobile device using the same
US20120290117A1 (en) * 2011-05-13 2012-11-15 Jane-Yau Wang Vibration compensation during trim and form and marking
JP2012243895A (ja) * 2011-05-18 2012-12-10 Renesas Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法ならびに携帯電話機
JP5779227B2 (ja) * 2013-03-22 2015-09-16 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP6190528B2 (ja) 2014-06-02 2017-08-30 タツタ電線株式会社 導電性接着フィルム、プリント回路基板、及び、電子機器
CN107535080B (zh) 2015-05-14 2019-08-06 株式会社村田制作所 电子电路模块
US9899332B2 (en) * 2016-02-18 2018-02-20 Texas Instruments Incorporated Visual identification of semiconductor dies
TWI704196B (zh) 2016-03-29 2020-09-11 日商拓自達電線股份有限公司 導電性塗料及使用其之屏蔽封裝體之製造方法
US10522472B2 (en) * 2016-09-08 2019-12-31 Asml Netherlands B.V. Secure chips with serial numbers
JP2018195756A (ja) * 2017-05-19 2018-12-06 株式会社村田製作所 電子部品モジュールおよび電子部品モジュールの製造方法
TW202008534A (zh) * 2018-07-24 2020-02-16 日商拓自達電線股份有限公司 屏蔽封裝體及屏蔽封裝體之製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0613475A (ja) * 1992-04-28 1994-01-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 符号を備えた電子部品とプリント配線基板と電子機器と符号の形成方法
JP2000334785A (ja) * 1999-05-31 2000-12-05 Matsushita Electronics Industry Corp 樹脂射出成形金型及び樹脂構造体
CN102653035A (zh) * 2011-03-04 2012-09-05 三菱电机株式会社 SiC半导体晶片的标刻方法以及SiC半导体晶片
JP2015015498A (ja) * 2013-03-22 2015-01-22 株式会社東芝 半導体装置

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