CN106910978A - 银导电膜及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明通过利用柔版印刷将含有50～70质量％的平均粒径在20nm以下的银粒子的银粒子分散液涂布到基板上，之后进行烧成，由此制造在基材上形成有银导电膜的增益天线，该银导电膜包含10～50体积％的银粒子的烧结体且体积电阻率为3～100μΩ·cm，表面电阻率在0.5Ω/□以下，厚度为1～6μm，从而提供一种电气特性以及弯曲性优异且能廉价地大量生产的增益天线。

Description

银导电膜及其制造方法
本申请是发明名称为“增益天线及其制造方法”、国际申请日为2013年2月1日、申请号为201380001545.8(国际申请号为PCT/JP2013/052957)的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及增益天线及其制造方法，尤其涉及RFID标签用增益天线及其制造方法。
背景技术
RFID标签是利用RFID(RadioFrequencyIDentification：射频识别技术(无线通信的个体识别技术))的标签，是包括存储有识别编号等数据的半导体芯片与用于进行电波收发的天线的薄型且重量较轻的小型电子装置。
如上所述的RFID标签期待被广泛利用于物流管理等各种领域的各种使用环境中，因此希望通过大量生产来降低制造成本，并普及。此外，RFID标签用天线为了扩大能收发数据的距离(通信距离)，降低收发时的数据丢失，需要较低的电阻。并且，RFID标签在(例如，运送容器的追踪、可追踪性、位置信息的管理或洗衣标签这样的洗衣业者进行的衣类管理等)各种物理管理等领域中被使用，因此根据使用环境常常发生被反复弯折的情况，因此，需要即使被反复弯折，也能防止由于天线的金属疲劳而导致断线或电阻增大等天线特性的劣化从而无法再作为RFID标签使用，因此需要具有良好的弯曲性。
作为形成RFID标签用天线电路(导电电路)的方法，具有将铜线线圈、金属丝用作天线的方法、将铜箔、铝箔等金属箔转印到基材上的方法、在层叠于塑料膜等基材上的金属箔上以抗蚀刻油墨印刷天线电路图案，在进行掩模处理后，腐蚀金属箔等方法。
然而，这些方法在生产性上具有限制，并不适合大量生产，进一步降低制造成本较为困难。此外，这些方法中，将金属箔转印到基材上的方法、腐蚀金属箔的方法中，金属箔利用轧制等来制造，但金属箔中金属的比例为大致100％的较高值，因此利用金属箔形成有天线电路的RFID标签具有电气特性良好、但弯曲性较差的问题。利用金属箔形成有天线电路的RFID标签中，一般使用膜厚10～50μm左右的金属箔，若金属箔过厚，则接近金属板的性质，与基材的密接性降低，RFID标签弯曲时金属箔可能会从基材剥离。并且，由于金属箔中的金属比例较高，因此RFID标签弯曲时，应力集中于弯曲面，弯曲面易于发生裂纹，其结果是，产生电气特性的恶化、断线，从而无法用作RFID标签用天线。另一方面，若为了提高RFID标签的弯曲性，使用由金属成分与树脂成分构成的导电膜来代替金属箔，降低金属的比例，则通常能通过应力缓和而提高弯曲性，但降低金属成分的含量会导致电阻恶化，无法满足作为RFID标签用天线的充分的特性。
作为制造形成不使用金属箔、与基材之间的密接性良好的导电电路的RFID标签用天线的方法，提出了如下的制造方法：利用柔版印刷将含有40质量％以下的银粒子的水性导电性油墨涂布到膜状基材的表面，并使其干燥，由此在膜状基材的表面形成厚度为0.1～0.5μm的导电膜，从而制造出作为RFID标签的一种的IC标签用天线(例如，参照日本专利特开2010-268073号公报)。
然而，日本专利特开2010-268073号公报的方法中，能够大量生产电阻较低的IC标签用天线来降低制造成本，但使用了银粒子含量较少的导电性油墨，来形成厚度为0.1～0.5μm的较薄的导电膜，由于导电膜中银的比例是高到大致为100％，因此与将金属箔转印到基材上的方法、腐蚀金属箔的方法相同，存在弯曲性较差的问题。
此外，在天线被一体形成的RFID标签芯片中，存在通信距离较短的问题，因此期望延长通信距离。因此，优选为在天线被一体形成的RFID标签芯片(形成为与RFID标签芯片的天线发生电磁耦合)中安装增益天线，来延长通信距离。
然而，在RFID标签芯片中安装增益天线的情况下，与在RFID标签芯片中一体形成天线相同，需要安装电气特性以及弯曲性优异且能廉价地大量生产的增益天线。
发明内容
因此，本发明是鉴于上述现有的问题而完成的，其目的在于，提供一种电气特性以及弯曲性优异且能廉价地大量生产的增益天线以及其制造方法。
本发明人员为了解决上述问题，历经潜心研究，发现通过制造在基材上形成有银导电膜的增益天线，该银导电膜包含10～50体积％的银粒子的烧结体且体积电阻率为3～100μΩ·cm，从而能制造电气特性以及弯曲性优异且能廉价地大量生产的增益天线，从而完成了本发明。
即，本发明所涉及的增益天线的特征在于，在基材上形成包含10～50体积％的银粒子的烧结体且体积电阻率在3～100μΩ·cm的银导电膜。在该增益天线中，优选银导电膜的表面电阻率为0.5Ω/□以下，优选厚度为1～6μm。
此外，本发明所涉及的增益天线的制造方法的特征在于，通过将包含50～70质量％的银粒子的银粒子分散液涂布在基板上，之后进行烧成，从而在基板上形成上述银导电膜。在该增益天线的制造方法中，优选为利用柔版印刷来将银粒子分散液涂布到基板上。此外，优选银粒子的平均粒径在20nm以下。
另外，本说明书中，“银粒子的平均粒径”是指利用透过型电子显微镜照片(TEM图像)所求得的银粒子一次粒子直径的平均值、即一次粒子平均直径。
根据本发明，能制造电气特性以及弯曲性优异且能廉价地大量生产的增益天线。
附图说明
图1是说明实施例以及比较例中在基材上印刷Ag油墨后的形状的图。
图2A是表示使用实施例以及比较例中制成的导电膜所制成的增益天线的形状的图。
图2B是表示RFID标签芯片安装于图2A的增益天线上的状态的图。
图3是简要地示出实施例以及比较例中使用的弯曲试验用样品的图。
图4是说明实施例以及比较例中进行的弯曲试验的图，图4(b)是简要地示出图4(a)的虚线的圆所包围部分放大后的弯曲试验用样品的图。
具体实施方式
本发明所涉及的增益天线的实施方式中，在基材上形成包含10～50体积％的银粒子的烧结体且体积电阻率在3～100μΩ·cm的银导电膜。若银导电膜中的银粒子的烧结体的量小于10体积％，则银导电膜中的银粒子的烧结体的量会过少而导致导电性恶化，在用作为RFID标签用增益天线的情况下，无法起到增益天线的作用。另一方面，若银导电膜中的银粒子的量超过50体积％，则在用作为RFID标签用增益天线的情况下，RFID标签弯曲时，应力集中于弯曲面，从而易于在弯曲面产生裂纹。其结果是，易于产生电气特性的恶化或断线，无法起到增益天线的作用的可能性增高。此外，若银导电膜的体积电阻率在3～100μΩ·cm的范围内，则在用作为RFID标签用增益天线时，通信距离较长，能可靠地进行与读写器之间的RFID标签数据的收发，因此，不易产生由增益天线导致的收发时的数据丢失。
此外，优选为银导电膜的表面电阻率在0.5Ω/□以下。若银导电膜的表面电阻率在0～5Ω/□以下的范围内，则在用作为RFID标签用增益天线时，通信距离较长，能可靠地进行与读写器之间的RFID标签数据的收发，因此，不易产生由增益天线导致的收发时的数据丢失。
并且，优选银导电膜的厚度为1～6μm。银导电膜的厚度越薄对于成本越有利，但若小于1μm，则在用作为RFID标签用增益天线时，会由表皮效果导致UHF频带中电阻增大，通信距离缩短。
此外，本发明所涉及的增益天线的制造方法的实施方式中，通过将包含50～70质量％的银粒子的银粒子分散液涂布在基板上，之后进行烧成，从而在基板上形成上述银导电膜。若银粒子分散液中的银粒子的含量小于50质量％，则难以在基板上形成上述银导电膜，由于银导电膜中的银粒子的烧结体的量过少而导致导电性恶化、电阻增高，若银粒子分散液中的银粒子的含有量超过70质量％，则银粒子分散液粘度增高，难以利用柔版印刷等进行涂布。
在该增益天线的制造方法中，优选利用柔版印刷将银粒子分散液涂布到基板上，也可以反复进行多次柔版印刷。此外，银粒子的平均粒径优选为在20nm以下，优选为5～15nm。若银粒子的平均粒径在几nm～十几nm左右，则比表面积增大，熔点急剧降低，因此即使在300℃以下的低温下进行烧成，也能使银粒子相互之间烧结(即，能获得银纳米粒子的低温烧结性)，但若银粒子的平均粒径比20nm大，则难以获得银纳米粒子的低温烧结性。
另外，银粒子的平均粒径(一次粒子平均直径)例如通过如下方式计算得到：将包含Ag油墨(皮凯姆企业有限公司制造(PChem Associates Inc.)的PFI-700型)等银粒子的2质量部的Ag油墨添加到96质量部的环己烷与2质量部的油酸的混合溶液中，该Ag油墨包含60质量％的Ag粒子(平均粒径10nm的银粒子)、3.0质量％的氯乙烯共聚物胶乳、2.0质量％的聚氨酯以及2.5质量％的丙二醇，在利用超声波进行分散后，将获得的分散溶液滴加于带支承膜的Cu微栅，使其干燥，以倍率300，000倍拍摄利用透过型电子显微镜(日本电子株式会社制造的JEM-100CXMark-II型)、将加速电压设为100kV、在明亮视野下观察到的该微栅上的银粒子的图像，根据获得的TEM图像能计算银粒子的平均粒径。该银粒子的一次粒子平均直径的计算例如能使用图像解析软件(旭化成工程株式会社制造的A图像君(注册商标))来进行。该图像解析软件以颜色的深浅来识别各个粒子，并进行解析，例如能够对于300，000倍的TEM图像以“粒子的明亮度”设为“暗”、“杂音去除过滤”设为“有”、“圆形阀值”设为“20”、“重叠度”设为“50”的条件进行圆形粒子解析，测定200个以上粒子的一次粒子直径，求出该数平均直径以作为一次粒子平均直径。另外，在TEM图像中凝结粒子、异性粒子较多的情况下，可能无法进行测定。
下面，对本发明所涉及的增益天线以及其制造方法的实施例进行详细说明。
实施例
实施例1～4
首先，准备包含60质量％的Ag粒子(平均粒径10nm的银粒子)、3.0质量％的氯乙烯共聚物胶乳、2.0质量％的聚氨酯以及2.5质量％的丙二醇的Ag油墨(皮凯姆企业有限公司制造(PChem Associates Inc.)的PFI-700型)。
接着，使用柔版印刷机(日本电子精机株式会社的多用途微细印刷机JEMFlex)与柔版印刷机(株式会社渡边护三堂制造、印刷版的材质为旭化成工程株式会社制造的板状感光性树脂AWP等级DEF、表面加工150线、96DOT％)，将网纹容量设为8cc/m2(400线/英寸)、印刷速度设为20m/分、印刷次数分别设为1次(实施例1)、2次(实施例2)、3次(实施例3)以及4次(实施例4)，如图1所示，印刷上述的Ag油墨，使得在基材(杜邦帝人薄膜公司制造的PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)薄膜Melinex545(Melinex：注册商标))10上形成3cm×15cm左右大小的大致矩形的5枚膜12，之后，通过在加热板上对印刷物在140℃下进行30秒的热处理，并进行烧成，从而获得导电膜(银导电膜)。
接着，将制作成的导电膜与基板一起切断为如图2A所示的大致J型，如图2B所示，粘贴到粘接性剥离薄膜(琳得科株式会社制造的型号PET38)上来制作增益天线14后，在该增益天线14上(与天线一体形成)安装RFID标签芯片(Impinj公司制造的TrapMonza3)16(使得增益天线14与RFID标签芯片16的天线产生电磁耦合)。
关于如上所述那样制造的RFID标签芯片搭载增益天线，在测定导电膜的膜厚、电阻(线电阻)以及表面电阻率的同时，计算导电膜的体积电阻率以及导电膜中的金属(Ag)的比例。
利用激光显微镜(KEYENCE公司制造的型号VK-9700)，测量100个位置的形成导电膜的基材表面与导电膜表面的高低差，并通过计算平均值来求出导电膜的膜厚。其结果是，导电膜的膜厚在实施例1中为1.4μm、在实施例2中为2.1μm、在实施例3中为3.0μm、在实施例4中为3.6μm。
导电膜的电阻(线电阻)通过利用测试器(CUSTOM公司制造的型号CDM-03D)测定增益天线的一个导电膜的最长直线部(5.0mm×70mm的矩形部分)的长边方向的电阻而获得。其结果是，导电膜的电阻在实施例1中为7.7Ω、在实施例2中为1.8Ω、在实施例3中为1.2Ω，在实施例4中为0.8Ω。
将导电膜切割为2.0cm×2.0cm的大小，并使用表面电阻率测定器(三菱化学株式会社制造的LorestaGP)，通过4端子法测定导电膜的表面电阻率。其结果是，导电膜的表面电阻率在实施例1中为0.25Ω/□、在实施例2中为0.06Ω/□、在实施例3中为0.03Ω/□，在实施例4中为0.02Ω/□。
根据导电膜的膜厚、电阻以及面积(形成于基材的表面的面积)求出导电膜的体积电阻率。其结果是，导电膜的体积电阻率在实施例1中为44.6μΩ·cm、在实施例2中为17.4μΩ·cm、在实施例3中为15.3μΩ·cm、在实施例4中为13.6μΩ·cm。
将印刷面积2.6cm×13.1cm的导电膜溶解到(已知重量的)浓硝酸溶液中，通过ICP发光分析法计算溶液中的Ag浓度，计算出导电膜中的Ag的重量(g)，之后，根据Ag的密度10.5g/cm3求出Ag的体积(cm3)，并且根据导电膜的膜厚与印刷面积(2.6cm×13.1cm)求出导电膜的体积，从而根据Ag的体积(cm3)×100/导电膜的体积导(cm3)来计算出导电膜中的金属(Ag)的比例。其结果是，导电膜中的Ag的比例在实施例1中为22.4体积％、在实施例2中为31.0体积％、在实施例3中为37.1体积％，在实施例4中为48.3体积％。
接着，关于制作的RFID标签芯片搭载增益天线，在电波暗箱(迈科公司制造的MY1530)中，利用通信距离测定器(Voyantic公司制造的tagformance)，来测定800MHz～1100MHz的频率区域(符合ISO/IEC18000-6C标准)的通信距离(theoretical read range forward)。另外，在该测定之前，进行该条件下的环境设定(利用附带tagformance的参考标签进行设定)。其结果是，频率为955MHz的通信距离在实施例1中为3.2m、在实施例2中为4.0m、在实施例3中为4.2m，在实施例4中为4.0m。
接着，如图3所示，将本实施例中制作的导电膜切断为5.0mm×20.0mm的大小的大致矩形的导电膜12’，粘贴于粘接性剥离薄膜(琳得科株式会社制造的型号PET38)18上来制作弯曲试验用样品20。如图4所示，用R＝0.5mm的铁制的柱22以5.0N的力来擦该弯曲试验用样品20的导电膜12’，以弯曲成90°的状态在箭头方向上分别进行10次移动10cm的动作、100次移动10cm的动作、500次移动10cm的动作，之后，测定线电阻(测试器)，从而根据各自的(动作后的线电阻×100/试验前的线电阻)求出电阻恶化率(在线电阻不变化的情况下为100％)。其结果是，电阻恶化率在实施例1以及实施例2中10次后、100次后、500次后均为100％，在实施例3中，10次后以及100次后为100％，500此后为125％，实施例4中，10次后为100％、100次后为150％、500次后为180％。
这些实施例1～4的条件以及结果在表1～表3中表示。
[表1]
[表2]
[表3]
比较例1、实施例5～7
首先，在实施例1～4中使用的Ag油墨中加入氯乙烯共聚物胶乳、聚氨酯、丙二醇，准备包含50质量％的Ag粒子(平均粒径10nm的银粒子)、18.4质量％的氯乙烯共聚物胶乳、2.0质量％的聚氨酯以及2.5质量％的丙二醇的Ag油墨。
除了使用该Ag油墨以外，通过与实施例1～4相同的方法，印数次数分别设为1次(比较例1)、2次(实施例5)、3次(实施例6)、4次(实施例7)，从而获得导电膜后，制作RFID标签芯片搭载增益天线以及弯曲试验用样品，测定导电膜的膜厚、电阻以及表面电阻率，并且计算导电膜的体积电阻率以及导电膜中的Ag的比例。此外，通过与实施例1～4相同的方法，测定RFID标签芯片搭载增益天线的通信距离，并且求出弯曲试验用样品的电阻恶化率。
其结果是，导电膜的膜厚在比较例1中为1.7μm，在实施例5中为2.5μm，在实施例6中为3.4μm，在实施例7中为4.8μm，导电膜的电阻在比较例1中由于超载(OL)而无法测量，在实施例5中为8.9Ω，在实施例6中为3.9Ω，在实施例7中为2.8Ω，导电膜的表面电阻率在比较例1中由于超载(OL)而无法测量，在实施例5中为0.43Ω/□，在实施例6中为0.18Ω/□，在实施例7中为0.10Ω/□。此外，导电膜的体积电阻率在比较例1中由于超载(OL)而无法计算，在实施例5中为78.7μΩ·cm，在实施例6中为53.5μΩ·cm，在实施例7中为46.1μΩ·cm。此外，导电膜中的Ag的比例在比较例1中为8.5体积％、在实施例5中为15.5体积％、在实施例6中为17.5体积％，在实施例7中为18.8体积％。此外，频率955MHz的通信距离在比较例1中为0.0m、在实施例5中为2.7m、在实施例6中为3.5m，在实施例7中为3.4m。并且，电阻恶化率在比较例1中由于超载(OL)而无法计算，在实施例5～7中的10次后、100次后、500次后均为100％。
这些实施例5～7以及比较例1的条件以及结果在表1～表3中表示。
实施例8～10、比较例2
首先，准备经过如下调整的Ag油墨：对实施例1～4使用的Ag油墨以3000rpm进行10分钟的离心分离处理后，去除上面的澄清液体，将Ag粒子的浓度调整为70质量％。
除了使用该Ag油墨以外，通过与实施例1～4相同的方法，将印数次数分别设为1次(比较例8)、2次(实施例9)、3次(实施例10)、4次(比较例2)，从而获得导电膜后，制作RFID标签芯片搭载增益天线以及弯曲试验用样品，测定导电膜的膜厚、电阻以及表面电阻率，并且计算导电膜的体积电阻率以及导电膜中的Ag的比例。此外，通过与实施例1～4相同的方法，测定RFID标签芯片搭载增益天线的通信距离，并且求出弯曲试验用样品的电阻恶化率。
其结果是，导电膜的膜厚在实施例8中为1.7μm，在实施例9中为2.5μm，在实施例10中为2.8μm，在比较例2中为3.1μm，导电膜的电阻在实施例8中为5.5Ω，在实施例9中为1.8Ω，在实施例10中为1.0Ω，在比较例2中为0.6Ω，导电膜的表面电阻率在实施例8中为0.19Ω/□，在实施例9中为0.06Ω/□，在实施例10中为0.03Ω/□，在比较例2中为0.01Ω/□。此外，导电膜的体积电阻率在实施例8中为32.8μΩ·cm、在实施例9中为17.4μΩ·cm、在实施例10中为10.8μΩ·cm、在比较例2中为7.9μΩ·cm。导电膜中的Ag的比例在实施例8中为25.6体积％、在实施例9中为32.7体积％、在实施例10中为43.3体积％，在比较例2中为54.7体积％。频率955MHz的通信距离在实施例8中为3.6m、在实施例9中为4.0m、在实施例10中为4.0m，在比较例2中为4.2m。并且，电阻恶化率在实施例8中、在10次后、100次后、500次后均为100％，在实施例9中、10次后以及100次后为100％，500次后为120％，实施例10中、10次后为100％、100次后为110％、500次后为150％，在比较例2中、10次后为100％、100次后为350％、500次后为1200％。
这些实施例8～10以及比较例2的条件以及结果在表1～表3中表示。
实施例11～13、比较例3、4
除了网纹容量设为20cc/m2(150线/英寸)以外，通过与实施例1～4相同的方法，将印数次数分别设为1次(实施例11)、2次(实施例12)、3次(实施例13)、4次(比较例3)以及8次(比较例4)，从而获得导电膜后，制作RFID标签芯片搭载增益天线以及弯曲试验用样品，测定导电膜的膜厚、电阻以及表面电阻率，并且计算导电膜的体积电阻率以及导电膜中的Ag的比例。此外，通过与实施例1～4相同的方法，测定RFID标签芯片搭载增益天线的通信距离，并且求出弯曲试验用样品的电阻恶化率。
其结果是，导电膜的膜厚在实施例11中为2.2μm，在实施例12中为3.6μm，在实施例13中为5.6μm，在比较例3中为7.5μm，在比较例4中为11.4μm，导电膜的电阻在实施例11中为1.6Ω，在实施例12中为0.9Ω，在实施例13中为0.2Ω，在比较例3中为0.2Ω，在比较例4中为0.2Ω，导电膜的表面电阻率在实施例11中为0.06Ω/□，在实施例12中为0.02Ω/□，在实施例13中为0.01Ω/□，在比较例3中为0.01Ω/□，在比较例4中为0.01Ω/□。此外，导电膜的体积电阻率在实施例11中为15.4μΩ·cm、在实施例12中为11.5μΩ·cm、在实施例13中为3.6μΩ·cm、在比较例3中为4.8μΩ·cm、在比较例4中为7.3μΩ·cm。导电膜中的Ag的比例在实施例11中为28.5体积％、在实施例12中为38.5体积％、在实施例13中为49.2体积％，在比较例3中为54.9体积％，在比较例4中为70.1体积％。频率955MHz的通信距离在实施例11中为3.8m、在实施例12中为4.1m、在实施例13中为4.2m，在比较例3中为4.2m，在比较例4中为4.2m。并且，电阻恶化率在实施例11中、10次后、100次后、500次后均为100％，在实施例12中、10次后以及100次后为100％，500此后为125％，实施例13中、10次后为100％、100次后为150％、500次后为180％，在比较例3中、10次后为200％、100次后为400％、500次后为1400％。在比较例4中、由于在10次内发生断线，因此无法求出电阻恶化率。
这些实施例11～13以及比较例3～4的条件以及结果在表1～表3中表示。
比较例5～8
首先，在实施例1～4中使用的Ag油墨中加入氯乙烯共聚物胶乳、聚氨酯、丙二醇，准备包含40质量％的Ag粒子(平均粒径10nm的银粒子)、33.8质量％的氯乙烯共聚物胶乳、2.0质量％的聚氨酯以及2.5质量％的丙二醇的Ag油墨。
除了使用该Ag油墨以外，通过与实施例1～4相同的方法，将印数次数分别设为1次(比较例5)、2次(比较例6)、3次(比较例7)、4次(比较例8)，从而获得导电膜后，制作RFID标签芯片搭载增益天线以及弯曲试验用样品，测定导电膜的膜厚、电阻以及表面电阻率，并且计算导电膜的体积电阻率以及导电膜中的Ag的比例。此外，通过与实施例1～4相同的方法，测定RFID标签芯片搭载增益天线的通信距离，并且求出弯曲试验用样品的电阻恶化率。
其结果是，导电膜的膜厚在比较例5中为1.5μm，在比较例6中为2.4μm，在比较例7中为3.6μm，在比较例8中为5.0μm，导电膜的电阻在比较例5中由于超载(OL)而无法测量，在比较例6中为820.0Ω，在比较例7中为185.0Ω，在比较例8中为70.0Ω，导电膜的表面电阻率在比较例5中由于超载(OL)而无法测量，在比较例6中为114.0Ω/□，在比较例7中为35.5Ω/□，在比较例8中为7.4Ω/□。此外，导电膜的体积电阻率在比较例5中由于超载(OL)而无法计算，在比较例6中为4280μΩ·cm，在比较例7中为1705μΩ·cm，在比较例8中为1140μΩ·cm。导电膜中的Ag的比例在比较例5中为5.7体积％、在比较例6中为6.4体积％、在比较例7中为5.9体积％，在比较例8中为7.0体积％。频率955MHz的通信距离在比较例5中为0.0m、在比较例6中为0.0m、在比较例7中为0.7m，在比较例8中为1.8m。并且，电阻恶化率在比较例5中由于超载(OL)而无法计算，在比较例6～8中的10次后、100次后、500次后均为100％。
这些比较例5～8的条件以及结果在表1～表3中表示。
比较例9～10
切断厚度分别为1.0μm(比较例9)以及3.0μm(比较例10)的Ag箔(竹内金属箔工业株式会社制造、100mm×100mm)来用作导电膜(导电膜中的Ag的比例为100％)，以代替实施例1～4中获得的导电膜，除此以外，通过与实施例1～4相同的方法，制作RFID标签芯片搭载增益天线以及弯曲试验用样品，测定导电膜的电阻以及表面电阻率，并且计算导电膜的体积电阻率。此外，通过与实施例1～4相同的方法，测定RFID标签芯片搭载增益天线的通信距离，并且求出弯曲试验用样品的电阻恶化率。
其结果是，导电膜的电阻在比较例9中为0.3Ω，在比较例10中为0.2Ω，导电膜的表面电阻率在比较例9中为0.01Ω/□，在比较例10中为0.01Ω/□。导电膜的体积电阻率在比较例9中为1.6μΩ·cm，在比较例10中为1.9μΩ·cm。频率955MHz的通信距离在比较例9中为3.8m、在比较例10中为4.2m。并且，电阻恶化率在比较例9中、10次后为100％、100次后为200％、500次后为800％，在比较例10中、10次后为100％、100次后为150％、500次后为400％。
这些比较例9～10的条件以及结果在表1～表3中表示。
比较例11～13
切断厚度分别为3.0μm(比较例11)、6.0μm(比较例12)以及12.0μm(比较例13)的Al箔(竹内金属箔工业株式会社制造、100mm×100mm)来用作导电膜(导电膜中的Al的比例为100％)，以代替实施例1～4中获得的导电膜，除此以外，通过与实施例1～4相同的方法，制作RFID标签芯片搭载增益天线以及弯曲试验用样品，测定导电膜的电阻以及表面电阻率，并且计算导电膜的体积电阻率。此外，通过与实施例1～4相同的方法，测定RFID标签芯片搭载增益天线的通信距离，并且求出弯曲试验用样品的电阻恶化率。
其结果是，导电膜的电阻在比较例11中为0.3Ω，在比较例12中为0.2Ω，在比较例13中为0.2Ω，导电膜的表面电阻率在比较例11～13中均为0.01Ω/□。导电膜的体积电阻率在比较例11中为3.8μΩ·cm，在比较例12中为7.6μΩ·cm，在比较例13中为15.3μΩ·cm。频率955MHz的通信距离在比较例11中为4.2m、在比较例12中为4.0m、在比较例13中为4.0m。并且，电阻恶化率在比较例11中、10次后为167％、100次后为633％、500次后发生断线，在比较例12中、10次后为100％、100次后为100％、500次后为1200％，在比较例13中、10次后为100％、100次后为100％、500次后为800％。
这些比较例11～13的条件以及结果在表1～表3中表示。
若将本发明所涉及的增益天线用作RFID标签用的增益天线，则能制造具有实用的通信距离的增益天线的FEID标签。

Claims (5)

1.一种银导电膜，其特征在于，
包含10～50体积％的银粒子的烧结体，该银导电膜的体积电阻率在3～100μΩ·cm，表面电阻率在0.43Ω/□以下。
2.如权利要求1所述的银导电膜，其特征在于，
所述银导电膜的厚度在1～6μm。
3.一种银导电膜的制造方法，其特征在于，
通过将包含50～70质量％的银粒子的银粒子分散液涂布在基板上，之后进行烧成，从而在基板上形成权利要求1或2所述的银导电膜。
4.如权利要求3所述的银导电膜的制造方法，其特征在于，
利用柔版印刷将所述银粒子分散液涂布到基板上。
5.如权利要求3所述的银导电膜的制造方法，其特征在于，
所述银粒子的平均粒径在20nm以下。
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Application publication date: 20170630

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