CN105027229A - 银导电膜及其制造方法 - Google Patents

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藤田英史
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佐藤王高
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Abstract

本发明利用柔版印刷将含有50～70质量％的平均粒径20nm以下的银粒子的银粒子分散液涂布于基板后进行烧成以制造含有10～50体积％的银粒子的烧结体且体积电阻率为3～100μΩ·cm、表面电阻率为0.5Ω/□以下、厚度为1～6μm的银导电膜，提供可廉价且大量生产电特性以及弯曲性优良的IC标签用天线等导电电路的银导电膜。

Description

银导电膜及其制造方法
技术领域
本发明涉及银导电膜及其制造方法，特别涉及用于形成无线通信用的IC标签用天线等的导电电路的银导电膜及其制造方法。
背景技术
无线通信用的IC标签(以下简称为[IC标签])是RFID(Radio FrequencyIDentification:射频识别技术(基于无线通信的个体识别技术))的一种，是具备了记忆识别编号等数据的半导体芯片和用于收发电波的天线的薄型且轻量的小型电子装置。
这样的IC标签被期待广泛利用于物流管理等各种领域中的多种使用环境，期望利用大量生产以降低制造成本使之普及。此外，为了扩大数据收发的可能距离(通信距离)、减少收发信息时的数据损失，IC标签用天线需要低的电阻。进一步，基于IC标签在(例如，输送容器的定位、可追踪性、位置信息的管理，如洗衣标签的依靠衣物洗涤从业者的衣物管理等)多种物流管理等领域中的使用，因使用环境中重复弯曲的情况多，有必要防止即便被重复弯曲，由天线的金属疲劳导致的断线和电阻的增大等，致使天线的特性劣化而不能作为IC标签使用的情况，因此需要良好的弯曲性。
作为形成IC标签用天线电路(导电电路)的方法，有利用铜线圈和金属丝作为天线的方法、将铜箔和铝箔等金属箔转印于基材的方法、在层压于塑料膜等基材的金属箔上用耐蚀刻性的墨水印刷天线电路图案进行覆盖后对金属箔进行蚀刻的方法等。
但是，这些方法在生产性上有限制，因不适于大量生产而难以进一步降低制造成本。此外，这些方法中，将金属箔转印于基材的方法和蚀刻金属箔的方法，虽利用压延等来制造金属箔，然而由于金属箔中金属的比例几乎为100％的高值，即便IC标签中天线电路由金属箔形成而电特性良好，仍然具有弯曲性能差的问题。另外，由金属箔形成天线电路的IC标签，虽然通常使用膜厚10～50μm程度的金属箔，但是若金属箔过厚，则会导致性质接近金属板而与基材的密合性降低，IC标签在弯曲时金属箔有从基材上剥离的可能性。进一步，因金属箔中金属的比例高，IC标签在弯曲时弯曲面上应力集中，弯曲面会变得容易产生龟裂，结果导致电特性的恶化和断线的发生，丧失作为IC标签用天线的功能。另一方面，为了提高IC标签的弯曲性，使用金属成分和树脂成分形成的导电膜替代金属箔来降低金属的比例时，虽然通常会因应力缓和而提高弯曲性，但是由于金属成分含量的下降，电阻恶化，不满足作为IC标签用天线的足够的特性。
作为制造不使用金属箔以形成与基材的密合性良好的导电电路的IC标签用天线的方法，提出了将含有40质量％以下的银粒子的水性导电性墨水以柔版印刷涂布于膜状基材的表面使之干燥，在膜状基材表面形成厚0.1～0.5μm的导电膜来制造IC标签用天线的方法(例如，参照日本专利特开2010-268073号公报)。
日本专利特开2010-268073号公报的方法中，虽然通过大量生产电阻低的IC标签用天线能够降低制造成本，但是使用银粒子含量少的导电性墨水形成厚度0.1～0.5μm的薄导电膜，因导电膜中银的比例为几乎100％的高值，与将金属箔转印于基材的方法和蚀刻金属箔的方法相同，具有弯曲性差的问题。
发明内容
因此，本发明鉴于上述现有的问题，其目的在于提供可廉价并大量生产电特性及弯曲性优异的IC标签用天线等导电电路的银导电膜及其制造方法。
本发明者，为解决上述课题进行了认真研究，结果发现通过制造含有10～50体积％的银粒子的烧结体且体积电阻率为3～100μΩ·cm的银导电膜，可以制造能够廉价且大量生产电特性以及弯曲性优异的IC标签用天线等导电电路的银导电膜，从而完成了本发明。
即，本发明中的银导电膜，特征在于含有10～50体积％的银粒子的烧结体且体积电阻率为3～100μΩ·cm。优选该银导电膜中银粒子的烧结体的含量为30～50体积％。此外，该银导电膜的表面电阻率优选0.5Ω/□以下，厚度优选1～6μm。
此外，本发明中银导电膜的制造方法，特征在于通过将含有50～70质量％银粒子的银粒子分散液涂布于基板之后进行烧成，在基板上形成上述银导电膜。该银导电膜的制造方法中，优选利用柔版印刷进行基板上银粒子分散液的涂布，优选重复多次进行柔版印刷，更优选重复进行2～4次柔版印刷。另外，该银导电膜的制造方法中，优选银粒子的平均粒径为20nm以下。
进一步，本发明中RFID标签用天线由所述银导电膜形成。此外，本发明中RFID标签具有由所述银导电膜形成的RFID标签用天线和IC芯片。
另外，本说明书中，[银粒子的平均粒径]是指利用银粒子的透射型电子显微镜照片(TEM图像)所得一次粒径平均值的一次粒子平均粒径。
利用本发明，能够制造可以廉价且大量生产电特性以及弯曲性优异的IC标签用天线等的导电电路的银导电膜。
附图说明
图1是用于说明实施例以及比较例中将Ag墨水印刷于基材上的形状的图。
图2是用于简略表示实施例以及比较例中使用所制导电膜制成的偶极天线的图。
图3是用于简略表示实施例以及比较例中使用的弯曲试验用样品的图。
图4是用于说明实施例以及比较例中进行的弯曲试验的图，(b)为用于简略表示将(a)中用虚线圈出部分扩大了的弯曲试验用样品的图。
具体实施方式
本发明中银导电膜的实施方式为，含有10～50体积％的银粒子的烧结体且体积电阻率为3～100μΩ·cm。若银导电膜中银粒子的烧结体的含量不足10体积％，则银导电膜中银粒子的烧结体的量过少致使导电性恶化，用于IC标签用天线的形成时，会丧失作为IC标签用天线的功能。另一方面，若银导电膜中银粒子的含量超过50体积％，则用于IC标签用天线的形成时，IC标签在弯曲时弯曲面上应力集中，容易发生龟裂。其结果导致容易发生电特性的恶化和断线，丧失作为IC标签用天线的功能的可能性会变高。特别地，若银导电膜中银粒子的含量为30～50体积％，则用于IC标签用天线的形成时，频率955MHz时的通信距离为(不低于以往通信距离的)4.0m以上，弯曲性也更为良好，因此更优选银导电膜中银粒子的含量为30～50体积％。此外，银导电膜的体积电阻率为3～100μΩ·cm的范围的情况下，用于IC标签用天线的形成时，使通信距离变长从而确保与读写器的IC标签数据的收发可以进行，因此利用IC标签用天线收发信时难发生数据损失。
另外，该银导电膜的表面电阻率优选0.5Ω/□以下。银导电膜的表面电阻率为0.5Ω/□以下的范围的情况下，用于IC标签用天线的形成时，使通信距离变长从而确保与读写器的IC标签数据的收发可以进行，因此利用IC标签用天线收发信时难发生数据损失。
进一步，该银导电膜的厚度优选1～6μm。银导电膜的厚度，虽然越薄对成本越有利，但是若不足1μm，则用于IC标签用天线等的形成时，由于集肤效应UHF频带中电阻增大导致通信距离变短。
此外，本发明中银导电膜的制造方法的实施形式为，通过将含有50～70质量％银粒子的银粒子分散液涂布于基板之后进行烧成，在基板上形成所述银导电膜。银粒子分散液中银粒子的含有量不足50质量％时，所述银导电膜在基板上难以形成，由于银导电膜中银粒子的烧结体的量过少导致导电性恶化电阻变高，若超过70质量％，则银粒子分散液的粘度变高、利用柔版印刷等涂布会变难。
该银导电膜的制造方法中，优选利用柔版印刷在基板上进行银粒子分散液的涂布，优选重复多次进行柔版印刷。特别地，若将柔版印刷重复2～4次，则基板上形成的银导电膜中银粒子的烧结体的量和银导电膜的电阻间的平衡会变得良好，因此进一步优选将柔版印刷重复2～4次。
另外，该银导电膜的制造方法中，银粒子的平均粒径较好是20nm以下，优选5～15nm。若银粒子的平均粒径为几nm～十几nm的程度，则比表面积变大而熔点急剧降低，因此即便在300℃以下的低温进行烧成也能够对银粒子间进行烧结(即，可获得纳米银粒子的低温烧结性)，但是若银粒子的平均粒径大于20nm，则难以获得纳米银粒子的低温烧结性。
另外，可利用下述示例算出银粒子的平均粒径(一次粒子平均粒径):将2质量份的含有60质量％的Ag粒子(平均粒径10nm的银粒子)、3.0质量％的氯乙烯共聚物胶乳、2.0质量％的聚氨酯增稠剂和2.5质量％的丙二醇的Ag墨水(辟凯姆联合有限公司(PChem Associates，Inc.ピーケムアソシエイツインク社)制PFI-700型)等含有银粒子的Ag墨水加入96质量份的环己烷与2质量份的油酸混合溶液中，利用超声波进行分散后，将所得分散溶液滴加于带有支撑膜的铜微栅使之干燥，利用透射型电子显微镜(日本电子株式会社(日本電子株式会社)制JEM-100CXMark-II型)在加速电压100kv的明视野下观察的图像以300，000倍拍摄，由所得TEM图像算出银粒子的平均粒径。该银粒子的一次粒子平均粒径能够通过如使用图像分析软件(旭化成工程株式会社(旭化成エンジニアリング株式会社)制A-IMAGE-KUN(A像くん、注册商标))进行算出。该图像分析软件能够根据颜色的深浅识别各个粒子进行分析，例如，对300，000倍的TEM图像以“粒子的明度”为“暗”、“噪音除去过滤器”为“有”、“圆形阈值”为“20”、“重叠度”为“50”的条件进行圆形粒子分析，对200个以上的粒子测定一次粒径，求出其数均直径以作为一次粒子平均粒径。另外，TEM图像中存在大量的凝结粒子或异形粒子时，以无法测定处理即可。
以下，对本发明的银导电膜及其制造方法的实施例进行详细说明。
实施例1～4
首先，准备含有60质量％的Ag粒子(平均粒径10nm的银粒子)、3.0质量％的氯乙烯共聚物胶乳、2.0质量％的聚氨酯增稠剂和2.5质量％的丙二醇的Ag墨水(辟凯姆联合有限公司(PChem Associates，Inc.，ピーケムアソシエイツインク社)制PFI-700型)。
接着，使用柔版印刷机(日本电子精机株式会社(日本電子精機株式会社)制多用途微细印刷机JEM Flex)和柔版印刷版(株式会社渡边护三堂(株式会社渡辺護三堂)制，印刷版的材质为旭化成株式会社(旭化成株式会社)制板状感光性树脂AWP级DEF、表面加工150线、96DOT％)，以网纹容量8cc/m2(400线/英寸)、印刷速度20m/分钟、印刷次数分别为1次(实施例1)、2次(实施例2)、3次(实施例3)以及4次(实施例4)的条件在基材(杜邦帝人薄膜株式会社(デュポンテイジンフィルム社)制PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)膜メリネックス545(Melinex:注册商标)10上，如图1所示，印刷所述Ag墨水以形成5块3cm×15cm大小的约为矩形的膜12之后，通过在热板上以140℃、30秒钟热处理印刷物进行烧成制得了导电膜(银导电膜)。
接着，将制作的导电膜与基板一起切断为两块5.0mm×78.5mm大小的大致矩形，如图2所示，粘贴在粘合性剥离膜(琳得科株式会社(リンテック株式会社)制型号PET38)上制作了偶极天线14后，在该偶极天线14的IC芯片安装部上薄涂异方性导电粘接剂(ACP)(京瓷化学株式会社(京セラケミカル株式会社)制TAP0604C(Au/Ni涂层聚合物粒子))，在该ACP上配置IC芯片(英频杰公司(Impinj社)制Monza2)16、利用热压接装置(德国纽豹公司(ミュールバウワー社)制TTS300)以160℃的温度、施加1.0N的压力进行10秒钟密接，通过将IC芯片16固定于偶极天线14使之连接，在偶极天线14上安装了IC芯片16。
对于由此制作的安装有IC芯片的偶极天线，在测定导电膜的膜厚、电阻(线电阻)以及表面电阻率的同时，算出了导电膜的体积电阻率以及导电膜中金属(Ag)的比例。
导电膜的膜厚，通过使用激光显微镜(基恩士公司制(KEYENCE社)型号VK-9700)，测定了100处形成有导电膜的基材表面和导电膜表面的高低差，算出平均值所求得。其结果是，导电膜的膜厚在实施例1中为1.4μm、实施例2中为2.1μm、实施例3中为3.0μm、实施例4中为3.6μm。
导电膜的电阻(线电阻)通过使用测定仪(株式会社卡斯特姆(CUSTOM社)制型号CDM-03D)测定偶极天线的一侧的导电膜(5.0mm×78.5mm)的长边方向的电阻而得。其结果是，导电膜的电阻在实施例1中为5.0Ω、实施例2中为1.3Ω、实施例3中为0.8Ω、实施例4中为0.6Ω。
导电膜的表面电阻率通过将导电膜剪为2.0cm×2.0cm大小，用表面电阻测定仪(三菱化学分析技术株式会社(三菱化学アナリティック株式会社)制Loresta-GP)以四端子法测定而得。其结果是，导电膜的表面电阻率在实施例1中为0.25Ω/□、实施例2中为0.06Ω/□、实施例3中为0.03Ω/□、实施例4中为0.02Ω/□。
导电膜的体积电阻率由导电膜的膜厚、电阻以及面积(偶极天线的一侧的导电膜的面积(5.0mm×78.5mm))所求得。其结果是，导电膜的体积电阻率在实施例1中为44.6μΩ·cm、实施例2中为17.4μΩ·cm、实施例3中为15.3μΩ·cm、实施例4中为13.6μΩ·cm。
导电膜中的金属(Ag)的比例，通过将印刷面积为2.6cm×13.1cm的导电膜溶解于(已知重量的)浓硝酸溶液中，利用ICP发光分析法求出溶液中Ag的浓度，算出导电膜中Ag的重量(g)之后，在由Ag的密度10.5g/cm3求出Ag的体积(cm3)的同时，由导电膜的膜厚和印刷面积(2.6cm×13.1cm)求出导电膜的体积，由Ag的体积(cm3)×100/导电膜的体积(cm3)算出。其结果是，导电膜中Ag的比例在实施例1为22.4体积％、实施例2中为31.0体积％、实施例3中为37.1体积％、实施例4中为48.3体积％。
接着，关于制得的安装有IC芯片的偶极天线，于电波暗室(麦克尼斯株式会社(マイクロニクス社)制MY1530)中，使用通信距离测定仪(芬兰Voyantic公司(Voyantic社)制标签检测系统(tagformance))测定了800MHz～1100MHz频率范围(依据ISO/IEC 18000-6C规格)的通信距离(识读距离，Theoreticalread range forward)。另外，在该测定之前，进行了该条件下的环境设定(根据tagformance附属的参考标记进行设定)。其结果是，频率955MHz时的通信距离在实施例1中为3.8m、实施例2中为4.2m、实施例3中为4.4m、实施例4中为4.2m。
接着，如图3所示，把本实施例中制作的导电膜切为5.0mm×20.0mm大小的大致矩形的导电膜12’，将其粘接于粘合性剥离膜(琳得科株式会社(リンテック株式会社)制型号PET38)18上从而制得了弯曲试验用样品20。将该弯曲试验用样品20的导电膜12’的部分，如图4所示，用5.0N的力磨擦贴付于R＝0.5mm的铁制的柱上，在90°弯曲的状态下向箭头方向分别施加10次、100次和500次移动10cm的动作之后测定线电阻(测定仪)，分别由(动作后线电阻×100/试验前的线电阻)求得电阻恶化率(线电阻无变化时为100％)。其结果为，电阻恶化率在实施例1以及2中10次后、100次后、500次后均为100％，实施例3中10次以及100次后为100％、500次后为125％，实施例4中10次后为100％、100次后为150％、500次后为180％。
表1～表3中示出这些实施例1～4的条件以及结果。
[表1]
表1
[表2]
表2
[表3]
表3
比较例1、实施例5～7
首先，向实施例1～4中所使用的Ag墨水中加入了氯乙烯共聚物胶乳、聚氨酯增稠剂和丙二醇，制备了含有50质量％的Ag粒子(平均粒径10nm的银粒子)、18.4质量％的氯乙烯共聚物胶乳、2.0质量％的聚氨酯增稠剂和2.5质量％的丙二醇的Ag墨水。
除了使用该Ag墨水以外，用和实施例1～4同样的方法以印刷次数分别为1次(比较例1)、2次(实施例5)、3次(实施例6)以及4次(实施例7)获得导电膜之后，制作安装有IC芯片的偶极天线以及弯曲试验用样品，在测定导电膜的膜厚、电阻以及表面电阻率的同时，算出了导电膜的体积电阻率以及导电膜中的Ag的比例。此外，用和实施例1～4同样的方法，在测定安装有IC芯片的偶极天线的通信距离的同时，求得了弯曲试验用样品的电阻恶化率。
其结果是，导电膜的膜厚，在比较例1中为1.7μm、实施例5中为2.5μm、实施例6中为3.4μm、实施例7中为4.8μm，导电膜的电阻，在比较例1中因过载(OL)而无法测定、实施例5中为5.0Ω、实施例6中为2.5Ω、实施例7中为1.5Ω，导电膜的表面电阻率，在比较例1中因过载(OL)而无法测定、实施例5中为0.43Ω/□、实施例6中为0.18Ω/□、实施例7中为0.10Ω/□。此外，导电膜的体积电阻率，在比较例1中因过载(OL)而无法算出、实施例5中为78.7μΩ·cm、实施例6中为53.5μΩ·cm、实施例7中为46.1μΩ·cm。此外，导电膜中Ag的比例在比较例1中为8.5体积％、实施例5中为15.5体积％、实施例6中为17.5体积％、实施例7中为18.8体积％。此外，频率955MHz时的通信距离在比较例1中为0.0m、实施例5中为3.7m、实施例6中为3.7m、实施例7中为3.8m。进一步，电阻恶化率在比较例1中因过载(OL)而无法算出，在实施例5～7中10次、100次、500次后均为100％。
表1～表3中示出这些实施例5～7以及比较例1的条件以及结果。
实施例8～10、比较例2
首先，将实施例1～4中所用Ag墨水以3000rpm进行10分钟离心分离处理后，除去上清液，准备了Ag粒子浓度调整至70质量％的Ag墨水。
除了使用该Ag墨水以外，用和实施例1～4同样的方法以印刷次数分别为1次(实施例8)、2次(实施例9)、3次(实施例10)以及4次(比较例2)获得导电膜之后，制作安装有IC芯片的偶极天线以及弯曲试验用样品，在测定导电膜的膜厚、电阻以及表面电阻率的同时，算出了导电膜的体积电阻率以及导电膜中的Ag的比例。此外，用和实施例1～4同样的方法，在测定安装有IC芯片的偶极天线的通信距离的同时，求得了弯曲试验用样品的电阻恶化率。
其结果是，导电膜的膜厚，在实施例8中为1.7μm、实施例9中为2.5μm、实施例10中为2.8μm、比较例2中为3.1μm，导电膜的电阻，在实施例8中为3.1Ω、实施例9中为1.1Ω、实施例10中为0.6Ω、比较例2中为0.4Ω，导电膜的表面电阻率，在实施例8中为0.19Ω/□、实施例9中为0.06Ω/□、实施例10中为0.03Ω/□、比较例2中为0.01Ω/□。此外，导电膜的体积电阻率，在实施例8中为32.8μΩ·cm，实施例9中为17.4μΩ·cm，实施例10中为10.8μΩ·cm，比较例2中为7.9μΩ·cm。此外，导电膜中Ag的比例在实施例8中为25.6体积％、实施例9中为32.7体积％、实施例10中为43.3体积％、比较例2中为54.7体积％。此外，频率955MHz时的通信距离在实施例8中为3.8m、实施例9中为4.2m、实施例10中为4.2m、比较例2中为4.4m。进一步，电阻恶化率在实施例8中10次后、100次后、500次后均为100％，实施例9中10次以及100次后为100％、500次后为120％，实施例10中10次后为100％、100次后为110％、500次后为150％，比较例2中10次后为100％、100次后为350％、500次后为1200％。
表1～表3中示出这些实施例8～10以及比较例2的条件以及结果。
实施例11～13、比较例3、4
除了将网纹容量设为20cc/cm2(150线/英寸)以外，用和实施例1～4同样的方法以印刷次数分别为1次(实施例11)、2次(实施例12)、3次(实施例13)、4次(比较例3)以及8次(比较例4)获得导电膜之后，制作安装有IC芯片的偶极天线以及弯曲试验用样品，在测定导电膜的膜厚、电阻以及表面电阻率的同时，算出了导电膜的体积电阻率以及导电膜中的Ag的比例。此外，用和实施例1～4同样的方法，在测定安装有IC芯片的偶极天线的通信距离的同时，求得了弯曲试验用样品的电阻恶化率。
其结果是，导电膜的膜厚，在实施例11中为2.2μm、实施例12中为3.6μm、实施例13中为5.6μm、比较例3中为7.5μm、比较例4中为11.4μm，导电膜的电阻，在实施例11中为1.1Ω、实施例12中为0.5Ω、实施例13中为0.1Ω、比较例3中为0.1Ω、比较例4中为0.1Ω，导电膜的表面电阻率，在实施例11中为0.06Ω/□、实施例12中为0.02Ω/□、实施例13中为0.01Ω/□、比较例3中为0.01Ω/□、比较例4中为0.01Ω/□。此外，导电膜的体积电阻率，在实施例11中为15.4μΩ·cm，实施例12中为11.5μΩ·cm，实施例13中为3.6μΩ·cm，比较例3中为4.8μΩ·cm，比较例4中为7.3μΩ·cm。此外，导电膜中Ag的比例，在实施例11中为28.5体积％，实施例12中为38.5体积％，实施例13中为49.2体积％，比较例3中为54.9体积％，比较例4中为70.1体积％。此外，频率955MHz时的通信距离在实施例11中为3.9m，实施例12中为4.2m，实施例13中为4.5m，比较例3中为4.5m，比较例4中为4.7m。进一步，电阻恶化率在实施例11中10次后、100次后、500次后均为100％，实施例12中10次以及100次后为100％、500次后为125％，实施例13中10次后为100％、100次后为150％、500次后为180％，比较例3中10次后为200％、100次后为400％、500次后为1400％。另外，比较例4中10次以内发生了断线，未能求得电阻恶化率。
表1～表3中示出这些实施例11～13以及比较例3～4的条件以及结果。
比较例5～8
首先，向实施例1～4中所使用的Ag墨水中加入了氯乙烯共聚物胶乳、聚氨酯增稠剂和丙二醇，制备了含有40质量％的Ag粒子(平均粒径10nm的银粒子)、33.8质量％的氯乙烯共聚物胶乳、2.0质量％的聚氨酯增稠剂和2.5质量％的丙二醇的Ag墨水。
除了使用该Ag墨水以外，用和实施例1～4同样的方法以印刷次数分别为1次(比较例5)、2次(比较例6)、3次(比较例7)以及4次(比较例8)获得导电膜之后，制作安装有IC芯片的偶极天线以及弯曲试验用样品，在测定导电膜的膜厚、电阻以及表面电阻率的同时，算出了导电膜的体积电阻率以及导电膜中的Ag的比例。此外，用和实施例1～4同样的方法，在测定安装有IC芯片的偶极天线的通信距离的同时，求得了弯曲试验用样品的电阻恶化率。
其结果是，导电膜的膜厚，在比较例5中为1.5μm、比较例6中为2.4μm、比较例7中为3.6μm、比较例8中为5.0μm，导电膜的电阻，在比较例5中因过载(OL)而无法测定、比较例6中为280.0Ω、比较例7中为75.0Ω、比较例8中为36.0Ω，导电膜的表面电阻率，在比较例5中因过载(OL)而无法测定、比较例6中为114.0Ω/□、比较例7中为35.5Ω/□、比较例8中为7.4Ω/□。此外，导电膜的体积电阻率，在比较例5中因过载(OL)而无法算出，比较例6中为4280μΩ·cm，比较例7中为1705μΩ·cm，比较例8中为1140μΩ·cm。此外，导电膜中Ag的比例，在比较例5中为5.7体积％、比较例6中为6.4体积％、比较例7中为5.9体积％、比较例8中为7.0体积％。此外，频率955MHz时的通信距离在比较例5中为0.0、比较例6中为0.0m、比较例7中为1.8m、比较例8中为2.1m。进一步，电阻恶化率在比较例5中因过载(OL)而无法算出，在比较例6～8中10次、100次、500次后均为100％。
表1～表3中示出这些比较例5～8的条件以及结果。
比较例9～10
除了将实施例1～4中所得导电膜分别替换为切断了的厚1μm(比较例9)以及3μm(比较例10)的Ag箔(竹内金属箔粉工业株式会社(竹内金属箔工業株式会社)制、100mm×100mm)作为导电膜(导电膜中Ag的比例为100％)使用以外，用和实施例1～4同样的方法制作安装有IC芯片的偶极天线以及弯曲试验用样品，在测定导电膜的电阻以及表面电阻率的同时，算出了导电膜的体积电阻率。此外，用和实施例1～4同样的方法，在测定安装有IC芯片的偶极天线的通信距离的同时，求得了弯曲试验用样品的电阻恶化率。
其结果是，导电膜的电阻，在比较例9中为0.2Ω、比较例10中为0.1Ω，导电膜的表面电阻率，在比较例9中为0.01Ω、比较例10中为0.01Ω。此外，导电膜的体积电阻率，在比较例9中为1.6μΩ·cm，比较例10中为1.9μΩ·cm。此外，频率955MHz时的通信距离，在比较例9中为4.0m，比较例10中为4.4m。进一步，电阻恶化率，在比较例9中10次后为100％、100次后为200％、500次后为800％，在比较例10中10次后为100％、100次后为150％、500次后为400％。
表1～表3中示出这些比较例9～10的条件以及结果。
比较例11～13
除了将实施例1～4中所得导电膜分别替换为切断了的厚3μm(比较例11)、6μm(比较例12)以及12μm(比较例13)的Al箔(竹内金属箔粉工业株式会社(竹内金属箔工業株式会社)制、100mm×100mm)作为导电膜(导电膜中Al的比例为100％)使用以外，用和实施例1～4同样的方法制作安装有IC芯片的偶极天线以及弯曲试验用样品，在测定导电膜的电阻以及表面电阻率的同时，算出了导电膜的体积电阻率。此外，用和实施例1～4同样的方法，在测定安装有IC芯片的偶极天线的通信距离的同时，求得了弯曲试验用样品的电阻恶化率。
其结果是，导电膜的电阻，在比较例11中为0.2Ω、比较例12中为0.2Ω、比较例13中为0.2Ω，导电膜的表面电阻率，在比较例11～13中均为0.01Ω/□。此外，导电膜的体积电阻率，在比较例11中为3.8μΩ·cm、比较例12中为7.6μΩ·cm，比较例13中为15.3μΩ·cm。此外，频率955MHz时的通信距离，在比较例11中为4.4m、比较例12中为4.4m、比较例13中为4.4m。进一步，电阻恶化率，在比较例11中10次后为167％、100次后为633％、500次后发生断线，在比较例12中10次后为100％、100次后为100％、500次后为1200％，在比较例13中10次后为100％、100次后为100％、500次后为800％。
表1～表3中示出这些比较例11～13的条件以及结果。
若安装由使用本发明的银导电膜而形成的IC标签用天线等RFID标签用天线(由IC芯片和天线构成)以制造嵌体，则能够制造具有实用的通信距离的IC标签等FEID标签。

Claims (11)

1.银导电膜，其特征在于，含有10～50体积％的银粒子的烧结体且体积电阻率为3～100μΩ·cm。
2.如权利要求1所述的银导电膜，其特征在于，所述银导电膜中所含银粒子的烧结体的量为30～50体积％。
3.如权利要求1所述的银导电膜，其特征在于，所述银导电膜的表面电阻率为0.5Ω/□以下。
4.如权利要求1所述的银导电膜，其特征在于，所述银导电膜的厚度为1～6μm。
5.银导电膜的制造方法，其特征在于，通过将含有50～70质量％的银粒子的银粒子分散液涂布于基板后进行烧成、在基板上形成如权利要求1～4中任一项所述的银导电膜。
6.如权利要求5所述的银导电膜的制造方法，其特征在于，通过柔版印刷进行所述银粒子分散液在基板上的涂布。
7.如权利要求5所述的银导电膜的制造方法，其特征在于，通过将柔版印刷重复多次来进行所述银粒子分散液在基板上的涂布。
8.如权利要求5所述的银导电膜的制造方法，其特征在于，通过将柔版印刷重复2～4次来进行所述银粒子分散液在基板上的涂布。
9.如权利要求5～8中任一项所述的银导电膜的制造方法，其特征在于，所述银粒子的平均粒径为20nm以下。
10.RFID标签用天线，其特征在于，利用权利要求1～4中任一项所述的银导电膜而形成。
11.RFID标签，其特征在于，具备利用权利要求1～4中任一项所述的银导电膜而形成的RFID标签用天线和IC芯片。
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