TWI571889B - An RFID tag antenna, a method of manufacturing the same, and an RFID tag provided with an antenna for the RFID tag - Google Patents

Description

RFID標籤用天線及其製造方法、以及具備有該RFID標籤用天線的RFID標籤 發明領域

本發明是有關於一種銀導電膜及其製造方法，特別是有關於一種使用於無線通信用之IC標籤用天線等之導電電路之形成之銀導電膜及其製造方法。

發明背景

無線通信用之IC標籤(以下稱為「IC標籤」)是RFID(Radio Frequency IDentification(無線通信進行之個體識別技術))的一種，且是具有用以記憶識別號碼等之資料之半導體晶片、及用以發送接收電波之天線之薄型且輕量的小型電子裝置。

此種IC標籤被期待在物流管理等之各種領域中可在各種使用環境下廣泛地利用，且期望可藉由大量生產降低製造成本而使之普及。又，IC標籤用天線可擴大可發送接收資料之距離(通信距離)，並且為了降低發送接收時之資料損失，必須電阻低。進而，IC標籤(例如輸送容器之追蹤、追溯、位置資訊之管理、或如洗衣標籤洗衣業者進行衣物之管理等)使用於各種物流管理等領域，因此因為使用 環境而反覆地彎曲的情況較多，因此即使重覆彎曲也必須防止因為天線的金屬疲勞造成斷線或電阻增大等因天線特性劣化而無法作為IC標籤使用的情況，故必須彎曲性良好。

形成IC標籤用天線電路(導電電路)之方法有：利用銅線之線圈或引線作為天線之方法、將銅箔或鋁箔等之金屬箔轉寫到基材之方法、將耐蝕刻性墨水進行天線電路圖案印刷而遮蔽於積層於塑膠膜等基材之金屬箔墨水後，將金屬箔蝕刻之方法等。

可是，該等方法中，生產性有所限制，由於無法指望大量生產，故難以更為降低製造成本。又，該等方法中，將金屬箔轉印到基材之方法或將金屬箔蝕刻之方法中，金屬箔可藉由壓延等而製造，但由於金屬箔中之金屬的比例大略高如100%之值，因此由金屬箔形成天線電路之IC標籤雖然電特性良好，但有彎曲性變差的問題。又，由金屬箔形成天線電路之IC標籤中，一般是使用膜厚10~50μm左右的金屬箔，但金屬箔過厚時，接近金屬板的性質而減少與基材之密著性，IC標籤彎曲時，金屬箔可能會由基材剝離。進而，由於金屬箔中之金屬比例較高，因此IC標籤彎曲時，應力會集中於彎曲面，彎曲面容易產生裂痕，其結果是，會產生電特性的惡化或斷線，無法發揮作為IC標籤用天線的機能。另一方面，為了提昇IC標籤之彎曲性，取代金屬箔，而使用由金屬成分與樹脂成分構成之導電膜使金屬的比例減少時，一般可藉由應力鬆弛提昇彎曲性，但由於減少金屬成分的量，電阻會惡化，而無法 滿足作為IC標籤用天線充分的特性。

不使用金屬箔而製造形成與基材之密著性良好之導電電路的IC標籤用天線的方法，則是提出了一種方法，其是將包含40質量%以下之銀粒子之水性導電性墨水墨水藉由柔版印刷而塗布於膜狀基材之表面，使之乾燥，藉此於膜狀基材之表面形成厚度0.1~0.5μm之導電膜，而製造IC標籤用天線的方法(參照如日本專利特開2010-268073號公報)。

日本專利特開2010-268073號公報之方法中，可大量生產電阻低之IC標籤用天線而降低製造成本，但使用銀粒子之含有量少之導電性墨水而形成厚度0.1~0.5μm之薄的導電膜，由於導電膜中之銀的比例大約100%高，因此與將金屬箔轉印到基材之方法或將金屬箔蝕刻之方法同樣，會有彎曲性差的問題。

發明概要

因此，本發明是有鑑於上述習知之問題點，其目的在於提供一種可便宜且大量地生產電特性及彎曲性優異之IC標籤用天線等之導電電路之銀導電膜及其製造方法。

本發明人們為了解決前述課題而精心研究的結果，發現藉由製造包含10~50體積%之銀粒子之燒結體且體積電阻率為3~100μΩ‧cm之銀導電膜，藉此可便宜且大量生產電特性及彎曲性優異之IC標籤用天線等之導電電路之銀導電膜，而終至完成本發明。

即，本發明之銀導電膜的特徵在於包含10~50體積%之銀粒子之燒結體且體積電阻率為3~100Ω‧cm。該銀導電膜中所含之銀粒子之燒結體的量宜為30~50體積%。又，該銀導電膜之表面電阻率宜為0.5Ω/□以下，厚度宜為1~6μm。

又，本發明之銀導電膜之製造方法的特徵在於：將包含50~70質量%之銀粒子之銀粒子分散液塗布於基板後進行燒成，藉此將前述之銀導電膜形成於基板上。該銀導電膜之製造方法中，銀粒子分散液塗布於基板宜藉由柔版印刷進行，且宜藉由重複複數次柔版印刷來進行，以重複2~4次柔版印刷來進行者為更佳。又，該銀導電膜之製造方法中，銀粒子之平均粒徑宜在20nm以下。

進而，本發明之RFID標籤用天線是藉由前述之銀導電膜而形成。又，本發明之RFID標籤具有由前述之銀導電膜所形成之RFID標籤用天線及IC膠帶。

再者，本說明書中，所謂「銀粒子之平均粒徑」，是指利用銀粒子之透過電子顯微鏡(TEM像)照相之一次粒子徑之平均值的一次粒子平均徑。

根據本發明，可便宜且大量生產電特性及彎曲性優異之IC標籤用天線等之導電電路之銀導電膜。

10‧‧‧基材

12‧‧‧膜

12＇‧‧‧導電膜

14‧‧‧偶極天線

16‧‧‧IC晶片

18‧‧‧黏著性剝離膜

20‧‧‧彎曲試驗用樣品

22‧‧‧鐵柱

圖1是說明實施例及比較例中在基材上印刷Ag墨水之形狀之圖。

圖2是概略地顯示使用實施例及比較例中作成之導電 膜而作成之偶極天線之途。

圖3是概略地顯示實施例及比較例中使用之彎曲試驗用樣品之圖。

圖4是用以說明實施例及比較例中所進行之彎曲試驗之圖，(b)是概略地顯示將(a)之虛線之圓所圈繞之部分擴大後之彎曲試驗用樣品之圖。

較佳實施例之詳細說明

本發明之銀導電膜之實施形態是包含10~50體積%之銀粒子之燒結體且體積電阻率為3~100μΩ‧cm。銀導電膜中之銀粒子之燒結體的量小於10體積%時，銀導電膜中之銀粒子之燒結體之量會過少而導電性惡化，若使用於形成IC標籤用天線，則會無法發揮IC標籤用天線的功能。另一方面，當銀導電膜中之銀粒子之量超過50體積%時，若使用於形成IC標籤用天線之形成時，IC標籤彎曲時，應力會集中在彎曲面，彎曲面容易產生裂痕。其結果是，容易產生電特性之惡化或斷線，無法發揮IC標籤用天線之功能的可能性提高。特別是，若是銀導電膜中之銀粒子的量為30~50體積%，使用於形成IC標籤用天線時，周波數955MHz之通信距離為(與習知之通信距離同等或以上)4.0，進而彎曲性也良好，因此銀導電膜中之銀粒子的量宜為30~50體積%。又，銀導電膜之體積電阻率為3~100μΩ‧cm之範圍時，若使用於形成IC標籤用天線，則會加長通信距離而可確實地進行與讀寫之IC標籤之資料的發 送接收，故難以產生IC標籤用天線在發送接收時之資料損失。

又，該銀導電膜之表面電阻率宜為0.5Ω/□以下。銀導電膜之表面電阻率在0.5Ω/□以下之範圍時，若使用於形成IC標籤用天線，則可加長通信距離而可確實地進行與讀寫之IC標籤之資料的發送接收，故變得難以產生IC標籤用天線在發送接收時之資料損失。

進而，該銀導電膜之厚度宜為1~6μm。銀導電膜之厚度愈薄在成本上愈有利，但小於1μm時，若使用於如IC標籤用天線等之形成，會因為表面效應而增加了UHF(超高頻)帶之電阻而縮短通信距離。

又，本發明之銀導電膜之製造方法的實施形態中，藉由將包含50~70質量%之銀粒子之銀粒子分散液塗布於基板後進行燒成，藉此將前述之銀導電膜形成於基板上。銀粒子分散液中之銀粒子的含有量小於50質量%時，難以於基板上形成上述之銀導電膜，且由於銀導電膜中之銀粒子之燒結體的量過少時，導電性會惡化而電阻變高，超過70質量%時，銀粒子分散液之黏度會變高，難以使用柔版印刷等進行塗布。

該銀導電膜之製造方法中，銀粒子分散液往基板之塗布宜使用柔版印刷進行，且宜藉由將柔版印刷重複複數次來進行。特別是，重複2~4次柔版印刷時，形成於基板上之銀導電膜中之銀粒子之燒結體的量與銀導電膜之電阻的平衡會變良好，故重複2~4次柔版印刷更佳。

又，該銀導電膜之製造方法中，銀粒子之平均粒徑宜為20nm以下，且宜為5~15nm。當銀粒子之平均粒徑為數nm~十數nm左右時，比表面積會變大，且融點會急遽地降低，故即使以300℃以下的低溫進行燒成也可使銀粒子之間燒結(即，可得到銀奈米粒子之低溫燒結性)，但當銀粒子之平均粒徑比20nm大時，難以得到銀奈米粒子之低溫燒結性。

再者，銀粒子之平均粒徑(一次粒子平均徑)是將包含Ag墨水(公司製造之PFI-700型)等之銀粒子之Ag墨水2質量份與環己烷96質量份添加於油酸2質量份之混合溶液，且前述Ag墨水係包含例如60質量%之Ag粒子(平均粒徑10nm之銀粒子)、3.0質量%之氯乙烯共聚物乳膠、2.0質量%之聚氨基甲酸酯增稠劑、及2.5質量%之丙二醇等，藉由超音波使之分散後，將所得到的分散溶液滴下於附有支持膜之Cu微細網眼，使之乾燥，然後將利用透過電子顯微鏡(日本電子股份有限公司製之JEM-100CXMark-II型)，以加速電壓100kV在明視野觀察該微細網眼上之銀粒子之像，以倍率300,000倍攝影，並由所得之TEM像算出。該銀粒子之一次粒子平均徑之算出可使用例如圖像解析軟體(旭化成股份有限公司製之A像(登記商標))來進行。該圖像解析軟體可以色的濃淡來識別各個粒子且進行解析，例如，可以令「粒子之明度」為「暗」、「雜訊濾波器」為「有」、「圓形臨界值」為「20」、「交疊度」為「50」之條件，對300,000 倍之TEM像進行圓形粒子解析，並就200個以上之粒子測定一次粒子徑，求取該數平均徑作為一次粒子平均徑。再者，只要令TEM像中有多數凝結粒子或異形粒子時為無法測定即可。

以下、就本發明之銀導電膜及其製造方法之實施例詳細說明。

實施例1~4

首先，準備包含：60質量%之Ag粒子(平均粒徑10nm之銀粒子)、3.0質量%之氯乙烯共聚物乳膠、2.0質量%之聚氨基甲酸酯增稠劑、2.5質量%之丙二醇之Ag墨水( 社製之PFI-700型)。

其次，使用柔版印刷機(日本電子精機股份有限公司製造之多目的微細印刷機JEM Flex)與柔版印刷版(渡邊護三堂股份有限公司製造，引刷版之材質為旭化成股份有限公司製造的板狀感光性樹脂AWP DEF、表面加工150行、96DOT%)，令網紋(anilox)容量8cc/m²(400線/吋)、印刷速度20m/分鐘、印刷次數分別為1次(實施例1)、2次(實施例2)、3次(實施例3)及4次(實施例4)，在基材( 公司製造之PET(聚對苯二甲酸乙二酯))膜545(Melinex：登記商標)〕10上，如圖1所示般，形成3cm×15cm左右大小且略矩形之5片膜12，如此印刷上述之Ag墨水後，在熱板上以140℃對印刷物進行30秒熱處理而燒成，藉此得到導電膜(銀導電膜)。

其次，將製作之導電膜與基板一起切斷為 5.0mm×78.5mm之大小的2片略矩形，且如圖2所示，貼附於黏著性剝離膜(股份有限公司製造之型號PET38)上，製作偶極天線14後，在該偶極天線14之IC晶片封裝部塗布薄薄的各向異性導電接著劑ACP)(京 股份有限公司製造之TAP0604C(Au/Ni塗層聚合物粒子))，並於該ACP上配置IC晶片(Impinj公司製造之Monza2)16，藉由熱壓著裝置(公司製造之TTS300)，以160℃的溫度施加1.0N之壓力，密接10秒鐘，使IC晶片16固定且連接於偶極天線14，藉此將IC晶片16封裝於偶極天線14。

就如此製作出之IC晶片封裝偶極天線，測定導電膜之膜厚、電阻(線路電阻)及表面電阻率，並且算出導電膜之體積電阻率及導電膜中之金屬(Ag)的比例。

導電膜之膜厚可使用雷射顯微鏡(KEYENCE公司製造之型號VK-9700)，測定100處形成有導電膜之基材表面與導電膜表面的高低差，算出平均值而求得。其結果是，導電膜之膜厚在實施例1為1.4μm，在實施例2為2.1μm，在實施例3為3.0μm，在實施例4為3.6μm。

導電膜之電阻(線路電阻)是藉由測試器(CMSTOM公司製造之型號CDM-03D)來測定偶極天線之其中一導電膜(5.0mm×78.5mm)之長邊方向的電阻。其結果是，導電膜之電阻在實施例1為5.0Ω，在實施例2為1.3Ω，在實施例3為0.8Ω，在實施例4為0.6Ω。

導電膜之表面電阻率是將導電膜切成 2.0cm×2.0cm的大小，並且使用表面電阻率測定器(三菱光学股份有限公司製造之GP)，使用4端子法來測定。其結果是，導電膜之表面電阻率在實施例1為0.25Ω/□，在實施例2為0.06Ω/□，在實施例3為0.03Ω/□，在實施例4為0.02Ω/□。

導電膜之體積電阻率是由導電膜之膜厚、電阻及面積(偶極天線之其中一導電膜之面積(5.0mm×78.5mm))所求得。其結果是，導電膜之體積電阻率在實施例1為44.6μΩ‧cm，在實施例2為17.4μΩ‧cm，在實施例3為15.3μΩ‧cm，在實施例4為13.6μΩ‧cm。

導電膜中之金屬(Ag)之比例是將印刷面積2.6cm×13.1cm之導電膜溶解於(已知重量之)濃硝酸溶液，由ICP發光分析法求得溶液中之Ag濃度，並在算出導電膜中之Ag的重量(g)後，由Ag之密度10.5g/cm³求得Ag之體積(cm³)，並且由導電膜之膜厚與印刷面積(2.6cm×13.1cm)求得導電膜之體積，並由Ag之體積(cm³)×100/導電膜之體積(cm³)算出。其結果是，導電膜中之Ag的比例在實施例1為22.4體積%，在實施例2為31.0體積%，在實施例3為37.1體積%，在實施例4為48.3體積%。

其次，就製作出之IC晶片封裝偶極天線，在無回波室(公司製造之MY1530)中，使用通信距離測定器(Voyantic公司製造之tagformance)，測定800MHz~1100MHz之周波數領域(依據ISO/IEC 18000-6C規格)之通信距離(Theoretical read range forward)。再者，在該測定 之前，進行該條件之環境設定(tagformance附屬之參考標籤之設定)。其結果是，周波數955MHz之通信距離在實施例1為3.8m、在實施例2為4.2m、在實施例3為4.4m、在實施例4為4.2m。

其次，如圖3所示，將本實施例所製作之導電膜切斷為5.0mm×20.0mm大小之略矩形導電膜12＇，並貼附於黏著性剝離膜(股份有限公司製造之型號PET38)18上而製作彎曲試驗用樣品20。將該彎曲試驗用樣品20之導電膜12＇的部分如圖4所示般，以5.0N之力在R=0.5mm之鐵柱22摩擦，在彎曲90°之狀態下，測定分別進行10次、100次及500次朝箭頭方向移動10cm之動作後之線路電阻(測試器)，並由個別之(動作後之線路電阻×100/試驗前之線路電阻)求得電阻惡化率(若線路電阻無變化時為100%)。其結果是，電阻惡化率在實施例1及2中在10次、100次、500次後皆為100%，在實施例3中，10次後及100次後為100%、500次後為125%，實施例4中，10次後為100%、100次後為150%、500次後為180%。

將該等實施例1~4之條件及結果顯示於表1~表3。

比較例1、實施例5~7

首先，於實施例1~4使用之Ag墨水，加入氯乙烯共聚物乳膠與聚氨基甲酸酯增稠劑與丙二醇，準備包含50質量%之Ag粒子(平均粒徑10nm之銀粒子)、18.4質量%之氯乙烯共聚物乳膠、2.0質量%之聚氨基甲酸酯增稠劑、及2.5質量%之丙二醇之Ag墨水。

除了使用該Ag墨水以外，藉由與實施例1~4同樣的方法，分別進行1次(比較例1)、2次(實施例5)、3次(實施例6)及4次(實施例7)之印刷次數，得到導電膜後，製作IC晶片封裝偶極天線及彎曲試驗用樣品，測定導電膜之膜厚、電阻及表面電阻率，並且算出導電膜之體積電阻率及導電膜中之Ag的比例。又，藉由與實施例1~4同樣的方法，測定IC晶片封裝偶極天線之通信距離，並且求出彎曲試驗用樣品之電阻惡化率。

其結果是，導電膜之膜厚在比較例1為1.7μm、在實施例5為2.5μm、在實施例6為3.4μm、在實施例7為4.8μm，導電膜之電阻在比較例1中為超負荷(OL)而無法測定，在實施例5為5.0Ω、在實施例6為2.5Ω、在實施例7為1.5Ω，導電膜之表面電阻率在比較例1中為超負荷(OL)而無法測定，在實施例5為0.43Ω/□、在實施例6為0.18Ω/□、在實施例7為0.10Ω/□。又，導電膜之體積電阻率在比較例1為超載(OL)而無法算出，在實施例5為78.7μΩ‧cm、在實施例6為53.5μΩ‧cm、在實施例7為46.1μΩ‧cm。又，導電膜中之Ag之比例在比較例1為8.5體積%、在實施例5為15.5體積 %、在實施例6為17.5體積%、在實施例7為18.8體積%。又，周波數955MHz之通信距離在比較例1為0.0m、在實施例5為3.7m、在實施例6為3.7m、在實施例7為3.8m。進而，電阻惡化率在比較例1為超負荷(OL)而無法算出，在實施例5~7，10次後、100次後、500次後皆為100%。

將該等實施例5~7及比較例1之條件及結果顯示於表1~表3。

實施例8~10、比較例2

首先，將在實施例1~4使用之Ag墨水以3000rpm進行10分鐘的離心分離處理後，去除上清液，準備將Ag粒子之濃度調整為70質量%之Ag墨水。

除了使用該Ag墨水以外，藉由與實施例1~4同樣的方法，使印刷次數分別為1次(實施例8)、2次(實施例9)、3次(實施例10)及4次(比較例2)，得到導電膜後，製作IC晶片封裝偶極天線及彎曲試驗用樣品，測定導電膜之膜厚、電阻及表面電阻率，並且算出導電膜之體積電阻率及導電膜中之Ag的比例。又，使用與實施例1~4同樣的方法，測定IC晶片封裝偶極天線之通信距離，並且求出彎曲試驗用樣品之電阻惡化率。

其結果是，導電膜之膜厚在實施例8為1.7μm、在實施例9為2.5μm、在實施例10為2.8μm、在比較例2為3.1μm，導電膜之電阻在實施例8為3.1Ω、在實施例9為1.1Ω、在實施例10為0.6Ω、在比較例2為0.4Ω、導電膜之表面電阻率在實施例8為0.19Ω/□、在實施例9為0.06Ω/□、 在實施例10為0.03Ω/□、在比較例2為0.01Ω/□。又，導電膜之體積電阻率在實施例8為32.8μΩ‧cm、在實施例9為17.4μΩ‧cm、在實施例10為10.8μΩ‧cm、在比較例2為7.9μΩ‧cm。又，導電膜中之Ag的比例在實施例8為25.6體積%、在實施例9為32.7體積%、在實施例10為43.3體積%、在比較例2為54.7體積%。又，周波數955MHz之通信距離在實施例8為3.8m、在實施例9為4.2m、在實施例10為4.2m、在比較例2為4.4m。進而，電阻惡化率在實施例8中，10次後、100次後、500次後之任一者皆為100%，在實施例9中，10次後及100次後為100%、500次後為120%，實施例10中，10次後為100%、100次後為110%、500次後為150%，比較例2中10次後為100%、100次後為350%、500次後為1200%。

該等實施例8~10及比較例2之條件及結果顯示於表1~表3。

實施例11~13、比較例3、4

除了網紋容量20cc/m²(150線/吋)之外，使用與實施例1~4相同的方法，令印刷次數分別為1次(實施例11)、2次(實施例12)、3次(實施例13)、4次(比較例3)及8次(比較例4)，得到導電膜後，製作IC晶片封裝偶極天線及彎曲試驗用樣品，測定導電膜之膜厚、電阻及表面電阻率，並且算出導電膜之體積電阻率及導電膜中之Ag的比例。又，使用與實施例1~4同樣的方法，測定IC晶片封裝偶極天線之通信距離並且求出彎曲試驗用樣品之電阻惡化率。

其結果是，導電膜之膜厚在實施例11為2.2μm、 在實施例12為3.6μm、在實施例13為5.6μm、在比較例3為7.5μm、在比較例4為11.4μm，導電膜之電阻在實施例11為1.1Ω、在實施例12為0.5Ω、在實施例13為0.1Ω、在比較例3為0.1Ω、在比較例4為0.1Ω，導電膜之表面電阻率在實施例11為0.06Ω/□、在實施例12為0.02Ω/□、在實施例13為0.01Ω/□、在比較例3為0.01Ω/□、在比較例4為0.01Ω/□。又，導電膜之體積電阻率在實施例11為15.4μΩ‧cm、在實施例12為11.5μΩ‧cm、在實施例13為3.6μΩ‧cm、在比較例3為4.8μΩ‧cm、在比較例4為7.3μΩ‧cm。又，導電膜中之Ag的比例在實施例11為28.5體積%、在實施例12為38.5體積%、在實施例13為49.2體積%、在比較例3為54.9體積%、在比較例4為70.1體積%。又，周波數955MHz之通信距離在實施例11為3.9m，在實施例12為4.2m，在實施例13為4.5m，在比較例3為4.5m，在比較例4為4.7m。進而，電阻惡化率在實施例11中，10次後、100次後、500次後之任一者皆為100%，在實施例12中，10次後及100次後為100%、500次後為125%，實施例13中，10次後為100%、100次後為150%、500次後為180%，比較例3中，10次後為200%、100次後為400%、500次後為1400%。再者，比較例4中，由於在10次以內斷線，故無法求出電阻惡化率。

該等實施例11~13及比較例3~4之條件及結果顯示於表1~表3。

比較例5~8

首先，於實施例1~4使用之Ag墨水，加入氯乙烯共聚 物乳膠與聚氨基甲酸酯增稠劑與丙二醇，準備包含40質量%之Ag粒子(平均粒徑10nm之銀粒子)、33.8質量%之氯乙烯共聚物乳膠、2.0質量%之聚氨基甲酸酯增稠劑、2.5質量%之丙二醇之Ag墨水。

除了使用該Ag墨水以外，使用與實施例1~4同樣的方法，令印刷次數分別為1次(比較例5)、2次(比較例6)、3次(比較例7)及4次(比較例8)，得到導電膜後，製作IC晶片封裝偶極天線及彎曲試驗用樣品，測定導電膜之膜厚、電阻及表面電阻率，並且算出導電膜之體積電阻率及導電膜中之Ag的比例。又，使用與實施例1~4同樣的方法，測定IC晶片封裝偶極天線之通信距離，並且求出彎曲試驗用樣品之電阻惡化率。

其結果是，導電膜之膜厚在比較例5為1.5μm、在比較例6為2.4μm、在比較例7為3.6μm、在比較例8為5.0μm，導電膜之電阻在比較例5中為超負荷(OL)而無法測定，比較例6為280.0Ω、比較例7為75.0Ω、比較例8為36.0Ω，導電膜之表面電阻率在比較例5為超負荷(OL)而無法測定，在比較例6為114.0Ω/□、在比較例7為35.5Ω/□、在比較例8為7.4Ω/□。又，導電膜之體積電阻率在比較例5中為超負荷(OL)而無法算出，在比較例6為4280μΩ‧cm、在比較例7為1705μΩ‧cm、在比較例8為1140μΩ‧cm。又，導電膜中之Ag的比例在比較例5為5.7體積%、在比較例6為6.4體積%、在比較例7為5.9體積%、在比較例8為7.0體積%。又，周波數955MHz之通信距離在比較例5為0.0m、在比較例6為 0.0m、在比較例7為1.8m、在比較例8為2.1m。進而，電阻惡化率在比較例5為超負荷(OL)而無法算出，在比較例6~8，10次後、100次後、500次後之任一者皆為100%。

該等比較例5~8之條件及結果顯示於表1~表3。

比較例9~10

除了切斷厚度分別為1μm(比較例9)及3μm(比較例10)之Ag箔(竹內金屬箔工業股份有限公司製造、100mm×100mm)而使用作為導電膜(導電膜中之Ag之比例為100%)來取代實施例1~4中所得之導電膜以外，使用與實施例1~4同樣的的方法，製作IC晶片封裝偶極天線及彎曲試驗用樣品及彎曲試驗用樣品，測定導電膜之電阻及表面電阻率，並且算出導電膜之體積電阻率。又，藉由與實施例1~4同樣的方法，測定IC晶片封裝偶極天線之通信距離，並且求出彎曲試驗用樣品之電阻惡化率。

其結果是，導電膜之電阻在比較例9為0.2Ω、在比較例10為0.1Ω、導電膜之表面電阻率在比較例9為0.01Ω/□、在比較例10為0.01Ω/□。又，導電膜之體積電阻率在比較例9為1.6μΩ‧cm、在比較例10為1.9μΩ‧cm。又，周波數955MHz之通信距離在比較例9為4.0m、在比較例10中為4.4m。進而，電阻惡化率在比較例9中，10次後為100%、100次後為200%、500次後為800%，比較例10中，10次後為100%、100次後為150%、500次後為400%。

該等比較例9~10之條件及結果顯示於表1~表3。

比較例11~13

除了切斷厚度分別為3μm(比較例11)、6μm(比較例12)及12μm(比較例13)之Al箔(竹內金屬箔工業股份有限公司製造、100mm×100mm)作為導電膜(導電膜中20之Al之比例為100%)使用以取代實施例1~4中所得之導電膜以外，以與實施例1~4同樣的方法，製作IC晶片封裝偶極天線及彎曲試驗用樣品及彎曲試驗用樣品，測定導電膜之電阻及表面電阻率，並且算出導電膜之體積電阻率。又，以與實施例1~4同樣的方法，測定IC晶片封裝偶極天線之通信距離，並且求出彎曲試驗用樣品之電阻惡化率。

其結果是，導電膜之電阻在比較例11為0.2Ω、在比較例12為0.2Ω、在比較例13為0.2Ω，導電膜之表面電阻率在比較例11~13之任一者為0.01Ω/□。又，導電膜之體積電阻率在比較例11為3.8μΩ‧cm、在比較例12為7.6μΩ‧cm、在比較例13為15.3μΩ‧cm。又，周波數955MHz之通信距離在比較例11為4.4m、在比較例12為4.4m、在比較例13中為4.4m。進而，電阻惡化率在比較例11中，10次後為167%、100次後為633%、500次後斷線，在比較例12中，10次後為100%、100次後為100%、500次後為1200%，比較例13中，10次後為100%、100次後為100%、500次後為800%。

該等比較例11~13之條件及結果顯示於表1~表3。

若組裝使用本發明之銀導電膜而形成之IC標籤用天線等之RFID標籤用天線(由IC晶片與天線構成)而製造 嵌入物的話，可製造出實用的通信距離之IC標籤等之FEID標籤。

10‧‧‧基材

12‧‧‧膜

Claims (9)

1. 一種RFID標籤用天線，其特徵在於其是由銀導電膜而形成，該銀導電膜包含有10~50體積%之銀粒子之燒結體，且表面電阻率為0.01~0.43Ω/□、體積電阻率為3~100μΩ．cm。
2. 如申請專利範圍第1項之RFID標籤用天線，其中前述銀導電膜中所含之銀粒子之燒結體的量為30~50體積%。
3. 如申請專利範圍第1項之RFID標籤用天線，其中前述銀導電膜之厚度為1~6μm。
4. 一種RFID標籤用天線之製造方法，其特徵在於將包含50~70質量%之銀粒子之銀粒子分散液塗布於基板後進行燒成，藉此於基板上形成如申請專利範圍第1~3項中任一項之銀導電膜。
5. 如申請專利範圍第4項之RFID標籤用天線之製造方法，其中前述銀粒子分散液往基板之塗布是藉由柔性印刷而進行。
6. 如申請專利範圍第4項之RFID標籤用天線之製造方法，其中前述銀粒子分散液往基板之塗布是藉由重複複數次柔性印刷而進行。
7. 如申請專利範圍第4項之RFID標籤用天線之製造方法，其中前述銀粒子分散液往基板之塗布是藉由重複2~4次柔性印刷而進行。
8. 如申請專利範圍第4~7項中任一項之RFID標籤用天線 之製造方法，其中前述銀粒子之平均粒徑在20nm以下。
9. 一種RFID標籤，具備有：如申請專利範圍第1~3項中任一項之RFID標籤用天線、及IC晶片。