CN112993199A - 一种三元组合物及含有该组合物的有机发光元件与应用 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种三元组合物和含有其的有机电致发光元件及它们的应用。该三元组合物包括一种有机化合物作为发光体,和一种空穴和电子注入、传输性能好,电子/空穴平衡性好的有机化合物的组合物。用该三元组合物构筑有机电致发光元件中的发光层,可以获得无重金属配合物的发光元件,实现了外量子效率超过20%的纯荧光电致发光元件,元件的起亮电压降低,操作寿命延长,详细信息可以通过本文提供的具体描述进行理解。本发明采用新颖的三元组合物获得了长寿命、高效率的有机电致发光器件,为解决现有蓝光OLED寿命和效率不能兼顾的难题提供了优选解决方案,具有商业化的应用前景。
Description
技术领域
本发明属于有机光电技术领域,尤其涉及一种应用于有机电致发光元件的三元组合物及高效率有机电致发光元件和它们的应用。
背景技术
有机光电器件中,尤其是有机电致发光二极管(OLED)作为新一代的平板显示技术逐渐进入人们的视野,其广泛的应用前景和近年来技术上的突飞猛进使得OLED成为平板信息显示领域和科学研究产品开发最热门的研究之一。近25年来,有机发光二极管(OLED)因其具有自发光、宽视角、工作电压低、反应时间快、可弯曲等优点,已成为国际上平板显示领域的一个研究热点,商品化产品已经在平面显示和照明领域开始了应用。OLED技术在显示和照明领域的发展一直受蓝光OLED的效率和寿命的制约,高效率蓝光OLED可明显提高显示逼真性,降低显示和照明器件的功耗。目前用于手机等显示的蓝光OLED技术,主要还是基于荧光材料的OLED,但其外量子效率较低。基于纯有机化合物的蓝色OLED器件,仍使用蒽类化合物作为主体,其主要机理是这类主体具有显著的TTA效果,即两个主体的三线态激子湮灭后,获得一个高能级的单线态激子,再用此高能的单线态激子经荧光共振能量转移(FRET)方式传递给纯荧光客体材料,实现客体的发光。用TTA主体时如果光取出效率为20%,则OLED的最高外量子效率为12.5%;这远远落后于绿光和红光器件。因蓝光的能级高,合适的主体材料缺乏,或者稳定性不足,或者能级不匹配,已经报道可实现纯蓝光(<466纳米)或深蓝光(<440纳米)的热活化延迟荧光材料,一种主体和热活化延迟荧光材料作为敏化剂作为共同主体的OLED器件,通常发光峰在468纳米以上,尚未能实现高效率、长寿命的纯蓝色或深蓝色OLED。本发明前期研究的基础上,提出了一种新型的三元组合物,其中含有一种常规的蓝色荧光客体材料和一种空穴和电子注入、传输更加平衡的组合物,组成了本发明的三元组合物,利用该三元组合物可以获得高效蓝色发光(发光峰小于468纳米),并显著提升OLED的发光效率,降低操作电压,器件的使用寿命有明显的提升,具有商业化的应用前景。
发明内容
为了解决现有蓝色荧光OLED技术中存在的效率低,使用寿命不够理想等综合性能差的问题,本发明提供一种用于有机电致发光元件的三元组合物,所述组合物包括结由式I-A、或I-B、或I-C、或I-D表示的第一化合物,由化学式II表示的第二化合物和由化学式III表示的第三化合物:
所述的第一化合物,化学式I-A、I-B、I-C、I-D如下所示:
在式I-A中,M1至M4独立选自C、B、N、O中的一种;
在式I-B中M5选自C或Si中的一种,
在式I-C中M6选自N或B中的一种,
在式I-D中M7至M9独立选自C、B、N、O中的一种,
CY1至CY11均独立地为C5-C60碳环基或C1-C60杂环基,L1至L4独立地选自不存在,或独立选自O、S、N-R2、CR2R3、SiR2R3、B-R2、C=O、O=S=O、O=P-R2中的一种;R1至R8独立地选自氢、氘、CN、卤素、取代或未取代的C1~C60的烷基、取代或未取代的C2~C60的烯基、取代或未取代的C1~C60的烷氧基、取代或未取代的C1~C60的环烷基、取代或未取代的C1~C60的杂烷基、取代或未取代的C6~C60的芳基、取代或未取代的C1~C60的杂芳基、取代或未取代的C1~C60的胺基、取代或未取代的C1~C60的硅基、取代或未取代的C6~C60的芳族稠环、取代或未取代的C1~C60的杂芳族稠环中的一种;相邻的R1至R8可以成环,a为0至6的整数;所有基团可以被部分氟代或全部氟代;且式I-A、或I-B、或I-C、或I-D表示的化合物的单分子发光峰在420纳米至470纳米之间;
所述的化学式II如下所示:
在式II中,环A独立选自中一种,Z1至Z14独立选自N或C-L5-R9中的一种;L4、L5独立地选自单键、取代或未取代的C6-C20的亚芳基、取代或未取代的C2-C20杂环基、或它们的组合,R9独立地选自氢、氘、CN、卤素、取代或未取代的C1~C60的烷基、取代或未取代的C2~C60的烯基、取代或未取代的C1~C60的烷氧基、取代或未取代的C1~C60的环烷基、取代或未取代的C1~C60的杂烷基、取代或未取代的C6~C60的芳基、取代或未取代的C1~C60的杂芳基、取代或未取代的C1~C60的胺基、取代或未取代的C1~C60的硅基、取代或未取代的C6~C60的芳族稠环、取代或未取代的C1~C60的杂芳族稠环中的一种,两个相邻的R9可以成环;所述的化学式III如下所示:
在式III中,Y1至Y6独立地选自N或C-L6-R10中的一种,Y1至Y6中至少两个是N;L6独立地选自单键、取代或未取代的C6-C20的亚芳基、取代或未取代的C2-C20杂环基、或它们的组合;R10独立地选自氢、氘、CN、卤素、取代或未取代的C1~C60的烷基、取代或未取代的C1~C60的烷氧基、取代或未取代的C1~C60的环烷基、取代或未取代的C1~C60的杂烷基、取代或未取代的C6~C60的芳基、取代或未取代的C1~C60的杂芳基、取代或未取代的C1~C60的硅基、取代或未取代的C6~C60的芳族稠环、取代或未取代的C1~C60的杂芳族稠环;当相邻的R10为两个或多个时,可以互相成环;以上R1至R10各自独立地可被部分或全部氘代、各自独立地可被部分或全氟代;R1至R10可以根据价健原则不取代或多取代;化学式II和III所选的有机化合物的三线态能级大于2.68eV;玻璃化转变温度大于105度。
本发明要求保护的三元组合物,化学式I-A选自以下结构的一种,但不代表限于此:
化学式I-B选自以下结构的一种,但不代表限于此:
式I-C选自以下结构的一种,但不代表限于此:
式I-D选自以下结构的一种,但不代表限于此:
其中,X独立选自O、S、N-R8、CR7R8的一种,R1至R8的与上述定义相同;
化学式II和式III表示的化合物中,R9、R10各自独立地选自以下结构的一种,
但不代表限于此:
其中,Z独立选自N或C-L7-R11中的一种,环A与上述中的A定义相同,X独立选自不存在,或O、S、N-R12、B-R12、P-R12、O=P-R12、C-R12R13、C=O、S=O、S(=O)2或Si-R12R13中的一种;R11至R13与上述中的R1定义相同。
本发明的三元组合物,优选地,组合物中化学式I-A选自以下代表结构的一种,但不代表限于此:
化学式I-B选自以下代表结构的一种,但不代表限于此:
其中X为O或S,R1至R9与上述中的定义相同;
优选地,化学式II选自以下代表结构的一种,但不代表限于此:
其中,Z为C-R9或N,R1至R9与上述中的定义相同;
优选地,化学式III选自以下代表结构的一种,但不代表限于此:
本发明要求保护的三元组合物,化学式I-A、I-B、I-C、I-D中,R1至R8独立选自下列结构中的一种,但不代表限于此:
*表示相邻基团相连的位置;
在化学式II和式III中R9至R13独立选自S-1至S-78的一种,但不代表限于此:
本发明要求保护的三元组合物,化学式I-A选自下列代表结构的一种,但不代表限于此:
其中I-A还可以选自专利CN101343234;CN102232068;CN106170481;中国专利202010480940.0和202110180038.1中发光光谱符合要求的化合物。
化学式I-B选自下列代表结构的一种,但不代表限于此:
其中I-B还可以选自专利CN107690719;CN106977479;CN106458954;CN1064558953;CN105037173中发光光谱符合要求的化合物;
化学式I-C选自下列代表结构的一种,但不代表限于此:
化学式I-D选自下列代表结构的一种,但不代表限于此:
其中I-C和I-D还可以选自专利CN110612304A,CN110719914A,CN105431439A,CN108431984A,CN108473511A,CN110028523A,CN110049990A,CN110249442A,CN111357128A,CN111065640A,CN112086568A,CN111253421A中发光光谱符合要求的化合物。
化学式II选自上述H-1至H-41中任一一种,R1至R3独立选上述S-1至S-73的一种,取代后形成的代表结构式,但不代表限于此:
本发明要求保护一种制剂,包含所述的三元组合物和至少一种溶剂,溶剂没有任何的限制,可以使用本领域技术人员熟知的例如甲苯、二甲苯、均三甲苯、四氢化萘、十氢萘、双环己烷、正丁基苯、仲丁基苯、叔丁基苯等不饱和烃溶剂、氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷、氯丁烷、溴丁烷、氯戊烷、溴戊烷、氯己烷、溴己烷、氯环己烷、溴环己烷等卤化饱和烃溶剂,氯苯、二氯苯、三氯苯等卤化不饱和烃溶剂,四氢呋喃、四氢吡喃等醚溶剂,苯甲酸烷基酯等酯类溶剂。
本发明还要求保护一种有机发光器件,所述有机电致发光器件包括:
第一电极;第二电极,与所述第一电极相面对;有机功能层,夹设于所述第一电极和所述第二电极之间;
其中,所述发光层包含上述的三元组合物。
优选地,在有机电致发光器件的发光层中的三元组合物,其中化学式I表示的化合物所占重量比例m为2%~10%之间;化学式II表示的化合物占比例n为27%~68%;化学式III表示的化合物占比例o为27%~68%,且m+n+o=100%。
优选的,所述有机电致发光元件发光峰在445纳米至468纳米之间。
在本发明中,有机光电器件是可以利用喷溅涂覆法、电子束蒸发、真空蒸镀等方法在基板上蒸镀金属或具有导电性的氧化物以及它们的合金形成阳极;在制备得到的阳极表面按顺序蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层和电子传输层,以后再蒸镀阴极的方法制备。以上方法以外基板上按阴极、有机物层、阳极顺序蒸镀制作有机电致器件。所述有机物层是也可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层及电子传输层等多层结构。在本发明中有机物层是采用高分子材料按溶剂工程(旋转涂膜(spin-coating)、薄带成型(tape-casting)、刮片法(doctor-blading)、丝网印刷(Screen-Printing)、喷墨印刷或热成像(Thermal-Imaging)等)替代蒸镀方法制备,可以减少器件层数。
根据本发明的有机电致发光器件所使用的材料可以分为顶发射、低发射或双面发射。根据本发明实施方案的有机电致发光器件的化合物可以适用于显示或照明的OLED、柔性OLED等电致发光器件方面。
本发明用有机荧光材料组成三元组合物,构建OLED器件的发光层,获得了外量子效率大于20%的荧光OLED器件,所用的荧光客体材料为常用的含芘、螺芴、硼氮类荧光分子。目前的文献报道中鲜有发光峰低于466纳米,外量子效率超过20%,同时寿命超过150小时的蓝光OLED器件。本发明中化学式II和化学式III的组合使空穴和电子注入与传输效率的提升,在发光层中有更多的空穴和电子对取得平衡,用于形成发光的激子,使用它们的组合物作为主体,获得了更低的启亮电压,效率高且寿命有所提升的蓝光OLED器件。本发明中的实施例器件1至器件9,采用了不同的组合方案和组合物配比,蓝光器件的效率是已公布类似器件结果的105~130%。本发明采用的常规的荧光化合物,弥补了热活化延迟荧光材料作为敏化剂无法兼顾发光颜色、效率和寿命的缺点。
附图说明
图1为本发明有机电致发光二极管器件结构层图;其中,110代表基板,120表示阳极,130表示空穴注入层,140表示空穴传输层,150表示发光层,160表示空穴阻挡层,170表示电子传输层,180表示电子注入层,190表示阴极。
图2为本发明中化合物H-1-7和化合物D1-3-1的单空穴器件的J-V曲线。
图3为本发明中化合物E-1-77和化合物P4-3-29的单电子器件的J-V曲线
图4为BD的紫外可见吸收光谱(BD的UV)和H-12-7:E-1-155组合的发光光谱(PL)。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案,结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本发明的一种优选实施方式中,本发明的OLED器件中含有空穴传输层,空穴传输材料可以优选自已知或未知的材料,特别优选地选自以下结构,但并不代表本发明限于以下结构:
在本发明的一种优选实施方式中,本发明的OLED器件中含有的空穴传输层,其包含一种或多种p型掺杂剂。本发明优选的p型掺杂剂为以下结构:
本发明的化学式II表示的化合物被用作空穴传输层、空穴注入层或激子阻挡层中的空穴传输材料,式II中的化合物可以单独使用,也可以将含式II中化合物与上述一种或多种p型掺杂剂共同形成。
本发明的一种优选实施方式中,所述的电子传输层可以选自化合物ET-1至ET-13的至少一种,但不限于此:
本发明化学式III表示的化合物可被用作电子传输层。电子传输层可以将以上化合物与一种或多种n型掺杂剂(如LiQ)共同形成。
有机发光元件的制造通用方法:
在发光面积为2mm×2mm大小的ITO玻璃的表面用真空蒸镀、旋涂、打印或印刷的方法将p掺杂材料P-1~P-6或者将此p掺杂材料以1%~50%浓度与空穴传输材料共同形成5-50nm的空穴注入层(HIL),再形成5-200nm的空穴传输层(HTL),随后在空穴传输层上形成10-100nm的发光层(EML),最后依次形成电子传输层(ETL)10-200nm和阴极50-200nm,如有必要在HTL和EML层中间加入电子阻挡层(EBL),在ETL和阴极间加入电子注入层(EIL)从而制造了有机发光元件。
OLED器件实施例:
具体实施底发射OLED器件的结构为在含有ITO的玻璃上,HIL为HT-1:P-3(97:3v/v%),厚度为10纳米;HTL为HT-1,厚度为75纳米;EBL为化合物H-1-22,厚度为10~20纳米;EML为本发明的三元组合物,厚度为20~35纳米;HBL化学式III表示的化合物,或为ET-11,厚度为10纳米;ETL为ET-1至ET-13或ET-1-77:LiQ(50:50v/v%),厚度为25~35纳米,然后蒸镀阴极Yb为1纳米,Al为40纳米。
其中化学式I-A、I-B、I-C、I-D选至下列BD-1至BD-5;
化学式II和化学III分别选自以下结构中的一种,用于组建本发明的三元组合物,作为实施例中功能层使用:
实施例1:在高真空下,发光面积为2mm×2mm大小的ITO玻璃的表面构建结构为ITO/HT-1:P-3(97:3v/v%)(10)/HT-1(75)/H-1-22(20)/H-12-7:E-1-155:BD-1(43:53:4v/v%)(20)/E-1-155(10)/E-1-77:LiQ(50:50v/v%)(25)/Yb(1)/Al(40)的OLED器件(器件1),其中各层材料间用“/”隔开,括号内表示各层的厚度,单位为纳米。电流密度-电压-亮度曲线用Keithley 2400电流表和PR650光谱仪测的。
实施例2:在高真空下,将H-12-7:E-1-155:BD-2(43:53:4v/v%)(20)替换实施例1中的H-12-7:E-1-55:BD-1(43:53:4v/v%)(20),制备得到OLED器件(器件2)。
实施例3:在高真空下,将H-12-7:E-1-155:BD-3(43:53:4v/v%)(20)替换实施例1中的H-12-7:E-1-55:BD-1(43:53:4v/v%)(20),制备得到OLED器件(器件3)。
实施例4:在高真空下,将H-12-7:E-1-155:BD-4(43:53:4v/v%)(20)替换实施例1中的H-12-7:E-1-55:BD-1(43:53:4v/v%)(20),制备得到OLED器件(器件4)。
实施例5:在高真空下,将H-12-7:E-1-155:BD-5(43:53:4v/v%)(20)替换实施例1中的H-12-7:E-1-55:BD-1(43:53:4v/v%)(20),制备得到OLED器件(器件5)。
实施例6:在高真空下,将H-12-7:E-1-77:BD-1(43:53:4v/v%)(20)替换实施例1中的H-12-7:E-1-55:BD-1(43:53:4v/v%)(20),制备得到OLED器件(器件6)。
实施例7:在高真空下,将H-12-7:E-1-77:BD-2(43:53:4v/v%)(20)替换实施例1中的H-12-7:E-1-55:BD-1(43:53:4v/v%)(20),制备得到OLED器件(器件7)。
实施例8:在高真空下,将H-12-7:E-1-77:BD-3(43:53:4v/v%)(20)替换实施例1中的H-12-7:E-1-55:BD-1(43:53:4v/v%)(20),制备得到OLED器件(器件8)。
实施例9:在高真空下,将H-12-7:E-1-77:BD-4(43:53:4v/v%)(20)替换实施例1中的H-12-7:E-1-55:BD-1(43:53:4v/v%)(20),制备得到OLED器件(器件9)。
实施例10:在高真空下,将H-12-7(10)/BD-3(7)/E-1-77(10)替换实施例1中的H-12-7:E-1-55:BD-1(43:53:4v/v%)(20),制备得到OLED器件(器件10)。
对比器件1:在高真空下,将专利CN108963099B中的D1-3-1:P4-3-29:BD-1(38:58:4v/v%)(20)替换实施例1中的H-12-7:E-1-55:BD-1(43:53:4v/v%)(20),制备得到OLED器件(对比器件1)。
对比器件2:在高真空下,将专利CN108963099B中的D1-3-1:P4-3-29:BD-4(38:58:4v/v%)(20)替换实施例1中的H-12-7:E-1-55:BD-1(43:53:4v/v%)(20),制备得到OLED器件(对比器件2)。
本发明用有机荧光材料组成三元组合物,构建OLED器件的发光层,获得了外量子效率大于20%的荧光OLED器件,所用的荧光客体材料为常用的含芘、螺芴、硼氮类荧光分子。目前的文献报道中鲜有发光峰低于466纳米、外量子效率超过20%、且寿命超过150小时的蓝光OLED器件。本发明中结构式II中的代表化合物H-1-7比专利CN108963099B中的D1-3-1具有更好的单空穴传输效果,以及较低的空穴注入势垒;结构式III中的代表化合物E-1-77则比专利CN108963099B中的P4-3-29具有更好的单电子传输效果,以及较低的电子注入势垒(图3)。最终本发明使用它们组合物作为主体,由于空穴和电子注入与传输效率的提升,在发光层中有更多的空穴和电子对取得平衡,用于形成发光的激子,获得了更低的启亮电压,效率高且寿命有所提升的蓝光OLED器件。在表1中,本发明中的实施例器件1至器件9,采用了不同的组合方案和组合物配比,并将器件结果列在表1中,从表1中对比可以看出,器件1至9的外量子效率是已公布类似器件结果的105~130%。图4说明本发明中化学式II和化学式III的组合物形成的发光峰与化学式I的化合物有较高的重叠性,使的它们之间的荧光共振能量转移效率得到极大的提升。根据已报道的文献可知,化学式I-A至I-D代表的第一化合物均为荧光材料,它们的紫外吸收光谱与BD-1的接近,即它们与化学式II和化学式III的组合物也可以形成高效率的荧光共振能量转移,器件中的三线态激子被迅速消耗并用于发光,使器件的效率和寿命获得显著提升。
以上结果充分说明,使用本发明的组合物可以获得更低启亮电压,更高效率的蓝光OLED。本发明在已有专利技术基础上,进行详细的化学结构研究和器件结构研究,创新地发现特定的组合物和特定的组合比例,获得了具有更好综合性能的器件。本发明采用的化合物为常规的荧光化合物,弥补了热活化延迟荧光材料作为敏化剂无法兼顾发光颜色、效率和寿命的缺点。
以上对本发明的实施方式进行了详细的说明,本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后,将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的,本申请的真正范围和精神由权利要求指出。
应当理解的是,本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构,并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制。以上所述仅为本申请的较佳实施例,并不用以限制本申请,凡在本申请的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种用于有机电致发光二极管的三元组合物,所述组合物包括由式I-A、或I-B、或I-C、或I-D表示的第一化合物,由化学式II表示的第二化合物和由化学式III表示的第三化合物;
所述的第一化合物,化学式I-A、I-B、I-C、I-D如下所示:
在式I-A中,M1至M4独立选自C、B、N、O中的一种,
在式I-B中M5选自C或Si中的一种,
在式I-C中M6选自N或B中的一种,
在式I-D中M7至M9独立选自C、B、N、O中的一种,
CY1至CY11均独立地为C5-C60碳环基或C1-C60杂环基,L1至L4独立地选自不存在,或独立选自O、S、N-R2、CR2R3、SiR2R3、B-R2、C=O、O=S=O、O=P-R2中的一种;R1至R8独立地选自氢、氘、CN、卤素、取代或未取代的C1~C60的烷基、取代或未取代的C2~C60的烯基、取代或未取代的C1~C60的烷氧基、取代或未取代的C1~C60的环烷基、取代或未取代的C1~C60的杂烷基、取代或未取代的C6~C60的芳基、取代或未取代的C1~C60的杂芳基、取代或未取代的C1~C60的胺基、取代或未取代的C1~C60的硅基、取代或未取代的C6~C60的芳族稠环、取代或未取代的C1~C60的杂芳族稠环中的一种;相邻的R1至R8可以成环,a为0至6的整数;所有基团可以被部分氟代或全部氟代;且式I-A、或I-B、或I-C、或I-D表示的化合物的单分子发光峰在420纳米至470纳米之间;所述的化学式II如下所示:在式II中,环A独立选自中一种,Z1至Z14独立选自N或C-L5-R9中的一种;L4、L5独立地选自单键、取代或未取代的C6-C20的亚芳基、取代或未取代的C2-C20杂环基、或它们的组合;R9独立地选自氢、氘、CN、卤素、取代或未取代的C1~C60的烷基、取代或未取代的C2~C60的烯基、取代或未取代的C1~C60的烷氧基、取代或未取代的C1~C60的环烷基、取代或未取代的C1~C60的杂烷基、取代或未取代的C6~C60的芳基、取代或未取代的C1~C60的杂芳基、取代或未取代的C1~C60的胺基、取代或未取代的C1~C60的硅基、取代或未取代的C6~C60的芳族稠环、取代或未取代的C1~C60的杂芳族稠环中的一种,两个相邻的R9可以成环;所述的化学式III如下所示:
在式III中,Y1至Y6独立地选自N或C-L6-R10中的一种,Y1至Y6中至少两个是N;L6独立地选自单键、取代或未取代的C6-C20的亚芳基、取代或未取代的C2-C20杂环基、或它们的组合;R10独立地选自氢、氘、CN、卤素、取代或未取代的C1~C60的烷基、取代或未取代的C1~C60的烷氧基、取代或未取代的C1~C60的环烷基、取代或未取代的C1~C60的杂烷基、取代或未取代的C6~C60的芳基、取代或未取代的C1~C60的杂芳基、取代或未取代的C1~C60的硅基、取代或未取代的C6~C60的芳族稠环、取代或未取代的C1~C60的杂芳族稠环;当相邻的R10为两个或多个时,可以互相成环;以上R1至R10各自独立地可被部分或全部氘代、各自独立地可被部分或全氟代;R1至R10可以根据价健原则不取代或多取代;化学式II和III所选的有机化合物的三线态能级大于2.68eV;玻璃化转变温度大于105度。
2.根据权利要求1所述的三元组合物,其特征在于,化学式I-A选自以下结构的一种:
化学式I-B选自以下结构的一种:
化学式式I-C选自以下结构的一种:
化学式式I-D选自以下结构的一种:
其中,X独立选自O、S、N-R8、CR7R8的一种,R1至R8的与权利要求1中定义相同;式II和式III表示的化合物中,R9、R10各自独立地选自以下结构的一种:
其中,Z独立选自N或C-L7-R11中的一种,环A与权利要求1中的环A定义相同,X独立选自不存在,或O、S、N-R12、B-R12、P-R12、O=P-R12、C-R12R13、C=O、S=O、S(=O)2或Si-R12R13中的一种;R11至R13与权利要求1所述的R1定义相同。
6.一种制剂,其特征在于,包含权利要求1-5任一一项所述的三元组合物和至少一种溶剂,所用的溶剂没有特别限制,可以使用本领域技术人员熟知的例如甲苯、二甲苯、均三甲苯、四氢化萘、十氢萘、双环己烷、正丁基苯、仲丁基苯、叔丁基苯等不饱和烃溶剂;四氯化碳、氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷、氯丁烷、溴丁烷、氯戊烷、溴戊烷、氯己烷、溴己烷、氯环己烷、溴环己烷等卤化饱和烃溶剂;氯苯、二氯苯、三氯苯等卤化不饱和烃溶剂;四氢呋喃、四氢吡喃等醚溶剂;苯甲酸烷基酯等酯类溶剂。
7.一种有机发光器件,其特征在于,包括:
第一电极;
第二电极,与所述第一电极相面对;
有机功能层,夹设于所述第一电极和所述第二电极之间;
其中,有机功能层包含权利要求1至5任一项所述的三元组合物。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件,其特征在于,发光层中包含所述的三元组合物,其中化学式I表示的化合物所占比例m为2%~10%之间;化学式II表示的化合物占比例n为27%~68%;化学式III表示的化合物占比例o为27%~68%,且m+n+o=100%。
9.根据权利要求7或8所述的有机电致发光器件,其特征在于,有机电致发光器件的发光光谱在445纳米至468纳米之间。
10.一种显示或照明装置,其特征在于,所述的显示或照明装置含有权利要求7至9任一项所述的有机发光器件。
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