CN112960671A - 氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件、制备方法及应用 - Google Patents

氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件、制备方法及应用 Download PDF

Info

Publication number
CN112960671A
CN112960671A CN202110150347.4A CN202110150347A CN112960671A CN 112960671 A CN112960671 A CN 112960671A CN 202110150347 A CN202110150347 A CN 202110150347A CN 112960671 A CN112960671 A CN 112960671A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mos
graphene oxide
molybdenum disulfide
thin film
water
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110150347.4A
Other languages
English (en)
Inventor
王江
程光华
张国栋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Northwestern Polytechnical University
Shenzhen Institute of Northwestern Polytechnical University
Original Assignee
Northwestern Polytechnical University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Northwestern Polytechnical University filed Critical Northwestern Polytechnical University
Priority to CN202110150347.4A priority Critical patent/CN112960671A/zh
Publication of CN112960671A publication Critical patent/CN112960671A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/182—Graphene
    • C01B32/198—Graphene oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G39/00—Compounds of molybdenum
    • C01G39/06—Sulfides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/20—Particle morphology extending in two dimensions, e.g. plate-like
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/80—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

本发明属于薄膜材料制备技术领域，公开了一种氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件、制备方法及应用，将石英片进行清水处理；将二硫化钼MoS2和氧化石墨烯GO的片状粉体分别分散于去离子水DI中，通过液相剥离法超声处理后，离心、取上清液；分别取GO和MoS2上清液混合，得混合溶液；将混合溶液溶解于甲醇和氯仿混合溶液，超声处理获得GO/MoS2分散液；将水槽和滑障依次经清水、乙醇、去离子水清洗，注入DI水；将分散液滴入水面，静置后将滑障压缩，获得表面压力和面积等温线；将石英片插入水面，在设定的表面压力下拉膜，获得GO/MoS2复合薄膜，干燥。本发明通过拉膜重复次数可获得不同厚度的GO/MoS2复合薄膜。

Description

氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件、制备方法及应用
技术领域
本发明属于薄膜材料制备技术领域，尤其涉及一种氧化石墨烯/二硫化钼 (GO/MoS2)复合薄膜器件、制备方法及应用。
背景技术
目前，氧化石墨烯(Graphene Oxide GO)有着和石墨烯基本相同的二维平面结构，是一种由二维碳原子层与羟基、羧基、环氧基等含氧官能团共价结合而成的材料，这些含氧基团使GO在室温下的亲水性和可修饰性均得到增强，并且GO还具有制备工艺简单、带隙可调以及易于组装和集成化等优点，吸引了广大研究者在不同领域的应用研究。二硫化钼(Molybdenum disulfide MoS2) 具有类石墨烯结构，它不但具有良好的电子、光学、催化特性，尤其是它随层数增加其能带隙减小。它从间接带隙转变到直接带隙，能辅助石墨烯在半导体电子领域得到更广泛的应用。目前纳米器件的研究是热点，基于GO薄膜和MoS2薄膜的光电子器件获得广泛应用，不难想到基于GO和MoS2两种材料复合的薄膜亦具有优异的光电性能。如何制备GO/MoS2复合的薄膜器件成为一个有趣的研究课题。目前常用的制备GO和MoS2薄膜的方法有自旋涂覆、CVD、磁控溅射等。然而，旋涂法制备的薄膜厚度和均匀性差别很大。CVD生长薄膜的厚度不易控制，并且只有特殊的衬底才能使用CVD进行高温晶体生长。磁控溅射法需要制备高纯度的靶材，以及在高真空高压强等条件。如何能简单便宜的制备出表面均匀的GO/MoS2混合薄膜成为一个热点问题。
通过上述分析，现有技术存在的问题及缺陷为：
(1)现有旋涂法制备的薄膜厚度和均匀性差别很大。
(2)现有CVD生长薄膜的厚度不易控制，并且只有特殊的衬底才能使用 CVD进行高温晶体生长。
(3)现有磁控溅射法需要制备高纯度的靶材，以及在高真空高压强等条件。
解决以上问题及缺陷的难度为：
(1)制备成本相对较高，制备过程相对复杂。
(2)CVD或磁控溅射等方法需要在高压条件进行。
(3)很难将两种及多种材料进行复合。
解决以上问题及缺陷的意义为：
(1)高质量的薄膜器件在军事、航天、医疗、人工智能等多个领域具有广泛应用。
(2)高效、高质量、高性价比的制备复合薄膜技术是薄膜制备的需求。
(3)二维复合薄膜可以根据不同材料的能带、结合能、吸收等特性制备出性能更加优异的薄膜器件。
发明内容
针对现有技术存在的问题，本发明提供了一种氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件、制备方法及应用。
本发明是这样实现的，一种氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件的制备方法，所述氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件的制备方法包括以下步骤：
步骤一，将石英片进行清水处理；
步骤二，将二硫化钼和氧化石墨烯的片状粉体分别分散于去离子水中，分别进行水溶液超声处理后，离心、取上清液；
步骤三，分别取0.5ml的GO和MoS2的上清液进行混合，获得两种材料的混合溶液；
步骤四，将获取的GO和MoS2混合溶液溶解在甲醇和氯仿混合溶液中，进行超声处理15min，获得GO/MoS2分散液；
步骤五，将水槽和滑障依次经过清水、乙醇、去离子水进行清洗，然后注入DI水，pH＝7.0；
步骤六，将步骤四获得的分散液缓慢滴入步骤五的LB槽的水面上，静置30 分钟，将滑障进行压缩，获得表面压力和面积等温线；
步骤七，将石英片插入步骤六中，在表面压为20mN/m处进行拉膜，获得 GO/MoS2复合薄膜，再在干燥箱内干燥。
进一步，步骤一中，所述将石英片进行清水处理的方法中，使用H2SO4和H2O2的混合物进行处理，所述H2SO4和H2O2的体积比为3:1。
进一步，步骤四中，所述甲醇和氯仿体积比为4:1。
进一步，步骤六中，所述滑障以7.77mm/min的速度进行压缩。
进一步，步骤七中，所述在干燥箱内干燥的方法为：在干燥箱内80℃保存 10h进行干燥，增强薄膜的结晶度。
本发明的另一目的在于提供一种由所述氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件的制备方法的氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件。
本发明的另一目的在于提供一种光存储器件，所述光存储器件使用所述的氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件。
结合上述的所有技术方案，本发明所具备的优点及积极效果为：本发明提供的氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件的制备方法，常温常压下可以获得表面均匀的GO/MoS2复合薄膜，可以通过拉膜重复次数获得不同厚度的GO/MoS2复合薄膜。本发明提供常温常压下获得表面均匀的氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件的制备方法。
附图说明
图1是本发明实施例提供的氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件的制备方法流程图。
图2(a)是本发明实施例提供的LB实验装置示意图。
图2(b)是本发明实施例提供的表面压力和面积(π-A)等温线示意图。
图3是本发明实施例提供的二硫化钼与氧化石墨烯混合薄膜的SEM图。
图4是本发明实施例提供的氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
针对现有技术存在的问题，本发明提供了一种氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件、制备方法及应用，下面结合附图对本发明作详细的描述。
如图1所示，本发明实施例提供的氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件的制备方法包括以下步骤：
S101，将石英片进行清水处理；
S102，将二硫化钼和氧化石墨烯的片状粉体分别分散于去离子水中，分别进行水溶液超声处理后，离心、取上清液；
S103，分别取一定量的GO和MoS2的上清液进行混合，获得两种材料的混合溶液；
S104，将获取的GO和MoS2混合溶液溶解在甲醇和氯仿混合溶液中，进行超声处理15min，获得GO/MoS2分散液；
S105，将水槽和滑障依次经过清水、乙醇、去离子水进行清洗，然后注入 DI水，pH＝7.0；
S106，将S104获得的分散液缓慢滴入S105的LB槽的水面上，静置一段时间，将滑障进行压缩，获得表面压力和面积(π-A)等温线；
S107，将石英片插入S106中，在表面压为20mN/m处进行拉膜，获得GO/MoS2复合薄膜，再在干燥箱内干燥。
本发明实施例提供的步骤S101中，所述将石英片进行清水处理的方法中，使用H2SO4和H2O2的混合物进行处理，所述H2SO4和H2O2的体积比为3:1。
本发明实施例提供的步骤S104中，所述甲醇和氯仿体积比为4:1。
本发明实施例提供的步骤S106中，所述滑障以7.77mm/min的速度进行压缩。
本发明实施例提供的步骤S107中，所述在干燥箱内干燥的方法为：在干燥箱内80℃保存10h进行干燥。
下面结合实施例对本发明作进一步描述。
实施例1
本发明提出一种新型的GO/MoS2复合薄膜器件的制备方法，通过LB拉膜法获得表面均匀的GO/MoS2复合薄膜。
LB法制备GO/MoS2混合薄膜的过程如图2(a)所示：首先，将片状粉体分别分散于去离子水中，将它们分别超声处理后，并离心后取上清液。其次，分别取一定量的GO和MoS2溶液后混合，将获取的GO和MoS2混合溶液溶解在甲醇和氯仿混合溶液中，获得GO/MoS2分散液，然后将GO/MoS2分散液超声一定时间，使其充分混合。紧接着将一定量的GO/MoS2分散液缓慢的滴到LB槽的水面上，静置一段时间使GO/MoS2充分的铺展在水面上，让它们通过非共价相互作用自组装。然后，将滑障以7.77mm/min的速度压缩，液面表面压随面积的关系如图 2(b)所示。溶液表面压曲线反映分子间的距离，当曲线斜率相对较小时，说明此时分子之间相距很远，液体分子间具有一定的分子间作用力，仍可压缩松散的流动结构。当曲线曲率较大，相对很陡峭时，在这个区域，不溶性分子之间的距离足够小，以至于分子之间几乎没有进一步压缩的空间。这些分子几乎垂直地排列在表面上。在此区域进行拉膜，薄膜基底为经过清水处理(H2SO4和H2O2混合物，体积比为3:1)的石英片。最后，将GO/MoS2复合薄膜在干燥箱内80℃保存10小时进行干燥，获得GO/MoS2复合薄膜。
具体可以按照以下步骤实现：
(1)将石英片进行清水处理；
(2)将二硫化钼和氧化石墨烯分别进行水溶液超声、离心、取上清液；分别取一定量的上清液进行混合，获得两种材料的混合溶液；再将GO和MoS2混合溶液溶解在甲醇和氯仿溶液中(甲醇和氯仿体积比为4:1)，将其进行超声15分钟，获得GO/MoS2分散液。
(3)将水槽和滑障依次经过清水、乙醇、去离子水进行清洗，然后注入DI 水，pH＝7.0。
(4)将(2)获得的分散液缓慢滴入(3)中，静置一段时间，进行压缩，获得图2(b)表面压力和面积(π-A)等温线。
(5)将石英片插入(4)中，在表面压为20mN/m处进行拉膜，获得GO/MoS2复合薄膜，再在干燥箱内80℃保存10小时进行干燥。
实施例2
将石英基底插入GO/MoS2、甲醇和氯仿混合溶液中，通过LB拉膜仪器，拉膜的速度为0.5mm/min，滑障压缩的速度为3.88mm/min，再将其在干燥箱内80℃保存10小时进行干燥，获得GO/MoS2复合薄膜。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件的制备方法，其特征在于，所述氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件的制备方法包括：
将石英片进行清水处理；
将二硫化钼和氧化石墨烯的片状粉体分别分散于去离子水中，分别通过液相剥离法进行水溶液超声处理后，离心、取上清液；
分别取GO和MoS2的上清液进行混合，获得两种材料的混合溶液；
将获取的GO和MoS2混合溶液溶解在甲醇和氯仿混合溶液中，进行超声处理，获得GO/MoS2分散液；
将水槽和滑障依次经过清水、乙醇、去离子水进行清洗，注入DI水；
将获得的分散液缓慢滴入LB槽的水面上，静置时间，将滑障进行压缩，获得表面压力和面积等温线；
将石英片插入，在表面压进行拉膜，获得GO/MoS2复合薄膜，再在干燥箱内干燥。
2.如权利要求1所述的氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件的制备方法，其特征在于，所述将石英片进行清水处理的方法中，使用H2SO4和H2O2的混合物进行处理，所述H2SO4和H2O2的体积比为3:1。
3.如权利要求1所述的氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件的制备方法，其特征在于，所述甲醇和氯仿体积比为4:1。
4.如权利要求1所述的氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件的制备方法，其特征在于，将获取的GO和MoS2混合溶液溶解在甲醇和氯仿混合溶液中，进行超声处理15min，获得GO/MoS2分散液。
5.如权利要求1所述的氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件的制备方法，其特征在于，将水槽和滑障依次经过清水、乙醇、去离子水进行清洗，然后注入DI水，pH＝7.0。
6.如权利要求1所述的氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件的制备方法，其特征在于，所述滑障以7.77mm/min的速度进行压缩。
7.如权利要求1所述的氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件的制备方法，其特征在于，所述在干燥箱内干燥的方法为：在干燥箱内80℃保存10h进行干燥。
8.如权利要求1所述的氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件的制备方法，其特征在于，将石英片插入，在表面压为20mN/m处进行拉膜，获得GO/MoS2复合薄膜，再在干燥箱内干燥。
9.一种由权利要求1～8任意一项所述氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件的制备方法的氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件。
10.一种光存储器件，其特征在于，所述光存储器件使用权利要求9所述的氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件。
CN202110150347.4A 2021-02-03 2021-02-03 氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件、制备方法及应用 Pending CN112960671A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110150347.4A CN112960671A (zh) 2021-02-03 2021-02-03 氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件、制备方法及应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110150347.4A CN112960671A (zh) 2021-02-03 2021-02-03 氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件、制备方法及应用

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112960671A true CN112960671A (zh) 2021-06-15

Family

ID=76274563

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110150347.4A Pending CN112960671A (zh) 2021-02-03 2021-02-03 氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件、制备方法及应用

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112960671A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115490265A (zh) * 2022-09-06 2022-12-20 西北工业大学宁波研究院 一种二硫化钼薄膜的制备方法、应用及柔性健康传感器

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103450461A (zh) * 2013-08-02 2013-12-18 电子科技大学 一种制造复合纳米薄膜的方法
CN104773720A (zh) * 2015-03-31 2015-07-15 东华大学 一种掺杂单层二硫化钼片的石墨烯复合薄膜的制备方法
WO2016192391A1 (zh) * 2015-06-01 2016-12-08 深圳大学 一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜
CN106637925A (zh) * 2017-03-17 2017-05-10 苏州佰锐生物科技有限公司 一种氧化石墨烯单分子涂层的抗紫外棉织物的制备方法
CN106930095A (zh) * 2017-03-10 2017-07-07 苏州佰锐生物科技有限公司 一种基于Langmuir‑Blodgett技术在分子水平涂层碳纤维的方法
CN108187990A (zh) * 2018-01-15 2018-06-22 南京理工大学 含有石墨烯/二硫化钼的钛及钛合金表面自润滑耐磨涂层的制备方法
WO2018184236A1 (zh) * 2017-04-08 2018-10-11 深圳市佩成科技有限责任公司 一种锂硫电池复合隔膜

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103450461A (zh) * 2013-08-02 2013-12-18 电子科技大学 一种制造复合纳米薄膜的方法
CN104773720A (zh) * 2015-03-31 2015-07-15 东华大学 一种掺杂单层二硫化钼片的石墨烯复合薄膜的制备方法
WO2016192391A1 (zh) * 2015-06-01 2016-12-08 深圳大学 一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜
CN106930095A (zh) * 2017-03-10 2017-07-07 苏州佰锐生物科技有限公司 一种基于Langmuir‑Blodgett技术在分子水平涂层碳纤维的方法
CN106637925A (zh) * 2017-03-17 2017-05-10 苏州佰锐生物科技有限公司 一种氧化石墨烯单分子涂层的抗紫外棉织物的制备方法
WO2018184236A1 (zh) * 2017-04-08 2018-10-11 深圳市佩成科技有限责任公司 一种锂硫电池复合隔膜
CN108187990A (zh) * 2018-01-15 2018-06-22 南京理工大学 含有石墨烯/二硫化钼的钛及钛合金表面自润滑耐磨涂层的制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JIANGWANG ET AL.: ""Nonlinear Optical Response of Graphene Oxide Langmuir-Blodgett Film as Saturable Absorbers"", NANOMATERIALS *
王敏;: "二硫化钼量子点-氧化石墨烯复合材料的制备及其光催化产氢性能研究", 西北师范大学学报(自然科学版) *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115490265A (zh) * 2022-09-06 2022-12-20 西北工业大学宁波研究院 一种二硫化钼薄膜的制备方法、应用及柔性健康传感器
CN115490265B (zh) * 2022-09-06 2023-11-24 西北工业大学宁波研究院 一种二硫化钼薄膜的制备方法、应用及柔性健康传感器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Zhang et al. Enhanced dielectric tunability of Ba0. 6Sr0. 4TiO3/Poly (vinylidene fluoride) composites via interface modification by silane coupling agent
CN108395245B (zh) 高储能密度的钛酸铋钠基电介质薄膜及其制备方法和应用
CN112960671A (zh) 氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件、制备方法及应用
CN103570959A (zh) 一种聚偏氟乙烯/一维柱状结构钛酸铅单晶纳米纤维复合薄膜的制备方法
CN107910030A (zh) 一种柔性bnt铁电薄膜的制备方法
CN103073847B (zh) 一种改性碳纳米管/热固性树脂复合材料及其制备方法
CN110591660A (zh) 一种高效导热的复合氧化石墨烯薄膜的制备方法
CN110438845B (zh) 亲水性石墨烯、纤维素基石墨烯柔性导电纳米纸及其制法
TWI458115B (zh) Solar cell X ZnSnS Y Film (CZTS) manufacturing method
CN110560342A (zh) 一种高效导热表面改性石墨烯薄膜的制备方法
CN109970103A (zh) 一种金属钼原子掺杂本体氧化钼制备具有lspr效应的非晶氧化钼纳米片的方法
CN109942893A (zh) 一种钛酸钡-氧化石墨烯复合纳米片及其制备方法
Li et al. A porous piezoelectric-dielectric flexible energy conversion film for electricity generation from multiple sources
CN113788477B (zh) 一种褶皱石墨烯涂层及其制备方法
CN112920531B (zh) 一种高储能密度聚合物及基于场排列制备其的方法
CN110452421B (zh) 一种基于核壳结构填料的介电复合材料
CN101358378A (zh) 一种低温快速沉积钨酸钡微米薄膜的方法
CN113773541A (zh) 一种高击穿、低介损的ktn/pi复合薄膜的制备方法
CN112247153A (zh) 一种金属-富勒烯复合纳米粉体的制备方法
CN110698705A (zh) 一种基于铌钽酸钾/P(VDF-TrFE-CTFE)复合介电材料的制备方法
CN114146880B (zh) 一种超声雾化辅助层层自组装制备氢气阻隔涂层的方法
CN112919822A (zh) 基于刻蚀辅助机制的石墨烯玻璃制备方法
CN113600454B (zh) 一种在宽禁带半导体衬底上制备无铅铁电薄膜的方法
KR102340587B1 (ko) 투명전도성산화물 박막의 제조 방법, 이에 의하여 제조된 산화물 박막 및 이를 포함하는 전자소자
CN115109261B (zh) 一种二维MOFs薄膜的制备方法及其在光电探测器领域的应用

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20230801

Address after: 710000 No. 127 Youyi West Road, Shaanxi, Xi'an

Applicant after: Northwestern Polytechnical University

Applicant after: RESEARCH & DEVELOPMENT INSTITUTE OF NORTHWESTERN POLYTECHNICAL University IN SHENZHEN

Address before: 710000 No. 127 Youyi West Road, Beilin District, Xi'an City, Shaanxi Province

Applicant before: Northwestern Polytechnical University