CN112960671A - 氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件、制备方法及应用 - Google Patents
氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件、制备方法及应用 Download PDFInfo
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Abstract
本发明属于薄膜材料制备技术领域,公开了一种氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件、制备方法及应用,将石英片进行清水处理;将二硫化钼MoS2和氧化石墨烯GO的片状粉体分别分散于去离子水DI中,通过液相剥离法超声处理后,离心、取上清液;分别取GO和MoS2上清液混合,得混合溶液;将混合溶液溶解于甲醇和氯仿混合溶液,超声处理获得GO/MoS2分散液;将水槽和滑障依次经清水、乙醇、去离子水清洗,注入DI水;将分散液滴入水面,静置后将滑障压缩,获得表面压力和面积等温线;将石英片插入水面,在设定的表面压力下拉膜,获得GO/MoS2复合薄膜,干燥。本发明通过拉膜重复次数可获得不同厚度的GO/MoS2复合薄膜。
Description
技术领域
本发明属于薄膜材料制备技术领域,尤其涉及一种氧化石墨烯/二硫化钼 (GO/MoS2)复合薄膜器件、制备方法及应用。
背景技术
目前,氧化石墨烯(Graphene Oxide GO)有着和石墨烯基本相同的二维平面结构,是一种由二维碳原子层与羟基、羧基、环氧基等含氧官能团共价结合而成的材料,这些含氧基团使GO在室温下的亲水性和可修饰性均得到增强,并且GO还具有制备工艺简单、带隙可调以及易于组装和集成化等优点,吸引了广大研究者在不同领域的应用研究。二硫化钼(Molybdenum disulfide MoS2) 具有类石墨烯结构,它不但具有良好的电子、光学、催化特性,尤其是它随层数增加其能带隙减小。它从间接带隙转变到直接带隙,能辅助石墨烯在半导体电子领域得到更广泛的应用。目前纳米器件的研究是热点,基于GO薄膜和MoS2薄膜的光电子器件获得广泛应用,不难想到基于GO和MoS2两种材料复合的薄膜亦具有优异的光电性能。如何制备GO/MoS2复合的薄膜器件成为一个有趣的研究课题。目前常用的制备GO和MoS2薄膜的方法有自旋涂覆、CVD、磁控溅射等。然而,旋涂法制备的薄膜厚度和均匀性差别很大。CVD生长薄膜的厚度不易控制,并且只有特殊的衬底才能使用CVD进行高温晶体生长。磁控溅射法需要制备高纯度的靶材,以及在高真空高压强等条件。如何能简单便宜的制备出表面均匀的GO/MoS2混合薄膜成为一个热点问题。
通过上述分析,现有技术存在的问题及缺陷为:
(1)现有旋涂法制备的薄膜厚度和均匀性差别很大。
(2)现有CVD生长薄膜的厚度不易控制,并且只有特殊的衬底才能使用 CVD进行高温晶体生长。
(3)现有磁控溅射法需要制备高纯度的靶材,以及在高真空高压强等条件。
解决以上问题及缺陷的难度为:
(1)制备成本相对较高,制备过程相对复杂。
(2)CVD或磁控溅射等方法需要在高压条件进行。
(3)很难将两种及多种材料进行复合。
解决以上问题及缺陷的意义为:
(1)高质量的薄膜器件在军事、航天、医疗、人工智能等多个领域具有广泛应用。
(2)高效、高质量、高性价比的制备复合薄膜技术是薄膜制备的需求。
(3)二维复合薄膜可以根据不同材料的能带、结合能、吸收等特性制备出性能更加优异的薄膜器件。
发明内容
针对现有技术存在的问题,本发明提供了一种氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件、制备方法及应用。
本发明是这样实现的,一种氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件的制备方法,所述氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件的制备方法包括以下步骤:
步骤一,将石英片进行清水处理;
步骤二,将二硫化钼和氧化石墨烯的片状粉体分别分散于去离子水中,分别进行水溶液超声处理后,离心、取上清液;
步骤三,分别取0.5ml的GO和MoS2的上清液进行混合,获得两种材料的混合溶液;
步骤四,将获取的GO和MoS2混合溶液溶解在甲醇和氯仿混合溶液中,进行超声处理15min,获得GO/MoS2分散液;
步骤五,将水槽和滑障依次经过清水、乙醇、去离子水进行清洗,然后注入DI水,pH=7.0;
步骤六,将步骤四获得的分散液缓慢滴入步骤五的LB槽的水面上,静置30 分钟,将滑障进行压缩,获得表面压力和面积等温线;
步骤七,将石英片插入步骤六中,在表面压为20mN/m处进行拉膜,获得 GO/MoS2复合薄膜,再在干燥箱内干燥。
进一步,步骤一中,所述将石英片进行清水处理的方法中,使用H2SO4和H2O2的混合物进行处理,所述H2SO4和H2O2的体积比为3:1。
进一步,步骤四中,所述甲醇和氯仿体积比为4:1。
进一步,步骤六中,所述滑障以7.77mm/min的速度进行压缩。
进一步,步骤七中,所述在干燥箱内干燥的方法为:在干燥箱内80℃保存 10h进行干燥,增强薄膜的结晶度。
本发明的另一目的在于提供一种由所述氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件的制备方法的氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件。
本发明的另一目的在于提供一种光存储器件,所述光存储器件使用所述的氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件。
结合上述的所有技术方案,本发明所具备的优点及积极效果为:本发明提供的氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件的制备方法,常温常压下可以获得表面均匀的GO/MoS2复合薄膜,可以通过拉膜重复次数获得不同厚度的GO/MoS2复合薄膜。本发明提供常温常压下获得表面均匀的氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件的制备方法。
附图说明
图1是本发明实施例提供的氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件的制备方法流程图。
图2(a)是本发明实施例提供的LB实验装置示意图。
图2(b)是本发明实施例提供的表面压力和面积(π-A)等温线示意图。
图3是本发明实施例提供的二硫化钼与氧化石墨烯混合薄膜的SEM图。
图4是本发明实施例提供的氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
针对现有技术存在的问题,本发明提供了一种氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件、制备方法及应用,下面结合附图对本发明作详细的描述。
如图1所示,本发明实施例提供的氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件的制备方法包括以下步骤:
S101,将石英片进行清水处理;
S102,将二硫化钼和氧化石墨烯的片状粉体分别分散于去离子水中,分别进行水溶液超声处理后,离心、取上清液;
S103,分别取一定量的GO和MoS2的上清液进行混合,获得两种材料的混合溶液;
S104,将获取的GO和MoS2混合溶液溶解在甲醇和氯仿混合溶液中,进行超声处理15min,获得GO/MoS2分散液;
S105,将水槽和滑障依次经过清水、乙醇、去离子水进行清洗,然后注入 DI水,pH=7.0;
S106,将S104获得的分散液缓慢滴入S105的LB槽的水面上,静置一段时间,将滑障进行压缩,获得表面压力和面积(π-A)等温线;
S107,将石英片插入S106中,在表面压为20mN/m处进行拉膜,获得GO/MoS2复合薄膜,再在干燥箱内干燥。
本发明实施例提供的步骤S101中,所述将石英片进行清水处理的方法中,使用H2SO4和H2O2的混合物进行处理,所述H2SO4和H2O2的体积比为3:1。
本发明实施例提供的步骤S104中,所述甲醇和氯仿体积比为4:1。
本发明实施例提供的步骤S106中,所述滑障以7.77mm/min的速度进行压缩。
本发明实施例提供的步骤S107中,所述在干燥箱内干燥的方法为:在干燥箱内80℃保存10h进行干燥。
下面结合实施例对本发明作进一步描述。
实施例1
本发明提出一种新型的GO/MoS2复合薄膜器件的制备方法,通过LB拉膜法获得表面均匀的GO/MoS2复合薄膜。
LB法制备GO/MoS2混合薄膜的过程如图2(a)所示:首先,将片状粉体分别分散于去离子水中,将它们分别超声处理后,并离心后取上清液。其次,分别取一定量的GO和MoS2溶液后混合,将获取的GO和MoS2混合溶液溶解在甲醇和氯仿混合溶液中,获得GO/MoS2分散液,然后将GO/MoS2分散液超声一定时间,使其充分混合。紧接着将一定量的GO/MoS2分散液缓慢的滴到LB槽的水面上,静置一段时间使GO/MoS2充分的铺展在水面上,让它们通过非共价相互作用自组装。然后,将滑障以7.77mm/min的速度压缩,液面表面压随面积的关系如图 2(b)所示。溶液表面压曲线反映分子间的距离,当曲线斜率相对较小时,说明此时分子之间相距很远,液体分子间具有一定的分子间作用力,仍可压缩松散的流动结构。当曲线曲率较大,相对很陡峭时,在这个区域,不溶性分子之间的距离足够小,以至于分子之间几乎没有进一步压缩的空间。这些分子几乎垂直地排列在表面上。在此区域进行拉膜,薄膜基底为经过清水处理(H2SO4和H2O2混合物,体积比为3:1)的石英片。最后,将GO/MoS2复合薄膜在干燥箱内80℃保存10小时进行干燥,获得GO/MoS2复合薄膜。
具体可以按照以下步骤实现:
(1)将石英片进行清水处理;
(2)将二硫化钼和氧化石墨烯分别进行水溶液超声、离心、取上清液;分别取一定量的上清液进行混合,获得两种材料的混合溶液;再将GO和MoS2混合溶液溶解在甲醇和氯仿溶液中(甲醇和氯仿体积比为4:1),将其进行超声15分钟,获得GO/MoS2分散液。
(3)将水槽和滑障依次经过清水、乙醇、去离子水进行清洗,然后注入DI 水,pH=7.0。
(4)将(2)获得的分散液缓慢滴入(3)中,静置一段时间,进行压缩,获得图2(b)表面压力和面积(π-A)等温线。
(5)将石英片插入(4)中,在表面压为20mN/m处进行拉膜,获得GO/MoS2复合薄膜,再在干燥箱内80℃保存10小时进行干燥。
实施例2
将石英基底插入GO/MoS2、甲醇和氯仿混合溶液中,通过LB拉膜仪器,拉膜的速度为0.5mm/min,滑障压缩的速度为3.88mm/min,再将其在干燥箱内80℃保存10小时进行干燥,获得GO/MoS2复合薄膜。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件的制备方法,其特征在于,所述氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件的制备方法包括:
将石英片进行清水处理;
将二硫化钼和氧化石墨烯的片状粉体分别分散于去离子水中,分别通过液相剥离法进行水溶液超声处理后,离心、取上清液;
分别取GO和MoS2的上清液进行混合,获得两种材料的混合溶液;
将获取的GO和MoS2混合溶液溶解在甲醇和氯仿混合溶液中,进行超声处理,获得GO/MoS2分散液;
将水槽和滑障依次经过清水、乙醇、去离子水进行清洗,注入DI水;
将获得的分散液缓慢滴入LB槽的水面上,静置时间,将滑障进行压缩,获得表面压力和面积等温线;
将石英片插入,在表面压进行拉膜,获得GO/MoS2复合薄膜,再在干燥箱内干燥。
2.如权利要求1所述的氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件的制备方法,其特征在于,所述将石英片进行清水处理的方法中,使用H2SO4和H2O2的混合物进行处理,所述H2SO4和H2O2的体积比为3:1。
3.如权利要求1所述的氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件的制备方法,其特征在于,所述甲醇和氯仿体积比为4:1。
4.如权利要求1所述的氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件的制备方法,其特征在于,将获取的GO和MoS2混合溶液溶解在甲醇和氯仿混合溶液中,进行超声处理15min,获得GO/MoS2分散液。
5.如权利要求1所述的氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件的制备方法,其特征在于,将水槽和滑障依次经过清水、乙醇、去离子水进行清洗,然后注入DI水,pH=7.0。
6.如权利要求1所述的氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件的制备方法,其特征在于,所述滑障以7.77mm/min的速度进行压缩。
7.如权利要求1所述的氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件的制备方法,其特征在于,所述在干燥箱内干燥的方法为:在干燥箱内80℃保存10h进行干燥。
8.如权利要求1所述的氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件的制备方法,其特征在于,将石英片插入,在表面压为20mN/m处进行拉膜,获得GO/MoS2复合薄膜,再在干燥箱内干燥。
9.一种由权利要求1~8任意一项所述氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件的制备方法的氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件。
10.一种光存储器件,其特征在于,所述光存储器件使用权利要求9所述的氧化石墨烯/二硫化钼复合薄膜器件。
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