CN112941480A - 镜面盖板的制作方法及镜面盖板 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种镜面盖板的制作方法及镜面盖板，涉及盖板技术领域，包括：第一镀膜步骤：在盖板的待镀膜侧镀设第一膜层；第二镀膜步骤：在第一膜层上镀设第二膜层，利用形成第二膜层的材料撞击第一膜层以将第一膜层形成的针孔缺陷修复。本申请提供的镜面盖板的制作方法，利用形成第二膜层的材料撞击第一膜层以将第一膜层形成的针孔缺陷修复，从而获得无针孔缺陷的镜面盖板，有效提高了镜面盖板的镜面效果。
Description
技术领域
本申请涉及盖板技术领域，尤其是涉及一种镜面盖板的制作方法及镜面盖板。
背景技术
电子产品例如手机、平板电脑等作为现代生活的必备工具，除了电子产品本身的功能外，为了满足成像需求，现有电子产品通常通过调整手机前置摄像头的倍率和像素等来实现利用前置摄像头成像的功能。此外，在另一些构思中，并未采用前置摄像头，而是利用电子产品熄屏时，其盖板的镜面反射效果来实现成像功能。
针对后一种构思，盖板通常需要采用镀膜加工，即在盖板的非使用面镀高反射率膜层，再将盖板与显示屏组装。然而，在现有的镀膜工艺中，普遍存在针孔缺陷，这尤其降低了盖板的镜面效果。
发明内容
本申请的目的在于提供一种镜面盖板制作方法，以获得无针孔缺陷的镜面盖板。
本申请的目的还在于提供一种由以上镜面盖板制作方法所制作的镜面盖板。
第一方面，本申请提供一种镜面盖板的制作方法，所述镜面盖板的制作方法包括：
第一镀膜步骤：在盖板的待镀膜侧镀设第一膜层；
第二镀膜步骤：在所述第一膜层上镀设第二膜层，利用形成所述第二膜层的材料撞击所述第一膜层以将所述第一膜层形成的针孔缺陷修复。
优选地，所述第一镀膜步骤和所述第二镀膜步骤均采用磁控溅射法镀设膜层，所述磁控溅射法所采用的靶材由金属形成。
优选地，所述第一膜层由所述金属形成；
所述第一镀膜步骤采用第一镀膜功率，所述第一镀膜功率被设置为1kw至2kw。
优选地，所述第二膜层由所述金属形成；
所述第二镀膜步骤采用第二镀膜功率，所述第二镀膜功率与所述第一镀膜功率之差被设置为大于5kw。
优选地，所述第二镀膜功率被设置为大于8kw。
优选地，所述第二膜层的厚度被设置为20nm至30nm。
优选地，所述第一膜层的厚度被设置为5nm至10nm。
优选地，所述镜面盖板的制作方法还包括：
第三镀膜步骤：利用所述磁控溅射法，在所述第二膜层上镀设第三膜层，所述第三膜层由所述金属的氧化物形成。
优选地，所述第三镀膜步骤还包括：
设置所述第三镀膜步骤所采用的第三镀膜功率为3kw至5kw，所述磁控溅射法的气体比例为Ar：O2＝1:1，所述第三膜层的厚度被设置为10nm至20nm。
优选地，在所述第一镀膜步骤之前执行清洁步骤，所述清洁步骤用于对所述盖板进行清洁；
所述第一镀膜步骤、所述第二镀膜步骤和所述第三镀膜步骤均包括：所述磁控溅射法的气体的流量为450sccm，所述磁控溅射法的溅射距离为1cm至3cm。
第二方面，本申请提供一种镜面盖板，所述镜面盖板是由如上所述的镜面盖板的制作方法所制作的。
本申请提供的镜面盖板的制作方法，利用形成第二膜层的材料撞击第一膜层以将第一膜层形成的针孔缺陷修复，从而获得无针孔缺陷的镜面盖板，有效提高了镜面盖板的镜面效果。
具体实施方式
下面将对本申请的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本申请要求的保护范围之内。
本实施例提供的镜面盖板的制作方法包括清洁步骤、第一镀膜步骤、第二镀膜步骤和第三镀膜步骤，以下具体描述这些步骤的具体实施过程。
需要在先说明的是，本实施例中，采用磁控溅射法对盖板进行制备操作，以获得镜面盖板，有关磁控溅射法的相关描述将在第一镀膜步骤、第二镀膜步骤和第三镀膜步骤中予以具体说明。此外，在实施例中，镜面盖板可以应用于电子产品，例如手机和平板电脑等产品，其具体应用方式已经在本申请的背景技术部分提及，在此不再赘述。在此基础上，盖板可以由具有高穿透率的材料形成，例如PC(Polycarbonate，聚碳酸酯)、CPI(ColorlessPolyimide，无色聚酰亚胺)和玻璃。
在实施例中，盖板在清洁步骤中得到清洁，以确保在后续的各个镀膜步骤中，所镀设的膜层的质量不受残留于盖板的颗粒物等杂物的影响。针对由不同材料形成的盖板，其清洁步骤存在一定差异。针对由PC或CPI材料形成的盖板，由于PC和CPI材料的硬度相对较低，通常可以采用超声波水洗配合预热的方式进行清洁。针对由glass材料形成的盖板，由于玻璃材料的硬度较高且吸水率较低，通常可以采用平板清洗配合毛刷来进行清洁。在以下的描述中，将以由玻璃材料形成的盖板为例进一步进行说明。
进一步地，以下将基于如上的所描述的特征，继续描述第一镀膜步骤、第二镀膜步骤和第三镀膜步骤，由于这三个步骤中均涉及到磁控溅射法，以下将首先对磁控溅射法的过程进行说明。
在磁控溅射法中，盖板与靶材可以平行设置，其中，盖板的朝向靶材的一侧为盖板的待镀膜侧。作为一种实施方式，盖板与靶材并非彼此面对地设置，盖板与靶材的实际设置方式可以理解为：当沿着垂直于盖板方向观察时，盖板的部分与靶材重叠。如此，盖板可以在其所在平面内运动，以使其各部分依次经过靶材的对面，即盖板如此“通过”靶材。在盖板这样的运动过程中，靶材对盖板进行镀膜操作。
此外，在实施例中，膜层可以由能够提供高亮度的金属材料形成，即靶材由该金属材料形成。作为一些选择，本实施例中的靶材可以由铝、铬等金属材料形成，本实施例的以下描述中将以由铝形成的靶材为例进行进一步说明。
在实施例中，第一镀膜步骤设置有第一镀膜功率P1，其中P1被设置为1kw至2kw，针对由铝形成的靶材而言，这样的功率范围有利于控制盖板的待镀膜侧被镀设的第一膜层的厚度。在实施例中，第一膜层在确保均匀覆盖盖板的待镀膜侧的基础上，被设置为尽可能地薄，因此第一膜层的厚度被设置为5nm至10nm。
结合以上所描述的特征，这里将通过进一步解释磁控溅射法的镀膜原理来明确第一膜层所设置的厚度的意义，在磁控溅射法中，盖板的待镀膜侧所形成的膜层是由靶材所溅射出的丝状金属形成。因此，如果第一膜层的厚度小于5nm，则将出现丝状金属不足以完全覆盖盖板的待镀膜侧这样的缺陷。然而，一旦第一膜层的厚度大于10nm，将导致第一膜层实质上过厚，这将导致第一膜层的针孔缺陷过多，尤其不利于后续镀膜步骤的进行。在此基础上，第一膜层的厚度可以例如为5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm。
在第一镀膜步骤还包括如下操作：控制Ar(氩气)的流量为450sccm(其中，sccm为standard cubic centimeter per minute，即标准立方厘米每分钟)，溅射距离为1cm至3cm。其中，溅射距离为靶材与盖板之间的距离，在实施例中，溅射距离可以优选为2cm至3cm。在实施例中，如果溅射距离大于3cm，则盖板与靶材之间的距离过远，这将导致丝状金属的在盖板的待镀膜侧的附着能力显著下降，进而导致第一镀膜出现覆盖不均匀的缺陷。此外，如果溅射距离小于1cm，靶材与盖板之间过近的距离将导致第一膜层的厚度难以控制。因此，在前述溅射距离和Ar的流量的基础上，通过盖板通过靶材的速度，能够有效地获取如上所述的厚度的第一膜层。
第二镀膜步骤的靶材仍然采用由铝形成的靶材，第二镀膜的步骤将在第一膜层的基础上进一步镀设出第二膜层，第二膜层的目的在于，通过撞击修复第一膜层的针孔缺陷。具体而言，与第一镀膜步骤类似的是，第二镀膜步骤的Ar的流量也可以为450sccm，溅射距离也可以采用1cm至3cm例如优选为2cm至3cm。在此基础上，在第二镀膜步骤中，第二膜层的厚度被设置为20nm至30nm(例如第二膜层的厚度选取该范围内的任一整数值)。如果第二膜层的厚度大于30nm，则将影响制备完成的镜面盖板的穿透率，进而导致镜面盖板应用于电子产品时，电子产品的显示效果受到影响。
在此基础上，正如以上描述中所提到，膜层的“生长”过程是以丝状金属为单位进行的，针孔也容易在这样的过程中产生。在将第一膜层控制在较薄的厚度范围，在镀设第二膜层时采用高镀膜功率，使得丝状金属不断撞击第一膜层，进而使得第一膜层逐渐紧密而无间隙，这样针孔缺陷便被消除，其具体体现为在强光照射镜面盖板的情况下，无可见针孔。
在实施例中，第二镀膜步骤设置有第二镀膜功率P2，其中P2被设置为P2与P1的差大于5kw。这样设置的目的在于，在本实施例中基于以上规律，第二镀膜步骤设置的第二镀膜功率P2与第一镀膜步骤设置的第一镀膜功率P1之间存在以下关系：在P1一定时，随着P2的增加，针孔缺陷的情况逐渐改善，而在P2一定时，P1越高，则针孔缺陷越恶劣。由此，当P2被设置为P2与P1的差大于5kw，尤其能够确保在第二膜层镀设完毕后，没有针孔缺陷存在。优选的是，P2被设置为大于8kw。
因此，可以理解的是，如果第一膜层的厚度大于10nm，即第一膜层实质上过厚，那么使其紧密以消除其针孔缺陷的第二镀膜步骤便需要更高的镀膜功率，这将进一步导致消除针孔缺陷的难度加大，并且所需要的镀膜设备的要求更高，所消耗的能源和设备的成本也就越高。此外，还会导致第二膜层的厚度不易控制在上述范围，这将导致最终获得的镜面盖板的穿透率下降。此外，如果第一镀膜功率P1高于2kw，可能提前使得第一膜层相对紧密，这也将不可避免地增加后续第二膜层使其紧密的难度，造成对设备要求上不必要的提高以及能源的浪费。
在此基础上，第三镀膜步骤包括如下操作：采用由铝形成的靶材，设定第三镀膜功率为P3，其中P3被设置为3kw至5kw；Ar：O2＝1:1(O2为氧气)，Ar和O2的总流量被设置为450sccm；溅射距离被设置为1cm至3cm例如优选为2cm至3cm；控制盖板通过靶材的速度，使第三膜层的厚度为10nm至20nm(例如第三膜层的厚度选取该范围内的任一整数值)。
在第三镀膜步骤中，所采用的气体中通入了氧气，因此第三膜层形成为氧化铝膜，以对第二膜层进行保护。即在第三镀膜步骤中，利用具有致密特性和透明特性的氧化铝膜来保护第二镀膜步骤中形成的第二膜层(正如以上所描述的，第二膜层由铝形成)。如此在第三镀膜步骤结束，获得镜面盖板，镜面盖板具有高亮度和反射率，并且没有针孔缺陷，在满足电子产品使用的穿透率的同时，还能够保护使用者的视力。
本实施例还提供了一组DOE(DESIGN OF EXPERIMENT，试验设计)来对本实施例所提供的镜面盖板的制作方法的优越性进行说明。
在详细介绍上表之前，需要说明的是，正如以上描述中所提及的，针孔缺陷在对制备完成的镜面盖板施加强光照射时，是可以被观察到的，即能够观察到针孔缺陷以及针孔缺陷的数量，但在上表中，仅定性地给出了针孔缺陷的有无。此外，在上表中，并未给出全部的DOE所对应的亮度和反射率。
基于上表的DOE1至DOE4，在P1一定的情况下，随着P2的增加，针孔缺陷情况逐渐改善，这里需要说明的是，正如以上所提及的，虽然表中仅定性地给出了针孔缺陷的有无，但由于针孔缺陷可以被观察，因此在试验比对过程中，已经确定DOE2的针孔缺陷情况相对于DOE1的针孔缺陷情况改善。此外，随着P2的增加，显然，镜面盖板的亮度和反射率均有效提高。进一步地，与DOE2和DOE1的情况类似的是，DOE5和DOE6也能够获得前述规律，并且DOE8至DOE10也能够获得前述规律。
仍然参见上表，对照DOE3和DOE6，并且对照DOE4和DOE7，可以得知，在P2一定的情况下，P1越高，镜面盖板的针孔缺陷越恶劣。这一规律还可以从DOE10至DOE13中得出。
本实施例还提供一种镜面盖板，该镜面盖板利用如上所述的镜面盖板的制作方法所制作。
以上所述仅为本申请的优选实施例，并非因此限制本申请的保护范围，凡是在本申请的创新构思下，利用本申请说明书内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本申请的保护范围内。
Claims (11)
1.一种镜面盖板的制作方法，其特征在于，所述镜面盖板的制作方法包括：
第一镀膜步骤：在盖板的待镀膜侧镀设第一膜层；
第二镀膜步骤：在所述第一膜层上镀设第二膜层，利用形成所述第二膜层的材料撞击所述第一膜层以将所述第一膜层形成的针孔缺陷修复。
2.根据权利要求1所述的镜面盖板的制作方法，其特征在于，
所述第一镀膜步骤和所述第二镀膜步骤均采用磁控溅射法镀设膜层，所述磁控溅射法所采用的靶材由金属形成。
3.根据权利要求2所述的镜面盖板的制作方法，其特征在于，
所述第一膜层由所述金属形成；
所述第一镀膜步骤采用第一镀膜功率，所述第一镀膜功率被设置为1kw至2kw。
4.根据权利要求3所述的镜面盖板的制作方法，其特征在于，
所述第二膜层由所述金属形成；
所述第二镀膜步骤采用第二镀膜功率，所述第二镀膜功率与所述第一镀膜功率之差被设置为大于5kw。
5.根据权利要求4所述的镜面盖板的制作方法，其特征在于，所述第二镀膜功率被设置为大于8kw。
6.根据权利要求4所述的镜面盖板的制作方法，其特征在于，所述第二膜层的厚度被设置为20nm至30nm。
7.根据权利要求3所述的镜面盖板的制作方法，其特征在于，所述第一膜层的厚度被设置为5nm至10nm。
8.根据权利要求2所述的镜面盖板的制作方法，其特征在于，所述镜面盖板的制作方法还包括：
第三镀膜步骤：利用所述磁控溅射法，在所述第二膜层上镀设第三膜层，所述第三膜层由所述金属的氧化物形成。
9.根据权利要求8所述的镜面盖板的制作方法，其特征在于，所述第三镀膜步骤还包括：
设置所述第三镀膜步骤所采用的第三镀膜功率为3kw至5kw，所述磁控溅射法的气体比例为Ar：O2＝1:1，所述第三膜层的厚度被设置为10nm至20nm。
10.根据权利要求8所述的镜面盖板的制作方法，其特征在于，
在所述第一镀膜步骤之前执行清洁步骤，所述清洁步骤用于对所述盖板进行清洁；
所述第一镀膜步骤、所述第二镀膜步骤和所述第三镀膜步骤均包括：所述磁控溅射法的气体的流量为450sccm，所述磁控溅射法的溅射距离为1cm至3cm。
11.一种镜面盖板，其特征在于，所述镜面盖板是由权利要求1至10中任一项所述的镜面盖板的制作方法所制作的。
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2021
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|---|---|---|---|---|
| JP2000212738A (ja) * | 1999-01-01 | 2000-08-02 | Tdk Corp | マグネトロンスパッタ法および磁気記録媒体の製造方法 |
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