CN112928237A - 一种硅氧复合材料、其制备方法和在电池中的应用 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种硅氧复合材料、其制备方法和在电池中的应用。所述硅氧复合材料包括硅氧材料、碳包覆层和碳纳米管；所述碳包覆层设置于所述硅氧材料的表面，所述碳纳米管的一端插入碳包覆层内与硅氧材料接触。本发明所述硅氧复合材料中碳包覆层和碳纳米管的存在，可有效提升硅氧材料的离子电导率和电子电导率，增加硅氧材料的动力学性能和循环性能；同时，本发明中碳纳米管的结构设置(碳纳米管的一端插入碳包覆层内与硅氧材料接触)，使得碳纳米管不仅在硅氧复合材料中分布均匀，而且与硅氧材料接触，进一步提升了复合材料的电导率和电化学性能。

Description

一种硅氧复合材料、其制备方法和在电池中的应用
技术领域
本发明属于电池技术领域，具体涉及一种硅氧复合材料、其制备方法和在电池中的应用。
背景技术
锂电池的四大主材为：正极、负极、隔膜和电解液，负极材料的离子电导率和电子电导率对锂电池的功率密度具有重要影响。硅氧材料具有约2500mAh/g的理论克容量已经成功应用在锂离子电池的负极材料中，但是硅材料为半导体，离子电导率和电子电导率都差于石墨材料，因此硅氧材料的动力学性能差于石墨。
现有技术中为了提升硅氧材料的离子电导率和电子电导率，常用的方法是在硅氧材料表面进行碳包覆，如CN109273680A，然而较高的克容量导致硅氧材料在嵌锂过程中会嵌入更多的锂离子，所以硅氧材料在嵌锂过程中的膨胀达到约180％，硅氧材料在循环过程中会导致负极材料粉化，碳包覆层的硅氧为点接触传导锂离子和电子，材料粉化导致负极导电网络的破坏，进一步负极极化增加导致循环性能变差。
同时，为了提升硅氧材料的动力学性能和循环性能，现有技术常会在硅氧材料中加入碳纳米管，如CN106784695A，以提升硅氧材料的离子电导率和电子电导率，改善负极导电网络的破坏，但是碳纳米管因为其较大的比表面积，会导致匀浆过程浆料的粘度变化较大，并且会有分散不均匀的问题。
因此，本领域需要开发一种新型硅氧复合材料，所述硅氧复合材料具有优异的电化学性能，可以解决硅氧材料在循环过程中易粉化的问题，且制备过程简单，可工业化生产。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种硅氧复合材料、其制备方法和在电池中的应用。所述硅氧复合材料具有优异的电化学性能，可有效抑制硅氧材料在循环过程中的体积膨胀，解决硅氧材料在循环过程中易粉化的问题。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
本发明的目的之一在于提供一种硅氧复合材料，所述硅氧复合材料包括硅氧材料、碳包覆层和碳纳米管；所述碳包覆层设置于所述硅氧材料的表面；所述碳纳米管的一端插入碳包覆层内与硅氧材料接触，另一端处于游离状态。
本发明所述硅氧复合材料中碳包覆层和碳纳米管的存在，可有效提升硅氧材料的离子电导率和电子电导率，增加硅氧材料的动力学性能和循环性能；同时，本发明中碳纳米管的结构设置(碳纳米管的一端插入碳包覆层内与硅氧材料接触，另一端处于游离状态)，使得碳纳米管不仅在硅氧复合材料中分布均匀，而且与硅氧材料接触，进一步提升了复合材料的电导率和电化学性能。
本发明所述碳包覆层与碳纳米管的结构通过碳源气体裂解成碳原子，使碳原子沿着硅氧材料表面和模板的管道壁进行沉积得到。
优选地，所述碳包覆层和碳纳米管为：以碳源气体为原料，通过化学气相沉积法结合模板法同时生长得到。
优选地，所述硅氧材料为SiO。
优选地，所述硅氧材料的平均粒径为5～6μm，例如可以是5μm、5.1μm、5.2μm、5.3μm、5.4μm、5.5μm、5.6μm、5.7μm、5.8μm、5.9μm或6μm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
优选地，所述硅氧复合材料中，碳纳米管呈冠状分布。
本发明所述硅氧复合材料中，碳纳米管一端垂直插入碳包覆层内与硅氧材料接触，另一端处于游离状态，呈现冠状结构。
优选地，所述碳纳米管的长径比为2500～3500，例如可以是2500、2600、2700、2800、2900、3000、3100、3200、3300、3400或3500，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
优选地，所述硅氧复合材料中还包括掺杂元素，优选掺杂元素在硅氧材料中。
优选地，所述掺杂元素为镁元素和/或锂元素。
优选地，所述硅氧复合材料中，硅氧材料的含量为≥85wt％，例如可以是85wt％、86wt％、87wt％、88wt％、89wt％、90wt％、91wt％或91.5wt％，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
优选地，所述硅氧复合材料中，碳包覆层的含量为3～5wt％，例如可以是3wt％、3.5wt％、4wt％、4.5wt％或5wt％，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
优选地，所述硅氧复合材料中，碳纳米管的含量为0.5～1wt％，例如可以是0.5wt％、0.6wt％、0.7wt％、0.8wt％、0.9wt％或1wt％，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
优选地，所述硅氧复合材料中，掺杂元素的含量为5～10wt％，例如可以是5wt％、6wt％、7wt％、8wt％、9wt％或10wt％，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明的目的之二在于提供一种如目的之一所述硅氧复合材料的制备方法，所述方法包括：对硅氧材料模板进行化学气相沉积；所述硅氧材料模板的形貌为：颗粒表面穿插n个管道状结构，所述n≥1，得到硅氧复合材料。
本发明所述n≥1，例如2、3、4、5、6、7、8、9、10、12、15、16、18、20、22、25、28、30、32、35、38、40、45、50、55、60、65、70、80、90或100等。
本发明通过采用特定形貌的硅氧材料模板，使得在化学气相沉积过程中，碳源分解沉积到硅氧材料SiO的颗粒表面和管道状结构中，进而原位同时生长碳包覆层和碳纳米管，使得硅氧材料、碳包覆层和碳纳米管形成一体结构，进而可以达到优异的电化学性能。
本发明采用化学气相沉积法结合模板法一步制得本发明的硅氧复合材料，制备方法简单，可工业化生产。
优选地，所述硅氧材料模板的制备过程包括：射频放电对硅片进行刻蚀，得到所需硅氧材料模板。
射频放电利用射频电源使反应气体生成反应活性高的离子和电子，对硅片进行物理轰击及化学反应，以选择性的去除需要去除的区域。被刻蚀的物质变成挥发性的气体，经抽气系统抽离。
优选地，所述刻蚀的射频功率为100～300W，例如可以是100W、150W、200W、250W或300W，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
优选地，所述刻蚀的反应气体为六氟化硫。
优选地，所述反应气体的流量为60～100sccm，例如可以是60sccm、70sccm、80sccm、90sccm或100sccm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
优选地，所述刻蚀时的绝对压力不超过20Pa。
优选地，所述刻蚀的时间为8～12min，例如可以是8min、9min、10min、11min或12min，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
图1是本发明硅氧材料模板的结构示意图，由图中可以看出，本发明所述硅氧材料模板的形貌为：颗粒表面穿插n个管道状结构，形成冠状结构，颗粒及管道状结构的组成皆为SiO。
优选地，所述化学气相沉积之前还包括预热。
优选地，所述预热包括：将硅氧材料模板放入管式炉中，管式炉中通保护性气体和氢气，进行加热。
优选地，所述预热还包括添加掺杂元素源的步骤：按配方量将硅氧材料模板和掺杂元素源混合放入管式炉中，管式炉中通保护性气体和氢气，进行加热。
优选地，所述掺杂元素源包括镁和/或锂源。
优选地，所述保护性气体包括氩气和/或氮气。
优选地，所述保护性气体的流量为80～150sccm，例如可以是80sccm、90sccm、95sccm、100sccm、105sccm、110sccm、115sccm、120sccm、125sccm、130sccm、135sccm、140sccm、145sccm或150sccm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
优选地，所述氢气的流量为20～50sccm，例如可以是20sccm、25sccm、28sccm、30sccm、32sccm、35sccm、38sccm、40sccm、42sccm、45sccm或50sccm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
优选地，所述加热的温升速率为5～15℃/min，例如可以是5℃/min、7℃/min、8℃/min、9℃/min、10℃/min、11℃/min、12℃/min、13℃/min、14℃/min或15℃/min，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
优选地，所述加热的终点温度为800～1200℃，例如可以是800℃、850℃、880℃、900℃、920℃、950℃、980℃、1000℃、1020℃、1050℃、1080℃、1100℃、1120℃、1150℃或1200℃，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
优选地，所述加热的时间为20～60min，例如可以是20min、25min、28min、30min、32min、35min、38min、40min、42min、45min、48min、50min、52min、55min或60min，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
优选地，所述化学气相沉积的温度为800～1200℃，例如可以是800℃、850℃、880℃、900℃、920℃、950℃、980℃、1000℃、1020℃、1050℃、1080℃、1100℃、1120℃、1150℃或1200℃，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明所述化学气相沉积的温度为800～1200℃，温度过高，碳包覆层石墨化程度高，能耗增加；温度过低，碳源不能裂解成碳原子，无法进行碳包覆。
优选地，所述化学气相沉积的时间为2～4h，例如可以是2h、2.2h、2.5h、2.8h、3h、3.2h、3.5h或4h，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明所述化学气相沉积的时间为2～4h，时间过短，硅氧碳包覆层不能有效包覆，碳纳米管不能有效生长；时间过长，硅氧碳包覆层较厚，能耗增加。
优选地，所述化学气相沉积之后，还包括降温。
优选地，所述化学气相沉积与降温分别独立地伴随通入碳源气体和氢气。
优选地，所述碳源气体的流量为1～30sccm，例如可以是1sccm、5sccm、6sccm、8sccm、10sccm、12sccm、15sccm、16sccm、18sccm、20sccm、22sccm、25sccm或30sccm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明所述气态碳源的流量为1～30sccm，流量过低，碳源裂解碳原子量少，无法有效进行碳包覆和碳纳米管的生长；流量过高，碳源没有及时进行裂解就被惰性气体带走，无法进行碳包覆和碳纳米管的生长。
优选地，所述气态碳源包括甲烷、乙烯和乙炔中的任意一种或至少两种的组合；典型但非限制性的组合包括甲烷与乙烯的组合，乙烯与乙炔的组合，甲烷与乙炔的组合，或甲烷、乙烯和乙炔的组合。
优选地，所述载气的流量为20～50sccm，例如可以是20sccm、22sccm、25sccm、28sccm、30sccm、32sccm、35sccm、38sccm、40sccm、42sccm、45sccm或50sccm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
优选地，所述降温的过程为自然冷却。
作为优选技术方案，本发明所述硅氧复合材料的制备方法包括如下步骤：
(1)预热：按配方量将硅氧材料模板和掺杂元素源混合放入管式炉中，向管式炉中通入保护性气体和氢气，以5～15℃/min的温升速率升温至800～1200℃，保温20～60min；所述保护性气体的流量为80～150sccm；所述氢气的流量为20～50sccm；
(2)化学气相沉积：800～1200℃的温度下进行化学气相沉积2～4h，化学气相沉积伴随通入碳源气体和氢气，碳源气体的流量为1～30sccm，氢气的流量为20～50sccm；
(3)降温：自然冷却，在冷却过程伴随通入碳源气体和氢气，碳源气体的流量为1～30sccm，氢气的流量为20～50sccm
本发明的目的之三在于提供一种负极极片，所述负极极片包括目的之一所述的硅氧复合材料。
本发明的目的之四在于提供一种电池，所述电池包括目的之三所述的负极极片。
与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
(1)本发明所述硅氧复合材料中碳包覆层和碳纳米管的存在，可有效提升硅氧材料的离子电导率和电子电导率，增加硅氧材料的动力学性能和循环性能。
(2)本发明中碳纳米管的结构设置(碳纳米管的一端插入碳包覆层内与硅氧材料接触)，使得碳纳米管不仅在硅氧复合材料中分布均匀，而且与硅氧材料接触，进一步提升了复合材料的电导率和电化学性能。
(3)本发明通过采用特定形貌的硅氧材料模板，使得在化学气相沉积过程中，碳源分解沉积到硅氧材料SiO的颗粒表面和管道状结构中，进而原位同时生长碳包覆层和碳纳米管，使得硅氧材料、碳包覆层和碳纳米管形成一体结构，进而可以达到优异的电化学性能。
(4)本发明采用化学气相沉积法结合模板法一步制得本发明的硅氧复合材料，制备方法简单，可工业化生产。
附图说明
图1是本发明提供的硅氧材料模板的结构示意图；
图2是本发明提供的具体实施例1的化学气相沉积装置图；
图3是本发明提供的具体实施例1的管式炉温度曲线图。
具体实施方式
为便于理解本发明，本发明列举实施例如下。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。
实施例1
一种硅氧复合材料的制备方法：
(1)硅氧材料模板的制备：射频放电对硅片进行刻蚀，得到所需硅氧材料模板；所述刻蚀的射频功率为200W；刻蚀的反应气体为六氟化硫；反应气体的流量为80sccm；刻蚀时的绝对压力不超过20Pa；刻蚀的时间为10min；得到如图1所示的硅氧材料模板；
(2)预热：按配方量将硅氧材料模板和锂源混合放入管式炉中，向管式炉中通入氩气和氢气，以10℃/min的温升速率升温至1000℃，保温30min；氩气的流量为100sccm，氢气的流量为30sccm；所述锂源由质量比4:4:2的碳酸锂、氢氧化锂与锂粉混合而成；
(3)化学气相沉积：1000℃的温度下进行化学气相沉积3h，化学气相沉积过程伴随通入甲烷和氢气，甲烷的流量为15sccm，氢气的流量为30sccm；
(4)降温：自然冷却，在冷却过程中伴随通入甲烷和氢气，甲烷的流量为15sccm，氢气的流量为30sccm，得到硅氧复合材料。
图2是本实施例采用的化学气相沉积装置图；图3是本实施例中管式炉温度曲线图。
实施例2
与实施例1的区别在于，步骤(3)所述甲烷的流量为1sccm。
实施例3
与实施例1的区别在于，步骤(3)所述甲烷的流量为30sccm。
实施例4
与实施例1的区别在于，步骤(3)所述甲烷的流量为0.5sccm。
实施例5
与实施例1的区别在于，步骤(3)所述甲烷的流量为35sccm。
实施例6
与实施例1的区别在于，步骤(3)所述化学气相沉积的温度为700℃。
实施例7
与实施例1的区别在于，步骤(3)所述化学气相沉积的温度为1300℃。
实施例8
(1)硅氧材料模板的制备：射频放电对硅片进行刻蚀，得到所需硅氧材料模板；所述刻蚀的射频功率为100W；刻蚀的反应气体为六氟化硫；反应气体的流量为60sccm；刻蚀时的绝对压力不超过20Pa；刻蚀的时间为12min；得到硅氧材料模板；
(2)预热：按配方量将硅氧材料模板和锂源混合放入管式炉中，向管式炉中通入氩气和氢气，以5℃/min的温升速率升温至800℃，保温60min；氩气流量为80sccm，氢气流量为50sccm；所述锂源由质量比4:4:2的碳酸锂、氢氧化锂与锂粉混合而成；
(3)化学气相沉积：800℃的温度下进行化学气相沉积4h，化学气相沉积过程伴随通入乙炔和氢气，乙炔的流量为5sccm，氢气的流量为50sccm；
(4)降温：自然冷却，在冷却过程中伴随通入乙炔和氢气，乙炔的流量为5sccm，氢气的流量为50sccm，得到硅氧复合材料。
实施例9
(1)硅氧材料模板的制备：射频放电对硅片进行刻蚀，得到所需硅氧材料模板；所述刻蚀的射频功率为300W；刻蚀的反应气体为六氟化硫；反应气体的流量为100sccm；刻蚀时的绝对压力不超过20Pa；刻蚀的时间为8min；得到硅氧材料模板；
(2)预热：按配方量将硅氧材料模板和镁粉混合放入管式炉中，向管式炉中通入氩气和氢气，以15℃/min的温升速率升温至1200℃，保温20min；氩气流量为150sccm，氢气流量为20sccm；
(3)化学气相沉积：1200℃的温度下进行化学气相沉积2h，化学气相沉积过程伴随通入乙烯和氢气，乙烯的流量为25sccm，氢气的流量为20sccm；
(4)降温：自然冷却，在冷却过程伴随通入乙炔和氢气，乙炔的流量为25sccm，氢气的流量为20sccm，得到硅氧复合材料。
对比例1
与实施例1的区别在于，不进行步骤(1)，步骤(2)中硅氧材料模板替换为等量的球形硅氧材料SiO。
对比例2
将对比例1得到的硅氧复合材料中加入碳纳米管进行混合，碳纳米管的加入量与实施例1碳纳米管的含量相同。
性能测试：
将本发明各实施例和对比例得到的硅氧复合材料作为负极活性物质组装成电池：
按照负极活性物质：导电炭黑：粘结剂CMC＝90:7:3的质量比混合，以去水为溶剂混浆后涂布于铜箔上，经过90℃真空干燥后，得到负极极片；
然后将所述负极极片、锂片、电解液(1mol/L的LiPF6，EC:EMC＝1:1)和隔膜组装成电池。
将得到的电池在25±2℃环境下进行充放电测试，充放电电压为0.005-1.5V，电流密度为0.01C，分别测试首周充电比容量、首周效率和50周循环性能，测试结果如表1所示：
表1
首周充电比容量(mAh/g) 首周效率(％) 50周循环性能(％)
实施例1 1458 85.6 95.5
实施例2 1449 85.4 95.7
实施例3 1452 85.5 95.8
实施例4 1394 83.4 93.1
实施例5 1385 82.9 92.8
实施例6 1396 83.7 92.6
实施例7 1435 85.3 94.2
实施例8 1459 85.5 95.6
实施例9 1454 85.9 95.3
对比例1 1354 81.9 90.1
对比例2 1413 82.4 91.3
通过实施例1与实施例4-5对比可知，流量过低，碳源裂解碳原子量少，无法有效进行碳包覆和碳纳米管的生长；流量过高，碳源没有及时进行裂解就被惰性气体带走，无法进行碳包覆和碳纳米管的生长。
通过实施例1与实施例6-7对比可知，温度过高，碳包覆层石墨化程度高，能耗增加；温度过低，碳源不能裂解成碳原子，无法进行碳包覆。
通过实施例1与对比例1对比可知，碳纳米管的存在，可有效提升硅氧材料的离子电导率和电子电导率，增加硅氧材料的动力学性能和循环性能。
通过实施例1与对比例2对比可知，垂直插入碳包覆层内与硅氧材料接触，另一端处于游离状态，呈现冠状结构的碳纳米管能够有效提升硅氧材料的离子电导率和电子电导率，增加硅氧材料的动力学性能和循环性能。
申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细工艺设备和工艺流程，但本发明并不局限于上述详细工艺设备和工艺流程，即不意味着本发明必须依赖上述详细工艺设备和工艺流程才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

Claims (10)

1.一种硅氧复合材料，其特征在于，所述硅氧复合材料包括硅氧材料、碳包覆层和碳纳米管；
所述碳包覆层设置于所述硅氧材料的表面；
所述碳纳米管的一端插入碳包覆层内与硅氧材料接触，另一端处于游离状态。
2.如权利要求1所述的硅氧复合材料，其特征在于，所述碳包覆层和碳纳米管为：以碳源气体为原料，通过化学气相沉积法结合模板法同时生长得到；
优选地，所述硅氧材料为SiO；
优选地，所述硅氧材料的平均粒径为5～6μm；
优选地，所述硅氧复合材料中，碳纳米管呈冠状分布；
优选地，所述碳纳米管的长径比为2500～3500。
3.如权利要求1或2所述的硅氧复合材料，其特征在于，所述硅氧复合材料中还包括掺杂元素，优选掺杂元素在硅氧材料中；
优选地，所述掺杂元素为镁元素和/或锂元素；
优选地，所述硅氧复合材料中，硅氧材料的含量为≥85wt％；
优选地，所述硅氧复合材料中，碳包覆层的含量为3～5wt％；
优选地，所述硅氧复合材料中，碳纳米管的含量为0.5～1wt％；
优选地，所述硅氧复合材料中，掺杂元素的含量为5～10wt％。
4.一种如权利要求1-3之一所述硅氧复合材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
对硅氧材料模板进行化学气相沉积；所述硅氧材料模板的形貌为：颗粒表面穿插n个管道状结构，所述n≥1，得到硅氧复合材料。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述硅氧材料模板的制备过程包括：射频放电对硅片进行刻蚀，得到所需硅氧材料模板；
优选地，所述刻蚀的射频功率为100～300W；
优选地，所述刻蚀的反应气体为六氟化硫；
优选地，所述反应气体的流量为60～100sccm；
优选地，所述刻蚀时的绝对压力不超过20Pa；
优选地，所述刻蚀的时间为8～12min。
6.如权利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述化学气相沉积之前还包括预热；
优选地，所述预热包括：将硅氧材料模板放入管式炉中，管式炉中通保护性气体和氢气，进行加热；
优选地，所述预热还包括添加掺杂元素源的步骤：按配方量将硅氧材料模板和掺杂元素源混合放入管式炉中，管式炉中通保护性气体和氢气，进行加热；
优选地，所述掺杂元素源包括镁和/或锂源；
优选地，所述保护性气体包括氩气和/或氮气；
优选地，所述保护性气体的流量为80～150sccm；
优选地，所述氢气的流量为20～50sccm；
优选地，所述加热的温升速率为5～15℃/min；
优选地，所述加热的终点温度为800～1200℃；
优选地，所述加热的保温时间为20～60min。
7.如权利要求4-6之一所述的方法，其特征在于，所述化学气相沉积的温度为800～1200℃；
优选地，所述化学气相沉积的时间为2～4h；
优选地，所述化学气相沉积之后，还包括降温；
优选地，所述化学气相沉积与降温分别独立地伴随通入碳源气体和氢气；
优选地，所述碳源气体的流量为1～30sccm；
优选地，所述碳源气体包括甲烷、乙烯和乙炔中的任意一种或至少两种的组合；
优选地，所述氢气的流量为20～50sccm；
优选地，所述降温的过程为自然冷却。
8.如权利要求4-7之一所述的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
(1)预热：按配方量将硅氧材料模板和掺杂元素源混合放入管式炉中，向管式炉中通入保护性气体和氢气，以5～15℃/min的温升速率升温至800～1200℃，保温20～60min；所述保护性气体的流量为80～150sccm；所述氢气的流量为20～50sccm；
(2)化学气相沉积：800～1200℃的温度下进行化学气相沉积2～4h，化学气相沉积伴随通入碳源气体和氢气，碳源气体的流量为1～30sccm，氢气的流量为20～50sccm；
(3)降温：自然冷却，在冷却过程伴随通入碳源气体和氢气，碳源气体的流量为1～30sccm，氢气的流量为20～50sccm。
9.一种负极极片，其特征在于，所述负极极片包括权利要求1-3之一所述硅氧复合材料。
10.一种电池，其特征在于，所述电池包括权利要求9所述的负极极片。
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