CN112928049A - 一种新型磁性缓冲晶片压覆装置 - Google Patents

Abstract

本发明提出了一种新型磁性缓冲晶片压覆装置，涉及芯片制造领域。一种新型磁性缓冲晶片压覆装置，包括转动组件、升降组件和多个压覆组件，转动组件包括转动盘和套筒，套筒竖直固定在转动盘上，升降组件包括升降块和驱动机构，升降块设置在套筒内，驱动机构连接到升降块，用于驱动升降块沿套筒轴线方法自由滑动。套筒的侧壁均匀间隔开设有多个通槽，多个通槽沿竖直方向开设，多个压覆组件一一对应伸入到通槽内，并与升降块连接。本发明能够同时进行晶片的吸取和压覆动作，极大的提升晶片压覆的效率。

Description

一种新型磁性缓冲晶片压覆装置

技术领域

本发明涉及芯片制造领域，具体而言，涉及一种新型磁性缓冲晶片压覆装置。

背景技术

晶片是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，由于其形状为圆形，故称为晶片。晶片是生产集成电路所用的载体，一般意义晶圆多指单晶硅圆片。单晶硅圆片由普通硅砂拉制提炼，经过溶解、提纯、蒸馏一系列措施制成单晶硅棒，单晶硅棒经过抛光、切片之后，就成为了晶片。晶片压覆是应用于晶体及半导体行业轻薄易碎物体的取放及搭载工作的使用技术手段，方便晶片的拿取转移的操作进行。由于晶片压覆过程要求紧密度极高，现有的晶片压覆装置一般只能对一只晶片进行压覆，压覆过程一般吸取晶片后，到达焊接基板的导电胶上方，然后进行压覆动作。压覆完成后才能进行下一次压覆操作，极大的降低了晶片压覆的效率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种新型磁性缓冲晶片压覆装置，其能够同时进行晶片的吸取和压覆动作，极大的提升晶片压覆的效率。

本发明的实施例是这样实现的：

本申请实施例提供一种新型磁性缓冲晶片压覆装置，包括转动组件、升降组件和多个压覆组件，转动组件包括转动盘和套筒，套筒竖直固定在转动盘上，升降组件包括升降块和驱动机构，升降块设置在套筒内，驱动机构连接到升降块，用于驱动升降块沿套筒轴线方法自由滑动；

套筒的侧壁均匀间隔开设有多个通槽，多个通槽沿竖直方向开设，多个压覆组件一一对应伸入到通槽内，并与升降块连接。

在本发明的一些实施例中，上述压覆组件包括第一移动机构、第二移动机构和覆晶模块，第一移动机构伸入到通槽内与升降块连接，第二移动机构设置在第一移动机构位于套筒外的部分，第一移动机构能沿套筒径向带动第一移动机构移动，覆晶模块设置在第二移动机构上，第二移动机构能带动覆晶模块沿垂套筒切线方向移动。

在本发明的一些实施例中，上述第一移动机构包括第一伺服电机、底板、第一移动块和第一丝杆，底板上设置有第一滑轨，第一移动块设置在滑轨上，且能在滑轨上自由滑动，第一丝杆沿第一滑轨方向贯穿第一移动块，且与第一移动块螺纹连接，第一伺服电机连接到第一丝杆端，用于驱动第一丝杆转动，第二移动机构设置在第一移动块上。

在本发明的一些实施例中，上述第一丝杆的两端设置有轴承座，轴承座能够通过轴承将第一丝杆的两端固定在底板上。

在本发明的一些实施例中，上述第一丝杆两端的轴承座上还设置有导向杆，导向杆与手术轴承座固定，导向杆贯穿第一移动块，第一移动块能沿导向杆自由滑动。

在本发明的一些实施例中，上述第二移动机构包括移动框架、第二移动块、第二伺服电机和第二丝杆，移动框架固定在第一移动块上，移动框架内设置有第二滑轨，第一移动块设置在移动框架内，并与第二滑轨滑动连接，第二丝杆贯穿第二移动块，并与第二移动块螺纹连接，伺服电机设置在移动框架一端，第二丝杆的一端穿过移动框架连接到伺服电机。

在本发明的一些实施例中，上述覆晶模块设置在第二移动块下方，与第二移动块固定连接。

在本发明的一些实施例中，上述覆晶模块包括吸嘴、连接器、转动器、真空阀、真空气路和驱动电机，驱动电机设置在第二移动块上，转动器与驱动电机的输出端连接，吸嘴固定在转动器上，连接器分别连通吸嘴和真空气路，真空阀串联在真空气路上。

在本发明的一些实施例中，上述驱动机构包括第三伺服电机、顶盖和第三丝杆，顶盖设置在套筒的上部，第三伺服电机设置在顶盖上，第三丝杆贯穿升降块，并与升降块螺纹连接，第三丝杆一端穿过顶盖连接到第三伺服电机。

在本发明的一些实施例中，上述转动盘下方设置有底座，转动盘与底座转动连接，底座下方设置有第四伺服电机，第四伺服电机连接到转动盘，用于驱动转动盘转动。

相对于现有技术，本发明的实施例至少具有如下优点或有益效果：

本发明提供一种新型磁性缓冲晶片压覆装置，包括转动组件、升降组件和多个压覆组件。其中，压覆组件主要用于实现晶片的压覆，晶片压覆是将晶片压覆在焊接基板上的导电胶上，并通过焊接相机将晶片固接到已经被点胶的基板固晶位置上。上述转动组件可实现压覆组件的转动，方便压覆组件拾取待加工晶片后，转动压覆组件将压覆拾取晶片的压覆组件移动到上述导电胶上方。上述升降组件可控制压覆组件升降，是晶片在移动到导电胶上方后升降组件可控制压覆组件拾取的晶片移动到导电胶位置。上述转动组件包括转动盘和套筒，套筒竖直固定在转动盘上，升降组件包括升降块和驱动机构，升降块设置在套筒内，驱动机构连接到升降块，用于驱动升降块沿套筒轴线方法自由滑动。上述套筒的侧壁均匀间隔开设有多个通槽，多个通槽沿竖直方向开设，多个压覆组件一一对应伸入到通槽内，并与升降块连接。上述通槽的开设可使压覆组件在套筒上上下移动不收到限制，上述转动盘可有序转动，通过转动盘转动可带动升降组件上的压覆组件转动，使压覆组件分别移动到晶片的拾取工位或压覆工位，通过升降组件的控制套筒内的升降块移动，可同时控制多个压覆组件进行拾取或压覆动作，完成上述动作后，可使升降组件上升抬起，再次转动转动盘后，使完成拾取动作的压覆组件到达压覆工位，使完成压覆动作的压覆组件到达拾取工位，重复上述动作，可快速的完成晶片的压覆工作。

因此，该新型磁性缓冲晶片压覆装置能够同时进行晶片的吸取和压覆动作，极大的提升晶片压覆的效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本发明实施例的三维结构示意图；

图2为本发明实施例的平面结构示意图；

图3为本发明实施例中压覆模块的结构示意图；

图4为图3中A处的放大图；

图5为本发明实施例中第一移动机构的俯视图；

图6为本发明实施例中第二移动结构的俯视图。

图标：1-底座，2-转动盘，3-覆晶模块，301-驱动电机，302-转动器，303-吸嘴，304-连接器，305-真空阀，306-真空气路，4-第一移动机构，401-第一伺服电机，402-底板，403-第一丝杆，404-第一移动块，5-第二移动机构，501-移动框架，502-第二移动块，503-第二丝杆，504-第二伺服电机，6-套筒，7-第三伺服电机，8-第三丝杆，9-升降块，10-第四伺服电机，11-通槽，12-轴承座，13-导向杆，14-连接板，15-第一滑轨，16-第二滑轨，17-顶盖。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本发明实施例的描述中，需要说明的是，若出现术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

此外，若出现术语“水平”、“竖直”、“悬垂”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。

在本发明实施例的描述中，“多个”代表至少2个。

在本发明实施例的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，若出现术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

实施例

请参照图1，图1所示为本发明实施例的结构示意图，图2为本发明实施例的平面结构示意图。本实施例提供一种新型磁性缓冲晶片压覆装置，包括转动组件、升降组件和多个压覆组件。其中，压覆组件主要用于实现晶片的压覆，晶片压覆是将晶片压覆在焊接基板上的导电胶上，并通过焊接相机将晶片固接到已经被点胶的基板固晶位置上。上述转动组件可实现压覆组件的转动，方便压覆组件拾取待加工晶片后，转动压覆组件将压覆拾取晶片的压覆组件移动到上述导电胶上方。上述升降组件可控制压覆组件升降，是晶片在移动到导电胶上方后升降组件可控制压覆组件拾取的晶片移动到导电胶位置。上述转动组件包括转动盘2和套筒6，套筒6竖直固定在转动盘2上，升降组件包括升降块9和驱动机构，升降块9设置在套筒6内，驱动机构连接到升降块9，用于驱动升降块9沿套筒6轴线方法自由滑动。上述套筒6的侧壁均匀间隔开设有多个通槽11，多个通槽11沿竖直方向开设，多个压覆组件一一对应伸入到通槽11内，并与升降块9连接。上述通槽11的开设可使压覆组件在套筒6上上下移动不收到限制，上述转动盘2可有序转动，通过转动盘2转动可带动升降组件上的压覆组件转动，使压覆组件分别移动到晶片的拾取工位或压覆工位，通过升降组件的控制套筒6内的升降块9移动，可同时控制多个压覆组件进行拾取或压覆动作，完成上述动作后，可使升降组件上升抬起，再次转动转动盘2后，使完成拾取动作的压覆组件到达压覆工位，使完成压覆动作的压覆组件到达拾取工位，重复上述动作，可快速的完成晶片的压覆工作。

因此，该新型磁性缓冲晶片压覆装置能够同时进行晶片的吸取和压覆动作，极大的提升晶片压覆的效率。

请参照图1、图2和图3，在本实施例的一些实施方式中，上述压覆组件包括第一移动机构4、第二移动机构5和覆晶模块3，上述第一移动机构4伸入到上述通槽11内与上述升降块9连接，上述第二移动机构5设置在上述第一移动机构4位于套筒6外的部分，上述第一移动机构4能沿上述套筒6径向带动上述第一移动机构4移动，上述覆晶模块3设置在上述第二移动机构5上，上述第二移动机构5能带动上述覆晶模块3沿垂套筒6切线方向移动。

在本实施例中，上述覆晶模块3为拾取晶片的主要部件，上述第一移动机构4在转动盘2停止转动后，可带动覆晶模块3在套筒6径向移动，在此方向对晶片的位置进行微调，方便晶片对照上述压覆工位。上述第二移动机构5同样能够带动上述覆晶模块3沿垂套筒6切线方向移动。通过对第一移动机构4和第二移动机构5的调整可精确的使覆晶模块3上的晶片进入到压覆工位，现实晶片的精确压覆。

请参照图3和图5，在本实施例的一些实施方式中，上述第一移动机构4包括第一伺服电机401、底板402、第一移动块404和第一丝杆403，上述底板402上设置有第一滑轨15，上述第一移动块404设置在上述滑轨上，且能在上述滑轨上自由滑动，上述第一丝杆403沿上述第一滑轨15方向贯穿上述第一移动块404，且与上述第一移动块404螺纹连接，上述第一伺服电机401连接到上述第一丝杆403端，用于驱动上述第一丝杆403转动，上述第二移动机构5设置在上述第一移动块404上。

在本实施例中，上述第一伺服电机401用于驱动丝杆转动，丝杆与第一移动块404形成丝杆机构，转动丝杆后可带动第一移动块404沿第一滑轨15移动。第一移动块404移动后，可带动第二移动机构5移动，从而到达调整晶片位置的目的。

请参照图3和图5，在本实施例的一些实施方式中，上述第一丝杆403的两端设置有轴承座12，上述轴承座12能够通过上述轴承将上述第一丝杆403的两端固定在上述底板402上。上述第一丝杆403两端的轴承座12用于将第一丝杆403固定在底板402上，上述轴承座12通过轴承连接到第一丝杆403，使第一丝杆403能够自由转动，避免第一丝杆403与轴承座12接触出现磨损。

请参照图5，在本实施例的一些实施方式中，上述第一丝杆403两端的轴承座12上还设置有导向杆13，上述导向杆13与手术轴承座12固定，上述导向杆13贯穿上述第一移动块404，上述第一移动块404能沿上述导向杆13自由滑动。

在本实施例中，上述导向杆13能够起到导向作用，防止第一移动块404在第一导轨上滑动过程中出现偏移。

请参照图4和图6，在本实施例的一些实施方式中，上述第二移动机构5包括移动框架501、第二移动块502、第二伺服电机504和第二丝杆503，上述移动框架501固定在上述第一移动块404上，上述移动框架501内设置有第二滑轨16，上述第一移动块404设置在移动框架501内，并与上述第二滑轨16滑动连接，上述第二丝杆503贯穿上述第二移动块502，并与上述第二移动块502螺纹连接，上述伺服电机设置在上述移动框架501一端，上述第二丝杆503的一端穿过上述移动框架501连接到上述伺服电机。需要说明的是，本实施例中，移动框架501和第一移动块404之间设置有连接板14，可方便移动框架501的移动。

在本实施例中，上述一移动机构用于能够在套筒6的切线方向调整覆晶模块3上晶片的位置。其中，上述第二伺服电机504连接到第二丝杆503，用于控制第二丝杆503转动。上述第二丝杆503与第二移动块502形成一丝杆移动机构，转动第二丝杆503可带动第二移动块502在第二滑轨16上滑动。

请参照图4，在本实施例的一些实施方式中，上述覆晶模块3设置在上述第二移动块502下方，与上述第二移动块502固定连接。上述第一移动机构4和第二移动机构5分别通过第一伺服电机401和第二伺服电机504控制控制第一移动块404和第二移动块502移动，由此可在晶片所在水平面上任意方向调整晶片的位置，方便晶片精确对应覆压工位。

请参照图4，在本实施例的一些实施方式中，覆晶模块3包括吸嘴303、连接器304、转动器302、真空阀305、真空气路306和驱动电机301，上述驱动电机301设置在上述第二移动块502上，上述转动器302与上述驱动电机301的输出端连接，上述吸嘴303固定在上述转动器302上，上述连接器304分别连通上述吸嘴303和上述真空气路306，上述真空阀305串联在上述真空气路306上。

在本实施例中，上述吸嘴303在真空气路306的作用下可在吸嘴303口处曾覆压状态，由此可吸附晶片，使晶片轻松拾取。上述真空阀305可控制真空气路306与吸嘴303的对接，当覆压完成后，可隔断真空气路306，使晶片脱离吸嘴303。上述驱动电机301用于驱动转动器302转动，转动器302转动后可调整晶片的位置，使晶片能够更加精确的与覆压工位对应。

请参照图1和图2，在本实施例的一些实施方式中，上述驱动机构包括第三伺服电机7、顶盖17和第三丝杆8，上述顶盖17设置在上述套筒6的上部，上述第三伺服电机7设置在上述顶盖17上，上述第三丝杆8贯穿上述升降块9，并与上述升降块9螺纹连接，上述第三丝杆8一端穿过上述顶盖17连接到上述第三伺服电机7。

在本实施例中，上述驱动机构的原理与上述第一移动机构4和第二移动机构5原理相同，通过三伺服电机驱动第三丝杆8转动，由于第三丝杆8与升降块9螺纹连接，因此可带动升降块9沿套筒6内壁上下移动。

请参照图2，在本实施的一些实施方式中，上述转动盘2下方设置有底座1，上述转动盘2与上述底座1转动连接，上述底座1下方设置有第四伺服电机10，上述第四伺服电机10连接到上述转动盘2，用于驱动上述转动盘2转动。

在本实施例中，上述转动盘2下方设置的底座1用于承载转动盘2，使转动盘2能在底座1上自由转动。同时，上述第四伺服电机10驱动的输出端与上述转动盘2连接，用于驱动上述转动盘2转动。第四伺服电机10可精确控制上述转动盘2转动，使转动盘2上的覆膜组件能够精确转动到对应的位置。同样的，上述第四伺服电机10能够驱动转动盘2反方向转动，使上述覆膜组件回到原来的位置。

需要说明的是，在本实施例中，上述各种伺服电机和驱动电机301连接有控制单元，通过控制单元控各伺服电机的动作。上述控制单元包括微控制器，上述微控制器一种集成电路芯片，是采用超大规模集成电路技术把具有数据处理能力的中央处理器CPU、随机存储器RAM、只读存储器ROM、多种I/O口和中断系统、定时器/计数器等功能(可能还包括显示驱动电路、脉宽调制电路、模拟多路转换器、A/D转换器等电路)集成到一块硅片上构成的一个小而完善的微型计算机系统，在工业控制领域广泛应用。上述微控制器连接有检测单元，检测单元包括位置传感器，位置传感器能够检测到晶片在覆压工位上方的位置变化，并将检测到的信息传输到微控制器，微控制器根据逻辑分析，判断晶片的位置，并控制上述各伺服电机和驱动电机301动作，调整晶片的位置，使晶片精确的到达覆压工位。同样的，上述位置传感器也可以检测到拾取工位上的晶片信息，方便微控制器控制调整吸嘴303位置精确吸取晶片。

在使用时，启动微控制器，微控制器启动上述第四伺服电机10驱动转动盘2转动，使转动盘2上的压覆模块转动到对应的工位。上述检测单元检测到覆压工位和拾取工位上的晶片信息，位置传感器能够检测到晶片在覆压工位上方的位置变化，并将检测到的信息传输到微控制器，微控制器根据逻辑分析，判断晶片的位置，并控制上述第一伺服电机401、第二伺服电机504和驱动电机301动作，调整晶片的位置，使晶片精确的到达覆压工位。同样的，上述位置传感器也可以检测到拾取工位上的晶片信息，方便微控制器控制调整吸嘴303位置精确吸取晶片。在完成上述位置调整后，微控制器控制第三伺服电机7动作，带动升降块9向下移动，使升降块9带动个覆压模块下压，进行覆压或拾取动作。完成上述动作后，微控制器控制第三伺服电机7反向转动，使升降块9带动覆压模块上移复位。重复以上动作(上述第四伺服电机10正转和翻转交替重复进行)，可不断进行晶片的拾取和覆压。

综上，本发明的实施例提供一种新型磁性缓冲晶片压覆装置，包括转动组件、升降组件和多个压覆组件。其中，压覆组件主要用于实现晶片的压覆，晶片压覆是将晶片压覆在焊接基板上的导电胶上，并通过焊接相机将晶片固接到已经被点胶的基板固晶位置上。上述转动组件可实现压覆组件的转动，方便压覆组件拾取待加工晶片后，转动压覆组件将压覆拾取晶片的压覆组件移动到上述导电胶上方。上述升降组件可控制压覆组件升降，是晶片在移动到导电胶上方后升降组件可控制压覆组件拾取的晶片移动到导电胶位置。上述转动组件包括转动盘2和套筒6，套筒6竖直固定在转动盘2上，升降组件包括升降块9和驱动机构，升降块9设置在套筒6内，驱动机构连接到升降块9，用于驱动升降块9沿套筒6轴线方法自由滑动。上述套筒6的侧壁均匀间隔开设有多个通槽11，多个通槽11沿竖直方向开设，多个压覆组件一一对应伸入到通槽11内，并与升降块9连接。上述通槽11的开设可使压覆组件在套筒6上上下移动不收到限制，上述转动盘2可有序转动，通过转动盘2转动可带动升降组件上的压覆组件转动，使压覆组件分别移动到晶片的拾取工位或压覆工位，通过升降组件的控制套筒6内的升降块9移动，可同时控制多个压覆组件进行拾取或压覆动作，完成上述动作后，可使升降组件上升抬起，再次转动转动盘2后，使完成拾取动作的压覆组件到达压覆工位，使完成压覆动作的压覆组件到达拾取工位，重复上述动作，可快速的完成晶片的压覆工作。因此，该新型磁性缓冲晶片压覆装置能够同时进行晶片的吸取和压覆动作，极大的提升晶片压覆的效率。

以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种新型磁性缓冲晶片压覆装置，其特征在于，包括转动组件、升降组件和多个压覆组件，所述转动组件包括转动盘和套筒，所述套筒竖直固定在所述转动盘上，所述升降组件包括升降块和驱动机构，所述升降块设置在所述套筒内，所述驱动机构连接到所述升降块，用于驱动所述升降块沿所述套筒轴线方法自由滑动；

所述套筒的侧壁均匀间隔开设有多个通槽，多个所述通槽沿竖直方向开设，多个所述压覆组件一一对应伸入到所述通槽内，并与所述升降块连接。

2.根据权利要求1所述的新型磁性缓冲晶片压覆装置，其特征在于，所述压覆组件包括第一移动机构、第二移动机构和覆晶模块，所述第一移动机构伸入到所述通槽内与所述升降块连接，所述第二移动机构设置在所述第一移动机构位于套筒外的部分，所述第一移动机构能沿所述套筒径向带动所述第一移动机构移动，所述覆晶模块设置在所述第二移动机构上，所述第二移动机构能带动所述覆晶模块沿垂套筒切线方向移动。

3.根据权利要求2所述的新型磁性缓冲晶片压覆装置，其特征在于，所述第一移动机构包括第一伺服电机、底板、第一移动块和第一丝杆，所述底板上设置有第一滑轨，所述第一移动块设置在所述滑轨上，且能在所述滑轨上自由滑动，所述第一丝杆沿所述第一滑轨方向贯穿所述第一移动块，且与所述第一移动块螺纹连接，所述第一伺服电机连接到所述第一丝杆端，用于驱动所述第一丝杆转动，所述第二移动机构设置在所述第一移动块上。

4.根据权利要求3所述的新型磁性缓冲晶片压覆装置，其特征在于，所述第一丝杆的两端设置有轴承座，所述轴承座能够通过所述轴承将所述第一丝杆的两端固定在所述底板上。

5.根据权利要求4所述的新型磁性缓冲晶片压覆装置，其特征在于，所述第一丝杆两端的轴承座上还设置有导向杆，所述导向杆与手术轴承座固定，所述导向杆贯穿所述第一移动块，所述第一移动块能沿所述导向杆自由滑动。

6.根据权利要求5所述的新型磁性缓冲晶片压覆装置，其特征在于，所述第二移动机构包括移动框架、第二移动块、第二伺服电机和第二丝杆，所述移动框架固定在所述第一移动块上，所述移动框架内设置有第二滑轨，所述第一移动块设置在移动框架内，并与所述第二滑轨滑动连接，所述第二丝杆贯穿所述第二移动块，并与所述第二移动块螺纹连接，所述伺服电机设置在所述移动框架一端，所述第二丝杆的一端穿过所述移动框架连接到所述伺服电机。

7.根据权利要求2所述的新型磁性缓冲晶片压覆装置，其特征在于，所述覆晶模块设置在所述第二移动块下方，与所述第二移动块固定连接。

8.根据权利要求7所述的新型磁性缓冲晶片压覆装置，其特征在于，所述覆晶模块包括吸嘴、连接器、转动器、真空阀、真空气路和驱动电机，所述驱动电机设置在所述第二移动块上，所述转动器与所述驱动电机的输出端连接，所述吸嘴固定在所述转动器上，所述连接器分别连通所述吸嘴和所述真空气路，所述真空阀串联在所述真空气路上。

9.根据权利要求1所述的新型磁性缓冲晶片压覆装置，其特征在于，所述驱动机构包括第三伺服电机、顶盖和第三丝杆，所述顶盖设置在所述套筒的上部，所述第三伺服电机设置在所述顶盖上，所述第三丝杆贯穿所述升降块，并与所述升降块螺纹连接，所述第三丝杆一端穿过所述顶盖连接到所述第三伺服电机。

10.根据权利要求1所述的新型磁性缓冲晶片压覆装置，其特征在于，所述转动盘下方设置有底座，所述转动盘与所述底座转动连接，所述底座下方设置有第四伺服电机，所述第四伺服电机连接到所述转动盘，用于驱动所述转动盘转动。

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