CN218867062U - 一种补片机构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及半导体加工技术领域,具体为一种补片机构,其能够顺利完成对缓存架的补片操作,其包括硅片吸附机构和缓存架,缓存架包括顶部横梁和安装于顶部横梁底部两侧的侧板,侧板上安装有硅片支撑架,硅片支撑架内侧设置有至少两个等间距布置的凸块,其特征在于,硅片吸附机构包括下X轴电缸,下X轴电缸的滑块上安装有垂直Y轴电缸,垂直Y轴电缸的滑块上安装有上Z轴电缸,上Z轴电缸的滑块上安装有Z向滑座,Z向滑座的端部安装有吸附座,吸附座上安装有薄片吸盘,薄片吸盘的上表面开设有吸附凹槽,吸附凹槽内开设有真空吸附孔,薄片吸盘的宽度小于两侧的凸块间距。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体加工技术领域,具体为一种补片机构。
背景技术
在半导体行业,硅片是最重要的材料,通过在硅片上集成晶体管,可以实现芯片的加工。硅片在加工过程中,需要在不同的工位之间进行流转,流转过程中,会有一些中间缓存工位,用于放置一定数量的硅片,目前常见的硅片流转需要使用工业机器人,在机器人的手臂上安装用于吸附或者抓取硅片的机械手,其成本较高,而且对于缓存工位也有一定的结构要求,如图1所述的间隔堆叠放置的缓存架,很多的机械手需要完成缓存架的补片操作。
发明内容
为了解决现有对缓存架补片操作困难的问题,本实用新型提供了一种补片机构,其能够顺利完成对缓存架的补片操作。
其技术方案是这样的:一种补片机构,其包括硅片吸附机构和缓存架,所述缓存架包括顶部横梁和安装于所述顶部横梁底部两侧的侧板,所述侧板上安装有硅片支撑架,所述硅片支撑架内侧设置有至少两个等间距布置的凸块,其特征在于,所述硅片吸附机构包括下X轴电缸,所述下X轴电缸的滑块上安装有垂直Y轴电缸,所述垂直Y轴电缸的滑块上安装有上Z轴电缸,所述上Z轴电缸的滑块上安装有Z向滑座,所述Z向滑座的端部安装有吸附座,所述吸附座上安装有薄片吸盘,所述薄片吸盘的上表面开设有吸附凹槽,所述吸附凹槽内开设有真空吸附孔,所述薄片吸盘的宽度小于两侧的所述凸块间距。
其进一步特征在于,位于所述吸附座两侧,所述上Z轴电缸上滑动安装有对称布置的校准架,所述校准架上安装有三个定位柱。
采用本实用新型后,下X轴电缸、垂直Y轴电缸、上Z轴电缸可以实现X、Y、Z三个方向的移动,并且用来吸附硅片的薄片吸盘由Z轴电缸带动Z向滑座整体伸出Z轴电缸,从而让带有吸附住硅片的薄片吸盘插入硅片支撑架内,让硅片两侧支撑于凸块上后移走即可完成硅片补片至缓存架;进一步的,通过两侧校准架上的定位柱,可以完成硅片的校准定位,并且薄片吸盘的宽度小于两侧的凸块间距,能够让硅片更加顺次送入硅片支撑架。
附图说明
图1为缓存架结构示意图;
图2为硅片吸附机构示意图(带硅片);
图3为吸附座处示意图(不带硅片)。
具体实施方式
见图1,图2,图3所示,一种补片机构,其包括硅片吸附机构1和缓存架2,缓存架2包括顶部横梁3和安装于顶部横梁3底部两侧的侧板4,侧板4上安装有硅片支撑架5,硅片支撑架5内侧设置有五个等间距布置的凸块6,硅片吸附机构1包括下X轴电缸7,下X轴电缸7的滑块上安装有垂直Y轴电缸8,垂直Y轴电缸8的滑块上安装有上Z轴电缸9,上Z轴电缸9的滑块上安装有Z向滑座10,Z向滑座10的端部安装有吸附座11,吸附座11上安装有薄片吸盘12,薄片吸盘12的宽度小于两侧的凸块6间距,薄片吸盘12的上表面开设有吸附凹槽13,吸附凹槽13内开设有真空吸附孔,当硅片14放置于薄片吸盘12上时,真空吸附孔开始对吸附凹槽13抽真空,使硅片14牢牢吸附在薄片吸盘12上,薄片吸盘12带着硅片14伸入硅片支撑架5之间,让硅片14两侧支撑在凸块6上,薄片吸盘12不再吸附,然后下降一小段距离后即可退出硅片支撑架5,准备下一次补片操作。
位于吸附座11两侧,上Z轴电缸9上滑动安装有对称布置的校准架15,校准架15上安装有三个定位柱16,可以用来对硅片进行校准位置,并且实现导向效果。图中17为用于限制Z向滑座10移动距离的限位块。
Claims (2)
1.一种补片机构,其包括硅片吸附机构和缓存架,所述缓存架包括顶部横梁和安装于所述顶部横梁底部两侧的侧板,所述侧板上安装有硅片支撑架,所述硅片支撑架内侧设置有至少两个等间距布置的凸块,其特征在于,所述硅片吸附机构包括下X轴电缸,所述下X轴电缸的滑块上安装有垂直Y轴电缸,所述垂直Y轴电缸的滑块上安装有上Z轴电缸,所述上Z轴电缸的滑块上安装有Z向滑座,所述Z向滑座的端部安装有吸附座,所述吸附座上安装有薄片吸盘,所述薄片吸盘的上表面开设有吸附凹槽,所述吸附凹槽内开设有真空吸附孔,所述薄片吸盘的宽度小于两侧的所述凸块间距。
2.根据权利要求1所述的一种补片机构,其特征在于,位于所述吸附座两侧,所述上Z轴电缸上滑动安装有对称布置的校准架,所述校准架上安装有三个定位柱。
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- 2021-12-30 CN CN202123381813.4U patent/CN218867062U/zh active Active
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