CN112853480A - 一种籽晶粘贴冶具、导流组件及边缘粘贴籽晶的方法 - Google Patents

一种籽晶粘贴冶具、导流组件及边缘粘贴籽晶的方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种籽晶粘贴冶具、导流组件及边缘粘贴籽晶的方法，涉及碳化硅生长装置技术领域。籽晶粘贴冶具具有籽晶承载面，且在籽晶承载面上设置有凹槽以粘贴石墨纸，凹槽在远离籽晶承载面的圆心方向上设置有粘贴外环。本发明通过籽晶粘贴冶具可以在籽晶的背面建立空气层能有效提高籽晶背部温度均匀性，从而显著的提高晶体的质量。同时采用本发明提供的籽晶粘贴冶具进行晶体生长时，由于提前将凹槽中的粘接剂和附有粘接剂的石墨纸进行了去除，由此可以极大程度的减少籽晶表面的残留胶。

Description

一种籽晶粘贴冶具、导流组件及边缘粘贴籽晶的方法
技术领域
本发明涉及碳化硅生长装置技术领域，具体而言，涉及一种籽晶粘贴冶具、导流组件及边缘粘贴籽晶的方法。
背景技术
随着大数据时代的到来，5G技术的普及已经是大势所趋，而碳化硅晶体作为高效的半导体材料需求量也日益增加。同时碳化硅的生长技术还不是很成熟，解决碳化硅单晶生长的技术瓶颈也成为5G推广的任务之一。现阶段的碳化硅单晶生长的主要方式是通过物理气相沉积法(PVT法)，通过该方法可以生长4/6寸SiC单晶。
目前PTV法主要通过籽晶背部粘贴石墨纸的方式生长晶体。该方式对粘贴工艺的要求(包括籽晶板的加工精度和胶水涂布的均匀性)较高，如果石墨纸背部胶水粘贴不均时，非常容易形成径向温梯，从而导致在成晶初期产生缺陷。同时背部整面粘贴胶量控制难度高，容易在籽晶的正面留下残胶。此外，传统的粘贴方式取籽晶难度高，容易造成人为失误造成晶体的损伤。
鉴于此，特提出本发明。
发明内容
本发明的目的在于提供一种籽晶粘贴冶具、导流组件及边缘粘贴籽晶的方法以解决上述技术问题。
本发明是这样实现的：
本发明提供了一种籽晶粘贴冶具，籽晶粘贴冶具具有籽晶承载面，且在籽晶承载面上设置有凹槽以粘贴石墨纸，在所述凹槽的外周设置有粘贴外环。
籽晶粘贴冶具的一面用于承载籽晶(即在籽晶承载面进行籽晶的承载)。可选的，籽晶粘贴冶具的形状为圆柱状或圆台状。
粘贴外环的作用在于：从外周方向上对石墨纸及粘接剂进行限位，以使得粘接剂能固化在凹槽内，其作用相当于限位模具。
粘贴外环的形状可以是圆环状。粘贴外环的材料可以是高密度的石墨材质。
在本发明应用较佳的实施方式中，上述的籽晶粘贴冶具的厚度为7-10mm，直径为115-120mm；
优选地，籽晶粘贴冶具的材质为石墨材质。
可选的，籽晶粘贴冶具的材质为高密度的石墨材质。
在本发明应用较佳的实施方式中，上述的凹槽设置在籽晶承载面的直径的105-107mm处，且凹槽为环形凹槽。
在一种实施方式中，上述凹槽的宽度为0.1-5mm，优选地，凹槽的宽度为2mm。
在一种实施方式中，上述凹槽的深度为2-6mm。凹槽的深度可以根据涂覆的粘接剂和石墨纸置于凹槽中的深度设置，并不限于本发明中上述限定的凹槽的深度范围。
在一种实施方式中，上述凹槽为U型槽或V型槽。在其他实施方式中，上述凹槽的形状也可以根据需要设置，并不限于本发明中上述限定的凹槽的形状。
在本发明应用较佳的实施方式中，上述的粘贴外环与凹槽的外周壁可拆卸连接。可选的，粘贴外环与凹槽的外周壁通过卡扣连接或者，粘贴外环与凹槽通过外设于粘贴外环的卡箍件进行箍紧连接。外设的卡箍件进行箍紧连接。在其他实施方式中，上述粘贴外环与凹槽的外周壁的连接方式还可以根据需要设置其连接方式。
本发明提供了一种导流组件，其包括上述的籽晶粘贴冶具、石墨纸以及导流筒，石墨纸布设于籽晶粘贴冶具的凹槽内，石墨纸远离籽晶粘贴冶具的一侧与导流筒的内壁粘接，籽晶粘贴冶具在拆除粘贴外环后置于导流筒内。
在本发明应用较佳的实施方式中，上述的导流筒内从上到下依次设置有第一空腔、第二空腔和第三空腔，第一空腔为圆台状空腔，第二空腔为两个圆台状结构组合形成的空腔，且两个圆台直径较小的一端相连，第三空腔为圆柱状空腔；且第一空腔的底端设置有支撑部以支撑粘贴冶具的底部。
在一种实施方式中，上述第一空腔从上到下直径递减，优选地，支撑部为卡槽，第一空腔是从直径115-108mm递减至直径110-107mm；优选地，卡槽的宽度为0.45-0.55mm；
在一种实施方式中，上述卡槽的形状为U型槽或V型槽。
在本发明应用较佳的实施方式中，上述第二空腔的直径是由106-109mm递减至99-101mm然后再扩径至107-115mm；
优选地，第三空腔的直径为108-116mm。
需要说明的是，上述第一空腔的直径是由上至下依次递减，第二空腔的直径是先递减然后递增，第三空腔的直径是恒定的。
设置具有上述变径空腔的导流筒，其作用在于：第一空腔递减的形状以支撑籽晶粘贴冶具的底部，同时在第一空腔的底部设置卡槽以支撑石墨纸和籽晶。第二空腔的结构从垂直方向上看，为V字型，该结构除了可以达到较高质量的扩径外还能在生产后期时支撑晶体，防止因石墨纸支撑力不足致使晶体脱落。
第三空腔的结构用于后续晶体的生长。
在本发明应用较佳的实施方式中，上述导流筒的厚度为2.5-3.5mm；优选地，导流筒的厚度为2.95-3.05mm，导流筒的材质为石墨材质。
本发明还提供了一种使用上述的籽晶粘贴冶具进行边缘粘贴籽晶的方法，包括如下步骤：将籽晶放置于籽晶承载台上，然后将粘结剂涂抹至凹槽内，再安装粘贴外环，再将石墨纸的一端置于凹槽内，待固化后，拆除粘贴外环，然后将凹槽中的涂覆有粘接剂的石墨纸和粘接剂去除，保留未涂覆粘接剂的石墨纸。粘接剂为糖类、502胶、914胶或碳胶等粘性胶。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明提供了一种新型的籽晶粘贴冶具，该籽晶粘贴冶具设置有凹槽和粘贴外环，凹槽内用于布设石墨纸，籽晶承载面用于放置籽晶，本发明通过籽晶粘贴冶具无需将籽晶背面与籽晶承载面用胶结合在一起，只需对籽晶背面做碳化保护，这样能有效提高籽晶背部温度的均匀性，从而显著的提高晶体的质量。同时采用本发明提供的籽晶粘贴冶具进行晶体生长时，由于提前将凹槽中的粘接剂和附有粘接剂的石墨纸进行了去除，由此可以极大程度的减少籽晶表面的残留胶，降低生长初期微管及六方空洞出现的概率。本发明还提供了一种导流组件，采用本发明提供的导流组件可以更加便捷的实现晶体的取放，降低取晶体时造成人为晶体缺陷的风险。另外，采用本发明提供的方法进行晶体的生长，可以极大程度减少残胶的剩余，减少籽晶表面清洁工作，减少清洁工作时造成的划伤。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明提供的粘贴冶具的结构示意图；
图2为坩埚的剖视图；
图3为图2的局部放大图。
图标：1-粘贴外环；2-石墨纸；3-粘贴治具；4-籽晶；5-坩埚主体；6-坩埚盖；7-压板；8-导流筒。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
此外，术语“水平”、“竖直”、“悬垂”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。
在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
实施例1
请参阅图1，本实施例提供了一种籽晶粘贴冶具(即粘贴冶具3)。在粘贴冶具3的外周设置有粘贴外环1。粘贴冶具3具有籽晶承载面，且在籽晶承载面上设置有凹槽以粘贴石墨纸。具体的，在凹槽内设置有石墨纸2，在粘贴冶具3上布设有籽晶4。空间上石墨纸2环设于籽晶4的周围，籽晶4的形状为原片状。
石墨纸2的规格如下：其材质为高密度石墨纸材质，厚度为0.5-1mm，宽度15-20mm,长度320-350mm。本实施例中，设置石墨纸2的厚度为0.5mm，宽度15mm,长度320mm。
粘贴治具3的规格如下：为高密度石墨材质，厚度为7-10mm，直径为115-120mm，并且在粘贴治具3籽晶承载面的直径106-107mm处设置有一个宽度2mm的凹槽用来固定石墨纸2和碳胶。
具体的，本实施例中，设置粘贴治具3的规格为：厚度为7mm，直径为115mm，并且在粘贴治具3籽晶承载面的直径106mm处设置有一个宽度2mm的凹槽用来固定石墨纸2和碳胶。凹槽的深度为5mm。凹槽为U型槽。
使用本实施例提供的籽晶粘贴冶具进行边缘粘贴籽晶的方法包括：首先将籽晶4手动对中放置于粘贴治具3籽晶承载面上，再把少量的碳胶均匀涂抹在粘贴治具3的凹槽内，再安装粘贴外环1，然后放入石墨纸2，待初步固化后去掉粘贴外环1，用刀片将凹槽内的涂覆有碳胶的石墨纸和碳胶去除，保留未涂覆碳胶的石墨纸。
实施例2
本实施例提供了一种导流组件及坩埚。导流组件及坩埚参照图2和图3所示。
导流组件包括籽晶粘贴冶具、石墨纸2以及导流筒8。具体地，将实施例1去除粘贴外环1的粘贴冶具3置于导流筒8中。用碳胶将粘贴冶具3和导流筒8粘接，然后放入固化炉固化。然后将固化后的导流筒8放入坩埚，组装好热场后用于生长晶体。
本实施例中的导流筒8选用高密度石墨材质，厚度为2.95-3.05mm。由上到下为依次设置有第一空腔、第二空腔和第三空腔，第一空腔为圆台状空腔，第二空腔为两个圆台状结构组合形成的空腔，且两个圆台直径较小的一端相连，第三空腔为圆柱状空腔；且第一空腔的底端设置有支撑部以支撑粘贴冶具的底部。
上述第一空腔从上到下直径递减，本实施例中第一支撑部为卡槽，第一空腔是从直径108mm递减至直径107mm；卡槽的宽度为0.45mm；上述卡槽的形状为U型槽。上述第二空腔的直径是由106mm递减至99mm然后再扩径至108mm；第三空腔的直径为108mm。
需要说明的是，上述第一空腔的直径是由上至下依次递减，第二空腔的直径是先递减然后递增，第三空腔的直径是恒定的。
设置具有上述变径空腔的导流筒，其作用在于：第一空腔递减的形状以支撑籽晶粘贴冶具的底部，同时在第一空腔的底部设置卡槽以支撑石墨纸和籽晶。第二空腔的结构从垂直方向上看，为V字型，该结构除了可以达到较高质量的扩径外还能在生产后期时支撑晶体，防止因石墨纸支撑力不足致使晶体脱落。第三空腔的结构用于后续晶体的生长。
实施例3
本实施例提供了籽晶生长的方法，其包括：将籽晶4和石墨纸2通过粘贴冶具3粘贴，刮掉放入粘贴冶具3内的石墨纸2。然后将处理好的籽晶和石墨纸放入导流筒8，使用碳胶将石墨纸2与导流筒8的内壁粘贴，放入固化炉固化。选用厚度为10mm的坩埚主体5，将坩埚主体5的桶体内装入1.25kg高纯的SIC粉料，尽量拍平整，然后将坩埚主体5的桶体放入固化后的导流筒8中。盖上压板7与坩埚盖6。在坩埚外部放置1.5mm厚度的圆柱形硬毡作为保温热场。
晶体的生长方向是垂直于籽晶所在的水平面向下生长。在2100℃-2300℃稳定生长4-6天后，长出的晶体厚度为25mm，凸度在0-5mm，无明显MPD，未发现六方空洞，多晶，碳包裹等肉眼可见的缺陷，MPD<1，总位错密度<3500个/cm2。同时晶体背部相较与传统粘贴方式较为平整。
以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种籽晶粘贴冶具，其特征在于，所述籽晶粘贴冶具具有籽晶承载面，且在所述籽晶承载面上设置有凹槽以粘贴石墨纸，在所述凹槽的外周设置有粘贴外环。
2.根据权利要求1所述的籽晶粘贴冶具，其特征在于，所述籽晶粘贴冶具呈圆柱状或圆台状，所述籽晶粘贴冶具的厚度为7-10mm，直径为115-120mm；
优选地，所述籽晶粘贴冶具的材质为石墨材质。
3.根据权利要求1或2所述的籽晶粘贴冶具，其特征在于，所述凹槽设置在所述籽晶承载面的直径的105-107mm处，且所述凹槽为环形凹槽；
优选地，所述凹槽的宽度为0.1-5mm，优选地，所述凹槽的宽度为2mm；
优选地，所述凹槽的深度为2-6mm；
优选地，所述凹槽为U型槽或V型槽。
4.根据权利要求3所述的籽晶粘贴冶具，其特征在于，所述粘贴外环与所述凹槽的外周壁可拆卸连接；
优选地，所述粘贴外环与所述凹槽的外周壁通过卡扣连接，或者所述粘贴外环与所述凹槽通过外设于所述粘贴外环的卡箍件进行箍紧连接。
5.一种导流组件，其特征在于，其包括权利要求1-4任一项所述的籽晶粘贴冶具、石墨纸以及导流筒，所述石墨纸设置于所述籽晶粘贴冶具的凹槽内，所述石墨纸远离所述籽晶粘贴冶具的一侧与所述导流筒的内壁粘接，所述籽晶粘贴冶具在拆除粘贴外环后置于所述导流筒内。
6.根据权利要求5所述的导流组件，其特征在于，所述导流筒内从上到下依次设置有第一空腔、第二空腔和第三空腔，所述第一空腔为圆台状空腔，所述第二空腔为两个圆台状结构组合形成的空腔，且两个圆台直径较小的一端相连，所述第三空腔为圆柱状空腔；且所述第一空腔的底端设置有支撑部以支撑所述粘贴冶具的底部；
优选地，所述第一空腔从上到下直径递减，优选地，所述支撑部为卡槽，所述第一空腔是从直径115-108mm递减至直径110-107mm；优选地，所述卡槽的宽度为0.45-0.55mm；
优选地，所述卡槽的形状为U型槽或V型槽。
7.根据权利要求6所述的导流组件，其特征在于，所述第二空腔的直径是由106-109mm递减至99-101mm然后再扩径至107-115mm；
优选地，所述第三空腔的直径为108-116mm。
8.根据权利要求5所述的导流组件，其特征在于，所述导流筒的厚度为2.5-3.5mm；优选地，所述导流筒的厚度为2.95-3.05mm，所述导流筒的材质为石墨材质。
9.一种使用权利要求1-4任一项所述的籽晶粘贴冶具进行边缘粘贴籽晶的方法，其特征在于，包括如下步骤：将籽晶放置于所述籽晶承载台上，然后将粘结剂涂抹至凹槽内，再安装所述粘贴外环，再将石墨纸的一端置于所述凹槽内，待固化后，拆除所述粘贴外环，然后将所述凹槽中的涂覆有粘接剂的所述石墨纸和所述粘接剂去除，保留未涂覆粘接剂的石墨纸。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述粘接剂为糖类、502胶、914胶或碳胶。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114108076A (zh) * 2021-12-01 2022-03-01 浙江晶越半导体有限公司 一种碳化硅籽晶粘连的治具和方法
CN114395803A (zh) * 2022-01-13 2022-04-26 浙江大学 一种减少碳化硅籽晶背向升华的粘接结构与粘接方法
CN115449896A (zh) * 2022-09-27 2022-12-09 南通大学 一种气相法生长碳化硅单晶的籽晶固定方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5911824A (en) * 1997-12-16 1999-06-15 Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. Method for growing crystal
CN103374750A (zh) * 2012-04-28 2013-10-30 上海硅酸盐研究所中试基地 一种PVT法生长SiC晶体的籽晶固定方法
CN110528078A (zh) * 2019-08-20 2019-12-03 山东天岳先进材料科技有限公司 一种晶体取出装置
CN110886014A (zh) * 2019-12-18 2020-03-17 福建北电新材料科技有限公司 晶体生长装置
CN211005718U (zh) * 2019-08-20 2020-07-14 山东天岳先进材料科技有限公司 一种晶体取出装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5911824A (en) * 1997-12-16 1999-06-15 Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. Method for growing crystal
CN103374750A (zh) * 2012-04-28 2013-10-30 上海硅酸盐研究所中试基地 一种PVT法生长SiC晶体的籽晶固定方法
CN110528078A (zh) * 2019-08-20 2019-12-03 山东天岳先进材料科技有限公司 一种晶体取出装置
CN211005718U (zh) * 2019-08-20 2020-07-14 山东天岳先进材料科技有限公司 一种晶体取出装置
CN110886014A (zh) * 2019-12-18 2020-03-17 福建北电新材料科技有限公司 晶体生长装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114108076A (zh) * 2021-12-01 2022-03-01 浙江晶越半导体有限公司 一种碳化硅籽晶粘连的治具和方法
CN114395803A (zh) * 2022-01-13 2022-04-26 浙江大学 一种减少碳化硅籽晶背向升华的粘接结构与粘接方法
CN114395803B (zh) * 2022-01-13 2023-08-22 浙江大学 一种减少碳化硅籽晶背向升华的粘接结构与粘接方法
CN115449896A (zh) * 2022-09-27 2022-12-09 南通大学 一种气相法生长碳化硅单晶的籽晶固定方法

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