CN112851356A - 一种利用碳化硅晶体金刚线切割废液制备碳化硅陶瓷的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种利用碳化硅晶体金刚线切割废液制备碳化硅陶瓷的方法。为避免碳化硅晶体金刚线切割废液中SiC粉体与金刚石颗粒的浪费，本发明提供了一种利用碳化硅晶体金刚线切割废液制备碳化硅陶瓷的方法，步骤包括一级过滤、二级过滤、清洗干燥、制备胚料和烧制碳化硅陶瓷。本发明将碳化硅晶体金刚线切割废液回收用于碳化硅陶瓷制备，达到了节约成本、提高经济效益、废物再利用和保护环境的目的。通过本发明方法得到的碳化硅陶瓷致密度为97％以上，维氏硬度为20～25GPa，抗弯强度为800～1000MPa，断裂韧性为6～12MPa·m1/2，具有较好的密实度和机械性能。

Description

一种利用碳化硅晶体金刚线切割废液制备碳化硅陶瓷的方法
技术领域
本发明涉及一种利用碳化硅晶体金刚线切割废液制备碳化硅陶瓷的方法。
背景技术
SiC衬底材料的加工一般采用对SiC单晶多线切割的方式进行。用多根烧结有金刚石颗粒的钢丝对单晶体进行切割，使用去离子水对晶体进行冷却，金刚石线径一般在0.18mm左右，随着切割的进行势必会产生SiC晶体切割的损耗，切割下来的SiC粉体与金刚石颗粒会一同沉淀在水中，得到的含有SiC粉体与金刚石颗粒的废液一般都作为废弃物处理，造成了严重的浪费。
发明内容
为避免碳化硅晶体金刚线切割废液中SiC粉体与金刚石颗粒的浪费，本发明提供了一种利用碳化硅晶体金刚线切割废液制备碳化硅陶瓷的方法。
本发明的技术方案：
一种利用碳化硅晶体金刚线切割废液制备碳化硅陶瓷的方法，包括如下步骤：
步骤一、过滤处理：将废液通过一级过滤得到一级滤液和一级颗粒，将所得一级滤液通过二级过滤得到二级滤液和二级颗粒；
步骤二、清洗干燥：合并步骤一所得一级颗粒和二级颗粒得到混合料，用纯水对混合料进行浸泡并充分搅拌，然后用压滤机进行固液分离，得到固体滤渣送入酸洗池，用盐酸水溶液对滤渣进行浸泡并充分搅拌，然后用压滤机进行固液分离，得到的固体滤渣送入水洗池重复水洗至中性；将所得含有碳化硅与金刚石混合颗粒的物料干燥处理，得到干燥的混合颗粒；
步骤三、制备胚料：向步骤二所得混合颗粒中加入单晶硅粉料，使其在加热条件下与混合颗粒中的金刚石颗粒反应生成碳化硅，将所得混合物料球磨后过筛，得到胚料；
步骤四、烧制陶瓷：步骤三所得胚料置于模具中液压成型，烧制所得成型胚料得到碳化硅陶瓷。
进一步的，步骤一所述一级过滤是将碳化硅晶体金刚线切割废液充分搅拌4～8h后，利用过滤精度d不低于0.1mm的过滤器对其进行分离；所述一级颗粒的粒径为100～200μm。
进一步的，步骤一所述二级过滤是将所得一级滤液搅拌4～8h，利用过滤精度d不低于0.05mm的过滤器对其进行分离；所述二级颗粒的粒径为5～100μm。
进一步的，步骤二所述混合料与纯水的质量比为1:2～1:4，所述纯水对混合颗粒进行浸泡并充分搅拌的处理时间为30～50min。
进一步的，步骤二所述滤渣与盐酸水的质量体积比为1g:2mL～1g:4mL；所述盐酸水溶液的浓度为1～5％；所述盐酸水溶液对滤渣进行浸泡并充分搅拌的处理时间为60min。
进一步的，步骤二所述干燥处理的温度为200～300℃，干燥处理的时间为8～12h。
进一步的，步骤三所述单晶硅粉料与所述混合颗粒的质量比为1:8～1:15；所述加热条件为1800～2000℃，所述单晶硅粉料与混合颗粒中的金刚石反应的时间为2～10h。
进一步的，步骤三所述球磨的时间为45～90min，所述过筛为100～200目筛网得到粒径为50～200μm的胚料。
进一步的，步骤四所述液压成型的压力为10～15Mpa。
进一步的，步骤四所述烧制的具体过程为以2～5℃/min升温至300℃并保温30min，再以3～5℃/min升温至1420～1800℃并保温10min，最后以5～8℃/min降温至1000℃再关闭电炉电源使其自然冷却至室温。
本发明的有益效果：
本发明提供的利用碳化硅晶体金刚线切割废液制备碳化硅陶瓷的方法将碳化硅晶体金刚线切割废液回收用于碳化硅陶瓷制备，达到了节约成本、提高经济效益、废物再利用、保护环境的目的。
通过本发明方法得到的碳化硅陶瓷致密度为97％以上，维氏硬度为20～25GPa，抗弯强度为800～1000MPa，断裂韧性为6～12MPa·m1/2，具有较好的密实度和机械性能。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明的技术方案做进一步的说明，但并不局限于此，凡是对本发明技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围，均应涵盖在本发明的保护范围中。下列实施例中未具体注明的工艺设备或装置均采用本领域内的常规设备或装置，若未特别指明，本发明实施例中所用的原料等均可市售获得；若未具体指明，本发明实施例中所用的技术手段均为本领域技术人员所熟知的常规手段。
实施例1
一种利用碳化硅晶体金刚线切割废液制备碳化硅陶瓷的方法，包括如下步骤：
步骤一、过滤处理：将碳化硅晶体金刚线切割废液充分搅拌4～8h，通过过滤精度d不低于0.1mm的过滤器进行一级过滤，得到一级滤液和粒径为100～200μm的一级颗粒，将所得一级滤液搅拌4～8h通过过滤精度d不低于0.05mm的过滤器对其进行二级过滤，得到二级滤液和粒径为5～100μm二级颗粒；
步骤二、清洗干燥：合并步骤一所得一级颗粒和二级颗粒得到混合料，按混合料与纯水的质量比为1:2～1:4，用纯水对混合料进行浸泡并充分搅拌30～50min，然后用150型号的压滤机进行固液分离，得到固体滤渣送入酸洗池，按滤渣与盐酸水的质量体积比为1g:2mL～1g:4mL用浓度为1～5％的盐酸水溶液对滤渣进行浸泡并充分搅拌60min，然后用压滤机进行固液分离，得到的固体滤渣送入水洗池重复水洗至中性；将所得含有碳化硅与金刚石混合颗粒的物料200～300℃干燥处理8～12h，得到干燥的混合颗粒；
步骤三、制备胚料：按单晶硅粉料与所述混合颗粒的质量比为1:8～1:15向步骤二所得混合颗粒中加入单晶硅粉料，使其在1800～2000℃条件下与混合颗粒中的金刚石颗粒反应2～10h生成碳化硅，将所得混合物料放入树脂球磨罐球磨45～90min后过100～200目筛，得到粒径为50～200μm的胚料；本实施例所得胚料是干燥的颗粒，因此可以不进行造粒及陈腐；
步骤四、烧制陶瓷：步骤三所得胚料置于模具中于10～15MPa压力下液压成型，将成型后的胚料放入真空炉内烧制，具体烧制过程为以2～5℃/min升温至300℃并保温30min，再以3～5℃/min升温至1420～1800℃并保温10min，最后以5～8℃/min降温至1000℃再关闭电炉电源使其自然冷却至室温，得到碳化硅陶瓷。
实施例2
一种利用碳化硅晶体金刚线切割废液制备碳化硅陶瓷的方法，包括如下步骤：
步骤一、过滤处理：将碳化硅晶体金刚线切割废液充分搅拌4h，通过过滤精度d不低于0.1mm的过滤器进行一级过滤，得到一级滤液和粒径为100～200μm的一级颗粒，将所得一级滤液搅拌4h通过过滤精度d不低于0.05mm的过滤器对其进行二级过滤，得到二级滤液和粒径为5～100μm二级颗粒；
步骤二、清洗干燥：合并步骤一所得一级颗粒和二级颗粒得到混合料，按混合料与纯水的质量比为1:2，用纯水对混合料进行浸泡并充分搅拌30min，然后用150型号的压滤机进行固液分离，得到固体滤渣送入酸洗池，按滤渣与盐酸水的质量体积比为1g:2mL用浓度为1％的盐酸水溶液对滤渣进行浸泡并充分搅拌60min，然后用压滤机进行固液分离，得到的固体滤渣送入水洗池重复水洗至中性；将所得含有碳化硅与金刚石混合颗粒的物料200℃干燥处理8h，得到干燥的混合颗粒；
步骤三、制备胚料：按单晶硅粉料与所述混合颗粒的质量比为1:8向步骤二所得混合颗粒中加入单晶硅粉料，使其在1800℃条件下与混合颗粒中的金刚石颗粒反应2h生成碳化硅，将所得混合物料放入树脂球磨罐球磨45min后过100目筛，得到粒径为50～200μm的胚料；本实施例所得胚料是干燥的颗粒，因此可以不进行造粒及陈腐；
步骤四、烧制陶瓷：步骤三所得胚料置于模具中于10MPa压力下液压成型，将成型后的胚料放入真空炉内烧制，具体烧制过程为以2℃/min升温至300℃并保温30min，再以3℃/min升温至1420℃并保温10min，最后以5℃/min降温至1000℃再关闭电炉电源使其自然冷却至室温，得到碳化硅陶瓷。
实施例3
一种利用碳化硅晶体金刚线切割废液制备碳化硅陶瓷的方法，包括如下步骤：
步骤一、过滤处理：将碳化硅晶体金刚线切割废液充分搅拌5h，通过过滤精度d不低于0.1mm的过滤器进行一级过滤，得到一级滤液和粒径为100～200μm的一级颗粒，将所得一级滤液搅拌5h通过过滤精度d不低于0.05mm的过滤器对其进行二级过滤，得到二级滤液和粒径为5～100μm二级颗粒；
步骤二、清洗干燥：合并步骤一所得一级颗粒和二级颗粒得到混合料，按混合料与纯水的质量比为1:3，用纯水对混合料进行浸泡并充分搅拌35min，然后用150型号的压滤机进行固液分离，得到固体滤渣送入酸洗池，按滤渣与盐酸水的质量体积比为1g:3mL用浓度为2％的盐酸水溶液对滤渣进行浸泡并充分搅拌60min，然后用压滤机进行固液分离，得到的固体滤渣送入水洗池重复水洗至中性；将所得含有碳化硅与金刚石混合颗粒的物料300℃干燥处理9h，得到干燥的混合颗粒；
步骤三、制备胚料：按单晶硅粉料与所述混合颗粒的质量比为1:9向步骤二所得混合颗粒中加入单晶硅粉料，使其在1900℃条件下与混合颗粒中的金刚石颗粒反应4h生成碳化硅，将所得混合物料放入树脂球磨罐球磨50min后过200目筛，得到粒径为50～200μm的胚料；本实施例所得胚料是干燥的颗粒，因此可以不进行造粒及陈腐；
步骤四、烧制陶瓷：步骤三所得胚料置于模具中于12MPa压力下液压成型，将成型后的胚料放入真空炉内烧制，具体烧制过程为以3℃/min升温至300℃并保温30min，再以4℃/min升温至1500℃并保温10min，最后以6℃/min降温至1000℃再关闭电炉电源使其自然冷却至室温，得到碳化硅陶瓷。
实施例4
一种利用碳化硅晶体金刚线切割废液制备碳化硅陶瓷的方法，包括如下步骤：
步骤一、过滤处理：将碳化硅晶体金刚线切割废液充分搅拌6h，通过过滤精度d不低于0.1mm的过滤器进行一级过滤，得到一级滤液和粒径为100～200μm的一级颗粒，将所得一级滤液搅拌6h通过过滤精度d不低于0.05mm的过滤器对其进行二级过滤，得到二级滤液和粒径为5～100μm二级颗粒；
步骤二、清洗干燥：合并步骤一所得一级颗粒和二级颗粒得到混合料，按混合料与纯水的质量比为1:4，用纯水对混合料进行浸泡并充分搅拌40min，然后用150型号的压滤机进行固液分离，得到固体滤渣送入酸洗池，按滤渣与盐酸水的质量体积比为1g:4mL用浓度为3％的盐酸水溶液对滤渣进行浸泡并充分搅拌60min，然后用压滤机进行固液分离，得到的固体滤渣送入水洗池重复水洗至中性；将所得含有碳化硅与金刚石混合颗粒的物料200℃干燥处理10h，得到干燥的混合颗粒；
步骤三、制备胚料：按单晶硅粉料与所述混合颗粒的质量比为1:10向步骤二所得混合颗粒中加入单晶硅粉料，使其在2000℃条件下与混合颗粒中的金刚石颗粒反应6h生成碳化硅，将所得混合物料放入树脂球磨罐球磨55min后过100目筛，得到粒径为50～200μm的胚料；本实施例所得胚料是干燥的颗粒，因此可以不进行造粒及陈腐；
步骤四、烧制陶瓷：步骤三所得胚料置于模具中于14MPa压力下液压成型，将成型后的胚料放入真空炉内烧制，具体烧制过程为以4℃/min升温至300℃并保温30min，再以5℃/min升温至15500℃并保温10min，最后以7℃/min降温至1000℃再关闭电炉电源使其自然冷却至室温，得到碳化硅陶瓷。
实施例5
一种利用碳化硅晶体金刚线切割废液制备碳化硅陶瓷的方法，包括如下步骤：
步骤一、过滤处理：将碳化硅晶体金刚线切割废液充分搅拌7h，通过过滤精度d不低于0.1mm的过滤器进行一级过滤，得到一级滤液和粒径为100～200μm的一级颗粒，将所得一级滤液搅拌7h通过过滤精度d不低于0.05mm的过滤器对其进行二级过滤，得到二级滤液和粒径为5～100μm二级颗粒；
步骤二、清洗干燥：合并步骤一所得一级颗粒和二级颗粒得到混合料，按混合料与纯水的质量比为1:2，用纯水对混合料进行浸泡并充分搅拌45min，然后用150型号的压滤机进行固液分离，得到固体滤渣送入酸洗池，按滤渣与盐酸水的质量体积比为1g:2mL用浓度为4％的盐酸水溶液对滤渣进行浸泡并充分搅拌60min，然后用压滤机进行固液分离，得到的固体滤渣送入水洗池重复水洗至中性；将所得含有碳化硅与金刚石混合颗粒的物料300℃干燥处理11h，得到干燥的混合颗粒；
步骤三、制备胚料：按单晶硅粉料与所述混合颗粒的质量比为1:11向步骤二所得混合颗粒中加入单晶硅粉料，使其在1800℃条件下与混合颗粒中的金刚石颗粒反应5h生成碳化硅，将所得混合物料放入树脂球磨罐球磨60min后过200目筛，得到粒径为50～200μm的胚料；本实施例所得胚料是干燥的颗粒，因此可以不进行造粒及陈腐；
步骤四、烧制陶瓷：步骤三所得胚料置于模具中于15MPa压力下液压成型，将成型后的胚料放入真空炉内烧制，具体烧制过程为以5℃/min升温至300℃并保温30min，再以3℃/min升温至1600℃并保温10min，最后以8℃/min降温至1000℃再关闭电炉电源使其自然冷却至室温，得到碳化硅陶瓷。
实施例6
一种利用碳化硅晶体金刚线切割废液制备碳化硅陶瓷的方法，包括如下步骤：
步骤一、过滤处理：将碳化硅晶体金刚线切割废液充分搅拌8h，通过过滤精度d不低于0.1mm的过滤器进行一级过滤，得到一级滤液和粒径为100～200μm的一级颗粒，将所得一级滤液搅拌8h通过过滤精度d不低于0.05mm的过滤器对其进行二级过滤，得到二级滤液和粒径为5～100μm二级颗粒；
步骤二、清洗干燥：合并步骤一所得一级颗粒和二级颗粒得到混合料，按混合料与纯水的质量比为1:3，用纯水对混合料进行浸泡并充分搅拌50min，然后用150型号的压滤机进行固液分离，得到固体滤渣送入酸洗池，按滤渣与盐酸水的质量体积比为1g:3mL用浓度为5％的盐酸水溶液对滤渣进行浸泡并充分搅拌60min，然后用压滤机进行固液分离，得到的固体滤渣送入水洗池重复水洗至中性；将所得含有碳化硅与金刚石混合颗粒的物料200℃干燥处理12h，得到干燥的混合颗粒；
步骤三、制备胚料：按单晶硅粉料与所述混合颗粒的质量比为1:12向步骤二所得混合颗粒中加入单晶硅粉料，使其在1900℃条件下与混合颗粒中的金刚石颗粒反应7h生成碳化硅，将所得混合物料放入树脂球磨罐球磨70min后过200目筛，得到粒径为50～200μm的胚料；本实施例所得胚料是干燥的颗粒，因此可以不进行造粒及陈腐；
步骤四、烧制陶瓷：步骤三所得胚料置于模具中于12MPa压力下液压成型，将成型后的胚料放入真空炉内烧制，具体烧制过程为以2℃/min升温至300℃并保温30min，再以4℃/min升温至1650℃并保温10min，最后以5℃/min降温至1000℃再关闭电炉电源使其自然冷却至室温，得到碳化硅陶瓷。
实施例7
一种利用碳化硅晶体金刚线切割废液制备碳化硅陶瓷的方法，包括如下步骤：
步骤一、过滤处理：将碳化硅晶体金刚线切割废液充分搅拌4h，通过过滤精度d不低于0.1mm的过滤器进行一级过滤，得到一级滤液和粒径为100～200μm的一级颗粒，将所得一级滤液搅拌4h通过过滤精度d不低于0.05mm的过滤器对其进行二级过滤，得到二级滤液和粒径为5～100μm二级颗粒；
步骤二、清洗干燥：合并步骤一所得一级颗粒和二级颗粒得到混合料，按混合料与纯水的质量比为1:4，用纯水对混合料进行浸泡并充分搅拌30min，然后用150型号的压滤机进行固液分离，得到固体滤渣送入酸洗池，按滤渣与盐酸水的质量体积比为1g:4mL用浓度为1％的盐酸水溶液对滤渣进行浸泡并充分搅拌60min，然后用压滤机进行固液分离，得到的固体滤渣送入水洗池重复水洗至中性；将所得含有碳化硅与金刚石混合颗粒的物料300℃干燥处理8h，得到干燥的混合颗粒；
步骤三、制备胚料：按单晶硅粉料与所述混合颗粒的质量比为1:14向步骤二所得混合颗粒中加入单晶硅粉料，使其在2000℃条件下与混合颗粒中的金刚石颗粒反应8h生成碳化硅，将所得混合物料放入树脂球磨罐球磨80min后过200目筛，得到粒径为50～200μm的胚料；本实施例所得胚料是干燥的颗粒，因此可以不进行造粒及陈腐；
步骤四、烧制陶瓷：步骤三所得胚料置于模具中于10MPa压力下液压成型，将成型后的胚料放入真空炉内烧制，具体烧制过程为以3℃/min升温至300℃并保温30min，再以5℃/min升温至1700℃并保温10min，最后以6℃/min降温至1000℃再关闭电炉电源使其自然冷却至室温，得到碳化硅陶瓷。
实施例8
一种利用碳化硅晶体金刚线切割废液制备碳化硅陶瓷的方法，包括如下步骤：
步骤一、过滤处理：将碳化硅晶体金刚线切割废液充分搅拌8h，通过过滤精度d不低于0.1mm的过滤器进行一级过滤，得到一级滤液和粒径为100～200μm的一级颗粒，将所得一级滤液搅拌8h通过过滤精度d不低于0.05mm的过滤器对其进行二级过滤，得到二级滤液和粒径为5～100μm二级颗粒；
步骤二、清洗干燥：合并步骤一所得一级颗粒和二级颗粒得到混合料，按混合料与纯水的质量比为1:2，用纯水对混合料进行浸泡并充分搅拌50min，然后用150型号的压滤机进行固液分离，得到固体滤渣送入酸洗池，按滤渣与盐酸水的质量体积比为1g:2mL用浓度为5％的盐酸水溶液对滤渣进行浸泡并充分搅拌60min，然后用压滤机进行固液分离，得到的固体滤渣送入水洗池重复水洗至中性；将所得含有碳化硅与金刚石混合颗粒的物料200℃干燥处理12h，得到干燥的混合颗粒；
步骤三、制备胚料：按单晶硅粉料与所述混合颗粒的质量比为1:15向步骤二所得混合颗粒中加入单晶硅粉料，使其在2000℃条件下与混合颗粒中的金刚石颗粒反应3h生成碳化硅，将所得混合物料放入树脂球磨罐球磨90min后过100目筛，得到粒径为50～200μm的胚料；本实施例所得胚料是干燥的颗粒，因此可以不进行造粒及陈腐；
步骤四、烧制陶瓷：步骤三所得胚料置于模具中于15MPa压力下液压成型，将成型后的胚料放入真空炉内烧制，具体烧制过程为以5℃/min升温至300℃并保温30min，再以3℃/min升温至1800℃并保温10min，最后以8℃/min降温至1000℃再关闭电炉电源使其自然冷却至室温，得到碳化硅陶瓷。
通过本发明方法得到的碳化硅陶瓷致密度为97％以上，维氏硬度为20～25GPa，抗弯强度为800～1000MPa，断裂韧性为6～12MPa·m1/2，具有较好的密实度和机械性能。

Claims (10)

1.一种利用碳化硅晶体金刚线切割废液制备碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、过滤处理：将废液通过一级过滤得到一级滤液和一级颗粒，将所得一级滤液通过二级过滤得到二级滤液和二级颗粒；
步骤二、清洗干燥：合并步骤一所得一级颗粒和二级颗粒得到混合料，用纯水对混合料进行浸泡并充分搅拌，然后用压滤机进行固液分离，得到固体滤渣送入酸洗池，用盐酸水溶液对滤渣进行浸泡并充分搅拌，然后用压滤机进行固液分离，得到的固体滤渣送入水洗池重复水洗至中性；将所得含有碳化硅与金刚石混合颗粒的物料干燥处理，得到干燥的混合颗粒；
步骤三、制备胚料：向步骤二所得混合颗粒中加入单晶硅粉料，使其在加热条件下与混合颗粒中的金刚石颗粒反应生成碳化硅，将所得混合物料球磨后过筛，得到胚料；
步骤四、烧制陶瓷：步骤三所得胚料置于模具中液压成型，烧制所得成型胚料得到碳化硅陶瓷。
2.根据权利要求1所述一种利用碳化硅晶体金刚线切割废液制备碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，步骤一所述一级过滤是将碳化硅晶体金刚线切割废液充分搅拌4～8h后，利用过滤精度d不低于0.1mm的过滤器对其进行分离；所述一级颗粒的粒径为100～200μm。
3.根据权利要求1或3所述一种利用碳化硅晶体金刚线切割废液制备碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，步骤一所述二级过滤是将所得一级滤液搅拌4～8h，利用过滤精度d不低于0.05mm的过滤器对其进行分离；所述二级颗粒的粒径为5～100μm。
4.根据权利要求3所述一种利用碳化硅晶体金刚线切割废液制备碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，步骤二所述混合料与纯水的质量比为1:2～1:4，所述纯水对混合颗粒进行浸泡并充分搅拌的处理时间为30～50min。
5.根据权利要求4所述一种利用碳化硅晶体金刚线切割废液制备碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，步骤二所述滤渣与盐酸水的质量体积比为1g:2mL～1g:4mL；所述盐酸水溶液的浓度为1～5％；所述盐酸水溶液对滤渣进行浸泡并充分搅拌的处理时间为60min。
6.根据权利要求5所述一种利用碳化硅晶体金刚线切割废液制备碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，步骤二所述干燥处理的温度为200～300℃，干燥处理的时间为8～12h。
7.根据权利要求6所述一种利用碳化硅晶体金刚线切割废液制备碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，步骤三所述单晶硅粉料与所述混合颗粒的质量比为1:8～1:15；所述加热条件为1800～2000℃，所述单晶硅粉料与混合颗粒中的金刚石反应的时间为2～10h。
8.根据权利要求7所述一种利用碳化硅晶体金刚线切割废液制备碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，步骤三所述球磨的时间为45～90min，所述过筛为100～200目筛网得到粒径为50～200μm的胚料。
9.根据权利要求8所述一种利用碳化硅晶体金刚线切割废液制备碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，步骤四所述液压成型的压力为10～15Mpa。
10.根据权利要求9所述一种利用碳化硅晶体金刚线切割废液制备碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，步骤四所述烧制的具体过程为以2～5℃/min升温至300℃并保温30min，再以3～5℃/min升温至1420～1800℃并保温10min，最后以5～8℃/min降温至1000℃再关闭电炉电源使其自然冷却至室温。
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