CN112802878A - 一种显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种显示面板和显示装置。显示面板包括衬底基板、驱动单元和发光元件；驱动单元包括第一晶体管，第一晶体管包括第一源极和第一漏极，第一源极和第一漏极均位于发光元件的靠近衬底基板的一侧；发光元件包括依次堆叠的第一电极、发光层和第二电极，第一电极通过第一过孔与第一漏极连接，第一漏极位于第一源极的靠近衬底基板的一侧；其中，第一漏极的材料与第一源极的材料不同。本发明能够避免第一漏极被过度刻蚀，确保第一电极和第一漏极之间的电连接性能，提升显示面板性能可靠性。

Description

一种显示面板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
在现有的显示面板为多膜层堆叠结构，在多膜层结构中包括多个导电层以及用于位于相邻导电层之间的绝缘层，其中，导电层用于设置电极、走线等元器件。当分别位于两个导电层中的两个导电结构需要电连接时，则需要在该两个导电层之间的绝缘层上制作开孔。而现有技术中，位于不同层的两个导电结构过孔连接时，存在位于下方的导电结构被过度刻蚀而导致两个导电结构电连接不良的问题。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板和显示装置，以解决现有技术中，位于不同层的两个导电结构过孔连接时，位于下方的导电结构被过度刻蚀而导致两个导电结构电连接不良的问题。
第一方面，本发明实施例提供一种显示面板，显示面板包括衬底基板、驱动单元、和发光元件；
驱动单元包括第一晶体管，第一晶体管包括第一源极和第一漏极，第一源极和第一漏极均位于发光元件的靠近衬底基板的一侧；
发光元件包括依次堆叠的第一电极、发光层和第二电极，其中，第一电极通过第一过孔与第一漏极连接，第一漏极位于第一源极的靠近衬底基板的一侧；
其中，第一漏极的材料与第一源极的材料不同。
第二方面，本发明实施例提供一种显示装置，包括本发明任意实施例提供的显示面板。
本发明实施例提供的显示面板和显示装置，具有如下有益效果：本发明实施例提供的显示面板中，发光元件位于第一晶体管的远离衬底基板的一侧，发光元件的第一电极通过绝缘层的过孔与第一漏极电连接。设置第一漏极的制作材料与第一源极的制作材料不同，当在第一电极和第一漏极之间设置有金属层时，为了实现第一电极与第一漏极之间的电连接，在对金属层进行刻蚀开孔工艺时，不会导致第一漏极被过度刻蚀，从而能够确保第一电极和第一漏极之间的电连接性能，提升显示面板性能可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为相关技术中一种显示面板的截面示意图；
图2为本发明实施例提供的一种显示面板的截面示意图；
图3为本发明实施例提供的显示面板中驱动单元的一种结构示意图；
图4为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图；
图5为图4实施例提供的显示面板的一种制作方法流程图；
图6为本发明实施例提供的另一种显示面的截面示意图；
图7为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图；
图8为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图；
图9为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图；
图10为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图11为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图12为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图13为相关技术中的另一种显示面板的截面示意图；
图14为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图；
图15为本发明实施例提供的显示面板中遮光层的一种俯视示意图；
图16为本发明实施例提供的显示面板的一种俯视示意图；
图17为本发明实施例提供的显示装置示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
图1为相关技术中一种显示面板的截面示意图，如图1所示，显示面板包括基板1，位于基板1之上的源极2、漏极3以及发光元件4的第一电极5，其中，源极2和漏极3位于同一层，第一电极5通过绝缘层(图中未标示)的过孔6与漏极3电连接。在漏极3和第一电极5之间还设置有金属层7，为了实现第一电极5与漏极3之间的电连接，也需要对金属层7制作开孔8。在相关技术的显示面板中晶体管的源极2和漏极3采用同层同材料制作，而且当在晶体管之上需要再制作金属层7时，为了制作工艺简单，也会选择采用与源极2和漏极3相同的材料来制作金属层7。由于金属层7的制作材料与源极2和漏极3的制作材料相同，则在对金属层7进行刻蚀形成开孔8的工艺中，会导致漏极3被过度刻蚀，从而影响了第一电极5与漏极3的接触性能，导致电连接不良，而影响显示面板性能可靠性。
基于相关技术中存在的技术问题，本发明实施例提供一种显示面板，通过设置第一晶体管中第一漏极的制作材料和第一源极的制作材料不同，以避免在对第一电极和第一漏极之间的金属层进行刻蚀时导致第一漏极被过度刻蚀，从而确保第一电极和第一漏极之间的电连接性能。
图2为本发明实施例提供的一种显示面板的截面示意图，图3为本发明实施例提供的显示面板中驱动单元的一种结构示意图。如图2所示，显示面板包括衬底基板10、驱动单元20和发光元件30；驱动单元20包括第一晶体管T1，第一晶体管T1包括第一源极s1和第一漏极d1，第一源极s1和第一漏极d1均位于发光元件30的靠近衬底基板10的一侧。图2中还示意出了第一晶体管T1中的第一栅极g1和第一有源层w1，图2中仅以第一栅极g1位于第一有源层w1的远离衬底基板10的一侧进行示意。第一源极s1与第一漏极d1均分别连接到第一有源层w1。图2中，第一漏极d1所在的膜层位置、以及第一漏极d1与第一有源层w1的连接方式仅做示意性表示。在下述具体实施例中，将对第一漏极d1所在的膜层位置、以及第一漏极d1与第一有源层w1的连接方式做详细的举例说明。
发光元件30包括依次堆叠的第一电极31、发光层32和第二电极33，其中，第一电极31通过第一过孔41与第一漏极d1连接，第一漏极d1位于第一源极s1的靠近衬底基板10的一侧。具体的，在一种实施例中，第一电极31为阳极，第二电极33为阴极。本发明实施例中，第一漏极d1的材料与第一源极s1的材料不同。也即，第一漏极d1与第一源极s1在不同的工艺制程中制作，第一漏极d1与第一源极s1位于不同层。
其中，驱动单元20用于驱动发光元件30发光，图2中仅做简化示意。图3示意了一种驱动单元的结构，驱动单元包括7个晶体管和1个存储电容C，其中，晶体管M1为驱动晶体管，其余晶体管(M2至M7)均为开关晶体管，图3中还示意出了正极电源电压端PVDD、负极电源电压端PVEE、数据电压端Vdata、第一扫描电压端S1、第二扫描电压端S2、复位电源端Vref、以及发光控制端Emit。在该种驱动单元的结构中，发光元件30的第一电极与晶体管M6的漏极电连接，发光元件30的第二电极连接到负极电源电压端PVEE。正极电源电压端PVDD提供正极电源电压信号，负极电源电压端PVEE提供负极电源电压信号。
本发明实施例提供的显示面板中，发光元件位于第一晶体管的远离衬底基板的一侧，发光元件的第一电极通过绝缘层的过孔与第一漏极电连接。设置第一漏极的制作材料与第一源极的制作材料不同，当在第一电极和第一漏极之间设置有金属层时，为了实现第一电极与第一漏极之间的电连接，在对金属层进行刻蚀开孔工艺时，不会导致第一漏极被过度刻蚀，从而能够确保第一电极和第一漏极之间的电连接性能，提升显示面板性能可靠性。
具体的，在一种实施例中，图4为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图，图5为图4实施例提供的显示面板的一种制作方法流程图。
如图4所示，显示面板还包括遮光层50，遮光层50采用金属材料制作，遮光层50位于第一漏极d1和第一电极31之间，遮光层50的制作材料与第一漏极d1的制作材料不同，遮光层50包括第一开孔51，第一过孔41在衬底基板10的正投影位于第一开孔51在衬底基板10的正投影内。遮光层50包括第一开孔51，则第一过孔41由第一开孔51穿透遮光层50所在的膜层，以保证第一电极31和第一漏极d1过孔连接时与遮光层50相互绝缘。
图4中还示意出了第一晶体管T1包括第二漏极d2，第一漏极d1通过第二漏极d2与第一有源层w1连接，且第一漏极d1与第二漏极d2通过第二过孔42相连接。在第一漏极d1和第二漏极d2之间设置有第一绝缘层61，第二过孔42贯穿第一绝缘层61。在第二漏极d2与遮光层50之间设置有第二绝缘层62，在遮光层50和第一电极31之间设置第三绝缘层63，其中，第一过孔41贯穿第三绝缘层63、第二绝缘层62以及第一绝缘层61。
图5中仅示意出了显示面板中部分膜层结构的制作方法，如图5所示，首先在衬底基板10上制作第一晶体管T1，其中，为了实现第一电极31与第一漏极d1之间的电连接，在第一绝缘层61上预留有暴露第一漏极d1的开孔41-1；然后在第一晶体管T1之上制作第二绝缘层62，第二绝缘层62包括与开孔41-1对应的开孔41-2，开孔41-1和开孔41-2交叠共同暴露第一漏极d1；然后在第二绝缘层62之上制作整面遮光层50，则在开孔41-1和开孔41-2交叠的位置也会填充有遮光层材料；对遮光层50进行刻蚀形成第一开孔51，第一开孔51与开孔41-1和开孔41-2相对应，共同暴露第一漏极d1；然后在遮光层50之上制作第三绝缘层63，第三绝缘层包括开孔41-3；然后再在第三绝缘层63之上依次制作发光元件的第一电极31、发光层32和第二电极33，其中，第一电极31通过贯穿第三绝缘层63、第二绝缘层62以及第一绝缘层61的开孔与第一漏极d1电连接。本发明实施例中，设置第一漏极d1的制作材料与遮光层50的制作材料不同，则在对遮光层50进行刻蚀时，刻蚀液对第一漏极d1的影响较小，不会导致第一漏极d1被过度刻蚀。本发明实施例设置第一漏极的制作材料和第一源极的制作材料不同，具体的，第一源极的制作材料包括钛和铝。当第一漏极与存储电容的第二电极板位于同一层时，第一漏极的制作材料包括钼；当第一漏极与第一晶体管的第一栅极位于同一层时，第一漏极的制作材料包括钼；当第一漏极与第一晶体管的第一有源层位于同一层时，第一漏极的制作材料包括硅；当第一漏极与第二晶体管的第二有源层位于同一层时，第一漏极的制作材料包括氧化物半导体。对于第一漏极的具体设置位置将在下述实施例中进行详细说明。当在第一电极和第一漏极之间设置有金属层(比如遮光层)时，金属层通常与第一源极采用相同材料制作，为了实现第一电极与第一漏极之间的电连接，需要对金属层进行刻蚀形成开孔，本发明实施例中通过设置第一漏极的制作材料与第一源极的制作材料不同，则第一漏极与金属层的制作材料不同，则在对金属层进行刻蚀开孔工艺时，不会导致第一漏极被过度刻蚀。
另外，需要说明的是，在显示面板制作工艺中，晶体管器件中的源极、漏极、栅极、以及一些其他的金属结构都采用湿刻工艺制作。湿刻工艺是通过对象材料与刻蚀液之间的化学反应，使对象材料腐蚀去除的过程。也就是说湿刻工艺中，需要刻蚀液与待刻蚀材料发生化学反应，而不同的金属材料化学性质不同，为了保证湿刻工艺的刻蚀效率，与特定某种金属材料具有反应活性的刻蚀液并不能适用于对所有的金属材料进行刻蚀。对金属材料进行刻蚀的刻蚀液也不能适用于对半导体材料(比如硅或者氧化物半导体)进行刻蚀。也就是说，能够腐蚀第一源极的制作材料的刻蚀液对第一漏极的腐蚀性能较差，则在对第一漏极与第一电极之间的金属层采用刻蚀液进行刻蚀形成开孔时，刻蚀液对第一漏极的影响较小，不会导致第一漏极被过度刻蚀。
图4实施例中的遮光层50用做显示面板中的功能层，比如在遮光层50上制作用于指纹成像的成像孔，以实现在屏下指纹识别方案的应用。遮光层50采用金属材料制作，可以将遮光层50接入电位，以降低显示面板中部分功能结构的压降，降低功耗损失。对于遮光层50的介绍将在具体实施例中进行说明。下面首先对本发明实施例中第一漏极所在的膜层位置、以及第一漏极与第一有源层的连接方式进行说明。
在一些实施方式中，第一晶体管还包括第二漏极和第一有源层，第一漏极通过第二漏极与第一有源层连接；其中，第一漏极与第二漏极通过第二过孔相连接。如上述图4示意的，第二漏极d2位于第一漏极d1的远离衬底基板10的一侧，通过设置第二漏极d2实现第一漏极d1与第一有源层w1之间的连接，且第一漏极d1的制作材料与第一源极s1的制作材料不同，实现在对第一电极和第一漏极之间设置有金属层进行刻蚀开孔工艺时，避免第一漏极被过度刻蚀，从而能够确保第一电极和第一漏极之间的电连接性能。
在一种实施例中，图6为本发明实施例提供的另一种显示面的截面示意图。如图6所示，第二漏极d2位于第一漏极d1的远离衬底基板10的一侧，第一漏极d1通过第二漏极d2与第一有源层w1连接，其中，第二漏极d2与第一源极s1位于同一层，第二漏极d2通过第三过孔43与第一有源层w1相连接。图中还示意出，驱动单元20还包括存储电容C，存储电容C包括第一电极板71和第二电极板72，第一电极板71与第一晶体管T1的第一栅极g1位于同一层，也即第一电极板71与第一栅极g1在同一个工艺制程中制作完成。第二电极板72位于第一栅极g1与第一源极s1之间。显示面板还包括电源结构80，电源结构80与第一源极s1位于同一层。可选的，电源结构80为正极电源结构，则电源结构80为驱动电源20提供正极电源电压端，具体的，可结合上述图3示意的结构图进行理解，存储电容C的第二电极板72连接到电源结构80，通过电源结构80向第二电极板72提供电压信号。存储电容C的第一电极板71连接到第一节点N1。
该实施方式中，第一漏极的制作材料与第一源极的制作材料不同，实现在对第一电极和第一漏极之间设置有金属层进行刻蚀开孔工艺时，避免第一漏极被过度刻蚀，从而能够确保第一电极和第一漏极之间的电连接性能；同时设置第一漏极通过第二漏极连接到第一有缘层，且第二漏极与第一源极位于同一层，则第二漏极连接到第一有源层的第三过孔能够与第一源极连接到第一有源层的过孔在相同的工艺制程中制作，能够简化工艺制程。
继续参考图6中示意的，第一漏极d1与第二电极板72位于同一层。第一漏极d1与第二电极板72在同一个工艺制程中制作，第一漏极d1的设计不增加额外的工艺制程，不会增加显示面板的厚度。如图6中示意的结构，在衬底基板10之上的导电层依次包括：第一有源层w1所在膜层、第一栅极g1所在膜层、第二电极板72所在膜层、遮光层50；然后在遮光层50之上设置发光元件30。其中，第二电极板72所在的膜层为除第一源极s1所在膜层之外距第一电极31距离最近的膜层，设置第一漏极d1与第二电极板72位于同一层，实现将第一漏极d1与第一源极s1设置在不同层，且能够减小第一过孔41的过孔深度，提升第一电极31与第一漏极d1过孔连接的良率；另外，第一过孔41的过孔深度较小，也能够减小第一过孔41的面积，从而能够相应的减小遮光层50上的第一开孔51的面积，对于遮光层50应用在屏下指纹识别方案中时，能减小第一开孔51的漏光，提升指纹识别的准确度。
在另一种实施例中，图7为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图。如图7所示，第二漏极d2位于第一漏极d1的远离衬底基板10的一侧，第一漏极d1通过第二漏极d2与第一有源层w1连接。驱动单元20还包括存储电容C，存储电容C包括第一电极板71和第二电极板72，第一电极板71与第一晶体管T1的第一栅极g1位于同一层，第二电极板72位于第一栅极g1与第一源极s1之间。其中，第一漏极d1与第一栅极g1位于同一层。该实施方式中，第一漏极与第一栅极能够在同一工艺制程中制作，第一漏极d1的设计不增加额外的工艺制程，不会增加显示面板的厚度。并且能够实现在对第一电极和第一漏极之间设置有金属层进行刻蚀开孔工艺时，避免第一漏极被过度刻蚀，确保第一电极和第一漏极之间的电连接性能。
在另一种实施例中，第二漏极位于第一漏极的远离衬底基板的一侧，第一漏极通过第二漏极连接到第一有源层，其中，第一漏极与第一栅极位于同一层，第二漏极与存储电容的第二电极板位于同一层。在此不再附图示意。
在一些实施方式中，第一漏极通过第二漏极与第一有源层连接，第二漏极位于第一漏极的靠近衬底基板的一侧。其中，第二漏极相当于第一漏极与第一有源层之间的连接电极。当在垂直于显示面板方向上，第二漏极位于第一漏极和第一有源层之间，第二漏极的设置能够减小过孔连接时的过孔深度，能够保证第一漏极与第二漏极过孔连接的可靠性，以及第二漏极与第一有源层过孔连接的可靠性。在实际中，基于本发明设计构思，可以根据驱动单元的具体结构，对第一漏极以及第二漏极所在的膜层位置进行合理设计。
具体的，在一种实施例中，图8为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图。如图8所示，第一漏极d1通过第二漏极d2与第一有源层w1连接，第二漏极d2位于第一漏极d1的靠近衬底基板10的一侧。第一晶体管T1包括第一栅极g1，第一栅极g1位于第一源极s1的靠近第一有源层w1的一侧；驱动单元包括存储电容C，存储电容C包括第一电极板71和第二电极板72，第一电极板71与第一晶体管T1的第一栅极g1位于同一层，第二电极板72位于第一栅极g1与第一源极s1之间。其中，第一漏极d1与第二电极板72位于同一层；第二漏极d2与第一栅极g1位于同一层。
在一些实施方式中，第一漏极通过过孔与第一有源层直接连接。具体的，图9为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图。如图9所示，第一栅极g1位于第一源极s1的靠近衬底基板10的一侧，第一有源层w1位于第一栅极g1和衬底基板10之间，第一漏极d1通过第四过孔44与第一有源层w1连接。存储电容C包括第一电极板71和第二电极板72，第一电极板71与第一栅极g1位于同一层，第二电极板72位于第一栅极g1和第一源极s1之间；其中，第一漏极d1与第二电极板72位于同一层。该实施方式中，第一漏极通过过孔与第一有源层直接连接，也就是说，在第一漏极和第一有源层之间不需要设置其他的转接结构，能够减少显示面板中的过孔数量，节省显示面板的布线空间。
在另一种实施例中，第一漏极与第一栅极位于同一层，且第一漏极通过第四过孔与第一有源层连接，在此不再附图示意。
在一些实施方式中，驱动单元包括第一晶体管和第二晶体管，其中，第一晶体管的第一有源层包含硅，第二晶体管的第二有源层包含氧化物半导体。以上述图3示意的驱动单元的结构为例，晶体管M3为节点复位晶体管，晶体管M3的漏极与第一节点N1电连接。晶体管M7为阈值补偿晶体管，晶体管M7的漏极也与第一节点N1电连接。具体的，在一种实施例中，节点复位晶体管和阈值补偿晶体管均为第二晶体管，驱动单元中其他晶体管均为第一晶体管。第二晶体管的第二有源层包含氧化物半导体，其在关态下漏流相对较低，能够减小向第一节点N1漏流，在驱动单元工作在发光阶段时，能够有利于稳定第一节点N1的电位。第一晶体管的第一有源层包含硅，能够保证第一晶体管具有较快的开关速度，确保驱动单元的响应时间。
上述图2至图9实施例提供的方案均可以应用在同时包括第一晶体管和第二晶体管的显示面板中，以图2实施例示意的第一漏极的结构为例。图10为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，如图10所示，第一晶体管T1包括第一有源层w1，第一有源层w1包含硅；第二晶体管T2包括第二有源层w2，第二有源层w2包含氧化物半导体，第二有源层w2位于第一有源层w1的远离衬底基板10的一侧。图中还示意出了第二晶体管T2中的第二栅极g2、第二源极s2、以及第三漏极d3。在驱动单元包括第一晶体管和第二晶体管的显示面板中，发光元件的第一电极与第一晶体管的第一漏极连接，该实施方式中，设置第一漏极的制作材料与第一源极的制作材料不同，当在第一电极和第一漏极之间设置有金属层时，在对金属层进行刻蚀开孔工艺时，不会导致第一漏极被过度刻蚀，从而能够确保第一电极和第一漏极之间的电连接性能，提升显示面板性能可靠性。
在另一种实施例中，图11为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，如图11所示，驱动单元还包括第二晶体管T2，第二晶体管T2包括第二源极s2、第三漏极d3、第二栅极g2和第二有源层w2；第二有源层w2包含氧化物半导体，第二有源层w2位于第一有源层w1的远离衬底基板10的一侧，第二源极s2和第三漏极d3与第一源极s1位于同一层，第二栅极g2位于第二有源层w2和第二源极s2之间，其中，第一漏极d1与第二栅极g2位于同一层。
在另一种实施例中，图12为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，如图12所示，驱动单元包括第一晶体管T1和第二晶体管T2，第一晶体管T1的第一漏极d1与第二晶体管T2的第二有源层w2位于同一层。图12中示意，第一漏极d1与第二有源层w2位于同一层。
图11中示意第一晶体管T1的第一漏极d1与第二晶体管T2的第二栅极g2位于同一层，图12中示意第一晶体管T1的第一漏极d1与第二晶体管T2的第二有源层w2位于同一层。图11和图12实施例中均以第一漏极d1通过第二漏极d2与第一有源层w1连接，且第二漏极d2位于第一漏极d1的远离衬底基板10的一侧进行示意。在一些实施方式中，应用在上述图11和图12实施例中，第二漏极也可以位于第一有源层和第一漏极之间，第一漏极通过第二漏极与第一有源层连接。在另一些实施方式中，应用在上述图11和图12实施例中，第一漏极通过过孔与第一有源层直接连接。对于第一漏极与第一有源层实现连接的方式，均可以参考上述图2至图9实施例进行理解，在此不再赘述。
另外，图12中示意第二栅极g2位于第二有源层w2和第一有源层w1之间。在另一种实施例中，第二晶体管包括第二栅极和第三栅极，其中，第二栅极位于第二有源层的远离衬底基板的一侧，第三栅极位于第二有源层和第一有源层之间，在该实施例中，第一漏极可以与第二栅极位于同一层，或者第一漏极与第二有源层位于同一层。在此不再附图示意。
另外，图11和图12实施例中还示意出了位于第一晶体管T1和发光元件30之间的遮光层50，为了实现第一电极31与第一漏极d1之间的连接，第一过孔41需要穿透遮光层50所在膜层，在对遮光层50进行刻蚀时，刻蚀液不会导致第一漏极被过度刻蚀，从而能够确保第一电极和第一漏极之间的电连接性能，提升显示面板性能可靠性。
下面对本发明中包括遮光层的实施例进行详细的说明。
图13为相关技术中的另一种显示面板的截面示意图，如图13所示，在漏极3和发光元件4之间设置有金属层7，在第一电极5和漏极3之间设置了连接金属9，且连接金属9与金属层7位于同一层，则第一电极5通过连接金属9与漏极3连接。在制作时，首先制作涂布金属层7，然后对金属层7进行刻蚀形成开孔8以及连接金属9，连接金属9位于开孔8内，且连接金属8与漏极3接触。对金属层7进行刻蚀时，刻蚀液不会与漏极3接触，则不会导致漏极3被过度刻蚀。但该种方案中，由于连接金属9位于开孔8内，为了保证连接金属9与第一电极5的接触性能，连接金属9具有一定的面积，并且需要保证连接金属9与金属层7相互绝缘，则开孔8的面积会制作的相对较大。当第一电极5的面积大小固定时，第一电极5的边缘与开孔8的边缘之间的距离(图中示意的距离D)变小，则会导致具有一定倾斜角度的光线(图中虚线示意)会穿过开孔8射向下方，也即会增大开孔8位置处漏光。而在显示面板中，各个发光元件4的第一电极5之间相互绝缘，第一电极5的面积有限，不能通过增大第一电极5的面积的方式来减小开孔8位置处的漏光。
而本发明实施例中，参考上述图4中示意的，遮光层50位于第一漏极d1和第一电极31之间，遮光层50的制作材料与第一漏极d1的制作材料不同，遮光层50包括第一开孔51，第一过孔41在衬底基板10的正投影位于第一开孔51在衬底基板10的正投影内。通过设置第一漏极d1的制作材料与遮光层50的制作材料不同，在对遮光层50进行刻蚀形成第一开孔51时，刻蚀液不会导致第一漏极d1被过度刻蚀，从而能够保证第一电极31与第一漏极d1之间的连接性能。而且不需要在遮光层50制作连接金属，则不会增大第一开孔51的面积，不会影响第一开孔51位置处的漏光。
在一种实施例中，遮光层包括多个成像孔，成像孔能够应用于光学成像系统中。图14为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图，图15为本发明实施例提供的显示面板中遮光层的一种俯视示意图。如图14和图15所示的，遮光层50还包括多个成像孔52，成像孔52在遮光层50的厚度方向上贯穿遮光层50，成像孔52在衬底基板10的正投影位于相邻的两个发光元件30在衬底基板10的正投影之间。图15中成像孔52的排布方式仅做示意性表示，图15中还示意出了发光元件在遮光层50的正投影30Y(用虚线表示，形状仅作表示)。显示面板还包括感光模组90，感光模组90位于成像孔52的远离发光元件30的一侧；在垂直与显示面板方向上，成像孔52与感光模组90交叠。其中，感光模组90包括多个感光器件。在指纹识别阶段，经用户手指反射的光线由成像孔52穿透遮光层50，然后被感光模组90中的感光器件所接受，感光器件根据接收的光信号生成电信号，将多个感光器件生成的电信号进行处理后形成指纹图像信号。该实施例提供的显示面板在发光元件和驱动单元之间设置遮光层，通过在遮光层上制作成像孔，能够实现屏下指纹识别方案，而且设置第一漏极的制作材料和遮光层的制作材料不同，则在对遮光层刻蚀形成第一开孔时，刻蚀液不会导致第一漏极被过度刻蚀，从而能够确保第一漏极和第一电极之间的连接性能。另外，该实施例中确保第一漏极和第一电极连接性能的实现方式，不需要在遮光层上制作连接金属，则不会增大第一开孔的面积，从而不会影响第一开孔位置处的漏光，应用在屏下指纹识别方案中，能够减小第一开孔位置处的漏光，从而降低漏光对指纹识别的影响，提升指纹识别的准确度。
在一种实施例中，第一源极s1的制作材料和第一栅极g1的制作材料不同，第一源极s1的制作材料和遮光层50的制作材料相同。可选的，第一栅极g1的制作材料包括钼，第一源极s1的制作材料包括钛和铝，典型的，第一源极s1为钛/铝/钛三层结构。显示面板还包括位于衬底基板10之上的电源结构，其中，电源结构可以为正极电源结构也可以为负极电源结构。具体的，如图6中示意的电源结构80为正极电源结构，遮光层50与电源结构80电连接。该实施方式中，设置遮光层与电源结构电连接，能够降低电源结构的电阻，从而降低电源结构上的压降，进而降低显示面板的功耗损失。另外，设置遮光层的制作材料与第一源极的制作材料相同，遮光层采用电阻较小的材料制作，能够进一步降低电源结构上的压降。
具体的，图16为本发明实施例提供的显示面板的一种俯视示意图，如图16所示，显示面板包括显示区AA，显示区AA包括指纹识别区AA1，其中，多个成像孔52位于指纹识别区AA1。
另外，本发明实施例中对于感光模块90的具体位置不做限定，图14中示意感光模块90位于衬底基板10的远离驱动单元20的一侧。在另一种实施例中，感光模块位于衬底基板的靠近驱动单元的一侧。
继续参考图14中的示意，显示面板包括第一平坦化层64和第二平坦化层65，驱动单元20位于衬底基板10与发光元件30之间，第一平坦化层64覆盖驱动单元20，遮光层50覆盖在第一平坦化层64之上，第二平坦化层65覆盖则在遮光层50之上；第一过孔41贯穿第一平坦化层64和第二平坦化层65。可选的，第一平坦化层64和第二平坦化层65均采用有机材料制作。遮光层50采用金属材料制作，在显示面板正常显示时，位于相邻的两个发光元件30之间的遮光层50对光线具有一定的反射作用。本发明实施例在驱动单元20之上制作第一平坦化层64，能够确保将遮光层50制作在一个较平坦的表面上，能够保证制作平坦的遮光层50，以保证不同的发光元件之间的遮光层均较平坦，降低不同位置处的遮光层对光线反射的差异，从而降低对显示效果的影响。另外，在遮光层50之上制作第二平坦化层65，实现将发光元件30制作在较平坦的表面上，避免发光元件的发光区不平坦导致的色散问题，提升显示面板显示效果。
另外，如图14中示意的，第一电极31在衬底基板10的正投影覆盖第一开孔51在衬底基板10的正投影。也即在垂直于显示面板方向上，第一电极31覆盖第一开孔51。第一电极31能够减小第一开孔51位置处的漏光，应用在屏下指纹识别方案中时，能够降低漏光对指纹识别的影响，提升指纹识别的准确度。其中，第一电极31的边缘距第一开孔51的边缘的距离D1，可以参考第二平坦化层65的厚度、显示面板的像素密度等参数进行设计，在保证相邻的两个第一电极31之间相互绝缘、且第一电极31不对成像孔52造成遮光的情况下，可以将第一电极31的面积制作的相对较大，以保证第一电极31对第一开孔51的遮挡，避免漏光。
在一种实施例中，显示区内包括M个发光元件；在垂直于显示面板方向上，遮光层与M个发光元件均交叠。可以参考图15中示意的，一个发光元件30对应一个第一开孔51。也就是说，遮光层与显示区内所有的发光元件均交叠，在显示区整面设置遮光层，能够保证显示面板显示时的均一性，避免局部设置遮光层，而导致显示面板局部区域对环境光反射程度不同造成显示差异。
本发明实施例还提供一种显示装置，图17为本发明实施例提供的显示装置示意图，如图17所示，显示装置包括本发明任意实施例提供的显示面板00。对于显示面板的结构在上述实施例中已经说明，在此不再赘述。本发明实施例中显示装置可以是例如手机、平板计算机、笔记本电脑、电纸书、电视机、智能穿戴产品等任何具有显示功能的设备。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (20)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括衬底基板、驱动单元和发光元件；
所述驱动单元包括第一晶体管，所述第一晶体管包括第一源极和第一漏极，所述第一源极和所述第一漏极均位于所述发光元件的靠近所述衬底基板的一侧；
所述发光元件包括依次堆叠的第一电极、发光层和第二电极，其中，所述第一电极通过第一过孔与所述第一漏极连接，所述第一漏极位于所述第一源极的靠近所述衬底基板的一侧；
其中，所述第一漏极的材料与所述第一源极的材料不同。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一晶体管还包括第二漏极和第一有源层，所述第一漏极通过所述第二漏极与所述第一有源层连接；
其中，所述第一漏极与所述第二漏极通过第二过孔相连接。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述第二漏极与所述第一源极位于同一层，所述第二漏极通过第三过孔与所述第一有源层相连接。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，
所述第一晶体管包括第一栅极，所述第一栅极位于所述第一源极的靠近所述第一有源层的一侧；
所述驱动单元包括存储电容，所述存储电容包括第一电极板和第二电极板，所述第一电极板与所述第一栅极位于同一层，所述第二电极板位于所述第一栅极和所述第一源极之间；
所述第一漏极与所述第一栅极位于同一层，或者所述第一漏极与所述第二电极板位于同一层。
5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述第二漏极位于所述第一漏极的靠近所述衬底基板的一侧。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，
所述第一晶体管包括第一栅极，所述第一栅极位于所述第一源极的靠近所述第一有源层的一侧；
所述驱动单元包括存储电容，所述存储电容包括第一电极板和第二电极板，所述第一电极板与所述第一栅极位于同一层，所述第二电极板位于所述第一栅极和所述第一源极之间；
所述第一漏极与所述第二电极板位于同一层，所述第二漏极与所述第一栅极位于同一层。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一晶体管还包括第一有源层，所述第一漏极通过第四过孔与所述第一有源层连接。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，
所述第一晶体管还包括第一栅极，所述第一栅极位于所述第一源极的靠近所述衬底基板的一侧，所述第一有源层位于所述第一栅极和所述衬底基板之间；
所述驱动单元包括存储电容，所述存储电容包括第一电极板和第二电极板，所述第一电极板与所述第一栅极位于同一层，所述第二电极板位于所述第一栅极和所述第一源极之间；其中，
所述第一漏极与所述第一栅极、所述第二电极板中的一者位于同一层。
9.根据权利要求2至8任一项所述的显示面板，其特征在于，
所述第一有源层包含硅；
所述驱动单元还包括第二晶体管，所述第二晶体管包括第二有源层，所述第二有源层包含氧化物半导体，所述第二有源层位于所述第一有源层的远离所述衬底基板的一侧。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一晶体管包括第一有源层，所述第一有源层包含硅；
所述驱动单元还包括第二晶体管，所述第二晶体管包括第二源极、第三漏极、第二栅极和第二有源层；
所述第二有源层包含氧化物半导体，所述第二有源层位于所述第一有源层的远离所述衬底基板的一侧，所述第二源极和所述第三漏极与所述第一源极位于同一层，所述第二栅极位于所述第二有源层和所述第二源极之间，或者，所述第二栅极位于所述第二有源层与所述第一有源层之间；其中，
所述第一漏极与所述第二栅极位于同一层，或者，所述第一漏极与所述第二有源层位于同一层。
11.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括遮光层；
所述遮光层位于所述第一漏极和所述第一电极之间，所述遮光层的制作材料与所述第一漏极的制作材料不同，所述遮光层包括第一开孔，所述第一过孔在所述衬底基板的正投影位于所述第一开孔在所述衬底基板的正投影内。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，
所述第一源极的制作材料和所述遮光层的制作材料相同。
13.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，
所述遮光层还包括多个成像孔，所述成像孔在所述遮光层的厚度方向上贯穿所述遮光层，所述成像孔在所述衬底基板的正投影位于相邻的两个所述发光元件在所述衬底基板的正投影之间。
14.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，
所述显示面板还包括感光模组，所述感光模组位于所述成像孔的远离所述发光元件的一侧；在垂直与所述显示面板方向上，所述成像孔与所述感光模组交叠。
15.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，
所述显示面板包括显示区，所述显示区包括指纹识别区，其中，多个所述成像孔位于所述指纹识别区。
16.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，
所述显示面板包括第一平坦化层和第二平坦化层，
所述驱动单元位于所述衬底基板与所述发光元件之间，所述第一平坦化层覆盖所述驱动单元，所述遮光层覆盖在所述第一平坦化层之上，所述第二平坦化层覆盖则在所述遮光层之上；
所述第一过孔贯穿所述第一平坦化层和所述第二平坦化层。
17.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，
所述显示面板包括显示区，所述显示区内包括M个所述发光元件；
在垂直于所述显示面板方向上，所述遮光层与所述M个发光元件均交叠，且，一个所述发光元件对应一个所述第一开孔。
18.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，
所述第一电极在所述衬底基板的正投影覆盖所述第一开孔在所述衬底基板的正投影。
19.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，
所述显示面板还包括位于所述衬底基板之上的电源结构，所述遮光层与所述电源结构电连接。
20.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至19任一项所述的显示面板。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024109043A1 (zh) * 2022-11-23 2024-05-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115128873B (zh) * 2021-03-29 2023-12-05 株式会社日本显示器 显示装置及显示装置的阵列基板

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1697575A (zh) * 2004-05-11 2005-11-16 三星Sdi株式会社 有机发光显示装置及其制造方法
EP2083440A2 (en) * 2008-01-25 2009-07-29 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film transistor and method of fabricating a thin film transistor
US20110012112A1 (en) * 2009-07-18 2011-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
CN102280467A (zh) * 2010-06-11 2011-12-14 三星移动显示器株式会社 有机发光显示器及其制造方法
CN102468338A (zh) * 2010-11-17 2012-05-23 北京大学 一种氧化锌基肖特基薄膜晶体管
CN103531607A (zh) * 2013-06-03 2014-01-22 友达光电股份有限公司 有机发光显示面板与其的制造方法
CN105304646A (zh) * 2015-10-19 2016-02-03 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置
CN106158882A (zh) * 2016-09-27 2016-11-23 厦门天马微电子有限公司 一种显示装置、显示面板、阵列基板及其制作方法
US20170012086A1 (en) * 2015-07-06 2017-01-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display apparatus including a photo sensor
CN107611181A (zh) * 2017-10-26 2018-01-19 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法、显示装置
CN107978624A (zh) * 2017-12-01 2018-05-01 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板及其制备方法、显示装置
US20190067398A1 (en) * 2017-08-25 2019-02-28 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic light emitting unit, method for manufacturing thereof and display panel
CN110112193A (zh) * 2019-04-29 2019-08-09 上海天马微电子有限公司 有机发光显示面板和有机发光显示装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI495111B (zh) 2013-03-22 2015-08-01 Au Optronics Corp 顯示面板及其製作方法
KR102576428B1 (ko) * 2016-04-29 2023-09-08 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판, 이를 포함하는 액정 표시 장치 및 어레이 기판의 제조 방법
KR20180061723A (ko) * 2016-11-30 2018-06-08 엘지디스플레이 주식회사 멀티 타입의 박막 트랜지스터를 포함하는 유기발광 표시장치
CN111092098A (zh) 2018-10-08 2020-05-01 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法和显示面板、显示装置
CN109686770B (zh) 2018-12-25 2021-04-16 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示装置

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1697575A (zh) * 2004-05-11 2005-11-16 三星Sdi株式会社 有机发光显示装置及其制造方法
EP2083440A2 (en) * 2008-01-25 2009-07-29 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film transistor and method of fabricating a thin film transistor
US20110012112A1 (en) * 2009-07-18 2011-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
CN102280467A (zh) * 2010-06-11 2011-12-14 三星移动显示器株式会社 有机发光显示器及其制造方法
CN102468338A (zh) * 2010-11-17 2012-05-23 北京大学 一种氧化锌基肖特基薄膜晶体管
CN103531607A (zh) * 2013-06-03 2014-01-22 友达光电股份有限公司 有机发光显示面板与其的制造方法
US20170012086A1 (en) * 2015-07-06 2017-01-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display apparatus including a photo sensor
CN105304646A (zh) * 2015-10-19 2016-02-03 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置
CN106158882A (zh) * 2016-09-27 2016-11-23 厦门天马微电子有限公司 一种显示装置、显示面板、阵列基板及其制作方法
US20190067398A1 (en) * 2017-08-25 2019-02-28 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic light emitting unit, method for manufacturing thereof and display panel
CN107611181A (zh) * 2017-10-26 2018-01-19 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法、显示装置
CN107978624A (zh) * 2017-12-01 2018-05-01 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板及其制备方法、显示装置
CN110112193A (zh) * 2019-04-29 2019-08-09 上海天马微电子有限公司 有机发光显示面板和有机发光显示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024109043A1 (zh) * 2022-11-23 2024-05-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板

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CN112802878B (zh) 2024-01-30
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