CN112782238A - 绑定异常的测试及修复方法、装置、电子设备、存储介质 - Google Patents

绑定异常的测试及修复方法、装置、电子设备、存储介质 Download PDF

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CN112782238A CN202110062106.4A CN202110062106A CN112782238A CN 112782238 A CN112782238 A CN 112782238A CN 202110062106 A CN202110062106 A CN 202110062106A CN 112782238 A CN112782238 A CN 112782238A
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Abstract

本公开涉及显示技术领域,具体是关于一种绑定异常的测试及修复方法、装置、电子设备、存储介质,所述覆晶薄膜连接显示面板和电路板,所述方法包括:获取覆晶薄膜绑定区的群阻抗,所述绑定区的群阻抗为所述绑定区内的绑定点串联和/或并联的阻值;当所述绑定区的群阻抗位于第一预设阈值范围之外时,确定所述覆晶薄膜绑定异常;获取绑定子区的群阻抗,并且根据所述绑定子区的群阻抗确定所述异常绑定子区,所述绑定子区为对所述绑定区分区所得到的区域,所述绑定子区的群阻抗为所述绑定子区内的绑定点串联和/或并联的阻值。能够检测确定覆晶薄膜绑定异常区域。

Description

绑定异常的测试及修复方法、装置、电子设备、存储介质
技术领域
本公开涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种绑定异常的测试及修复方法、装置、电子设备、存储介质。
背景技术
显示面板可以通过覆晶薄膜(COF,Chip On Film)和显示面板绑定。覆晶薄膜和显示面板连接的区域以及和电路板连接的区域被称为绑定区。目前,由于显示面板的形态越来越多,比如用于屏下摄像的显示面板,用于屏下摄像的显示面板其驱动电路层的布线方式和常规显示面板不同,因此在覆晶薄膜绑定和封装时容易产生绑定缺陷,从而影响显示面板的显示效果。因此亟需一种绑定异常的测试方法,对覆晶薄膜绑定缺陷进行测试。
发明内容
本公开的目的在于提供一种绑定异常的测试及修复方法、装置、电子设备、存储介质,进而能够对覆晶薄膜的绑定异常进行测试。
根据本公开的第一方面,提供一种绑定异常的测试方法,用于覆晶薄膜,所述覆晶薄膜连接显示面板和电路板,所述方法包括:
获取覆晶薄膜绑定区的群阻抗,所述绑定区的群阻抗为所述绑定区内的绑定点串联和/或并联的阻值;
当所述绑定区的群阻抗位于第一预设阈值范围之外时,确定所述覆晶薄膜绑定异常;
获取绑定子区的群阻抗,并且根据所述绑定子区的群阻抗确定所述异常绑定子区,所述绑定子区为对所述绑定区分区所得到的区域,所述绑定子区的群阻抗为所述绑定子区内的绑定点串联和/或并联的阻值。
根据本公开的第二方面,提供一种绑定异常的测试装置,其特征在于,用于覆晶薄膜,所述覆晶薄膜连接显示面板和电路板,所述绑定异常的测试装置包括:
第一获取模块,用于获取覆晶薄膜绑定区的群阻抗,所述绑定区的群阻抗为所述绑定区内的绑定点串联和/或并联的阻值;
第一确定模块,用于当所述绑定区的群阻抗位于第一预设阈值范围之外时,确定所述覆晶薄膜绑定异常;
第二确定模块,用于获取绑定子区的群阻抗,并且根据所述绑定子区的群阻抗确定所述异常绑定子区,所述绑定区包括多个绑定子区,所述绑定子区的群阻抗为所述绑定子区内的绑定点串联和/或并联的阻值。
根据本公开的第三方面,提供一种绑定异常的修复方法,其特征在于,用于覆晶薄膜,所述覆晶薄膜连接显示面板和电路板,所述方法包括:
获取覆晶薄膜绑定区的群阻抗,所述绑定区的群阻抗为所述绑定区内的绑定点串联和/或并联的阻值;
当所述绑定区的群阻抗位于第一预设阈值范围之外时,确定所述覆晶薄膜绑定异常;
获取绑定子区的群阻抗,并且根据所述绑定子区的群阻抗确定所述异常绑定子区,所述绑定区包括多个绑定子区,所述绑定子区的群阻抗为所述绑定子区内的绑定点串联和/或并联的阻值;
对所述异常绑定子区进行绑定修复。
根据本公开的第四方面,提供一种绑定异常的修复装置,用于覆晶薄膜,所述覆晶薄膜连接显示面板和电路板,所述绑定异常的修复装置包括:
第一获取模块,用于获取覆晶薄膜绑定区的群阻抗,所述绑定区的群阻抗为所述绑定区内的绑定点串联和/或并联的阻值;
第一确定模块,用于当所述绑定区的群阻抗位于第一预设阈值范围之外时,确定所述覆晶薄膜绑定异常;
第二确定模块,用于获取绑定子区的群阻抗,并且根据所述绑定子区的群阻抗确定所述异常绑定子区,所述绑定区包括多个绑定子区,所述绑定子区的群阻抗为所述绑定子区内的绑定点串联和/或并联的阻值;
修复模块,用于对所述异常绑定子区进行绑定修复。
根据本公开的第五方面,提供一种电子设备,包括
处理器;以及
存储器,所述存储器上存储有计算机可读指令,所述计算机可读指令被所述处理器执行时实现根据上述任意一项所述的方法。
根据本公开的第六方面,提供一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现根据上述任意一项所述的方法。
本公开实施例提供的绑定异常的测试方法,当绑定区的群阻抗位于第一预设阈值范围之外时,确定覆晶薄膜绑定异常,然后通过分区确定绑定异常的绑定子区,实现了对覆晶薄膜异常的检测,并能够确定具体的异常区域,从而能够为绑定异常修复提供指导,有利于绑定异常的修复。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本公开。
附图说明
通过参照附图来详细描述其示例实施例,本公开的上述和其它特征及优点将变得更加明显。
图1为本公开示例性实施例提供的一种屏下摄像显示屏的示意图;
图2为本公开示例性实施例提供的一种屏下摄像显示屏的剖视图;
图3为本公开示例性实施例提供的一种绑定异常的测试方法的流程图;
图4为本公开示例性实施例提供的另一种绑定异常的测试方法的流程图;
图5为本公开示例性实施例提供的一种数据信号充电示意图;
图6为本公开示例性实施例提供的一种绑定异常的测试装置的框图;
图7为本公开示例性实施例提供的一种绑定异常的修复方法的流程图;
图8为本公开示例性实施例提供的一种绑定异常的修复装置的框图;
图9为本公开示例性实施例提供的一种电子设备的示意图;
图10为本公开示例性实施例提供的一种计算机可读存储介质的示意图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而,示例实施例能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的实施例;相反,提供这些实施例使得本公开将全面和完整,并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的部分,因而将省略对它们的重复描述。
此外,所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中,提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而,本领域技术人员将意识到,可以实践本公开的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多,或者可以采用其它的方法、组元、材料、装置、步骤等。在其它情况下,不详细示出或描述公知结构、方法、装置、实现、材料或者操作以避免模糊本公开的各方面。
附图中所示的方框图仅仅是功能实体,不一定必须与物理上独立的实体相对应。即,可以采用软件形式来实现这些功能实体,或在一个或多个软件硬化的模块中实现这些功能实体或功能实体的一部分,或在不同网络和/或处理器装置和/或微控制器装置中实现这些功能实体。
屏下摄像技术通过在显示面板上设置透光区实现光线通过透光区进入设置在显示面板下的摄像头,如此避免了在显示面板上开孔,能够提高电子设备的屏占比。
如图1所示,用于屏下摄像的显示面板包括常规显示区11、过渡区12和透光区13,过渡区12设置于透光区13和常规显示区11之间。比如,过渡区12可以环绕透光区13,常规显示区11环绕过渡区12。
其中,透光区13的像素密度小于常规显示区11的像素密度,过渡区12的像素密度可以和常规显示区11相同,或者过渡区12的像素密度可以沿从透光区到常规显示区11的方向渐变。
比如,常规显示区11中像素单元的排布方式可以是标准RGB、Delta排列、Pentile排列等方式,像素密度可以是403ppi。过渡区12和透光区13中像素单元的排布方式可以和常规显示区11像素单元的排布方式可以相同。透光区的像素密度可以是200ppi。
为了增加透光区11的透光率,透光区11的像素单元的像素驱动电路可以设于过渡区12。透光区12像素密度小于常规显示区11的像素密度,因此透光区13对应的像素驱动电路走线的数量也小于常规显示区11。过渡区12的像素密度可以小于常规显示区11的像素密度,因此过渡区12对应的像素驱动电路的走线少于常规显示区的走线,这方便了将透光区13的像素驱动电路走线设于过渡区12的下方。
图2示出了一种屏下摄像显示面板的堆叠结构,在堆叠结构中,显示层设于盖板21之下,显示层可以包括常规显示区11、过渡区12和透光区13。常规显示区的驱动电路23设于常规显示区之下,透光区13相对于常规显示区11和过渡区,TFT驱动电路22部分是引出到过渡区12的,在透光区11只有阳极下面存在反射层。其他地方透过率接近20%,有较强的光透过性。为了增透设计,对于透明屏区域的阳极电路走线均置换成ITO走线层,ITO透过率更好。屏下摄像头24设于透光区13之下。
对于透光区13的设计,可以得出在像素周围的电路走线层都是透明设计,可以让入射光穿过透光区,但是在OLED发光单元底下的阳极反射层,反射率接近100%,目的是让OLED发出的光能够都向屏外传播,因此即便是透光区的阳极也可以是不透光。
在电子设备中,显示面板和电路板通过覆晶薄膜绑定,通过TFE封装进行封装。在屏下摄像显示面板和覆晶薄膜绑定过程中,通过绑定胶绑定覆晶薄膜和显示面板及覆晶薄膜和电路板,绑定胶中具有导电粒子,实现覆晶薄膜和显示面板及覆晶薄膜和电路板的电连接。由于绑定异常(绑定粒子接触不良)往往会使显示面存在暗线等缺陷。
通常当绑定异常时,对应的绑定区域的绑定粒子浓度小于正常绑定区的绑定粒子浓度,从而会导致绑定阻抗大于正常绑定区的阻抗。由于绑定阻抗较大,如图5所示,在写入数据信号时会导致数据信号写入不足,从而导致对应的像素单元的驱动电流减小,在显示屏上形成暗线。
示例的,在一组存在绑定异常的显示装置中,各绑定阻抗可以如表1所示。
绑定阻抗(Ω) 合格 异常1 异常2 异常3 异常4 异常5 异常6 异常7
左侧第一群阻抗 0.20 0.45 0.45 0.50 0.50 0.80 0.55 0.6
左侧第二群阻抗 2.05 9.3 14.5 4.6 2.75 4.8 6.3 4.7
右侧第一群阻抗 0.35 0.6 0.65 0.55 0.7 0.6 0.55 0.55
右侧第二群阻抗 3.05 9.6 7.05 27.1 5.25 9.2 41.2 5.05
其中,左侧第一群阻抗可以是显示板面左侧的覆晶薄膜和电路板的绑定阻抗,左侧第二群阻抗可以是显示板面左侧的覆晶薄膜和显示面板的绑定阻抗,右侧第一群阻抗可以是显示板面右侧的覆晶薄膜和电路板的绑定阻抗,右侧第二群阻抗可以是显示板面右侧的覆晶薄膜和显示面板的绑定阻抗。异常1可以是交变,异常2、3、4可以是盐雾,异常5可以是紫外,异常6、7可以是双85。由上表可得在绑定异常的显示装置中,其阻抗增大。
本公开实施例首先提供一种绑定异常的测试方法,用于覆晶薄膜,覆晶薄膜连接显示面板和电路板,如图3所示,该绑定异常的测试方法可以包括如下步骤:
步骤S310,获取覆晶薄膜绑定区的群阻抗,绑定区的群阻抗为绑定区内的绑定点串联和/或并联的阻值;
步骤S320,当绑定区的群阻抗位于第一预设阈值范围之外时,确定覆晶薄膜绑定异常;
步骤S330,获取绑定子区的群阻抗,并且根据绑定子区的群阻抗确定异常绑定子区,绑定子区为对绑定区分区所得到的区域,绑定子区的群阻抗为绑定子区内的绑定点串联和/或并联的阻值。
其中,群阻抗可以包括区域内所有绑定点串联的阻抗,或者群阻抗可以包括区域内所有绑定点并联的阻抗,或者群阻抗可以包括区域内所有绑定点串联的阻抗和并联的阻抗。绑定点是指覆晶薄膜和显示面或者覆晶薄膜和电路板接触绑定的点。在测量时,显示面板和覆晶薄膜绑定点的阻抗可以通过测量显示面板上的焊盘到对应的覆晶薄膜上的导线的阻抗获得,电路板和覆晶薄膜绑定点的阻抗可以通过测量电路板上的焊盘到对应的覆晶薄膜上的导线的阻抗获得。
示例的,绑定区的群阻抗可以是绑定区所有绑定点的阻抗串联和/或并联的阻抗值。绑定子区的群阻抗可以是绑定子区内的所有绑定点的阻抗串联和/或并联的阻抗值。
本公开实施例提供的绑定异常的测试方法,当绑定区的群阻抗位于第一预设阈值范围之外时,确定覆晶薄膜绑定异常,然后通过分区确定绑定异常的绑定子区,实现了对覆晶薄膜异常的检测,并能够确定具体的异常区域,从而能够为绑定异常修复提供指导,有利于绑定异常的修复。
进一步的,如图4所示,本公开实施例提供的绑定异常的测试方法还可以包括:
步骤S340,在异常绑定子区通过镭射反射确定绑定异常的位置。
通过镭射反射能够确定绑定异常的具体位置,在确定绑定异常的具体位置后,从而在修复时能够确定具体修复的位置,能够提高修复效率,并节省修复成本。
下面将对本公开实施例提供的绑定异常的测试方法的各步骤进行详细说明:
在步骤S310中,可以获取覆晶薄膜绑定区的群阻抗,绑定区的群阻抗为绑定区内的绑定点串联和/或并联的阻值。
覆晶薄膜在绑定时,覆晶薄膜的一端和显示面板绑定。显示面板上可以设置多个焊盘,多个焊盘和显示面板内部的走线连接,以将驱动信号(源极信号和栅极信号)传输至显示面板内部。绑定时显示面板上的焊盘和覆晶薄膜上对应的走线通过绑定胶连接。覆晶薄膜的另一端和电路板绑定,电路板上设置有多个焊盘,多个焊盘和电路板上控制单元连接,以接收处理器控制下的驱动信号。电路板上的焊盘通过绑定胶和覆晶薄膜连接,绑定胶中具有导电粒子,实现了覆晶薄膜和电路板上的焊盘的电性连接。
在此基础上,步骤S310可以通过如下方式实现:获取第一绑定区的群阻抗,第一绑定区为覆晶薄膜和显示面板绑定的区域;获取第二绑定区的群阻抗,第二绑定区为覆晶薄膜和电路板绑定的区域。
其中,在获取第一绑定区的群阻抗时,可以利用具有多个探针的测试装置实现。多个探针可以是两个一组,一组探针中一个探针用于电连接绑定点的一端,另一个探针用于电连接该绑定点的另一端,也即是一组探针能够测量一个绑定点的阻抗。通过多个探针组分别连接第一绑定区的多个绑定点。在测试装置中包括并联模块和串联模块,串联模块和并联模块分别和探针连接。当串联模块导通时,多组探针串联,当并联模块导通时,多组探针并联。
当需要获取的第一绑定区的群阻抗为多个绑定点的串联阻抗时,通过串联模块将多组探针串联;当需要获取的第一绑定区的群阻抗为多个绑定点的并联阻抗时,通过并联模块将多组探针并联。当需要获取的第一绑定区的群阻抗包括多个绑定点的串联阻抗和并联阻抗时,通过串联模块将多组探针串联获取串联阻抗,通过并联模块将多组探针串联获取并联阻抗。
示例的,测试装置包括N组探针时,串联模块可以包括N-1个第一开关(比如MOS管),相邻的两组探针之间设置一个第一开关,第一开关的两端分别连接每组探针中的一个探针,通过N-1个第一开关串联N组探针。并联模块可以包括N个第二开关,每个第二开关的一端连接一组探针,多个第二开关的第二端连接。在本公开实施例中,多个第一开关同时导通,第一开关导通时第二开关关断,多个第二开关同时导通,第二开关导通时第一开关关断。
在获取第二绑定区的群阻抗时,可以利用具有多个探针的测试装置实现。多个探针可以是两个一组,一组探针中一个探针用于电连接绑定点的一端,另一个探针用于电连接该绑定点的另一端,也即是一组探针能够测量一个绑定点的阻抗。通过多个探针组分别连接第而绑定区的多个绑定点。在测试装置中包括并联模块和串联模块,串联模块和并联模块分别和探针连接。当串联模块导通时,多组探针串联,当并联模块导通时,多组探针并联。
当需要获取的第二绑定区的群阻抗为多个绑定点的串联阻抗时,通过串联模块将多组探针串联;当需要获取的第二绑定区的群阻抗为多个绑定点的并联阻抗时,通过并联模块将多组探针并联。当需要获取的第二绑定区的群阻抗包括多个绑定点的串联阻抗和并联阻抗时,通过串联模块将多组探针串联获取串联阻抗,通过并联模块将多组探针串联获取并联阻抗。
在步骤S320中,当绑定区的群阻抗位于第一预设阈值范围之外时,可以确定覆晶薄膜绑定异常。
其中,可以比较步骤S310中获取的绑定区的群阻抗和第一预设阈值范围,当绑定区的群阻抗位于第一预设阈值范围之外时,确定覆晶薄膜绑定异常,此时需要进一步判断绑定异常的具体区域。当当绑定区的群阻抗位于第一预设阈值范围之内时,则可以认为覆晶薄膜绑定正常。第一预设阈值范围可以根据计算获得,通常一个焊盘和覆晶薄膜的一条导线的正常绑定阻抗是确定的,因此可以通过计算获得多个绑定点串联或者并联的理论电阻值,第一预设阈值范围可以是理论电阻和其允许的误差所决定。
在步骤S330中,可以获取绑定子区的群阻抗,并且根据绑定子区的群阻抗确定异常绑定子区,绑定子区为对绑定区分区所得到的区域,绑定子区的群阻抗为绑定子区内的绑定点串联和/或并联的阻值。
在实际应用中,由于要检测第一绑定区和第二绑定区是否存在异常,并且第一绑定区和第二绑定区之间往往设置有芯片等器件,不能一起检测。因此在分区时检测异常时也是将第一绑定区和第二绑定区分开分区测试。因此步骤S330中的绑定子区,可以是第一绑定区的绑定子区或者可以是第二绑定区的绑定子区。
获取绑定子区的群阻抗,并且根据绑定子区的群阻抗确定异常绑定子区,可以通过如下方式实现:获取绑定子区的群阻抗,并根据绑定子区的群阻抗确定异常绑定子区,绑定子区为对绑定区进行分区得到的区域;获取下一级绑定子区的群阻抗,并根据下一级绑定子区的群阻抗确定下一级异常绑定子区,直至绑定子区不能分区,下一级绑定子区为对异常绑定子区分区得到的区域。
其中,当在步骤S320中确定绑定区为异常绑定区时,说明绑定区存在缺陷,需要对绑定区上的缺陷进行具体定位,确定绑定区的缺陷的区域。可以通过分区检测的方式确定绑定区缺陷的位置。分区测试时,可以进行多级分区,直至分至分区内覆晶薄膜上只有一条导线,停止分区,也即是在导线级别上确定了绑定异常的位置。
首先,对存在异常的第一绑定区或者第二绑定区进行分区,比如,将绑定区分为两个绑定子区、三个绑定子区、四个绑定子区或者更多的绑定子区。再划分绑定子区后,分别获取多个绑定子区的群阻抗,当某一绑定子区的群阻抗异常时,确定该绑定子区为异常绑定子区。
为了确定绑定异常的具体位置,可以采用多级分集的方式,也即是对上一级的异常绑定子区再进行分区,并判断各分区的群阻抗是否合格,若不合格继续下一级分区,直至最后一级绑定子区,最后一级绑定子区中仅包括覆晶薄膜上的一根导线。
获取绑定子区的群阻抗,并根据绑定子区的群阻抗确定异常绑定子区,可以通过如下方式实现:对绑定区进行均匀分区得到多个一致的绑定子区,并获取每个绑定子区的群阻抗;当绑定子区的群阻抗位于第二预设阈值范围之外时,确定绑定子区为异常绑定子区。
其中,对绑定区均匀分区是指每个绑定子区中的绑定点数量相同,并不代表每个绑定子区的面积相同,多个绑定子区的面积可以相同也可以不同。可以比较第二预设阈值范围和绑定子区的群阻抗,当绑定子区的群阻抗位于第二预设阈值范围之外时,认为绑定子区存在绑定异常。当当绑定子区的群阻抗位于第二预设阈值范围之内时,认为绑定子区不存在绑定异常。
第二预设阈值范围可以通过计算获得,比如,可以通过计算获得多个绑定点串联或者并联的理论电阻值,第二预设阈值范围可以是理论电阻和其允许的误差所决定。或者第二阈值范围可以是通过多个绑定子区的群阻抗的众数获得,也即是多个群阻抗的众数可以作为第二预设阈值范围的基值,该基值和允许误差形成第二预设阈值范围。在此基础上当绑定子区的群阻抗位于第二预设阈值范围之外时,确定绑定子区为异常绑定子区,可以通过如下方式实现:当任一绑定子区的群阻抗和多个绑定子区的群阻抗的众数不一致,确定绑定子区为异常绑定子区。
获取下一级绑定子区的群阻抗,并根据下一级绑定子区的群阻抗确定下一级异常绑定子区,直至绑定子区不能分区,可以通过如下方式实现:分区步骤:对上一级绑定子区进行分区得到多个下一级绑定子区,并获取下一级绑定子区的群阻抗;确定步骤,当下一级绑定子区的群阻抗位于对应的预设阈值之外时,确定下一级绑定子区为异常下一级绑定子区;重复分区步骤和确定步骤,直至绑定子区包括一条导线。
当下一级绑定子区的群阻抗位于对应的预设阈值之外时,确定下一级绑定子区为异常下一级绑定子区,可以通过如下方式实现:当任一下一级绑定子区的群阻抗和多个下一级绑定子区的群阻抗的众数不一致时,确定下一级绑定子区为异常下一级绑定子区。当然在实际应用中第二预设阈值范围也可以通过多个绑定子区的中位数等确定,本公开实施例并不以此为限。
在步骤S340中,可以在异常绑定子区通过镭射反射确定绑定异常的位置。
通过镭射扫描的方式可以看到绑定粒子的状态。绑定胶中导电粒子的浓度不同时,在镭射过程中反射的光光影图像也不同,绑定异常区域的粒子浓度会比正常绑定区域显示更淡的粒子浓度的表征。
在镭射反射确定绑定异常位置时,可以结合图像处理技术确定绑定异常的
当然,在实际应用中还可以通过结合电芯测试或者显微镜观察的方式确定绑定异常的区域,本公开实施例对此不做具体限定。
本公开实施例提供的绑定异常的测试方法,当绑定区的群阻抗位于第一预设阈值范围之外时,确定覆晶薄膜绑定异常,然后通过分区确定绑定异常的绑定子区,实现了对覆晶薄膜异常的检测,并能够确定具体的异常区域,通过镭射反射确定绑定异常的位置,从而能够为绑定异常修复提供指导,有利于绑定异常的修复。
需要说明的是,尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中方法的各个步骤,但是,这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤,或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的,可以省略某些步骤,将多个步骤合并为一个步骤执行,以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。
本公开示例性实施例还提供一种绑定异常的测试装置,用于覆晶薄膜,覆晶薄膜连接显示面板和电路板,如图6所示,绑定异常的测试装置600包括:
第一获取模块610,用于获取覆晶薄膜绑定区的群阻抗,绑定区的群阻抗为绑定区内的绑定点串联和/或并联的阻值;
第一确定模块620,用于当绑定区的群阻抗位于第一预设阈值范围之外时,确定覆晶薄膜绑定异常;
第二确定模块630,用于获取绑定子区的群阻抗,并且根据绑定子区的群阻抗确定异常绑定子区,绑定区包括多个绑定子区,绑定子区的群阻抗为绑定子区内的绑定点串联和/或并联的阻值。
本公开实施例提供的绑定异常的测试装置,当绑定区的群阻抗位于第一预设阈值范围之外时,确定覆晶薄膜绑定异常,然后通过分区确定绑定异常的绑定子区,实现了对覆晶薄膜异常的检测,并能够确定具体的异常区域,通过镭射反射确定绑定异常的位置,从而能够为绑定异常修复提供指导,有利于绑定异常的修复。
根据本公开的一实施方式,第一获取模块包括:
第一获取单元,用于获取第一绑定区的群阻抗,第一绑定区为覆晶薄膜和显示面板绑定的区域;
第二获取单元,用于获取第二绑定区的群阻抗,第二绑定区为覆晶薄膜和电路板绑定的区域。
根据本公开的一实施方式,第二确定模块包括:
第三获取单元,用于获取绑定子区的群阻抗,并根据绑定子区的群阻抗确定异常绑定子区,绑定子区为对绑定区进行分区得到的区域;
第四获取单元,用于获取下一级绑定子区的群阻抗,并根据下一级绑定子区的群阻抗确定下一级异常绑定子区,直至绑定子区不能分区,下一级绑定子区为对异常绑定子区分区得到的区域。
根据本公开的一实施方式,第三获取单元包括:
第一分区子单元,用于对绑定区进行均匀分区得到多个一致的绑定子区,并获取每个绑定子区的群阻抗;
第一确定子单元,用于当绑定子区的群阻抗位于第二预设阈值范围之外时,确定绑定子区为异常绑定子区。
根据本公开的一实施方式,确定子单元包括:
第一确定子模块,用于当任一绑定子区的群阻抗和多个绑定子区的群阻抗的众数不一致,确定绑定子区为异常绑定子区。
根据本公开的一实施方式,第三获取单元包括,包括:
第二分区子单元,用于执行分区步骤:对上一级绑定子区进行分区得到多个下一级绑定子区,并获取下一级绑定子区的群阻抗;
第二确定子单元,用于执行确定步骤,当下一级绑定子区的群阻抗位于对应的预设阈值之外时,确定下一级绑定子区为异常下一级绑定子区;
重复分区步骤和确定步骤,直至绑定子区包括一条导线。
根据本公开的一实施方式,第二确定子单元包括:
当任一下一级绑定子区的群阻抗和多个下一级绑定子区的群阻抗的众数不一致时,确定下一级绑定子区为异常下一级绑定子区。
根据本公开的一实施方式,绑定异常的测试装置还包括:
第三确定模块,用于在异常绑定子区通过镭射反射确定绑定异常的位置。
上述中绑定异常的测试装置模块的具体细节已经在对应的绑定异常的测试方法中进行了详细的描述,因此此处不再赘述。应当注意,尽管在上文详细描述中提及了绑定异常的测试装置的若干模块或者单元,但是这种划分并非强制性的。实际上,根据本公开的实施方式,上文描述的两个或更多模块或者单元的特征和功能可以在一个模块或者单元中具体化。反之,上文描述的一个模块或者单元的特征和功能可以进一步划分为由多个模块或者单元来具体化。
本公开示例性实施例还提供一种绑定异常的修复方法,用于覆晶薄膜,覆晶薄膜连接显示面板和电路板,如图7所示,方法可以包括如下步骤:
步骤S310,获取覆晶薄膜绑定区的群阻抗,绑定区的群阻抗为绑定区内的绑定点串联和/或并联的阻值;
步骤S320,当绑定区的群阻抗位于第一预设阈值范围之外时,确定覆晶薄膜绑定异常;
步骤S330,获取绑定子区的群阻抗,并且根据绑定子区的群阻抗确定异常绑定子区,绑定区包括多个绑定子区,绑定子区的群阻抗为绑定子区内的绑定点串联和/或并联的阻值;
步骤S710,对异常绑定子区进行绑定修复。
其中,步骤S310-步骤S330在上述实施方式中已详细说明,在此不复赘述。
在步骤S710中,可以对异常绑定子区进行绑定修复。
其中,异常绑定子区中的缺陷为绑定粒子浓度低,因此可以通过增加异常绑定子区绑定粒子的浓度,修复异常绑定子区。
本公开实施例提供的绑定异常的修复方法,当绑定区的群阻抗位于第一预设阈值范围之外时,确定覆晶薄膜绑定异常,然后通过分区确定绑定异常的绑定子区,实现了对覆晶薄膜异常的检测,并能够确定具体的异常区域,对绑定异常区域进行修复,从而能够解决显示面存在暗线的问题。
本公开示例性实施例还提供一种绑定异常的修复装置,用于覆晶薄膜,覆晶薄膜连接显示面板和电路板,如图8所示,绑定异常的修复装置800包括:
第一获取模块610,用于获取覆晶薄膜绑定区的群阻抗,绑定区的群阻抗为绑定区内的绑定点串联和/或并联的阻值;
第一确定模块620,用于当绑定区的群阻抗位于第一预设阈值范围之外时,确定覆晶薄膜绑定异常;
第二确定模块630,用于获取绑定子区的群阻抗,并且根据绑定子区的群阻抗确定异常绑定子区,绑定区包括多个绑定子区,绑定子区的群阻抗为绑定子区内的绑定点串联和/或并联的阻值;
修复模块810,用于对异常绑定子区进行绑定修复。
本公开实施例提供的绑定异常的修复装置,当绑定区的群阻抗位于第一预设阈值范围之外时,确定覆晶薄膜绑定异常,然后通过分区确定绑定异常的绑定子区,实现了对覆晶薄膜异常的检测,并能够确定具体的异常区域,对绑定异常区域进行修复,从而能够解决显示面存在暗线的问题。
上述中绑定异常的修复装置模块的具体细节已经在对应的绑定异常的修复方法中进行了详细的描述,因此此处不再赘述。
应当注意,尽管在上文详细描述中提及了绑定异常的修复装置的若干模块或者单元,但是这种划分并非强制性的。实际上,根据本公开的实施方式,上文描述的两个或更多模块或者单元的特征和功能可以在一个模块或者单元中具体化。反之,上文描述的一个模块或者单元的特征和功能可以进一步划分为由多个模块或者单元来具体化。
此外,在本公开的示例性实施例中,还提供了一种能够实现上述方法的电子设备。
所属技术领域的技术人员能够理解,本发明的各个方面可以实现为系统、方法或程序产品。因此,本发明的各个方面可以具体实现为以下形式,即:完全的硬件实施例、完全的软件实施例(包括固件、微代码等),或硬件和软件方面结合的实施例,这里可以统称为“电路”、“模块”或“系统”。
下面参照图9来描述根据本发明的这种实施例的电子设备900。图9显示的电子设备900仅仅是一个示例,不应对本发明实施例的功能和使用范围带来任何限制。
如图9所示,电子设备900以通用计算设备的形式表现。电子设备900的组件可以包括但不限于:上述至少一个处理单元910、上述至少一个存储单元920、连接不同系统组件(包括存储单元920和处理单元910)的总线930、显示单元940。
其中,所述存储单元存储有程序代码,所述程序代码可以被所述处理单元910执行,使得所述处理单元910执行本说明书上述“示例性方法”部分中描述的根据本发明各种示例性实施例的步骤。
存储单元920可以包括易失性存储单元形式的可读介质,例如随机存取存储单元(RAM)9201和/或高速缓存存储单元9202,还可以进一步包括只读存储单元(ROM)9203。
存储单元920还可以包括具有一组(至少一个)程序模块9205的程序/实用工具9204,这样的程序模块9205包括但不限于:操作系统、一个或者多个应用程序、其它程序模块以及程序数据,这些示例中的每一个或某种组合中可能包括网络环境的实现。
总线930可以为表示几类总线结构中的一种或多种,包括存储单元总线或者存储单元控制器、外围总线、图形加速端口、处理单元或者使用多种总线结构中的任意总线结构的局域总线。
电子设备900也可以与一个或多个外部设备970(例如键盘、指向设备、蓝牙设备等)通信,还可与一个或者多个使得用户能与该电子设备900交互的设备通信,和/或与使得该电子设备900能与一个或多个其它计算设备进行通信的任何设备(例如路由器、调制解调器等等)通信。这种通信可以通过输入/输出(I/O)接口950进行。并且,电子设备900还可以通过网络适配器960与一个或者多个网络(例如局域网(LAN),广域网(WAN)和/或公共网络,例如因特网)通信。如图所示,网络适配器940通过总线930与电子设备900的其它模块通信。应当明白,尽管图中未示出,可以结合电子设备900使用其它硬件和/或软件模块,包括但不限于:微代码、设备驱动器、冗余处理单元、外部磁盘驱动阵列、RAID系统、磁带驱动器以及数据备份存储系统等。
通过以上的实施例的描述,本领域的技术人员易于理解,这里描述的示例实施例可以通过软件实现,也可以通过软件结合必要的硬件的方式来实现。因此,根据本公开实施例的技术方案可以以软件产品的形式体现出来,该软件产品可以存储在一个非易失性存储介质(可以是CD-ROM,U盘,移动硬盘等)中或网络上,包括若干指令以使得一台计算设备(可以是个人计算机、服务器、终端装置、或者网络设备等)执行根据本公开实施例的方法。
在本公开的示例性实施例中,还提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有能够实现本说明书上述方法的程序产品。在一些可能的实施例中,本发明的各个方面还可以实现为一种程序产品的形式,其包括程序代码,当所述程序产品在终端设备上运行时,所述程序代码用于使所述终端设备执行本说明书上述“示例性方法”部分中描述的根据本发明各种示例性实施例的步骤。
参考图10所示,描述了根据本发明的实施例的用于实现上述方法的程序产品1000,其可以采用便携式紧凑盘只读存储器(CD-ROM)并包括程序代码,并可以在终端设备,例如个人电脑上运行。然而,本发明的程序产品不限于此,在本文件中,可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质,该程序可以被指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用。
所述程序产品可以采用一个或多个可读介质的任意组合。可读介质可以是可读信号介质或者可读存储介质。可读存储介质例如可以为但不限于电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件,或者任意以上的组合。可读存储介质的更具体的例子(非穷举的列表)包括:具有一个或多个导线的电连接、便携式盘、硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦式可编程只读存储器(EPROM或闪存)、光纤、便携式紧凑盘只读存储器(CD-ROM)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。
计算机可读信号介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号,其中承载了可读程序代码。这种传播的数据信号可以采用多种形式,包括但不限于电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。可读信号介质还可以是可读存储介质以外的任何可读介质,该可读介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。
可读介质上包含的程序代码可以用任何适当的介质传输,包括但不限于无线、有线、光缆、RF等等,或者上述的任意合适的组合。
可以以一种或多种程序设计语言的任意组合来编写用于执行本发明操作的程序代码,所述程序设计语言包括面向对象的程序设计语言—诸如Java、C++等,还包括常规的过程式程序设计语言—诸如“C”语言或类似的程序设计语言。程序代码可以完全地在用户计算设备上执行、部分地在用户设备上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算设备上部分在远程计算设备上执行、或者完全在远程计算设备或服务器上执行。在涉及远程计算设备的情形中,远程计算设备可以通过任意种类的网络,包括局域网(LAN)或广域网(WAN),连接到用户计算设备,或者,可以连接到外部计算设备(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。
此外,上述附图仅是根据本发明示例性实施例的方法所包括的处理的示意性说明,而不是限制目的。易于理解,上述附图所示的处理并不表明或限制这些处理的时间顺序。另外,也易于理解,这些处理可以是例如在多个模块中同步或异步执行的。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后,将容易想到本公开的其他实施例。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的,本公开的真正范围和精神由权利要求指出。
应当理解的是,本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构,并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限。

Claims (14)

1.一种绑定异常的测试方法,其特征在于,用于覆晶薄膜,所述覆晶薄膜连接显示面板和电路板,所述方法包括:
获取覆晶薄膜绑定区的群阻抗,所述绑定区的群阻抗为所述绑定区内的绑定点串联和/或并联的阻值;
当所述绑定区的群阻抗位于第一预设阈值范围之外时,确定所述覆晶薄膜绑定异常;
获取绑定子区的群阻抗,并且根据所述绑定子区的群阻抗确定所述异常绑定子区,所述绑定子区为对所述绑定区分区所得到的区域,所述绑定子区的群阻抗为所述绑定子区内的绑定点串联和/或并联的阻值。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述获取覆晶薄膜绑定区的群阻抗,包括:
获取第一绑定区的群阻抗,所述第一绑定区为所述覆晶薄膜和显示面板绑定的区域;
获取第二绑定区的群阻抗,所述第二绑定区为所述覆晶薄膜和电路板绑定的区域。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述获取绑定子区的群阻抗,并且根据所述绑定子区的群阻抗确定所述异常绑定子区,包括:
获取绑定子区的群阻抗,并根据绑定子区的群阻抗确定异常绑定子区,所述绑定子区为对所述绑定区进行分区得到的区域;
获取下一级绑定子区的群阻抗,并根据下一级绑定子区的群阻抗确定下一级异常绑定子区,直至绑定子区不能分区,所述下一级绑定子区为对所述异常绑定子区分区得到的区域。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述获取绑定子区的群阻抗,并根据绑定子区的群阻抗确定异常绑定子区,包括:
对所述绑定区进行均匀分区得到多个一致的绑定子区,并获取每个绑定子区的群阻抗;
当所述绑定子区的群阻抗位于第二预设阈值范围之外时,确定所述绑定子区为异常绑定子区。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,当所述绑定子区的群阻抗位于第二预设阈值范围之外时,确定所述绑定子区为异常绑定子区,包括:
当任一绑定子区的群阻抗和多个绑定子区的群阻抗的众数不一致,确定所述绑定子区为异常绑定子区。
6.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述获取下一级绑定子区的群阻抗,并根据下一级绑定子区的群阻抗确定下一级异常绑定子区,直至绑定子区不能分区,包括:
分区步骤:对上一级绑定子区进行分区得到多个下一级绑定子区,并获取下一级绑定子区的群阻抗;
确定步骤,当所述下一级绑定子区的群阻抗位于对应的预设阈值之外时,确定所述下一级绑定子区为异常下一级绑定子区;
重复分区步骤和确定步骤,直至绑定子区包括一条导线。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述当所述下一级绑定子区的群阻抗位于对应的预设阈值之外时,确定所述下一级绑定子区为异常下一级绑定子区,包括:
当任一所述下一级绑定子区的群阻抗和多个所述下一级绑定子区的群阻抗的众数不一致时,确定所述下一级绑定子区为异常下一级绑定子区。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述异常绑定子区通过镭射反射确定绑定异常的位置。
9.一种绑定异常的测试装置,其特征在于,用于覆晶薄膜,所述覆晶薄膜连接显示面板和电路板,所述绑定异常的测试装置包括:
第一获取模块,用于获取覆晶薄膜绑定区的群阻抗,所述绑定区的群阻抗为所述绑定区内的绑定点串联和/或并联的阻值;
第一确定模块,用于当所述绑定区的群阻抗位于第一预设阈值范围之外时,确定所述覆晶薄膜绑定异常;
第二确定模块,用于获取绑定子区的群阻抗,并且根据所述绑定子区的群阻抗确定所述异常绑定子区,所述绑定区包括多个绑定子区,所述绑定子区的群阻抗为所述绑定子区内的绑定点串联和/或并联的阻值。
10.一种绑定异常的修复方法,其特征在于,用于覆晶薄膜,所述覆晶薄膜连接显示面板和电路板,所述方法包括:
获取覆晶薄膜绑定区的群阻抗,所述绑定区的群阻抗为所述绑定区内的绑定点串联和/或并联的阻值;
当所述绑定区的群阻抗位于第一预设阈值范围之外时,确定所述覆晶薄膜绑定异常;
获取绑定子区的群阻抗,并且根据所述绑定子区的群阻抗确定所述异常绑定子区,所述绑定区包括多个绑定子区,所述绑定子区的群阻抗为所述绑定子区内的绑定点串联和/或并联的阻值;
对所述异常绑定子区进行绑定修复。
11.如权利要求10所述的方法,其特征在于,所述对所述异常绑定子区进行绑定修复,包括:
增加所述异常绑定子区绑定粒子的浓度,以修复所述异常绑定子区。
12.一种绑定异常的修复装置,其特征在于,用于覆晶薄膜,所述覆晶薄膜连接显示面板和电路板,所述绑定异常的修复装置包括:
第一获取模块,用于获取覆晶薄膜绑定区的群阻抗,所述绑定区的群阻抗为所述绑定区内的绑定点串联和/或并联的阻值;
第一确定模块,用于当所述绑定区的群阻抗位于第一预设阈值范围之外时,确定所述覆晶薄膜绑定异常;
第二确定模块,用于获取绑定子区的群阻抗,并且根据所述绑定子区的群阻抗确定所述异常绑定子区,所述绑定区包括多个绑定子区,所述绑定子区的群阻抗为所述绑定子区内的绑定点串联和/或并联的阻值;
修复模块,用于对所述异常绑定子区进行绑定修复。
13.一种电子设备,其特征在于,包括
处理器;以及
存储器,所述存储器上存储有计算机可读指令,所述计算机可读指令被所述处理器执行时实现根据权利要求1至8中任一项所述的方法。
14.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现根据权利要求1至8中任一项所述方法。
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