CN112768955B - 一种抗混叠旋转错位阵列天线 - Google Patents
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Abstract
Description
技术领域
本发明属于被动综合孔径体制微波遥感领域,尤其涉及一种抗混叠旋转错位阵列天线。
背景技术
综合孔径微波辐射探测作为一种通过接收被观测场景辐射的微波能量来获取目标特性的被动式微波遥感技术,与传统实孔径辐射探测直接进行功率测量成像的原理不同。它是用多个小单元天线按照一定的阵列布局(T型、Y型、O型等)等效实孔径探测的大口径天线,以获得由于实孔径天线尺寸限制而无法达到的高空间分辨率。通过每两个小单元天线之间的干涉测量,对视场内辐射亮温分布的空间频率域进行采样,得到可见度函数,然后通过对可见度函数进行数学运算来重建亮温图像。
其中阵列布局对综合孔径辐射探测的性能有重要影响:阵列的最大长度决定系统成像的空间分辨率,阵列的最小单元间距决定系统成像的无混叠视场,而系统灵敏度与阵元数目、阵元间隔的排布方式等也密切相关。不同阵列布局的可见度函数采样性能不同,对系统成像性能影响也不同。因此,阵列布局的优化设计须综合考虑系统各项性能指标(分辨率、灵敏度、视场等)及硬件的可实现性等各种因素。
发明内容
本发明的技术目的是提供一种抗混叠旋转错位阵列天线,以解决混叠问题严重、灵敏度低的技术问题。
为解决上述问题,本发明的技术方案为:
一种抗混叠旋转错位阵列天线,基于确定抗混叠旋转错位阵列天线空间位置的坐标系,抗混叠旋转错位阵列天线呈梅花形采样分布,其包括:第一子阵列天线、第二子阵列天线、第三子阵列天线和第四子阵列天线;
第一子阵列天线包括等间隔Δu呈直线设置的N个天线单元;
第二子阵列天线包括等间隔Δu呈直线设置的N-1个天线单元;
第三子阵列天线包括等间隔Δu呈直线设置的N-1个天线单元;
第四子阵列天线包括等间隔Δu呈直线设置的N-1个天线单元;
其中,第一子阵列天线、第二子阵列天线和第三子阵列天线呈U型布局,并且第二子阵列天线与第三子阵列天线平行,第一子阵列天线分别垂直于第二子阵列天线、第三子阵列天线,第一阵列天线分别与坐标系的x轴正方向呈45°、坐标系的y轴正方向呈45°设置;
具体地,第二子阵列天线和第三子阵列天线靠近第一子阵列两端的天线单元,与第一子阵列两端的天线单元间隔为Δu。
具体地,梅花形采样的可见度函数的总样本点数NV公式如下,Nv=8N2+8N+1。
本发明由于采用以上技术方案,使其与现有技术相比具有以下的优点和积极效果:
本发明设置通过对天线单元的合理布局从而得到一阵列天线以实现梅花阵栅格可见度函数采样,并对阵列天线旋转45°从而得到抗混叠旋转错位阵列天线以实现梅花阵栅格采样旋转,增密了可视度函数采样点数,实现增大探测无混叠区域的同时提高系统探测的灵敏度,从而拓宽反演成像区域、提高反演图像的清晰程度。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述,各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的,而并不认为是对本发明的限制。
图1为本发明的一种抗混叠旋转错位阵列天线的阵列布局示意图;
图2为基于图1阵列布局所对应的旋转梅花阵栅格可见度函数采样示意图;
图3为一种U型阵列布局示意图;
图4为基于图3阵列布局所对应的标准矩形栅格可见度函数采样示意图;
图5为一种U型阵列增加错位单元臂的布局示意图;
图6为基于图5阵列布局所对应的梅花阵栅格可见度函数采样示意图;
图7为基于图1获取的新型阵列布局的无混叠视场示意图;
图8为基于图3获取的标准矩形阵列的无混叠视场示意图;
图9为某一场景的光学图像;
图10为基于图9通过本发明阵列布局获取的反演图像;
图11为基于图9通过U型阵列布局获取的反演图像。
具体实施方式
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对照附图说明本发明的具体实施方式。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图,并获得其他的实施方式。
为使图面简洁,各图中只示意性地表示出了与本发明相关的部分,它们并不代表其作为产品的实际结构。另外,以使图面简洁便于理解,在有些图中具有相同结构或功能的部件,仅示意性地绘示了其中的一个,或仅标出了其中的一个。在本文中,“一个”不仅表示“仅此一个”,也可以表示“多于一个”的情形。
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的一种抗混叠旋转错位阵列天线作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书,本发明的优点和特征将更清楚。
实施例1
参看图1,本实施例提供一种抗混叠旋转错位阵列天线,现对其如何得到进行详细说明。
参看图3,在本实施例中,首先需要将若干天线单元按照U型布局阵列放置在坐标系内,其中,该坐标系只为了直观看到天线单元的位置关系,与实际应用无关,坐标系内的间距1代表1*Δu。具体地,若干相邻的天线单元之间的间距为Δu,U型阵列包括由天线单元组成的三条边,每条边均为直线且相邻两边互相垂直。现将该U型阵列分为第一子阵列天线、第二子阵列天线、第三子阵列天线,其中,第一子阵列天线为U型阵列的底边,其包括N个天线单元,第二子阵列天线和第三子阵列天线均包括N-1个天线单元。参看图3,结合坐标系,第二子阵列天线的天线单元x坐标一致且均为0,第三子阵列天线的天线单元x坐标一致且均为8。基于上述U型阵列布局以形成标准矩形栅格采样,其标准矩形栅格的可见度函数采样示意图如图4所示,标准矩形栅格的采样间距为该可见度函数的采样平面最小单元面积为Δs=Δu2,其总样本点数Nv1=4N2+4N+1。
接着,参看图5,在本实施例中,对上述U型阵列布局中开口处增加第四子阵列天线,第四子阵列天线的天线单元数量为N-1,其天线单元之间呈直线且间距为Δu设置,该第四子阵列天线与第一子阵列天线相互平行。结合坐标系,第四子阵列天线两端的天线单元的坐标分别(0.5,8.5)、(7.5,8.5),即第四子阵列天线两端的天线单元分别距离最近的第二子阵列天线的天线单元、第三子阵列天线的天线单元的距离均为如此设置以形成梅花阵栅格采样,其梅花阵栅格可见度函数的采样示意图参看图6,梅花阵栅格可见度函数总样本数为Nv2=8N2+8N+1。
参看图1,最后结合坐标系,以坐标点(0,0)为旋转原点,将上述第一子阵列天线、第二子阵列天线、第三子阵列天线和第四子阵列天线内的天线单元逆时针旋转45°,即可得到本实施例的一种抗混叠旋转错位阵列天线。如此设置以形成旋转梅花阵栅格采样,其旋转梅花阵栅格可见度函数的采样示意图具体参看图6,旋转梅花阵栅格的采样间距为该可见度函数的采样平面最小单元面积为其总样本点数Nv3=Nv2=8N2+8N+1。
现对U型阵列布局和本实施例的阵列布局进行比较抗混叠能力。根据综合孔径采样间隔Δl与栅瓣关系,若视场范围为|ξmin,ξmax|,则视场内无栅瓣的条件为即采样的间距越稀,栅瓣间距越密。该U型布局阵列的间距为Δu,其对应的无混叠视场如图8所示;本实施例的旋转错位布局阵列间距也为Δu,其对应的无混叠视场如图7所示,对比得出无混叠视场扩大了倍。
参看图9至图11,为了进一步说明本实施例的性能,通过本实施与U型阵列布局对同一场景图像反演的清晰程度进行说明。在微波遥感领域,灵敏度是衡量遥感效果的一个重要指标,反映了图像中每一个像素点亮温变化的最小可检测程度,表现为反演图像的清晰程度,为后续从图像中提取所需信息提供有利帮助。根据综合孔径灵敏度与阵列布局的关系公式,灵敏度ΔT与采样平面最小单元面积Δs和可见度函数样本点数的平方根乘积成正比。U型阵列布局下的最小单元面积为Δs=Δu2,总样本点数Nv1=4N2+4N+1,本例下的最小单元面积为总样本点数Nv3=8N2+8N+1,对比计算得本实施例阵列布局的灵敏度比U型阵列布局的灵敏度提高了倍,灵敏度数值越小说明越灵敏。运用MATLAB软件进行反演仿真,图9是场景光学图像,图11是U型阵列布局后利用反傅里叶变换的反演图像,图10是基于本实施例阵列布局后利用反傅里叶变换的反演图像,可以看出基于本例新型布局的反演图像体现了更多的细节信息,轮廓更为清晰,性能更加优秀。
补充说明,若系统探测要求的无混叠幅宽一定,则本实施例对应的错位布局,其天线单元间距是U型布局的倍。在空间分辨率(即可见度函数采样平面最大长度)要求不变的情况下,新型布局可以大大减少单元数目,并降低对单元天线的设计及工程实现要求。
上面结合附图对本发明的实施方式作了详细说明,但是本发明并不限于上述实施方式。即使对本发明作出各种变化,倘若这些变化属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则仍落入在本发明的保护范围之中。
Claims (1)
1.一种抗混叠旋转错位阵列天线,其特征在于,基于确定抗混叠旋转错位阵列天线空间位置的坐标系,所述抗混叠旋转错位阵列天线呈梅花形采样分布,其包括:第一子阵列天线、第二子阵列天线、第三子阵列天线和第四子阵列天线;
所述第一子阵列天线包括等间隔Δu呈直线设置的N个天线单元;
所述第二子阵列天线包括等间隔Δu呈直线设置的N-1个天线单元;
所述第三子阵列天线包括等间隔Δu呈直线设置的N-1个天线单元;
所述第四子阵列天线包括等间隔Δu呈直线设置的N-1个天线单元;
其中,所述第一子阵列天线、所述第二子阵列天线和所述第三子阵列天线呈U型布局,并且所述第二子阵列天线与所述第三子阵列天线平行,所述第一子阵列天线分别垂直于所述第二子阵列天线、所述第三子阵列天线,所述第一子阵列天线分别与所述坐标系的x轴正方向呈45°、所述坐标系的y轴正方向呈45°设置;
所述第四子阵列天线与所述第一子阵列天线平行,所述第四子阵列天线两端的天线单元分别距离所述第二子阵列天线远离所述第一子阵列天线的一端的天线单元、所述第三子阵列天线远离所述第一子阵列天线的一端的天线单元的间隔均为
其中,所述第二子阵列天线和所述第三子阵列天线靠近所述第一子阵列两端的天线单元,与所述第一子阵列两端的天线单元间隔为Δu;
其中,所述梅花形采样的可见度函数的总样本点数NV公式如下,Nv=8N2+8N+1;
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