CN112759776A - 一种聚芳酯改性液晶高分子薄膜及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明属于液晶高分子膜技术领域，具体涉及一种聚芳酯改性液晶高分子薄膜及其制备方法。所述改性液晶高分子薄膜，其包含如下组分：液晶高分子、聚芳酯和抗氧剂。本发明提供的技术方案通过添加合适量的聚芳酯不仅可以有效增强液晶高分子的熔体强度，削弱分子链的单向取向性，提高成膜性，还可以提高液晶高分子膜的韧性。本发明制备的改性液晶高分子复合膜具有低吸湿性、低介电常数/介电损耗、耐高温和良好的力学强韧性等综合性能，可应用于高频柔性印制线路板的基材。

Description

一种聚芳酯改性液晶高分子薄膜及其制备方法
技术领域
本发明属于液晶高分子膜领域，具体涉及一种聚芳酯改性液晶高分子薄膜及其制备方法。
背景技术
近几年，随着5G移动通讯的快速发展，作为未来高频通讯重要基材的LCP受到了极大的关注。这主要归因于LCP本身具有低的介电常数(～3.0)、低的介电损耗(≤0.005)、极低的吸湿率(≤0.05％)、优异的耐热性和尺寸稳定性。这些特点使得它们非常适合应用在毫米波通讯领域，如5G电子连接器、5G基站天线振子、5G射频天线软板等。其中，用作5G射频天线绝缘基材的LCP膜由于其市场规模最为宏大，产品附加值高，受到的关注度也最高。
热致液晶高分子(TLCP)是一种具有刚性棒状分子结构特征的聚酯类高分子。它们在熔融状态下既呈现液体的流动性又具有晶体的各向异性。因为分子链之间几乎不形成缠结，且在熔体下呈现向列型的有序排布，使得LCP的熔体强度低，粘度对应力场很敏感，分子链极易沿着应力方向取向排列。强烈的分子顺向性和极快速的冷却结晶速度使得LCP加工成膜具有很高的技术门槛。因此如何改善分子顺向性，提高TD方向的强度是制膜的关键，具体的涉及方法包括树脂配方设计、特殊设备设计以及特殊的制膜工艺等。如公开专利US5529741报道采用同轴反向旋转模头来进行LCP的吹塑成膜，可显著改善LCP分子沿MD方向的强烈分子取向；又如公开专利US5681624报道采用多孔PTFE膜与T型模头流延的LCP坯膜进行热压复合，在PFTE的支撑和保护下对LCP膜进行熔点附近的双拉制程，可以得到各向同性性能较好的LCP膜。上述方法所涉及的设备制造要求和成本较高，工艺控制难度大。因此，相比于特殊设备和特殊设计，通过对原料进行改性，在不损失重要性能的前提下，增大熔体强度，减小分子顺向性，提升成膜性，进而减小对特殊设备和辅材的依赖，对于LCP薄膜的低成本开发具有重要意义。
发明内容
本发明提供了聚芳酯改性液晶高分子薄膜及其制备方法，用以增加熔体粘度和强度，缓解分子链的强烈顺向性，提升成膜性。
为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：
一种聚芳酯改性液晶高分子薄膜，其特征在于：所述的聚芳酯改性的液晶高分子薄膜介电常数≤3.2(10GHz)，逸散因子为≤0.004(10GHz)；热膨胀系数为16-21ppm/K,吸水率小于0.05％；力学性能为TD抗拉强度为90-170MPa，TD断裂伸长率≥20％，MD抗拉强度为140-200MPa，MD断裂伸长率≥18％。
进一步的，所述的聚芳酯改性液晶高分子薄膜由改性液晶高分子树脂制成。
进一步的，所述聚芳酯改性液晶高分子树酯的熔体粘度在为750-3000Pas。
进一步的，所述改性液晶高分子树酯包含液晶高分子树脂、聚芳酯树脂和抗氧剂。
进一步的，所述改性液晶高分子树酯的各组分重量组成如下：80-100份液晶高分子树脂、0-20份聚芳酯树脂及0-0.8份抗氧剂。
进一步的，所述聚芳酯是一种无定型的聚酯材料，其与液晶高分子树脂具有部分相容性，同时其也具有低的介电常数(2.8，1GHz)，低的介电损耗(0.007，1GHz)和高的耐热性(Tg＝193℃)。
进一步的，所述聚芳酯与液晶高分子树脂具有很好的匹配性，在不影响介电性能和耐热性的同时可改善LCP的韧性。
进一步的，所述聚芳酯的熔体粘度大，利于提升液晶高分子树脂的熔体强度和粘度。
进一步的，所述共混体系熔体粘度的提高以及聚芳酯分子链的缠绕利于增大LCP分子链发生取向的阻力，进而改善LCP分子链的取向性，提升成膜性。
进一步的，所述液晶高分子树脂选自熔点大于或等于280℃的膜级树脂。
进一步的，抗氧剂选自抗氧剂246、抗氧剂168、抗氧剂1010、抗氧剂1790中的一种或两种复配使用。
进一步的，抗氧剂优选为抗氧剂1010与抗氧剂168复配使用。
进一步的，所用聚芳酯树脂为双酚A、对二甲酸、间苯二甲酸中、对羟基苯甲酸中的两种或两种以上单体共聚而成的聚合物。
进一步的，所用聚芳酯树脂优选为双酚A与对苯二甲酸和间苯二甲酸共聚而成的聚芳酯。
本发明还提供了上述改性液晶高分子薄膜的制备方法，其包括以下步骤：将干燥后的各组分按一定配比在双螺杆挤出机内熔融、混炼、挤出造粒，得到改性液晶高分子树酯；然后再将改性料加入到单螺杆挤出机中，经T型模头挤出-流延-双拉或环型模头挤出-吹塑成膜法制得到；再经热处理后得到液晶高分子薄膜。
进一步的，所述制备方法可用来制备厚度在25-100μm的液晶高分子薄膜。
本发明提供的技术方案具有如下有益效果：通过添加适量的聚芳酯，可以在不损失LCP原有关键性能基础上，提高LCP的熔体强度和粘度，缓解分子顺向性，提升成膜性，改善薄膜韧性，且无需外加增容剂，从而减小工艺难度和对特殊设备的依赖性。最终得到的液晶高分子薄膜膜具有低介电常数、低损耗因子、低吸湿性以及良好的强韧性，并且均采用商品化的树脂和添加剂，能够适应工业化生产。
具体实施方式：
下面对本发明进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清晰明确的界定。
测试方法：
(1)介电常数和损耗因子的测试方法为同轴共振腔法，仪器为日本AET开发的高频介电常数分析仪。
(2)热膨胀系数的测试方法为TMA法，拉伸模式，载荷为50mN，取50-200℃范围每摄氏度的平均形变率为热膨胀系数，仪器为TA公司制的TMA Q400。
(3)薄膜吸水率的测试方法按照ASTM D570-98进行，通过精确测量薄膜在23℃去离子水中浸泡24小时前后的质量变化来计算吸水率。
(4)LCP树脂及改性树脂剪切粘度通过旋转流变仪来测试，测试在295℃和1Hz的剪切频率下的粘度。
(5)成膜难易性评价：吹膜过程中可实现连续无明显缺陷吹膜达到10m以上认为成膜性好；吹膜过程中连续无明显缺陷吹膜在2m-10m之间认为成膜性中等；吹膜过程中连续无明显缺陷吹膜段小于2m认为成膜性差。
实施例1
原料配方(重量份)为宝理塑料株式会社产A950RX液晶高分子97.1份、聚芳酯2.5份、抗氧剂1010 0.2份，抗氧剂168 0.2份。
改性液晶高分子薄膜的制备流程：首先将A950RX液晶高分子树脂粒(熔融温度280℃)和聚芳酯树脂粒在140℃烘箱中烘烤8小时，除去水分。将烘干的液晶高分子树脂、聚芳酯和抗氧剂经机械搅拌混合器进行充分混合，然后加入到双螺杆挤出机中进行混炼、挤出、造粒，得到改性树脂料，混炼温度为280-300℃；然后将改性树脂料加到单螺杆挤出机中继续熔融塑化，最后从直径30mm、狭缝间隔0.6mm的螺旋式环型模头中挤出-吹塑成膜，再经热处理后，得到厚度为50μm改性液晶高分子薄膜。所得液晶高分子薄膜的性能见表1。
实施例2
与实施例1的不同之处在于配方比例的调整，具体如下：
原料配方(重量份)为宝理塑料株式会社产C950RX液晶高分子94.6份、聚芳酯5份、抗氧剂1010 0.2份，抗氧剂168 0.2份。
改性液晶高分子薄膜的制备流程：首先将C950RX液晶高分子树脂粒(熔融温度280℃)和聚芳酯树脂粒在140℃烘箱中烘烤8小时，除去水分。将烘干的液晶高分子树脂、聚芳酯和抗氧剂经机械搅拌混合器进行充分混合，然后加入到双螺杆挤出机中进行混炼、挤出、造粒，得到改性树脂料，混炼温度为280-300℃；然后将改性树脂料加到单螺杆挤出机中继续熔融塑化，最后从直径30mm、狭缝间隔0.6mm的螺旋式环型模头中挤出-吹塑成膜，再经热处理后，得到厚度为50μm改性液晶高分子薄膜。所得液晶高分子薄膜的性能见表1。
实施例3
与实施例1的不同之处在于配方比例的调整，具体如下：
原料配方(重量份)为宝理塑料株式会社产A950RX液晶高分子92.1份、聚芳酯7.5份、抗氧剂1010 0.2份，抗氧剂168 0.2份。
改性液晶高分子薄膜的制备流程：首先将A950RX液晶高分子树脂粒(熔融温度280℃)和聚芳酯树脂粒在140℃烘箱中烘烤8小时，除去水分。将烘干的液晶高分子树脂、聚芳酯和抗氧剂经机械搅拌混合器进行充分混合，然后加入到双螺杆挤出机中进行混炼、挤出、造粒，得到改性树脂料，混炼温度为280-300℃；然后将改性树脂料加到单螺杆挤出机中继续熔融塑化，最后从直径30mm、狭缝间隔0.6mm的螺旋式环型模头中挤出-吹塑成膜，再经热处理后，得到厚度为50μm改性液晶高分子薄膜。所得液晶高分子薄膜的性能见表1。
实施例4
与实施例1的不同之处在于配方比例的调整，具体如下：
原料配方(重量份)为宝理塑料株式会社产A950RX液晶高分子89.6份、聚芳酯10份、抗氧剂1010 0.2份，抗氧剂168 0.2份。
改性液晶高分子薄膜的制备流程：首先将A950RX液晶高分子树脂粒(熔融温度280℃)和聚芳酯树脂粒在140℃烘箱中烘烤8小时，除去水分。将烘干的液晶高分子树脂、聚芳酯和抗氧剂经机械搅拌混合器进行充分混合，然后加入到双螺杆挤出机中进行混炼、挤出、造粒，得到改性树脂料，混炼温度为280-300℃；然后将改性树脂料加到单螺杆挤出机中继续熔融塑化，最后从直径30mm、狭缝间隔0.6mm的螺旋式环型模头中挤出-吹塑成膜，再经热处理后，得到厚度为50μm改性液晶高分子薄膜。所得液晶高分子薄膜的性能见表1。
实施例5
与实施例1的不同之处在于配方比例的调整，具体如下：
原料配方(重量份)为宝理塑料株式会社产A950RX液晶高分子84.6份、聚芳酯15份、抗氧剂1010 0.2份，抗氧剂168 0.2份。
改性液晶高分子薄膜的制备流程：首先将A950RX液晶高分子树脂粒(熔融温度280℃)和聚芳酯树脂粒在140℃烘箱中烘烤8小时，除去水分。将烘干的液晶高分子树脂、聚芳酯和抗氧剂经机械搅拌混合器进行充分混合，然后加入到双螺杆挤出机中进行混炼、挤出、造粒，得到改性树脂料，混炼温度为280-300℃；然后将改性树脂料加到单螺杆挤出机中继续熔融塑化，最后从直径30mm、狭缝间隔0.6mm的螺旋式环型模头中挤出-吹塑成膜，再经热处理后，得到厚度为50μm改性液晶高分子薄膜。所得液晶高分子薄膜的性能见表1。
实施例6
与实施例2的不同之处在于液晶高分子树脂的差异，具体如下：
原料配方(重量份)为宝理塑料株式会社产C950RX液晶高分子94.6份、聚芳酯5份、抗氧剂1010 0.2份，抗氧剂168 0.2份。
改性液晶高分子薄膜的制备流程：首先将C950RX液晶高分子树脂粒(熔融温度280℃)和聚芳酯树脂粒在140℃烘箱中烘烤8小时，除去水分。将烘干的液晶高分子树脂、聚芳酯和抗氧剂经机械搅拌混合器进行充分混合，然后加入到双螺杆挤出机中进行混炼、挤出、造粒，得到改性树脂料，混炼温度为320-340℃；然后将改性树脂料加到单螺杆挤出机中继续熔融塑化，最后从直径30mm、狭缝间隔0.6mm的螺旋式环型模头中挤出-吹塑成膜，再经热处理后，得到厚度为50μm改性液晶高分子薄膜。所得液晶高分子薄膜的性能见表1。
实施例7
与实施例2的不同之处在于液晶高分子膜厚度的不同，具体如下：
原料配方(重量份)为宝理塑料株式会社产A950RX液晶高分子94.6份、聚芳酯5份、抗氧剂1010 0.2份，抗氧剂168 0.2份。
改性液晶高分子薄膜的制备流程：首先将A950RX液晶高分子树脂粒(熔融温度280℃)和聚芳酯树脂粒在140℃烘箱中烘烤8小时，除去水分。将烘干的液晶高分子树脂、聚芳酯和抗氧剂经机械搅拌混合器进行充分混合，然后加入到双螺杆挤出机中进行混炼、挤出、造粒，得到改性树脂料，混炼温度为300-320℃；然后将改性树脂料加到单螺杆挤出机中继续熔融塑化，最后从直径30mm、狭缝间隔0.6mm的螺旋式环型模头中挤出-吹塑成膜，再经热处理后，得到厚度为25μm改性液晶高分子薄膜。所得液晶高分子薄膜的性能见表1。
实施例8
与实施例2的不同之处在于液晶高分子膜厚度的不同，具体如下：
原料配方(重量份)为宝理塑料株式会社产A950RX液晶高分子94.6份、聚芳酯5份、抗氧剂1010 0.2份，抗氧剂168 0.2份。
改性液晶高分子薄膜的制备流程：首先将A950RX液晶高分子树脂粒(熔融温度280℃)和聚芳酯树脂粒在140℃烘箱中烘烤8小时，除去水分。将烘干的液晶高分子树脂、聚芳酯和抗氧剂经机械搅拌混合器进行充分混合，然后加入到双螺杆挤出机中进行混炼、挤出、造粒，得到改性树脂料，混炼温度为300-320℃；然后将改性树脂料加到单螺杆挤出机中继续熔融塑化，最后从直径30mm、狭缝间隔0.6mm的螺旋式环型模头中挤出-吹塑成膜，再经热处理后，得到厚度为75μm改性液晶高分子薄膜。所得液晶高分子薄膜的性能见表1。
实施例9
与实施例2的不同之处在于液晶高分子膜厚度的不同，具体如下：
原料配方(重量份)为宝理塑料株式会社产A950RX液晶高分子94.6份、聚芳酯5份、抗氧剂1010 0.2份，抗氧剂168 0.2份。
改性液晶高分子薄膜的制备流程：首先将A950RX液晶高分子树脂粒(熔融温度280℃)和聚芳酯树脂粒在140℃烘箱中烘烤8小时，除去水分。将烘干的液晶高分子树脂、聚芳酯和抗氧剂经机械搅拌混合器进行充分混合，然后加入到双螺杆挤出机中进行混炼、挤出、造粒，得到改性树脂料，混炼温度为300-320℃；然后将改性树脂料加到单螺杆挤出机中继续熔融塑化，最后从直径30mm、狭缝间隔0.6mm的螺旋式环型模头中挤出-吹塑成膜，再经热处理后，得到厚度为100μm改性液晶高分子薄膜。所得液晶高分子薄膜的性能见表1。
实施例10
与实施例2的不同之处在于成膜方式的差异，具体如下：
原料配方(重量份)为宝理塑料株式会社产A950RX液晶高分子94.6份、聚芳酯5份、抗氧剂1010 0.2份，抗氧剂168 0.2份。
改性液晶高分子薄膜的制备流程：首先将A950RX液晶高分子树脂粒(熔融温度280℃)和聚芳酯树脂粒在140℃烘箱中烘烤8小时，除去水分。将烘干的液晶高分子树脂、聚芳酯和抗氧剂经机械搅拌混合器进行充分混合，然后加入到双螺杆挤出机中进行混炼、挤出、造粒，得到改性树脂料，混炼温度为280-300℃；然后将改性树脂料加到单螺杆挤出机中继续熔融塑化，最后从T型模头挤出-流延-双拉成膜，再经热处理后，得到厚度为50μm改性液晶高分子薄膜。所得液晶高分子薄膜的性能见表1。
实施例11
与实施例6的不同之处在于成膜方式的差异，具体如下：
原料配方(重量份)为宝理塑料株式会社产C950RX液晶高分子94.6份、聚芳酯5份、抗氧剂1010 0.2份，抗氧剂168 0.2份。
改性液晶高分子薄膜的制备流程：首先将C950RX液晶高分子树脂粒(熔融温度280℃)和聚芳酯树脂粒在140℃烘箱中烘烤8小时，除去水分。将烘干的液晶高分子树脂、聚芳酯和抗氧剂经机械搅拌混合器进行充分混合，然后加入到双螺杆挤出机中进行混炼、挤出、造粒，得到改性树脂料，混炼温度为320-340℃；然后将改性树脂料加到单螺杆挤出机中继续熔融塑化，最后从T型模头挤出-流延-双拉成膜，再经热处理后，得到厚度为50μm改性液晶高分子薄膜。所得液晶高分子薄膜的性能见表1。
对比例1
与实施例2的不同之处在于没有聚芳酯成分，具体如下：
原料配方(重量份)为宝理塑料株式会社产A950RX液晶高分子99.6份，抗氧剂10100.2份，抗氧剂1680.2份。
改性液晶高分子薄膜的制备流程：首先将A950RX液晶高分子树脂粒(熔融温度280℃)和聚芳酯树脂粒在140℃烘箱中烘烤8小时，除去水分。将烘干的液晶高分子树脂和抗氧剂经机械搅拌混合器进行充分混合，然后加入到双螺杆挤出机中进行混炼、挤出、造粒，得到改性树脂料，混炼温度为280-300℃；然后将改性树脂料加到单螺杆挤出机中继续熔融塑化，最后从直径30mm、狭缝间隔0.6mm的螺旋式环型模头中挤出-吹塑成膜。实验发现不加聚芳酯所制薄膜较难连续吹胀成膜，且性能各向异性较为严重。所得液晶高分子薄膜的性能见表1。
对比例2
与对比例1的不同之处在于不加聚芳酯也不加抗氧剂，具体如下：
原料配方(重量份)为宝理塑料株式会社产A950RX液晶高分子100份。
改性液晶高分子薄膜的制备流程：将A950RX液晶高分子树脂粒(熔融温度280℃)加入到单螺杆挤出机中熔融混炼，混炼温度为280-300℃，最后从直径30mm、狭缝间隔0.6mm的普通环型模头中挤出-吹塑成膜，实验发现该配方的薄膜存在氧化现象，且较易破裂而无法成完整的膜。所得液晶高分子薄膜的性能见表1。
对比例3
与实施例1的不同之处在于配方比例的调整，具体如下：
原料配方(重量份)为宝理塑料株式会社产A950RX液晶高分子79.6份、聚芳酯20份、抗氧剂1010 0.2份，抗氧剂168 0.2份。
改性液晶高分子薄膜的制备流程：首先将A950RX液晶高分子树脂粒(熔融温度280℃)和聚芳酯树脂粒在140℃烘箱中烘烤8小时，除去水分。将烘干的液晶高分子树脂、聚芳酯和抗氧剂经机械搅拌混合器进行充分混合，然后加入到双螺杆挤出机中进行混炼、挤出、造粒，得到改性树脂料，混炼温度为280-300℃；然后将改性树脂料加到单螺杆挤出机中继续熔融塑化，最后从直径30mm、狭缝间隔0.6mm的螺旋式环型模头中挤出-吹塑成膜，再经热处理后，得到厚度为50μm改性液晶高分子薄膜。所得液晶高分子薄膜的性能见表1。
表1实施例1-11和对比例1-2所述技术方案中改性液晶高分子薄膜的性能
Figure BDA0002872520750000061
由表1可见，由对比例1-3和实例1-11的对比，可见本发明提供的技术方案通过在液晶高分子中加入适量的聚芳酯可以有效提升树脂的熔体剪切粘度，缓解LCP分子链在熔融加工成膜过程中分子链的强烈取向性，改善成膜性和薄膜强韧性，且聚芳酯添加量的变化对液晶高分子薄膜的介电性能影响较小，但会显著影响薄膜的力学性能。综上可见，所述聚芳酯改性的液晶高分子薄膜，当聚芳酯添加量大于等于2.5wt％且小于等于10wt％时,改性液晶高分子膜的介电常数为<3.2(10GHz)，逸散因子为≤0.003(10GHz)，热膨胀系数为17-21ppm/℃,吸水率≤0.05％，横向抗拉强度可达140-220MPa，横向断裂伸长率大于18％，纵向抗拉强度为90-170MPa，纵向断裂伸长率大于20％。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种聚芳酯改性液晶高分子薄膜，其特征在于：所述的聚芳酯改性的液晶高分子薄膜介电常数≤3.2(10GHz)，逸散因子为≤0.004(10GHz)；热膨胀系数为16-21ppm/K,吸水率小于0.05％；力学性能为TD抗拉强度为90-170MPa，TD断裂伸长率≥20％，MD抗拉强度为140-200MPa，MD断裂伸长率≥18％。
2.根据权利要1所述的聚芳酯改性液晶高分子薄膜，其特征在于：所述的聚芳酯改性液晶高分子薄膜由改性液晶高分子树脂制成。
3.根据权利要求2述的聚芳酯改性液晶高分子薄膜，其特征在于：所述聚芳酯改性液晶高分子树酯的熔体粘度在为750-3000Pas。
4.根据权利要求2所述的聚芳酯改性液晶高分子薄膜，其特征在于：所述改性液晶高分子树酯包含液晶高分子树脂、聚芳酯树脂和抗氧剂。
5.根据权利要求4所述的聚芳酯改性液晶高分子薄膜，其特征在于：所述聚芳酯是一种无定型的聚酯材料，其与液晶高分子树脂具有部分相容性，同时其也具有低的介电常数(2.8，1GHz)，低的介电损耗(0.007，1GHz)和高的耐热性(Tg＝193℃)。
6.根据权利要求4所述的聚芳酯改性液晶高分子薄膜，其特征在于：所述液晶高分子树脂选自熔点大于或等于280℃的膜级树脂。
7.根据权利要求6所述的聚芳酯改性液晶高分子薄膜，其特征在于：所用聚芳酯树脂为双酚A、对二甲酸、间苯二甲酸中、对羟基苯甲酸中的两种或两种以上单体共聚而成的聚合物。
8.根据权利要求4所述的聚芳酯改性液晶高分子薄膜，其特征在于：抗氧剂选自抗氧剂246、抗氧剂168、抗氧剂1010、抗氧剂1790中的一种或两种复配使用。
9.一种聚芳酯改性液晶高分子薄膜的制备方法，其特征在于：将干燥后的各组分按一定配比在双螺杆挤出机内熔融、混炼、挤出造粒，得到改性液晶高分子树酯；然后再将改性料加入到单螺杆挤出机中，经T型模头挤出-流延-双拉或环型模头挤出-吹塑成膜法制得到；再经热处理后得到液晶高分子薄膜。
10.根据权利要求9所示的制备方法，其特征在于，可以用来制备厚度为25-100μm的液晶高分子高分子薄膜。
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CN113308111A (zh) * 2021-06-03 2021-08-27 宁夏清研高分子新材料有限公司 一种用于柔性印刷线路板的液晶高分子薄膜及其制备方法
CN113480868A (zh) * 2021-06-29 2021-10-08 宁波长阳科技股份有限公司 一种液晶高分子薄膜及其制备方法
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