CN112750744B - 基板保持装置以及基板保持方法 - Google Patents

基板保持装置以及基板保持方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112750744B
CN112750744B CN202011178132.5A CN202011178132A CN112750744B CN 112750744 B CN112750744 B CN 112750744B CN 202011178132 A CN202011178132 A CN 202011178132A CN 112750744 B CN112750744 B CN 112750744B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
holding
adhesion
substrate holding
shaft portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011178132.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112750744A (zh
Inventor
户江由也
下窄义行
小川滋之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Tokki Corp
Original Assignee
Canon Tokki Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Tokki Corp filed Critical Canon Tokki Corp
Publication of CN112750744A publication Critical patent/CN112750744A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112750744B publication Critical patent/CN112750744B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568Transferring the substrates through a series of coating stations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明涉及基板保持构件、基板保持装置以及基板保持方法。提供一种用于抑制异物(磨损粉末等)附着于基板的技术。具有:基体,其具有保持基板(10)的保持面(110X);以及粘附单元(120),其具有利用粘附力粘贴于基板(10)的粘附垫(123),设置为能够相对于所述基体移动,粘附单元(120)具有:轴部(121),其在一端侧连结有粘附垫(123);以及作为磁性构件的永磁体(125),其连结于轴部(121)的另一端侧。

Description

基板保持装置以及基板保持方法
技术领域
本发明涉及基板保持构件、基板保持装置、基板处理装置、基板保持方法、成膜方法以及电子器件的制造方法。
背景技术
在基板上进行成膜时等对基板进行各种处理的情况下,在将基板保持于基板保持构件(基板载体)的状态下进行各种处理。作为使基板保持于基板保持构件的方法,研究了通过夹具机构等夹持基板的周边部分的方法、使用静电吸盘的方法、使用粘附垫这样的粘附构件的方法等。
在专利文献1中记载了如下结构:通过设置在保持板上的粘附构件(粘附垫)来保持玻璃基板,将被粘附保持的玻璃基板连同保持板一起输送和翻转,在粘附保持于保持板的状态下对玻璃基板进行处理。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2013-55093号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明的发明人经过深入研究,结果得知在使用粘附垫保持基板的情况下,为了有效地进行粘附垫相对于基板的粘贴、剥离,优选采用使粘附垫相对于基板移动的结构。作为能够移动粘附垫的机构,可考虑机械地移动粘附垫的机构,例如滚珠丝杠机构、齿轮齿条副方式实现的致动器。然而,这样的机械结构包含滑动部分,因此,有时会产生因滑动磨损导致的异物并附着于基板上。若这样产生的异物附着于基板,则会对形成于基板上的膜、电子器件的特性造成影响,因此并不优选。
本发明是鉴于该课题而完成的,其目的在于提供一种用于抑制异物(磨损粉末等)附着于基板的技术。
用于解决问题的手段
本发明为了解决上述课题,采用了以下的手段。
即,本发明的基板保持构件具有:
基体,其具有保持基板的保持面;以及
粘附单元,其具有利用粘附力粘贴于基板的粘附垫,设置为能够相对于所述基体移动,
所述粘附单元具有:
轴部,其在一端侧连结有所述粘附垫;以及
磁性构件,其连结于所述轴部的另一端侧。
发明的效果
如以上说明的那样,根据本发明,能够抑制异物(磨损粉末等)附着于基板。
附图说明
图1是本发明的实施例的基板保持构件的俯视图。
图2是本发明的实施例的基板保持构件的示意性的剖视图。
图3是本发明的实施例的基板保持构件的示意性的剖视图。
图4是本发明的实施例的基板保持装置的动作说明图。
图5是本发明的实施例的基板保持装置的动作说明图。
图6是本发明的实施例的基板保持装置的动作说明图。
图7是本发明的实施例的基板保持装置的动作说明图。
图8是本发明的实施例的翻转装置的动作说明图。
图9是本发明的实施例的成膜装置的动作说明图。
图10是本发明的实施例的基板剥离装置的动作说明图。
图11是本发明的实施例的基板保持装置的动作说明图。
图12是本发明的实施例的基板保持装置的动作说明图。
图13是本发明的实施例的基板保持装置的动作说明图。
图14是本发明的实施例的翻转装置的动作说明图。
图15是本发明的实施例的基板剥离装置的动作说明图。
图16是本发明的实施例的有机EL显示装置的示意图。
附图标记说明
10…基板,20…掩模,30…蒸镀源,100…基板保持构件(基板载体),110…框体,110X…保持面,111…贯通孔,120…粘附单元,121…轴部,122…支承凸缘部,122…轴部,123…粘附垫,124…止挡部,125…永磁体,126…垫圈,127…螺母,128…弹性体,130…固定件,150…粘附单元保持构件,151…被固定部,152…保持部,153…贯通孔,200…销单元,210…马达,220…螺纹杆,230…螺母部,240…销,300…电磁线圈单元,310…马达,320…螺纹杆,330…螺母部,340…轴部,350…支承部,360…电磁线圈,370…支承台,380…驱动装置,400…按压单元,410…马达,420…螺纹杆,430…螺母部,440…轴部,450…按压部,500…支承台,610…保持构件,620…旋转轴,630…马达,640…支承构件,710…电源,720…控制部,A1…基板处理区域,A2…第1驱动源配置区域,A3…第2驱动源配置区域,R1…基板保持室,R2…翻转室,R3…成膜室,R4…基板剥离室。
具体实施方式
以下参照附图,基于实施例例示性地详细地说明用于实施本发明的方式。但是,该实施例所记载的构成部件的尺寸、材质、形状、其相对配置等只要没有特别特定的记载,就不旨在将本发明的范围仅限定于此。
本发明能够优选地应用于用于保持基板的基板保持装置和基板保持方法、使用了上述装置和方法的成膜装置和成膜方法、使用了成膜后的基板的电子器件的制造装置和电子器件的制造方法等。成膜方法不受限于蒸镀、溅射等方法,不受限于成膜材料、蒸镀材料的种类。本发明另外也可以作为使计算机执行基板保持方法、成膜方法的程序、储存有该程序的存储介质。存储介质也可以是能够由计算机读取的非临时性的存储介质。
(实施例)
参照图1~图16,说明本发明的实施例的基板保持构件、基板保持装置、基板处理装置、基板保持方法、成膜方法以及电子器件的制造方法。在以下的说明中,以用于制造电子器件的装置所具备的基板保持装置等为例进行说明。另外,作为用于制造电子器件的成膜方法,以采用了真空蒸镀法的情况为例进行说明。但是,本发明也能够应用于采用溅射法作为成膜方法的情况。另外,本发明的基板保持装置等除了用于成膜工序的装置之外,也能够应用于需要保持基板的各种装置,特别是能够优选地应用于以大型基板为处理对象的装置、具有使基板翻转的工序的装置。此外,作为应用于本发明的基板的材料,除了玻璃之外,能够选择半导体(例如硅)、高分子材料的膜、金属等任意的材料。另外,作为基板,例如也能够采用硅晶圆或者在玻璃基板上层叠有聚酰亚胺等膜的基板。
<基板保持构件(基板载体)>
特别参照图1~图3,说明本实施例的基板保持构件(基板载体)100。图1是本发明的实施例的基板保持构件的俯视图。此外,为了便于说明,在图1中,为了强调地示出特征性的结构,比例尺通常与实际的产品有很大的不同。图2是本发明的实施例的基板保持构件的示意性的剖视图,是图1中的AA剖视图。图3是本发明的实施例的基板保持构件的示意性的剖视图,是图1中的BB剖视图。此外,在图1和图2中,为了易于理解基板10和用于使基板10上下运动的销240的配置关系,这些构件也用虚线表示。
基板保持构件100具备基体,该基体具有保持基板10的面(以下,称为保持面110X)。在本实施例中,基体具备保持面110X由平面构成的平板状构件110和用于支承平板状构件110的框体115。在该平板状构件110设置有多个用于使销240从平板状构件110的保持面110X出没的贯通孔111,该销240用于使基板10上下运动。另外,基板保持构件100具备多个用于利用粘附力保持基板10的粘附单元120。另外,在平板状构件110也设置有多个构成为能够使粘附单元120的构成构件(粘附垫123等)移动的贯通孔112。如后所述通过粘附垫驱动机构来驱动粘附垫123,从而能够使粘附垫123经由贯通孔112从保持面110X突出或没入,或者使粘附垫123的粘附面成为与保持面110X齐平的状态。并且,基板保持构件100具备多个用于将基板10的周围固定于平板状构件110的固定件130。此外,在本实施例中,作为固定件130的一例而示出夹具的情况,但作为固定件,不限于夹具,能够采用各种公知技术。另外,平板状构件110的形状和尺寸根据基板10的尺寸和基板10中的成膜区域而适当地设定。而且,贯通孔111、粘附单元120以及固定件130的个数和配置也根据基板10的尺寸和基板10中的成膜区域而适当地设定。此外,在本实施例中,对基体由平板状构件110和框体115构成的例子进行说明,但本发明并不限定于此。即,基体具备平板状构件110和框体115中的至少一方即可。或者,基体只要是具有平面状的保持面110X的结构,则也能够由其他任意的构件构成。
<粘附单元>
特别参照图3,更详细地说明粘附单元120。在本实施例中,粘附单元120保持于截面L字形状的粘附单元保持构件150。该粘附单元保持构件150具备固定于框体115的被固定部151和保持粘附单元120的保持部152。在保持部152设置有贯通孔153。此外,在本实施例中,说明粘附单元保持构件150固定于框体115的例子,但并不限定于此,粘附单元保持构件150固定于基体即可。
粘附单元120具备轴部121、固定于轴部121的一端的支承凸缘部122、以及固定于支承凸缘部122的粘附垫123。粘附垫123由具有粘附性的片等构成。粘附垫123也可以具有将具有粘附性且具有把持面(或者粘附面)的粘附层与用于将粘附层粘接于支承凸缘部122的粘接层层叠而成的构造。另外,粘附单元120具备:止挡部124,其固定于轴部121的另一端侧;圆筒状的永磁体125,其供轴部121贯穿,且以与止挡部124相邻的状态固定于轴部121;以及垫圈126和螺母127,其用于将永磁体125固定于轴部121。此外,在轴部121的另一端侧形成有内螺纹,通过将螺母127拧入该内螺纹,能够将永磁体125固定于轴部121。此外,支承凸缘部122和止挡部124能够通过螺纹紧固、焊接等固定于轴部121。另外,在螺母127被拧入的状态下,轴部121、支承凸缘部122、粘附垫123、止挡部124、永磁体125、垫圈126以及螺母127成为一体化的状态。以下,将它们一体化而成的结构适当地称为“一体化的轴部121等”。另外,圆筒状的永磁体125构成为在轴向的一端侧和另一端侧,磁极不同。在图示的例子中,示出了设置有粘附垫123的那一侧为N极、其相反侧为S极的情况,但也可以反向配置。
而且,粘附单元120具备弹性体128,该弹性体128用于在使轴部121能够往复移动(上下运动)并且使轴部121能够摆动的状态下支承一体化的轴部121等。在本实施例中,作为弹性体128的一例,使用金属制的弹簧(螺旋弹簧)。其中,弹性体能够采用金属制的板簧、由弹性体材料构成的圆筒状的构件等适当的结构。然而,在真空中使用基板保持构件100的情况下,作为弹性体128,从减少从构成材料的脱气的观点出发,优选使用金属制的弹性构件。
在以隔着保持部152在保持面110X侧配置粘附垫123等并在其相反侧配置止挡部124等的方式将轴部121贯穿于贯通孔153的状态下,粘附单元120保持于粘附单元保持构件150。此时,设置为弹性体128的一端固定于支承凸缘部122(也就是说,粘附垫123侧)、另一端固定于保持部152(也就是说,相对于基体固定)的状态。此外,在弹性体128的内周侧的面与轴部121的外周面之间设置有间隙,构成为弹性体128与轴部121不接触。另外,止挡部124设定为直径比贯通孔153的直径大,从而防止一体化的轴部121等从贯通孔153脱落。如上所述,粘附单元120构成为,仅弹性体128的另一端固定于保持部152,构成粘附单元120的其他构件不与粘附单元120以外的构成构件接触。通过这样构成,能够抑制因接触磨损导致的异物(颗粒)产生。此外,在本实施例中,止挡部124与永磁体125相邻地配置,具有永磁体125在轴部121的轴向上的定位固定功能以及通过与保持部152抵接而防止一体化的轴部121等从贯通孔153脱落的功能(机械止挡功能)这两个功能,但并不限定于该结构。即,也可以在具有机械止挡功能的止挡部124之外另外设置具备永磁体125的定位固定功能的构件。
关于基板保持构件100,在保持面110X与水平面平行且朝向铅垂方向上方的状态下,在仅有粘附单元120的自重作用于粘附单元120的状态下,粘附垫123成为比保持面110X稍微向铅垂方向上方突出的状态(参照图3)。在该状态下,一体化的轴部121等仅被弹性体128支承,其他约束力不作用。由此,一体化的轴部121等被容许往复移动(上下运动)和摆动(摇头动作)。因此,粘附垫123能够相对于保持面110X的内外出没,并且也容许粘附垫123的粘附面相对于保持面110X的倾斜(在将与保持面平行的面设为XY平面的情况下,相对于任意的XY方向的倾斜)的变更。此外,在本实施例中,说明在上述状态下粘附垫123成为比保持面110X稍微突出的状态的例子,但不限定于此,也可以是在上述状态下粘附垫123的粘附面位于与保持面110X同一平面上。
<基板处理装置的处理工序的概要>
说明基板处理装置的一系列处理工序(在本实施例中,相当于成膜工序(成膜方法))的概要。
在本实施例中,首先,实施通过基板保持装置在基板保持构件100上保持基板10的处理(以下,适当称为“基板保持工序”)。接下来,实施通过翻转装置对保持有基板10的基板保持构件100进行翻转的处理(以下,适当称为“翻转工序”)。接下来,实施在将基板10夹在中间的状态下将掩模保持于基板保持构件100的处理(以下,适当称为“掩模保持工序”)。接下来,经由掩模对基板实施成膜处理(以下,适当称为“成膜工序”)。之后,在取下掩模之后,实施从基板保持构件100剥离基板10的处理(以下,适当称为“基板剥离工序”)。
<基板处理装置的处理工序的详细情况>
特别参照图4~图15,按工序顺序详细地说明基板处理装置的一系列处理工序。在图4~图10中,以截面方式示出了各工序中的整个装置的概略结构。此外,在图4~图10中,概略性地示出了沿着多个贯通孔111、112剖切基板保持构件100等而得到的截面。此外,在图4~图10中,关于基板保持构件100,以平板状构件110为中心简略地表示。另外,在图11~图15中,以截面方式示出了各工序中的粘附单元120附近的情形。此外,从电源710向各工序中的装置供给电力,并且,各装置的动作由计算机等控制部720控制。电源710和控制部720能够相对于各装置独立地设置。另外,也能够相对于多个装置设置共同的电源710和控制部720。设置有用于向进行各种动作的装置供给电力的电源、各种动作由控制部控制本身是公知技术,因此对电源710和控制部720的具体结构等省略其说明。
<<基板保持工序>>
说明通过基板保持装置使基板10保持于基板保持构件100的处理。图4~图7以截面方式示出了基板保持装置的整体的概略结构。基板保持装置具备基板保持室(第1腔室)R1。该基板保持室R1内以成为真空环境的方式构成。此外,本说明书中的真空是指被压力比通常的大气压(1013hPa)低的气体充满的空间的状态。而且,基板保持装置具备用于使基板10上下运动的销单元200(基板移动机构)、具有电磁线圈360的电磁线圈单元300(粘附垫驱动机构)、用于按压基板10的按压单元400(按压机构)、以及支承(固定)基板保持构件100的支承台500。在基板保持构件100支承于支承台500的状态下,基板保持构件100(平板状构件110)中的保持面110X构成为与水平面平行。
销单元200具备马达210、利用马达210旋转的螺纹杆220、随着螺纹杆220的旋转动作而沿着螺纹杆220上下运动的螺母部230、以及固定于螺母部230并与螺母部230一起上下运动的销240。此外,构成为在螺母部230的内周面与螺纹杆220的外周面之间,多个滚珠无限循环。这样,在本实施例中,示出了采用通过滚珠丝杠机构使销240上下运动的结构的情况,但在本发明中,并不限定于这样的结构。使销240上下运动的致动器能够采用齿轮齿条副方式等其他公知技术。另外,在图示的例子中,示出了相对于一个销240分别具备马达210等驱动机构的情况,但也能够采用通过一个驱动机构使多个销240同时驱动的结构。例如,在采用上述滚珠丝杠机构的情况下,在一个螺母部230设置多个销240即可。因此,也能够采用在一个基板保持装置仅设置一个销单元200(其中,设置多个销240)的结构。
电磁线圈单元300具备马达310、利用马达310旋转的螺纹杆320、随着螺纹杆320的旋转动作而沿着螺纹杆320上下运动的螺母部330、固定于螺母部330并与螺母部330一起上下运动的轴部340、设置于轴部340的前端的支承部350、以及支承于支承部350的电磁线圈360。此外,构成为在螺母部330的内周面与螺纹杆320的外周面之间,多个滚珠无限循环。这样,在本实施例中,示出了采用通过滚珠丝杠机构使电磁线圈360上下运动的结构的情况,但在本发明中,并不限定于这样的结构。使电磁线圈360上下运动的致动器能够采用齿轮齿条副方式等其他公知技术。另外,在图示的例子中,示出了相对于一个电磁线圈360分别具备马达310等驱动机构的情况,但也能够采用通过一个驱动机构使多个电磁线圈360同时驱动的结构。例如,在采用上述滚珠丝杠机构的情况下,相对于一个螺母部330设置多个轴部340、支承部350以及电磁线圈360即可。因此,也能够采用在一个基板保持装置仅设置一个电磁线圈单元300(其中,设置多个电磁线圈360)的结构。另外,构成为通过电源710(参照图11等)使电流流过电磁线圈360。此外,在本实施例中,构成为通过控制部720对流过电磁线圈360的电流的方向、电流的大小进行变更控制。
在此,电磁线圈360以分别与多个粘附单元120的每一个对应的方式设置有多个。即,以电磁线圈360的中心轴线与粘附单元120中的轴部121的中心轴线一致的方式相对于各粘附单元120分别设置有电磁线圈360。如上所述构成的电磁线圈单元300起到作为用于对粘附单元120中的粘附垫123进行驱动的粘附垫驱动机构的作用。
按压单元400具备马达410、利用马达410旋转的螺纹杆420、随着螺纹杆420的旋转动作而沿着螺纹杆420上下运动的螺母部430、固定于螺母部430并与螺母部430一起上下运动的轴部440、以及设置于轴部440的前端的按压部450。此外,构成为在螺母部430的内周面与螺纹杆420的外周面之间,多个滚珠无限循环。这样,在本实施例中,示出了采用通过滚珠丝杠机构使按压部450上下运动的结构的情况,但在本发明中,并不限定于这样的结构。使按压部450上下运动的致动器能够采用齿轮齿条副方式等其他公知技术。另外,在图示的例子中,示出了相对于一个按压部450分别具备马达410等驱动机构的情况,但也能够采用通过一个驱动机构使多个按压部450同时驱动的结构。例如,在采用上述滚珠丝杠机构的情况下,相对于一个螺母部430设置多个轴部440和按压部450即可。因此,也能够采用在一个基板保持装置仅设置一个按压单元400(其中,设置多个按压部450)的结构。
在此,按压部450以分别与多个粘附单元120的每一个对应的方式设置有多个。即,以轴部440的中心轴线与粘附单元120中的轴部121的中心轴线一致的方式相对于各粘附单元120分别设置有按压部450。另外,构成按压单元400的轴部440优选在轴向上具有弹性。例如,能够由弹性体构成整个轴部440,也能够由弹性体(例如,金属制的弹簧等)构成轴部440的至少一部分。
基板保持室R1被划分为基板处理区域A1、第1驱动源配置区域A2以及第2驱动源配置区域A3。隔着基板处理区域A1,在铅垂方向下方设置第1驱动源配置区域A2,在铅垂方向上方设置第2驱动源配置区域A3。在基板处理区域A1配置基板保持构件100等。而且,在第1驱动源配置区域A2配置销单元200中的马达210和电磁线圈单元300中的马达310等。另外,在第2驱动源配置区域A3配置按压单元400中的马达410等。通过这样的结构,能够抑制由马达210、310、410的旋转产生的异物、在滚珠丝杠机构部分的滑动部产生的异物进入基板处理区域A1。此外,在本实施方式中,说明了将上述3个区域(A1~A3)全都配置于基板保持室R1的真空环境内的结构,但不限定于此。例如,也可以仅将基板处理区域A1配置在基板保持室R1的真空环境内,将第1驱动源配置区域A2和第2驱动源配置区域A3配置在大气环境下。通过这样设置,能够进一步提高上述的抑制异物进入基板处理区域A1的效果。
<<<准备状态>>>
在进行基板10的保持动作之前的准备状态下,销240、电磁线圈360以及按压部450分别利用马达210、310、410,均在移动范围(上下运动的范围)中的铅垂方向上方的位置待机。此时,销240成为从基板保持构件100中的平板状构件110的贯通孔111比保持面110X向铅垂方向上方突出的状态。另外,电磁线圈360成为靠近粘附单元120中的永磁体125的状态。在本实施例中,成为永磁体125的一部分进入到电磁线圈360的内侧的状态。但是,只要永磁体125与电磁线圈360足够靠近,则也能够采用永磁体125不进入电磁线圈360的结构。并且,按压部450成为足够远离基板保持构件100的状态。
在该状态下,基板10被送入到基板保持室R1的基板处理区域A1。用于送入基板10的装置等是公知技术,因此省略详细说明,例如通过具备机械手的机器人进行基板10的送入动作。送入的基板10载置于多个销240之上。图4示出了基板10载置于多个销240之上的状态。
<<<基板向基板保持构件的载置工序>>>
在将基板10载置于多个销240上之后,使电流流过电磁线圈360,从而产生将永磁体125向电磁线圈360的内部拉入的电磁力。由此,一体化的轴部121等克服粘附单元120中的弹性体128的弹性斥力(弹簧的弹簧力)而向铅垂方向下方移动(“使粘附垫123向比保持面110X远离基板10的位置移动的工序”)。由此,粘附垫123向比保持面110X靠铅垂方向下方的位置(与保持面110X垂直的第1方向)移动(参照图11)。换言之,由此,粘附垫123向比保持面110X远离基板10的位置移动。或者,也能够说,由此,粘附垫123成为从保持面110X没入的状态。此外,用于使粘附垫123向比保持面110X靠铅垂方向下方的位置移动的动作也可以在准备工序中(例如,送入基板10之前)进行。此外,在此,设为基板保持单元120具有永磁体125,但本发明并不限定于此,也可以不使用永磁体而使用由磁性体构成的磁性构件。作为磁性体,优选使用强磁性体或者抗磁性体。由此,能够利用由电磁线圈360产生的电磁力使一体化的轴部121等向铅垂方向下方或者上方移动。
在粘附垫123位于比保持面110X靠铅垂方向下方的位置的状态下且在基板10载置于多个销240上之后,通过马达210使销240向铅垂方向下方移动。由此,销240的前端向比平板状构件110的下表面(与保持面110X相反的一侧的面)靠铅垂方向下方的位置移动。然后,在销240的前端通过保持面110X的时刻,基板10成为载置于保持面110X的状态(在保持粘附垫123比保持面110X远离基板10的状态下使基板10与保持面110X接触的工序)。这样,通过控制部720,进行粘附垫驱动机构和基板移动机构的控制,以便在使粘附垫123移动到比保持面110X远离由基板移动机构移动而靠近的基板10的位置的状态下,使基板10靠近而使基板10与保持面110X接触。图5和图11示出了销240移动到下方、基板10载置于保持面110X的状态。基板10通过载置于保持面110X,从而以跟随平面状的保持面110X的方式被矫正而接近于平坦的状态,但多少会残留一些挠曲、起伏,多少会以弯曲的状态载置于保持面110X。例如,在大型的玻璃基板的情况下,可能存在多处从保持面110X浮起几毫米左右的部分。此外,多个销240优选同时向下方移动。由此,能够保持基板10与保持面110X平行的状态不变(或者,保持基板10相对于保持面110X的姿态不变)地使基板10向下方移动。
<<<基板的按压工序>>>
接下来,进行按压机构对基板10的按压。在基板10载置于保持面110X之后,通过马达410使按压部450向铅垂方向下方移动。由此,基板10被按压部450按压,被保持面110X和按压部450夹入,从弯曲的状态向平坦的状态进行矫正。
在此,也能够通过多个按压部450同时按压基板10,但为了提高矫正效果,优选如以下这样进行按压。即,优选通过从特定的开始地点朝向特定的结束地点依次使按压部450进行按压动作,从而使基板10被保持面110X和按压部450夹入的位置逐渐偏移。换言之,优选使多个按压部450中的至少一个一个依次与基板10接触,使基板10的整个区域中的包括被保持面110X和按压部450夹入的部分的区域从特定的开始地点朝向特定的结束地点逐渐扩展。由此,能够更有效地将基板10向平坦的状态矫正。此外,为了依次进行按压动作,能够通过如下方式实现:在按压工序的开始时刻,对于多个按压部450分别使按压部450与基板10的距离不同,在保持多个按压部450之间的位置关系不变的状态下使多个按压部450同时移动,或者分别控制多个按压部450的移动。此外,在前者的情况下,如上所述,由于轴部440构成为在轴向上具有弹性,从而即使在按压部450与基板10接触之后,继续通过马达410相对于轴部44 0进行向铅垂方向下方的移动动作,也不会对基板10产生不良影响。
以下,说明更具体的控制的方法。例如,能够以如下方式进行控制:以基板10的长边方向的一端侧为开始地点,以另一端侧为结束地点,从一端侧朝向另一端侧依次通过按压部450进行按压动作。在该情况下,在图1中,从左侧朝向右侧或者从右侧朝向左侧,依次利用保持面110X和按压部450夹入基板10。另外,能够以如下方式进行控制:以基板10的短边方向的一端侧为开始地点,以另一端侧为结束地点,从一端侧朝向另一端侧,依次通过按压部450进行按压动作。在该情况下,在图1中,从上侧朝向下侧或者从下侧朝向上侧,依次利用保持面110X和按压部450夹入基板10。另外,能够以如下方式进行控制:以基板10的长边方向的中央为开始地点,以两端侧分别为结束地点,从中央朝向两端侧,依次通过按压部450进行按压动作。在该情况下,在图1中,从中央朝向左右,依次利用保持面110X和按压部450夹入基板10。另外,能够以如下方式进行控制:以基板10的短边方向的中央为开始地点,以两端侧分别为结束地点,从中央朝向两端侧,依次通过按压部450进行按压动作。在该情况下,在图1中,从中央朝向上下,依次利用保持面110X和按压部450夹入基板10。另外,能够以如下方式进行控制:以基板10的中心为开始地点,以4角分别为结束地点,从中心朝向4角,依次通过按压部450进行按压动作。在该情况下,在图1中,从中心朝向4角,依次利用保持面110X和按压部450夹入基板10。并且,能够以如下方式进行控制:以基板的4角中的一个为开始地点,以对角侧的角为结束地点,依次通过按压部450进行按压动作。在该情况下,在图1中,从4角中的一个朝向对角侧的角,依次利用保持面110X和按压部450夹入基板10。
图6和图12示出了按压部450向下方移动、基板10被保持面110X和按压部450夹入的状态。
<<<粘贴工序>>>
在基板10被保持面110X和按压部450夹入之后,以停止向电磁线圈360通电的方式进行控制。由此,在弹性体128的弹性斥力(弹簧的弹簧力)的作用下,一体化的轴部121等向铅垂方向上方移动,粘附垫123与基板10抵接。然后,基板10成为被按压部450和粘附垫123夹入的状态。另外,在粘附垫123的粘附力的作用下,粘附垫123成为粘贴并固定于基板10的状态(使粘附垫123接触处于与保持面110X接触的状态下的基板10,使粘附垫123粘贴于基板10的第3工序)。
在此,通过上述的载置工序、按压工序,基板10被矫正为平坦的状态,但多少可能存在弯曲的部分。另外,基板保持构件100的平板状构件110有时也会具有多少的变形。因此,在粘附垫123与基板10抵接之前的状态下,基板10与粘附垫123的相向面彼此不一定平行。然而,如上所述,粘附单元120中的轴部121被容许摆动(摇头动作)。因此,在粘附垫123与基板10抵接时,轴部121倾斜,从而基板10与粘附垫123的相向面彼此以平行的状态贴紧。因此,能够充分发挥粘附垫123的粘附力。图13示出了粘附垫123与基板10抵接、基板10被按压部450和粘附垫123夹入的状态。
此外,为了使一体化的轴部121等向铅垂方向上方移动,也可以不停止向电磁线圈360通电,而是进行将电流流动的方向变更为相反方向的控制。在该情况下,产生将永磁体125向电磁线圈360的外部推出的电磁力。因此,一体化的轴部121等在连同弹性体128的弹性斥力(弹簧的弹簧力)一起施加有电磁力的状态下向铅垂方向上方移动。因此,基板10成为被按压部450和粘附垫123以更大的夹持力夹入的状态。而且,在粘附垫123固定于基板10之后,停止向电磁线圈360通电即可。或者,通过减弱向电磁线圈360的通电,也能够使一体化的轴部121等向铅垂方向上方移动。此外,不一定需要停止向电磁线圈360通电,也可以以减弱弹性体128的弹性斥力的方式持续向电磁线圈360供给微弱的电力。这样,控制部720以如下方式进行控制:在基板10与保持面110X接触的状态下,通过粘附垫驱动机构使粘附垫123在包含第1方向(在本实施例中为铅垂方向)的方向上移动,从而使粘附垫123粘贴于基板10。
之后,通过马达410使按压部450向铅垂方向上方移动,通过马达310使电磁线圈360向铅垂方向下方移动。另外,通过固定件130将基板10的周围固定于基板保持构件100(参照图7)。此外,用于驱动固定件130的电源(电池)和用于驱动控制固定件130的控制部能够设置于基板保持构件100。在该情况下,利用通信从装置外部向基板保持构件100所具备的控制部发送命令信号即可。
此外,使按压部450向铅垂方向上方移动的动作、使电磁线圈360向铅垂方向下方移动的动作、以及固定件130对基板10的固定动作可以控制为同时进行,也可以适当地控制为依次(没有特别的顺序)进行。
根据以上过程,基板保持工序结束,保持着基板10的基板保持构件100从基板保持室R1送出。此外,基板保持构件100向基板保持室R1、后述的翻转室R2、对准室、成膜室R3等各腔室的输送由未图示的输送部件进行。输送部件能够在各腔室的内部维持为真空的状态下,使基板保持构件100在腔室之间移动。作为输送部件,能够使用机械手、基板输送辊、使用了线性马达的线性输送系统等。
此外,在本实施例中,设为在基板保持构件100的保持面110X与水平面平行且朝向铅垂方向上方地配置的状态下使基板10保持于基板保持构件100,但本发明并不限定于此。例如,也可以在基板保持构件100的保持面110X与水平面正交地配置的状态下,即,在保持面110X朝向水平方向地配置的状态下,使基板10保持于基板保持构件100。在该情况下,作为基板移动机构,使用能够在基板10的主面(成膜面)朝向水平方向的状态下支承基板10,并在该状态下使基板10靠近或者远离基板保持构件100的保持面110X的机构即可。作为这样的基板移动机构,能够采用以往公知的机构,例如能够使用夹持主面朝向水平方向的状态的基板10的上边和下边的夹具部和使夹具部沿水平方向移动的致动器。或者,也能够使用静电吸附主面朝向水平方向的状态的基板10的与成膜面相反的一侧的面的静电吸盘和使静电吸盘沿水平方向移动的致动器。
另外,在本实施例中,作为基板移动机构,使用了具备销240和致动器的销单元200,但如上所述,本发明并不限定于此。作为基板移动机构,除了上述例子之外,也能够使用支承以主面(成膜面)与水平面平行的状态配置的基板10的周边部的1个或多个支承部(承接爪)和使该支承部移动的致动器。在该情况下,优选的是,基板保持构件100的基体在分别与1个或多个支承部对应的位置设置有切口等,以能够使支承部构成的支承面与基板保持构件100的保持面110X位于同一平面上。
<<翻转工序>>
图8的(a)、(b)以截面方式示出了翻转装置的整体的概略结构。翻转装置具备翻转室R2。该翻转室R2内以成为真空环境的方式构成。翻转装置具备保持基板保持构件100的保持构件610、固定于保持构件610的旋转轴620、使旋转轴620旋转的马达630、以及轴支承旋转轴620的支承构件640。
保持着基板10的基板保持构件100在从基板保持室R1送出之后,向翻转装置(翻转室R2)传送。另外,送入到翻转室R2内的基板保持构件100被保持构件610保持(参照图8的(a))。之后,通过马达630,将基板保持构件100翻转(旋转180°)。由此,基板10相对于基板保持构件100成为朝向铅垂方向下方的状态。图8的(b)和图14示出了翻转后的状态。在基板保持构件100翻转后的状态下,成为止挡部124与粘附单元保持构件150的保持部152抵接的状态。由此,基板10成为维持平行的状态不变地被多个粘附单元120保持的状态。
根据以上过程,翻转工序结束,保持着基板10的基板保持构件100从翻转室R2送出。
<<掩模保持工序>>
保持着基板10的基板保持构件100在从翻转室R2送出之后,向对准装置(对准室)传送。在对准室中,在相对于基板10进行了位置对齐(对准)的状态下,将掩模20保持在基板10上。此外,作为保持掩模20的方法,能够利用由永磁体、电磁体、永电磁体等产生的磁力,也能够采用夹具等机械的保持部件。当然,也能够同时使用它们。用于在相对于基板10进行了位置对齐的状态下保持掩模20的装置应用各种公知技术即可,因此省略其说明。
根据以上过程,掩模保持工序结束,保持着基板10和掩模20的基板保持构件100从对准室送出。
<<成膜工序>>
图9以截面方式示出了成膜装置(在本实施例中为蒸镀装置)的整体的概略结构。成膜装置具备成膜室(第2腔室)R3。该成膜室R3内以成为真空环境的方式构成。另外,成膜装置具备作为成膜源的蒸镀源30。
保持着基板10和掩模20的基板保持构件100从对准室送出之后,向成膜装置(成膜室R3)传送。在成膜室R3配置有用于进行成膜的成膜源,在被基板保持构件100保持的基板10上经由掩模20进行成膜。在本实施例中,进行基于真空蒸镀的成膜(蒸镀)。具体而言,成膜材料从作为成膜源的蒸镀源30蒸发或者升华,成膜材料蒸镀到基板10上,从而在基板10上形成薄膜。蒸镀源30是公知技术,因此省略其详细的说明。例如,蒸镀源30能够由坩埚等收纳成膜材料的容器和加热容器的加热装置等构成。此外,成膜室R3也可以由多个腔室构成,在各个腔室分别配置有用于对不同的成膜材料进行成膜的成膜源。而且,也可以通过将保持着基板10的基板保持构件100在各个腔室内依次输送,依次进行各个成膜材料的成膜。另外,成膜源并不限定于蒸镀源30,成膜源也可以是用于通过溅射进行成膜的溅射阴极。
根据以上过程,成膜工序结束。之后,从基板10取下掩模20。从基板10取下掩模20的装置等是公知技术,因此省略其说明。另外,也有时反复进行在掩模20被取下之后使用其他掩模进行其他成膜材料的成膜的工序。然后,在所有成膜工序完成并取下掩模之后,实施从基板保持构件100剥离基板10的处理。
<<基板剥离工序>>
图10的(a)、(b)以截面方式示出了基板剥离装置的整体的概略结构。基板剥离装置具备基板剥离室R4。该基板剥离室R4内以成为真空环境的方式构成。基板剥离装置与基板保持装置同样地具备用于使基板10上下运动的销单元200(基板移动机构)、电磁线圈单元300(第1粘附垫驱动机构)、以及支承基板保持构件100的支承台500。这些结构本身如上所述,因此省略其说明。
而且,基板剥离装置具备支承电磁线圈单元300的支承台370和通过使支承台370与保持面110X平行地移动而能够使电磁线圈单元300与保持面110X平行地移动的驱动装置380(第2粘附垫驱动机构)。此外,驱动装置380能够应用滚珠丝杠机构、齿轮齿条副方式实现的致动器等各种公知技术。此外,在图示的例子中,设置有多个电磁线圈单元300,支承台370以支承所有电磁线圈单元300的方式构成。
在取下掩模之后,保持着基板10的基板保持构件100向基板剥离室R4送入。然后,该基板保持构件100被支承(固定)于支承台500。图10的(a)示出了基板保持构件100支承于支承台500的状态。之后,通过使电流流过电磁线圈360,产生将永磁体125向电磁线圈360的内部拉入的电磁力。在本实施例中,粘附垫123的粘附力较高,因此,仅通过该电磁力不会将粘附垫123从基板10剥离。
然后,在产生了上述电磁力的状态下,通过驱动装置380使支承台370移动,从而使所有电磁线圈360同时与保持面110X平行地移动。由此,粘附单元120中的永磁体125被向与保持面110X平行的方向牵拉,轴部121稍微倾斜,从而粘附垫123也倾斜,成为从基板10剥离的状态。即,通过电磁线圈360的移动,能够扭转并剥离粘附垫123。图15示出了粘附垫123刚从基板10剥离后的状态。之后,一体化的轴部121等克服弹性体128的弹性斥力而在电磁力的作用下向铅垂方向下方移动,从而粘附垫123成为离开基板10的状态。此外,在本实施例中,示出了通过一个支承台370和一个驱动装置380同时使所有电磁线圈360移动的情况。然而,本发明并不限定于这样的结构。例如,多个电磁线圈360也能够分为多组,对各组分别设置支承台370和驱动装置380。在该情况下,可以对所有组同时移动电磁线圈360,也可以按每组划分时间来使电磁线圈360移动。在各组存在一个以上电磁线圈360即可。此外,在各组存在多个电磁线圈360的情况下,能够采用相对于一个电磁线圈360分别具备马达310等驱动机构的结构,也能够如上所述采用通过一个驱动机构使多个电磁线圈360同时驱动的结构。因此,对于各组也能够采用仅具备一个电磁线圈单元300(其中,设置有多个电磁线圈360)的结构。另外,也能够采用在基板剥离装置仅具备一个电磁线圈单元300(其中,设置有多个电磁线圈360)的结构。
在粘附垫123离开基板10之后,解除固定件130对基板10的固定。图10的(b)示出了支承台370移动且固定件130对基板10的固定被解除的状态。此外,固定件130对基板10的固定的解除动作也可以控制为在使支承台370移动之前进行。之后,通过马达210使销240向铅垂方向上方移动,基板10被多个销240抬起,从基板保持构件100离开。之后,基板10从基板剥离室R4送出。
此外,在本实施例中,设为在基板保持构件100的保持面110X与水平面平行且朝向铅垂方向上方地配置的状态下将基板10从基板保持构件100剥离,但本发明并不限定于此。例如,也可以在基板保持构件100的保持面110X与水平面正交地配置的状态下,即,在保持面110X朝向水平方向地配置的状态下,将基板10从基板保持构件100剥离。另外,作为基板移动机构,如在基板保持工序的说明中所述,当然能够使用以往公知的其他机构。
<电子器件的制造方法>
说明使用上述的基板处理装置制造电子器件的方法。在此,作为电子器件的一例,以显示器装置等所使用的有机EL元件的情况为例进行说明。此外,本发明的电子器件并不限定于此,也可以是薄膜太阳能电池、有机CMOS图像传感器。在本实施例中,具有使用上述的成膜方法在基板10上形成有机膜的工序。另外,具有在基板10上形成了有机膜之后形成金属膜或者金属氧化物膜的工序。以下说明通过这样的工序得到的有机EL显示装置60的构造。
图16的(a)表示有机EL显示装置60的整体图,图16的(b)表示一个像素的截面构造。如图16的(a)所示,在有机EL显示装置60的显示区域61以矩阵状配置有多个具备多个发光元件的像素62。发光元件分别具有具备被一对电极夹着的有机层的构造。此外,在此所说的像素是指能够在显示区域61显示所期望的颜色的最小单位。在本图的有机EL显示装置的情况下,由显示出互不相同的发光的第1发光元件62R、第2发光元件62G、第3发光元件62B的组合构成像素62。像素62往往由红色发光元件、绿色发光元件以及蓝色发光元件的组合构成,但也可以是黄色发光元件、青色发光元件以及白色发光元件的组合,只要为至少1种颜色以上,就没有特别限制。另外,各发光元件也可以将多个发光层层叠而构成。
另外,也可以由显示出相同发光的多个发光元件构成像素62,使用以与各个发光元件对应的方式将多个不同的颜色转换元件配置成图案状的彩色滤光片,使1个像素能够在显示区域61显示所期望的颜色。例如,可以由至少3个白色发光元件构成像素62,使用以与各个发光元件对应的方式排列有红色、绿色、蓝色的各颜色转换元件的彩色滤光片。或者,也可以由至少3个蓝色发光元件构成像素62,使用以与各个发光元件对应的方式排列有红色、绿色、无色的各颜色转换元件的彩色滤光片。在后者的情况下,利用使用量子点(Quantum Dot:QD)材料作为构成彩色滤光片的材料的量子点彩色滤光片(QD-CF),从而能够与不使用量子点彩色滤光片的通常的有机EL显示装置相比扩大显示色域。
图16的(b)是图16的(a)的A-B线的局部剖视示意图。像素62具有在基板10上具备第1电极(阳极)64、空穴传输层65、发光层66R、66G、66B中的任一个、电子传输层67以及第2电极(阴极)68的有机EL元件。其中,空穴传输层65、发光层66R、66G、66B、电子传输层67相当于有机层。另外,在本实施方式中,发光层66R是发出红色的有机EL层,发光层66G是发出绿色的有机EL层,发光层66B是发出蓝色的有机EL层。此外,在如上所述使用彩色滤光片或者量子点彩色滤光片的情况下,在各发光层的光出射侧、即图16的(b)的上部或者下部配置有彩色滤光片或者量子点彩色滤光片,但省略图示。
发光层66R、66G、66B形成为分别与发出红色、绿色、蓝色的发光元件(有时也描述为有机EL元件)对应的图案。另外,第1电极64按每个发光元件分离地形成。空穴传输层65、电子传输层67以及第2电极68可以与多个发光元件62R、62G、62B通用地形成,也可以按每个发光元件形成。此外,为了防止第1电极64和第2电极68因异物短路,在第1电极64之间设置有绝缘层69。并且,由于有机EL层会因水分、氧而劣化,因此,设置有用于保护有机EL元件不受水分、氧的影响的保护层P。
接下来,具体说明作为电子器件的有机EL显示装置的制造方法的例子。首先,准备形成有用于驱动有机EL显示装置的电路(未图示)和第1电极64的基板10。
接下来,通过旋涂在形成有第1电极64的基板10上形成丙烯酸树脂,利用光刻法以在形成有第1电极64的部分形成开口的方式将丙烯酸树脂形成图案而形成绝缘层69。该开口部相当于发光元件实际发光的发光区域。
接下来,将绝缘层69形成图案的基板10送入第1成膜装置,通过基板保持单元保持基板,将空穴传输层65作为通用的层在显示区域的第1电极64上成膜。空穴传输层65通过真空蒸镀进行成膜。实际上,空穴传输层65形成为比显示区域61大的尺寸,因此不需要高精细的掩模。在此,本步骤中的成膜、以下的各层的成膜所使用的成膜装置是在上述各实施方式中的任一实施方式中记载的成膜装置。
接下来,将形成至空穴传输层65的基板10送入第2成膜装置,通过基板保持单元进行保持。进行基板与掩模的对准,将基板载置于掩模上,在基板10的配置发出红色的元件的部分成膜发出红色的发光层66R。根据本例,能够将掩模和基板良好地叠合,能够进行高精度的成膜。
与发光层66R的成膜同样地,通过第3成膜装置成膜发出绿色的发光层66G,并且通过第4成膜装置成膜发出蓝色的发光层66B。在发光层66R、66G、66B的成膜完成之后,通过第5成膜装置在整个显示区域61成膜电子传输层67。电子传输层65作为通用的层形成于3色的发光层66R、66G、66B。此外,在此设为通过溅射形成第2电极68,但不限定于此,第2电极68也可以直到电子传输层67为止同样地通过真空蒸镀形成。
将形成至电子传输层67的基板移动到溅射装置,成膜第2电极68,之后移动到等离子CVD装置,成膜保护层P,从而有机EL显示装置60完成。此外,在此设为通过溅射形成第2电极68,但不限定于此,第2电极68也可以直到电子传输层67为止同样地通过真空蒸镀形成。
从将绝缘层69形成图案的基板10送入成膜装置起到完成保护层P的成膜为止,若暴露在包含水分、氧的环境中,则由有机EL材料构成的发光层有可能因水分、氧而劣化。因此,在本例中,成膜装置之间的基板的送入送出在真空环境或者非活性气体环境下进行。
<本实施例的基板保持装置等的优点>
本实施例的粘附单元120具备轴部121、设置于轴部121的一端侧的粘附垫123、设置于轴部121的另一端侧的永磁体125、以及配置于粘附垫123与永磁体124之间的位置的弹性体128。另外,弹性体128构成为一端固定于粘附垫123侧(具体而言,支承凸缘部122),另一端相对于框体110固定。此外,在本实施例的情况下,弹性体128经由粘附单元保持构件150固定于框体110。而且,在通过电磁线圈单元300驱动粘附垫123的情况下,电磁线圈360配置于靠近永磁体125的位置。
由于采用了以上这样的结构,因此,尽管采用了驱动粘附垫123的结构,但在基板10的附近,对于各种构件,能够消除相互滑动的部位。由此,能够抑制滑动粉末的产生等,能够抑制异物附着于基板10。此外,更具体而言,对于在基板保持室R1的基板处理区域A1内设置的各种构件,能够消除相互滑动的部位。
(其他)
在上述实施例中,示出了粘附单元120保持于截面L字形状的粘附单元保持构件150的结构。然而,粘附单元120也能够采用直接保持于框体110的结构。在该情况下,只要相对于框体110设置保持面110X侧为大径、其相反侧为小径这样的阶梯贯通孔即可。由此,贯通孔中的小径的部分相当于粘附单元保持构件150中的保持部152的贯通孔153,在大径部的部分配置弹性体128、粘附垫123即可。
在上述实施例中,示出了如下结构:通过按压部450按压基板10,从而进一步使基板10成为平坦的状态之后,使粘附垫123粘贴于基板10。然而,通过使基板10载置于保持面110X,能够在一定程度上使基板10平坦,因此,根据使用环境等,也可以不通过按压部450进行按压动作。也就是说,在本发明中,按压单元400及其控制并非必需的。

Claims (19)

1.一种基板保持装置,所述基板保持装置使基板保持于基板保持构件,所述基板保持构件具备具有保持基板的保持面的基体和设置为能够相对于所述基体移动的多个粘附单元,
其特征在于,
多个所述粘附单元分别具有利用粘附力粘贴于基板的粘附垫和磁性构件,
所述基板保持装置具备:
基板移动部件,所述基板移动部件使基板在包含与所述保持面垂直的第1方向的方向上移动;以及
电磁线圈,所述电磁线圈为了驱动所述粘附垫而产生作用于所述磁性构件的电磁力,
所述基板移动部件具备销单元,所述销单元具有使基板上下运动的销和使该销上下运动的致动器,
在使所述粘附垫移动到比所述保持面靠铅垂方向下方的位置的状态下,一边使基板载置于多个所述销,一边通过所述致动器使多个所述销的前端均移动到比所述保持面靠铅垂方向下方的位置,从而使基板载置于所述保持面。
2.根据权利要求1所述的基板保持装置,其特征在于,
所述磁性构件是永磁体。
3.根据权利要求1所述的基板保持装置,其特征在于,
多个所述粘附单元分别还具有轴部,
在所述轴部的第1端侧连结有所述粘附垫,
在所述轴部的与所述第1端相反的第2端侧连结有所述磁性构件。
4.根据权利要求3所述的基板保持装置,其特征在于,
在所述轴部与所述粘附垫连结的状态下,所述轴部的与轴线方向垂直的方向的宽度比所述粘附垫的所述垂直的方向的宽度小。
5.根据权利要求3所述的基板保持装置,其特征在于,
多个所述粘附单元分别还具有止挡部,所述止挡部配置于所述轴部的所述第2端侧,比供所述轴部贯穿的所述基体的开口大。
6.根据权利要求3所述的基板保持装置,其特征在于,
所述磁性构件是永磁体,
在所述轴部延伸的方向上的所述磁性构件的一端侧和另一端侧,磁极不同。
7.根据权利要求1所述的基板保持装置,其特征在于,
所述粘附单元分别还具有弹性体,所述弹性体配置于所述粘附垫与所述磁性构件之间的位置,
所述弹性体的一端相对于所述粘附垫固定,
所述弹性体的另一端相对于所述基体固定。
8.根据权利要求1所述的基板保持装置,其特征在于,
所述基板保持装置具有电磁线圈移动部件,所述电磁线圈移动部件为了驱动所述粘附垫而使所述电磁线圈移动到靠近所述磁性构件的位置。
9.根据权利要求1所述的基板保持装置,其特征在于,
在分别与所述基板保持构件所具有的多个所述粘附单元分别具有的所述磁性构件对应的位置具有多个所述电磁线圈。
10.根据权利要求1所述的基板保持装置,其特征在于,
通过所述基板移动部件使所述基板移动,在所述基板与所述保持面接触的状态下,控制所述电磁线圈的电磁力而使所述粘附垫粘贴于所述基板。
11.一种基板处理装置,其特征在于,所述基板处理装置具备:
权利要求1~10中任一项所述的基板保持装置;以及
成膜装置,其在由所述基板保持装置保持于所述基板保持构件的基板上实施成膜。
12.一种基板保持方法,所述基板保持方法使基板保持于基板保持构件的保持面,所述基板保持构件具备具有保持面的基体和设置为能够相对于所述基体移动的多个粘附单元,
其特征在于,
所述基板保持方法包括如下工序:
通过使电磁力作用于所述粘附单元所具备的磁性构件,从而使所述粘附单元所具备的粘附垫向比所述保持面远离所述基板的位置移动;
使所述基板与所述保持面接触;以及
在所述基板与所述保持面接触的状态下,使所述粘附垫向靠近所述基板的方向移动,从而使所述粘附垫粘贴于所述基板。
13.根据权利要求12所述的基板保持方法,其特征在于,
所述磁性构件是永磁体。
14.根据权利要求12所述的基板保持方法,其特征在于,
多个所述粘附单元分别具有轴部,
在所述轴部的第1端侧连结有所述粘附垫,
在所述轴部的与所述第1端相反的第2端侧连结有所述磁性构件。
15.根据权利要求14所述的基板保持方法,其特征在于,
在所述轴部与所述粘附垫连结的状态下,所述轴部的与轴线方向垂直的方向的宽度比所述粘附垫的所述垂直的方向的宽度小。
16.根据权利要求14所述的基板保持方法,其特征在于,
多个所述粘附单元分别还具有止挡部,所述止挡部配置于所述轴部的所述第2端侧,比供所述轴部贯穿的所述基体的开口大。
17.根据权利要求14所述的基板保持方法,其特征在于,
所述粘附单元分别还具有弹性体,所述弹性体配置于所述粘附垫与所述磁性构件之间的位置,
所述弹性体的一端相对于所述粘附垫固定,
所述弹性体的另一端相对于所述基体固定。
18.一种成膜方法,其特征在于,
利用权利要求12~17中任一项所述的基板保持方法,对保持于所述基板保持构件的基板进行成膜。
19.一种电子器件的制造方法,其特征在于,
具有利用权利要求18所述的成膜方法在基板上形成有机膜的工序。
CN202011178132.5A 2019-10-29 2020-10-29 基板保持装置以及基板保持方法 Active CN112750744B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-196796 2019-10-29
JP2019196796A JP7057336B2 (ja) 2019-10-29 2019-10-29 基板保持部材、基板保持装置、基板処理装置、基板保持方法、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112750744A CN112750744A (zh) 2021-05-04
CN112750744B true CN112750744B (zh) 2023-06-27

Family

ID=75648801

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011178132.5A Active CN112750744B (zh) 2019-10-29 2020-10-29 基板保持装置以及基板保持方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7057336B2 (zh)
KR (1) KR102498153B1 (zh)
CN (1) CN112750744B (zh)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003075343A1 (en) * 2002-03-05 2003-09-12 Sharp Kabushiki Kaisha Method for holding substrate in vacuum, method for manufacturing liquid crystal display device, and device for holding substrate
JP2006108133A (ja) * 2004-09-30 2006-04-20 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置
JP2013055093A (ja) * 2011-09-01 2013-03-21 Creative Technology:Kk 粘着チャック装置及びワークの粘着保持方法
CN104070778A (zh) * 2013-03-28 2014-10-01 大日本网屏制造株式会社 剥离装置
CN104937652A (zh) * 2013-12-04 2015-09-23 信越工程株式会社 贴合器件的制造装置
CN105378909A (zh) * 2013-06-18 2016-03-02 株式会社思可林集团 基板保持旋转装置、具有基板保持旋转装置的基板处理装置以及基板处理方法
KR20180043453A (ko) * 2016-10-19 2018-04-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 모듈의 박리 방법 및 표시 모듈의 제조 방법

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08294889A (ja) * 1995-04-28 1996-11-12 Murata Mfg Co Ltd 物品移載装置
KR20110130515A (ko) 2009-03-31 2011-12-05 가부시키가이샤 알박 홀딩장치, 반송장치 및 회전전달장치
JP2012234882A (ja) 2011-04-28 2012-11-29 Toray Eng Co Ltd 半導体チップのピックアップ装置
JP6419635B2 (ja) 2014-04-23 2018-11-07 株式会社アルバック 保持装置、真空処理装置
JP6316181B2 (ja) 2014-12-18 2018-04-25 東京エレクトロン株式会社 基板保持ステージ

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003075343A1 (en) * 2002-03-05 2003-09-12 Sharp Kabushiki Kaisha Method for holding substrate in vacuum, method for manufacturing liquid crystal display device, and device for holding substrate
JP2006108133A (ja) * 2004-09-30 2006-04-20 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置
JP2013055093A (ja) * 2011-09-01 2013-03-21 Creative Technology:Kk 粘着チャック装置及びワークの粘着保持方法
CN104070778A (zh) * 2013-03-28 2014-10-01 大日本网屏制造株式会社 剥离装置
CN105378909A (zh) * 2013-06-18 2016-03-02 株式会社思可林集团 基板保持旋转装置、具有基板保持旋转装置的基板处理装置以及基板处理方法
CN104937652A (zh) * 2013-12-04 2015-09-23 信越工程株式会社 贴合器件的制造装置
KR20180043453A (ko) * 2016-10-19 2018-04-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 모듈의 박리 방법 및 표시 모듈의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP7057336B2 (ja) 2022-04-19
KR102498153B1 (ko) 2023-02-08
CN112750744A (zh) 2021-05-04
JP2021072322A (ja) 2021-05-06
KR20210052264A (ko) 2021-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109837505B (zh) 成膜装置、成膜方法以及有机el显示装置的制造方法
CN112750745B (zh) 基板剥离装置、基板处理装置以及基板剥离方法
CN111128828A (zh) 吸附及对准方法、吸附系统、成膜方法及装置、电子器件的制造方法
CN112750744B (zh) 基板保持装置以及基板保持方法
KR102459872B1 (ko) 정전척 시스템, 성막 장치, 흡착 방법, 성막 방법 및 전자 디바이스의 제조방법
KR102505832B1 (ko) 흡착장치, 위치 조정 방법, 및 성막 방법
CN112750743B (zh) 基板保持装置、成膜方法及电子器件的制造方法
CN112779503B (zh) 成膜装置及成膜装置的控制方法
JP2021072320A (ja) 基板保持装置、基板処理装置、基板保持方法、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法
CN112750746B (zh) 基板保持单元、基板保持构件、基板保持装置及基板处理装置
JP7253367B2 (ja) 静電チャックシステム、成膜装置、吸着方法、成膜方法及び電子デバイスの製造方法
CN112779504B (zh) 成膜装置及成膜方法
JP7450366B2 (ja) 基板保持装置、基板処理装置、基板保持方法、反転方法、成膜方法、電子デバイスの製造方法
CN110783247A (zh) 静电吸盘系统、成膜装置、吸附及成膜方法、电子器件的制造方法
CN113005398B (zh) 成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法
JP2023105428A (ja) 基板保持装置、静電チャックおよび基板保持方法
CN111128835A (zh) 吸附及对准方法、吸附系统、成膜方法及装置、电子器件的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant