CN112740309A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

由第一金属膜形成的第一金属层(14fa、14fb)沿着相邻的一对第三配线(18f、18g)呈岛状设置，使得与由相互平行地延伸由第一金属膜形成的多条第一配线(14d、14e)中的相邻的一对第一配线(14d、14e)，以及在与各第一配线(14d、14e)交叉的方向上相互平行地延伸的多条第三配线(18f、18g)中的相邻的一对第三配线(18f、18g)包围的区域重叠。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示装置。
背景技术
近年来，作为代替液晶显示装置的显示装置，使用了有机EL(electroluminescence，电致发光)元件的自发光型的有机EL显示装置备受关注。该有机EL显示装置中，在进行图像显示的显示区域中，例如，多条源极线以相互平行地延伸的方式设置。
例如，在专利文献1中公开了一种半导体装置，其具有多个像素，多个像素具有多个具有EL元件、与EL元件电连接的第一晶体管、与源极线电连接的第二晶体管以及保持电容，第一晶体管作为开关元件起作用，第二晶体管具有控制从电流供给线流向EL元件的电流量的功能。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2017-173835号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
但是，在有机EL显示装置中，为了高精细化，多条源极线的间隔变窄，因此，在一次形成多条源极线后，以覆盖各源极线的方式形成带状的抗蚀图案，经由该抗蚀图案进行蚀刻，由此进行去除源极线间的导电膜的膜残余的再加工处理。然而，在再加工处理中，如果以覆盖各源极线的方式涂布抗蚀剂材料，则抗蚀剂材料的涂布膜(抗蚀膜)在各源极线上相对薄地形成，而在各源极线之间相对厚地形成，因此有可能因曝光量的不足而在各源极线之间产生抗蚀膜的膜残留。如此一来，即使在源极线间存在导电膜的膜残留，如果在该导电膜的膜残留上存在抗蚀膜的膜残留，则难以除去导电膜的膜残留，因而再加工工艺的效果减少。
本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于抑制配线间的抗蚀膜的膜残留的产生。
用于解决技术问题的技术方案
为了达成上述目的，本发明涉及的显示装置包括：基底基板；TFT层，设置在所述基底基板上，由第一无机绝缘膜、第一金属膜、第二无机绝缘膜、第二金属膜、第三无机绝缘膜和第三金属膜依次层叠而成；发光元件，设置在所述TFT层上并构成显示区域；多条第一配线，由所述第一金属膜以彼此平行延伸的方式设置在所述显示区域上；多条第二配线，由所述第二金属膜以在与各条所述第一配线交叉的方向相互平行地延伸的方式设置在所述显示区域上；多条第三配线，由所述第三金属膜以在与各条所述第一配线交叉的方向上相互平行地延伸的方式设置在所述显示区域上，以由多条所述第三配线中的相邻的一对第三配线和多条所述第一配线中的相邻的一对第一配线包围的区域重叠的方式，由所述第一金属膜形成的第一金属层沿所述相邻的一对第三配线以岛状设置。
有益效果
根据本发明，由于将由第一金属膜形成的第一金属层沿着相邻的一对第三配线呈岛状设置，使得与由相邻的一对第三配线和相邻的一对第一配线包围的区域重叠，因此能够抑制配线之间的抗蚀膜的膜残留的产生。
附图说明
图1是示出本发明第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的概略构成的俯视图。
图2是沿着图1中的II-II线的有机EL显示装置的截面图。
图3是构成本发明第一实施方式涉及的有机EL显示装置的TFT层的等效电路图。
图4是构成本发明第一实施方式涉及的有机EL显示装置的TFT层的俯视图。
图5是沿着图4中的V-V线的TFT层的剖视图。
图6是沿着图4中的VI-VI线的TFT层的剖视图。
图7是构成本发明第一实施方式涉及的有机EL显示装置的TFT层的变形例的俯视图。
图8是示出构成本发明的第一实施方式涉及的有机EL显示装置的有机EL层的剖视图。
图9是沿着图1中的IX-IX线的有机EL显示装置的边框区域的剖视图。
图10是构成本发明第二实施方式涉及的有机EL显示装置的TFT层的俯视图。
图11是沿着图10中的沿XI-XI线的TFT层的剖视图。
图12是沿着图10中的沿XII-XII线的TFT层的剖视图。
图13是构成本发明第二实施方式涉及的有机EL显示装置的TFT层的俯视图。
图14是构成本发明第三实施方式涉及的有机EL显示装置的TFT层的俯视图。
图15是沿着图14中的沿XV-XV线的TFT层的剖视图。
图16是沿着图14中的沿XVI-XVI线的TFT层的剖视图。
图17是构成本发明的第三实施方式的有机EL显示装置的TFT层的第一变形例的俯视图。
图18是沿着图17中沿XVIII-XVIII线的TFT层的剖视图。
图19是构成本发明第三实施方式涉及的有机EL显示装置的TFT层的第二变形例的俯视图。
图20是表示本发明的第四实施方式涉及的有机EL显示装置的概略构成的俯视图。
图21是将图20中的区域A放大后的要部俯视图。
图22是沿着图21中的XXII-XXII线的构成本发明的第四实施方式的有机EL显示装置的TFT层的剖视图。
具体实施方式
以下，基于附图详细说明本发明的实施方式。另外，本发明的实施方式不限于以下示例的实施方式。
[第一实施方式]
图1～图9示出了本发明涉及的显示装置的第一实施方式。另外，作为包括发光元件的显示装置，在以下各实施方式中，示例了包括有机EL元件的有机EL显示装置。在此，图1是示出本实施方式的有机EL显示装置50a的平面图。此外，图2是沿着图1中的II-II线的有机EL显示装置50a的截面图。此外，图3是示出构成有机EL显示装置50a的TFT层20a的等效电路图。此外，图4是TFT层20a的俯视图。此外，图5和图6是沿着图4中的V-V线和VI-VI线的TFT层20a的剖视图。此外，图7是作为TFT层20a的变形例的TFT层20aa的俯视图。此外，图8是构成有机EL显示装置50a的有机EL层23的剖视图。此外，图9是沿着图1中的IX-IX线的有机EL显示装置50a的边框区域F的剖视图。
如图1所示，有机EL显示装置50a包括例如设置为矩形状的进行图像显示的显示区域D和设置在显示区域D周围的边框区域F。另外，在本实施方式中，例示了矩形的显示区域D，但该矩形还包括例如边为圆弧状的形状、角部为圆弧状的形状、边的一部分有切口的形状等大致矩形。
在显示区域D中，多个子像素P(参照图4)呈矩阵状排列。此外，在显示区域D中，例如设置为具有用于进行红色的显示的红色发光区域的子像素P、具有用于进行绿色的显示的绿色发光区域的子像素P以及具有用于进行蓝色的显示的蓝色发光区域的子像素P彼此相邻。另外，在显示区域D中，例如由具有红色发光区域、绿色发光区域及蓝色发光区域的相邻的三个子像素P构成一个像素。
此外，在图1中的边框区域F的右端部设置有端子部T。此外，如图1所示，在边框区域F中，在显示区域D和端子部T之间，以沿一个方向(图中纵向)延伸的方式设置有例如能够以图中纵向为折弯的轴折弯180°(U字状)的折弯部B。此外，在边框区域F中，在后述的平坦化膜19a上，如图1、图2以及图9所示，大致C字状的沟槽G以贯通平坦化膜19a的方式设置。在此，如图1所示，槽G在俯视时端子部T侧开口的方式形成为大致C字状。
如图2以及图9所示，有机EL显示装置50a包括：树脂基板层10，其设置为基底基板；TFT(Thin Film Transistor)层30，其设置在树脂基板层10上；有机EL元件25，其作为构成显示区域D的发光元件设置在TFT层上；以及密封膜30，其设置为覆盖有机EL元件25。
树脂基板层10例如由聚酰亚胺树脂等构成。
如图2所示，TFT层20a包括：设置在树脂基板层10上的底涂膜11；设置在底涂膜11上的多个第一TFT9a、多个第二TFT9b(参照图3)、多个第三TFT9c和多个电容9d；以及设置在各第一TFT9a、各第二TFT9b和各电容9d上的平坦化膜19a。
在TFT层20a中，如图2所示那样，底涂膜11、半导体膜、栅极绝缘膜(第一无机绝缘膜)13、第一金属膜、第一层间绝缘膜(第二无机绝缘膜)15、第二金属膜、第二层间绝缘膜17、第三金属膜以及平坦化膜19a在树脂基板层10上依次层叠。在此，上述半导体膜构成后述的第一半导体层12a等，上述第一金属膜构成后述的栅极线14d等，上述第二金属膜构成后述的上部导电层16等，上述第三金属膜构成后述的源极线18f等。
如图3及图4所示，在TFT层20a中，在显示区域D，多个栅极线14d以沿图中横向相互平行地延伸的方式由上述第一金属膜作为第一配线设置。此外，在TFT层20a中，如图3及图4所示，在显示区域D，以在图中横向相互平行地延伸的方式，多条发光控制线14e作为第一配线被上述第一金属膜设置。另外，如图4所示，各发光控制线14e设置为与各栅极线14d相邻。此外，在TFT层20a中，如图4所示，在显示区域D，以在各栅极线14d的延伸方向(图中横方向)相互平行地延伸的方式，多条初始化电源线16d由上述第二金属膜作为第二配线设置。此外，在图3的等效电路图中，省略了初始化电源线16d。此外，在TFT层20a中，如图3及图4所示，在显示区域D，以在与各栅极线14d正交的方向(图中纵向)彼此平行地延伸的方式，多条源极线18f由上述第三金属膜作为第三配线设置。此外，在TFT层20a中，如图3及图4所示，在显示区域D，多个电源线18g以沿图中纵向相互平行地延伸的方式由所述第三金属膜作为第三配线设置。此外，如图4所示，各电源线18g被设置为与各源极线18f相邻。此外，如图3所示，在TFT层20a中，在各子像素P中分别设置有第一TFT9a、第二TFT9b、第三TFT9c和电容9d。
在TFT层20a中，如
Figure BDA0002984114560000071
所示，以由相邻的源极线18f及电源线18g和相邻的栅极线14d及发光控制线14e包围的区域重叠的方式，由上述第一金属膜形成的第一金属层14fa及14fb沿着相邻的源极线18f及电源线18g设置为矩形的岛状。在此，如图5所示，源极线18f及电源线18g的两侧端部以与覆盖第一金属层14fa(14fb)的端部而形成的第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17的倾斜部S重叠的方式设置，源极线18f及电源线18g的上表面的高度与源极线18f及电源线18g之间的第一金属层14fa(14fb)上的第二层间绝缘膜17的上表面的高度接近。此外，如图4及图6所示，第一金属层14fa设置为隔着第一层间绝缘膜15与初始化电源线16d重叠。另外，在本实施方式中，例示了以第一金属层14fa与初始化电源线16d重叠的方式设置的TFT层20a，但如图7所示那样，也可以是具有第一金属层14fc的TFT层20aa，第一金属层14fc设置有以与初始化电源线16d重叠的方式贯通的开口部M。此外，如图7所示，在构成TFT层20aa的第一金属层14fc的开口部M也可以设置有将第一金属层14fc的周端部进行切口的切口部N(双点划线)。由此，第一金属层14fc与初始化电源线16d的重叠变少，因此能够减小在初始化电源线16d产生的寄生电容。
底涂膜11例如由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。
如图3所示，在每个子像素中，第一TFT9a与对应的栅极线14d、源极线18f、第二TFT9b电连接。如图2所示，第一TFT 9a包括依次设置在底涂膜11上的半导体层12a、栅极绝缘膜13、栅极14a、第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17以及源极18a和漏极18b。在此，如图2所示，半导体层12a以岛状设置在底涂膜11上，如后述，并具有沟道区域、源极区域和漏极区域。此外，如图2所示，栅极绝缘膜13以覆盖半导体层12a的方式设置。此外，如图2所示，栅极14a以与半导体层12a的沟道区域重叠的方式设置在栅极绝缘膜13上。此外，如图2所示，第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17以覆盖栅极14a的方式依次设置。此外，如图2所示，源极18a和漏极18b以彼此分离的方式设置在第二层间绝缘膜17上。此外，如图2所示，源极18a和漏极18b经由形成在栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17的层叠膜中的各接触孔分别电连接到半导体层12a的源极区域和漏极区域。另外，栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17，例如由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。
如图3所示，第二TFT9b在各子像素P中与对应的第一TFT9a、电源线18g及第三TFT9c电连接。另外，第二TFT9b具有与上述第一TFT9a及后述的第三TFT9c实质上相同的构造。
如图3所示，第三TFT9c在各子像素P中与对应的第二TFT9b、电源线18g及发光控制线14e电连接。此外，如图2所示，第三TFT9c包括依次设置在底涂膜11上的半导体层12b、栅极绝缘膜13、栅极14b、第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17以及源极18c和漏极18d。在此，如图2所示，半导体层12b以岛状设置在底涂膜11上，与半导体层12a同样地，具有沟道区域、源极区域和漏极区域。此外，如图2所示，栅极绝缘膜13以覆盖半导体层12b的方式设置。此外，如图2所示，栅极14b以与半导体层12b的沟道区域重叠的方式设置在栅极绝缘膜13上。此外，如图2所示，第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17以覆盖栅极14b的方式依次设置。此外，如图2所示，源极18c和漏极18d以彼此分离的方式设置在第二层间绝缘膜17上。此外，如图2所示，源极18c和漏极18d经由形成在栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17的层叠膜中的各接触孔分别电连接到半导体层12b的源极区域以及漏极区域。
另外，在本实施方式中，例示了顶栅型的第一TFT9a、第二TFT9b以及第三TFT9c，但第一TFT9a、第二TFT9b以及第三TFT9c也可以为底栅型。
如图3所示，在每个子像素P中，电容9d与对应的第一TFT9a及电源线18g电连接。在此，如图2所示，电容9d包括：由与栅极线9d相同的材料形成在同一层中的下部导电层14c；以覆盖下部导电层14c的方式设置的第一层间绝缘膜15；以及以与下部导电层14c重叠的方式设置在第一层间绝缘膜15上的上部导电层16。另外，上部导电层16经由形成于第二层间绝缘膜17上的接触孔(不图示)与电源线18g电连接。
在显示区域D中，平坦化膜19a具有平坦的表面，并且由例如聚酰亚胺树脂等有机树脂材料构成。
如图2所示，有机EL元件25包括依次设置在第二平坦化膜19a上的多个第一电极21a、边缘罩22a、多个有机EL层23和第二电极24。
如图2所示，多个第一电极21a以与多个子像素P相对应的方式呈矩阵状设置在第二平坦化膜19a上。此外，如图2所示，各第一电极21a经由形成在平坦化膜19a上的接触孔与各第三TFT9c的漏极电极18d电连接。此外，第一电极21a还具有将空穴(正孔)注入到有机EL层23中的功能。此外，为了提高向有机EL层23的空穴注入效率，第一电极21a更优选由功函数大的材料形成。在此，作为形成第一电极21a的材料可以例举例如，银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钛(Ti)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、(Yb)、氟化锂(LiF)、铂(Pt)、钯(Pd)、钼(Mo)、铱(Ir)、锡(Sn)等金属材料。此外，构成第一电极21a的材料也可以是例如砹(At)/氧化砹(AtO2)等的合金。进一步地，构成第一电极21a的材料也可以是例如氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)这种导电性氧化物等。此外，第一电极21a也可以通过层叠多个由上述材料构成的多个层来形成。另外，作为功函数大的化合物材料，例如可例举铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等。
如图2所示，边缘罩22以覆盖各第一电极21a的周缘部的方式呈格子状设置。在此，作为构成边缘罩22a的材料，例如可举出聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、聚硅氧烷树脂、酚醛清漆树脂等的有机膜。此外，如图2所示，边缘罩22a的表面的一部分向上方突出，成为设置为岛状的像素光间隔物C。
如图2所示，多个有机EL层23配置在各第一电极21a上并以与多个子像素对应的方式设置成矩阵状。在此，如图8所示，各有机EL层23包括依次设置在第一电极21a上的空穴注入层1、空穴传输层2、发光层3、电子传输层4及电子注入层5。
空穴注入层1还被称为阳极缓冲层，其使第一电极21和有机EL层23的能级接近，具有改善从第一电极21对有机EL层23的空穴注入效率的功能。在此，作为构成空穴注入层1的材料，例如可举出三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷衍生物、吡唑啉衍生物、苯二胺衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、二苯乙烯衍生物等。
空穴传输层2具有提高空穴从第一电极21a向有机EL层23的传输效率的功能。在此，作为构成空穴传输层2的材料，例如可举出卟啉衍生物、芳族叔胺化合物、苯乙胺衍生物、聚乙烯咔唑、聚-p-苯乙炔、聚硅烷、三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳胺衍生物、胺取代的查耳酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、二苯乙烯衍生物、氢化非晶硅、氢化非晶碳化硅、硫化锌、硒化锌等。
发光层3是在对第一电极21a及第二电极24施加电压时，从第一电极21a及第二电极24分别注入空穴及电子，并且将空穴和电子复合的区域。在此，发光层3由发光效率高的材料形成。而且，构成发光层3的材料可列举，例如金属羟基喹啉化合物[8-羟基喹啉金属络合物]、萘衍生物、蒽衍生物、二苯乙烯衍生物、乙烯基丙酮衍生物、三苯胺衍生物、丁二烯衍生物、香豆素衍生物、苯并恶唑衍生物、恶二唑衍生物、恶唑衍生物、苯并咪唑衍生物、噻二唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯乙烯基衍生物、苯乙烯胺衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、三苯乙烯基苯衍生物、苝衍生物、芘酮衍生物、氨基芘衍生物、吡啶衍生物、罗丹明衍生物、吖啶衍生物、吩恶嗪酮、喹吖啶酮衍生物、红荧烯、聚对苯撑乙烯、聚硅烷等。
电子传输层4具有使电子高效率地迁移至发光层3的功能。此处，构成电子传输层4的材料例如可列举作为有机化合物的恶二唑衍生物、三唑衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、四氰基蒽醌二甲烷衍生物、联苯醌衍生物、芴酮衍生物、噻咯衍生物、金属羟基喹啉化合物等。
电子注入层5接近第二电极24和有机EL层23的能级，具有提高从第二电极24向有机EL层23注入电子的效率的功能，通过该功能，能够降低有机EL元件25的驱动电压。另外，电子注入层5也称为阴极缓冲层。此处，作为构成电子注入层5的材料，例如可举出氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化锶(SrF2)、氟化钡(BaF2)那样的无机碱化合物、氧化铝(Al2O3)、氧化锶(SrO)等。
如图2所示，第二电极24作为共用电极并以覆盖各有机EL层23和边缘罩15的方式设置。另外，第二电极24具有向有机EL层23注入电子的功能。另外，为了提高对有机EL层23的电子注入效率，第二电极24更优选由功函数小的材料构成。在此，作为构成第二电极24的材料，例如可举出银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钙(Ca)、钛(Ti)、钇(Y)、钠(Na)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镁(Mg)、锂(Li)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)等。另外，第二电极24例如也可以由镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、砹(At)/氧化砹(AtO2)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等合金形成。此外，第二电极24例如也可以由氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等导电性氧化物形成。另外，第二电极24也可以层叠由上述材料构成的多层而形成。此外，作为功函数小的材料，例如可举出镁(Mg)、锂(Li)、氟化锂(LiF)、镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等。
如图2所示，密封膜30包括：以覆盖第二电极24的方式设置的第一无机膜26；设置在第一无机膜26上的有机膜27；以及以覆盖有机膜27的方式设置的第二无机膜28，且该密封膜29具有保护有机EL层23免受水分、氧等影响的功能。在此，作为构成第一无机膜26以及第二无机膜28的材料，例如由氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、如四氮化三硅(Si3N4)那样的氮化硅(SiNx(x正数))、碳氮化硅(SiCN)等的无机材料构成。另外，有机膜27例如由丙烯酸树脂、聚脲树脂、聚对二甲苯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂等有机材料构成。
此外，有机EL显示装置50a在边框区域F具备在沟槽G的内侧设置成框状的第一边框配线18h(参照图20)。在此，第一边框配线18h在端子部T中与输入高电源电压(ELVDD)的端子电连接。此外，第一边框配线18h在显示区域D侧与配置于显示区域D的多条电源线18g电连接。另外，第一边框配线18h与源极线18f由相同的材料形成于同一层。
此外，如图9所示，有机EL显示装置50a在边框区域F中具备以大致C字状设置于沟槽G的外侧的第二边框配线18i(参照图20)。在此，第二边框配线18i在端子部T与输入低电源电压(ELVSS)的端子电连接。此外，如图9所示，第二边框配线18i经由第二导电层21b与第二电极24电连接。另外，第二边框配线18i与源极线18f由相同的材料形成在同一层。此外，第二导电层21b与第一电极21a由相同的材料形成于同一层。
此外，如图1以及图9所示，有机EL显示装置50a在边框区域F具备:第一阻挡壁Wa，以包围显示区域D的方式设置为框状，与密封膜30的有机膜27的周端部重叠；以及第二阻挡壁Wb，以包围第一阻挡壁Wa的方式设置为框状。
如图9所示，第一阻挡壁Wa具备:与平坦化膜19a同一层由同一材料形成的下层树脂层19b；以及在下层树脂层19b上隔着导电层21b设置、与边缘罩22a同一层由同一材料形成的上层树脂层22c。
如图9所示，第二阻挡壁Wb具备:与平坦化膜19a同一层由同一材料形成的下层树脂层19c；在下层树脂层19c上隔着导电层21b设置、与边缘罩22a同一层由同一材料形成的上层树脂层22d。
此外，如图2及图9所示，有机EL显示装置50a在边框区域F中，在平坦化膜19a上具有以向图中上方突出的方式呈岛状设置的多个周边光间隔物22b。在此，周边光间隔物22b与边缘罩22a在同一层由同一材料形成。
在各子像素P中，上述的有机EL显示装置50a经由栅极线14d向第一TFT9a输入栅极信号，第一TFT9a成为打开状态，通过源极线18f向第二TFT9b的栅极及电容9d写入数据信号，在通过发光控制线14e向第三TFT9c输入发光控制信号时，第三TFT9c成为打开状态，与第二TFT9b的栅极电压对应的电流由电源线18g供给到有机EL层23，由此，有机EL层23的发光层3发光，进行图像显示。另外，在有机EL显示装置50a中，即使第一TFT9a成为关闭状态，由于第二TFT9b的栅极电压由电容9d保持，因此，发光层3的发光也被各像素P维持，直到输入下一帧的栅极信号。
接着，说明本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法。另外，本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法具备TFT层形成工序、有机EL元件形成工序以及密封膜形成工序。
[TFT层形成工序]
例如，通过使用已知的方法，在玻璃基板上所形成的树脂基板层10的表面上形成底涂膜11、第一TFT9a、第二TFT9b、第三TFT9c、电容9d和平坦化膜19a来形成TFT层20a。
在此，在TFT层形成工序中，在形成第一TFT9a的栅极电极14a等时同时形成的相邻的栅极线14d及发光控制线14e之间形成第一金属层14fa及14fb。
此外，在TFT层形成工序中，在第一TFT9a的源极18a和漏极18b等同时形成源极线18f和电源线18g后，以覆盖各源极线18f和各电源线18g的方式形成带状的抗蚀图案，经由该抗蚀图案进行蚀刻，由此进行去除源极线18f和电源线18g间的导电膜的膜残余物的再加工工序。在该再加工工序中，以覆盖各源极线18f以及各电源线18g的方式在基板整体形成抗蚀膜R(参照图5以及图6)后，通过对抗蚀膜R进行曝光、显影以及后烘烤，从而形成抗蚀图案。在此，通过在相邻的源极线18f及电源线18g之间配置第一金属层14fa及14fb，源极线18f及电源线18g的上表面的高度与源极线18f及电源线18g之间的第二层间绝缘膜17的上表面的高度接近，因此源极线18f及电源线18g上的抗蚀膜R的厚度与源极线18f及电源线18g之间的第二层间绝缘膜17上的抗蚀膜R的厚度接近。其结果，源极线18f及电源线18g之间的第二层间绝缘膜17上对抗蚀膜R的曝光量不足被消除，因此在源极线18f及电源线18g之间不易发生抗蚀膜R的膜残留。
[有机EL元件形成工序]
通过使用已知的方法，在上述TFT层形成工序中所形成的TFT层20a的平坦化膜19a上形成第一电极21a、边缘罩22a、有机EL层23(空穴注入层1、空穴传输层2、发光层3、电子传输层4、电子注入层5)以及第二电极24来形成有机EL元件25。
[密封膜形成工序]
首先，在上述有机EL元件形成工序中形成的形成有有机EL元件25的基板表面上，使用掩模，通过等离子体CVD(chemical vapor deposition)法使例如氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜等无机绝缘膜成膜，从而形成第一无机膜26。
接着，例如通过喷墨法在形成有第一无机膜26的基板表面上成膜丙烯酸树脂等有机树脂材料，以形成有机膜27。
进一步地，例如使用掩模，通过等离子体CVD法在形成有有机膜27的基板上成膜的氮化硅膜、氧化硅膜或氮氧化硅膜等无机绝缘膜，并通过形成第二无机膜28来形成密封膜30。
最后，在形成有密封膜30的基板表面上贴附保护片(未图示)之后，通过从树脂基板层10的玻璃基板照射激光，从而使玻璃基板从树脂基板层10的下表面剥离，进一步地，在剥离了玻璃基板的树脂基板层10的下表面贴附保护片(未图示)。
如上所述，能够制造本实施方式的有机EL显示装置50a。
如上所述，根据本实施方式的有机EL显示装置50a，以由相邻的源极线18f及电源线18g和相邻的栅极线14d及发光控制线14e包围的区域重叠的方式，由第一金属膜形成的第一金属层14fa及14fb沿着相邻的源极线18f及电源线18g设置为岛状。由此，源极线18f及电源线18g的上表面的高度与源极线18f及电源线18g之间的第二层间绝缘膜17的上表面的高度接近，因此能够使源极线18f及电源线18g上的抗蚀膜R的厚度与源极线18f及电源线18g之间的第二层间绝缘膜17上的抗蚀膜R的厚度接近。其结果，源极线18f及电源线18g之间的第二层间绝缘膜17上的对抗蚀膜R的曝光量的不足被消除，因此能够抑制源极线18f及电源线18g之间的抗蚀膜R的膜残留。
[第二实施方式]
图10～图13示出了本发明涉及的显示装置的第二实施方式。在此，图10是示出构成本实施方式的有机EL显示装置的TFT层20b的俯视图。此外，图11和图12是沿着图10中的XI-XI线以及XII-XII线的TFT层20b的剖视图。此外，图13是作为TFT层20b的变形例的TFT层20ba的俯视图。此外，在以下的各实施方式中，在与图1至图9相同的部分添加相同的附图标记，并省略其详细的说明。
在上述第一实施方式中，例示了具备TFT层20a的有机EL显示装置50a，TFT层20a沿着相邻的源极线18f及电源线18g设置有第一金属层14fa及14fb，但在本实施方式中，例示具备TFT层20b的有机EL显示装置，TFT层20b沿着相邻的源极线18f及电源线18g设置有第二金属层16e。
与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，有机EL显示装置具备显示区域D和设置在显示区域D的周围的边框区域F。
此外，与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，有机EL显示装置包括树脂基板层10、设置在树脂基板层10上的TFT层20b、设置在TFT层20b上的有机EL元件25、以覆盖有机EL元件25的方式设置的密封膜30。
TFT层20b与上述第一实施方式的TFT层20a同样地具备:设置于树脂基板层10上的底涂膜11、设置于底涂膜11上的多个第一TFT9a、多个第二TFT9b、多个第三TFT9c以及多个电容9d以及设置于各第一TFT9a、各第二TFT9b、各第三TFT9c以及各电容9d上的平坦化膜19a。
在TFT层20b中，与上述第一实施方式的TFT层20a同样地，底涂膜11、半导体膜、栅极绝缘膜(第一无机绝缘膜)13、第一金属膜、第一层间绝缘膜(第二无机绝缘膜)15、第二金属膜、第二层间绝缘膜17、第三金属膜以及平坦化膜19a在树脂基板层10上依次层叠。
在TFT层20b中，如图10所示，在显示区域D中，多条栅极线14d以沿图中横向相互平行地延伸的方式由所述第一金属膜设置作为第一配线。此外，在TFT层20b中，如图10所示，在显示区域D中，多条发光控制线14e以在图中横向上相互平行地延伸的方式由所述第一金属膜设置作为第一配线。另外，如图10所示，各发光控制线14e设置为与各栅极线14d相邻。此外，在TFT层20b中，如图10所示，在显示区域D中，以在各栅极线14d的延伸方向(图中横方向)相互平行地延伸的方式，多条初始化电源线16d由上述第二金属膜作为第二配线设置。此外，在TFT层20b中，如图10所示，在显示区域D中，以在与各栅极线14d正交的方向(图中纵向)彼此平行地延伸的方式，多条源极线18f由上述第三金属膜作为第三配线设置。此外，在TFT层20b中，如图10所示，在显示区域D中，多个电源线18g以沿图中纵向相互平行地延伸的方式由所述第三金属膜作为第三配线设置。此外，如图10所示，各电源线18g被设置为与各源极线18f相邻。此外，在TFT层20b中，与上述第一实施方式的TFT层20a同样地，在各子像素P中，分别设置有第一TFT9a、第二TFT9b、第三TFT9c以及电容9d。
在TFT层20b中，如
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所示，以由相邻的源极线18f以及电源线18g和一对初始化电源线14e包围的区域重叠的方式，由上述第二金属膜形成的第二金属层14fb沿着相邻的源极线18f及电源线18g设置为矩形的岛状。在此，如图11所示，源极线18f及电源线18g的两侧端部以与覆盖第二金属层14fb的端部而形成的第二层间绝缘膜17的倾斜部S重叠的方式设置，源极线18f及电源线18g的上表面的高度与源极线18f及电源线18g之间的第二金属层14fb上的第二层间绝缘膜17的上表面的高度接近。此外，如图4及图6所示，第二金属层16e设置为隔着第一层间绝缘膜15与栅极线14d以及发光控制线16d重叠。此外，在本实施方式中，例示了在由相邻的源极线18f及电源线18g和相邻的一对初始化电源线16d包围的区域设置有一个岛状的第二金属层16e的TFT层20b，但如图13所示，也可以是在与栅极线14d重叠的岛状的第二金属层16ea和与发光控制线14e重叠的岛状的第二金属层16eb分割为多个(例如两个)而设置的TFT层20ba。
具备本实施方式的TFT层20b的有机EL显示装置，与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地具有可挠性，并且在每个子像素P中，通过第一TFT9a、第二TFT9b以及第三TFT9c使有机EL层23的发光层3适当地发光来进行图像显示。
具备本实施方式的TFT层20b的有机EL显示装置可以通过在上述第一实施方式中说明的有机EL显示装置50a的制造方法的TFT层形成工序中，取代形成第一金属层14fa及14fb，而在形成电容9d的上部导电层16时同时形成的相邻的一对初始化电源线16d之间形成第二金属层16e来制造。
如上说明，根据本实施方式的具备TFT层20b的有机EL显示装置，以由相邻的源极线18f以及电源线18g和相邻的一对初始化电源线16d包围的区域重叠的方式，由第二金属膜形成的第二金属层16e沿着相邻的源极线18f以及电源线18g设置为岛状。由此，源极线18f及电源线18g的上表面的高度与源极线18f及电源线18g之间的第二层间绝缘膜17的上表面的高度接近，因此能够使源极线18f及电源线18g上的抗蚀膜R的厚度与源极线18f及电源线18g之间的第二层间绝缘膜17上的抗蚀膜R的厚度接近。其结果，源极线18f及电源线18g之间的第二层间绝缘膜17上的对抗蚀膜R的曝光量的不足被消除，因此能够抑制源极线18f及电源线18g之间的抗蚀膜R的膜残留。
[第三实施方式]
图14～图19示出了本发明涉及的显示装置的第三实施方式。在此，图14是示出构成本实施方式的有机EL显示装置的TFT层20c的俯视图。此外，图15和图16是沿着图14中的XV-XV线以及XVI-XVI线的TFT层20c的剖视图。此外，图17是作为TFT层20c的第一变形例的TFT层20ca的俯视图。此外，图18是沿着图17中的XVIII-XVIII线的有机TFT层20ca的剖视图。此外，图19是作为TFT层20c的第二变形例的TFT层20cb的俯视图。
在上述第一实施方式中，例示了具备TFT层20a的有机EL显示装置50a，TFT层20a沿着相邻的源极线18f及电源线18g设置有第一金属层14fa及14fb，但在本实施方式中，例示具备TFT层20c的有机EL显示装置，TFT层20b沿着相邻的源极线18f及电源线18g设置有第一金属层14fa及14fb、第二金属层16e。
与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，本实施方式的有机EL显示装置具备显示区域D和设置在显示区域D的周围的边框区域F。
此外，与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，本实施方式的有机EL显示装置包括树脂基板层10、设置在树脂基板层10上的TFT层20c、设置在TFT层20c上的有机EL元件25、以覆盖有机EL元件25的方式设置的密封膜30。
TFT层20c与上述第一实施方式的TFT层20a同样地具备:设置于树脂基板层10上的底涂膜11、设置于底涂膜11上的多个第一TFT9a、多个第二TFT9b、多个第三TFT9c以及多个电容9d以及设置于各第一TFT9a、各第二TFT9b、各第三TFT9c以及各电容9d上的平坦化膜19a。
在TFT层20c中，与上述第一实施方式的TFT层20a同样地，底涂膜11、半导体膜、栅极绝缘膜(第一无机绝缘膜)13、第一金属膜、第一层间绝缘膜(第二无机绝缘膜)15、第二金属膜、第二层间绝缘膜17、第三金属膜以及平坦化膜19a在树脂基板层10上依次层叠。
在TFT层20c中，如图14所示，在显示区域D中，多条栅极线14d以沿图中横向相互平行地延伸的方式由所述第一金属膜设置作为第一配线。此外，在TFT层20c中，如图14所示，在显示区域D中，多条发光控制线14e以在图中横向上相互平行地延伸的方式由所述第一金属膜设置作为第一配线。另外，如图14所示，各发光控制线14e设置为与各栅极线14d相邻。此外，在TFT层20c中，如图14所示，在显示区域D中，以在各栅极线14d的延伸方向(图中横方向)相互平行地延伸的方式，多条初始化电源线16d由上述第二金属膜作为第二配线设置。此外，在TFT层20c中，如图14所示，在显示区域D中，以在与各栅极线14d正交的方向(图中纵向)彼此平行地延伸的方式，多条源极线18f由上述第三金属膜作为第三配线设置。此外，在TFT层20c中，如图14所示，在显示区域D中，多个电源线18g以沿图中纵向相互平行地延伸的方式由所述第三金属膜作为第三配线设置。此外，如图14所示，各电源线18g被设置为与各源极线18f相邻。此外，在TFT层20c中，与上述第一实施方式的TFT层20a同样地，在各子像素P中，分别设置有第一TFT9a、第二TFT9b、第三TFT9c以及电容9d。
在TFT层20a中，如图14～图16所示，以由相邻的源极线18f及电源线18g和相邻的栅极线14d及发光控制线14e包围的区域重叠的方式，由上述第一金属膜形成的第一金属层14fa及14fb沿着相邻的源极线18f及电源线18g设置为矩形的岛状。另外，如图14及图16所示，第一金属层14fa设置为隔着第一层间绝缘膜15与初始化电源线16d重叠。再者，在TFT层20c中，如图14～图16所示，以由相邻的源极线18f以及电源线18g和一对初始化电源线14e包围的区域重叠的方式，由上述第二金属膜形成的第二金属层14fb沿着相邻的源极线18f及电源线18g设置为矩形的岛状。在此，如图16所示，第一金属层14fa及14fb和第二金属层16e隔着第一层间绝缘膜15重叠。此外，如图14及图16所示，第二金属层16e设置为隔着第一层间绝缘膜15与栅极线14d以及发光控制线16d重叠。此外，如图15所示，源极线18f及电源线18g的两侧端部以与覆盖第一金属层14fa(14fb)的端部而形成的第一层间绝缘膜15的倾斜部S、以及覆盖第二金属层16e的端部而形成的第二层间绝缘膜17的倾斜部S重叠的方式设置，源极线18f及电源线18g的上表面的高度与源极线18f及电源线18g之间的第二金属层16e上的第二层间绝缘膜17的上表面的高度接近。另外，在本实施方式中，例示了TFT层20c，其在由相邻的源极线18f及电源线18g和相邻的栅极线14d及发光控制线14e包围的区域设置有一层岛状的第一金属层14fa(14fb)，并在由相邻的源极线18f及电源线18g和相邻的一对初始化电源线16d包围的区域设置有一层岛状的第二金属层16e，但也可以是图17及图18所示的TFT层20ca以及图19所示的TFT层20cb。
具体而言，在TFT层20ca中，如图17所示，TFT层20c的第一金属层14fa(参照图14)被分割为多个(例如两个)第一金属层14fa以及14fab，TFT层20c的第一金属层14fb(参照图14)被分割为多个(例如两个)第一金属层14fba以及14fbb。此外，在TFT层20ca中，TFT层20c的第二金属层16e(参照图14)被分割为多个(例如两个)第二金属层16ec以及16ed。
而且，在TFT层20cb中，如图19所示，TFT层20ca的第一金属层14faa以及14fab(参照图17)成为设置有以与初始化电源线16d重叠的方式贯通的开口部M的第一金属层14fca以及14fcb。此外，在TFT层20cb中，如图19所示，TFT层20ca的第二金属层16ec(参照图17)被分割为多个(例如两个)第二金属层16eca以及16ecb，并且设置有以与栅极线14d以及发光控制线14e重叠的方式贯通且周端部被切除的开口部M。此外，在TFT层20cb中，如图19所示，TFT层20ca的第二金属层16ed(参照图17)被分割为多个(例如两个)第二金属层16eda以及16edb，并且设置有以与栅极线14d以及发光控制线14e重叠的方式贯通且周端部被切除的开口部M。
具备本实施方式的TFT层20c的有机EL显示装置，与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地具有可挠性，并且在每个子像素P中，通过第一TFT9a、第二TFT9b以及第三TFT9c使有机EL层23的发光层3适当地发光来进行图像显示。
具备本实施方式的TFT层20c的有机EL显示装置可以通过在上述第一实施方式中说明的有机EL显示装置50a的制造方法的TFT层形成工序中，在形成电容9d的上部导电层16的同时形成的相邻的一对初始化电源线16d之间追加形成第二金属层16e来制造。
如上所述，根据本实施方式的具备TFT层20c的有机EL显示装置，以由相邻的源极线18f及电源线18g和相邻的栅极线14d及发光控制线14e包围的区域重叠的方式，由第一金属膜形成的第一金属层14fa及14fb沿着相邻的源极线18f及电源线18g设置为岛状。而且，以由相邻的源极线18f及电源线18g和相邻的一对初始化电源线16d包围的区域重叠的方式，由第二金属膜形成的第二金属层16e沿着相邻的源极线18f及电源线18g设置为岛状。由此，源极线18f及电源线18g的上表面的高度与源极线18f及电源线18g之间的第二层间绝缘膜17的上表面的高度接近，因此能够使源极线18f及电源线18g上的抗蚀膜R的厚度与源极线18f及电源线18g之间的第二层间绝缘膜17上的抗蚀膜R的厚度接近。其结果，源极线18f及电源线18g之间的第二层间绝缘膜17上对抗蚀膜R的曝光量的不足被消除，因此能够抑制源极线18f及电源线18g之间的抗蚀膜R的膜残留。
[第四实施方式]
图20～图22示出了本发明涉及的显示装置的第四实施方式。在此，图20是示出本实施方式的有机EL显示装置50d的概略构成的俯视图。此外，图21是将图20中的区域A放大后的要部俯视图。此外，图22是沿着图21中的XXII-XXII线的构成有机EL显示装置50d的剖视图。
在上述各实施方式中，例示了有机EL显示装置(50a)，其抑制设置于显示区域D的配线间的抗蚀膜R的膜残留，但在本实施方式中，例示了有机EL显示装置50d，其抑制设置于边框区域F的配线间的抗蚀膜R的膜残留。
如图20所示，有机EL显示装置50d与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a(参照图1)为实质上相同的结构，因此，以下对上述第一实施方式中省略的第一边框配线18h和第二边框配线18i的详细结构进行说明。
在有机EL显示装置50d中，如图21所示，第一边框配线18h及第二边框配线18i在第一阻挡壁Wa及第二阻挡壁Wb之间以彼此相邻的方式设置。在此，如图21及图22所示，在相邻的第一边框配线18h及第二边框配线18i之间，沿着第一边框配线18h及第二边框配线18i，分别岛状地设置有由所述第一金属膜形成的第三金属层14g及由所述第二金属膜形成的第四金属层16g。另外，如图22所示，第三金属层14g及第四金属层16g隔着第一层间绝缘膜15重叠。此外，如图22所示，相邻的第一边框配线18h及第二边框配线18i的两侧端部以与覆盖第三金属层14g的端部而形成的第一层间绝缘膜15的倾斜部S，以及覆盖第四金属层16g的端部而形成的第二层间绝缘膜17的倾斜部S重叠的方式设置，第一边框配线18h及第二边框配线18i的上表面的高度与第一边框配线18h及第二边框配线18i之间的第四金属层16g上的第二层间绝缘膜17的上表面的高度接近。
另外，在本实施方式中，例示了在相邻的第一边框配线18h及第二边框配线18i之间设置有第三金属层14g及第四金属层16g的构成，但也可以是在相邻的第一边框配线18h及第二边框配线18i之间设置有第三金属层14g及第四金属层16g中一方的构成。
与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，本实施方式的有机EL显示装置50d具有可挠性，并且在每个子像素P中，通过第一TFT9a、第二TFT9b以及第三TFT9c使有机EL层23的发光层3适当地发光来进行图像显示。
本实施方式的有机EL显示装置50d可以通过在上述第一实施方式中说明的有机EL显示装置50a的制造方法的TFT层形成工序中，在形成第一TFT9a的栅极电极14a等时形成第三金属层14g，在形成电容9d的上部导电层16时形成第四金属层16g来制造。
如以上说明的那样，根据本实施方式的有机EL显示装置50d，在第一阻挡壁Wa和第二阻挡壁Wb之间彼此相邻的第一边框配线18h和第二边框配线18i之间，沿着第一边框配线18h和第二边框配线18i岛状地分别设置有由第一金属膜形成的第三金属层14g以及由第二金属膜形成的第四金属层16g。由此，相互相邻的第一边框配线18h及第二边框配线18i的上表面的高度与第一边框配线18h及第二边框配线18i之间的第二层间绝缘膜17的上表面的高度接近，因此能够使第一边框配线18h及第二边框配线18i上的抗蚀剂膜R的厚度与第一边框配线18h及第二边框配线18i之间的第二层间绝缘膜17上的抗蚀剂膜R的厚度接近。其结果是，能消除第一边框配线18h和第二边框配线18i之间的第二层间绝缘膜17上的对抗蚀膜R的曝光量的不足，能抑制第一边框配线18h和第二边框配线18i之间的抗蚀膜R的膜残留。
《其他实施方式》
在上述各实施方式中，第一金属层、第二金属层、第三金属层以及第四金属层以电游离的状态设置，但第一金属层、第二金属层、第三金属层以及第四金属层也可以在对应的无机绝缘膜上形成接触孔，与重叠的配线电连接，抑制与重叠的配线之间的寄生电容的产生。
在上述各实施方式中，例示了空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层的五层层叠构造的有机EL层，但有机EL层例如也可以为空穴注入层兼空穴传输层、发光层及电子传输层兼电子注入层的三层层叠构造。
此外，在上述各实施方式中，例示了将第一电极设为阳极、第二电极设为阴极的有机EL显示装置，但本发明还能够应用于使有机EL层的层叠构造反转，且将第一电极设为阴极，将第二电极设为阳极的有机EL显示装置。
此外，在上述各实施方式中，例示了将与第一电极连接的TFT的电极设为漏极的有机EL显示装置，但本发明还能够应用于将与第一电极连接的TFT的电极设为源极的有机EL显示装置。
此外，在上述各实施方式中，作为显示装置以有机EL显示装置为例进行了说明，但本发明可以适用于包括由电流驱动的多个发光元件的显示装置。例如，可以适用于包括使用了含量子点层的发光元件的QLED(Quantum-dot Light Emitting Diode，量子点发光二极管)的显示装置。
工业上的实用性
如以上说明，本发明可用于柔性的显示装置。
附图标记说明
D 显示区域
F 边框区域
M 开口部
Wa 第一阻挡壁
Wb 第二阻挡壁
10 树脂基板层(基底基板)
13 栅极绝缘膜(第一无机绝缘膜)
14d 栅极线(第一配线)
14e 发光控制线(第一配线)
14fa、14faa、14fab、14fb、14fba、14fbb、14fc、14fca、14fcb 第一金属层
14g 第三金属层
15 第一层间绝缘膜(第二无机绝缘膜)
16d 初始化电源线(第二配线)
16e、16ea、16eb、16ec、16eca、16ecb、16ed、16eda、16edb 第二金属层
16g 第四金属层
17 第二层间绝缘膜(第三无机绝缘膜)
18f 源极线(第三配线)
18g 电源线(第三配线)
18h 第一边框配线
18i 第二边框配线
20a、20b、20ba、20c、20ca、20cb、20d TFT 层
25 有机EL元件(发光元件)
26 第一无机膜
27 有机膜
28 第二无机膜
30 密封膜
50a、50d 有机EL显示装置

Claims (18)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
基底基板；
TFT层，设置在所述基底基板上，由第一无机绝缘膜、第一金属膜、第二无机绝缘膜、第二金属膜、第三无机绝缘膜和第三金属膜依次层叠而成；
发光元件，设置在所述TFT层上并构成显示区域；
多条第一配线，由所述第一金属膜以彼此平行延伸的方式设置在所述显示区域上；
多条第二配线，由所述第二金属膜以沿各条所述第一配线的延伸方向相互平行地延伸的方式设置在所述显示区域上；以及
多条第三配线，由所述第三金属膜以在与各条所述第一配线交叉的方向上相互平行地延伸的方式设置在所述显示区域上，
以由多条所述第三配线中的相邻的一对第三配线和多条所述第一配线中的相邻的一对第一配线包围的区域重叠的方式，由所述第一金属膜形成的第一金属层沿所述相邻的一对第三配线以岛状设置。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
多条所述第三配线的侧端部设置为与覆盖所述第一金属层的端部形成的所述第二无机绝缘膜以及所述第三无机绝缘膜的倾斜部重叠。
3.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，
在所述第一金属层中，贯通所述第一金属层的开口部设置为与多条所述第二配线重叠。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
所述开口部是对所述第一金属层的周端部进行切口。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的显示装置，其特征在于，
在被多条所述第三配线中相邻的一对第三配线和多条所述第一配线中相邻的一对第一配线包围的区域中，所述第一金属层被分割设置为多个。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的显示装置，其特征在于，
以与由多条所述第三配线中相邻的一对第三配线和所述述多条第二配线中相邻的一对第二配线包围的区域重叠的方式，由所述第二金属膜形成的第二金属层以沿所述相邻的一对第三配线呈岛状设置，
所述第一金属层和所述第二金属层隔着所述第二无机绝缘膜重叠。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，
多条所述第三配线的侧端部设置为与覆盖所述第二金属层的端部形成的所述第三无机绝缘膜的倾斜部重叠。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，
在由多条所述第三配线中相邻的一对第三配线和多条所述第二配线中相邻的一对第二配线包围的区域，所述第二金属层分割成多个地设置。
9.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，
在所述第二金属层中，贯通所述第二金属层的开口部设置为与多条所述第一配线重叠。
10.一种显示装置，其特征在于，包括
基底基板；
TFT层，设置在所述基底基板上，由第一无机绝缘膜、第一金属膜、第二无机绝缘膜、第二金属膜、第三无机绝缘膜和第三金属膜依次层叠而成；
发光元件，设置在所述TFT层上并构成显示区域；
多条第一配线，由所述第一金属膜以彼此平行延伸的方式设置在所述显示区域上；
多条第二配线，由所述第二金属膜以在与各条所述第一配线交叉的方向相互平行地延伸的方式设置在所述显示区域上；以及
多条第三配线，由所述第三金属膜以在与各条所述第一配线交叉的方向上相互平行地延伸的方式设置在所述显示区域上，
以由多条所述第三配线中的相邻的一对第三配线和多条所述第二配线中的相邻的一对第二配线包围的区域重叠的方式，由所述第二金属膜形成的第二金属层沿所述相邻的一对第三配线以岛状设置。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，
多条所述第三配线的两侧端部与覆盖所述第二金属层的端部形成的所述第三无机绝缘膜的倾斜部重叠。
12.根据权利要求10或11所述的显示装置，其特征在于，
在由多条所述第三配线中相邻的一对第三配线和多条所述第二配线中相邻的一对第二配线包围的区域，所述第二金属层分割成多个地设置。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的显示装置，其特征在于，
在所述显示区域的周围设置有边框区域，
所述显示装置还包括：
密封膜，以覆盖所述发光元件的方式设置，依次层积有第一无机膜、有机膜以及第二无机膜；
第一阻挡壁，以包围所述显示区域的方式设置于所述边框区域，并与所述有机膜的周端部重叠；
第二阻挡壁，其以包围所述第一阻挡壁的方式设置于所述边框区域；
第一边框配线，设置在所述边框区域，由所述第三金属膜形成，并被输入高电源电压；以及
第二边框配线，设置在所述边框区域，由所述第三金属膜形成，并被输入低电源电压，
所述第一边框配线以及所述第二边框配线以在所述第一阻挡壁以及所述第二阻挡壁之间相互相邻的方式设置，
在所述相邻的所述第一边框配线和所述第二边框配线之间，沿所述第一边框配线和所述第二边框配线呈岛状设置有由所述第一金属膜形成的第三金属层。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，
所述相邻的所述第一边框配线和所述第二边框配线的侧端部以设置为与覆盖所述第三金属层的端部形成的所述第二无机绝缘膜和所述第三无机绝缘膜的倾斜部重叠。
15.根据权利要求13或14所述的显示装置，其特征在于，
在所述相邻的所述第一边框配线及所述第二边框配线之间，沿着所述第一边框配线及所述第二边框配线呈岛状地设置有由所述第二金属膜形成的第四金属层，
所述第三金属层与所述第四金属层隔着所述第二无机绝缘膜重叠。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其特征在于，
所述相邻的所述第一边框配线和所述第二边框配线的侧端部设置为与覆盖所述第四金属层的端部形成的所述第三无机绝缘膜的倾斜部重叠。
17.根据权利要求1至12中任一项所述的显示装置，其特征在于，在所述显示区域的周围设置有边框区域，
所述显示装置还包括：
密封膜，以覆盖所述发光元件的方式设置，依次层积有第一无机膜、有机膜以及第二无机膜；
第一阻挡壁，以包围所述显示区域的方式设置于所述边框区域，并与所述有机膜的周端部重叠；
第二阻挡壁，其以包围所述第一阻挡壁的方式设置于所述边框区域；
第一边框配线，设置在所述边框区域，由所述第三金属膜形成，并被输入高电源电压；以及
第二边框配线，设置在所述边框区域，由所述第三金属膜形成，并被输入低电源电压，
所述第一边框配线以及所述第二边框配线以在所述第一阻挡壁以及所述第二阻挡壁之间相互相邻的方式设置，
在所述相邻的所述第一边框配线和所述第二边框配线之间，沿所述第一边框配线和所述第二边框配线呈岛状设置有由所述第二金属膜形成的第四金属层。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其特征在于，
所述相邻的所述第一边框配线和所述第二边框配线的侧端部设置为与覆盖所述第四金属层的端部而形成的所述第三无机绝缘膜的倾斜部重叠。
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