CN112731759B - 光掩膜版的形成方法及光掩膜版 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种光掩膜版的形成方法及光掩膜版。所述光掩膜版的形成方法包括如下步骤：提供基底，所述基底具有芯片区域、以及位于芯片区域相对两侧的第一切割道和第二切割道；于第一切割道中形成第一组标记、并于第二切割道中形成第二组标记，第一组标记包括沿第一切割道的延伸方向交替排布的第一子标记组和第一间隔，第二组标记包括沿第二切割道的延伸方向交替排布的第二子标记组和第二间隔，第一子标记组与第二间隔对准排布、且第二子标记组与第一间隔对准排布。本发明使得在切割道宽度较窄的情况下也能够满足在芯片区域相对两侧的切割道中各形成一组标记的要求。

Description

光掩膜版的形成方法及光掩膜版
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种光掩膜版的形成方法及光掩膜版。
背景技术
标记在半导体制程过程中扮演着至关重要的角色，通过测量各种标记实现对工艺质量的监测以保证产品良率。为了提高硅片的利用率，标记通常被摆放在切割道(ScribeLine)中。随着半导体制程技术节点的不断缩小，切割道的宽度也在朝着越来越小的方向发展，对于标记在切割道上的排布带来了不友好的一面。例如，对于90μm宽度的切割道，采用传统的标记排布方法，可以在外圈切割道的两边对称的各摆放一组标记，以满足量测要求。但是，当切割道的宽度缩小到60μm时，传统的两侧对称的摆放方式则不再适用，例如在曝光过程中，会带来标记重叠的问题。
因此，如何在宽度较窄的切割道中排布标记以提高硅片利用率，是当前亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明提供一种光掩膜版的形成方法及光掩膜版，用于解决现有技术中无法在宽度较窄的切割道中摆放标记的问题。
为了解决上述问题，本发明提供了一种光掩膜版的形成方法，包括如下步骤：
提供基底，所述基底具有芯片区域、以及位于所述芯片区域相对两侧的第一切割道和第二切割道；
于所述第一切割道中形成第一组标记、并于所述第二切割道中形成第二组标记，所述第一组标记包括沿所述第一切割道的延伸方向交替排布的第一子标记组和第一间隔，所述第二组标记包括沿所述第二切割道的延伸方向交替排布的第二子标记组和第二间隔，所述第一子标记组与所述第二间隔对准排布、且所述第二子标记组与所述第一间隔对准排布。
可选的，于所述第一切割道中形成第一组标记、并于所述第二切割道中形成第二组标记的具体步骤包括：
提供第一组初始标记和第二组初始标记，所述第一组初始标记中包括沿所述第一切割道的延伸方向连续排布的多个第一子标记，所述第二组初始标记包括沿所述第二切割道的延伸方向连续排布的多个第二子标记；
拆分所述第一组初始标记，形成多个第一子标记组，每一所述第一子标记组中包括若干所述第一子标记；
组合多个所述第一子标记组与多个第一间隔，形成包括沿所述第一切割道的延伸方向交替排布的第一子标记组和第一间隔的所述第一组标记；
拆分所述第二组初始标记，形成多个第二子标记组，每一所述第二子标记组中包括若干所述第二子标记；
组合多个所述第二子标记组与多个第二间隔，形成包括沿所述第二切割道的延伸方向交替排布的第二子标记组和第二间隔的所述第二组标记；
形成所述第一组标记于所述第一切割道中、并形成所述第二组标记于所述第二切割道中，使得所述第一子标记组与所述第二间隔对准、且所述第二子标记组与所述第一间隔对准。
可选的，任意两个所述第一子标记组中所述第一子标记的数量相同；或者，存在两个所述第一子标记组中所述第一子标记的数量不同。
可选的，任意两个所述第一子标记组内的所述第一子标记的形状均不同。
可选的，一个所述第一子标记组沿所述第一切割道延伸方向上的长度小于或者等于与其对准的一个所述第二间隔沿所述第二切割道延伸方向上的长度；
一个所述第二子标记组沿所述第二切割道延伸方向上的长度小于或者等于与其对准的一个所述第一间隔沿所述第一切割道延伸方向上的长度。
可选的，在沿所述第一切割道指向所述第二切割道的方向上，所述第一子标记的宽度、所述第一间隔的宽度、所述第二子标记的宽度和所述第二间隔的宽度均相等。
可选的，所述第一组初始标记与所述第二组初始标记相同。
可选的，每一所述第一子标记组中的所述第一子标记的数量和形状与对应的所述第二子标记组中的所述第二子标记的数量和形状均相同。
为了解决上述问题，本发明还提供了一种光掩膜版，包括：
基底，所述基底包括芯片区域、以及位于所述芯片区域相对两侧的第一切割道和第二切割道；
第一组标记，位于所述第一切割道中，所述第一组标记包括沿所述第一切割道的延伸方向交替排布的第一子标记组和第一间隔；
第二组标记，形成于所述第二切割道中，所述第二组标记包括沿所述第二切割道的延伸方向交替排布的第二子标记组和第二间隔，所述第一子标记组与所述第二间隔对准排布、且所述第二子标记组与所述第一间隔对准排布。
可选的，所述第一组标记包括多个第一子标记组，每一所述第一子标记组中包括若干第一子标记；
任意两个所述第一子标记组中所述第一子标记的数量相同；或者，存在两个所述第一子标记组中所述第一子标记的数量不同。
可选的，任意两个所述第一子标记组内的所述第一子标记的形状均不同。
可选的，一个所述第一子标记组沿所述第一切割道延伸方向上的长度小于或者等于与其对准的一个所述第二间隔沿所述第二切割道延伸方向上的长度；
一个所述第二子标记组沿所述第二切割道延伸方向上的长度小于或者等于与其对准的一个所述第一间隔沿所述第一切割道延伸方向上的长度。
可选的，所述第一组标记中包括多个第一子标记组，每一所述第一子标记组中具有若干第一子标记；
所述第二组标记中包括多个第二子标记组，每一所述第二子标记组中具有若干第二子标记；
在沿所述第一切割道指向所述第二切割道的方向上，所述第一子标记的宽度、所述第一间隔的宽度、所述第二子标记的宽度和所述第二间隔的宽度均相等。
可选的，至少存在一个所述第一子标记组中的所述第一子标记的数量和形状与一个所述第二子标记组中的所述第二子标记的数量和形状相同。
可选的，每一所述第一子标记组中的所述第一子标记的数量和形状与对应的所述第二子标记组中的所述第二子标记的数量和形状均相同。
本发明提供的光掩膜版的形成方法及光掩膜版，通过在芯片区域相对两侧的第一切割道和第二切割道中分别形成第一组标记和第二组标记，且使得所述第一组标记包括沿所述第一切割道的延伸方向交替排布的第一子标记组和第一间隔，所述第二组标记包括沿所述第二切割道的延伸方向交替排布的第二子标记组和第二间隔，所述第一子标记组与所述第二间隔对准排布、且所述第二子标记组与所述第一间隔对准排布，使得即便是切割道的宽度较窄，也能够满足在芯片区域相对两侧的切割道中各形成一组标记的要求，保证利用光掩膜版在晶圆上进行光刻工艺时不会产生标记重叠的问题。
附图说明
附图1是本发明实施方式中光掩膜版的形成方法流程图；
附图2A-2E是一实施方式中光掩膜版的形成步骤示意图；
附图2F是本实施例中光掩模版进行曝光得到的曝光单元(实线所示)与相邻的曝光单元(虚线所示)的示意图。
附图2G是本实施例中光掩模版进行曝光得到的第一组标记和第二组标记的叠加示意图。
附图2H是另一实施方式中光掩模版进行曝光得到的第一组标记和第二组标记的叠加示意图。
附图2I是又一实施方式中光掩模版进行曝光得到的第一组标记和第二组标记的叠加示意图。
附图3是本发明实施方式中光掩膜版的示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明提供的光掩膜版的形成方法及光掩膜版的实施方式做详细说明。
本实施方式提供了一种光掩膜版的形成方法，附图1是本实施方式中光掩膜版的形成方法流程图，附图2A-2E是本实施方式中光掩膜版的形成步骤示意图。如图1、图2A-图2E所示，本实施方式提供的光掩膜版的形成方法，包括如下步骤：
步骤S11，提供基底，所述基底具有芯片区域33、以及位于所述芯片区域33相对两侧的第一切割道31和第二切割道32。
如图2E所示，在所述基底上形成多条切割道，多条所述切割道分别沿X轴方向和Y轴方向延伸，从而将所述基底划分为多个芯片区域33。具体的，基底可以为制作光掩膜版所需的玻璃基板，所述玻璃基板可以为矩形或正方形，所述X轴和所述Y轴可以为以所述玻璃基板的中心点或所述玻璃基板的任一顶点为坐标原点建立的直角坐标系得到的所述X轴和所述Y轴，所述X轴和所述Y轴可以与所述矩形的或正方形的相邻两边分别平行。本实施方式以位于所述芯片区域33沿X轴方向相对两侧的所述第一切割道31和所述第二切割道32为例进行说明。第一切割道31和第二切割道32的延伸方向平行，所述第一切割道31或所述第二切割道32可以与单个所述芯片区域33相邻，也可以相隔多个芯片区域。本实施例中，第一切割道31和第二切割道32均沿Y方向延伸，且第一切割道31和第二切割道32之间相隔三个芯片区域33。所述第一切割道31和所述第二切割道32沿X轴方向的宽度可以小于或者等于60μm。
步骤S12，于所述第一切割道31中形成第一组标记、并于所述第二切割道32中形成第二组标记，所述第一组标记包括沿所述第一切割道31的延伸方向交替排布的第一子标记组和第一间隔25，所述第二组标记包括沿所述第二切割道32的延伸方向交替排布的第二子标记组和第二间隔26，所述第一子标记组与所述第二间隔26对准排布、且所述第二子标记组与所述第一间隔25对准排布。在一示例中，所述第一组标记和所述第二组标记均为套刻标记(OVL mark)，所述套刻标记用于光刻工艺中上下层对准偏差的检测。所述对准排布可以理解为，所述第一子标记组和所述第二间隔26在第一切割道31或第二切割道32的延伸方向上的投影至少部分重合，例如，所述第一子标记组在第一切割道31或第二切割道32的延伸方向上的投影完全落入所述第二间隔26在第一切割道31或第二切割道32的延伸方向上的投影中，或者所述第一间隔26在第一切割道31或第二切割道32的延伸方向上的投影完全落入所述第一子标记组在第一切割道31或第二切割道32的延伸方向上的投影中。进一步的，所述第一子标记组的底边和所述第二间隔26的底边、或所述第一子标记组的顶边和所述第二间隔26的顶边、或所述第一子标记组的中心和所述第二间隔26的中心在Y轴上的位置相同，具体的，所述第一子标记组和所述第二间隔26均为分别沿第一切割道31和第二切割道32延伸的矩形，所述矩形具有底边、定边和中心，所述第一切割道31和第二切割道32均沿Y轴延伸。同样的，所述第二子标记组和所述第一间隔25在第一切割道31或第二切割道32的延伸方向上的投影至少部分重合，例如，所述第二子标记组在第一切割道31或第二切割道32的延伸方向上的投影完全落入所述第一间隔25在第一切割道31或第二切割道32的延伸方向上的投影中，或者所述第一间隔25在第一切割道31或第二切割道32的延伸方向上的投影完全落入所述第二子标记组在第一切割道31或第二切割道32的延伸方向上的投影中。进一步的，所述第二子标记组的底边和所述第一间隔25的底边、或所述第二子标记组的顶边和所述第一间隔25的顶边、或所述第二子标记组的中心和所述第一间隔25的中心在Y轴上的位置相同，具体的，所述第二子标记组和所述第一间隔25均为分别沿第二切割道32和第一切割道31延伸的矩形，所述矩形具有底边、顶边和中心，第二切割道32和第一切割道31均沿Y轴延伸。如图2E所示，图2E中所述第一切割道31上的虚线框中为所述第一组标记，所述第二切割道32上的虚线框中为所述第二组标记，第一切割道31和第二切割道32均沿Y方向延伸。所述第一组标记包括3个间隔排布的第一子标记组和第一间隔25，第一子标记组分别为(211，212，213)组、(214，215，216)组、和(217，218)组；所述第二组标记包括3个间隔排布的第二子标记组和第二间隔26，第二子标记组分别为(231，232，233)组、(234，235，236)组和(237，238)组；其中，(211，212，213)组、(214，215，216)组和(217，218)组分别与3个第二间隔26在Y方向上的投影相互重叠，(231，232，233)组、(234，235，236)组和(237，238)组分别与3个第一间隔25在Y轴上的投影相互重叠。图2E中仅为示意性的表示第一组标记和第二组标记的相对位置关系，在实际的工艺中，所述第一组标记位于所述第一切割道31内部、所述第二组标记位于所述第二切割道32内部。
可选的，于所述第一切割道31中形成第一组标记、并于所述第二切割道32中形成第二组标记的具体步骤包括：
提供第一组初始标记和第二组初始标记，所述第一组初始标记中包括沿所述第一切割道31的延伸方向连续排布的多个第一子标记，所述第二组初始标记包括沿所述第二切割道32的延伸方向连续排布的多个第二子标记；
拆分所述第一组初始标记，形成多个第一子标记组，每一所述第一子标记组中包括若干所述第一子标记，如图2A所示；
组合多个所述第一子标记组与多个第一间隔25，形成包括沿所述第一切割道31的延伸方向交替排布的第一子标记组和第一间隔25的所述第一组标记，如图2C所示；
拆分所述第二组初始标记，形成多个第二子标记组，每一所述第二子标记组中包括若干所述第二子标记，如图2B所示；
组合多个所述第二子标记组与多个第二间隔26，形成包括沿所述第二切割道32的延伸方向交替排布的第二子标记组和第二间隔26的所述第二组标记，如图2D所示；
形成所述第一组标记于所述第一切割道31中、并形成所述第二组标记于所述第二切割道32中，使得所述第一子标记组与所述第二间隔对准、且所述第二子标记组与所述第一间隔对准，如图2E所示。
本实施方式中所述的多个是指两个及两个以上。以下以所述第一组初始标记包括8个第一子标记、所述第二组初始标记包括8个第二子标记为例进行说明。如图2A所示，所述第一组初始标记包括8个第一子标记(分别为标号211、212、213、214、215、216、217、218所示)，通过拆分所述第一组初始标记，形成多个第一子标记组(分别为标号221、222、223所示)。如图2B所示，所述第二组初始标记也包括8个第二子标记(分别为标号231、232、233、234、235、236、237、238所示)，通过拆分所述第二组初始标记，形成多个第二子标记组(分别为标号241、242、243所示)。所述第一切割道31与所述第二切割道32相互平行，且均沿Y轴方向延伸。提供多个第一间隔25，并组合多个所述第一子标记组与多个第一间隔25，形成包括沿所述第一切割道31的延伸方向交替排布的第一子标记组和第一间隔25的所述第一组标记，如图2C所示。提供多个第二间隔26，并组合多个所述第二子标记组与多个第二间隔26，形成包括沿所述第二切割道32的延伸方向交替排布的第二子标记组和第二间隔26的所述第二组标记，如图2D所示。最后，形成所述第一组标记于所述第一切割道31中、并形成所述第二组标记于所述第二切割道32中，使得所述第一子标记组与所述第二间隔对准、且所述第二子标记组与所述第一间隔对准，如图2E所示。所述第一间隔25为相邻两个所述第一子标记组之间的空白区域，所述第二间隔26为相邻两个所述第二子标记组之间的空白区域。
附图2F表示本实施例中光掩模版进行曝光得到的曝光单元(实线所示)与相邻的曝光单元(虚线所示)的示意图。由于所述第一子标记组与所述第二间隔对准、且所述第二子标记组与所述第一间隔对准，即所述第一子标记组与所述第二子标记组错位设置，因此，得到的叠加图如图2G所示，不会发生第一组标记与第二组标记重叠的问题。
可选的，所述第一组初始标记与所述第二组初始标记相同。
在其他实施方式中，本领域技术人员还可以根据实际需要设置所述第一组初始标记中第一子标记的形状、以及所述第二组初始标记中第二子标记的形状，使得所述第一组初始标记与所述第二组初始标记不同。
可选的，任意两个所述第一子标记组中所述第一子标记的数量相同；或者，存在两个所述第一子标记组中所述第一子标记的数量不同。
具体来说，在拆分所述第一组初始标记的过程中，可以根据实际需要将多个第一子标记组中所述第一子标记的数量设置为相同或者不同。同样的，在拆分所述第二组初始标记的过程中，可以根据实际需要将多个第二子标记组中所述第二子标记的数量设置为相同或者不同。本实施方式中是以将8个所述第一子标记分为三个第一子标记组，其中两个第一子标记组(分别为标号221、222所示)中均包括三个第一子标记，另外一个第一子标记组(标号为223所示)中包括两个第一子标记。将8个所述第二子标记分为三个第二子标记组，其中两个第二子标记组(分别为标号241、242所示)中均包括三个第二子标记，另外一个第二子标记组(标号为243所示)中包括两个第二子标记。所述第一子标记组或所述第二子标记组的数量越少，则相应的所述第一间隔25或第二间隔26的数量越少，越有助于控制所述第一组标记与所述第二组标记的相对位置关系(例如所述第一子标记组与所述第二间隔的对准关系、所述第二子标记组与所述第一间隔的对准关系)。
在其他实施方式中，也可以使得每个第一子标记组中包括一个或者两个第一子标记，每个第二子标记组中包括一个或者两个第二子标记。如图2H所示，每个第一子标记组中包括一个第一子标记(即两个相邻的第一子标记之间具有一个第一间隔)，每个第二子标记组中包括一个第二子标记(即两个相邻的第二子标记之间具有一个第二间隔)；如图2I所示，每个第一子标记组中包括两个第一子标记(即每间隔两个所述第一子标记设置一个第一间隔)，每个第二子标记组中包括两个第二子标记(即每间隔两个所述第二子标记设置一个第二间隔)。
可选的，任意两个所述第一子标记组内的所述第一子标记的形状均不同。
可选的，一个所述第一子标记组沿所述第一切割道31延伸方向上的长度小于或者等于与其对准的一个所述第二间隔26沿所述第二切割道35延伸方向上的长度；
一个所述第二子标记组沿所述第二切割道32延伸方向上的长度小于或者等于与其对准的一个所述第一间隔25沿所述第一切割道31延伸方向上的长度。
具体来说，一个所述第一子标记组沿Y轴方向的长度小于或者等于与其对准的一个所述第二间隔26沿Y轴方向的长度，且一个所述第二子标记组沿Y轴方向上的长度小于或者等于与其对准的一个所述第一间隔25沿Y轴方向上的长度，从而进一步避免在光刻过程中发生所述第一组标记与所述第二组标记重叠的问题。
可选的，在沿所述第一切割道31指向所述第二切割道32的方向上，所述第一子标记的宽度、所述第一间隔25的宽度、所述第二子标记的宽度和所述第二间隔26的宽度均相等。
具体来说，在沿X轴方向上，所述第一子标记的宽度、所述第一间隔25的宽度、所述第二子标记的宽度和所述第二间隔26的宽度均相等，在简化制程工艺的同时，也有助于提高曝光的精准度。
可选的，每一所述第一子标记组中的所述第一子标记的数量和形状与对应的所述第二子标记组中的所述第二子标记的数量和形状均相同。具体的，第一子标记组和第一间隔25的数量分别与第二间隔26和第二子标记组的数量相同，且每一所述第一子标记组中的第一子标记的数量和形状与其对应的所述第二子标记组的第二子标记的数量和形状均相同。所述第一子标记组对应的所述第二子标记组可以理解为，所述第一子标记组与其相邻的第一间隔25所对准的第二子标记组相对应。具体的，如图2E所示，第一子标记组中的第一子标记(分别为标号211、212、213)与其下方相邻的第一间隔25所对准的第二子标记组中的第二子标记(分别为标号231、232、233)的数量和形状相同，例如，第一子标记组和第二子标记组均包含3个子标记，第一子标记211、212、213分别为Bar-in-Bar、AIM、Box-in-Box套刻标记，对应的，第二子标记231、232、233也分别为Bar-in-Bar、AIM、Box-in-Box套刻标记；第一子标记组中的第一子标记(分别为标号214、215、216)与其下方相邻的第一间隔25所对准的第二子标记组中的第二子标记(分别为标号234、235、236)的数量和形状相同；第一子标记组中的第一子标记(分别为标号217、218)与其下方相邻的第一间隔25所对准的第二子标记组中的第二子标记(分别为标号237、238)的数量和形状相同。如此设置，可以保证曝光时，相邻曝光单元的检测条件尽量一致，减少因为套刻标记摆放位置带来的检测偏差。
不仅如此，本实施方式还提供了一种光掩膜版，附图3是本发明实施方式中光掩膜版的示意图。本实施方式中提供的光掩膜版中的标记可以采用如图1、图2A-图2E所示的方法形成。如图3所示，本实施方式提供的光掩膜版，包括：
光掩膜版，所述光掩膜版上具有芯片区域33、以及位于所述芯片区域33相对两侧的第一切割道31和第二切割道32；
第一组标记，形成于所述第一切割道31中，所述第一组标记包括沿所述第一切割道31的延伸方向交替排布的第一子标记组和第一间隔25；
第二组标记，形成于所述第二切割道32中，所述第二组标记包括沿所述第二切割道32的延伸方向交替排布的第二子标记组和第二间隔26，所述第一子标记组与所述第二间隔26对准排布、且所述第二子标记组与所述第一间隔25对准排布。
可选的，所述第一组标记包括多个第一子标记组，每一所述第一子标记组中包括若干第一子标记；
任意两个所述第一子标记组中所述第一子标记的数量相同；或者，存在两个所述第一子标记组中所述第一子标记的数量不同。
可选的，任意两个所述第一子标记组内的所述第一子标记的形状均不同。
可选的，一个所述第一子标记组沿所述第一切割道31延伸方向上的长度小于或者等于与其对准的一个所述第二间隔26沿所述第二切割道32延伸方向上的长度；
一个所述第二子标记组沿所述第二切割道32延伸方向上的长度小于或者等于与其对准的一个所述第一间隔25沿所述第一切割道31延伸方向上的长度。
可选的，所述第一组标记中包括多个第一子标记组，每一所述第一子标记组中具有若干第一子标记；
所述第二组标记中包括多个第二子标记组，每一所述第二子标记组中具有若干第二子标记；
在沿所述第一切割道指向所述第二切割道的方向上，所述第一子标记的宽度、所述第一间隔25的宽度、所述第二子标记的宽度和所述第二间隔26的宽度均相等。
可选的，至少存在一个所述第一子标记组中的所述第一子标记的数量和形状与一个所述第二子标记组中的所述第二子标记的数量和形状相同。
可选的，每一所述第一子标记组中的所述第一子标记的数量和形状与对应的所述第二子标记组中的所述第二子标记的数量和形状均相同。
本实施方式提供的光掩膜版的形成方法及光掩膜版，通过在一芯片区域相对两侧的第一切割道和第二切割道中分别形成第一组标记和第二组标记，且使得所述第一组标记包括沿所述第一切割道的延伸方向交替排布的第一子标记组和第一间隔，所述第二组标记包括沿所述第二切割道的延伸方向交替排布的第二子标记组和第二间隔，所述第一子标记组与所述第二间隔对准排布、且所述第二子标记组与所述第一间隔对准排布，使得即便是切割道的宽度较窄，也能够满足在芯片区域相对两侧的切割道中各形成一组标记的要求。而且，保证利用光掩膜版在晶圆上进行光刻工艺时不会产生标记重叠的问题。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (13)

1.一种光掩膜版的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底具有芯片区域、以及位于所述芯片区域沿X轴方向相对两侧的第一切割道和第二切割道，所述第一切割道和所述第二切割道的延伸方向平行；
于所述第一切割道中形成第一组标记、并于所述第二切割道中形成第二组标记，所述第一组标记包括沿所述第一切割道的延伸方向交替排布的多个第一子标记组和多个第一间隔，所述第一间隔为位于所述第一切割道内、且分布于相邻的两个所述第一子标记组之间的空白区域，所述第二组标记包括沿所述第二切割道的延伸方向交替排布的多个第二子标记组和多个第二间隔，所述第二间隔为位于所述第二切割道内、且分布于相邻的两个所述第二子标记组之间的空白区域，所述第一子标记组与所述第二间隔对准排布、且所述第二子标记组与所述第一间隔对准排布；所述第一子标记组的中心和所述第二间隔的中心在Y轴上的位置相同，所述第二子标记组的中心和所述第一间隔的中心在Y轴上的位置相同；
一个所述第一子标记组沿所述第一切割道延伸方向上的长度小于或者等于与其对准的一个所述第二间隔沿所述第二切割道延伸方向上的长度，一个所述第二子标记组沿所述第二切割道延伸方向上的长度小于或者等于与其对准的一个所述第一间隔沿所述第一切割道延伸方向上的长度，以避免在光刻过程中发生所述第一组标记与所述第二组标记重叠的问题。
2.根据权利要求1所述的光掩膜版的形成方法，其特征在于，于所述第一切割道中形成第一组标记、并于所述第二切割道中形成第二组标记的具体步骤包括：
提供第一组初始标记和第二组初始标记，所述第一组初始标记中包括沿所述第一切割道的延伸方向连续排布的多个第一子标记，所述第二组初始标记包括沿所述第二切割道的延伸方向连续排布的多个第二子标记；
拆分所述第一组初始标记，形成多个第一子标记组，每一所述第一子标记组中包括若干所述第一子标记；
组合多个所述第一子标记组与多个第一间隔，形成包括沿所述第一切割道的延伸方向交替排布的第一子标记组和第一间隔的所述第一组标记；
拆分所述第二组初始标记，形成多个第二子标记组，每一所述第二子标记组中包括若干所述第二子标记；
组合多个所述第二子标记组与多个第二间隔，形成包括沿所述第二切割道的延伸方向交替排布的第二子标记组和第二间隔的所述第二组标记；
形成所述第一组标记于所述第一切割道中、并形成所述第二组标记于所述第二切割道中，使得所述第一子标记组与所述第二间隔对准、且所述第二子标记组与所述第一间隔对准。
3.根据权利要求2所述的光掩膜版的形成方法，其特征在于，任意两个所述第一子标记组中所述第一子标记的数量相同；或者，存在两个所述第一子标记组中所述第一子标记的数量不同。
4.根据权利要求2所述的光掩膜版的形成方法，其特征在于，任意两个所述第一子标记组内的所述第一子标记的形状均不同。
5.根据权利要求2所述的光掩膜版的形成方法，其特征在于，在沿所述第一切割道指向所述第二切割道的方向上，所述第一子标记的宽度、所述第一间隔的宽度、所述第二子标记的宽度和所述第二间隔的宽度均相等。
6.根据权利要求2所述的光掩膜版的形成方法，其特征在于，所述第一组初始标记与所述第二组初始标记相同。
7.根据权利要求2所述的光掩膜版的形成方法，其特征在于，每一所述第一子标记组中的所述第一子标记的数量和形状与对应的所述第二子标记组中的所述第二子标记的数量和形状均相同。
8.一种光掩膜版，其特征在于，包括：
基底，所述基底包括芯片区域、以及位于所述芯片区域沿X轴方向相对两侧的第一切割道和第二切割道，所述第一切割道和所述第二切割道的延伸方向平行；
第一组标记，位于所述第一切割道中，所述第一组标记包括沿所述第一切割道的延伸方向交替排布的多个第一子标记组和多个第一间隔，所述第一间隔为位于所述第一切割道内、且分布于相邻的两个所述第一子标记组之间的空白区域；
第二组标记，形成于所述第二切割道中，所述第二组标记包括沿所述第二切割道的延伸方向交替排布的多个第二子标记组和多个第二间隔，所述第二间隔为位于所述第二切割道内、且分布于相邻的两个所述第二子标记组之间的空白区域，所述第一子标记组与所述第二间隔对准排布、且所述第二子标记组与所述第一间隔对准排布；
所述第一子标记组的中心和所述第二间隔的中心在Y轴上的位置相同，所述第二子标记组的中心和所述第一间隔的中心在Y轴上的位置相同；
一个所述第一子标记组沿所述第一切割道延伸方向上的长度小于或者等于与其对准的一个所述第二间隔沿所述第二切割道延伸方向上的长度，一个所述第二子标记组沿所述第二切割道延伸方向上的长度小于或者等于与其对准的一个所述第一间隔沿所述第一切割道延伸方向上的长度，以避免在光刻过程中发生所述第一组标记与所述第二组标记重叠的问题。
9.根据权利要求8所述的光掩膜版，其特征在于，所述第一组标记包括多个第一子标记组，每一所述第一子标记组中包括若干第一子标记；
任意两个所述第一子标记组中所述第一子标记的数量相同；或者，存在两个所述第一子标记组中所述第一子标记的数量不同。
10.根据权利要求9所述的光掩膜版，其特征在于，任意两个所述第一子标记组内的所述第一子标记的形状均不同。
11.根据权利要求8所述的光掩膜版，其特征在于，所述第一组标记中包括多个第一子标记组，每一所述第一子标记组中具有若干第一子标记；
所述第二组标记中包括多个第二子标记组，每一所述第二子标记组中具有若干第二子标记；
在沿所述第一切割道指向所述第二切割道的方向上，所述第一子标记的宽度、所述第一间隔的宽度、所述第二子标记的宽度和所述第二间隔的宽度均相等。
12.根据权利要求11所述的光掩膜版，其特征在于，至少存在一个所述第一子标记组中的所述第一子标记的数量和形状与一个所述第二子标记组中的所述第二子标记的数量和形状相同。
13.根据权利要求12所述的光掩膜版，其特征在于，每一所述第一子标记组中的所述第一子标记的数量和形状与对应的所述第二子标记组中的所述第二子标记的数量和形状均相同。
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