CN208999760U - 一种掩膜版对准标记及具有该标记的掩膜版组 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提出了一种掩膜版对准标记及具有该标记的掩膜版组，该掩膜版对准标记包括设置于按顺序使用的n块掩膜版上的对准标记，n为正整数，第i块掩膜版上的对准标记包括与第i‑1块掩膜版上的对准标记对应的第一对准标记单元和与前i‑1块掩膜版上的对准标记均不对应的第二对准标记单元，所述2≤i≤n。本实用新型的不同掩膜版地对准标志位置不同，提高了多层掩膜光刻的对准精度。
Description
技术领域
本实用新型属于集成电路制造领域，具体涉一种掩膜版对准标记及具有该标记的掩膜版组。
背景技术
在现在的IC(integrated circuit，集成电路)制造过程中，一个完整的芯片一般都要经过十几到二十几次的光刻，在这么多次光刻中，除了第一次光刻以外，其余层次的光刻在曝光前都要将该层次的图形与以前层次留下的图形对准。对位的过程存在于上版和圆片曝光的过程中，其目的是将光刻版上的图形最大精度的覆盖到圆片上已存在的图形上。
在常规的层间对准系统中，对准标记是投影于掩膜版和硅片上，用来确定他们的位置和方向的可见图形。整场对准标记在第一次曝光时被光刻在硅片左右两边，用于每个硅片的粗对准。精准对准标记是在每个场曝光时被光刻的，精对准标记用于每个硅片曝光场合投影掩膜版上的对准调节。
在常规的层间对准系统中，常用十字对准标记，或其他自定义形状，如图1所示，为现有的掩膜版及对准标记示意图，掩膜版10分为图案区11和外围区12，对准标记13放于外围区12上，对准标记13一般为十字型或其他形状，但其位置坐标在不同的掩膜版中是固定的。也就是在每次光刻时，通过掩膜版投影到硅片上的十字型与硅片上之前多次光刻形成的十字形重合对准进行光刻精度校正；随着光刻次数的增加，导致其位置和宽度有一定的偏移，光刻对准精度由于误差的累加，会变得越来越差。
实用新型内容
本实用新型旨在解决现有技术中存在的技术问题，特别创新地提出了一种掩膜版对准标记及具有该标记的掩膜版组。
为了实现本实用新型的上述目的，根据本实用新型的第一个方面，本实用新型提供了一种掩膜版对准标记，其包括设置于按顺序使用的n块掩膜版上的对准标记，所述n为正整数，第i块掩膜版上的对准标记包括与第i-1块掩膜版上的对准标记对应的第一对准标记单元和与前i-1块掩膜版上的对准标记均不对应的第二对准标记单元，所述2≤i≤n。
本实用新型的不同掩膜版对准标志位置不同，提高了多层掩膜光刻的对准精度。
根据本实用新型的一种优选实施方式，所述第i块掩膜版上的第一对准标记单元与第i-1块掩膜版上的第二对准标记单元对应，所述2≤i≤n。保证利用后一掩膜版光刻时，其对准的标记只进行了一次光刻，提高了多层掩膜光刻的对准精度。
为了实现本实用新型的上述目的，根据本实用新型的第二个方面，本实用新型提供了一种掩膜版组，其包括设置有本发明所述掩膜版对准标记的n块掩膜版，所述n为正整数。
本实用新型的掩膜版组在不同掩膜版上设置的对准标志位置不同，提高了多层掩膜光刻的对准精度。
本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。
附图说明
本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1是现有技术中掩膜版及对准标记示意图；
图2是本实用新型第一种优选实施例中掩膜版及对准标记布局示意图；
图3是本实用新型第一种优选实施例中掩膜版对准标记的示意图。
具体实施方式
下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
在本实用新型的描述中，除非另有规定和限定，需要说明的是，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是机械连接或电连接，也可以是两个元件内部的连通，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
本实用新型提供了一种掩膜版对准标记，其包括设置于按顺序使用的n块掩膜版上的对准标记，所述n为正整数，第i块掩膜版上的对准标记包括与第i-1块掩膜版上的对准标记对应的第一对准标记单元和与前i-1块掩膜版上的对准标记均不对应的第二对准标记单元，所述2≤i≤n。
如图2所示，本实用新型实施例提供一种掩膜版20(只是给出了掩膜版组中的一块)，其包括图案区域21及外围区域22。以掩膜版上的一个点为坐标原点，沿X轴和/或Y轴的方向布置有至少一处对准标记，对准标记分布于外围区域的四个边上且沿横边横向布置、沿纵边纵向布置。如图2中所示，外围区域22具有用于对准的多个沿X轴设置的对准标记23及多个沿Y轴设置的对准标记24，其中，沿X轴设置的对准标记23位于掩膜版20中图案区21的上方和下方，即位于外围区22中，沿Y轴设置的对准标记24位于掩膜版20中图案区21的左侧和右侧，也位于外围区22中。
在本实施方式中，第i块掩膜版上的第一对准标记单元与第i-1块掩膜版上的第二对准标记单元对应，所述2≤i≤n。第一对准标记单元和第二对准标记单元可以为任意形状，优选为便于光刻的矩形(长方形或者正方形)，十字形，圆形或圆环形。
在本实施方式中，第一对准标记单元和第二对准标记单元沿X轴和/或Y轴的方向依次设置，具体第一对准标记单元和第二对准标记的相对位置可以任意，例如可以为但不限于依次平行排列相接，有选为第一对准标记单元和第二对准标记单元有一个顶点相接。n块掩膜版上的对准标记具有同一对称轴，所述n为正整数，所述第一对准标记单元和第二对准标记单元均为正方形且分列对称轴的两侧。如图3所示，以沿X轴设置的对准标记23为例进行说明，对准标记单元为长方形或者正方形，优选为正方向，23-1为第一次光刻时产生的对准标记，第二块掩膜版上的第一对准标记单元与对准标记23-1对应(大小和在掩膜版上所处的位置相同)，23-2为第二块掩膜版上的第二对准标记单元，是第二次光刻时产生的对准标记。同理，23-n为第n此光刻时产生的对准标记。对准标记数量随着光刻次数增加而增多。其在X轴上的对准为长方形或者正方形且相邻对准标记单元的顶点重合。
同样地，对于沿Y轴设置地对准标记，图案也可以是长方形或者正方形，其对准方式与沿X轴设置地对准标记一致，在此处不做附图说明。
需要说明的是，沿X轴设置地对准标记和沿Y轴设置地对准标记可以相同也可以不同，对准方式一致即可。
本实用新型由于每两次光刻间的对准标记位置不同，故无论光刻次数多少，都不会因为在光刻过程中因为工艺原因，在同一位置进行多次光刻后导致光刻标记模糊而影响光刻精度。
本实用新型还提供了一种掩膜版组，其包括设置有本发明地掩膜版对准标记的n块掩膜版，所述n为正整数。对准标记简单、占用面积小、在多层掩膜光刻过程中不降低掩膜对准精度。
本实用新型采用相互独立的沿X轴设置地对准标记和沿Y轴设置地对准标记作为对准标记，分列于图案区域周围，从而缩小了外围区面积，即增大了图案区面积，进而增加了晶圆上优良芯片的数量，大大的提高了集成度；每两次光刻间的对准标记位置不同，无论光刻次数多少，都不会因为在光刻过程中因为工艺原因，在同一位置进行多次光刻后导致光刻标记模糊而影响光刻精度。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本实用新型的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由权利要求及其等同物限定。
Claims (9)
1.一种掩膜版对准标记，其特征在于，包括设置于按顺序使用的n块掩膜版上的对准标记，所述n为正整数，第i块掩膜版上的对准标记包括与第i-1块掩膜版上的对准标记对应的第一对准标记单元和与前i-1块掩膜版上的对准标记均不对应的第二对准标记单元，所述2≤i≤n。
2.如权利要求1所述的掩膜版对准标记，其特征在于，所述第i块掩膜版上的第一对准标记单元与第i-1块掩膜版上的第二对准标记单元对应，所述2≤i≤n。
3.如权利要求1所述的掩膜版对准标记，其特征在于，所述掩膜版包括图案区域及围绕所述图案区域的外围区域，所述对准标记设置于所述外围区域。
4.如权利要求1所述的掩膜版对准标记，其特征在于，以掩膜版上的一个点为坐标原点，沿X轴和/或Y轴的方向布置有至少一处对准标记。
5.如权利要求3或4所述的掩膜版对准标记，其特征在于，所述对准标记分布于外围区域的四个边上且沿横边横向布置、沿纵边纵向布置。
6.如权利要求1或2所述的掩膜版对准标记，其特征在于，所述第一对准标记单元和第二对准标记单元均为矩形，十字形，圆形或圆环形。
7.如权利要求1或2所述的掩膜版对准标记，其特征在于，所述第一对准标记单元和第二对准标记单元沿X轴和/或Y轴的方向依次设置，第一对准标记单元和第二对准标记单元有一个顶点相接。
8.如权利要求7所述的掩膜版对准标记，其特征在于，n块掩膜版上的对准标记具有同一对称轴，所述n为正整数，所述第一对准标记单元和第二对准标记单元均为正方形且分列对称轴的两侧。
9.一种掩膜版组，其特征在于，包括设置有权利要求1所述掩膜版对准标记的n块掩膜版，所述n为正整数。
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| CN113219799A (zh) * | 2021-03-25 | 2021-08-06 | 北海惠科半导体科技有限公司 | 晶圆半导体产品、掩膜版以及光刻机 |
| WO2022166080A1 (zh) * | 2021-02-02 | 2022-08-11 | 长鑫存储技术有限公司 | 光掩膜版的形成方法及光掩膜版 |
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