CN112635309A - 衬底加工方法及利用该方法加工的衬底 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种衬底加工方法及利用该方法加工的衬底，所述衬底加工方法包括以下步骤：对衬底进行线切割处理，得到预定厚度的衬底；在切割得到的衬底进行甩胶处理，以在衬底表面形成一层平坦膜；在所述平坦膜固化后通过聚焦激光二维扫描所述经切割衬底来在所述经切割的衬底的预定深度位置产生破坏层；基于所述破坏层对衬底进行剥片处理；对剥片处理后的衬底进行抛光处理。本发明的衬底加工方法及利用该方法加工的衬底，能够大幅度的降低机械加工的过程，由此降低衬底的应力分布，提高衬底的质量，并降低衬底加工成本。

Description

衬底加工方法及利用该方法加工的衬底
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种衬底加工方法及利用该方法加工的衬底。
背景技术
目前常规的衬底加工工艺一般包括线切、研磨、倒角、退火、铜抛和抛光等过程，如图1所示，其中主要的过程和机制为机械(如线切、研磨、倒角和铜抛)、化学(如抛光)和热学加工(如退火)。
传统的机械加工中，不可避免的存在压力接触或摩擦过程，会在衬底的表面或者内部产生损伤，从而使衬底产生非均匀的应力，非均匀的应力会存在两种负面的影响：(1)非均匀的应力会改变衬底的原子间距，降低外延材料的品质，使得缺陷密度增加；(2)非均匀的应力会使衬底发生变形，产生很大的翘曲，例如线切产生的翘曲(warp)可达40um以上。此外，传统的机械加工中线切处理后得到的线切片表面会存在线切痕，高度一般在1um～100um，这是由于用于线切的钻石线有一定的直径，大约100um～500um，在切割过程中，钻石线做高速往复运动，不可避免地会产生抖动，因此，会在衬底的表面形成线切痕。线切痕的出现有可能会对衬底的后续加工工艺产生影响。要去除线切痕，大致需要抛光或研磨去掉100um厚度，使粗糙度降低至0.5um以下，这种去掉100um厚度的抛光或研磨处理对于衬底材料是一种浪费，导致衬底加工成本大大升高；此外，抛光处理需要的时间太久，例如目前Al2O3衬底抛光的移除率约10um/h，也就是说Al2O3要去除100um厚度需要10h以上，这显然是不可行的。更进一步的，长时间抛光或研磨这种机械加工方式会对衬底本身产生较大的、非均匀的机械应力，从而对降低衬底品质。
由于衬底的品质是决定器件性能的一个很重要的因素，因此如何提高衬底的品质是一个亟待解决的问题。
发明内容
鉴于现有技术中存在的问题，本发明实施例提供了一种衬底加工方法及利用该方法加工的衬底，通过利用隐镭这种物理非接触过程代替至少部分传统的机械加工过程，降低衬底应力分布，来提高衬底的质量。
本发明的一方面提供一种衬底加工方法，所述方法包括以下步骤：
对衬底进行切割处理，得到预定厚度的衬底切片；
对切割得到的衬底切片进行甩胶处理，以在衬底切片表面形成一层液体胶平坦膜；
在所述液体胶平坦膜固化后通过聚焦激光二维扫描所述衬底切片的带平坦膜的表面来在该衬底切片的预定深度位置产生破坏层；
基于所述破坏层对衬底切片进行剥片处理；
对剥片处理后的衬底进行抛光处理。
在本发明一实施例中，在所述对剥片处理后的衬底进行抛光处理之前，所述方法还包括：对剥片处理前的衬底切片进行清洗；和/或对剥片处理后的衬底边缘进行倒角处理。
在本发明一实施例中，所述切割处理为线切处理。
在本发明一实施例中，所述衬底的加工过程不包括铜抛和/或研磨处理。
在本发明一实施例中，所述液体胶包括如下成分：预聚物50～100份、惰性树脂20～90份、单体35～70份、光引发剂5～12份、偶联剂2～3份及助剂1～2份。
在本发明一实施例中，所述预聚物为含双键的不饱和聚合物；所述单体选自以下材料中的一种：丙烯酸酯类、乙烯基类、乙烯基醚类、苯乙烯、丙烯酸丁酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸异冰片酯、二缩三丙二醇二丙烯酸酯、已二醇二丙烯酸酯和三羟甲基丙烷三丙烯酸酯；所述光引发剂为以下材料中的至少一种：羰基化合物、偶氮化合物、有机硫化物、氧化还原物质、卤素化合物、有机金属化合物、增咸染料；所述惰性树脂为聚环氧烷、聚烷二醇、聚乙烯醚、聚乙烯酯中的一种；所述偶联剂是硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂、铝酸酯偶联剂和硬脂酸钙其中的一种或其中的几种组成的混合物；所述助剂选自流平剂、增稠剂中的一种或两种的组合。
在本发明一实施例中，所述含双键的不饱和聚合物包括以下材料中的至少一种：聚丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、不饱和聚酯、聚烯烃和硫醇。
在本发明一实施例中，所述方法还包括：采用紫外光对甩胶处理形成的液体胶平坦膜进行固化处理；所述固化后的平坦膜层的上表面粗糙度为0.5um以下。
在本发明一实施例中，所述衬底为金属、合金、化合物或第四主族单质制成的衬底。
在本发明一实施例中，所述化合物包括：氧化物、氮化物、三五族化合物、二六族化合物、第四主族化合物、卤化物、钙钛矿型材料、硅酸盐、碳酸盐或铝酸盐制成的衬底。
在本发明一实施例中，所述对衬底切片进行剥片处理的步骤包括：对具有破坏层的衬底切片进行热处理，使得衬底切片从破坏层位置发生剥离；所述热处理的温度范围为200℃～2000℃。
在本发明一实施例中，所述抛光处理减掉的厚度为所述破坏层厚度的一半以上。
在本发明一实施例中，所述衬底尺寸为4寸～18寸；所述预定厚度为80μm～15mm；所述预定深度的值为所述预定厚度的10％～90％。
在本发明一实施例中，所述预定厚度为80μm～15mm；所述预定深度的值为所述预定厚度的20％～80％。
在本发明一实施例中，所述聚焦激光改性点的尺寸为1um-20mm，所述改性点的形状为圆形、椭圆或多边形；所述聚焦激光在所述衬底切片上进行扫描的扫面线间距为20um-10mm；所述聚焦激光在所述衬底切片上基于预设的扫面图形进行扫描。
在本发明一实施例中，所述聚焦激光在所述经切割衬底上基于如下图形进行扫描：同心圆、扇形和/或网格。
在本发明一实施例中，所述热处理包括以下步骤：升温步骤，用于以预定的升温速率，将加热炉内温度升温至第一目标温度；保温步骤，用于在预定时间段内将加热炉内的温度保持在预设的保温温度条件下；以及降温步骤，用于以预定的降温速率，将加热炉内温度降至第二目标温度。
在本发明一实施例中，所述产生破坏层的步骤和所述进行剥片处理的步骤被顺序执行多次。
在本发明一实施例中，所述甩胶处理步骤中，匀胶机的转速为100～10000r/min，甩胶时间为5s-10min。
本发明的另一方面，还提供一种利用前述方法加工的衬底。
本发明的衬底加工方法及利用该方法加工的衬底，通过甩胶工艺在线切割后的衬底切片表面提供了平坦膜层，能够使得激光能够通过平坦膜层而聚焦在衬底内的一个特定深度，从而能够利用诸如隐镭的物理非接触过程代替传统的机械加工过程中的部分机械加工操作，从而能够大幅度的降低机械加工的过程，由此降低了衬底的应力分布，提高了衬底的质量。
本发明的附加优点、目的，以及特征将在下面的描述中将部分地加以阐述，且将对于本领域普通技术人员在研究下文后部分地变得明显，或者可以根据本发明的实践而获知。本发明的目的和其它优点可以通过在书面说明及其权利要求书以及附图中具体指出的结构实现到并获得。
本领域技术人员将会理解的是，能够用本发明实现的目的和优点不限于以上具体所述，并且根据以下详细说明将更清楚地理解本发明能够实现的上述和其他目的。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本发明的限定。附图中的部件不是成比例绘制的，而只是为了示出本发明的原理。为了便于示出和描述本发明的一些部分，附图中对应部分可能被放大，即，相对于依据本发明实际制造的示例性装置中的其它部件可能变得更大。在附图中：
图1为传统衬底加工工艺的过程示意图。
图2为用隐镭技术处理现有线切片的示意图。
图3为本发明实施例中衬底加工工艺的过程示意图。
图4A为本发明实施例中甩胶工艺的示意图。
图4B为本发明实施例中紫外光固化工艺的示意图。
图4C为本发明实施例中固化处理后的切片示意图。
图5A为本发明一实施例中对衬底进行激光扫描的示意图。
图5B为本发明实施例中激光扫描图样示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施方式和附图，对本发明做进一步详细说明。在此，本发明的示意性实施方式及其说明用于解释本发明，但并不作为对本发明的限定。
在此，还需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本发明，在附图中仅仅示出了与根据本发明的方案密切相关的结构和/或处理步骤，而省略了与本发明关系不大的其他细节。
应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、要素、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、要素、步骤或组件的存在或附加。
为了解决传统的衬底加工工艺中由于大量的机械加工操作在衬底的表面或内部产生的损伤导致的非均匀应力所带来的衬底品质不高的问题，本发明实施例利用物理非接触过程(隐镭)+独特的剥片技术来代替传统的研磨+退火+铜抛等制程，从而大幅度的降低机械加工的过程，由此降低衬底的应力分布，提高衬底的质量。
在本发明实施例中，所采用的隐镭处理是基于多光子吸收原理利用聚焦激光从衬底加工面起在衬底切片厚度特定深度位置处(如10％以上且90％以下的深度位置处，优选20％以上且80％以下的深度位置处)形成改性点或者空洞(激光能量达到一定的阈值)，聚焦至所述特定深度位置处的激光按预设的图形在衬底上进行二维扫描，从而得到在特定深度的损伤层(破坏层)。通过基于破坏层对衬底切片进行剥片处理，可以容易地在不会产生应力积累的情况下将衬底沿着破坏层剥离，得到两个衬底剥片。进一步地通过抛光去除破坏层来快速得到加工好地衬底，从而替代了通过传统机械加工工艺来加工衬底的制程，由此大大降低衬底应力分布，并提高衬底的质量。
但是，如图2所示，由于传统的机械加工中线切处理后得到的衬底线切片2表面会存在线切痕1，且切痕1的高度H达1um～100um，这就使得在希望利用隐镭技术基于多光子吸收原理将聚焦激光到衬底切片的特定深度时，发现由于粗糙的存在线切痕的表面使得激光难以聚焦，从而难以采用隐镭技术来实现扫描。
为此，在本发明实施例中，提出了一种能够克服线切痕带来的问题从而利用物理非接触过程(隐镭)+独特的剥片技术来代替传统的研磨+退火+铜抛等制程的衬底加工方法，该方法可以大幅度的降低机械加工的过程，由此降低衬底的应力分布，提高衬底的品质。
图3为本发明一实施例提出的衬底加工方法的流程示意图。如图3所示，该衬底加工方法包括以下步骤：
步骤S11，对衬底进行切割处理，得到预定厚度的经切割衬底。
在本步骤中，可采用已有的切割工艺，如线切工艺，对衬底进行切割处理，具体的处理过程可以与现有的线切工艺相同，不同之处在于，可以通过调整切割参数，使得切割后衬底的厚度厚于常规切割过程中得到的厚度。
例如，常规切割得到的衬底厚度为50um～10mm，在本发明实施例中，切割得到的衬底厚度可以控制在80um～15mm，从而可以大大减小翘曲(warp)。本步骤中的厚度值仅为示例，本发明并不限于此。该厚度值可基于衬底大小、实际需求等因素来确定。在本发明实施例中，衬底的尺寸例如可以是4寸～18寸，但本发明并不限于此。
作为另一示例，可调整切割参数，使得切割后衬底的厚度至少为常规切割后衬底厚度的2倍或以上，由于衬底较厚，不易被弯曲，翘曲(warp)会控制在25um以下。
在本发明实施例中，衬底可以是任意可用于外延生长的衬底，例如为金属、合金、化合物或第四主族单质制成的衬底，其中化合物衬底例如可包括：氧化物、氮化物、三五族化合物、二六族化合物、第四主族化合物、卤化物、钙钛矿型材料、硅酸盐、碳酸盐或铝酸盐制成的衬底。这些衬底材料仅为示例，本发明并不限于此。
步骤S12，对切割得到的衬底切片进行甩胶处理，以在衬底切片表面形成一层液体胶平坦膜。
由于切割后的衬底切片表面是粗糙的，难以使得激光在切片的特定深度出聚焦。为了使得本发明实施例中能够采用聚焦激光，本步骤中采用甩胶工艺来在衬底切片表面形成液体胶膜层。
甩胶工艺的示意如图4A所示，甩胶工艺是利用旋转衬底产生的离心力原理，将胶液4均匀甩开，平铺到衬底材料表面的一种工艺，目前可以用来制备纳米或微米级的膜层，通过调控匀胶机的旋转速度，使得胶液能够散开达到基底材料的边缘，并达到预定的厚度。在本发明实施例中，匀胶机的转速可控制在100～10000r/min，甩胶时间可为5s-10min，该转速和时间仅为示例，本发明并不限于此。由于甩胶工艺属于现有工艺，在此不再详述。
在本发明实施例中，在甩胶工艺中采用的液体胶例如包括如下成分：预聚物50～100份、惰性树脂20～90份、单体35～70份、光引发剂5～12份、偶联剂2～3份及助剂1～2份。
其中，预聚物可以是含双键的不饱和聚合物，如聚丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、不饱和聚酯、聚烯烃或硫醇等，优选为环氧丙烯酸酯或聚氨酯丙烯酸酯，这些预聚物材料仅为举例，本发明并不限于此。
单体可选自以下材料中的一种：丙烯酸酯类、乙烯基类、乙烯基醚类、苯乙烯、丙烯酸丁酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸异冰片酯、二缩三丙二醇二丙烯酸酯、已二醇二丙烯酸酯和三羟甲基丙烷三丙烯酸酯，优选地为(甲基)丙烯酸酯类、乙烯基类或乙烯基醚类。这些单体材料仅为举例，本发明并不限于此。
光引发剂例如为以下材料中的至少一种：羰基化合物、偶氮化合物、有机硫化物、氧化还原物质、卤素化合物、有机金属化合物、增咸染料，优选为以下材料中的至少一种：联苯甲酰、二苯甲酮、安息香及其醚化合物如安息香乙醚和安息香丁醚等。光引发剂用于能够在形成液体层后通过紫外光照射快速固化。
惰性树脂例如可以是聚环氧烷、聚烷二醇、聚乙烯醚、聚乙烯酯等其中的一种，优选为聚环氧烷或聚烷二醇。本发明中所使用的惰性树脂不因在制造液体胶的步骤中所使用的光或热而实质地产生聚合反应或交联反应，使预聚物和单体当中的树脂再生完全。
偶联剂是硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂、铝酸酯偶联剂和硬脂酸钙其中的一种或其中的几种组成的混合物，优选为硅烷偶联剂和/或硬脂酸钙。偶联剂用于改善胶体的分散性和黏合性。
助剂可选自流平剂、增稠剂中的一种或两种的组合。助剂用于调整胶体的浓度等，使其适用于工艺制程。
在本发明实施例中，所谓的平坦膜是相较于甩胶之前剥片的表面而言的，并非要求绝对平坦，只要经过固化后能够使得激光实现聚焦即可。
步骤S13，采用匀胶机处理形成液体胶平坦膜后，进行固化处理。
作为示例，如图4B所示，可采用紫外光6照射液体胶平坦膜5来使得液体胶平坦膜快速固化。本发明实施例中，在对液体胶平坦膜固化后，平坦膜的粗糙度能够达到0.5um以下，由此可以使得激光经过固化的平坦膜后能够在剥片的特定深度处聚焦。可以通过实验在甩胶工艺中控制液体膜的厚度来控制固化后平坦膜的厚度。固化后得到的带固化平坦膜5′的衬底切片如图4C所示。
步骤S14，在液体胶平坦膜固化后通过聚焦激光二维扫描衬底切片的带平坦膜的表面来在该衬底切片的预定深度位置产生破坏层。
图5A所示为对衬底进行隐镭处理示意图，如图5A所示为沿衬底厚度方向的剖视图，聚焦到特定深度d1处的激光束按照设定的扫面图形来扫描衬底的表面，扫描过的衬底的特定深度d1处便产生改性点8。在扫描过程中，形成的改性点尺寸大致为1um-20mm，该改性点的大小以及其在衬底中的形成深度与衬底类型相关。通过调整激光脉冲光斑的形状和尺寸，可以调整改性点的形状和尺寸。改性点形状可以为圆形、椭圆或多边形，多边形例如为三角形、四角形、五角形、六角形等。激光的扫描速度和频率可影响改性点之间的间距d2。
聚焦激光束按照设定的扫面图形来扫描衬底的表面，作为示例，扫面图形可以为同心圆、扇形和/或网格，例如，扫面图形可为同心圆、扇形、网格、螺旋线形、同心圆和扇形组合、螺旋线形和扇形组合、网格和扇形组合等等，扫面线间距20um-10mm。图5b示出了扫面图形的几种示例，但本发明并不限于此，只要能形成预定深度的破坏层，完全还可以是其他扫面图形。
作为举例，隐镭处理工艺参数可如下表所说示：
表1.激光脉冲参数范围
Figure BDA0002820979710000081
(1)加工深度设置：衬底20％以上且80％以下范围的深度位置；
(2)改性点尺寸：1um-20mm。
以上参数仅为示例，在特定的波长和光斑形状下，激光的功率越高，破坏层的厚度越大，可以通过控制激光脉冲参数来控制要形成的破坏层的厚度。
通过多光子吸收(隐镭)处理形成有缺陷的破坏层后，破坏层的莫氏硬度变得较低，仅为衬底材料的10-80％，由此使得衬底容易沿着该破坏层裂开，即发生剥离。
步骤S15，基于破坏层对衬底进行剥片处理。
在本发明一实施例中，可通过高温或者低温热处理来实现剥片处理。由于破坏层的结构至少被部分破坏，在对衬底进行热处理(高温或者低温热处理)后，由于热失配，破坏层区域与正常区域的膨胀或者收缩比例不同，从而会产生较大的形变，会在破坏层处积累极大的应力(约0.1～500Gpa)。考虑到破坏层的莫氏硬度(衬底材料的10-80％)较低，衬底会沿着破坏层裂开，从而将厚的切割片剥成两个剥片。此剥离剥片的过程可以重复作业多次，可根据切割片和抛光片的厚度需求决定，与此对应，相应的隐镭操作也需要重复作业，每剥一片，需要与之对应，进行一次隐镭。这样可以快速地实现衬底剥片的剥离，相比于现有技术大大提高了剥片剥离效率。
在本发明另选实施例中，在重复进行剥片处理时，也重复甩胶和固化过程，也即可将甩胶处理过程、固化过程、隐镭操作和剥片处理的过程顺序重复作业多次，由此可使得在隐镭处理中激光更好地聚焦，这样同样可以快速地实现衬底剥片的剥离，相比于现有技术大大提高了剥片剥离效率。
在本发明一实施例中，利用加热炉对剥片处理后的衬底进行热处理，热处理过程可包括如下步骤：
(1)升温步骤，用于以预定的升温速率，将加热炉内温度升温至第一目标温度。
该预定的升温速率可以在0.5～200℃/min范围内，第一目标温度可以在100℃～2000℃范围内，如果是高温热处理，可以将目标温度设定[600℃，2000℃]范围内，如果是低温热处理，可以将目标温度设定[200℃，600℃)范围内。
也即，在升温步骤中，可以是以0.5～200℃/min的升温速率，将加热炉升温至100℃～2000℃，以上数值范围仅为示例，本发明并不限于此。
(2)保温步骤，用于在预定时间段内将加热炉内的温度保持在预设的保温温度条件下。
例如，预定的时间段可以是0.1h～500h，保温的温度范围例如可以是100～2000℃的温度范围内的一个更小的温度值或温度范围。
也即在保温步骤中，可以在100～2000℃的温度范围内，保温0.1h～500h；
(3)降温步骤，用于以预定的降温速率，将加热炉内温度降至第二目标温度。
该预定的降温速率可以在0.5～200℃/min范围内，第二目标温度可以是室温或其他温度值。
例如，本步骤可以是以0.5～200℃/min的降温速率将加热炉内温度降温至室温。
在热处理过程中，加热炉内的气氛可以是空气、惰性气体保护(如N2气，He气和/或Ar气)、氧气、氨气或还原性气体(CO，H2气等)，可以基于不同的衬底来灵活确定。
在经过热处理后，便能够使得衬底从破坏层处发生剥离。剥片处理后的衬底被剥离成两部分，即得到两个剥片，一个剥片为被激光扫描过的衬底，另一个剥片为未被激光扫描过的衬底，这两个剥片都可以被后续利用，也可以基于要制备的器件选择这两个剥片中的一个剥片来使用。得到的剥片可以进行下一步处理，以便用于器件的制备。
在本发明另一实施例中，在步骤S15进行剥片处理之前，还可以包括对隐镭处理后的衬底线片进行清洗，以去除激光处理后在衬底表面产生的杂质。
步骤S16，对剥片处理后的衬底边缘进行倒角处理。
该步骤可以同现有技术，因此不再赘述。
步骤S17，对剥片处理后的衬底进行抛光处理。
优选地，对剥片处理和倒角处理后的衬底进行抛光处理。
本步骤中，优选地根据隐镭产生的破坏层厚度d来决定抛光的厚度。在破坏层厚度为d的情况下，单个衬底表面损伤层厚度一般为d/2，因此抛光的移除量是破坏层厚度的一半，还可以大于破坏层厚度的一半，一般小于传统研磨工艺中的损伤层厚度，由此可以提高抛光的效率，降低抛光成本。
本发明的如上加工流程仅为示例，还可以根据实际需要省去某个处理过程或增加某个或某些处理过程，均在本发明的范围内。
本发明实施例的衬底加工方法，通过甩胶工艺在线切割后的衬底切片表面提供了平坦膜层，能够使得激光能够通过平坦膜层而聚焦在衬底内的一个特定深度，从而能够利用诸如隐镭的物理非接触过程代替传统的研磨和铜抛机械加工，可以大幅度降低衬底应力和翘曲。同时，由于对机械加工过程的替代，减少了应力的产生，从而提高了衬底的warp修复能力。实验发现，基于本发明的方法，翘曲Warp<7的比例提高至100％。
相应地，本发明还提供了一种利用前述衬底加工方法加工的衬底。该衬底相比采用传统加工方法加工的衬底，品质大大提高。
需要明确的是，本发明并不局限于上文所描述并在图中示出的特定配置和处理。为了简明起见，这里省略了对已知方法的详细描述。在上述实施例中，描述和示出了若干具体的步骤作为示例。但是，本发明的方法过程并不限于所描述和示出的具体步骤，本领域的技术人员可以在领会本发明的精神后，作出各种改变、修改和添加，或者改变步骤之间的顺序。
本发明中，针对一个实施方式描述和/或例示的特征，可以在一个或更多个其它实施方式中以相同方式或以类似方式使用，和/或与其他实施方式的特征相结合或代替其他实施方式的特征。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明实施例可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (20)

1.一种衬底加工方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
对衬底进行切割处理，得到预定厚度的衬底切片；
对切割得到的衬底切片进行甩胶处理，以在衬底切片表面形成一层液体胶平坦膜；
在所述液体胶平坦膜固化后通过聚焦激光二维扫描所述衬底切片的带平坦膜的表面来在该衬底切片的预定深度位置产生破坏层；
基于所述破坏层对衬底切片进行剥片处理；
对剥片处理后的衬底进行抛光处理。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：采用紫外光对甩胶处理形成的液体胶平坦膜进行固化处理；
所述固化后的平坦膜层的上表面粗糙度为0.5um以下。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述对剥片处理后的衬底进行抛光处理之前，所述方法还包括：
对剥片处理前的衬底切片进行清洗；和/或
对剥片处理后的衬底边缘进行倒角处理。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述切割处理为线切处理。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底的加工过程不包括铜抛和/或研磨处理。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述液体胶包括如下成分：预聚物50～100份、惰性树脂20～90份、单体35～70份、光引发剂5～12份、偶联剂2～3份及助剂1～2份。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，
所述预聚物为含双键的不饱和聚合物；
所述单体选自以下材料中的一种：丙烯酸酯类、乙烯基类、乙烯基醚类、苯乙烯、丙烯酸丁酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸异冰片酯、二缩三丙二醇二丙烯酸酯、已二醇二丙烯酸酯和三羟甲基丙烷三丙烯酸酯；
所述光引发剂为以下材料中的至少一种：羰基化合物、偶氮化合物、有机硫化物、氧化还原物质、卤素化合物、有机金属化合物、增咸染料；
所述惰性树脂为聚环氧烷、聚烷二醇、聚乙烯醚、聚乙烯酯中的一种；
所述偶联剂是硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂、铝酸酯偶联剂和硬脂酸钙其中的一种或其中的几种组成的混合物；
所述助剂选自流平剂、增稠剂中的一种或两种的组合。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述含双键的不饱和聚合物包括以下材料中的至少一种：聚丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、不饱和聚酯、聚烯烃和硫醇。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底为金属、合金、化合物或第四主族单质制成的衬底。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述化合物包括：氧化物、氮化物、三五族化合物、二六族化合物、第四主族化合物、卤化物、钙钛矿型材料、硅酸盐、碳酸盐或铝酸盐制成的衬底。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对衬底切片进行剥片处理的步骤包括：
对具有破坏层的衬底切片进行热处理，使得衬底切片从破坏层位置发生剥离；
所述热处理的温度范围为200℃～2000℃。
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述抛光处理减掉的厚度为所述破坏层厚度的一半以上。
13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述衬底尺寸为4寸～18寸；
所述预定厚度为80μm～15mm；
所述预定深度的值为所述预定厚度的10％～90％。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，
所述预定厚度为80μm～15mm；
所述预定深度的值为所述预定厚度的20％～80％。
15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述聚焦激光改性点的尺寸为1um-20mm，所述改性点的形状为圆形、椭圆或多边形；
所述聚焦激光在所述衬底切片上进行扫描的扫面线间距为20um-10mm；
所述聚焦激光在所述衬底切片上基于预设的扫面图形进行扫描。
16.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述热处理包括以下步骤：
升温步骤，用于以预定的升温速率，将加热炉内温度升温至第一目标温度；
保温步骤，用于在预定时间段内将加热炉内的温度保持在预设的保温温度条件下；
降温步骤，用于以预定的降温速率，将加热炉内温度降至第二目标温度。
17.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述方法中，所述产生破坏层的步骤和所述进行剥片处理的步骤被顺序执行多次。
18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，在所述方法中，所述进行甩胶处理的步骤、所述进行固化处理的步骤、所述产生破坏层的步骤和所述进行剥片处理的步骤被顺序执行多次。
19.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述甩胶处理步骤中，匀胶机的转速为100～10000r/min，甩胶时间为5s-10min。
20.一种利用如权利要求1-19中任意一项所述的衬底加工方法加工的衬底。
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