CN112582254A - 成膜方法和成膜装置 - Google Patents

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CN112582254A CN202011002086.3A CN202011002086A CN112582254A CN 112582254 A CN112582254 A CN 112582254A CN 202011002086 A CN202011002086 A CN 202011002086A CN 112582254 A CN112582254 A CN 112582254A
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高木聪
北村和也
蔡秀林
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Tokyo Electron Ltd
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Abstract

本发明提供一种成膜方法和成膜装置，能够将半导体膜选择性地形成于氮化膜和氧化膜中的氮化膜。成膜方法包括以下工序：对露出氮化膜的区域与露出氧化膜的区域相邻的基板供给含氟气体，使氟形成于所述基板，并且选择性地蚀刻所述氮化膜和所述氧化膜中的所述氮化膜，使所述氮化膜的表面相对于所述氧化膜的表面凹陷来在所述氧化膜的侧面形成台阶面；以及在使氟吸附于所述基板并且形成所述台阶面的工序之后，对所述基板供给包含半导体材料的原料气体，将半导体膜选择性地形成于所述氮化膜和所述氧化膜中的所述氮化膜。

Description

成膜方法和成膜装置
技术领域
本公开涉及一种成膜方法和成膜装置。
背景技术
专利文献1所记载的成膜方法包括以下工序：对基板供给含氯气体并使含氯气体吸附；以及对吸附了含氯气体的基板进行氮化硅膜的成膜。基板具有氮化硅膜和氧化硅膜。含氯气体会阻止氮化硅膜相对于氧化硅膜的成膜。因而，能够将新的氮化硅膜选择性地成膜于旧的氮化硅膜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017-174919号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开的一个方式提供一种能够将半导体膜选择性地形成于氮化膜和氧化膜中的氮化膜的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一个方式所涉及的成膜方法包括以下工序：
对露出氮化膜的区域与露出氧化膜的区域相邻的基板供给含氟气体，使氟吸附于所述基板，并且选择性地蚀刻所述氮化膜和所述氧化膜中的所述氮化膜，使所述氮化膜的表面相对于所述氧化膜的表面凹陷来在所述氧化膜的侧面形成台阶面；以及
在使氟吸附于所述基板并且形成所述台阶面的工序之后，对所述基板供给包含半导体材料的原料气体，将半导体膜选择性地形成于所述氮化膜和所述氧化膜中的所述氮化膜。
发明的效果
根据本公开的一个方式，能够将半导体膜选择性地形成于氮化膜和氧化膜中的氮化膜。
附图说明
图1是表示一个实施方式所涉及的成膜方法的流程图。
图2A是表示通过图1的S1准备的基板的侧视图。
图2B是表示通过图1的S2得到的基板的侧视图。
图2C是表示通过图1的S3得到的基板的侧视图。
图2D是表示通过图1的S4得到的基板的侧视图。
图2E是表示通过图1的S5得到的基板的侧视图。
图2F是表示通过第二次的S4得到的基板的侧视图。
图2G是表示通过第二次的S5得到的基板的侧视图。
图3A是表示半导体膜的膜厚与半导体膜的成膜时间的关系的一例的图。
图3B是表示供给含氟气体前后的Δt的变化的一例的图。
图4A是表示基板温度的随时间的变化的一例的图。
图4B是表示基板温度的随时间的变化的另一例的图。
图5是表示实施图1的成膜方法的成膜装置的一例的截面图。
附图标记说明
10：基板；11：氮化膜；12：自然氧化膜；13：氧化膜；20：氟；30：半导体膜；40：半导体材料；A1：第一区域；A2：第二区域；100：成膜装置；110：处理容器；120：基板保持部；130：加热部；140：气体供给部；150：气体排出部；160：控制部。
具体实施方式
下面，参照附图来说明本公开的实施方式。此外，在各附图中，对相同或对应的结构标注相同或对应的标记，有时省略说明。
首先，参照图1、图2A、图2B、图2C、图2D、图2E、图2F和图2G来说明成膜方法。成膜方法例如包括进行基板10的准备(S1)、进行自然氧化膜12的去除(S2)、进行氟吸附和台阶形成(S3)、进行半导体膜30的形成(S4)、进行不需要的半导体材料40的去除(S5)，并且按照所记载的顺序执行这些步骤。
在图1的S1中，如图2A所示那样准备基板10。基板10的准备例如包括将基板10设置于后述的处理容器110的内部。基板10在主面具有第一区域A1以及与第一区域A1相邻的第二区域A2。
第一区域A1为露出氮化膜11的自然氧化膜12的区域。氮化膜11通常在大气中自然地氧化，因此被自然氧化膜12覆盖。关于氮化膜11的材质并无特别限定，例如为氮化硅。
第二区域A2为露出氧化膜13的区域。关于氧化膜13的材质并无特别限定，例如为氧化硅。
第一区域A1的数量在图2A中为一个，但也可以为多个。例如，可以配置为两个第一区域A1夹着第二区域A2。同样地，第二区域A2的数量在图2A中为一个，但也可以为多个。例如可以配置为两个第二区域A2夹着第一区域A1。
此外，在图2A中仅存在第一区域A1和第二区域A2，但可以还存在第三区域。第三区域为露出与第一区域A1和第二区域A2不同材质的膜的区域。
基板10除了氮化膜11和氧化膜13以外还具有基底基板14。基底基板14例如为硅晶圆等半导体基板。此外，基底基板14也可以为玻璃基板等。在基底基板14的表面形成氮化膜11和氧化膜13。
此外，基板10还可以在基底基板14与氧化膜13之间具有基底膜，所述基底膜由与基底基板14和氧化膜13不同的材料形成。同样地，基板10还可以在基底基板14与氮化膜11之间具有基底膜，所述基底膜由与基底基板14和氮化膜11不同的材料形成。
在图1的S2中，如图2B所示那样去除自然氧化膜12。这是为了通过去除自然氧化膜12来使氮化膜11在第一区域A1中露出。
在氮化膜11为氮化硅的情况下，自然氧化膜12包含硅。在该情况下，例如通过被称作化学氧化物去除(Chemical Oxide Removal；COR)的处理来进行自然氧化膜12的去除。
COR对基板10供给HF气体和NH3气体，使这些气体与自然氧化膜12反应来生成六氟硅酸铵((NH4)2SiF6)，通过加热使该生成物升华。通过该升华来去除自然氧化膜12，从而使氮化膜11在第一区域A1中露出。
在去除自然氧化膜12后，氮化膜11和氧化膜13暴露于HF气体和NH3气体中。这些气体将氧化物去除，因此不仅蚀刻自然氧化膜12，还蚀刻氧化膜13。
如果在去除自然氧化膜12后选择性地蚀刻氮化膜11和氧化膜13中的氧化膜13，则会导致氧化膜13的表面相对于氮化膜11的表面凹陷，图1的S3的处理时间变长。
因此，以在去除自然氧化膜12后能够继续蚀刻氮化膜11的条件实施COR。优选以氧化膜13和氮化膜11的蚀刻速度相同的条件实施COR。COR的处理条件的一例如下。
基板温度：60℃
HF气体的流量：300sccm(标准cc/min)
NH3气体的流量：300sccm
N2气体的流量：1500sccm
处理容器的内部的气压：27Pa
处理时间：1.6min
此外，N2气体为稀释气体。作为N2气体的代替，可以使用Ar气体等稀有气体来作为稀释气体。
此外，在本实施方式中准备具有自然氧化膜12的基板10，但也可以准备不具有自然氧化膜12的基板10。在该情况下，当然不需要进行自然氧化膜12的去除(S2)。
在图1的S3中，如图2C所示那样对露出氮化膜11的基板10供给含氟气体，使氟20吸附于基板10，并且选择性地蚀刻氮化膜11和氧化膜13中的氮化膜11，使氮化膜11的表面相对于氧化膜13的表面凹陷来在氧化膜13的侧面形成台阶面15。
如上述那样，在图1的S3中使氟20吸附于基板10，由此在图1的S4中容易将半导体膜30选择性地形成于氮化膜11和氧化膜13中的氮化膜11。参照图3A和图3B来说明其理由。
如图3A所示，在从开始供给半导体膜30的原料气体起的固定的时间Δt，半导体膜30几乎不生长，半导体膜30的膜厚几乎不增加。经过固定的时间Δt后，形成半导体膜30的核，以该核为起点开始生长，半导体膜30的膜厚开始增加。将时间Δt称作孵育时间(incubation time)。
如图3B所示，Δt是由半导体膜30的基底的材质决定的。基底为氮化膜11的情况下的Δt比基底为氧化膜13的情况下的Δt短。通过供给含氟气体，该差变得明显。
通过供给含氟气体，氟20吸附于基板10。其结果是，基底为氮化膜11的情况下的Δt稍微变长，与此相对地，基底为氧化膜13的情况下的Δt明显变长。
可估计出，长期化的程度根据基底的材质发生变化是由于如图2C所示那样氟20容易吸附于氮化膜11和氧化膜13中的氧化膜13。但是，氟20也可以吸附于氮化膜11。
在供给含氟气体后，基底为氮化膜11的情况下的Δt比基底为氧化膜13的情况下的Δt短。并且，该时间差充分长。因而，能够利用该时间差将半导体膜30选择性地成膜于氮化膜11。
半导体膜30的原料气体的供给时间被设定为比基底为氮化膜11的情况下的Δt长，并且被设定为比基底为氧化膜13的情况下的Δt短。因此，半导体膜30几乎不形成于氧化膜13。
另外，如上述那样，在图1的S3中使氮化膜11的表面相对于氧化膜13的表面凹陷来在氧化膜13的侧面形成台阶面15，因此在图1的S4中能够抑制半导体膜30从氮化膜11的表面横向地突出。
台阶面15的高度H可以比半导体膜30的目标膜厚小，但也可以为半导体膜30的目标膜厚以上。在后者的情况下，能够可靠地抑制半导体膜30从氮化膜11的表面横向地突出。台阶面15的高度H例如为2nm以上。
此外，在如图1所示那样重复进行半导体膜30的形成(S4)和不需要的半导体材料40的去除(S5)的情况下，半导体膜30的目标膜厚是指多个半导体膜30的合计的目标膜厚。
含氟气体例如为F2气体。F2气体使氟20吸附于基板10，并且选择性地蚀刻氮化膜11来使氮化膜11的表面凹陷。利用了F2气体的图1的S3的处理条件例如如下。
基板温度：250℃～300℃
F2气体的流量：100sccm～10000sccm
处理容器的内部的气压：13Pa～20000Pa
处理时间：0.1min～30min。
此外，如上述那样，COR原本是去除氧化物的处理，但若改变条件则也能够选择性地蚀刻氮化膜11和氧化膜13中的氮化膜11。因而，含氟气体也可以为HF气体。HF气体与NH3气体一同使用。选择性地蚀刻氮化膜11的COR的处理条件的一例如下。
基板温度：60℃
HF气体的流量：100sccm
NH3气体的流量：300sccm
N2气体的流量：3000sccm
处理容器的内部的气压：26Pa
处理时间：1min～30min。
HF气体与F2气体同样地使氟20吸附于基板10，并且与NH3气体相协作地选择性地蚀刻氮化膜11，使氮化膜11的表面凹陷来形成台阶面15。在进行氟吸附和台阶形成(S3)之后，进行半导体膜30的形成(S4)。
在图1的S4中，如图2D所示那样对基板10供给包含半导体材料的原料气体，将半导体膜30选择性地形成于氮化膜11和氧化膜13中的氮化膜11。半导体膜30例如通过CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法形成。
半导体膜30的原料气体例如包含硅(Si)和锗(Ge)中的至少一方。在该情况下，半导体膜30包含硅(Si)和锗(Ge)中的至少一方。
半导体膜30例如为非晶硅膜。非晶硅膜的原料气体为甲硅烷(SiH4)气体或乙硅烷(Si2H6)气体等硅烷系气体。
非晶硅膜的成膜条件根据原料气体的种类来决定。在原料气体为Si2H6气体的情况下，该成膜条件例如如下。
基板温度：350℃～450℃
Si2H6气体的流量：100sccm～10000sccm
处理容器的内部的气压：27Pa～1333Pa
处理时间：5min～300min。
此外，半导体膜30也可以为多晶硅膜。多晶硅膜的原料气体与非晶硅膜的原料气体相同。另外，半导体膜30可以为锗(Ge)膜或硅锗(SiGe)膜。
Ge膜的原料气体例如为锗烷(GeH4)气体或二锗烷(Ge2H6)气体等锗烷系气体。另外，SiGe膜的原料气体例如为硅烷系气体和锗系气体。
半导体膜30可以包含掺杂物，也可以不包含掺杂物。掺杂物例如为碳(C)、磷(P)或硼(B)等。
根据本实施方式，如上述那样在形成半导体膜30(S4)之前进行氟吸附和台阶形成(S3)，因此能够将半导体膜30选择性地形成于氮化膜11的表面。
但是，如图2D所示，有时会有粒状的半导体材料40沉积于氧化膜13的表面。半导体材料40为与半导体膜30相同的材质，例如包含Si和Ge中的至少一方。
半导体材料40的沉积是在半导体膜30具有厚的目标膜厚、原料气体的连续供给时间长、且该连续供给时间与Δt的差小的情况下产生的。另外，半导体材料40的沉积还会由于氟20的吸附不足而产生。
在图1的S5中，如图2E所示那样对基板10供给含卤气体，来将沉积于氧化膜13的表面的粒状的半导体材料40去除。能够去除在进行半导体膜30的形成(S4)中产生的不需要的半导体材料40。
含卤气体从半导体材料40的表面起进行蚀刻，因此以与比表面积(每单位体积的表面积)相应的体积减少速度进行半导体的蚀刻。比表面积越大，则体积减少速度越快。
半导体材料40为粒状。因此，半导体材料40的比表面积比半导体膜30的比表面积大。因而，能够几乎不蚀刻到半导体膜30地蚀刻半导体材料40。
含卤气体包含卤，具体地说，包含从氟(F)、氯(Cl)、溴(Br)中选择出的至少一方。其中，氟不仅蚀刻半导体材料40，还蚀刻氮化膜11和氧化膜13。
因此，为了不蚀刻氮化膜11和氧化膜13，含卤气体可以不包含氟。不包含氟的含卤气体例如为Cl2气体、HCl气体、Br2气体或HBr气体。
含卤气体的供给条件是根据含卤气体的种类来决定的。Cl2气体的供给条件例如如下。
基板温度：350℃～450℃
Cl2气体的流量：100sccm～5000sccm
处理容器的内部的气压：27Pa～667Pa
处理时间：0.5min～30min。
根据本实施方式，如上述那样对基板10供给含卤气体来将沉积于氧化膜13的表面的粒状的半导体材料40去除。能够将作为半导体材料40的生长的起点的核去除，能够将Δt初始化。
如图1所示，将进行半导体膜30的形成(S4)和进行半导体材料40的去除(S5)设为一个循环，Δt的初始化在重复实施该循环的情况下有效。在第二次之后的S4中，能够抑制半导体材料40在氧化膜13的表面的粒状的沉积。
在图1的S6中，检查循环次数是否达到了目标次数。通过实验等将目标次数预先决定为，当循环次数达到目标次数时半导体膜30的膜厚达到目标膜厚。目标膜厚越厚，则目标次数越多。
在循环次数小于目标次数的情况下(在图1的S6中为“否”)，半导体膜30的膜厚没有达到目标膜厚，因此再次实施半导体膜30的形成(S4)和半导体材料40的去除(S5)。在图2F中示出通过第二次的S4得到的基板10，在图2G中示出通过第二次的S5得到的基板10。
如果分多次实施半导体膜30的形成(S4)，则能够减少每一次沉积的粒状的半导体材料40的尺寸。半导体材料40的尺寸越小，则半导体材料40的比表面积越大，进行半导体材料40的去除(S5)所需的时间越短。因而，能够抑制在进行半导体材料40的去除时可能发生的半导体膜30的蚀刻。
另一方面，在循环次数为目标次数的情况下(在图1的S6中为“是”)，半导体膜30的膜厚已经达到目标膜厚，因此本次的处理结束。
处理后的基板10例如用于仅蚀刻氮化膜11和氧化膜13中的氧化膜13的处理中。在该处理中，在进行氧化膜13的蚀刻时将半导体膜30用作保护氮化膜11的保护膜。半导体膜30保护氮化膜11，由此还能够保护预先形成于氮化膜11与基底基板14之间的未图示的导电膜。
如图4A所示，以比进行半导体膜30的形成(S4)时更低的温度实施氟吸附和台阶形成(S3)。在S3中能够抑制对氮化膜11的急剧蚀刻。其结果是，能够在蚀刻期间高精度地管理台阶面15的高度H。另外，能够减少氮化膜11的蚀刻不均。
其中，如图4B所示，可以用与进行半导体膜30的形成(S4)时相同的温度实施氟吸附和台阶形成(S3)。在从S3转向S4时，不产生等待温度变更的时间，因此能够提高生产率。
在以与S4相同的温度实施S3的情况下，在S3中例如将用F2气体用作含氟气体。F2气体在350℃～400℃的温度范围内还能够蚀刻自然氧化膜12，因此也能够用于S2。在从S2转向S3时，不产生等待气体切换的时间，另外也不产生等待温度变更的时间，因此能够进一步提高生产率。
F2气体在S2中去除自然氧化膜12，接着在S3中选择性地蚀刻氮化膜11和氧化膜13中的氮化膜11。氮化膜11的蚀刻速度比自然氧化膜12和氧化膜13的蚀刻速度快。另外，F2气体在S3中使氟20吸附于基板10。
此外，成膜方法也可以不包括图1所示的多个处理的一部分。例如，成膜方法可以不包括半导体材料的去除(S5)。在该情况下，成膜方法仅包括一次半导体膜的形成(S4)。另外，如上述那样，在通过进行基板10的准备(S1)来准备不包括自然氧化膜12的基板10的情况下，当然不需要进行自然氧化膜12的去除(S2)。
接着，参照图5来说明实施图1所示的成膜方法的成膜装置100。成膜装置100为对多张基板统一地进行热处理的批量式纵型热处理装置。
成膜装置100具备处理容器110、基板保持部120、加热部130、气体供给部140、气体排出部150以及控制部160。处理容器110收容基板10。基板保持部120在处理容器110的内部保持基板10。加热部130将被基板保持部120保持的基板10进行加热。气体供给部140向处理容器110的内部供给气体。气体排出部150将气体从处理容器110的内部排出。控制部160控制加热部130、气体供给部140以及气体排出部150，以实施图1所示的成膜方法。
处理容器110为铅垂的双层管，具有圆筒形状的内管111和覆盖内管111的外侧的圆筒形状的外管112。内管111在下端具有开口部，在上端具有水平的顶部。外管112在下端具有开口部，在上端具有圆顶状的顶部。内管111和外管112例如由石英或碳化硅形成。
处理容器110还具有圆筒形状的歧管114。歧管114例如由不锈钢形成。在歧管114的上端形成凸缘部115。在凸缘部115设置外管112的下端。在凸缘部115与外管112的下端之间配置O形环等密封构件116。在歧管114的上部的内壁设置圆环状的支承部117。在支承部117设置内管111的下端。
处理容器110还具有盖体118。盖体118将歧管114的下端的开口部封闭。在盖体118与歧管114的下端之间配置O形环等密封构件119。盖体118例如由不锈钢形成。在盖体118的中央部形成沿铅垂方向贯通盖体118的贯通孔。在该贯通孔中配置旋转轴171。盖体118与旋转轴171的间隙通过磁性流体密封部172而被密封。旋转轴171的下端部旋转自如地支承于升降部181的臂182。在旋转轴171的上端部设置旋转板173。在旋转板173上经由保温台121设置基板保持部120。
基板保持部120将多张基板10以在铅垂方向上隔开间隔的方式保持。多张基板10分别被水平地保持。当使升降部181上升时，盖体118和基板保持部120上升，基板保持部120被搬入处理容器110的内部，处理容器110的下端的开口通过盖体118而被密闭。另外，当使升降部181下降时，盖体118和基板保持部120下降，基板保持部120被搬出至处理容器110的外部。另外，当使旋转轴171旋转时，基板保持部120与旋转板173一同旋转。
加热部130将被基板保持部120保持的基板10进行加热。加热部130在处理容器110的外部形成为圆筒形状。加热部130例如为电加热器。
气体供给部140向处理容器110的内部供给气体。气体供给部140向处理容器110的内部供给在图1的S2、S3、S4和S5中使用的气体。例如，气体供给部140向处理容器110的内部供给NH3气体、HF气体、F2气体、Si2H6气体、Cl2气体、N2气体。此外，如上述那样，关于气体的种类并无特别限定。
气体供给部140在处理容器110的内部具有铅垂的气体供给管141。气体供给管141在铅垂方向上隔开间隔地具有多个供气口142。多个供气口142将气体水平地喷出。在图5中仅图示出一个气体供给管141，但与多种气体对应地设置多个气体供给管141。此外，可以是一个气体供给管141依次喷出多种气体。另外，也可以是多个气体供给管141同时喷出相同种类的气体。
气体供给部140具有气体供给源143。气体供给源143经由流量控制器144和开闭阀145向气体供给管141供给气体。流量控制器144控制气体的流量。开闭阀145在气体的供给和停止供给之间切换。气体供给源143、流量控制器144和开闭阀145在图5中分别图示出一个，但与多种气体对应地分别设置多个。
气体排出部150将气体从处理容器110的内部排出。为了对内管111的内部进行排气，在内管111形成排气口113。该排气口113以与供气口142相向的方式配置。从供气口142水平地喷出的气体在通过排气口113后沿外管112的内壁下降，从排气管151进行排气。
气体排出部150具有排气管151、真空泵152以及压力控制器153。排气管151将歧管114的排气端口与真空泵152连接。真空泵152从处理容器110的内部吸引气体。压力控制器153设置于排气管151的中途，控制处理容器110的内部的气压。
控制部160例如为计算机，具备CPU(Central Procesing Unit：中央处理单元)161和存储器等存储介质162。在存储介质162中保存用于控制在成膜装置100中执行的各种处理的程序。控制部160通过使CPU 161执行存储介质162中存储的程序来控制成膜装置100的动作。
此外，成膜装置100不限定为图5所示的纵型热处理装置。例如，成膜装置100也可以为逐张地处理基板10的单片式的装置。另外，成膜装置100也可以为半批量式的装置。半批量式的装置使绕旋转台的旋转中心线配置的多张基板10与旋转台一同旋转，使该多张基板10依次通过被供给不同气体的多个区域。
以上对本公开所涉及的成膜方法和成膜装置的实施方式进行了说明，但本公开并不限定于上述实施方式等。在权利要求书所记载的范畴内能够进行各种变更、修正、置换、附加、删除以及组合。这些也当然属于本公开的技术范围内。

Claims (11)

1.一种成膜方法，包括以下工序：
对露出氮化膜的区域与露出氧化膜的区域相邻的基板供给含氟气体，使氟吸附于所述基板，并且选择性地蚀刻所述氮化膜和所述氧化膜中的所述氮化膜，使所述氮化膜的表面相对于所述氧化膜的表面凹陷来在所述氧化膜的侧面形成台阶面；以及
在使氟吸附于所述基板并且形成所述台阶面的工序之后，对所述基板供给包含半导体材料的原料气体，将半导体膜选择性地形成于所述氮化膜和所述氧化膜中的所述氮化膜。
2.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，
相比于将所述半导体膜选择性地形成于所述氮化膜的工序，以更低的温度实施使氟吸附于所述基板并且形成所述台阶面的工序。
3.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，
所述含氟气体为F2气体或与NH3气体一同使用的HF气体。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的成膜方法，其特征在于，
所述原料气体包含Si和Ge中的至少一方。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的成膜方法，其特征在于，
所述氮化膜为氮化硅膜，所述氧化膜为氧化硅膜。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的成膜方法，其特征在于，
在使氟吸附于所述基板并且形成所述台阶面的工序之前，还包括去除所述氮化膜的自然氧化膜来使所述氮化膜露出的工序。
7.根据权利要求6所述的成膜方法，其特征在于，
使用NH3气体和HF气体来进行所述自然氧化膜的去除。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的成膜方法，其特征在于，
在将所述半导体膜选择性地形成于所述氮化膜的工序之后，还包括对所述基板供给含卤气体来将沉积于所述氧化膜的所述半导体材料去除的工序。
9.根据权利要求8所述的成膜方法，其特征在于，
所述含卤气体不包含氟。
10.根据权利要求8或9所述的成膜方法，其特征在于，
包括重复进行的以下工序：将所述半导体膜选择性地形成于所述氮化膜的工序；以及将沉积于所述氧化膜的所述半导体材料去除的工序。
11.一种成膜装置，具备：
处理容器，其收容基板；
基板保持部，其在所述处理容器的内部保持所述基板；
加热部，其将被所述基板保持部保持的所述基板进行加热；
气体供给部，其向所述处理容器的内部供给气体；
气体排出部，其将气体从所述处理容器的内部排出；以及
控制部，其控制所述加热部、所述气体供给部以及所述气体排出部，以实施根据权利要求1至10中的任一项所述的成膜方法。
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