CN112578648A - 对准标记及用于形成对准标记的方法 - Google Patents

对准标记及用于形成对准标记的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112578648A
CN112578648A CN202010908840.3A CN202010908840A CN112578648A CN 112578648 A CN112578648 A CN 112578648A CN 202010908840 A CN202010908840 A CN 202010908840A CN 112578648 A CN112578648 A CN 112578648A
Authority
CN
China
Prior art keywords
laser beam
alignment
alignment mark
beams
laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010908840.3A
Other languages
English (en)
Inventor
刘彦岑
于正豪
黄正义
石兆立
杨志深
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Original Assignee
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd filed Critical Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Publication of CN112578648A publication Critical patent/CN112578648A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67282—Marking devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/066—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms by using masks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/067—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/067—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing
    • B23K26/0676—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing into dependently operating sub-beams, e.g. an array of spots with fixed spatial relationship or for performing simultaneously identical operations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/362—Laser etching
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0927—Systems for changing the beam intensity distribution, e.g. Gaussian to top-hat
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0938—Using specific optical elements
    • G02B27/0944—Diffractive optical elements, e.g. gratings, holograms
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/10—Beam splitting or combining systems
    • G02B27/106—Beam splitting or combining systems for splitting or combining a plurality of identical beams or images, e.g. image replication
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/10—Beam splitting or combining systems
    • G02B27/1086—Beam splitting or combining systems operating by diffraction only
    • G02B27/1093—Beam splitting or combining systems operating by diffraction only for use with monochromatic radiation only, e.g. devices for splitting a single laser source
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/42—Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G03F9/708—Mark formation
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G03F9/7084—Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682—Mask-wafer alignment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/5442—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising non digital, non alphanumeric information, e.g. symbols
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54453—Marks applied to semiconductor devices or parts for use prior to dicing
    • H01L2223/5446—Located in scribe lines

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

提供对准标记及用于形成对准标记的方法。用于形成对准标记的方法为无光刻工艺并且包含以下操作。提供激光束。将激光束划分成彼此隔开的多个激光束。将多个激光束塑形成多个图案化光束，使得多个图案化光束塑形为具有对应于对准标记的图案。将多个图案化光束投影到半导体晶片上。

Description

对准标记及用于形成对准标记的方法
相关申请的交叉引用
本申请案要求2019年9月27日提交的美国临时申请案第62/906,747号的优先权权益。上述专利申请案的全部内容在此以引用的方式并入本文中并且构成本说明书的一部分。
技术领域
本发明实施例涉及对准标记及用于形成对准标记的方法。
背景技术
半导体制造涉及数千种工艺。光刻工艺涉及将光掩模上的掩模图案准确地转印到半导体晶片上。为了达成对准精确度(overlay accuracy)，使光掩模与半导体晶片对准，其包含计算光掩模相对于半导体晶片的位置。一般通过使用标记对准来完成光刻工艺中的对准。在标记对准中，第一图案层具有安置于其中的对准标记，并且后续形成的层通过与对准标记对准而与第一层对准。
发明内容
根据本公开的一些实施例，一种用于形成对准标记的方法包含以下操作。提供激光束。将激光束划分成彼此隔开的多个激光束。将多个激光束塑形成多个图案化光束，使得多个图案化光束塑形为具有对应于对准标记的图案。将多个图案化光束投影到半导体晶片上。
根据本公开的替代实施例，用于形成对准标记的方法包含以下操作。提供光源以发射激光束。提供分束器以将激光束划分成在不同方向上行进的第一激光束和第二激光束。提供反射元件以重新导向第一激光束和第二激光束中的一个，使得第一激光束和第二激光束在相同方向上行进。提供图案塑形元件以将第一激光束和第二激光束塑形成第一图案化光束和第二图案化光束，其中第一图案化光束和第二图案化光束的图案对应于对准标记。提供投影透镜以将第一图案化光束和第二图案化光束投影到半导体晶片上以直接地形成对准标记。
根据本公开的其他替代实施例，对准标记包含第一对准线的两个集合和第二对准线的两个集合。第一对准线的两个集合布置在第一方向上且对于中心图案对角对称地安置。第二对准线的两个集合布置在与第一方向不同的第二方向上且对于中心图案对角对称地安置。第一对准线和第二对准线具有锥形端部。
附图说明
在结合附图阅读以下详细描述时，能够从中最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据业界中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，可任意增大或减小各种特征的关键尺寸。
图1是根据一些实施例的具有对准标记的半导体晶片的示意性俯视图。
图2是根据一些实施例的用于形成对准标记的装置的示意性透视图。
图3A和图3B示出根据一些实施例的激光束的光强度分布。
图4是根据一些实施例的对准标记的局部放大图。
图5A和图5B是根据一些实施例的分别沿着图4中示出的A-A'线和B-B'线截取的对准标记的示意性横截面图。
图6是根据一些实施例的用于形成对准标记的方法的流程图。
具体实施方式
以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的多个不同实施例或实例。下文描述组件和布置的特定实例以简化本公开。当然，这些组件和布置只是实例且并不希望为限制性的。举例来说，在以下描述中，第二特征在第一特征上方或在第一特征上的形成可包含第二特征与第一特征直接接触地形成的实施例，并且还可包含额外特征可在第二特征与第一特征之间形成使得第二特征与第一特征可不直接接触的实施例。另外，本公开可在各种实例中重复附图标号和/或字母。这种重复是出于简化和清楚的目的并且本身并不指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。
另外，为易于描述，本文中可使用例如“在……之下”、“在……下方”、“下部”、“在……上”、“在……上方”、“上覆”、“在……之上”、“上部”等的空间相对术语来描述如图中所示出的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。除图中所描绘的定向之外，空间相对术语意图涵盖器件在使用或步骤中的不同定向。装置可以其他方式定向(旋转90度或处于其他定向)，且本文中所使用的空间相对描述词因此可同样地进行解释。
将相对于特定的上下文描述实施例，所述特定的上下文即用于利用无光刻工艺形成对准标记的装置和方法。本文中所论述的实施例提供实例以使得产生或使用本公开的主题，且本领域的普通技术人员会容易地理解在不同实施例的预期范围内可以进行的修改。以下图中相似的附图标号和字符指代相似的组件。虽然方法实施例可论述为以特定次序进行，但是其他方法实施例可以任何逻辑次序进行。
图1是根据一些实施例的具有对准标记的半导体晶片的示意性俯视图。参考图1，绘示了半导体晶片(或衬底)10，并且半导体晶片10具有形成于其中的第一对准标记AM1和第二对准标记AM2。在一些实施例中，第一对准标记AM1和第二对准标记AM2可安置在半导体晶片10的外围区上。在一些实施例中，第一对准标记AM1和第二对准标记AM2对于半导体晶片10的中心对角对称，即第一对准标记AM1和第二对准标记AM2安置在相对于半导体晶片10的中心的相对侧处。在其他实施例中，第一对准标记AM1和第二对准标记AM2安置在不同位置(而不是在相对于半导体晶片10的中心的相对侧)。然而，本公开并不限于此。在一些实施例中，第一对准标记AM1和第二对准标记AM2安置在半导体晶片10的其他区域上，例如切割道。虽然图1中示出两个对准标记AM1和对准标记AM2，但是在一些实施例中，半导体晶片10具有大于两个对准标记并且对准标记的数目不受限制。
根据一些实施例，半导体晶片10包含结晶硅衬底。根据其他实施例，半导体晶片10包含：元素半导体衬底，例如锗；化合物半导体衬底，包含碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化铟和/或锑化铟；合金半导体衬底，包含SiGe、GaAsP、AlInAs、AlGaAs、GaInAs、GaInP和/或GaInAsP；或其组合。其他半导体衬底(例如多层衬底或梯度衬底)也可用作半导体晶片10。
如由虚线所指示，第一对准标记AM1在图1中放大绘示。在一些实施例中，第一对准标记AM1和第二对准标记AM2具有实质上相同的图案。在一些实施例中，第一对准标记AM1和第二对准标记AM2具有不同的图案。在一些实施例中，第一对准标记AM1和第二对准标记AM2中的每一个是由方形中的四组对准线构成的。第一对准标记AM1和第二对准标记AM2中的每一个包含布置在第一方向(例如Y方向)上的第一对准线110的两个集合和布置在第二方向(例如X方向)上的第二对准线120的两个集合，其中第一方向(例如Y方向)不同于(例如垂直于)第二方向(例如X方向)。在一些实施例中，布置在第一方向上的第一对准线110的两个集合相对于中心图案130对角对称地安置，并且布置在第二方向上的第二对准线120的两个集合相对于中心图案130对角对称地安置。在一些实施例中，使用布置在第一方向上的第一对准线110的两个集合和布置在第二方向上的第二对准线120的两个集合来分别地实现第一方向和第二方向上的对准。
在一些实施例中，第一对准线110彼此并不相交，并且第二对准线120彼此并不相交。在一些实施例中，第一对准线110实质上彼此平行，并且第二对准线120实质上彼此平行。在一些实施例中，第一对准线110具有实质上相同的宽度并且以实质上相等间隔布置，且第二对准线120具有实质上相同的宽度并且以实质上相等间隔布置。在一些实施例中，根据需要改变第一对准线110或第二对准线120的宽度和间隔。
在一些实施例中，中心图案130是位于对准标记的中心处的十字形图案。在一些实施例中，中心图案130是可视的中心点或具有除了十字形状以外的不同形状，例如点图案或方形图案。
图2是根据一些实施例的用于形成对准标记的装置的示意性透视图。参考图2，提供装置200以在半导体晶片10上形成对准标记AM1和对准标记AM2。在一些实施例中，装置200包含光源210、分束元件220、图案塑形元件230以及投影透镜240。在一些实施例中，光源210配置成发射激光束LB。
在一些实施例中，分束元件220安置在激光束LB的传输路径上并且安置在光源210与图案塑形元件230之间的光传播路径上。在一些实施例中，分束元件220配置成将激光束LB划分成彼此隔开的多个激光束。在一些实施例中，分束元件220配置成将激光束LB划分成至少第一激光束LB1和第二激光束LB2。
在一些实施例中，图案塑形元件230安置在多个激光束(例如第一激光束LB1和第二激光束LB2)的传输路径上，并且安置在分束元件220与投影透镜240之间的光传播路径上。在一些实施例中，图案塑形元件230配置成将第一激光束LB1和第二激光束LB2塑形成第一图案化光束PB1和第二图案化光束PB2。
在一些实施例中，投影透镜240安置在多个图案化光束(例如第一图案化光束PB1和第二图案化光束PB2)的传输路径上，并且安置在图案塑形元件230与半导体晶片10之间的光传播路径上。在一些实施例中，投影透镜240配置成将多个图案化光束投影到半导体晶片10上以直接地形成多个对准标记，例如图1中所绘示的第一对准标记AM1和第二对准标记AM2。
当将第一图案化光束PB1和第二图案化光束PB2照射到半导体晶片10上时，形成凹槽G(绘示于图5A和图5B中)。第一图案化光束PB1和第二图案化光束PB2同时烧蚀或熔融半导体晶片10以直接地形成凹槽G。在一些实施例中，多个凹槽G从半导体晶片10的顶部表面10a(绘示于图5A和图5B中)朝向半导体晶片10的内部延伸。在一些实施例中，凹槽G定义半导体晶片10中的第一对准标记AM1和第二对准标记AM2中的每一个的第一对准线110、第二对准线120以及中心图案130。
第一对准标记AM1和第二对准标记AM2是由单一激光工艺直接形成的。因而，并不需要用于形成对准标记的光刻工艺，所述光刻工艺包含各种程序，例如光刻胶涂布、烘烤、曝光以及显影操作，以及蚀刻和清洁工艺。根据本公开的一些实施例的对准标记的形成方法不涉及成本高且耗时的光刻工艺。在一些实例中，本公开的形成对准标记的方法被称作“无光刻”工艺或“无化学”工艺。无化学工艺是一种不使用蚀刻溶液或蚀刻气体的工艺。因此，简化了对准标记的制造工艺并且降低了制造成本。
在一些实施例中，光源210包含例如308纳米的准分子激光器。在一些实施例中，激光束LB具有大于或等于约18焦耳/平方厘米(J/cm2)的激光能量密度。本公开不限制光源的波长和/或激光能量密度，只要由激光束LB形成的第一图案化光束PB1和第二图案化光束PB2能够熔融半导体晶片10以用于形成对准标记AM1和对准标记AM2即可。
在一些实施例中，分束元件220使得激光束LB的一部分穿过并且反射激光束LB的其他部分，从而形成彼此隔开并且在不同方向上行进的第一激光束LB1和第二激光束LB2。在一些实施例中，分束元件220使得一半激光束LB穿过并且反射一半激光束LB，使得第一激光束LB1的光强度实质上等于第二激光束LB2的光强度。在一些实施例中，分束元件220包含由两个棱镜制成的分束器。在一些实施例中，分束元件220包含由具有光学涂层的玻璃片制成的分束器。在一些实施例中，分束元件220包含多于一个分束器，并且每一个分束器将入射光束分成两个分量，使得分束元件220将激光束LB划分成用于形成大于两个对准标记的大于两个激光束。本文也涵盖了其中分束元件220包含能够将入射光束分成多个分量的一或多个其他光学元件的实施例。
在一些实施例中，图案塑形元件230将第一激光束LB1和第二激光束LB2分别地塑形成第一图案化光束PB1和第二图案化光束PB2，并且第一图案化光束PB1和第二图案化光束PB2塑形为具有对应于第一对准标记AM1和第二对准标记AM2的图案。在一些实施例中，图案塑形元件230包含衍射光学元件(diffractive optical element，DOE)，并且衍射光学元件具有经特定设计的微观结构来实现第一图案化光束PB1和第二图案化光束PB2的特定图案。在一些实施例中，衍射光学元件包含例如16级或更高级的多级衍射光栅(multi-leveldiffractive grating)以用来充当图案塑形元件230。在一些实施例中，图案塑形元件230包含掩模版(reticle)，并且掩模版包含其上的对应于第一对准标记AM1和第二对准标记AM2的图案。应注意，第一图案化光束PB1或第二图案化光束PB2的图案指的是第一图案化光束PB1或第二图案化光束PB2的光点(light spots)的图案。在一些实施例中，第一图案化光束PB1的图案与第二图案化光束PB2的图案相同。在一些替代实施例中，第一图案化光束PB1的图案与第二图案化光束PB2的图案不同。
在一些实施例中，投影透镜240包含具有屈光度的一或多个光学透镜。本公开不解释投影透镜240的种类，只要第一图案化光束PB1和第二图案化光束PB2能够通过投影透镜240投影到半导体晶片10的所需位置上以供用于形成对准标记AM1、对准标记AM2即可。
图3A和图3B示出根据一些实施例的激光束的光强度分布，其中最高光强度对应于激光束的光点的中心区，且最低光强度对应于激光束的光点的外围区。参考图2、图3A以及图3B，在一些实施例中，装置200更包含匀化器250。在一些实施例中，匀化器250安置在光源210与分束元件220之间的光传播路径上。
在一些实施例中，从光源210发射的激光束LB具有与高斯(Gaussian)分布类似的光强度分布，如图3A中所绘示。类高斯(Gaussian-like)分布的光强度在中心处较高且在两侧处较低。在一些实施例中，从光源210发射的激光束LB具有不均一的光强度分布，其中激光束的每一个光点的两侧上具有两个长且延伸的尾部T。类高斯分布的长且延伸的尾部T的光强度略低于熔融半导体晶片10的烧蚀阈值强度(ablation threshold intensity)TH。这种原始激光束LB的长且延伸的尾部T导致对准标记的所形成凹槽的轮廓与预期的形状、尺寸或粗糙度有极大的偏差。所形成对准标记可能受损且无法提供对准功能。
在一些实施例中，匀化器250配置成使激光束LB均匀化(或均一化)。当激光束LB穿过匀化器250时，使激光束LB均匀化，使得激光束LB的光强度分布可转换成平顶分布(top-hat distribution)，如图3B中所绘示。平顶分布对于激光束的每一个光点具有实质上均一的光强度。在激光束LB由匀化器250均匀化之后，均匀化的激光束的光点具有与平顶分布类似的光强度分布，如图3B中所绘示。平顶分布可具有实质上均一的光强度分布，其中激光束的每一个光点的两侧上具有两个快速衰减的尾部T。平顶分布的实质上均一的光强度高于熔融半导体晶片10的烧蚀阈值强度TH。平顶分布的短尾部T的光强度比熔融半导体晶片10的烧蚀阈值强度TH低得多。这种光强度分布的短且脆弱的尾部T可导致对准标记AM1、对准标记AM2的凹槽的轮廓在端部处略微地磨圆和/或在侧壁上略微地粗糙，这种情况在有关于图4以及图5A到图5B的描述中进行了论述。所形成对准标记能够提供对准功能。
激光束LB的光强度分布在穿过匀化器250之后变得均一。因而，减少了第一对准标记AM1和第二对准标记AM2的凹槽G的非所需轮廓和底部损坏，并且用于形成对准标记AM1和对准标记AM2的工艺裕度相应地增加。在一些实施例中，匀化器250包含杆积分器(rodintegrator)。在一些实施例中，匀化器250沿着激光束LB的光轴布置。在一些实施例中，匀化器250具有矩形光入射表面和矩形光出射表面。在入射的激光束LB进入匀化器250的光入射表面之后，可在匀化器250中进行激光束LB的多个反射以获得激光束LB的均匀化。在一些实施例中，反射是全内反射。在一些实施例中，匀化器250包含衍射光学元件(DOE)。
在一些实施例中，装置200更包含一或多个光学元件以实现特定光学功能。在一些实施例中，装置200更包含光学隔离器260、扩束器270、反射元件RE1、反射元件RE2、反射元件RE3以及反射元件RE4和/或透镜L1、透镜L2、透镜L3以及透镜L4。在一些实施例中，光学隔离器260安置在光源210与扩束器270之间。在一些实施例中，光学隔离器260配置成允许激光束LB仅在一个方向上传输从而防止激光束LB的一部分返回到光源210。在一些实施例中，扩束器270安置在光学隔离器260与匀化器250之间的光传播路径上。在一些实施例中，扩束器270配置成扩展激光束LB，使得激光束LB从点光(point light)转化成表面光(surfacelight)。在激光束LB穿过扩束器270之后，激光束LB的宽度变得更宽，并且激光束LB的光点的面积变得更大。在一些实施例中，扩束器270涂布有抗反射涂层以减少光损耗。
在一些实施例中，反射元件RE1、反射元件RE2、反射元件RE3以及反射元件RE4配置成调整激光束LB、第一激光束LB1或第二激光束LB2的光路径。举例来说，反射元件RE1和反射元件RE2将来自扩束器270的激光束LB传输(反射)到匀化器250，并且反射元件RE3将来自匀化器250的激光束LB传输(反射)到分束元件220。反射元件RE4可将来自分束元件220的第二激光束LB2重新导向并且将第二激光束LB2传输(反射)到图案塑形元件230，使得第二激光束LB2可在与第一激光束LB1相同的方向上行进。在一些实施例中，反射元件RE1与反射元件RE2之间的透镜L1和透镜L2、分束元件220与图案塑形元件230之间的透镜L3以及反射元件RE4与图案塑形元件230之间的透镜L4配置成分别地汇聚或准直激光束LB、第一激光束LB1以及第二激光束LB2。在一些实施例中，扩束器270、图案塑形元件230和/或半导体晶片10安置在装置200的焦平面上。
图4是根据一些实施例的对准标记的局部放大图。图5A和图5B是根据一些实施例的分别沿着图4中示出的A-A'线和B-B'线截取的对准标记的示意性横截面图。如图4中所绘示，在一些实施例中，因为第一对准标记AM1和第二对准标记AM2由上述激光工艺形成，所以第一对准标记AM1和第二对准标记AM2的第一对准线110和第二对准线120可具有锥形端部(tapered ends)TE，并且第一对准标记AM1和第二对准标记AM2的第一对准线110和第二对准线120可具有从其侧壁SW突出的残余物RS。在一些实施例中，一个第一对准线110或第二对准线120的中心部分的宽度比同一第一对准线110或第二对准线120的锥形端部TE的宽度更宽。在一些实施例中，提供泵(未绘示)以从半导体晶片10中去除激光烧蚀的副产物。在一些实施例中，残余物RS残留在半导体晶片10的顶部表面上。残余物RS可残留在第一对准线110或第二对准线120中的至少一个的顶部表面和/或侧壁上。应注意，虽然存在一些残余物RS，但是这些残余物RS一般太小而不影响第一对准标记AM1和第二对准标记AM2的对准功能。在一些实施例中，第一对准标记AM1和第二对准标记AM2的第一对准线110和第二对准线120的侧壁SW提供有范围从约2纳米到约50纳米的表面粗糙度Rz。在一些实施例中，表面粗糙度Rz是通过测量预定取样长度或面积内的最高峰值到最低谷值的竖直距离来计算的。
如图5A和图5B中所绘示，在一些实施例中，第一对准标记AM1和第二对准标记AM2的第一对准线110和第二对准线120在凹槽G中具有倾斜侧壁SW。在一些实施例中，第一对准线110和第二对准线120中的每一个的顶部宽度W1大于底部宽度W2。在一些实施例中，夹角θ是倾斜侧壁SW与半导体晶片10的顶部表面10a之间的锐角。在一些实施例中，第一对准线110和第二对准线120中的每一个与衬底10之间的夹角θ在约30度到约75度的范围内。在一些实施例中，第一对准线110和第二对准线120中的每一个与衬底10之间的夹角θ约为30度、35度、40度、45度、50度、55度、60度、65度、70度、75度、前述值中的任两个之间的任何范围或小于前述值中的任一个的任何范围。在本公开中，使用上文所描述的“无光刻”工艺或“无化学”工艺，形成有这种角度范围(30度到75度)的对准标记的每一对准线能够符合工艺的需求，并且简化了制造工艺且降低了制造成本。
在横截面图中，邻近于第一对准线110和第二对准线120中的至少一个的顶部和/或底部的位置处的倾斜侧壁SW可弯曲或磨圆。在一些实施例中，相邻第一对准线110或第二对准线120之间的至少一个凹槽G在倾斜侧壁SW与半导体晶片10的顶部表面10a之间具有磨圆的底部拐角。
图6是根据一些实施例的用于形成对准标记的方法300的流程图。虽然方法300示出和/或描述为一系列动作或事件，但是应了解，所述方法不限于所示出的次序或动作。因此，在一些实施例中，动作可以与所示出的不同次序进行，且/或可同时进行。此外，在一些实施例中，所示出的动作或事件可细分成多个动作或事件，所述动作或事件可与其他动作或子动作在不同时间进行或同时进行。在一些实施例中，可省略一些所示出的动作或事件，且可包含其他未示出的动作或事件。
在动作302处，提供激光束。图2示出配置成提供激光束LB的光源210。在一些实施例中，激光束LB是准分子激光束。在一些实施例中，激光束LB提供有与高斯分布类似的光强度分布，如图3A中所绘示。
在动作304处，使激光束均匀化。图2示出配置成使激光束LB均匀化(或均一化)的匀化器250。在一些实施例中，在使激光束LB均匀化之后，激光束LB具有与平顶分布类似的光强度分布，如图3B中所绘示。在一些实施例中，激光束LB由杆积分器均匀化。在一些实施例中，激光束LB由衍射光学元件(DOE)均匀化。
在动作306处，将激光束划分成多个激光束。图2示出配置成将激光束LB划分成彼此隔开的第一激光束LB1和第二激光束LB2的分束元件220。在一些实施例中，分束元件220使得一半激光束LB穿过并且反射一半激光束LB，使得第一激光束LB1和第二激光束LB2的光强度实质上相同。
在一些实施例中，在动作304之后执行动作306。在一些实施例中，在动作304之前执行动作306。举例来说，首先将从光源210发射的激光束LB划分成第一激光束LB1和第二激光束LB2，接着由第一匀化器和第二匀化器分别使第一激光束LB1和第二激光束LB2均匀化。
在动作308处，将多个激光束塑形成多个图案化光束。图2示出配置成将第一激光束LB1和第二激光束LB2分别地塑形成第一图案化光束PB1和第二图案化光束PB2的图案塑形元件230。在一些实施例中，第一图案化光束PB1和第二图案化光束PB2塑形为具有对应于第一对准标记AM1和第二对准标记AM2的图案。在一些实施例中，第一激光束LB1和第二激光束LB2由衍射光学元件(DOE)来塑形。在一些实施例中，第一激光束LB1和第二激光束LB2由掩模版来塑形。
在动作310处，将多个图案化光束投影到半导体晶片上。图2示出配置成将第一图案化光束PB1和第二图案化光束PB2投影到半导体晶片10上以直接地形成第一对准标记AM1和第二对准标记AM2的投影透镜240。在一些实施例中，第一图案化光束PB1和第二图案化光束PB2烧蚀半导体晶片10，以直接地在半导体晶片10中形成第一对准标记AM1和第二对准标记AM2中的每一个的第一对准线110、第二对准线120以及中心图案130。
鉴于上述内容，使用本公开的实施例的方法，第一对准标记AM1和第二对准标记AM2直接地由单一激光工艺形成。因此，并不需要用于形成对准标记的光刻工艺，所述光刻工艺包含各种程序，例如光刻胶涂布、烘烤、曝光以及显影操作，以及蚀刻和清洁工艺。根据本公开的一些实施例的形成对准标记的方法为无光刻工艺。因此，简化了制造对准标记的工艺并且降低了制造成本。
提供装置和方法以形成对准标记的上述实施例是出于说明目的提供的，并且不理解为限制于本公开。在一些实施例中，提供了装置和方法以形成其他标记，例如晶片标识(identification，ID)。在一些实施例中，通过单一激光曝光和熔融工艺同时制造晶片的对准标记和晶片标识。
根据本公开的一些实施例，一种用于形成对准标记的方法包含以下操作。提供激光束。将激光束划分成彼此隔开的多个激光束。将多个激光束塑形成多个图案化光束，使得多个图案化光束塑形为具有对应于对准标记的图案。将多个图案化光束投影到半导体晶片上。
在一些实施例中，所述方法为无光刻工艺。在一些实施例中，所述多个激光束由掩模版塑形。在一些实施例中，所述多个激光束由衍射光学元件(DOE)塑形。在一些实施例中，还包括：在将所述激光束划分成所述多个激光束之前使所述激光束均匀化。在一些实施例中，在使所述激光束均匀化之后，所述激光束具有平顶强度分布。在一些实施例中，所述多个激光束中的每一个具有实质上相同的光强度。在一些实施例中，还包括：从所述半导体晶片去除副产物。
根据本公开的替代实施例，用于形成对准标记的方法包含以下操作。提供光源以发射激光束。提供分束器以将激光束划分成在不同方向上行进的第一激光束和第二激光束。提供反射元件以重新导向第一激光束和第二激光束中的一个，使得第一激光束和第二激光束在相同方向上行进。提供图案塑形元件以将第一激光束和第二激光束塑形成第一图案化光束和第二图案化光束，其中第一图案化光束和第二图案化光束的图案对应于对准标记。提供投影透镜以将第一图案化光束和第二图案化光束投影到半导体晶片上以直接地形成对准标记。
在一些实施例中，提供所述分束器包括提供掩模版。在一些实施例中，提供所述分束器包括提供衍射光学元件(DOE)。在一些实施例中，还包括：在提供所述分束器以将所述激光束划分成所述第一激光束和所述第二激光束之前提供匀化器以使所述激光束均匀化。在一些实施例中，所述第一激光束的光强度实质上等于所述第二激光束的光强度。在一些实施例中，所述方法为无化学工艺。在一些实施例中，还包括：提供泵以从所述半导体晶片当中去除伴随着所述对准标记形成的副产物。
根据本公开的其他替代实施例，装置包含光源、分束元件、图案塑形元件以及投影透镜。光源配置成发射激光束。分束元件配置成将激光束划分成彼此隔开的多个激光束。图案塑形元件配置成将多个激光束塑形成多个图案化光束。投影透镜配置成将多个图案化光束投影到半导体晶片上以形成多个对准标记。
根据本公开的其他替代实施例，对准标记包含第一对准线的两个集合和第二对准线的两个集合。第一对准线的两个集合布置在第一方向上且对于中心图案对角对称地安置。第二对准线的两个集合布置在与第一方向不同的第二方向上且对于中心图案对角对称地安置。第一对准线和第二对准线具有锥形端部。
在一些实施例中，所述对准标记由无光刻工艺定义。在一些实施例中，所述第一对准线和所述第二对准线具有从其侧壁突出的残余物。在一些实施例中，所述第一对准线和所述第二对准线的所述侧壁的表面粗糙度在约2纳米到约50纳米的范围内。在一些实施例中，所述第一对准线和所述第二对准线中的每一个与衬底之间的夹角在约30度到约75度的范围内。
前文概述若干实施例的特征以使得本领域的技术人员可更好地理解本公开的各个方面。本领域的技术人员应了解，其可轻易地将本公开用作设计或修改用于实现本文中所引入的实施例的相同目的和/或达成相同优势的其他工艺和结构的基础。本领域的技术人员还应认识到，这些等效构造并不脱离本公开的精神和范围，且本领域的技术人员可在不脱离本公开的精神和范围的情况下在本文中进行各种改变、替代以及更改。

Claims (10)

1.一种用于形成对准标记的方法，包括：
提供激光束；
将所述激光束划分成彼此隔开的多个激光束；
将所述多个激光束塑形成多个图案化光束，所述多个图案化光束具有对应于所述对准标记塑形的图案；以及
将所述多个图案化光束投影到半导体晶片上。
2.根据权利要求1所述的用于形成对准标记的方法，其中所述方法为无光刻工艺。
3.根据权利要求1所述的用于形成对准标记的方法，其中所述多个激光束由掩模版塑形。
4.根据权利要求1所述的用于形成对准标记的方法，其中所述多个激光束由衍射光学元件(DOE)塑形。
5.根据权利要求1所述的用于形成对准标记的方法，还包括：
在将所述激光束划分成所述多个激光束之前使所述激光束均匀化。
6.根据权利要求5所述的用于形成对准标记的方法，其中在使所述激光束均匀化之后，所述激光束具有平顶强度分布。
7.一种用于形成对准标记的方法，包括：
提供光源以发射激光束；
提供分束器以将所述激光束划分成在不同方向上行进的第一激光束和第二激光束；
提供反射元件以重新导向所述第一激光束或所述第二激光束中的至少一个，使得所述第一激光束和所述第二激光束在相同方向上行进；
提供图案塑形元件以将所述第一激光束和所述第二激光束塑形成第一图案化光束和第二图案化光束，其中所述第一图案化光束和所述第二图案化光束的图案对应于对准标记；以及
提供投影透镜以将所述第一图案化光束和所述第二图案化光束投影到半导体晶片上以直接地形成所述对准标记。
8.根据权利要求7所述的用于形成对准标记的方法，其中所述方法为无化学工艺。
9.一种对准标记，包括：
第一对准线的两个集合，布置在第一方向上且对于中心图案对角对称地安置；以及
第二对准线的两个集合，布置在与所述第一方向不同的第二方向上且对于所述中心图案对角对称地安置，
其中所述第一对准线和所述第二对准线具有锥形端部。
10.根据权利要求9所述的对准标记，其中所述第一对准线和所述第二对准线具有从其侧壁突出的残余物。
CN202010908840.3A 2019-09-27 2020-09-02 对准标记及用于形成对准标记的方法 Pending CN112578648A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962906747P 2019-09-27 2019-09-27
US62/906,747 2019-09-27
US16/805,837 US11270950B2 (en) 2019-09-27 2020-03-02 Apparatus and method for forming alignment marks
US16/805,837 2020-03-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112578648A true CN112578648A (zh) 2021-03-30

Family

ID=74872971

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010908840.3A Pending CN112578648A (zh) 2019-09-27 2020-09-02 对准标记及用于形成对准标记的方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11270950B2 (zh)
CN (1) CN112578648A (zh)
DE (1) DE102020106465B4 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113655695B (zh) * 2021-09-02 2023-11-07 西华大学 一种基于介质微球超分辨成像的复合光刻对准系统及方法
JP2023147767A (ja) * 2022-03-30 2023-10-13 東レエンジニアリング株式会社 転写方法、及び転写装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5734478A (en) * 1988-10-12 1998-03-31 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
TWI277842B (en) * 2002-09-20 2007-04-01 Asml Netherlands Bv Alignment systems and methods for lithographic systems

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1158043A (ja) * 1997-07-31 1999-03-02 Lsi Logic Corp レーザ・マーキング方法及び装置
TWI282909B (en) 1999-12-23 2007-06-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and a method for manufacturing a device
JP3638250B2 (ja) 2000-10-11 2005-04-13 シャープ株式会社 アライメントマークおよび半導体装置の製造方法
TW563178B (en) * 2001-05-07 2003-11-21 Nikon Corp Optical properties measurement method, exposure method, and device manufacturing method
TWI253682B (en) 2001-05-23 2006-04-21 Asml Netherlands Bv Substrate provided with an alignment mark, method of designing a mask, computer program, mask for exposing said mark, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7220655B1 (en) * 2001-12-17 2007-05-22 Advanced Micro Devices, Inc. Method of forming an alignment mark on a wafer, and a wafer comprising same
JP4015079B2 (ja) 2003-07-18 2007-11-28 株式会社東芝 レチクル、露光装置検査システム、露光装置検査方法及びレチクルの製造方法
KR20060114846A (ko) 2005-05-03 2006-11-08 삼성전자주식회사 초기 정렬 마크가 새겨진 웨이퍼 및 그 형성방법
EP1895570A4 (en) * 2005-05-24 2011-03-09 Nikon Corp EXPOSURE METHOD AND APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
GB2438600B (en) 2006-05-19 2008-07-09 Exitech Ltd Method for patterning thin films on moving substrates
KR100782769B1 (ko) 2006-07-14 2007-12-05 연세대학교 산학협력단 정렬키, 정렬키 형성 방법 및 이를 이용한 레이저 결정화방법
TW201006598A (en) 2008-04-11 2010-02-16 Applied Materials Inc Laser scribe inspection methods and systems
US8524139B2 (en) 2009-08-10 2013-09-03 FEI Compay Gas-assisted laser ablation
GB2512291B (en) * 2013-03-22 2015-02-11 M Solv Ltd Apparatus and methods for forming plural groups of laser beams
KR20140130294A (ko) * 2013-04-30 2014-11-10 주식회사 코윈디에스티 포토마스크 투과율 측정 시스템
CN107092166B (zh) * 2016-02-18 2019-01-29 上海微电子装备（集团）股份有限公司 曝光系统、曝光装置及曝光方法
US10663633B2 (en) 2017-06-29 2020-05-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Aperture design and methods thereof
JP6980562B2 (ja) 2018-02-28 2021-12-15 キヤノン株式会社 パターン形成装置、アライメントマークの検出方法及びパターン形成方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5734478A (en) * 1988-10-12 1998-03-31 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
TWI277842B (en) * 2002-09-20 2007-04-01 Asml Netherlands Bv Alignment systems and methods for lithographic systems

Also Published As

Publication number Publication date
DE102020106465A1 (de) 2021-04-01
US20210098390A1 (en) 2021-04-01
US11270950B2 (en) 2022-03-08
DE102020106465B4 (de) 2021-09-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6357312B2 (ja) 成膜マスクの製造方法及び成膜マスク
JP2657957B2 (ja) 投影装置及び光照射方法
US7146081B2 (en) Waveguide including a plurality of waveguide segments
CN112578648A (zh) 对准标记及用于形成对准标记的方法
US20090098479A1 (en) Exposure method and tool
TW525240B (en) Ultraviolet laser ablative patterning of microstructures in semiconductors
US20100015397A1 (en) Method and tool for patterning thin films on moving substrates
TWI641026B (zh) 用於使用空乏光束形成次微米特徵之反應物的光子活化
KR20180048840A (ko) 막 또는 표면 수정을 위하여 주사 광 빔을 이용하기 위한 장치 및 방법
JP4589788B2 (ja) レーザ照射方法
Fu Integration of microdiffractive lens with continuous relief with vertical-cavity surface-emitting lasers using focused ion beam direct milling
TWI770590B (zh) 對準標記及用於形成對準標記的方法
JP2003227904A (ja) 光学素子の製造方法および光学素子
JP2002026466A (ja) 集光光学系及びレーザ加工機用光源
JP2009210726A (ja) マスクレス露光装置
JPS62278508A (ja) 回折格子の製造方法
JP3656371B2 (ja) 光加工装置
JP2004114065A (ja) レーザ照射装置
JP2006231366A (ja) レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2008105046A (ja) ビーム照射方法、及び、ビーム照射装置
JP4463537B2 (ja) パターン露光装置
CN205507356U (zh) 一种紫外激光光刻装置
JP6331338B2 (ja) 光導波路の製造方法および光導波路の製造装置
US20230002268A1 (en) Laser dicing glass wafers using advanced laser sources
JP2006145781A (ja) 偏向光学素子及びその製造方法並びに光学装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination