CN112553629B - 一种6系铝合金的晶界腐蚀剂及晶粒度显示方法 - Google Patents

一种6系铝合金的晶界腐蚀剂及晶粒度显示方法 Download PDF

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Abstract

本发明属于金属检测技术领域，公开了一种6系铝合金的晶界腐蚀剂及晶粒度显示方法，所述晶界腐蚀剂为碱金属氢氧化物水溶液和硫酸铜水溶液混合制成的悬浮液。本发明采用碱金属氢氧化物水溶液和硫酸铜水溶液混合所得的悬浮液对6系铝合金进行腐蚀，可以达到晶界优先于晶粒发生腐蚀的效果，从而能够完整地显示晶界，满足晶粒度检测的要求，提高6系铝合金的晶粒度评定准确度。

Description

一种6系铝合金的晶界腐蚀剂及晶粒度显示方法
技术领域
本发明属于金属检测技术领域，具体地说，涉及一种6系铝合金的晶界腐蚀剂及晶粒度显示方法。
背景技术
结晶物质在生长过程中，由于受到外界空间的限制，未能发育成具有规则形态的晶体，而只是结晶成颗粒状，成为晶粒。晶粒度表示晶粒大小的尺度，可用晶粒的平均面积或平均直径表示。晶粒的大小对金属的拉伸强度、韧性、塑性等机械性质具有决定性的影响。因此，晶粒度检测在金相分析中具有相当重要的意义。不同晶粒由于取向不同，相互之间形成分界面，即为晶界。通过腐蚀剂使晶界优先于晶粒发生腐蚀，即可显示出样品晶界与晶粒组织，从而进行晶粒度检测。
现有技术中铝合金的晶粒度主要采用NaOH水溶液浸蚀显示或采用HF+HCl+HNO3混合酸浸蚀显示，GB/T3246.1-2012提供的用于显示6系铝合金的晶粒组织的浸蚀剂即为HF+HCl+HNO3混合酸水溶液。但对于一些锰含量较高的6系铝合金，按照GB/T3246.1-2012提供的晶粒度浸蚀方法不能较为清晰的显现出晶粒，评定晶粒度时晶粒与晶界在偏振光下隐约可见，给晶粒度的评级工作带来了困难。
针对上述情况，一般采用电解腐蚀法对合金样品进行处理。其可以在样品的磨面上形成一层厚度不同的薄膜，在偏光下观察时，晶粒因不同的色泽而能够清晰显示。但该方法操作上比较繁复，电解腐蚀时对技巧的要求也较高，不适合大批量样品的检测。
有鉴于此特提出本发明。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于克服现有技术的不足，提供一种6系铝合金的晶界腐蚀剂，所述晶界腐蚀剂使晶界优于晶粒发生腐蚀，使合金的晶界和晶粒组织在显微镜下清晰显示，从而可以准确地对晶粒度进行评定。
为解决上述技术问题，本发明采用技术方案的基本构思是：
一种6系铝合金的晶界腐蚀剂，所述晶界腐蚀剂为碱金属氢氧化物水溶液和硫酸铜水溶液混合制成的悬浮液。
在多晶体中，由于晶粒间的取向不同而形成晶界，晶界上的原子排列是从一个取向过渡到另一个取向，处于过渡状态，原子排列不规则。传统方法中采用碱性溶液，如NaOH水溶液用于6系铝合金腐蚀时，若NaOH浓度较高，会使合金中的晶粒与晶界均发生腐蚀，造成腐蚀过度，无法清晰显示晶界的形貌；而NaOH浓度较低时，腐蚀速率很慢，同样难以显示出清晰的晶界。
上述方案中，采用碱金属氢氧化物水溶液和硫酸铜水溶液混合得到的悬浮液作为晶界腐蚀剂，其用于6系铝合金的腐蚀可以将腐蚀速率控制在合适范围，从而达到晶界优先于晶粒发生腐蚀的效果，进而可以使6系铝合金的晶界清晰完整的显示出来。
进一步地，所述碱金属氢氧化物水溶液与硫酸铜水溶液的体积比为1:0.2～5，优选为1:1～4，更优为1:4。
进一步地，所述硫酸铜水溶液中硫酸铜的质量百分比为2％～10％，优选为5％～10％，更优为5％。
进一步地，所述碱金属氢氧化物水溶液中的碱金属氧化物为氢氧化钠和/或氢氧化钾。
进一步地，所述碱金属氢氧化物水溶液中氢氧化钠和/或氢氧化钾的总质量百分比为5％～20％，优选为10％～20％，更优为10％。
上述方案中，利用碱金属氢氧化物水溶液与硫酸铜水溶液合适的配比，使晶界腐蚀剂对铝合金的腐蚀控制在适当的程度，确保了晶界和晶粒组织的显示效果。
本发明的另一目的是提供一种6系铝合金的晶粒度显示方法，包括采用上述所述的晶界腐蚀剂对6系铝合金进行腐蚀，能够完整地显示晶界，满足晶粒度检测的要求，提高6系铝合金的晶粒度评定准确度。
进一步地，包括如下步骤：
1)对6系铝合金的样品进行研磨，对研磨后的表面进行抛光，得到抛光表面；
2)将所述抛光表面浸入晶界腐蚀剂中进行腐蚀，得到腐蚀表面；
3)去除所述腐蚀表面的腐蚀产物；
4)用无水乙醇冲洗腐蚀表面，吹干。
所述的步骤1)中，可通过机械研磨、自动研磨抛光、机械抛光、电解抛光等制样方法中的一种或多种的组合对样品进行研磨及抛光。
进一步地，所述的步骤2)中，所述抛光表面浸入晶界腐蚀剂中，腐蚀1～20分钟后取出，优选腐蚀1～15分钟，更优腐蚀10分钟；
优选地，所述抛光表面倾斜的浸入晶界腐蚀剂中。
进一步地，控制腐蚀过程中，所述晶界腐蚀剂的温度为18～28℃，优选为23℃；
优选地，通过水浴法控制所述晶界腐蚀剂的温度。
上述方案中，通过控制腐蚀过程中晶界腐蚀剂的温度，可以对腐蚀速度加以控制，温度不宜过高，以免造成过腐蚀现象。通过水浴法对晶界腐蚀剂的温度进行控制，可以使晶界腐蚀剂的温度更加均匀稳定。
进一步地，所述的步骤3)中，用清水冲洗腐蚀表面，将冲洗后的腐蚀表面浸入10％～35％的硝酸溶液中，浸蚀3～8s后取出；
优选地，冲洗后的腐蚀表面浸入30％的硝酸溶液中，浸蚀5s后取出；
更优地，取出后用酒精擦拭腐蚀表面。
上述方案中，当腐蚀表面的腐蚀产物难以去除时，用酒精进行擦拭，而不再进一步延长腐蚀表面浸入硝酸溶液中的时间，避免腐蚀表面长时间浸在硝酸溶液中发生进一步腐蚀，影响晶粒组织的显示效果。
采用上述技术方案后，本发明与现有技术相比具有以下有益效果。
本发明6系铝合金的晶界腐蚀剂及采用该晶界腐蚀剂的晶粒度显示方法，能够在6系铝合金样品的腐蚀表面上完整地显示晶界，满足晶粒度检测的要求，提高6系铝合金的晶粒度评定准确度，减少人为因素对晶粒度评定的影响。
本发明的晶粒度显示方法相比于电解腐蚀法，能够适用于大批量样品的检测，很大程度上提高了晶粒度评定速度。
本发明的晶界腐蚀剂中的成分易于获取，晶界腐蚀剂的配制简单方便。
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的描述。
附图说明
附图作为本发明的一部分，用来提供对本发明的进一步的理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，但不构成对本发明的不当限定。显然，下面描述中的附图仅仅是一些实施例，对于本领域普通技术人员来说，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他附图。在附图中：
图1是本发明实施例1的腐蚀表面的显微图；
图2是本发明实施例2的腐蚀表面的显微图；
图3是本发明实施例3的腐蚀表面的显微图；
图4是本发明实施例4的腐蚀表面的显微图；
图5是本发明实施例5的腐蚀表面的显微图；
图6是本发明实施例6的腐蚀表面的显微图；
图7是本发明实施例7的腐蚀表面的显微图；
图8是本发明实施例8的腐蚀表面的显微图；
图9是本发明实施例9的腐蚀表面的显微图；
图10是本发明实施例10的腐蚀表面的显微图；
图11是本发明对比例1的腐蚀表面的显微图；
图12是本发明对比例2的腐蚀表面的显微图；
图13是本发明对比例3的腐蚀表面的显微图。
需要说明的是，这些附图和文字描述并不旨在以任何方式限制本发明的构思范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本发明的概念。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
实施例1
制备晶界腐蚀剂：
1)配制质量百分比为8％的硫酸铜水溶液；
2)配制质量百分比为10％的氢氧化钠水溶液；
3)将步骤1)和2)中配制的硫酸铜水溶液和氢氧化钠水溶液按照体积比3:7混合得到悬浮液，作为晶界腐蚀剂。
待测样品的制备：
1)对6系铝合金的样品进行研磨，对研磨后的表面进行抛光，得到表面光亮无划痕的抛光表面；
2)将所述抛光表面倾斜的浸入晶界腐蚀剂中进行腐蚀，通过水浴法控制晶界腐蚀剂的温度为23±5℃；
3)腐蚀1分钟后取出，得到腐蚀表面；
4)用清水冲洗腐蚀表面，将冲洗后的腐蚀表面浸入30％的硝酸溶液中，浸蚀5s后取出；
5)用无水乙醇冲洗腐蚀表面，吹干。
实施例2
制备晶界腐蚀剂：
1)配制质量百分比为2％的硫酸铜水溶液；
2)配制质量百分比为10％的氢氧化钾水溶液；
3)将步骤1)和2)中配制的硫酸铜水溶液和氢氧化钾水溶液按照体积比1:1混合得到悬浮液，作为晶界腐蚀剂。
待测样品的制备：
1)对6系铝合金的样品进行研磨，对研磨后的表面进行抛光，得到表面光亮无划痕的抛光表面；
2)将所述抛光表面倾斜的浸入晶界腐蚀剂中进行腐蚀，通过水浴法控制晶界腐蚀剂的温度为23±5℃；
3)腐蚀15分钟后取出，得到腐蚀表面；
4)用清水冲洗腐蚀表面，将冲洗后的腐蚀表面浸入30％的硝酸溶液中，浸蚀5s后取出；
5)用无水乙醇冲洗腐蚀表面，吹干。
实施例3
晶界腐蚀剂的制备与实施例2相同，区别在于制备待测样品时，抛光表面在晶界腐蚀剂中腐蚀20分钟。
实施例4
制备晶界腐蚀剂：
1)配制质量百分比为8％的硫酸铜水溶液；
2)配制质量百分比为15％的氢氧化钾水溶液；
3)将步骤1)和2)中配制的硫酸铜水溶液和氢氧化钾水溶液按照体积比1:1.5混合得到悬浮液，作为晶界腐蚀剂。
待测样品的制备：
1)对6系铝合金的样品进行研磨，对研磨后的表面进行抛光，得到表面光亮无划痕的抛光表面；
2)将所述抛光表面倾斜的浸入晶界腐蚀剂中进行腐蚀，通过水浴法控制晶界腐蚀剂的温度为23±5℃；
3)腐蚀5分钟后取出，得到腐蚀表面；
4)用清水冲洗腐蚀表面，将冲洗后的腐蚀表面浸入30％的硝酸溶液中，浸蚀5s后取出；
5)用无水乙醇冲洗腐蚀表面，吹干。
实施例5
晶界腐蚀剂的制备与实施例4相同，区别在于制备待测样品时，抛光表面在晶界腐蚀剂中腐蚀10分钟。
实施例6
晶界腐蚀剂的制备与实施例4相同，区别在于制备待测样品时，抛光表面在晶界腐蚀剂中腐蚀13分钟。
实施例7
制备晶界腐蚀剂：
1)配制质量百分比为10％的硫酸铜水溶液；
2)配制质量百分比为20％的氢氧化钾水溶液；
3)将步骤1)和2)中配制的硫酸铜水溶液和氢氧化钾水溶液按照体积比3:7混合得到悬浮液，作为晶界腐蚀剂。
待测样品的制备：
1)对6系铝合金的样品进行研磨，对研磨后的表面进行抛光，得到表面光亮无划痕的抛光表面；
2)将所述抛光表面倾斜的浸入晶界腐蚀剂中进行腐蚀，通过水浴法控制晶界腐蚀剂的温度为23±5℃；
3)腐蚀5分钟后取出，得到腐蚀表面；
4)用清水冲洗腐蚀表面，将冲洗后的腐蚀表面浸入30％的硝酸溶液中，浸蚀5s后取出；
5)用无水乙醇冲洗腐蚀表面，吹干。
实施例8
晶界腐蚀剂的制备与实施例7相同，区别在于制备待测样品时，抛光表面在晶界腐蚀剂中腐蚀8分钟。
实施例9
晶界腐蚀剂的制备与实施例7相同，区别在于制备待测样品时，抛光表面在晶界腐蚀剂中腐蚀13分钟。
实施例10
制备晶界腐蚀剂：
1)配制质量百分比为5％的硫酸铜水溶液；
2)配制质量百分比为10％的氢氧化钾水溶液；
3)将步骤1)和2)中配制的硫酸铜水溶液和氢氧化钾水溶液按照体积比1:4混合得到悬浮液，作为晶界腐蚀剂。
待测样品的制备：
1)对6系铝合金的样品进行研磨，对研磨后的表面进行抛光，得到表面光亮无划痕的抛光表面；
2)将所述抛光表面倾斜的浸入晶界腐蚀剂中进行腐蚀，通过水浴法控制晶界腐蚀剂的温度为23±5℃；
3)腐蚀14分钟后取出，得到腐蚀表面；
4)用清水冲洗腐蚀表面，将冲洗后的腐蚀表面浸入30％的硝酸溶液中，浸蚀5s后取出；
5)用无水乙醇冲洗腐蚀表面，吹干。
对比例1
按照GB/T3246.1-2012提供的方法，采用浸蚀剂7号的配方对6系铝合金的样品进行处理，得到待测样品。
对比例2
制备晶界腐蚀剂：
配制质量百分比为10％的氢氧化钾水溶液，作为晶界腐蚀剂。
待测样品的制备：
1)对6系铝合金的样品进行研磨，对研磨后的表面进行抛光，得到表面光亮无划痕的抛光表面；
2)将所述抛光表面倾斜的浸入晶界腐蚀剂中进行腐蚀，通过水浴法控制晶界腐蚀剂的温度为23±5℃；
3)腐蚀5分钟后取出，得到腐蚀表面；
4)用清水冲洗腐蚀表面，将冲洗后的腐蚀表面浸入30％的硝酸溶液中，浸蚀5s后取出；
5)用无水乙醇冲洗腐蚀表面，吹干。
对比例3
制备晶界腐蚀剂：
1)配制质量百分比为5％的硫酸铜水溶液；
2)配制质量百分比为10％的氢氧化钾水溶液；
3)将步骤1)和2)中配制的硫酸铜水溶液和氢氧化钾水溶液按照体积比1:4混合得到悬浮液；
4)将步骤3)所得的悬浮液过滤两次，取滤液作为晶界腐蚀剂。
待测样品的制备：
1)对6系铝合金的样品进行研磨，对研磨后的表面进行抛光，得到表面光亮无划痕的抛光表面；
2)将所述抛光表面倾斜的浸入晶界腐蚀剂中进行腐蚀，通过水浴法控制晶界腐蚀剂的温度为23±5℃；
3)腐蚀12分钟后取出，得到腐蚀表面；
4)用清水冲洗腐蚀表面，将冲洗后的腐蚀表面浸入30％的硝酸溶液中，浸蚀5s后取出；
5)用无水乙醇冲洗腐蚀表面，吹干。
试验例1
采用光学金相显微镜对实施例1-9及对比例1所得的待测样品在偏振光下进行观察照相，所得显微图如图1至图9及图11所示。
从图1至图9可以看出，采用本发明的晶界腐蚀剂对样品的抛光表面进行腐蚀，可以对晶界起到有效地腐蚀效果，使显微图中样品的晶界清晰完整地显示出来，从而能够清晰地显示出样品的晶粒度。而图11所示的，按照GB/T3246.1-2012提供的浸蚀剂7号及方法进行显微组织检验，其中浸蚀剂7号为氢氟酸、盐酸和硝酸的水溶液按一定比例混合所得，没有显示出清晰的晶界，晶粒度在偏振光下几乎不可见，无法满足晶粒度检测的要求。
因此，本发明的晶界腐蚀剂及晶粒度显示方法所得的显微图能够用于6系铝合金的晶粒度评定，可以提高对晶粒度评定的准确度，减少了人为因素对晶粒度评定的影响。
试验例2
采用光学金相显微镜对实施例10及对比例2和对比例3所得的待测样品在偏振光下进行观察照相，所得显微图如图10及图12和图13所示。
图10所示为实施例10中采用本发明的晶界腐蚀剂对6系铝合金样品进行腐蚀所得的显微图。从图中可以观察到样品的部分晶界，说明本发明的晶界腐蚀剂对6系铝合金样品的晶界起到有效地腐蚀效果。
图12所示为对比例2中采用仅含有氢氧化钾的水溶液对6系铝合金样品进行腐蚀所得的显微图。图中未观察到晶界，说明氢氧化钾水溶液不能腐蚀出样品的晶界。
图13所示为对比例3中采用氢氧化钾和硫酸铜溶液混合所得悬浮液过滤后的滤液对6系铝合金样品进行腐蚀所得的显微图，也即与实施例10相比，其采用的晶界腐蚀剂中不含悬浮液中的固相部分。从图中仅可观察到极少量的晶界显示，不能清晰地辨别晶粒，无法满足晶粒度评定的要求。
从本试验例的结果可以看出，单纯氢氧化钾的水溶液和去除了悬浮液中固相的溶液均不能起到对晶界的有效腐蚀，进而无法显示样品的晶界和晶粒组织，得到用于晶粒度评定的显微图。说明本发明方案中，晶界腐蚀剂中的固相，也即氢氧化钾溶液与硫酸铜溶液混合后生成的氢氧化铜沉淀参与了晶界腐蚀剂对6系铝合金样品的腐蚀过程。
关于本发明悬浮液可以腐蚀出6系铝合金中晶界的详细原理尚不明确，根据上述试验结果推测，其腐蚀过程可能如下：
氢氧化钾溶液与硫酸铜溶液混合后生成了絮状氢氧化铜沉淀，由于氢氧化铜在一定浓度的强碱溶液中可以与OH-反应，从而存在一定的溶解性，因此所得悬浮液的液相中除K+、OH-和SO4 2-外，还有少量的铜元素以[Cu(OH)4]2-的形式存在。由于在腐蚀后的样品表面观察到一层铜膜覆盖，推测合金样品浸入晶界腐蚀剂中，合金中的铝、镁等金属单质与液相中的[Cu(OH)4]2-发生置换反应，而晶界由于具有更高的原子能量而优先于晶粒发生反应，从而被腐蚀显示出来。
随着置换反应的进行，液相中的[Cu(OH)4]2-浓度下降，此时悬浮液中的固相氢氧化铜可以继续与OH-反应进一步被溶解，对液相中的[Cu(OH)4]2-进行补充。在整个腐蚀过程中，氢氧化铜沉淀与溶液中的OH-的反应形成化学平衡，使液相中始终存在一定浓度的[Cu(OH)4]2-，进而可以保证腐蚀过程的持续进行。
对比例2的方案中，由于晶界腐蚀剂为纯碱溶液，不存在铜元素，因而不能通过上述置换反应显示样品的晶界和晶粒组织。对比例3的方案中，悬浮液中的絮状氢氧化铜沉淀被过滤除去，仅在液相中有少量的[Cu(OH)4]2-存在，该部分[Cu(OH)4]2-与合金发生置换反应产生腐蚀效果，使得显微图中可以观察到晶界。但由于[Cu(OH)4]2-的含量很低，不足以腐蚀出完整清晰的晶界即被全部消耗掉，因而所得显微图中仅可观察到极少量的晶界。而本申请方案中，采用混合后的悬浮液直接作为晶界腐蚀剂，固相氢氧化铜与液相中OH-的反应形成化学平衡，随着置换反应对[Cu(OH)4]2-的消耗，氢氧化铜继续溶解对[Cu(OH)4]2-进行补充，使液相中的[Cu(OH)4]2-始终维持在一定浓度，从而参与对样品的腐蚀，因而可以使样品的晶界在腐蚀面上清晰完整地显示出来。
以上所述仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专利的技术人员在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述提示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明方案的范围内。

Claims (17)

1.一种6系铝合金的晶界腐蚀剂，其特征在于，所述晶界腐蚀剂为硫酸铜水溶液和碱金属氢氧化物水溶液混合制成的悬浮液；
所述硫酸铜水溶液与碱金属氢氧化物水溶液的体积比为1:1～4；
所述硫酸铜水溶液中硫酸铜的质量百分比为2％～10％；
所述碱金属氢氧化物水溶液中的碱金属氢氧化物为氢氧化钠和/或氢氧化钾，所述碱金属氢氧化物水溶液中氢氧化钠和/或氢氧化钾的总质量百分比为10％～20％。
2.根据权利要求1所述的晶界腐蚀剂，其特征在于，所述硫酸铜水溶液与碱金属氢氧化物水溶液的体积比为1:1.5。
3.根据权利要求1或2所述的晶界腐蚀剂，其特征在于，所述硫酸铜水溶液中硫酸铜的质量百分比为5％～10％。
4.根据权利要求3所述的晶界腐蚀剂，其特征在于，所述硫酸铜水溶液中硫酸铜的质量百分比为8％。
5.根据权利要求1或2所述的晶界腐蚀剂，其特征在于，所述碱金属氢氧化物水溶液中氢氧化钠和/或氢氧化钾的总质量百分比为15％。
6.一种6系铝合金的晶粒度显示方法，其特征在于，包括采用权利要求1-5中任意一项所述的晶界腐蚀剂对6系铝合金进行腐蚀，在腐蚀表面上完整地显示晶界。
7.根据权利要求6所述的晶粒度显示方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)对6系铝合金的样品进行研磨，对研磨后的表面进行抛光，得到抛光表面；
2)将所述抛光表面浸入晶界腐蚀剂中进行腐蚀，得到腐蚀表面；
3)去除所述腐蚀表面的腐蚀产物；
4)用无水乙醇冲洗腐蚀表面，吹干。
8.根据权利要求7所述的晶粒度显示方法，其特征在于，所述的步骤2)中，所述抛光表面浸入晶界腐蚀剂中，腐蚀1～20分钟后取出。
9.根据权利要求8所述的晶粒度显示方法，其特征在于，所述抛光表面浸入晶界腐蚀剂中，腐蚀1～15分钟后取出。
10.根据权利要求9所述的晶粒度显示方法，其特征在于，所述抛光表面浸入晶界腐蚀剂中，腐蚀13分钟后取出。
11.根据权利要求8所述的晶粒度显示方法，其特征在于，所述抛光表面倾斜的浸入晶界腐蚀剂中。
12.根据权利要求8所述的晶粒度显示方法，其特征在于，控制腐蚀过程中，所述晶界腐蚀剂的温度为18～28℃。
13.根据权利要求12所述的晶粒度显示方法，其特征在于，控制腐蚀过程中，所述晶界腐蚀剂的温度为23℃。
14.根据权利要求12所述的晶粒度显示方法，其特征在于，通过水浴法控制所述晶界腐蚀剂的温度。
15.根据权利要求7-14中任意一项所述的晶粒度显示方法，其特征在于，所述的步骤3)中，用清水冲洗腐蚀表面，将冲洗后的腐蚀表面浸入10％～35％的硝酸溶液中，浸蚀3～8s后取出。
16.根据权利要求15所述的晶粒度显示方法，其特征在于，冲洗后的腐蚀表面浸入30％的硝酸溶液中，浸蚀5s后取出。
17.根据权利要求15所述的晶粒度显示方法，其特征在于，取出后用酒精擦拭腐蚀表面。
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