CN112542321A

CN112542321A - 电子组件

Info

Publication number: CN112542321A
Application number: CN202010949248.8A
Authority: CN
Inventors: 池求愿; 卞晚洙; 孙受焕; 安永圭
Original assignee: Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Priority date: 2019-09-20
Filing date: 2020-09-10
Publication date: 2021-03-23
Anticipated expiration: 2040-09-10
Also published as: US20210092847A1; CN112542321B; CN116487188A; KR20190116185A; US11477891B2

Abstract

本公开提供一种电子组件，所述电子组件包括：基板，包括设置在上表面上的电极焊盘；以及多个多层电容器，安装在所述基板上并且包括连接到所述电极焊盘的外电极。所述多个多层电容器之中的至少一个多层电容器是水平堆叠结构的多层电容器。

Description

电子组件

本申请要求于2019年9月20日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0116377号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被包含于此。

技术领域

本公开涉及一种电子组件。

背景技术

多层电容器(作为一种电子组件)利用介电材料制成，并且由于介电材料具有压电性，因此可随施加的电压而同步地变形。

当施加的电压的周期在可听频带内时，这样的位移可变成振动并且可通过焊料传递到基板，并且基板的振动可被体验为声音。这种声音被称为声学噪声。

当装置的操作环境安静时，这样的声学噪声可能作为异常声音被用户感知为装置的故障。

此外，在具有语音电路的装置中，声学噪声可能叠加在语音输出上，使装置的质量降低。

此外，除了由人耳感知的声学噪声之外，当多层电容器的压电振动在20kHz或更高的高频区域中产生时，可能导致用在IT以及工业/电气装置领域中的各种传感器的故障。

发明内容

本公开的一方面在于提供一种能够降低在小于20kHz的可听频率区域中的声学噪声和20kHz或更高的高频振动的电子组件。

根据本公开的一方面，一种电子组件包括：基板，包括设置在上表面上的电极焊盘；以及多个多层电容器，安装在所述基板上并且包括连接到所述电极焊盘的外电极。所述多个多层电容器之中的至少一个多层电容器是具有水平堆叠结构的多层电容器。

在本公开的实施例中，可包括总共四个或更多个多层电容器。

在本公开的实施例中，所述多个多层电容器可在所述基板上以线形式彼此相邻设置。

在本公开的实施例中，所述多个多层电容器的数量可总共为四个。

在本公开的实施例中，所述多个多层电容器之中的设置在所述多个多层电容器的中央部分的两个多层电容器中的一个可以是具有所述水平堆叠结构的多层电容器。

在本公开的实施例中，所述基板以1×4阵列提供四个区域，并且所述多个多层电容器仅分别设置在所述1×4阵列的三个区域中。

在本公开的实施例中，所述多个多层电容器的数量可总共为四个，并且所述多个多层电容器在所述基板上可以以正方形形状彼此相邻设置。

在本公开的实施例中，所述多个多层电容器的数量可总共为四个，并且所述多个多层电容器在所述基板上可以以矩形形式彼此相邻设置。

在本公开的实施例中，所述多个多层电容器可以以2×2阵列设置。

在本公开的实施例中，在所述多个多层电容器中，具有竖直堆叠结构的多层电容器的数量可大于具有水平堆叠结构的多层电容器的数量。

在本公开的实施例中，所述水平堆叠结构可包括相对于所述基板的所述上表面水平地设置并且相对于所述基板的所述上表面在竖直方向上彼此堆叠的内电极。所述竖直堆叠结构可包括相对于所述基板的所述上表面竖直设置并且相对于所述基板的所述上表面在水平方向上彼此堆叠的内电极。例如，“水平堆叠”可意味着内电极平行于安装表面层叠(即，当安装时内电极的主表面面向电路板)，并且“竖直堆叠”可意味着内电极垂直于安装表面层叠(即，当安装时内电极的主表面相对于安装表面面向侧面)。

在本公开的实施例中，所述多个多层电容器中的每个可包括主体和分别设置在所述主体的在第一方向上的两端上的第一外电极和第二外电极。所述主体可包括介电层和内电极，所述内电极交替地设置，并且所述介电层介于所述内电极之间。

在本公开的实施例中，所述外电极可包括：第一头部和第二头部，分别设置在所述多层电容器的所述主体的在所述第一方向上的两个端表面上；以及第一带部和第二带部，分别从所述第一头部和所述第二头部延伸到所述主体的上表面和下表面的一部分以及两个侧表面的一部分。

在本公开的实施例中，所述水平堆叠结构可包括相对于所述基板的所述上表面水平地设置并且相对于所述基板的所述上表面在竖直方向上彼此堆叠的内电极。

根据本公开的一方面，一种电子组件包括：基板，包括设置在上表面上的电极焊盘；以及多个多层电容器，安装在所述基板上并且包括连接到所述电极焊盘的外电极。所述多个多层电容器可包括各自具有竖直堆叠结构的一个或更多个多层电容器和各自具有水平堆叠结构的一个或更多个多层电容器。所述水平堆叠结构可包括相对于所述基板的所述上表面水平设置并且相对于所述基板的所述上表面在竖直方向上彼此堆叠的内电极。所述竖直堆叠结构可包括相对于所述基板的所述上表面竖直设置并且相对于所述基板的所述上表面在水平方向上彼此堆叠的内电极。

在本公开的实施例中，所述多个多层电容器可设置成1×N(N≥3)阵列。

在本公开的实施例中，所述多个多层电容器可设置成1×4阵列。

在本公开的实施例中，所述多个多层电容器可设置成2×2阵列。

附图说明

通过下面结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和其他优点将被更清楚地理解，在附图中：

图1是应用于本公开的实施例的具有水平堆叠结构的第一多层电容器的示意性透视图；

图2A和2B是分别示出应用于图1的第一多层电容器的第一内电极和第二内电极的平面图；

图3是沿着图1的线I-I'截取的截面图；

图4A和图4B是分别示出应用于本公开的实施例的具有竖直堆叠结构的第二多层电容器中的第三内电极和第四内电极的平面图；

图5是第二多层电容器的截面图；

图6是示出根据本公开的实施例的电子组件的示意性结构的透视图；

图7是概念性示出具有多个竖直堆叠结构的第一多层电容器以直线形式设置的比较示例的电子组件的示意图；

图8至图14是概念性示出本公开的多个多层电容器以直线形式设置的电子组件的各种实施例的示意图；

图15是概念性示出多个水平堆叠结构的第二多层电容器以直线形式设置的比较示例的电子组件的示意图；

图16是示出根据本公开的另一实施例的电子组件的示意性结构的透视图；

图17是概念性示出具有多个竖直堆叠结构的第一多层电容器以正方形形式设置的比较示例的电子组件的示意图；

图18至图21是概念性示出本公开的多个多层电容器以正方形形式设置的电子组件的各种实施例的示意图；以及

图22是概念性示出多个水平堆叠结构的第二多层电容器以正方形形式设置的比较示例的电子组件的示意图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图如下描述本公开的实施例。

然而，本公开可以以许多不同的形式例示，并且不应被解释为局限于在此阐述的具体实施例。

更确切地，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，并且将本公开的范围充分地传达给本领域技术人员。

因此，为了描述的清楚，可夸大附图中的元件的形状和尺寸，并且在附图中由相同的附图标记指示的元件为相同的元件。

此外，在所有附图中，对于具有类似功能的部件使用相同的附图标记。

在整个说明书中，除非另有具体说明，否则当组件被称为“包括”或“包含”时，意味着其也可包括其他组件，而不排除其他组件。

当定义方向以清楚地描述本公开的实施例时，附图中示出的X、Y和Z分别指示多层电容器的长度方向、宽度方向和厚度方向。

图1是应用于本公开的实施例的具有水平堆叠结构的第一多层电容器的示意性透视图，图2A和图2B是分别示出应用于图1的第一多层电容器的第一内电极和第二内电极的平面图，并且图3是沿着图1的线I-I'截取的截面图。

首先，参照图1，将描述应用于本实施例的电子组件的第一多层电容器的结构。

一起参照图1和图3，本实施例的第一多层电容器100包括主体110以及第一外电极131和第二外电极132，第一外电极131和第二外电极132分别设置在主体110的在X方向(第一方向)上的两个端部上。

主体110通过在Z方向上层叠多个介电层111然后烧制多个介电层111而形成，并且主体110的相邻介电层111之间的边界可一体化，使得在不使用扫描电子显微镜(SEM)的情况下可能难以确认该边界。

此外，主体110包括多个介电层111以及具有不同极性的第一内电极121和第二内电极122，第一内电极121和第二内电极122在Z方向上交替设置，并且介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间。

此外，主体110可包括：有效区，用作有助于电容器的电容形成的部分；以及覆盖区112和113，分别作为边缘部分设置在有效区的在Z方向上的上部和下部。

虽然主体110的形状没有特别限制，但其可以是六面体形状。主体110可具有在Z方向上彼此相对的第一表面1和第二表面2、连接到第一表面1和第二表面2并在X方向上彼此相对的第三表面3和第四表面4以及连接到第一表面1和第二表面2、连接到第三表面3和第四表面4并在Y方向上彼此相对的第五表面5和第六表面6。

介电层111可以包括陶瓷粉末，例如，BaTiO₃基陶瓷粉末等。

BaTiO₃基陶瓷粉末可以是例如钙(Ca)、锆(Zr)等部分固溶在BaTiO₃中的(Ba_1-xCa_x)TiO₃、Ba(Ti_1-yCa_y)O₃、(Ba_1-xCa_x)(Ti_1-yZr_y)O₃、Ba(Ti_1-yZr_y)O₃等，并且本公开不限于此。

此外，陶瓷添加剂、有机溶剂、增塑剂、粘合剂、分散剂等还可与陶瓷粉末一起添加到介电层111。

陶瓷添加剂可以是例如过渡金属氧化物或过渡金属碳化物、稀土元素、镁(Mg)、铝(Al)等。

本实施例的第一多层电容器100具有水平堆叠结构，并且第一内电极121和第二内电极122是施加有不同极性的电极，并且可形成在沿Z方向层压的介电层111上。第一内电极121和第二内电极122可在主体110中交替地设置为彼此相对，并且介电层111在Z方向上介于第一内电极121和第二内电极122之间。

在这种情况下，第一内电极121和第二内电极122可通过设置在中间位置的介电层111而彼此电绝缘。

第一内电极121的一端和第二内电极122的一端可分别通过主体110的第三表面3和第四表面4暴露。

通过主体110的第三表面3和第四表面4交替暴露的第一内电极121的端部和第二内电极122的端部可分别连接到设置在主体110的在X方向上的两个端部处的第一外电极131和第二外电极132(稍后将描述)，并且可为电连接。

根据上述构造，当对第一外电极131和第二外电极132施加预定电压时，在第一内电极121和第二内电极122之间累积电荷。

在这种情况下，第一多层电容器100的电容与第一内电极121和第二内电极122的在有效区中沿Z方向彼此重叠的重叠面积成比例。

此外，用于形成第一内电极121和第二内电极122的材料没有特别限制，并且可以是贵金属材料(诸如，铂(Pt)、钯(Pd)、钯-银(Pd-Ag)合金等)或者是利用镍(Ni)和铜(Cu)中的一种或更多种材料形成的导电膏。

在这种情况下，可使用丝网印刷法、凹版印刷法等作为导电膏的印刷方法，但本公开不限于此。

第一外电极131和第二外电极132可被提供有不同极性的电压，可设置在主体110在X方向上的两个端部处，并且可分别连接到第一内电极121的暴露的端部和第二内电极122的暴露的端部以进行电连接。

第一外电极131可包括第一头部131a和第一带部131b。

第一头部131a可设置在主体110的第三表面3上，并且可用于使第一内电极121和第一外电极131彼此电连接，第一头部131a与第一内电极121的通过主体110的第三表面3暴露于外部的端部相接触。

第一带部131b可以是从第一头部131a延伸到主体110的第一表面1的一部分、第二表面2的一部分、第五表面5的一部分和第六表面6的一部分的部分。

第二外电极132可包括第二头部132a和第二带部132b。

第二头部132a可设置在主体110的第四表面4上，并且可用于使第二内电极122和第二外电极132彼此电连接，第二头部132a与第二内电极122的通过主体110的第四表面4暴露于外部的端部相接触。

第二带部132b是从第二头部132a延伸到主体110的第一表面1的一部分、第二表面2的一部分、第五表面5的一部分和第六表面6的一部分的部分，以提高固定强度等。

另外，第一外电极131和第二外电极132还可包括镀层。

镀层可包括：第一镍(Ni)镀层和第二镍(Ni)镀层，分别作为第一外电极131的表面和第二外电极132的表面；以及第一锡(Sn)镀层和第二锡(Sn)镀层，分别覆盖第一镍镀层和第二镍镀层。

图4A和图4B是分别示出应用于本公开的实施例的具有竖直堆叠结构的第二多层电容器中的第三内电极和第四内电极的平面图，并且图5是第二多层电容器的截面图。

这里，将不详细描述与上述实施例的结构类似的部分(例如，形成第三外电极231和第四外电极232的结构)以避免重复，并且将基于此详细示出和描述具有与上述实施例的结构不同的结构的第三内电极221和第四内电极222。

参照图4A至图5，在本实施例的具有竖直堆叠结构的第二多层电容器200中，主体210包括多个介电层211以及具有不同极性的第三内电极221和第四内电极222，第三内电极221和第四内电极222在Y方向上交替设置并且介电层211介于第三内电极221和第四内电极222之间。

第三内电极221和第四内电极222是施加有不同极性的电极，可形成在介电层211上并在Y方向上堆叠，并且可在主体210内部交替地设置为在Y方向上彼此相对，并且介电层211介于第三内电极221和第四内电极222之间。

第三外电极231可包括连接到第三内电极221的第三头部231a以及从第三头部231a延伸到主体210的第二表面的一部分、第五表面的一部分和第六表面的一部分的第三带部231b。

第四外电极232可包括连接到第四内电极222的第四头部232a以及从第四头部232a延伸到主体210的第二表面的一部分、第五表面的一部分和第六表面的一部分的第四带部232b。

本公开的电子组件包括：基板，包括设置在其上表面上的多个电极焊盘；以及多个多层电容器，安装成将外电极连接到电极焊盘。至少一个多层电容器变成具有竖直堆叠结构的第二多层电容器。

在这种情况下，优选地，在多个多层电容器中，具有水平堆叠结构的第一多层电容器的数量可小于竖直堆叠型的第二多层电容器的数量。

此外，包括在电子组件中的多层电容器的总数优选可为四个或更多个。

图6是示出根据本公开的实施例的电子组件的示意性结构的透视图。

此外，本实施例的电子组件可包括基板310、具有水平堆叠结构的一个第一多层电容器100和具有竖直堆叠结构的三个第二多层电容器200，一个第一多层电容器100安装在基板310的上表面上，三个第二多层电容器200也安装在基板310的上表面上。

此外，在本实施例中，多个多层电容器可在基板上以线形式彼此相邻设置。

在这种情况下，第一多层电容器100和多个第二多层电容器200可以以线形式沿Y方向设置在基板310上。

在本实施例中，一个第一多层电容器100可设置在图中的顶部，并且三个第二多层电容器200可并排设置在第一多层电容器100下方。

在这种情况下，第一电极焊盘321和第二电极焊盘322可在X方向上以预定间隔分别形成在基板310上。

此外，多个第二多层电容器200的第三外电极231和第一多层电容器100的第一外电极131可以以预定间隔设置在第一电极焊盘321上并连接到第一电极焊盘321。

此外，多个第二多层电容器200的第四外电极232和第一多层电容器100的第二外电极132可以以预定间隔设置在第二电极焊盘322上并连接到第二电极焊盘322。

可选地，设置在基板310的中央部分的两个多层电容器中的一个可以是具有水平堆叠结构的第一多层电容器100。

本实施例的电子组件可变型为具有各种布置结构。

例如，在图8中所示的视图中从顶部到底部，第二多层电容器200可以以第一顺序设置，第一多层电容器100可以以第二顺序设置，并且第二多层电容器200可以第三顺序和第四顺序设置。

可选地，在图9中所示的视图中从顶部到底部，第一多层电容器100可分别以第一顺序和第二顺序设置，并且第二多层电容器200可分别以第三顺序和第四顺序设置。

可选地，在图10中所示的视图中从顶部到底部，第一多层电容器100可分别以第一顺序和第三顺序设置，并且第二多层电容器200可分别以第二顺序和第四顺序设置。

可选地，在图11中所示的视图中从顶部到底部，第一多层电容器100可分别以第一顺序和第四顺序设置，并且第二多层电容器200可分别以第二顺序和第三顺序设置。

可选地，在图12中所示的视图中从顶部到底部，第一多层电容器100可分别以第二顺序和第三顺序设置，并且第二多层电容器200可分别以第一顺序和第四顺序设置。

可选地，在图13中所示的视图中从顶部到底部，第一多层电容器100可分别以第一顺序、第二顺序和第三顺序设置，并且第二多层电容器200可以以第四顺序设置。

可选地，在图14中所示的视图中从顶部到底部，第一多层电容器100可分别以第一顺序、第二顺序和第四顺序设置，并且第二多层电容器200可以以第三顺序设置。

下表1示出了比较示例和本公开的各种示例的声学噪声的比较。

REF是一个第一多层电容器，比较示例1表示仅包括具有图7中所示的竖直堆叠结构的第二多层电容器的电子组件，并且比较示例2表示仅包括具有图15中所示的水平堆叠结构的第一多层电容器的电子组件。

此外，示例1表示图6中所示的结构，示例2表示图8中所示的结构，示例3表示图9中所示的结构，示例4表示图10中所示的结构，示例5表示图11中所示的结构，示例6表示图12中所示的结构，示例7表示图13中所示的结构，并且示例8表示图14中所示的结构。

[表1]

*CE1和CE2：比较示例

参照表1，在表示仅包括具有竖直堆叠结构的第二多层电容器的电子组件的比较示例1中，声学噪声的平均值为31.2dB。

在表示仅包括具有水平堆叠结构的第一多层电容器的电子组件的比较示例2中，声学噪声的平均值为39.7dB，其远高于比较示例1的声学噪声的平均值。

也就是说，总体而言，可以看出具有水平堆叠结构的第一多层电容器的压电振动比具有竖直堆叠结构的第二堆叠电容器的压电振动高，因此声学噪声也高。

在包括具有水平堆叠结构的一个第一多层电容器的示例1和示例2中，可以看出声学噪声的平均值分别为20.9dB和18.3dB，其低于比较示例2的声学噪声的平均值和比较示例1的声学噪声的平均值。

示例1表示第一多层电容器设置为在上端处与一个第二多层电容器相邻，并且示例2表示第一多层电容器设置为在中央处与两个第二多层电容器上下相邻。在示例2中，由于物理波偏移效应大于示例1的物理波偏移效应，因此确定声学噪声进一步减小。

在包括具有水平堆叠结构的两个第一多层电容器的示例3至示例6中，示例3的声学噪声的平均值为30.3dB，示例4的声学噪声的平均值为30.3dB，示例5的声学噪声的平均值为29dB，并且示例6的声学噪声的平均值为31.8dB。

因此，在示例3至示例5中，声学噪声的平均值低于比较示例1和比较示例2的声学噪声的平均值，但在示例6中，声学噪声的平均值高于比较示例1的声学噪声的平均值，同时声学噪声的平均值低于比较示例2的声学噪声的平均值。

此外，即使在示例3至示例5中，声学噪声的平均值与比较示例1相比也未显示出大的差异。

在包括具有水平堆叠结构的三个第一多层电容器的示例7和示例8中，示例7的声学噪声的平均值为36.6dB，并且示例8的声学噪声的平均值为35.7dB。

因此，在示例7和示例8中，声学噪声的平均值低于比较示例2的声学噪声的平均值，但高于比较示例1的声学噪声的平均值。

结果，在形成以行设置的多个多层电容器的电子组件时，当包括第一多层电容器和第二多层电容器两者时，可以看出声学噪声低于仅包括第二多层电容器的电子组件的声学噪声。

在这种情况下，优选地，第二多层电容器的数量可大于第一多层电容器的数量。

另外，在本公开中，四个多层电容器可以以线形式设置，并且空的空间可设置在彼此相邻的多层电容器的中间，或者电子组件可被配置为仅包括三个多层电容器的结构，而不在图中的在Y方向上的端部中的一个端部处安装多层电容器。

例如，多个多层电容器可设置在1×4阵列中，并且其一个区域可以是其中没有设置多层电容器的空间部分。

在这种情况下，优选地，当仅包括一个第一多层电容器时，可更有效地降低声学噪声。

图16是示出根据本公开的另一实施例的电子组件的示意性结构的透视图。

这里，由于第一多层电容器100和第二多层电容器200的结构与上述实施例的结构相似，因此省略其详细描述以避免重复，并且将基于此详细描述具有与上述实施例不同的结构的基板以及第一多层电容器和第二多层电容器的布置结构。

参照图16，本实施例的电子组件可包括四个多层电容器。

此外，电子组件可包括：基板410，具有在X方向上以预定间隔设置在其一个表面上的第三电极焊盘421、第四电极焊盘422和第五电极焊盘423；一个第一多层电容器100，具有安装在基板410的上表面上的水平堆叠结构；以及三个第二多层电容器200，具有安装在基板410的上表面上的竖直堆叠结构。

此外，多个第二多层电容器200和第一多层电容器100可以以2×2的阵列设置，并且可以以正方形形式设置在基板410上。

在本实施例中，一个第一多层电容器100可设置在图中的左上侧，并且总共三个第二多层电容器200可分别设置在右上侧和下侧，以整体上具有正方形形式或矩形形式。

此外，第三电极焊盘421、第四电极焊盘422和第五电极焊盘423可分别形成为线形式。

在这种情况下，第一多层电容器100的第一外电极131与左下侧的第二多层电容器200的第三外电极231设置为连接到第三电极焊盘421。

在这种情况下，第一多层电容器的第二外电极132、右上侧的第二多层电容器200的第三外电极231、左下侧的第二多层电容器200的第四外电极232和右下侧的第二多层电容器200的第三外电极231设置为连接到第四电极焊盘422。

右上侧的第二多层电容器200的第四外电极232和右下侧的第二多层电容器200的第四外电极232设置为连接到第五电极焊盘423。

本实施例的电子组件可变型为各种布置结构。

例如，如图18中所示，两个第一多层电容器100可设置在上部，并且两个第二多层电容器200可设置在下部。

可选地，如图19中所示，两个第一多层电容器100可设置在左侧，并且两个第二多层电容器200可设置在右侧。

可选地，如图20中所示，第一多层电容器100可分别设置在左上侧和右下侧，并且第二多层电容器200可分别设置在右上侧和左下侧。

可选地，如图21中所示，第一多层电容器100可分别设置在左上侧、右上侧和左下侧，并且第二多层电容器200可设置在右下侧。

下表2示出了比较示例与本公开的各种示例的声学噪声之间的比较。

比较示例3表示仅包括图17中所示的具有竖直堆叠结构的第二多层电容器的电子组件，并且比较示例4表示仅包括图22中所示的具有水平堆叠结构的第一多层电容器的电子组件。

此外，示例9表示图16中所示的结构，示例10表示图18中所示的结构，示例11表示图19中所示的结构，示例12表示图20中所示的结构，示例13表示图21中所示的结构。

[表2]

*CE3和CE4：比较示例

参照表2，在表示仅包括具有竖直堆叠结构的第二多层电容器的电子组件的比较示例3中，声学噪声的平均值为30.6dB。

此外，在表示仅包括具有水平堆叠结构的第一多层电容器的电子组件的比较示例4中，声学噪声的平均值为40.6dB，其远高于比较示例3的声学噪声的平均值。

也就是说，总体而言，可以看出具有水平堆叠结构的第一多层电容器的压电振动比具有竖直堆叠结构的第二多层电容器的压电振动高，因此声学噪声也高。

此外，在包括具有水平堆叠结构的一个第一多层电容器的示例9中，声学噪声的平均值为18.7dB，其低于比较示例2的声学噪声的平均值和比较示例1的声学噪声的平均值。

在包括具有水平堆叠结构的两个第一多层电容器的示例10至示例12中，示例10的声学噪声的平均值为31.4dB，并且示例11的声学噪声的平均值为31.9dB，并且示例12的声学噪声的平均值为31.6dB。

因此，在示例10至示例12中，声学噪声的平均值低于比较示例4的声学噪声的平均值，但高于比较示例3的声学噪声的平均值。

在包括具有水平堆叠结构的三个第一多层电容器的示例13中，声学噪声的平均值为37.3dB。

在示例13中，声学噪声的平均值低于比较示例4，但高于比较示例3的声学噪声的平均值。

结果，在使用多个多层电容器形成矩形形状的电子组件时，当包括第一多层电容器和第二多层电容器两者时，可以看出与仅包括第二多层电容器的电子组件相比，声学噪声减小。

此外，在本公开中，四个多层电容器可设置成矩形形状(例如，2×2的阵列)，但电子组件可被构造成包括三个多层电容器和一个空白的结构，而在四个区域中的一个区域中不安装多层电容器。

此外，在本公开中，四个多层电容器可设置成正方形形状，但电子组件可构造成包括三个多层电容器和一个空白的结构，而在四个区域中的一个区域中不安装多层电容器。

总体而言，已知的是，在安装在基板上时，具有竖直堆叠结构的多层电容器比具有水平堆叠结构的多层电容器产生更少的声学噪声。

然而，在本实施例中，通过包括基板和多个多层电容器来构造电子组件，多层电容器中的至少一个被构造为具有水平堆叠结构的多层电容器，并且剩余的多层电容器是具有竖直堆叠结构的多层电容器。

因此，在彼此相邻的具有水平堆叠结构的多层电容器和具有竖直堆叠结构的多层电容器中产生的振动可因物理波偏移效应而减小，并且在安装在基板上时减小多层电容器的传递到基板的压电振动的量。结果，与仅包括具有竖直堆叠结构的多个多层电容器的电子组件相比，可进一步降低声学噪声。

为了实现这种声学噪声降低效果，多个多层电容器在基板上优选地设置成线的形式，或者四个多层电容器在基板上以正方形形式彼此相邻设置。

如以上所阐述的，根据本公开的实施例，在包括彼此相邻设置的多个多层电容器的电子组件中，至少一个多层电容器可构造为具有水平堆叠型结构的多层电容器，使得电子组件的在小于20kHz的可听频率区域中的声学噪声和20kHz或更高的高频振动可减小。

然而，本公开的各种和有利的优点和效果不限于以上描述，并且将在阅读本公开的具体实施例的过程中更容易理解。

虽然上面已经示出和描述了示例性实施例，但是对于本领域技术人员将显而易见的是，在不脱离由所附权利要求限定的本公开的精神和范围的情况下，可进行修改和变型。

Claims

1.一种电子组件，包括：

基板，包括设置在上表面上的电极焊盘；以及

多个多层电容器，安装在所述基板上并且包括连接到所述电极焊盘的外电极，

其中，所述多个多层电容器之中的至少一个多层电容器是具有水平堆叠结构的多层电容器。

2.根据权利要求1所述的电子组件，其中，包括总共四个或更多个多层电容器。

3.根据权利要求1所述的电子组件，其中，所述多个多层电容器在所述基板上以线形式彼此相邻设置。

4.根据权利要求3所述的电子组件，其中，所述多个多层电容器的数量总共为四个。

5.根据权利要求3所述的电子组件，其中，所述多个多层电容器之中的设置在所述多个多层电容器的中央部分的两个多层电容器中的一个是具有所述水平堆叠结构的多层电容器。

6.根据权利要求1所述的电子组件，其中，所述基板以1×4阵列提供四个区域，并且所述多个多层电容器仅分别设置在所述1×4阵列的三个区域中。

7.根据权利要求1所述的电子组件，其中，所述多个多层电容器的数量总共为四个，并且所述多个多层电容器在所述基板上以正方形形式彼此相邻设置。

8.根据权利要求1所述的电子组件，其中，所述多个多层电容器的数量总共为四个，并且所述多个多层电容器在所述基板上以矩形形式彼此相邻设置。

9.根据权利要求1所述的电子组件，其中，所述多个多层电容器以2×2阵列设置。

10.根据权利要求1所述的电子组件，其中，所述多个多层电容器之中的具有竖直堆叠结构的多层电容器的数量大于所述多个多层电容器之中的具有水平堆叠结构的多层电容器的数量。

11.根据权利要求10所述的电子组件，其中，所述水平堆叠结构包括相对于所述基板的所述上表面水平地设置并且相对于所述基板的所述上表面在竖直方向上彼此堆叠的内电极，并且

所述竖直堆叠结构包括相对于所述基板的所述上表面竖直设置并且相对于所述基板的所述上表面在水平方向上彼此堆叠的内电极。

12.根据权利要求1所述的电子组件，其中，所述多个多层电容器中的每个包括主体和分别设置在所述主体的在第一方向上的两端上的所述外电极，并且

所述主体包括介电层和内电极，所述内电极交替地设置，并且所述介电层介于所述内电极之间。

13.根据权利要求12所述的电子组件，其中，所述外电极包括：

第一头部和第二头部，分别设置在所述多层电容器的所述主体的在所述第一方向上的两个端表面上；以及

第一带部和第二带部，分别从所述第一头部和所述第二头部延伸到所述主体的上表面和下表面的一部分以及两个侧表面的一部分。

14.根据权利要求1所述的电子组件，其中，所述水平堆叠结构包括相对于所述基板的所述上表面水平地设置并且相对于所述基板的所述上表面在竖直方向上彼此堆叠的内电极。