CN112530694A - 多层陶瓷电子组件 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层以及设置为在第三方向上堆叠的第一内电极和第二内电极，且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间；以及第一外电极和第二外电极，分别设置在所述陶瓷主体的第三表面和第四表面上。所述第一外电极包括设置为与所述陶瓷主体接触且具有第一导电金属的第一基础电极和设置在所述第一基础电极上且具有第二导电金属的第一导电层，所述第二外电极包括设置为与所述陶瓷主体接触且具有所述第一导电金属的第二基础电极和设置在所述第二基础电极上且具有所述第二导电金属的第二导电层，并且所述第一导电层和所述第二导电层均具有10.0μm或更大的平均表面粗糙度。

Description

多层陶瓷电子组件

本申请要求于2019年9月19日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0115392号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种多层陶瓷电子组件。

背景技术

近年来，随着电子产品小型化的趋势，也要求多层陶瓷电子组件小型化并具有高容量。根据对多层陶瓷电子组件的小型化和大容量的需求，多层陶瓷电子组件的外电极也变得更薄。

为了形成外电极，通常，通过将玻璃、基体树脂、有机溶剂等与导电金属混合来制备外电极膏，将外电极膏涂覆到陶瓷主体的两个端表面，然后烧结陶瓷主体并烧结外电极中的金属。所述外电极膏可使用导电金属为主要材料以用于确保芯片气密性以及确保与芯片的电连接性，并通过使用玻璃作为辅助材料来填充在金属的在烧结收缩期间的空的空间，同时，提供外电极与芯片之间的结合力。

然而，随着多层陶瓷电子组件已经小型化及容量的增加，通常应用如下设计：增加内电极的层叠层的数量来确保电容，并且因此减小上覆盖层和下覆盖层的厚度。因此，当形成外电极时，其厚度更薄，并且当应用具有多层结构的外电极时，外电极的每层的厚度更薄。

应用了具有多层结构的外电极的多层陶瓷电子组件可能具有易受外部物理和化学冲击的结构，并且是由于机械强度降低而导致产品质量劣化的主要原因。

发明内容

本公开的一方面在于提供一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件通过提高按顺序堆叠的多层结构的外电极之间的结合力来提高机械强度，即使在外电极形成为较薄的情况下也能够防止外电极之间的诸如抬升、分层等的缺陷。

根据本公开的一方面，一种多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层以及设置为在第三方向上堆叠的第一内电极和第二内电极且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，并且所述陶瓷主体具有在第一方向上相对的第三表面和第四表面、在第二方向上相对的第五表面和第六表面以及在所述第三方向上相对的第一表面和第二表面；以及第一外电极和第二外电极，分别设置在所述陶瓷主体的所述第三表面和所述第四表面上。所述第一外电极可包括第一基础电极和第一导电层，所述第一基础电极设置为与所述陶瓷主体接触并且具有第一导电金属，所述第一导电层设置在所述第一基础电极上并且具有第二导电金属，所述第二外电极可包括第二基础电极和第二导电层，所述第二基础电极设置为与所述陶瓷主体接触并且具有所述第一导电金属，所述第二导电层设置在所述第二基础电极上并且具有所述第二导电金属。所述第一导电层和所述第二导电层均可具有10.0μm或更大的平均表面粗糙度(Ra)。

根据本公开的一方面，一种多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括第一内电极和第二内电极以及介电层，所述介电层设置在所述第一内电极和所述第二内电极之间；以及外电极，设置在所述陶瓷主体上并且连接到所述第一内电极和所述第二内电极中的一者。所述外电极包括基础电极和导电层，所述基础电极与所述陶瓷主体接触并且具有第一导电金属，所述导电层设置在所述基础电极上并且具有第二导电金属。所述导电层的与所述基础电极接触的内表面的平均表面粗糙度以及所述导电层的与所述内表面相对的外表面的平均表面粗糙度均比所述基础电极的与所述陶瓷主体接触的表面的平均表面粗糙度大。

附图说明

通过以下结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征及优点将被更清楚地理解，在附图中：

图1是示出根据本公开的实施例的多层陶瓷电子组件的示意性透视图；

图2是示出图1的陶瓷主体的示意性透视图；

图3是沿图1的线I-I′截取的截面图；

图4是图3的A区域的放大图；以及

图5是图3的B区域的放大图。

具体实施方式

在下文中，现将参照附图详细描述本公开的实施例。然而，本公开可以以许多不同的形式例示，并且不应被解释为限于在此所阐述的具体实施例。更确切的说，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本公开的范围。在附图中，为了清楚，可夸大元件的形状和尺寸。此外，在附图中，在本发明构思的相同范围内具有相同功能的元件将由相同的附图标记表示。

在附图中，将省略不相关的描述以清楚地描述本公开，并且为了清楚地表达多个层和区域，可放大厚度。在相同概念的范围内具有相同功能的相同元件将使用相同的附图标记来描述。在整个说明书中，除非另有具体说明，否则当组件被称为“包括”或“包含”时，这意味着该组件也可包括其它组件，而不排除其它组件。

在附图中，X方向可被定义为第一方向、L方向或长度方向，Y方向可被定义为第二方向、W方向或宽度方向，Z方向可被定义为第三方向、T方向或厚度方向。

在下文中，将参照图1至图5详细描述根据本公开的实施例的多层陶瓷电子组件。

参照图1至图5，根据本公开的实施例的多层陶瓷电子组件100可包括陶瓷主体110以及第一外电极131和第二外电极132。陶瓷主体110包括介电层111以及第一内电极121和第二内电极122，第一内电极121和第二内电极122设置为在第三方向(Z方向)上堆叠且介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间，并且陶瓷主体110具有在第一方向(X方向)上相对的第三表面S3和第四表面S4、在第二方向(Y方向)上相对的第五表面S5和第六表面S6以及在第三方向(Z方向)上相对的第一表面S1和第二表面S2。第一外电极131和第二外电极132分别设置在陶瓷主体110的第三表面S3和第四表面S4上。第一外电极131可包括第一基础电极131a和第一导电层131b，第一基础电极131a设置为与陶瓷主体110接触且具有第一导电金属，第一导电层131b设置在第一基础电极131a上且具有第二导电金属；第二外电极132可包括第二基础电极132a和第二导电层132b，第二基础电极132a设置为与陶瓷主体110接触且具有第一导电金属，第二导电层132b设置在第二基础电极132a上且具有第二导电金属。在这种情况下，第一导电层131b和第二导电层132b可具有10.0μm或更大的平均表面粗糙度(Ra)。

在本说明书中，表面的平均表面粗糙度(Ra)可以是使用光学表面轮廓仪(诸如Zyro公司的7300光学表面轮廓仪)测量的值或者是使用Mitutoyo公司的表面粗糙度测量仪SV-3200测量的值。根据本公开的多层陶瓷电子组件的第一导电层131b和第二导电层132b的平均表面粗糙度(Ra)的上限值不限于此，而可以是例如100μm或更小。当第一导电层131b和第二导电层132b的平均表面粗糙度(Ra)满足上述范围时，如下所述，可改善与第一基础电极131a和第二基础电极132a的接触，并且可提高与第一端子电极131c和第二端子电极132c的结合力。第一导电层131b的与第一基础电极131a接触的内表面的平均表面粗糙度以及第一导电层131b的与其内表面相对的外表面的平均表面粗糙度均可大于第一基础电极131a的与陶瓷主体110接触的表面的平均表面粗糙度。第二导电层132b的与第二基础电极132a接触的内表面的平均表面粗糙度以及第二导电层132b的与其内表面相对的外表面的平均表面粗糙度均可大于第二基础电极132a的与陶瓷主体110接触的表面的平均表面粗糙度。

虽然陶瓷主体110的具体形状不受特别限制，但如示出的，陶瓷主体110可形成为六面体形状或与六面体形状类似的形状。由于包含在陶瓷主体110中的陶瓷粉末在烧制工艺期间的收缩，陶瓷主体110尽管不是具有完美直线的六面体形状，但可具有大体六面体形状。陶瓷主体110可具有在厚度方向(Z方向)上彼此相对的第一表面S1和第二表面S2、连接到第一表面S1和第二表面S2并且在宽度方向(Y方向)上彼此相对的第五表面S5和第六表面S6以及连接到第一表面S1和第二表面S2、连接到第五表面S5和第六表面S6并且在长度方向(X方向)上彼此相对的第三表面S3和第四表面S4。

陶瓷主体110可通过在厚度方向(Z方向)上将其上第一内电极121印刷在介电层111上的陶瓷生片和其上第二内电极122印刷在介电层111上的陶瓷生片交替堆叠来形成。

在陶瓷主体110中，介电层111以及内电极121和122可在第三方向上交替堆叠。形成陶瓷主体110的多个介电层111处于烧结状态，并且相邻介电层111之间的边界可一体化，使得在不使用扫描电子显微镜(SEM)的情况下可能难以确认该边界。

根据本公开的实施例，用于形成介电层111的原材料不受限制，只要可用其获得足够的电容即可。例如，可使用钛酸钡基材料、铅基复合钙钛矿材料、钛酸锶基材料等。

此外，可根据本公开的目的将各种陶瓷添加剂、有机溶剂、增塑剂、粘合剂、分散剂等添加到诸如钛酸钡(BaTiO₃)粉末的粉末，作为用于形成介电层111的材料。

例如，介电层111可通过将利用诸如钛酸钡(BaTiO₃)粉末的粉末形成的浆料涂覆在载体膜上并干燥来制备多个陶瓷生片。陶瓷生片可通过将陶瓷粉末、粘合剂和溶剂混合来制备浆料并通过刮刀法将浆料制造为具有几μm厚度的片来形成，但不限于此。

在多层陶瓷电子组件中，多个内电极121和122可设置为彼此相对且介电层111介于内电极121和122之间。内电极121和122可包括第一内电极121和第二内电极122，第一内电极121和第二内电极122交替地设置以彼此相对且介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间。

第一内电极121可暴露于陶瓷主体110的在第一方向(X方向)上的一个表面，并且第一内电极121的暴露于在第一方向(X方向)上的所述一个表面的部分可连接到第一外电极131。第二内电极122可暴露于陶瓷主体110的在第一方向(X方向)上的另一表面，并且第二内电极122的暴露于在第一方向(X方向)上的所述另一表面的部分可连接到第二外电极132。第一内电极121和第二内电极122可通过设置在其间的介电层111彼此电绝缘。

用于形成第一内电极121和第二内电极122的材料没有特别限制，但可使用例如包含银(Ag)、钯(Pd)、金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、铜(Cu)、锡(Sn)、钨(W)、钛(Ti)及它们的合金中的一种或更多种材料的导电膏来形成。可使用丝网印刷法、凹版印刷法等作为导电膏的印刷方法，但本公开不限于此。

在根据本公开的多层陶瓷电子组件中，边缘部可设置在陶瓷主体110的在第二方向上的两个表面上。边缘部可分别设置在陶瓷主体110的在垂直于第一方向(X方向)和第三方向(Z方向)的第二方向(Y方向)上的两个表面上。边缘部可用于防止内电极由于物理或化学应力而损坏。

边缘部可利用绝缘材料制成，并且可利用诸如钛酸钡等的陶瓷材料制成。在这种情况下，边缘部可包含与介电层111中包含的陶瓷材料相同的陶瓷材料，或者可利用与介电层111的材料相同的材料制成。

用于形成边部缘的方法没有特别限制。例如，边缘部可通过将包括在陶瓷主体110中的介电层的面积形成为大于内电极的面积来形成，使得边缘区域可形成在内电极的除了连接到外电极的部分之外的外围部分上，或者通过将包含陶瓷材料的浆料涂覆到陶瓷主体110的在第二方向(Y方向)上的两个表面，或者将电介质片附接到陶瓷主体110的在第二方向(Y方向)上的两个表面来形成。

根据本公开的多层陶瓷电子组件可包括覆盖部。覆盖部可设置在第一内电极121和第二内电极122的最外部。覆盖部可设置在陶瓷主体110的最下部的内电极下方和最上部的内电极上方。在这种情况下，覆盖部可利用与介电层111的组分相同的组分形成，并且覆盖部可通过将不包括内电极的一个或更多个介电层分别堆叠在陶瓷主体110的最上内电极的上部上和最下内电极的下部上来形成。覆盖部可基本上用于防止由于物理或化学应力而损坏内电极。

在根据本公开的多层陶瓷电子组件中，第一外电极131和第二外电极132可设置在陶瓷主体的在第一方向(X方向)上的两个表面上。第一外电极131可电连接到第一内电极121，第二外电极132可电连接到第二内电极122。

第一外电极131可包括第一基础电极131a和第一导电层131b，第一基础电极131a设置在陶瓷主体110的第三表面S3上且包含第一导电金属，第一导电层131b设置在第一基础电极131a上且包含第二导电金属；第二外电极132可包括第二基础电极132a和第二导电层132b，第二基础电极132a设置在陶瓷主体110的第四表面S4上且包含第一导电金属，第二导电层132b设置在第二基础电极132a上且包含第二导电金属。在这种情况下，第一导电金属和第二导电金属可具有彼此不同的成分。

在本说明书中，第一导电金属和第二导电金属具有彼此不同的成分，这可意味着第一导电金属和第二导电金属是彼此不同的材料，并且第二导电金属不包含与第一导电金属的成分相同的成分。在一个示例中，在本公开的第一基础电极131a和第二基础电极132a中包含的第一导电金属可包含铜(Cu)，并且在这种情况下，第二导电金属可不包含铜(Cu)。

在本公开的实施例中，第一基础电极131a和第二基础电极132a可包含第一导电金属和玻璃。第一基础电极131a和第二基础电极132a中包含的第一导电金属可以是铜(Cu)，但不限于此，而可以是例如镍(Ni)、锡(Sn)、钯(Pd)、铂(Pt)、金(Au)、银(Ag)、钨(W)、钛(Ti)、铅(Pb)及它们的合金中的一种或更多种导电金属。

此外，第一基础电极131a和第二基础电极132a中包含的玻璃成分可具有其中混合了氧化物的组分。玻璃成分可以是例如从由氧化硅、氧化硼、氧化铝、过渡金属氧化物、碱金属氧化物和碱土金属氧化物组成的组中选择的一种或更多种，但不限于此。过渡金属可以是从由锌(Zn)、钛(Ti)、铜(Cu)、钒(V)、锰(Mn)、铁(Fe)和镍(Ni)组成的组选择中的一种或更多种，碱金属可以是从由锂(Li)、钠(Na)和钾(K)组成的组中选择的一种或更多种，并且碱土金属可以是从由镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)和钡(Ba)组成的组中选择的一种或更多种。

用于形成第一基础电极131a和第二基础电极132a的方法没有特别限制。例如，第一基础电极131a和第二基础电极132a可使用各种方法形成：通过将陶瓷主体浸到包含导电金属和玻璃的导电膏中；通过使用丝网印刷法、凹版印刷法等将导电膏印刷在陶瓷主体的表面上；或者通过将导电膏涂覆到陶瓷主体的表面或者将通过干燥导电膏形成的干膜转移(例如，转印)到陶瓷主体上，但不限于此。

在本公开的实施例中，第一基础电极131a和第二基础电极132a的平均表面粗糙度(Ra)均可以是1.0μm或更大。第一基础电极131a和第二基础电极132a的平均表面粗糙度(Ra)的上限值没有特别限制，但可以是例如100μm或更小。当第一基础电极131a和第二基础电极132a的平均表面粗糙度(Ra)满足上述范围时，可提高对第一导电层131b和第二导电层132b的粘附性。

在本公开的实施例中，在第一导电层131b和第二导电层132b中包含的第二导电金属可具有比第一导电金属的标准还原电位更高的标准还原电位(standard reductionpotential)。在本说明书中，标准还原电位可指当在25℃、1M的电解质浓度和1个标准大气压的条件下参与氧化还原反应的所有物质的活度为1时的电位，并且这可意味着使用0.00V的标准氢电极测量的值。标准还原电位显示不同材料之间还原/氧化的相对趋势。标准还原电位越高，被还原的趋势越强，标准还原电位越低，被氧化的趋势越强。因此，在本实施例中，第二导电金属的标准还原电位高于第一导电金属的标准还原电位，这可能意味着第一导电金属具有强的被氧化的趋势，第二导电金属具有强的被还原的趋势。

在一个示例中，根据本公开的多层陶瓷电子组件的第二导电金属可具有0.1V或更大的标准还原电位。第二导电金属可具有0.1V或更大、0.15V或更大、0.20V或更大、0.25V或更大，或者0.30V或更大的标准还原电位，并且第二导电金属的标准还原电位可以为2.87V或更小，或者1.99V或更小。由于第二导电金属的标准还原电位满足上述范围，因此可形成如稍后所述的第一导电层和第二导电层，并且可提高第一导电层131b与第一端子电极131c以及第二导电层132b与第二端子电极132c的结合力。

当第二导电金属具有比第一导电金属高的标准还原电位时，第二导电金属可在第一导电金属上被还原。例如，当其中形成有第一基础电极131a和第二基础电极132a的陶瓷主体110浸入其中第二导电金属以离子的形式溶解的水溶液中时，第二导电金属被还原并在第一基础电极131a和第二基础电极132a上析出。在第一基础电极131a和第二基础电极132a上析出的第二导电金属可具有成为整体的膜的形式，并且可形成第一导电层131b和第二导电层132b。也就是说，第一导电层131b和第二导电层132b可以是第二导电金属的还原层。

对某种物质的水溶液的氧化还原反应在具有固相的物质的表面上随机进行。例如，当将包含第一导电金属的第一基础电极131a和第二基础电极132a浸入其中溶解有第二导电金属(第二导电金属具有比第一导电金属的标准还原电位高的标准还原电位)的水溶液中时，第一基础电极131a和第二基础电极132a的第一导电金属被随机氧化，同时，第二导电金属在第一基础电极131a和第二基础电极132a上被随机还原。在这种情况下，在第一基础电极131a上被还原的第一导电层131b和在第二基础电极132a上被还原的第二导电层132b可以是第二导电金属的单组分层。此外，由于第一基础电极131a和第二基础电极132a中包含的第一导电金属被随机氧化，因此第一基础电极131a和第二基础电极132a的表面可具有上述平均表面粗糙度(Ra)。

根据本公开的实施例，当第一基础电极131a和第二基础电极132a包含第一导电金属和玻璃时，可随机设置第一导电金属和第二导电金属与第一导电层131b和第一基础电极131a之间的界面接触的区域或者第一导电金属和第二导电金属与第二导电层132b和第二基础电极132a之间的界面接触的区域，以及其中玻璃与第二导电金属接触的区域。如上所述，将包含第一导电金属的第一基础电极131a和第二基础电极132a浸入其中溶解有第二导电金属(第二导电金属具有比第一导电金属的标准还原电位高的标准还原电位)的水溶液中，第一导电金属被随机氧化，同时，第二导电金属在第一基础电极131a和第二基础电极132a上被还原。在这种情况下，第一导电金属和玻璃可随机设置在第一基础电极131a和第二基础电极132a的其上第二导电金属被还原的表面上。

因此，当第一导电层131b和第二导电层132b通过还原分别形成在第一基础电极131a和第二基础电极132a上时，可随机设置第一导电金属和第二导电金属与第一导电层131b和第一基础电极131a之间的界面接触的区域或者第一导电金属和第二导电金属与第二导电层132b和第二基础电极132a之间的界面接触的区域，以及其中玻璃与第二导电金属接触的区域。

在本公开的实施例中，第一导电层131b和第二导电层132b可包括从由纳米颗粒、纳米线、纳米棒、纳米柱(nanobar)、纳米带、纳米盘、纳米管和纳米四脚体(nanotetrapod)组成的组中选择的一种或更多种结构。当在水溶液中通过液相还原形成第一导电层131b和第二导电层132b时，在第一基础电极131a和第二基础电极132a上被还原的第二导电金属将形成精细尺寸的结构。所述结构可具有随机选择的形状，并且可具有上述结构中的一个或更多个形状。当第一导电层131b和第二导电层132b包括所述结构中的一种或更多种时，可提高与端子电极(稍后描述)的粘附性，从而防止外电极的脱离或分层。

在本公开的实施例中，根据本公开的多层陶瓷电子组件可包括第一端子电极131c和第二端子电极132c，第一端子电极131c设置在第一导电层131b上，第二端子电极132设置在第二导电层132b上。第一端子电极131c和第二端子电极132c可使用包含导电金属的导电膏形成，或者可通过将干燥导电膏的干膜转移(例如，转印)到陶瓷主体上来形成，或者通过溅射或电沉积来形成，但不限于此。

用于形成第一端子电极131c和第二端子电极132c的材料没有特别限制，但可包含镍(Ni)、铜(Cu)、锡(Sn)、钯(Pd)、铂(Pt)、金(Au)、银(Ag)、钨(W)、钛(Ti)、铅(Pb)或它们的合金等。可包括第一端子电极131c和第二端子电极132c以改善与基板的可安装性、结构可靠性、外部耐久性、耐热性和/或等效串联电阻(ESR)。

如上所述，根据本公开的实施例，可提供一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件在形成为较薄的同时能够提高外电极之间的结合力。

根据本公开的另一实施例，可提供一种具有改善的机械强度的多层陶瓷电子组件。

根据本公开的另一实施例，可提供一种能够防止外电极之间的脱离现象或分层的多层陶瓷电子组件。

然而，本公开的各种和有利的优点和效果不限于以上描述，并且将在描述本公开的具体实施例的过程中被更容易地理解。

虽然以上已经示出和描述了示例实施例，但对于本领域技术人员将显而易见的是，在不脱离本公开的由所附权利要求限定的范围的情况下，可做出修改和变型。

Claims (19)

1.一种多层陶瓷电子组件，包括：

陶瓷主体，包括介电层以及在第三方向上堆叠的第一内电极和第二内电极且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，并且所述陶瓷主体具有在第一方向上相对的第三表面和第四表面、在第二方向上相对的第五表面和第六表面以及在所述第三方向上相对的第一表面和第二表面；以及

第一外电极和第二外电极，分别设置在所述陶瓷主体的所述第三表面和所述第四表面上，

其中，所述第一外电极包括第一基础电极和第一导电层，所述第一基础电极设置为与所述陶瓷主体接触并且具有第一导电金属，所述第一导电层设置在所述第一基础电极上并且具有第二导电金属，

所述第二外电极包括第二基础电极和第二导电层，所述第二基础电极设置为与所述陶瓷主体接触并且具有所述第一导电金属，所述第二导电层设置在所述第二基础电极上并且具有所述第二导电金属，并且

所述第一导电层和所述第二导电层均具有10.0μm或更大的平均表面粗糙度。

2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一基础电极和所述第二基础电极与所述第一导电层和所述第二导电层包含彼此不同的导电金属。

3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一基础电极和所述第二基础电极包含所述第一导电金属和玻璃。

4.根据权利要求3所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一导电金属和所述第二导电金属与所述第一基础电极和所述第一导电层之间的界面接触的区域或者所述第一导电金属和所述第二导电金属与所述第二基础电极和所述第二导电层之间的界面接触的区域以及所述玻璃与所述第二导电金属接触的区域是随机设置的。

5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一基础电极和所述第二基础电极包含铜。

6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一基础电极和所述第二基础电极均具有1.0μm或更大的平均表面粗糙度。

7.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第二导电金属的标准还原电位比所述第一导电金属的标准还原电位高。

8.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第二导电金属具有0.1V或更大的标准还原电位。

9.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一导电层和所述第二导电层中的每个是所述第二导电金属的单组分层。

10.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一导电层和所述第二导电层中的每个包括所述第二导电金属的还原层。

11.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一导电层和所述第二导电层包括从由纳米颗粒、纳米线、纳米棒、纳米柱、纳米带、纳米盘、纳米管和纳米四脚体组成的组中选择的一种或更多种结构。

12.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件还包括覆盖所述第一导电层的第一端子电极以及覆盖所述第二导电层的第二端子电极。

13.一种多层陶瓷电子组件，包括：

陶瓷主体，包括第一内电极和第二内电极以及介电层，所述介电层设置在所述第一内电极和所述第二内电极之间；以及

外电极，设置在所述陶瓷主体上并且连接到所述第一内电极和所述第二内电极中的一者，

其中，所述外电极包括基础电极和导电层，所述基础电极与所述陶瓷主体接触并且具有第一导电金属，所述导电层设置在所述基础电极上并且具有第二导电金属，并且

所述导电层的与所述基础电极接触的内表面的平均表面粗糙度以及所述导电层的与所述内表面相对的外表面的平均表面粗糙度均比所述基础电极的与所述陶瓷主体接触的表面的平均表面粗糙度大。

14.根据权利要求13所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述基础电极和所述导电层包含彼此不同的导电金属。

15.根据权利要求13所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述基础电极包含所述第一导电金属和玻璃。

16.根据权利要求13所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一导电金属是铜。

17.根据权利要求13所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第二导电金属的标准还原电位比所述第一导电金属的标准还原电位高。

18.根据权利要求13所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述导电层包括从由纳米颗粒、纳米线、纳米棒、纳米柱、纳米带、纳米盘、纳米管和纳米四脚体组成的组中选择的一种或更多种结构。

19.根据权利要求13所述的多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件还包括覆盖所述导电层的端子电极。

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