CN112457566A - 一种热压光子多晶半导体材料及其应用 - Google Patents

一种热压光子多晶半导体材料及其应用 Download PDF

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Abstract

本发明涉及远红外辐射材料技术领域，具体涉及一种热压光子多晶半导体材料及其应用，按重量份计，制备原料至少包括：氧化锆5‑15份、氧化锌2‑8份、稀土盐类化合物9‑18份、硅酸盐类化合物5‑16份、表面处理剂0.3‑3份、载体60‑75份，本发明得到的热压光子多晶半导体材料可应用于头部佩戴品，可促进人体细胞携氧能力，调通体内水分子的通路，令人体自发性、自组织的改善细胞膜的内外通透性和电位差，激活细胞活性，加强红细胞氧气代谢系统的能量保障，舒展血管，增加血管弹性；从而提高组织供氧、溶氧的能力，减少肌体炎症因子，提高免疫力。

Description

一种热压光子多晶半导体材料及其应用
技术领域
本发明涉及远红外辐射材料技术领域，具体涉及一种热压光子多晶半导体材料及其应用。
背景技术
热压技术是近二十多年来发展起来的制备红外光学材料的一种新技术，采用这种技术制备出来的红外光学材料具有多种功能，可以增加细胞的活力，加强新陈代谢，使体内外的物质交换处于平稳状态，具有消炎、消肿功能。另外，远红外增强组织营养、活跃组织代谢、提高细胞供氧量，加强细胞再生能力、改善病区的供血氧状态、控制炎症的发展并使其局限化，加速病灶修复。而且，远红外改善微循环、调节离子的深度、促进有毒物质的代谢、废物的排泄、加速渗出物质的吸收、使炎症水肿消退。由此广泛应用于医疗保健、食品保鲜等领域，目前国内外都在大力开发这类产品。
然而现有技术中的远红外材料应用于设备时，材料的迁移率大，在使用过程中损耗大，不能发射稳定的、可持续的远红外线；其次，现有技术也没有提到制备一种可应用于头部佩戴品的材料；因此，提供一种热压光子多晶半导体材料及其在头部佩戴品的应用，成为了本领域亟待解决的问题。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明的第一个方面提供了一种热压光子多晶半导体材料，按重量份计，制备原料至少包括：氧化锆5-15份、氧化锌2-8份、稀土盐类化合物9-18份、硅酸盐类化合物5-16份、表面处理剂0.3-3份、载体60-75份。
作为本发明一种优选的技术方案，所述氧化锆为纳米氧化锆；优选的，所述纳米氧化锆的粒径为10-30nm。
作为本发明一种优选的技术方案，所述氧化锌为纳米氧化锌；优选的，所述纳米氧化锌的粒径为5-25nm。
作为本发明一种优选的技术方案，所述稀土盐类化合物选自硝酸钕、氯化钕、硫酸钕、醋酸钕、硝酸铈、乙酸铈、氯化铈、氯化钪、硝酸钪、硫酸钪中的一种或多种。
作为本发明一种优选的技术方案，所述稀土盐类化合物为氯化钕、乙酸铈、氯化钪，其中氯化钕、乙酸铈、氯化钪的质量比为1：(0.5-1.5)：(1-4)。
作为本发明一种优选的技术方案，所述硅酸盐类化合物选自麦饭石、镁电气石、黑电气石、钠锰电气石、锂电气石、红电气石、高岭石、水滑石、蒙脱石中的一种或多种。
作为本发明一种优选的技术方案，所述硅酸盐类化合物为高岭石、黑电气石、水滑石的组合，其中高岭石、黑电气石、水滑石的质量比为1：(3-6)：(0.5-2)。
作为本发明一种优选的技术方案，所述载体为乙烯-醋酸乙烯共聚物。
作为本发明一种优选的技术方案，所述乙烯-醋酸乙烯共聚物在温度190℃，负荷2.16kg时，熔体流动速率为0.1-1.5g/10min。
本发明的第二个方面提供了热压光子多晶半导体材料的应用，所述热压光子多晶半导体材料应用于头部佩戴品。
有益效果：本发明制备的热压光子多晶半导体材料具有安全、无游离辐射以及重金属辐射；其发射出的远红外线波长范围为5-7μm，与人体发射的远红外线波长一致，作用于人体，可促进人体细胞携氧能力，调通体内水分子的通路，令人体自发性、自组织的改善细胞膜的内外通透性和电位差，激活细胞活性，加强红细胞氧气代谢系统的能量保障，舒展血管，增加血管弹性；从而提高组织供氧、溶氧的能力，减少肌体炎症因子，提高免疫力，可使人体蛋白质分子中的细菌视紫红质吸收，促进合成ATP及酰胺键间的量子正常振动。保持生命体的生长、发育及健康，使生物组织从病态恢复到正常状态，使疾病得到质治疗。
具体实施方式
参选以下本发明的优选实施方法的详述以及包括的实施例可更容易地理解本发明的内容。除非另有限定，本文使用的所有技术以及科学术语具有与本发明所属领域普通技术人员通常理解的相同的含义。当存在矛盾时，以本说明书中的定义为准。
如本文所用术语“由…制备”与“包含”同义。本文中所用的术语“包含”、“包括”、“具有”、“含有”或其任何其它变形，意在覆盖非排它性的包括。例如，包含所列要素的组合物、步骤、方法、制品或装置不必仅限于那些要素，而是可以包括未明确列出的其它要素或此种组合物、步骤、方法、制品或装置所固有的要素。
连接词“由…组成”排除任何未指出的要素、步骤或组分。如果用于权利要求中，此短语将使权利要求为封闭式，使其不包含除那些描述的材料以外的材料，但与其相关的常规杂质除外。当短语“由…组成”出现在权利要求主体的子句中而不是紧接在主题之后时，其仅限定在该子句中描述的要素；其它要素并不被排除在作为整体的所述权利要求之外。
当量、浓度、或者其它值或参数以范围、优选范围、或一系列上限优选值和下限优选值限定的范围表示时，这应当被理解为具体公开了由任何范围上限或优选值与任何范围下限或优选值的任一配对所形成的所有范围，而不论该范围是否单独公开了。例如，当公开了范围“1至5”时，所描述的范围应被解释为包括范围“1至4”、“1至3”、“1至2”、“1至2和4至5”、“1至3和5”等。当数值范围在本文中被描述时，除非另外说明，否则该范围意图包括其端值和在该范围内的所有整数和分数。
单数形式包括复数讨论对象，除非上下文中另外清楚地指明。“任选的”或者“任意一种”是指其后描述的事项或事件可以发生或不发生，而且该描述包括事件发生的情形和事件不发生的情形。
说明书和权利要求书中的近似用语用来修饰数量，表示本发明并不限定于该具体数量，还包括与该数量接近的可接受的而不会导致相关基本功能的改变的修正的部分。相应的，用“大约”、“约”等修饰一个数值，意为本发明不限于该精确数值。在某些例子中，近似用语可能对应于测量数值的仪器的精度。在本申请说明书和权利要求书中，范围限定可以组合和/或互换，如果没有另外说明这些范围包括其间所含有的所有子范围。
此外，本发明要素或组分前的不定冠词“一种”和“一个”对要素或组分的数量要求(即出现次数)无限制性。因此“一个”或“一种”应被解读为包括一个或至少一个，并且单数形式的要素或组分也包括复数形式，除非所述数量明显旨指单数形式。
为了解决上述技术问题，本发明的第一个方面提供了一种热压光子多晶半导体材料，按重量份计，制备原料至少包括氧化锆5-15份、氧化锌2-8份、稀土盐类化合物9-18份、硅酸盐类化合物5-16份、表面处理剂0.3-3份、载体60-75份。
在一种优选的实施方式中，所述热压光子多晶半导体材料，按重量份计，制备原料至少包括氧化锆8-13份、氧化锌4-6份、稀土盐类化合物12-16份、硅酸盐类化合物8-13份、表面处理剂1-2份、载体60-75份。
在一种最优选的实施方式中，所述热压光子多晶半导体材料，按重量份计，制备原料至少包括氧化锆10份、氧化锌5份、稀土盐类化合物14份、硅酸盐类化合物11份表面处理剂1.4份、载体70份。
氧化锆
本发明所述氧化锆是一种高硬度的化合物，熔点为2054℃，沸点为2980℃，在高温下可电离的离子晶体，常用于制造耐火材料。
在一种优选的实施方式中，所述氧化锆为纳米氧化锆。
在一种优选的实施方式中，所述纳米氧化锆的粒径为10-30nm。
本发明所述纳米氧化锆可通过商购得到，厂家包括但不限于北京高科新材料科技有限公司，型号为GK-ZrO2-001。
氧化锌
本发明所述氧化锌是一种无机物，化学式为ZnO，是锌的一种氧化物。难溶于水，可溶于酸和强碱。氧化锌是一种常用的化学添加剂，广泛地应用于塑料、硅酸盐制品、合成橡胶、润滑油、油漆涂料、药膏、粘合剂、食品、电池、阻燃剂等产品的制作中。
在一种优选的实施方式中，本发明所述氧化锌为纳米氧化锌。
在一种优选的实施方式中，所述纳米氧化锌的粒径为5-25nm。
在一种最优选的实施方式中，所述纳米氧化锌的粒径为20nm。
在一种优选的实施方式中，所述纳米氧化锌的松装密度为0.01-0.15g/cm3。
在一种最优选的实施方式中，所述纳米氧化锌的松装密度为0.06g/cm3。
本发明所述氧化锌可通过商购得到，厂家包括但不限于合肥中航纳米技术发展有限公司，型号为ZH-ZnO20N。
发明人在实验中发现，通过添加无机材料，如金属氧化物材料，可以高效的提高多晶半导体材料发射远红外的能力，尤其是本发明通过采用纳米氧化锆和纳米氧化锌的组合，并合理调控二者之间的配比，效果最佳；经分析，其可能存在的原因是由于，纳米氧化锌的能带隙和激子束缚能较大，透明度高，而氧化锆中含有多种晶体，与纳米氧化锆复配，可以协效增强晶格的活性，且两组分经过长时间的退火处理，可驱使固熔体晶体中Zn空位与其他晶格之间达到平衡，进一步提高了金属材料电子跃迁的能力；此外，纳米氧化锌是稳定的化合物，可以提供广谱的紫外保护，同时还有抗菌和抗炎的作用，具有保健效果。
此外，为提高热压光子多晶半导体材料的使用性能，本发明优于选择特定粒径大小的金属氧化物，一方面可以保证产品外观的柔和性，减弱使用过程中无机成分的迁移；另一方面提高各组分之间的混合均匀性，进一步提高远红外的发射强度。
稀土盐类化合物
本发明所述稀土盐类化合物为含有稀土金属的盐类。
在一种优选的实施方式中，本发明所述稀土盐类化合物选自硝酸钕、氯化钕、硫酸钕、醋酸钕、硝酸铈、乙酸铈、氯化铈、氯化钪、硝酸钪、硫酸钪中的一种或多种。
在一种更优选的实施方式中，本发明所述稀土盐类化合物为氯化钕、乙酸铈、氯化钪，其中氯化钕、乙酸铈、氯化钪的质量比为1：(0.5-1.5)：(1-4)。
在一种更优选的实施方式中，本发明所述稀土盐类化合物为氯化钕、乙酸铈、氯化钪，其中氯化钕、乙酸铈、氯化钪的质量比为1：(0.7-1.2)：(1.2-3.6)。
在一种最优选的实施方式中，本发明所述稀土盐类化合物为氯化钕、乙酸铈、氯化钪，其中氯化钕、乙酸铈、氯化钪的质量比为1：0.9：1.8。
硅酸盐类化合物
本发明所述硅酸盐指的是硅、氧与其它化学元素(主要是铝、铁、钙、镁、钾、钠等)结合而成的化合物的总称。它在地壳中分布极广，是构成多数岩石(如花岗岩)和土壤的主要成分。大多数熔点高，化学性质稳定，是硅酸盐工业的主要原料。
在一种优选的实施方式中，所述硅酸盐类化合物选自麦饭石、镁电气石、黑电气石、钠锰电气石、锂电气石、红电气石、高岭石、水滑石、蒙脱石中的一种或多种。
在一种更优选的实施方式中，所述硅酸盐类化合物为高岭石、黑电气石、水滑石的组合，其中高岭石、黑电气石、水滑石的质量比为1：(3-6)：(0.5-2)。
在一种更优选的实施方式中，所述硅酸盐类化合物为高岭石、黑电气石、水滑石的组合，其中高岭石、黑电气石、水滑石的质量比为1：(3.5-5)：(0.6-1.5)。
在一种最优选的实施方式中，所述硅酸盐类化合物为高岭石、黑电气石、水滑石的组合，其中高岭石、黑电气石、水滑石的质量比为1：4.2：0.8。
表面处理剂
本发明所述表面处理剂用于提高体系中无机材料和有机材料的相容性。
在一种优选的实施方式中，本发明所述表面处理剂为2-氨基-3-苯基-丙烷三乙氧基硅烷。
载体
本发明所述载体是指能够承载其他物质的物质。
在一种优选的实施方式中，本发明所述载体选自乙烯-醋酸乙烯共聚物、胶体、热塑性弹性体、纤维、橡胶中的一种或多种。
在一种优选的实施方式中，本发明所述载体为乙烯-醋酸乙烯共聚物。
本发明所述乙烯-醋酸乙烯共聚物是一种通用高分子聚合物，英文简称是EVA。
EVA中的醋酸乙烯的含量低于20％时，这时才可作为塑料使用。EVA有很好的耐低温性能，其热分解温度较低，约为230℃左右，随着分子量的增大，EVA的软化点上升，加工性和塑件表面光泽性下降，但强度增加，冲击韧性和耐环境应力开裂性提高，EVA的耐化学药品、耐油性方面较之PE(聚乙烯)，PVC(聚氯乙烯)稍差，并随醋酸乙烯含量的增加，变化更加明显。
在一种更优选的实施方式中，本发明所述乙烯-醋酸乙烯共聚物在温度190℃，负荷2.16kg时，熔体流动速率为0.1-1.5g/10min。
在一种最优选的实施方式中，本发明所述乙烯-醋酸乙烯共聚物在温度190℃，负荷2.16kg时，熔体流动速率为0.8g/10min。
本发明所述乙烯-醋酸乙烯共聚物看通过商购得到，厂家包括但不限于美国杜邦30E670乙烯-醋酸乙烯共聚物。
为增加材料发射远红外的能力，本发明还添加了硅酸盐类化合物以及稀土盐类化合物，发明人在实验中发现，采用氯化钕、乙酸铈、氯化钪的质量比为1：(0.5-1.5)：(1-4)；以及高岭石、黑电气石、水滑石的质量比为1：(3-6)：(0.5-2)时，不仅可以提高多晶半导体材料发射远红外线的能力，还可以提高材料发射远红外线的稳定性；此外，为增加多晶半导体材料在市场中的应用领域以及使用的便捷性，本发明在制备原料中还添加了高分子聚合物作为载体，一方面提高了多晶半导体材料的力学性能、耐磨性能、使用性能；另一方面还减弱了无机材料在使用过程中的迁出性，其可能存在的原因是由于，本发明选用的载体为乙烯-醋酸乙烯共聚物，当本发明合理控制乙烯-醋酸乙烯酯的熔体流动速率时，其断裂伸长率和冲击韧性相对增强，尤其是当熔体流动速率为0.1-1.5g/10min时，与含有极性基团的表面处理剂相协效，可提高有机高分子材料与金属氧化物分子之间的缠结程度，在主链上引入了弹性链端，使得材料具有很好的力学性能。
本发明的第二个方面提供了热压光子多晶半导体材料的应用，所述热压光子多晶半导体材料可应用于头部佩戴品。
在一种优选的实施方式中，所述头部佩戴品包括但不限于头盔、帽子、发带、发卡。
本发明的第三个方面提供了热压光子多晶半导体材料的制备方法，所述制备方法至少包括以下步骤：
(1)将氧化锆、氧化锌、稀土盐类化合物、硅酸盐类化合物混合，在1200-1800℃的高温炉内烧制，得到烧制混合物；将烧制混合物转移至反应釜，温度为800-1200℃，压力为12.5-25MPa，在高温高压反应釜内反应40-50h，冷却后，研磨得到粉末材料；
(2)将载体加热至130-180℃，加入表面处理剂和步骤(1)所制备的粉末材料，混合搅拌15-25h，送入挤出机中进行挤出造粒，干燥即得。
有必要在此指出的是，以下实施例只用于对本发明作进一步说明，不能理解为对本发明保护范围的限制，该领域的专业技术人员根据上述本发明的内容做出的一些非本质的改进和调整，仍属于本发明的保护范围。
另外，如果没有其它说明，所用原料都是市售的，购于国药化学试剂。
实施例
为了更好的理解上述技术方案，下面将结合具体的实施方式对上述技术方案进行详细的说明。有必要在此指出的是，以下实施例只用于对本发明作进一步说明，不能理解为对本发明保护范围的限制，该领域的专业技术人员根据上述本发明的内容做出的一些非本质的改进和调整，仍属于本发明的保护范围。另外，如果没有其它说明，所用原料都是市售的，所述提取物的提取方法均为常规的提取方法。
实施例1
提高了热压光子多晶半导体材料，按重量份计，制备原料包括氧化锆10份、氧化锌5份、稀土盐类化合物14份、硅酸盐类化合物11份表面处理剂1.4份、载体70份。
所述氧化锆为纳米氧化锆。
所述纳米氧化锆可通过商购得到，厂家为北京高科新材料科技有限公司，型号为GK-ZrO2-001。
所述氧化锌为纳米氧化锌。
所述氧化锌可通过商购得到，厂家为合肥中航纳米技术发展有限公司，型号为ZH-ZnO20N。
所述稀土盐类化合物为氯化钕、乙酸铈、氯化钪，其中氯化钕、乙酸铈、氯化钪的质量比为1：0.9：1.8。
所述硅酸盐类化合物为高岭石、黑电气石、水滑石的组合，其中高岭石、黑电气石、水滑石的质量比为1：4.2：0.8。
所述表面处理剂为2-氨基-3-苯基-丙烷三乙氧基硅烷。
所述载体为乙烯-醋酸乙烯共聚物。
所述乙烯-醋酸乙烯共聚物看通过商购得到，厂家为美国杜邦30E670乙烯-醋酸乙烯共聚物。
热压光子多晶半导体材料的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
(1)将氧化锆、氧化锌、稀土盐类化合物、硅酸盐类化合物混合，在1400℃的高温炉内烧制，得到烧制混合物；将烧制混合物转移至反应釜，温度为1100℃，压力为12.5-25MPa，在高温高压反应釜内反应40-50h，冷却后，研磨得到粉末材料；
(2)将载体加热至160℃，加入表面处理剂和步骤(1)所制备的粉末材料，混合搅拌18h，送入挤出机中进行挤出造粒，干燥即得。
实施例2
提高了热压光子多晶半导体材料，按重量份计，制备原料包括氧化锆5份、氧化锌2份、稀土盐类化合物9份、硅酸盐类化合物5份、表面处理剂0.3份、载体60份。
所述氧化锆为纳米氧化锆。
所述纳米氧化锆可通过商购得到，厂家为北京高科新材料科技有限公司，型号为GK-ZrO2-001。
所述氧化锌为纳米氧化锌。
所述氧化锌可通过商购得到，厂家为合肥中航纳米技术发展有限公司，型号为ZH-ZnO20N。
所述稀土盐类化合物为氯化钕、乙酸铈、氯化钪，其中氯化钕、乙酸铈、氯化钪的质量比为1：0.9：1.8。
所述硅酸盐类化合物为高岭石、黑电气石、水滑石的组合，其中高岭石、黑电气石、水滑石的质量比为1：4.2：0.8。
所述表面处理剂为2-氨基-3-苯基-丙烷三乙氧基硅烷。
所述载体为乙烯-醋酸乙烯共聚物。
所述乙烯-醋酸乙烯共聚物看通过商购得到，厂家为美国杜邦30E670乙烯-醋酸乙烯共聚物。
热压光子多晶半导体材料的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
(1)将氧化锆、氧化锌、稀土盐类化合物、硅酸盐类化合物混合，在1400℃的高温炉内烧制，得到烧制混合物；将烧制混合物转移至反应釜，温度为1100℃，压力为12.5-25MPa，在高温高压反应釜内反应40-50h，冷却后，研磨得到粉末材料；
(2)将载体加热至160℃，加入表面处理剂和步骤(1)所制备的粉末材料，混合搅拌18h，送入挤出机中进行挤出造粒，干燥即得。
实施例3
提高了热压光子多晶半导体材料，按重量份计，制备原料包括氧化锆15份、氧化锌8份、稀土盐类化合物18份、硅酸盐类化合物16份、表面处理剂3份、载体75份。
所述氧化锆为纳米氧化锆。
所述纳米氧化锆可通过商购得到，厂家为北京高科新材料科技有限公司，型号为GK-ZrO2-001。
所述氧化锌为纳米氧化锌。
所述氧化锌可通过商购得到，厂家为合肥中航纳米技术发展有限公司，型号为ZH-ZnO20N。
所述稀土盐类化合物为氯化钕、乙酸铈、氯化钪，其中氯化钕、乙酸铈、氯化钪的质量比为1：0.9：1.8。
所述硅酸盐类化合物为高岭石、黑电气石、水滑石的组合，其中高岭石、黑电气石、水滑石的质量比为1：4.2：0.8。
所述表面处理剂为2-氨基-3-苯基-丙烷三乙氧基硅烷。
所述载体为乙烯-醋酸乙烯共聚物。
所述乙烯-醋酸乙烯共聚物看通过商购得到，厂家为美国杜邦30E670乙烯-醋酸乙烯共聚物。
热压光子多晶半导体材料的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
(1)将氧化锆、氧化锌、稀土盐类化合物、硅酸盐类化合物混合，在1400℃的高温炉内烧制，得到烧制混合物；将烧制混合物转移至反应釜，温度为1100℃，压力为12.5-25MPa，在高温高压反应釜内反应40-50h，冷却后，研磨得到粉末材料；
(2)将载体加热至160℃，加入表面处理剂和步骤(1)所制备的粉末材料，混合搅拌18h，送入挤出机中进行挤出造粒，干燥即得。
实施例4
提高了热压光子多晶半导体材料，按重量份计，制备原料包括氧化锆10份、氧化锌5份、稀土盐类化合物14份、硅酸盐类化合物11份表面处理剂1.4份、载体70份。
所述氧化锆为纳米氧化锆。
所述纳米氧化锆可通过商购得到，厂家为北京高科新材料科技有限公司，型号为GK-ZrO2-001。
所述氧化锌为纳米氧化锌。
所述氧化锌可通过商购得到，厂家为合肥中航纳米技术发展有限公司，型号为ZH-ZnO20N。
所述稀土盐类化合物为氯化钕、乙酸铈、氯化钪，其中氯化钕、乙酸铈、氯化钪的质量比为1：0.9：1.8。
所述硅酸盐类化合物为高岭石、黑电气石、水滑石的组合，其中高岭石、黑电气石、水滑石的质量比为1：4.2：0.8。
所述表面处理剂为2-氨基-3-苯基-丙烷三乙氧基硅烷。
所述载体为硅胶。
热压光子多晶半导体材料的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
(1)将氧化锆、氧化锌、稀土盐类化合物、硅酸盐类化合物混合，在1400℃的高温炉内烧制，得到烧制混合物；将烧制混合物转移至反应釜，温度为1100℃，压力为12.5-25MPa，在高温高压反应釜内反应40-50h，冷却后，研磨得到粉末材料；
(2)将载体加热至160℃，加入表面处理剂和步骤(1)所制备的粉末材料，混合搅拌18h，送入挤出机中进行挤出造粒，干燥即得。
实施例5
提高了热压光子多晶半导体材料，按重量份计，制备原料包括氧化锆10份、氧化锌5份、稀土盐类化合物14份、硅酸盐类化合物11份表面处理剂1.4份、载体70份。
所述氧化锆为纳米氧化锆。
所述纳米氧化锆可通过商购得到，厂家为北京高科新材料科技有限公司，型号为GK-ZrO2-001。
所述氧化锌为纳米氧化锌。
所述氧化锌可通过商购得到，厂家为合肥中航纳米技术发展有限公司，型号为ZH-ZnO20N。
所述稀土盐类化合物为氯化钕、乙酸铈、氯化钪，其中氯化钕、乙酸铈、氯化钪的质量比为1：0.9：1.8。
所述硅酸盐类化合物为高岭石、黑电气石、水滑石的组合，其中高岭石、黑电气石、水滑石的质量比为1：4.2：0.8。
所述表面处理剂为硅烷偶联剂KH560。
所述载体为乙烯-醋酸乙烯共聚物。
所述乙烯-醋酸乙烯共聚物看通过商购得到，厂家为美国杜邦30E670乙烯-醋酸乙烯共聚物。
热压光子多晶半导体材料的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
(1)将氧化锆、氧化锌、稀土盐类化合物、硅酸盐类化合物混合，在1400℃的高温炉内烧制，得到烧制混合物；将烧制混合物转移至反应釜，温度为1100℃，压力为12.5-25MPa，在高温高压反应釜内反应40-50h，冷却后，研磨得到粉末材料；
(2)将载体加热至160℃，加入表面处理剂和步骤(1)所制备的粉末材料，混合搅拌18h，送入挤出机中进行挤出造粒，干燥即得。
性能评价
1、远红外线的发射率：采用EMS302M远红外放射率测定仪对实施例1-5所制备的热压光子多晶半导体材料进行测试，其发射率如下表1所示。
表1
实施例1 实施例2 实施例3 实施例4 实施例5
发射量 87％ 83％ 85％ 70％ 73％
2、抗冲击强度测试：采用GB/T1843-2008塑料悬臂梁冲击强度的测定方法，测试实施例1-5所制备的热压光子多晶半导体材料的抗冲击强度，其结果如下表2所示。
3、耐磨性：采用DIN磨耗实验机按照GB9867-2008测试实施例1-5所制备的热压光子多晶半导体材料的DIN磨耗(mm3)，其结果如下表2所示。
表2
DIN磨耗/mm<sup>3</sup> 抗冲击强度/kJ/m<sup>2</sup>
实施例1 25.32 33
实施例2 24.12 31
实施例3 24.45 32
实施例4 38.67 24
实施例5 30.12 27
前述的实例仅是说明性的，用于解释本发明所述方法的一些特征。所附的权利要求旨在要求可以设想的尽可能广的范围，且本文所呈现的实施例仅是根据所有可能的实施例的组合的选择的实施方式的说明。因此，申请人的用意是所附的权利要求不被说明本发明的特征的示例的选择限制。在权利要求中所用的一些数值范围也包括了在其之内的子范围，这些范围中的变化也应在可能的情况下解释为被所附的权利要求覆盖。

Claims (10)

1.一种热压光子多晶半导体材料，其特征在于，按重量份计，制备原料至少包括：氧化锆5-15份、氧化锌2-8份、稀土盐类化合物9-18份、硅酸盐类化合物5-16份、表面处理剂0.3-3份、载体60-75份。
2.根据权利要求1所述的热压光子多晶半导体材料，其特征在于，所述氧化锆为纳米氧化锆；优选的，所述纳米氧化锆的粒径为10-30nm。
3.根据权利要求1所述的热压光子多晶半导体材料，其特征在于，所述氧化锌为纳米氧化锌；优选的，所述纳米氧化锌的粒径为5-25nm。
4.根据权利要求1所述的热压光子多晶半导体材料，其特征在于，所述稀土盐类化合物选自硝酸钕、氯化钕、硫酸钕、醋酸钕、硝酸铈、乙酸铈、氯化铈、氯化钪、硝酸钪、硫酸钪中的一种或多种。
5.根据权利要求1或4所述的热压光子多晶半导体材料，其特征在于，所述稀土盐类化合物为氯化钕、乙酸铈、氯化钪，其中氯化钕、乙酸铈、氯化钪的质量比为1：(0.5-1.5)：(1-4)。
6.根据权利要求1所述的热压光子多晶半导体材料，其特征在于，所述硅酸盐类化合物选自麦饭石、镁电气石、黑电气石、钠锰电气石、锂电气石、红电气石、高岭石、水滑石、蒙脱石中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的热压光子多晶半导体材料，其特征在于，所述硅酸盐类化合物为高岭石、黑电气石、水滑石的组合，其中高岭石、黑电气石、水滑石的质量比为1：(3-6)：(0.5-2)。
8.根据权利要求1所述的热压光子多晶半导体材料，其特征在于，所述载体为乙烯-醋酸乙烯共聚物。
9.根据权利要求8所述的热压光子多晶半导体材料，其特征在于，所述乙烯-醋酸乙烯共聚物在温度190℃，负荷2.16kg时，熔体流动速率为0.1-1.5g/10min。
10.根据权利要求1-9任一项所述的热压光子多晶半导体材料的应用，其特征在于，所述热压光子多晶半导体材料应用于头部佩戴品。
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