CN112447399B - 层叠型电子部件 - Google Patents

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Abstract

提供一种能够使使用CZ系的电介质材料的电介质层和内部电极层的结合力提高的层叠型电子部件。层叠型电子部件具备层叠了包含CZ系的钙钛矿相的多个电介质层和包含Cu的多个内部电极层的层叠体。电介质层还包含元素M1，并且在与内部电极层的界面的至少一部分具有包含元素M1的界面层。其中，元素M1是如下的元素：基于使用赝势法的第一原理计算的经由元素M1的CZ和Cu的结合能为‑9.8eV以下。而且，在将包含于电介质层的元素的量用摩尔份表示的情况下，界面层中的元素M1的量相对于Zr的量的比m1为0.03≤m1≤0.25。

Description

层叠型电子部件
技术领域
本公开涉及层叠型电子部件。
背景技术
作为层叠型电子部件的一个例子，可列举出层叠陶瓷电容器。在温度补偿用的层叠陶瓷电容器中，有时CaZrO3系(以下，有时简称为CZ系)的电介质材料使用于电介质层。在此，所谓CZ系，是不仅包含CaZrO3，还包含Ca的一部分、Zr的一部分、或Ca以及Zr的一部分被适当的元素置换了的CaZrO3固溶体的材料系。
例如，在日本特开2001-351828号公报中，公开了具备电介质层的层叠陶瓷电容器，该电介质层使用CZ系的电介质材料。日本特开2001-351828号公报所记载的CZ系的电介质材料以CZ系的钙钛矿化合物为主成分，并以Al、Si、Mn等为副成分。
日本特开2001-351828号公报所公开的CZ系的电介质材料通过上述副成分来强化电介质层中的结晶晶界彼此的结合，变得在化学上稳定，因而能够抑制在高温高湿下的可靠性试验中的绝缘电阻的劣化。然而，电介质材料变得在化学上稳定，在另一方面存在引起电介质层和内部电极层的结合力的下降的担忧。
发明内容
发明要解决的课题
本公开的目的在于，提供能够使使用CZ系的电介质材料的电介质层和内部电极层的结合力提高的层叠型电子部件。
根据本公开的层叠型电子部件的第1方式具备层叠了包含CaZrO3系的钙钛矿相的多个电介质层和包含Cu的多个内部电极层的层叠体。电介质层还包含元素M1，并且在与内部电极层的界面的至少一部分具有包含元素M1的界面层。其中，元素M1是如下的元素：基于使用赝势法的第一原理计算的经由元素M1的CaZrO3和Cu的结合能为-9.8eV以下。而且，在将包含于电介质层的元素的量用摩尔份表示的情况下，界面层中的元素M1的量相对于Zr的量的比m1为0.03≤m1≤0.25。
根据本公开的层叠型电子部件的第2方式具备层叠了包含CaZrO3系的钙钛矿相的多个电介质层和包含Ni的多个内部电极层的层叠体。电介质层还包含元素M2，并且在与内部电极层的界面的至少一部分具有包含元素M2的界面层。其中，元素M2是如下的元素：基于使用赝势法的第一原理计算的经由元素M2的CaZrO3和Ni的结合能为-12.3eV以下。而且，在将包含于电介质层的元素的量用摩尔份表示的情况下，界面层中的元素M2的量相对于Zr的量的比m2为0.03≤m2≤0.25。
根据本公开的层叠型电子部件能够使使用CZ系的电介质材料的电介质层和内部电极层的结合力提高。
附图说明
图1是作为根据本公开的层叠型电子部件的第1实施方式的层叠陶瓷电容器100的剖视图。
图2的(A)是具备使用添加了Al的CZ系的电介质材料的电介质层11的层叠陶瓷电容器100的层间剥离的调查结果的示意图。图2的(B)是具备使用未添加Al的CZ系的电介质材料的电介质层的层叠陶瓷电容器的层间剥离的调查结果的示意图。
图3是为了调查电介质层11的精细构造而准备的试料的剖视图。
图4是电介质层11的透射型电子显微镜(以后，有时简称为TEM)观察像的示意图。
图5是作为根据本公开的层叠型电子部件的第2实施方式的层叠陶瓷电容器100A所具备的电介质层11A的TEM观察像的示意图。
具体实施方式
参照附图来说明作为本公开的特征之处。另外，在以下示出的层叠型电子部件的各实施方式中，对于相同的或共同的部分，在图中赋予相同的附图标记，有时不重复其说明。
-层叠型电子部件的第1实施方式-
关于示出根据本公开的层叠型电子部件的第1实施方式的层叠陶瓷电容器100，使用图1至图4来进行说明。
<层叠陶瓷电容器的构造>
以下对层叠陶瓷电容器100的构造进行说明。图1是层叠陶瓷电容器100的剖视图。层叠陶瓷电容器100具备层叠体10。层叠体10包括层叠了的多个电介质层11和多个内部电极层12。
层叠体10具有在层叠方向上相对的第1主面以及第2主面、在与层叠方向正交的宽度方向上相对的第1侧面以及第2侧面、和在与层叠方向以及宽度方向正交的长度方向上相对的第1端面13a以及第2端面13b。层叠体10是被上述各面包围的长方体形状。另外，也可以通过滚筒加工等使长方体的角部以及棱线部具有弧形。
多个电介质层11包括构成外层部的电介质层11和构成内层部的电介质层11。外层部配置于层叠体10的第1主面与最靠近第1主面的内部电极层12之间、以及第2主面与最靠近第2主面的内部电极层12之间。内层部配置于被这2个外层部夹着的区域。
电介质层11包含CZ系的钙钛矿相(perovskite phase)。所谓CZ系，如前述的那样，是不仅包含CaZrO3，还包含Ca的一部分、Zr的一部分、或Ca以及Zr的一部分被适当的元素置换了的CaZrO3固溶体的材料系。作为能够置换Ca的一部分的元素，例如可列举出Ba、Sr以及Mg等。作为能够置换Zr的一部分的元素，例如可列举出Hf、Ti、Mn以及Sn等。此外，存在于Ca位的元素的量相对于存在于Zr位的元素的量的比也可以是1以外。
此外，电介质层11还包含元素M1。其中，元素M1是如下的元素：基于使用赝势法(pseudopotential method)的第一原理计算的经由元素M1的CZ和Cu的结合能为-9.8eV以下。该元素M1的细节将在后面描述。
多个内部电极层12包括第1内部电极层12a和第2内部电极层12b。第1内部电极层12a具备：隔着电介质层11与第2内部电极层12b互相对置的对置电极部、和从对置电极部到层叠体10的第1端面13a为止的引出电极部。第2内部电极层12b具备：隔着电介质层11与第1内部电极层12a互相对置的对置电极部、和从对置电极部到层叠体10的第2端面13b为止的引出电极部。
1个第1内部电极层12a和1个第2内部电极层12b隔着电介质层11而相对，由此形成1个电容器元件。层叠陶瓷电容器100可以说是多个电容器经由后述的第1外部电极14a以及第2外部电极14b而并联连接的层叠陶瓷电容器。
内部电极层12包含Cu。内部电极层12也可以还包含电介质粒子。上述电介质粒子是在层叠体10的烧成时为了使内部电极层12的烧结收缩特性接近电介质层11的烧结收缩特性而添加的，只要是可表现出该效果的材料即可。
层叠陶瓷电容器100还具备第1外部电极14a和第2外部电极14b。第1外部电极14a形成于层叠体10的第1端面13a，使得与第1内部电极层12a电连接，并从第1端面13a向第1主面以及第2主面和第1侧面以及第2侧面延伸。第2外部电极14b形成于层叠体10的第2端面13b，使得与第2内部电极层12b电连接，并从第2端面13b向第1主面以及第2主面和第1侧面以及第2侧面延伸。
第1外部电极14a以及第2外部电极14b具有基底电极层和配置在基底电极层上的镀层。基底电极层包括从烧结体层、导电性树脂层、金属薄膜层以及镀层选择的至少1者。
烧结体层是包含金属粉末和玻璃粉末的膏被烧接而成的，包括导电体区域和氧化物区域。导电体区域包括上述金属粉末烧结了的金属烧结体。作为金属粉末，能够使用从Ni、Cu以及Ag等选择的至少一种或包含该金属的合金。氧化物区域包含来源于上述玻璃粉末的玻璃成分。作为玻璃粉末，能够使用B2O3-SiO2-BaO系的玻璃材料等。
另外，烧结体层也可以用不同的成分形成多个层。此外，烧结体层既可以与层叠体10同时烧成，也可以在层叠体10被烧成后烧接。
导电性树脂层例如包含金属微粒子那样的导电性粒子和树脂部。作为构成导电性粒子的金属，能够使用从Ni、Cu以及Ag等选择的至少一种或包含该金属的合金。作为构成树脂部的树脂，能够使用环氧系的热固化性树脂等。导电性树脂层也可以用不同的成分形成多个层。
金属薄膜层通过溅射或蒸镀等的薄膜形成法形成，是金属微粒子被堆积的厚度为1μm以下的层。作为构成金属薄膜层的金属，能够使用从Ni、Cu、Ag以及Au等选择的至少一种或包含该金属的合金。金属薄膜层也可以用不同的成分形成多个层。
作为基底电极的镀层，直接设置在层叠体10上，与前述的内部电极层直接连接。在该镀层中，能够使用从Cu、Ni、Sn、Au、Ag、Pd以及Zn等选择的至少一种或包含该金属的合金。例如，在作为构成内部电极层12的金属而使用Cu的情况下，作为该镀层，优选使用与内部电极层12的接合性优异的Cu。
作为构成配置在基底电极层上的镀层的金属，能够使用从Ni、Cu、Ag、Au以及Sn等选择的至少一种或包含该金属的合金。该镀层也可以用不同的成分形成多个层。优选为Ni镀层以及Sn镀层这2层。
Ni镀层配置在基底电极层上，能够防止在安装层叠型电子部件时基底电极层被焊料侵蚀。Sn镀层配置在Ni镀层上。Sn镀层与包含Sn的焊料的润湿性优异，因而安装层叠型电子部件时，能够使可安装性提高。另外，这些镀层不是必须的。
<电介质层的精细构造>
本公开涉及的层叠陶瓷电容器100的电介质层11如前述的那样，包含CZ系的钙钛矿相，还包含元素M1。其中，元素M1是如下的元素：基于使用赝势法的第一原理计算的经由元素M1的CZ和Cu的结合能为-9.8eV以下。关于该元素M1，在以下说明。
在此，所谓使用赝势法的第一原理计算，是不直接处理原子核附近的内核电子，而将他们置换为相对于价电子的单纯的势函数，并进行基于平面波基础的第一原理计算的方法。本次的第一原理计算将内核电子置换为GGA(Generalized Gradient Approximation，广义梯度近似)型赝势。
为了通过使用赝势法的第一原理计算来计算CZ和Cu的结合能，设定了CZ和Cu的界面的模型构造。在模型构造中，设定了包括CZ层和Cu层的第1模型构造、和Mn存在于CZ层和Cu层之间的第2模型构造。
基于第1模型构造计算的CZ和Cu的结合能Ebin为-9.10eV。而且，基于第2模型构造计算的经由Mn的CZ和Cu的结合能Ebin为-12.49eV。进而，基于作为元素M1使用Al、Si、Ti以及V的情况下的第2模型构造，计算了经由元素M1的CZ和Cu的结合能Ebin。它们的结果汇总而示于表1。
【表1】
基于第一原理计算的CZ和Cu的结合能的计算结果
CZ/Cu CZ/Al/Cu CZ/Si/Cu CZ/Mn/Cu CZ/Ti/Cu CZ/V/Cu
<![CDATA[E<sub>bin</sub>(eV)]]> -9.10 -9.89 -10.71 -12.49 -12.76 -13.19
此外，在图2中，为了使根据元素M1的添加与否的电介质层与内部电极层的结合力的差异清楚，示出了对层叠陶瓷电容器的层间剥离进行调查的结果。图2的(A)是具备使用相对于CZ添加了1.0mol％的Al的CZ系的电介质材料的电介质层11、和作为Cu的内部电极层12的层叠陶瓷电容器100的层间剥离的调查结果的示意图。图2的(B)是具备使用未添加Al的CZ系的电介质材料的电介质层、和同样作为Cu的内部电极层的层叠陶瓷电容器的层间剥离的调查结果的示意图。
另外，层叠陶瓷电容器的层间剥离的调查通过超声波显微镜(Constant depthmode Scanning Acoustic Microscope，恒定深度模式扫描声学显微镜：以后，有时简称为C-SAM)观察来进行。使用于上述C-SAM观察的层叠陶瓷电容器的层叠方向的厚度为1.2mm，与层叠方向正交的长度为2.0mm，与层叠方向和长度方向正交的宽度为1.2mm。
C-SAM观察在将成为观察对象的层叠陶瓷电容器在给定的条件下放置于饱和加压水蒸汽中之后进行。此外，C-SAM观察通过将上述层叠陶瓷电容器保持在水中，照射50MHz的超声波，并根据其反射波构建图像而进行。C-SAM观察结果中的各个像对应于各个层叠陶瓷电容器。
表1所示的经由Al的CZ和Cu的结合能Ebin为-9.89eV。假定其示出使用添加了Al的CZ系的电介质材料的电介质层11、和作为Cu的内部电极层12的结合能。然后，如图2的(A)所示的那样，在使用添加了Al的CZ系的电介质材料的层叠陶瓷电容器100的100个C-SAM观察结果中，未在内部看到剥离。
此外，在使用作为元素M1而添加了Si、Mn、Ti以及V的CZ系的电介质材料的层叠陶瓷电容器100的100个C-SAM观察结果中，也未在内部看到剥离。另外，Si、Mn、Ti以及V与Al同样地，相对于CZ添加了1.0mol％。
另一方面，未添加元素M1的CZ和Cu的结合能Ebin为-9.10eV。假定这示出了使用未添加元素M1的CZ系的电介质材料的电介质层、和作为Cu的内部电极层的结合能。然后，如图2的(B)所示的那样，在使用未添加元素M1的CZ系的电介质材料的层叠陶瓷电容器的100个C-SAM观察结果中，在内部看到剥离的有47个。
另外，C-SAM观察结果中的图案的差异表示在层叠陶瓷电容器中，电介质层和内部电极层的剥离产生的部位的从上表面起的深度的差异。电介质层和内部电极层的剥离既有遍及某深度的整个面而产生的情况，也有部分地产生的情况。将两者合在一起而作为剥离产生进行计数。以上的结果汇总示于表2。
【表2】
根据元素M的添加与否的层叠陶瓷电容器的C-SAM观察结果的差异
Figure BDA0002643760090000071
即，电介质层11包含在前述的第一原理计算中经由该元素的CZ和Cu的结合能为-9.8eV以下的元素M1，由此能够使电介质层11和内部电极层12的结合力提高。对于结合能Ebin，其值越小则CZ和Cu的结合力变得越强。因此，作为元素M1，更优选为如Mn、Ti以及V那样经由该元素的CZ和Cu的结合能小于-12.0eV的元素。
为了调查电介质层11的精细构造，进行了TEM观察以及基于EDX的元素分析。在该调查中，将相对于CZ添加了3.0mol％的Mn的CZ系的电介质材料使用于电介质层11。此外，将Cu使用于内部电极层12。
关于用于TEM观察以及EDX分析的试料制作，使用图3来进行说明。图3是为了对层叠陶瓷电容器100的电介质层11的精细构造进行调查而准备的试料的剖视图。
通过后述的制造方法，获得了层叠陶瓷电容器100的层叠体10。对层叠体10从第1侧面侧以及第2侧面侧进行研磨而获得研磨体，使得层叠体10的宽度方向的中央部被保留。如图3所示，设想了在长度方向的中央部附近与内部电极层12正交的那样的虚拟线OL。然后，沿着虚拟线OL将涉及研磨体的静电电容的取得的电介质层11、第1内部电极层12a和第2内部电极层12b被层叠的区域在层叠方向上3等分，区分为上部区域、中央区域以及下部区域这3个区域。
从研磨体切出上部区域、中央区域以及下部区域，分别通过Ar离子铣削等进行薄膜化，从各区域分别获得3个薄膜试料。对如以上那样获得的层叠体10的上部区域、中央区域以及下部区域的3个薄膜试料，进行了TEM观察以及附属于TEM的基于EDX的元素分析。
在后述的TEM观察结果以及EDX的分析结果中，在上部区域以及下部区域和中央区域未观察到显著的差异。因此，将以下说明的从中央区域获得的结果视为本公开涉及的层叠陶瓷电容器100的电介质层11的精细构造。
电介质层11具有3μm的厚度，作为基于图像解析的等价圆直径的平均值而求出的电介质材料的晶粒的平均粒径为0.2μm(晶粒未图示)。另外，晶粒的晶界通过目视从TEM观察像决定。
图4是图3的中央区域中的电介质层11的TEM观察像的示意图。通过TEM观察以及基于EDX的元素分析，可得知层叠陶瓷电容器100的电介质层11在与内部电极层12的界面具有包含元素M1的界面层BL。可推定为界面层BL是在CZ系的电介质材料的晶粒的与内部电极层12相接的晶界附近，Mn固溶了的界面层。另外，界面层BL也可以包含Mn以外的固溶元素。此外，界面层BL的至少一部分也可以具有钙钛矿型构造。
通过EDX分析对根据图4所示的电介质层11中的分析位置A至G的差异的Mn的量的变化进行调查的结果汇总示于表4。另外，电介质层11中的Mn的量表示为将包含于电介质层11的元素的量用摩尔份表示的情况下的Mn的量相对于Zr的量的比m1。
【表3】
基于第一原理计算的CZ和Ni的结合能的计算结果
CZ/Ni CZ/Al/Ni CZ/Si/Ni CZ/Mn/Ni CZ/Ti/Ni CZ/V/Ni
<![CDATA[E<sub>bin</sub>(eV)]]> -12.26 -12.45 -13.05 -13.78 -14.17 -14.39
即，在本公开涉及的层叠陶瓷电容器100中，在将包含于电介质层11的元素的量用摩尔份表示的情况下，界面层BL中的Mn的量相对于Zr的量的比m1为0.03≤m1≤0.25。在该情况下，如前述那样，通过经由Mn，从而CZ和Cu的结合能变小，能够使电介质层11和内部电极层12的结合力提高。
如图4所图示的那样，界面层BL优选存在于电介质层11和内部电极层12的界面整体。不过，界面层BL存在于电介质层11和内部电极层12的界面的至少一部分即可。
上述EDX分析是对作为元素M1而包含Mn的电介质层11进行的，而在前述的元素M1中，界面层BL中的元素M1的量相对于Zr的量的比m1被规定在上述范围中。
同样地，为了通过使用赝势法的第一原理计算来计算CZ和Ni的结合能，设定了CZ和Ni的界面的模型构造。在模型构造中，设定了包括CZ层和Ni层的第3模型构造、和在CZ层与Ni层之间Al、Si、Mn、Ti、V作为元素M2而存在的第4模型构造。基于这些模型构造的CZ和Ni以及经由元素M2的CZ和Ni的结合能Ebin的计算结果汇总示于表3。
【表4】
通过EDX分析而调查出的根据电介质层中的分析位置的差异的Mn的量的变化
Figure BDA0002643760090000091
如表3所示的那样，基于第3模型构造而计算的CZ和Ni的结合能Ebin为-12.26eV。假定其示出使用CZ系的电介质材料的电介质层、和作为Ni的内部电极层的结合能。另一方面，经由上述元素的CZ和Ni的结合能Ebin均小于-12.3eV。
因此，即使在内部电极层为Ni的情况下，通过在CZ系的电介质材料中添加元素M2，与未在电介质材料中添加元素M2的情况相比，电介质层11和内部电极层12的结合也变得牢固。另外，在使用添加了元素M2的CZ系的电介质材料的层叠陶瓷电容器100的100个C-SAM观察结果中，未在内部看到剥离。
即，电介质层11包含在前述的第一原理计算中，经由该元素的CZ和Ni的结合能为-12.3eV以下的元素M2，由此能够使电介质层11和内部电极层12的结合力提高。对于结合能Ebin，其值越小则CZ和Ni的结合力变得越强。因此，作为元素M2，更优选为如Mn、Ti以及V那样经由该元素的CZ和Ni的结合能小于-13.5eV的元素。
此外，通过TEM观察以及基于EDX的元素分析，可得知即使在内部电极层为Ni的情况下，在CZ系的电介质材料中添加了元素M2的电介质层11在与内部电极层12的界面也具有包含元素M2的界面层BL。而且，在将包含于电介质层11的元素的量用摩尔份表示的情况下，界面层BL中的元素M2的量相对于Zr的量的比m2为0.03≤m2≤0.25。在该情况下，通过经由元素M2，从而CZ和Ni的结合能变小，能够使电介质层11和内部电极层12的结合力提高。
-层叠型电子部件的第2实施方式-
关于示出根据本公开的层叠型电子部件的第2实施方式的层叠陶瓷电容器100A，使用图5进行说明。层叠陶瓷电容器100A具备层叠体10A。关于其他的构成要素，由于与层叠陶瓷电容器100同样，因而省略说明。此外，层叠陶瓷电容器100A的宏观的构造，由于与层叠陶瓷电容器100的宏观的构造同样，因而省略图示(参照图1)。
图5是层叠陶瓷电容器100A具备的电介质层11A的TEM观察像的示意图。层叠陶瓷电容器100A中的层叠体10A包含层叠的多个电介质层11A和多个内部电极层12。电介质层11A包含CZ系的钙钛矿相，还包含前述的元素M1。此外，内部电极层12包含Cu。
层叠体10A中的电介质层11A与第1实施方式同样地，在与内部电极层12的界面具有包含元素M1的界面层BL。另一方面，电介质层11A还具有包含上述元素M1的二次相(Secondary phase)SP。而且，二次相SP中的至少一部分包含于界面层BL中。即，在第2实施方式中，将如第1实施方式那样的单纯的膜状的界面层和二次相SP合在一起作为界面层BL。
二次相SP是包含元素M1的氧化物、以及元素M1和构成电介质层11A的其他的元素的化合物等的与CZ系的钙钛矿相不同的相。在电介质层11A和内部电极层12的界面有这样的二次相，表示元素M1在电介质层11A和内部电极层12的界面的大范围中，在前述的量的范围内充分存在。因此，层叠陶瓷电容器100A能够使电介质层11A和内部电极层12的结合力进一步提高。
另外，即使在电介质层11A包含前述的元素M2且内部电极层12包含Ni的情况下，通过包含元素M2的二次相SP包含于界面层BL，也能够使电介质层11A和内部电极层12的结合力进一步提高。
-层叠型电子部件的制造方法-
关于示出根据本公开的层叠型电子部件的实施方式的层叠陶瓷电容器100的制造方法，按照制造工序的顺序进行说明。层叠陶瓷电容器100的制造方法具备以下的各工序。另外，以下使用的各附图标记对应于图1所示的附图标记。
该层叠陶瓷电容器100的制造方法具备使用包含构成CZ系的钙钛矿相的元素和元素M1的电介质粉末(电介质原料粉末)，获得多个陶瓷生片的工序。在电介质原料粉末中也可以根据需要包含各种添加物。另外，“生”这一词语，是表示“烧结前”的表达，以后也以该意思使用。即，陶瓷生片相当于烧结前电介质层。在陶瓷生片中，除电介质原料粉末以外，还包含粘合剂成分。对粘合剂成分不特别地限定。
上述电介质原料粉末通过在将构成CZ系的钙钛矿相的元素的化合物和元素M1的化合物混合后进行预烧而制作。此外，电介质原料粉末也可以通过在将预先制作的CZ系的钙钛矿相粉末和元素M1的化合物混合后进行预烧而制作。进而，在使用预先制作的CZ系的钙钛矿相粉末的情况下，也可以没有之后的预烧工序。CZ系的钙钛矿相粉末能够通过固相合成法以及液相法获得。
该层叠陶瓷电容器100的制造方法例如具备通过印刷内部电极层用膏而将内部电极层图案形成于陶瓷生片的工序。内部电极层图案相当于烧结前内部电极层。内部电极层用膏包含：包含Cu的金属粉末、电介质粒子和粘合剂成分。
如前述的那样，上述电介质粒子是在层叠体10的烧成时，为了使内部电极层12的烧结收缩特性接近电介质层11的烧结收缩特性而添加的，只要是可表现出该效果的材料即可。即，该电介质粒子既可以与电介质原料粉末相同，也可以不同。另外，该电介质粒子不是必须的。对于粘合剂成分也不特别地限定。另外，内部电极层图案的形成也可以是上述内部电极层用膏的印刷以外的方法。
该层叠陶瓷电容器100的制造方法具备层叠包括形成了内部电极图案的陶瓷生片的多个陶瓷生片，获得生层叠体的工序。生层叠体相当于烧结前层叠体。
该层叠陶瓷电容器100的制造方法具备烧结生层叠体，获得包括层叠了的多个电介质层11和多个内部电极层12的层叠体10的工序。
另外，该层叠陶瓷电容器100的制造方法在获得多个陶瓷生片的工序中，也可以使用包含构成CZ系的钙钛矿相的元素和元素M2的电介质粉末(电介质原料粉末)。此时，在将内部电极层图案形成于陶瓷生片的工序中，使用包含含有Ni的金属粉末、电介质粒子和粘合剂成分的内部电极层用膏。
在本说明书公开的各实施方式是例示性的，本公开涉及的发明不限定于上述各实施方式。即，本公开涉及的发明的范围由权利要求书示出，意图在于包含与权利要求书均等的意思以及范围内的所有的变更。此外，在上述范围内，能够加以各种应用、变形。
例如，关于构成层叠体的电介质层的数量以及材质、和内部电极层的数量以及材质，能够在本发明的范围内加以各种应用或变形。此外，作为层叠型电子部件例示了层叠陶瓷电容器，但本公开涉及的发明不限于此，也能够适用于在多层基板的内部形成的电容器要素等。

Claims (4)

1.一种层叠型电子部件，具备层叠了包含CaZrO3系的钙钛矿相的多个电介质层和包含Cu的多个内部电极层的层叠体，
所述电介质层还包含元素M1，并且在与所述内部电极层的界面的至少一部分具有包含所述元素M1的界面层，其中，元素M1是如下的元素：基于使用赝势法的第一原理计算的经由元素M1的CaZrO3和Cu的结合能为-9.8eV以下，
所述界面层是在所述电介质层的晶粒的与所述内部电极层相接的晶界附近，所述元素M1固溶了的膜状的层，
在将包含于所述电介质层的元素的量用摩尔份表示的情况下，所述界面层中的所述元素M1的量相对于Zr的量的比m1为0.03≤m1≤0.25，
所述电介质层还具有包含所述元素M1的二次相，
所述二次相中的至少一部分包含在所述界面层中。
2.根据权利要求1所述的层叠型电子部件，其中，
所述元素MI是从Al、Si、Mn、Ti以及V选择的至少一种元素。
3.一种层叠型电子部件，具备层叠了包含CaZrO3系的钙钛矿相的多个电介质层和包含Ni的多个内部电极层的层叠体，
所述电介质层还包含元素M2，并且在与所述内部电极层的界面的至少一部分具有包含所述元素M2的界面层，其中，元素M2是如下的元素：基于使用赝势法的第一原理计算的经由元素M2的CaZrO3和Ni的结合能为-12.3eV以下，
所述界面层是在所述电介质层的晶粒的与所述内部电极层相接的晶界附近，所述元素M2固溶了的膜状的层，
在将包含于所述电介质层的元素的量用摩尔份表示的情况下，所述界面层中的所述元素M2的量相对于Zr的量的比m2为0.03≤m2≤0.25，
所述电介质层还具有包含所述元素M2的二次相，
所述二次相中的至少一部分包含在所述界面层中。
4.根据权利要求3所述的层叠型电子部件，其中，
所述元素M2是从Al、Si、Mn、Ti以及V选择的至少一种元素。
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