CN112242255B - 层叠型电子部件及层叠型电子部件的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种能够抑制层叠体内部的构造缺陷的产生的层叠型电子部件及该层叠型电子部件的制造方法。层叠型电子部件具备包括被层叠的多个电介质层和多个内部电极层的层叠体。在将板状物的与厚度方向正交的长径相对于厚度之比设为纵横比时，电介质层具有平均厚度为300nm以下且平均纵横比为5以上的作为板状物的多个第一晶粒。内部电极层具有平均厚度为150nm以下且平均纵横比为5以上的作为板状物的多个第二晶粒。
Description
技术领域
本公开涉及层叠型电子部件及层叠型电子部件的制造方法。
背景技术
在层叠陶瓷电容器等层叠型电子部件中，电介质层的薄层化所引起的静电电容的提高得到发展。为了使成为电介质层的陶瓷生片薄层化，需要使用微粒的电介质粉末。然而，这种微粒的电介质粉末在为了制作陶瓷生片而进行浆化之际易于凝结，此外，若不使其粒生长地烧结而做成为微粒的电介质晶粒，则存在介电常数下降这样的问题。
在日本特开2008-266086号公报中，为了解决上述课题，公开了使用板状的钛酸钡粒子来获得被薄层化的陶瓷生片的技术。
层叠陶瓷电容器等层叠型电子部件所具备的层叠体包括：电介质层；以及内部电极层，与电介质层相比，烧结收缩的开始温度低，此外，收缩的程度大。因此，在层叠体的烧成时，由于电介质层与内部电极层的烧结收缩状态的差异，在层叠体的内部会产生变形。而且，该变形有时会使得产生离层、裂缝等构造缺陷。
使用了板状的钛酸钡粒子的陶瓷生片与使用了微粒的钛酸钡粒子的陶瓷生片相比，虽然在厚度方向上相同地进行烧结收缩，但在沿着主面的方向上不易烧结收缩。因此，在陶瓷生片的制作中使用了板状的钛酸钡粒子的层叠陶瓷电容器中，电介质层与内部电极层的烧成时的烧结收缩状态的差异变大。其结果是，有变得易于在层叠体内部产生构造缺陷的顾虑。
发明内容
本公开的目的在于，提供一种能够抑制层叠体内部的构造缺陷的产生的层叠型电子部件及该层叠型电子部件的制造方法。
根据本公开的层叠型电子部件具备包括被层叠的多个电介质层和多个内部电极层的层叠体。在将板状物的与厚度方向正交的长径相对于厚度之比设为纵横比时，电介质层具有平均厚度为300nm以下且平均纵横比为5以上的作为板状物的多个第一晶粒。内部电极层具有平均厚度为150nm以下且平均纵横比为5以上的作为板状物的多个第二晶粒。
根据本公开的层叠型电子部件的制造方法具备以下的工序。一个工序是获得多个烧结前电介质层的工序。另一个工序是在烧结前电介质层形成烧结前内部电极层的工序。又一个工序是将包括形成有烧结前内部电极层的烧结前电介质层在内的多个烧结前电介质层进行层叠，获得烧结前层叠体的工序。而且，又一个工序是使烧结前层叠体进行烧结，获得包括被层叠的多个电介质层和多个内部电极层的层叠体的工序。
在将板状物的与厚度方向正交的长径相对于厚度之比设为纵横比时，在获得多个烧结前电介质层的工序中，使用包含作为板状物的电介质粒子的电介质粉末，该电介质粒子的平均厚度为200nm以下且平均纵横比为5以上。在形成烧结前内部电极层的工序中，使用包含作为板状物的导电体粒子的导电体粉末，该导电体粒子的平均厚度为150nm以下且平均纵横比为5以上。
根据本公开的层叠型电子部件能够抑制层叠体内部的构造缺陷的产生。此外，根据本公开的层叠型电子部件的制造方法能够制造层叠体内部的构造缺陷的产生得以抑制的层叠型电子部件。
附图说明
图1是作为根据本公开的层叠型电子部件的实施方式的层叠陶瓷电容器100的长度方向中央部的剖视图。
图2的(A)是用于说明电介质层11中包含的第一晶粒G1的平均纵横比AS1AV的计算方法的、电介质层11的俯视图。图2的(B)是用于说明内部电极层12中包含的第二晶粒G2的平均纵横比AS2AV的计算方法的、内部电极层12的俯视图。
图3是示意性地示出层叠陶瓷电容器100的层叠体10的中央区域的中央部附近的、电介质层11及内部电极层12的微细构造的剖视图。
图4的(A)是示出获得陶瓷生片11g的工序的剖视图。图4的(B)是示出对陶瓷生片11g赋予第一内部电极层图案12ag的工序的剖视图。图4的(C)是示出将包括赋予了各内部电极层图案的陶瓷生片11g在内的多个陶瓷生片11g进行层叠，获得生层叠体10g的工序的剖视图。图4的(D)是示出使生层叠体10g进行烧结，获得包括被层叠的多个电介质层11和多个第一内部电极层12a及第二内部电极层12b的层叠体的工序的剖视图。
具体实施方式
参照附图来说明作为本公开的特征的地方。另外，在以下所示的层叠型电子部件的实施方式中，对于相同的或者共用的部分，在图中标注相同的附图标记，有时不重复其说明。
-层叠型电子部件的实施方式-
关于表示根据本公开的层叠型电子部件的实施方式的层叠陶瓷电容器100，使用图1～图3进行说明。
<层叠陶瓷电容器的构造>
图1是层叠陶瓷电容器100的剖视图。层叠陶瓷电容器100具备层叠体10。层叠体10包括被层叠的多个电介质层11和多个内部电极层12。此外，层叠体10具有：在层叠方向上相对的第一主面及第二主面；在与层叠方向正交的宽度方向上相对的第一侧面及第二侧面；和在与层叠方向及宽度方向正交的长度方向上相对的第一端面13a及第二端面13b。
电介质层11具有包括钙钛矿型化合物的多个晶粒，该钙钛矿型化合物例如构成为包含Ba及Ti。关于该晶粒的形态将后述。作为上述的钙钛矿型化合物，能够使用例如以BaTiO3为基本构造的钙钛矿型化合物。
多个内部电极层12具有第一内部电极层12a和第二内部电极层12b。关于构成内部电极层12的晶粒的形态将后述。作为构成内部电极层12的导电性材料，能够使用从Ni、Ni合金、Cu及Cu合金之中的一者选出的至少一种金属或者包含该金属的合金。内部电极层12也可以还包含被称为共通材料的电介质粒子。共通材料是为了在层叠体10的烧成时使内部电极层12的烧结收缩特性接近于电介质层11的烧结收缩特性而添加的，只要能发挥其效果即可。
第一内部电极层12a具备：隔着电介质层11而与第二内部电极层12b相互对置的对置电极部；以及从对置电极部到层叠体10的第一端面13a的引出电极部。第二内部电极层12b具备：隔着电介质层11而与第一内部电极层12a相互对置的对置电极部；以及从对置电极部到层叠体10的第二端面13b的引出电极部。一个第一内部电极层12a与一个第二内部电极层12b隔着电介质层11而相对，由此形成一个电容器元件。
层叠陶瓷电容器100还具备第一外部电极14a与第二外部电极14b。第一外部电极14a形成于层叠体10的第一端面13a以使得与第一内部电极层12a电连接，并从第一端面13a延伸到第一主面及第二主面和第一侧面及第二侧面。第二外部电极14b形成于层叠体10的第二端面13b以使得与第二内部电极层12b电连接，并从第二端面13b延伸到第一主面及第二主面和第一侧面及第二侧面。
在层叠陶瓷电容器100中，可称之为：上述电容器元件经由第一外部电极14a及第二外部电极14b而被并联连接有多个。
第一外部电极14a及第二外部电极14b具有基底电极层和配置在基底电极层上的镀覆层。基底电极层包括从烧结体层、导电性树脂层及金属薄膜层选出的至少一者。
烧结体层是烧附包含玻璃粉末及金属粉末的膏而成的，包含玻璃部和金属部。作为构成玻璃部的玻璃，能够使用B2O3-SiO2-BaO系的玻璃等。作为构成金属部的金属，能够使用从Ni、Cu及Ag等选出的至少一种或者包含该金属的合金。烧结体层也可以由不同的成分形成多层。此外，烧结体层在后述的制造方法中可以与层叠体10同时烧成，也可以在烧成层叠体10之后烧附。
导电性树脂层例如包括如金属微粒这样的导电性粒子和树脂部。作为构成导电性粒子的金属，能够使用从Ni、Cu及Ag等选出的至少一种或者包含该金属的合金。作为构成树脂部的树脂，能够使用环氧系的热固化性树脂等。导电性树脂层也可以由不同的成分形成多层。
金属薄膜层通过溅射或者蒸镀等薄膜形成法来形成，是沉积了金属微粒的厚度为1μm以下的层。作为构成金属薄膜层的金属，能够使用从Ni、Cu、Ag及Au等选出的至少一种或者包含该金属的合金。金属薄膜层也可以由不同的成分形成多层。
作为构成镀覆层的金属，能够使用从Ni、Cu、Ag、Au及Sn等选出的至少一种或者包含该金属的合金。镀覆层也可以由不同的成分形成多层。优选的是Ni镀覆层及Sn镀覆层这两层。Ni镀覆层能够在安装层叠型电子部件之际防止基底电极层被焊料侵蚀。Sn镀覆层与包含Sn的焊料的润湿性良好。因此，在安装层叠型电子部件之际，能够使安装性提高。
另外，第一外部电极14a及第二外部电极14b也可以是分别直接设置在层叠体10上并与上述对应的内部电极层直接连接的镀覆层。镀覆层优选包括第一镀覆层和设置在第一镀覆层上的第二镀覆层。
作为构成第一镀覆层及第二镀覆层的金属，能够使用从Cu、Ni、Sn、Au、Ag、Pd及Zn等选出的至少一种或者包含该金属的合金。例如，在作为构成内部电极层12的金属而使用了Ni的情况下，作为第一镀覆层，优选使用与Ni的接合性良好的Cu。在使用了Sn或Au的情况下，作为构成第一镀覆层的金属，优选具有阻焊性能。此外，作为构成第二镀覆层的金属，优选使用焊料润湿性良好的Ni。
<电介质层及内部电极层的微细构造>
层叠陶瓷电容器100所具备的层叠体10的电介质层11具有平均厚度为300nm以下且平均纵横比为5以上的作为板状物的多个第一晶粒G1(参照图2，后述)。在此，所谓纵横比，是板状物的与厚度方向正交的长径相对于厚度之比。第一晶粒G1是电介质材料的晶粒。此外，内部电极层12具有平均厚度为150nm以下且平均纵横比为5以上的作为板状物的多个第二晶粒G2(参照图2，后述)。第二晶粒G2是导电性材料的晶粒。
为了调查电介质层11及内部电极层12的微细构造，进行了扫描型电子显微镜(以后，有时简称为SEM)观察。在该调查中，对于电介质层11的材料，使用了以BaTiO3为钙钛矿型化合物的基本构造并添加了各种添加物的电介质材料。此外，对于内部电极层12的材料，使用了Ni。
关于层叠陶瓷电容器100的层叠体10的电介质层11及内部电极层12的微细构造的调查方法，使用图2进行说明。
根据后述的制造方法，获得了层叠陶瓷电容器100的层叠体10。针对层叠方向而虚拟地将层叠体10分为上部区域、中央区域及下部区域这三个区域。而且，使各区域的层叠方向、宽度方向及长度方向上的中央部附近的电介质层11及内部电极层12露出，针对各自的露出面进行了SEM观察。
图2的(A)是用于说明电介质层11中包含的第一晶粒G1的平均纵横比AS1AV(后述)的计算方法的、电介质层11的俯视图。从上述的上部区域、中央区域及下部区域这三个区域分别各获得了三个电介质层11的露出面。电介质层11的露出面能够通过在将内部电极层12溶解之后将层叠体10在所希望的位置截断而获得。
在电介质层11的露出面，可观察如图2的(A)所示的多个作为板状物的第一晶粒G1。针对SEM观察像内的第一晶粒G1，测定了其长径L1i(i＝1，2，···N)。长径L1i的测定是通过图像解析而进行的。此外，针对测定了长径L1i的第一晶粒G1，使用聚焦离子束(以后，有时简称为FIB)加工以便获知厚度，通过SEM测定了厚度T1i(i＝1，2，···N)。
另外，关于厚度T1i，测定通过FIB加工而露出的第一晶粒G1的剖面的3个部位，取其平均。本次的电介质层11的微细构造的调查中的测定粒子数N为20。
在此，将作为板状物的第一晶粒G1的与厚度T1i方向正交的长径L1i相对于厚度T1i之比设为纵横比AS1i。根据通过上述测定而获得的长径L11、L12、···、L120和厚度T11、T12、···、T120，计算出ASl1、AS12、···、AS120。计算出这些纵横比AS11、AS12、···、AS120的平均值即平均纵横比AS1AV。此外，计算出厚度T11、T12、···、T120的平均厚度T1AV。
对从上部区域、中央区域及下部区域这三个区域分别各获得三个的合计九个的电介质层11的露出面进行了该操作。其结果是，确认了：在电介质层11的任意的露出面中，第一晶粒G1的平均纵横比AS1AV都为5以上。此外，确认了：第一晶粒G1的平均厚度T1AV为300nm。
图2的(B)是用于说明内部电极层12中包含的第二晶粒G2的平均纵横比AS2AV(后述)的计算方法的、内部电极层12的俯视图。从上述的上部区域、中央区域及下部区域这三个区域分别各获得了三个内部电极层12的露出面。内部电极层12的露出面能够通过使电介质层11与内部电极层12的界面以电化学或者机械的方式剥离而获得。
在内部电极层12的露出面，可观察如图2的(B)所示的多个作为板状物的第二晶粒G2。针对SEM观察像内的第二晶粒G2，测定了其长径L2i(i＝1，2，···N)。长径L2i的测定是通过图像解析而进行的。此外，针对测定了长径L2i的第二晶粒G2，使用FIB加工以便获知厚度，通过SEM测定了厚度T2i(i＝1，2，···N)。
另外，关于厚度T2i，测定通过FIB加工而露出的第二晶粒G2的剖面的3个部位，取其平均。本次的内部电极层12的微细构造的调查中的测定粒子数N为20。
在此，将作为板状物的第二晶粒G2的与厚度T2i方向正交的长径L2i相对于厚度T2i之比设为纵横比AS2i。根据通过上述测定而获得的长径L21、L22、···、L220和厚度T21、T22、···、T220，计算出AS21、AS22、···、AS220。计算出这些纵横比AS21、AS22、···、AS220的平均值即平均纵横比AS2AV。此外，计算出厚度T21、T22、···、T220的平均厚度T2AV。
对从上部区域、中央区域及下部区域这三个区域分别各获得了三个的合计九个的内部电极层12的露出面进行了该操作。其结果是，确认了：在内部电极层12的任意的露出面中，第二晶粒G2的平均纵横比AS2AV都为5以上。此外，确认了：第二晶粒G2的平均厚度T2AV为150nm。
图3是示意性地示出图1所示出的层叠陶瓷电容器100的层叠体10的中央区域的中央部附近的、电介质层11及内部电极层12的微细构造的剖视图。由于上部区域及下部区域也是同样的，因此省略关于它们的说明。
如前所述，层叠陶瓷电容器100的层叠体10的电介质层11具有平均厚度T1AV为300nm以下且平均纵横比AS1AV为5以上的第一晶粒G1。此外，第一内部电极层12a及第二内部电极层12b具有平均厚度T2AV为150nm以下且平均纵横比AS2AV为5以上的第二晶粒G2。
在层叠陶瓷电容器100中，内部电极层12具有作为板状物的第二晶粒G2。因此，与内部电极层不包含作为板状物的导电体粒子的情况相比，沿着层叠体10的第一主面及第二主面的方向上的烧结收缩的程度变小。因此，在与具有烧结收缩的程度小的作为板状物的第一晶粒G1的电介质层11进行了组合的情况下，能够抑制电介质层11与内部电极层12的烧结收缩状态的差异所导致的、层叠体10内部的变形的产生。即，能够抑制该变形所导致的离层、裂缝等构造缺陷的产生。
另外，在是电介质层11的平均厚度为0.4μm以下的薄层的情况下，除了上述效果以外，还能够使层叠陶瓷电容器100的静电电容提高。不过，在该情况下，通过另外的实验确认了：与比0.4μm厚的情况相比，由于内部电极层的烧结收缩而欲使电介质层变形的力变大。即便在这样的情况下，通过将分别具有具备上述特征的第一晶粒G1的电介质层11和具有第二晶粒G2的内部电极层12进行组合，从而也能够有效地抑制层叠体10的内部的变形的产生。
此外，在内部电极层12的平均厚度为0.3μm以下的情况下，除了上述效果之外，还能够抑制层叠体10的层叠方向的厚度。不过，该情况下，与比0.3μm厚的情况相比，由于烧结收缩而变得容易在内部电极层开孔，更甚者，有时内部电极层会变成网状。即便在这样的情况下，通过将分别具有具备上述特征的第一晶粒G1的电介质层11和具有第二晶粒G2的内部电极层12进行组合，从而也是除了上述效果之外，还能够减少在内部电极层开出的孔。其结果是，能够抑制层叠陶瓷电容器100的静电电容的下降。
<层叠陶瓷电容器的制造方法>
针对表示根据本公开的层叠型电子部件的实施方式的层叠陶瓷电容器100的制造方法，按照制造工序的顺序进行说明。层叠陶瓷电容器100的制造方法具备以下的各工序。
层叠陶瓷电容器100的制造方法具备使用例如在BaTiO3粉末的表面赋予了各种添加物的粉末(电介质粉末)来获得多个陶瓷生片的工序。该工序相当于获得多个烧结前电介质层的工序。即，“生(green)”这一用语是表示“烧结前”的表现，以后也以该含义来使用。
上述电介质粉末能够通过例如在BaTiO3粉末的表面赋予添加物的有机化合物，进行预烧使有机成分燃烧从而制作，以使得成为添加物以氧化物的状态被赋予给BaTiO3粉末的表面的状态。不过，并不局限于此，可以是有机化合物的状态，或者，也可以是氧化物和有机化合物混合存在的状态。此外，并不局限于BaTiO3粉末，也可以是BaTiO3固溶体粉末。
另外，陶瓷生片能够通过使用例如刮刀法或者基于各种涂敷机的涂敷法等已知方法将包含电介质粉末和粘合剂的浆涂敷于基材而获得。
层叠陶瓷电容器100的制造方法具备使用包含导电体粉末的内部电极用膏将内部电极层图案印刷于陶瓷生片的工序。该工序相当于在烧结前电介质层形成烧结前内部电极层的工序。内部电极层用膏包括例如包含Ni、Ni合金、Cu及Cu合金之中的一者的导电体粉末和在BaTiO3粉末的表面赋予了各种添加物的粉末(共通材料)。另外，共通材料并不是必须的。
上述共通材料能够通过例如在BaTiO3粉末的表面赋予添加物的有机化合物，进行预烧使有机成分燃烧从而制作，以使得成为添加物以氧化物的状态被赋予给BaTiO3粉末的表面的状态。不过，并不局限于此，可以是有机化合物的状态，或者，也可以是氧化物和有机化合物混合存在的状态。此外，并不局限于BaTiO3粉末，也可以是BaTiO3固溶体粉末。共通材料，可以与电介质粉末相同，也可以不同。
层叠陶瓷电容器100的制造方法具备将包括形成有内部电极图案的陶瓷生片在内的多个陶瓷生片进行层叠，获得生层叠体的工序。该工序相当于将包括形成有烧结前内部电极层的烧结前电介质层在内的多个烧结前电介质层进行层叠，获得烧结前层叠体的工序。
层叠陶瓷电容器100的制造方法具备使生层叠体进行烧结，获得包括被层叠的多个电介质层和多个内部电极层的层叠体的工序。该工序相当于使烧结前层叠体进行烧结，获得包括被层叠的多个电介质层和多个内部电极层的层叠体的工序。
在此，在获得多个陶瓷生片的工序中，使用包含作为板状物的电介质粒子的电介质粉末。该电介质粒子的平均厚度为200nm以下且平均纵横比为5以上。电介质粉末如前所述那样在与粘合剂混合并被浆化之后，涂敷于基材上而成为陶瓷生片。
此外，在使用包含导电体粉末的内部电极用膏将内部电极层图案印刷于陶瓷生片的工序中，使用包含作为板状物的导电体粒子的导电体粉末。该导电体粒子的平均厚度为150nm以下且平均纵横比为5以上。导电体粉末通过与粘合剂混合并被膏化从而成为内部电极用膏。另外，纵横比是在电介质层及内部电极层的微细构造的说明中被定义的。
通过使用分别包含具备上述特征的电介质粒子的电介质粉末及包含导电体粒子的导电体粉末，从而能够制造具备上述特征的层叠陶瓷电容器100。
使用图4详细地说明获得上述陶瓷生片的工序至获得所烧结的层叠体的工序。
图4是示出制造作为根据本公开的层叠型电子部件的实施方式的层叠陶瓷电容器100所具备的层叠体10的工序的主要部分的剖视图。
图4的(A)是示出获得陶瓷生片11g的工序的剖视图。在陶瓷生片11g的制作中，使用包含作为板状物的电介质粒子DP的电介质粉末，该电介质粒子DP的平均厚度为200nm以下且平均纵横比为5以上。电介质粉末包括例如BaTiO3或者BaTiO3固溶体这样的包含Ba及Ti的钙钛矿化合物。如前所述，电介质粉末与粘合剂一起被浆化，并被涂敷于例如树脂薄膜这样的基材CF上，由此成为陶瓷生片11g。关于粘合剂，将省略图示。
图4的(B)是示出对陶瓷生片11g赋予第一内部电极层图案12ag的工序的剖视图。另外，对陶瓷生片11g赋予第二内部电极层图案12bg(参照图4的(C))的工序由于与赋予第一内部电极层图案12ag的工序同样，因此省略说明。
在第一内部电极层图案12ag的制作中，使用包含作为板状物的导电体粒子CP的导电体粉末，该导电体粒子CP的平均厚度为150nm以下且平均纵横比为5以上。导电体粉末例如包含Ni。如前所述，导电体粉末与粘合剂一起被膏化，并被涂敷于陶瓷生片11g上以使得成为给定的图案。关于粘合剂，将省略图示。
图4的(C)是示出将包括赋予了各内部电极层图案的陶瓷生片11g在内的多个陶瓷生片11g进行层叠，获得生层叠体10g的工序的剖视图。第一内部电极层图案12ag和第二内部电极层图案12bg配置为在成为层叠陶瓷电容器100时形成电容器元件。生层叠体10g的形成通过已知的方法来进行。另外，也可以在生层叠体10g的形成时进行静水压压制。在该情况下，可分别有效地进行作为板状物的电介质粒子及导电体粒子的取向。
图4的(D)是示出使生层叠体10g进行烧结，获得包括被层叠的多个电介质层11和多个第一内部电极层12a及第二内部电极层12b的层叠体的工序的剖视图。第一内部电极层12a具有平均厚度为300nm以下且平均纵横比为5以上的作为板状物的多个第一晶粒G1。此外，第一内部电极层12a及第二内部电极层12b具有平均厚度为150nm以下且平均纵横比为5以上的作为板状物的多个第二晶粒G2。
陶瓷生片11g在烧结时的收缩的程度小。因而，通过与同样地烧结时的收缩的程度比不包含作为板状物的导电体粒子的情况小的第一内部电极层图案12ag及第二内部电极层图案12bg进行组合，从而能够抑制烧结后的层叠体10的内部的变形的产生。而且，能够抑制该变形所导致的离层、裂缝等构造缺陷的产生。
另外，在电介质粉末中包含的作为板状物的电介质粒子的平均厚度为100nm以下的情况下，除了抑制上述构造缺陷的产生之外，还能够在烧成后的电介质层11中增多在厚度方向上重叠的第一晶粒G1的数量。并且，如图3所示，第一晶粒G1局部地重叠成沿着电介质层11的晶界的从第一内部电极层12a到第二内部电极层12b的路线变长。在该情况下，能够使绝缘电阻及可靠性提高。
此外，在导电体粉末中包含的作为板状物的导电体粒子的平均厚度为50nm以下的情况下，除了抑制上述构造缺陷的产生之外，还能够在烧成后的内部电极层12中增多在厚度方向上重叠的第二晶粒G2的数量。并且，如图3所示，第二晶粒G2局部地重叠成沿着内部电极层12的晶界的从一个主面到另一个主面的路线变长。在该情况下，能够减少由于烧结收缩而在内部电极层开出的孔。
本说明书所公开的实施方式是例示性的，本公开所涉及的发明并不限定于上述实施方式。即，本公开所涉及的发明的范围由权利要求书示出，意图包含与权利要求书等同的含义及范围内的全部变更。此外，能够在上述范围内施加各种应用、变形。
例如，关于构成层叠体的电介质层的数量及材质、和内部电极层的数量及材质，能够在本发明的范围内施加各种应用或者变形。此外，作为层叠型电子部件，虽然例示了层叠陶瓷电容器，但本公开所涉及的发明并不局限于此，还能够适用于在多层基板的内部形成的电容器元件等。
Claims (7)
1.一种层叠型电子部件，具备包括被层叠的多个电介质层和多个内部电极层的层叠体，
在将板状物的与厚度方向正交的长径相对于厚度之比设为纵横比时，
所述电介质层具有平均厚度为300nm以下且平均纵横比为5以上的作为板状物的多个第一晶粒，
所述内部电极层具有平均厚度为150nm以下且平均纵横比为5以上的作为板状物的多个第二晶粒，
所述第一晶粒局部地重叠成沿着所述电介质层的层叠方向的晶界的从第一内部电极层到第二内部电极层的路线变长，
所述第二晶粒局部地重叠成沿着所述内部电极层的层叠方向的晶界的从一个电介质层到另一个电介质层的路线变长。
2.根据权利要求1所述的层叠型电子部件，其中，
所述电介质层的平均厚度为0.4μm以下。
3.根据权利要求1或2所述的层叠型电子部件，其中，
所述内部电极层的平均厚度为0.3μm以下。
4.一种层叠型电子部件的制造方法，具备：
获得多个烧结前电介质层的工序；
在所述烧结前电介质层形成烧结前内部电极层的工序；
将包括形成有所述烧结前内部电极层的烧结前电介质层在内的所述多个烧结前电介质层进行层叠，获得烧结前层叠体的工序；以及
使所述烧结前层叠体进行烧结，获得包括被层叠的多个电介质层和多个内部电极层的层叠体的工序，
在将板状物的与厚度方向正交的长径相对于厚度之比设为纵横比时，
在获得所述多个烧结前电介质层的工序中，使用包含作为板状物的电介质粒子的电介质粉末，该电介质粒子的平均厚度为200nm以下且平均纵横比为5以上，
在形成所述烧结前内部电极层的工序中，使用包含作为板状物的导电体粒子的导电体粉末，该导电体粒子的平均厚度为150nm以下且平均纵横比为5以上，
作为所述电介质粒子的第一晶粒局部地重叠成沿着所述电介质层的层叠方向的晶界的从第一内部电极层到第二内部电极层的路线变长，
作为所述导电体粒子的第二晶粒局部地重叠成沿着所述内部电极层的层叠方向的晶界的从一个电介质层到另一个电介质层的路线变长。
5.根据权利要求4所述的层叠型电子部件的制造方法，其中，
所述电介质粉末包括包含Ba及Ti的钙钛矿化合物，
所述导电体粉末包含Ni。
6.根据权利要求4或5所述的层叠型电子部件的制造方法，其中，
所述电介质粉末中包含的作为板状物的电介质粒子的平均厚度为100nm以下。
7.根据权利要求4或5所述的层叠型电子部件的制造方法，其中，
所述导电体粉末中包含的作为板状物的导电体粒子的平均厚度为50nm以下。
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