CN112440209A

CN112440209A - 用于修整半导体晶片抛光垫的装置

Info

Publication number: CN112440209A
Application number: CN202010877773.3A
Authority: CN
Inventors: 陈政炳; 陈世忠; 彭升泰; 陈鸿霖
Original assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Current assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Priority date: 2019-08-30
Filing date: 2020-08-27
Publication date: 2021-03-05
Also published as: US11618126B2; US20210060727A1; US20230234184A1; TW202122212A

Abstract

一种用于修整半导体晶片抛光垫的装置包括基底、纤维及从基底的表面突出且包围纤维的聚合物。

Description

用于修整半导体晶片抛光垫的装置

技术领域

本发明实施例涉及一种用于修整半导体晶片抛光垫的装置。

背景技术

化学机械抛光(chemical mechanical polishing，CMP)是广泛使用的工艺，通过所述工艺，化学力及物理力被用于将半导体工件(例如晶片)全局地平坦化。一般来说，平坦化使工件准备用于后续层的形成。典型的CMP工具包括由抛光垫覆盖的旋转平台。浆料分配系统被配置成向抛光垫提供具有化学组分及磨料组分的抛光混合物。然后使工件与旋转抛光垫接触，以将工件平坦化。

发明内容

本发明实施例提供一种用于修整半导体晶片抛光垫的装置，其包括：基底、纤维以及聚合物。聚合物从基底的表面突出且包围纤维。

本发明实施例提供一种用于修整半导体晶片抛光垫的装置，其包括：基底以及从基底的表面突出的第一突起。第一突起的第一部分包含聚合物，且第一突起的第二部分包含碳。

本发明实施例提供一种用于修整半导体晶片抛光垫的装置，其包括：基底、第一突起群簇以及第二突起群簇。第一突起群簇在基底上的第一位置处从基底的表面突出。第二突起群簇在基底上的第二位置处从基底的表面突出，基底上的第二位置与基底上的第一位置不同。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1是根据一些实施例的抛光垫修整装置的俯视图。

图2是根据一些实施例的抛光垫修整装置的突起群簇(cluster)的俯视图。

图3是根据一些实施例的抛光垫修整装置的突起阵列的图示。

图4示出根据一些实施例的抛光垫修整装置的突起群簇。

图5示出根据一些实施例的抛光垫修整装置的复合突起。

图6是根据一些实施例的抛光垫修整装置的复合突起的剖视图。

图7示出根据一些实施例的不同长度的若干复合突起。

图8示出根据一些实施例的晶片抛光装置。

图9示出根据一些实施例的修整装置的运动(movement)。

图10是根据一些实施例的修整装置的侧视图。

具体实施方式

以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的若干不同的实施例或例子。以下阐述组件及布置的具体例子以简化本公开。当然，这些仅为例子而非旨在进行限制。例如，以下说明中将第一特征形成在第二特征“之上”或第二特征“上”可包括其中第一特征与第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成附加特征、从而使得所述第一特征与所述第二特征可不直接接触的实施例。另外，本公开在各种例子中可重复使用参考编号或字母。此种重复使用是为了简明及清晰起见，且自身并不表示所论述的各个实施例或配置之间的关系。

此外，为易于说明，本文中可能使用例如“在...之下”、“在...下方”、“下部的”、“在...上方”、“上部的”等空间相对性用语来阐述图中所示一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。所述空间相对性用语旨在除图中所示的取向外还囊括器件在使用或操作中的不同取向。装置可被另外取向(旋转90度或处于其他取向)，且本文中所用的空间相对性描述语可同样相应地进行解释。

本文提供一个或多个用于修整半导体晶片抛光垫的抛光垫修整装置。根据一些实施例，抛光垫修整装置包括基底结构，所述基底结构具有从基底结构的表面突出的突起。根据一些实施例，基底结构是椭圆形盘，且突起中的至少一些是复合物。根据一些实施例，复合突起中的至少一些包含外接于纤维的聚合物(polymer circumscribing fiber)。根据一些实施例，纤维突出超过聚合物的尖端部分。根据一些实施例，突起以突起群簇布置在基底结构上。根据一些实施例，多个突起群簇以椭圆的形式布置在基底结构上。根据一些实施例，若干多个群簇以若干椭圆的形式布置在基底结构上。根据一些实施例，若干椭圆是同心圆。根据一些实施例，突起群簇内的一些突起是第一高度，而所述突起群簇中的其他突起是第二高度。根据一些实施例，第二高度不同于第一高度。

图1是根据一些实施例的抛光垫修整装置100的俯视图。根据一些实施例，抛光垫修整装置100包括贴合到基底104的突起102。根据一些实施例，基底104包括衬底、盘、平台、支撑结构或其他合适的器件或基础。根据一些实施例，基底104包含金属、聚合物、结晶材料、非结晶材料、物质、物质的混合物或其他合适的材料中的至少一种。根据一些实施例，基底104是包含半导体材料的衬底。在一些实施例中，基底104包含硅、锗、碳化物、镓、砷化物、锗、砷、铟、氧化物、蓝宝石或其他合适的材料中的至少一种。

根据一些实施例，基底104的形状是圆锥形、盘状、几何形、椭圆形、多边形、对称形、不对称形、不规则形或其他合适的形状中的至少一种。根据一些实施例，基底104是圆形、卵形(oval)、修圆的(rounded)或具有一个或多个焦点(foci)的其他形状中的至少一种。根据一些实施例，基底104包括外围部分108(例如在基底的周界处或邻近周界处)以及中心部分112。根据一些实施例，突起102位于外围部分108与中心部分112之间。根据一些实施例，突起102位于外围部分108、中心部分112或外围部分108与中心部分112之间中的至少一者处。

根据一些实施例，突起102远离基底104的表面106而突出。根据一些实施例，一些突起102远离并垂直于基底104的表面106突出。根据一些实施例，一些突起102以不垂直于基底104的表面106的角度远离基底104突出。根据一些实施例，一些突起102远离并垂直于基底104的表面106突出，并且一些其他突起102以不垂直于基底104的表面106的角度远离基底104突出。

根据一些实施例，两个或更多个突起在基底104上被布置成突起群簇114。根据一些实施例，突起群簇114是指紧密定位在一起的多个突起。

根据一些实施例，抛光垫修整装置100包括一个或多个突起群簇。根据一些实施例，多个突起群簇116以椭圆118的形式布置在基底104上。根据一些实施例，椭圆(ellipse)是圆形、卵形、修圆的或具有一个或多个焦点的其他形状中的至少一种。根据一些实施例，椭圆118界定基底104的区域。根据一些实施例，多个突起群簇在基底104上被布置成多个同心椭圆。根据一些实施例，多个突起群簇在基底104上被布置成多个同心圆。根据一些实施例，第一多个突起群簇116距基底104的周界第一距离，且第二多个突起群簇116距基底104的周界第二距离。根据一些实施例，第一距离大于第二距离。

根据一些实施例，多个突起群簇116在基底104上被布置成一种或多种几何形状。根据一些实施例，包括多个突起群簇116的几何形状界定抛光垫修整装置100的区域。根据一些实施例，抛光垫修整装置100包括一个或多个区域。根据一些实施例，一个或多个突起群簇(例如110a-d)被布置在基底104的中心部分112与外围部分108之间。根据一些实施例，抛光垫修整装置100具有第一形状的第一区域及与第一形状不同的第二形状的第二区域。根据一些实施例，抛光垫修整装置100具有椭圆形的第一区域及位于基底104的中心部分112与基底104的外围部分108之间的第二区域。根据一些实施例，抛光垫修整装置100具有任意数量的区域。根据一些实施例，抛光垫修整装置100具有任意数量的突起102。根据一些实施例，突起102相对于彼此以任何方式、配置等布置。根据一些实施例，抛光垫修整装置100具有任意数量的突起群簇114。根据一些实施例，突起群簇114相对于彼此以任何方式、配置等布置。

根据一些实施例，基底104包括用于将抛光垫修整装置100贴合到晶片抛光装置的一个或多个安装机构119。根据一些实施例，所述一个或多个安装机构119是阴配件(femalefitting)、阳配件(male fitting)、连接件、卡扣(clasp)、孔、凹部或其他合适的物品中的至少一种。根据一些实施例，所述一个或多个安装机构119中的至少一些是成型到基底104中或穿过基底104的孔或凹部。根据一些实施例，所述一个或多个安装机构119中的至少一些贴合到基底104，例如连接件、卡扣等通过焊接、熔合、化学结合等接合到基底104。

图2是根据一些实施例的突起群簇114的俯视图。根据一些实施例，突起群簇114包括多个突起102，突起102被布置成椭圆形、多边形、几何形状、同心的、线性的、对称的、不对称的或其他合适的布置中的至少一种。根据一些实施例，突起102以未布置的(unarranged)配置定位在基底上。

图3是根据一些实施例的抛光垫修整装置的多个突起群簇116(即第一突起群簇114a、第二突起群簇114b、第三突起群簇114c及第四突起群簇114d)的图示。根据一些实施例，第一突起群簇114a包括第一数量的突起102，第二突起群簇114b包括第二数量的突起102，第三突起群簇114c包括第三数量的突起102，且第四突起群簇114d包括第四数量的突起102。根据一些实施例，第一数量的突起、第二数量的突起、第三数量的突起及第四数量的突起中的至少一者不同于另一突起群簇的突起数量。根据一些实施例，第一突起群簇114a中的突起102以第一布置来布置，第二突起群簇114b中的突起102以第二布置来布置，第三突起群簇114c中的突起102以第三布置来布置，且第四突起群簇114d中的突起102以第四布置来布置。根据一些实施例，第一布置、第二布置、第三布置及第四布置中的至少一者不同于另一突起群簇中的突起的布置。根据一些实施例，第一突起群簇114a、第二突起群簇114b、第三突起群簇114c及第四突起群簇114d彼此间隔开任意距离、尺寸等。根据一些实施例，不同群簇的突起之间的距离、尺寸等有所不同。

图4示出根据一些实施例的突起群簇114。根据一些实施例，一些突起102的靠近基底104的表面106的端部120直接贴合到基底104。根据一些实施例，一些突起102的靠近基底104的表面106的端部120(例如通过中间体、安装件、连接件、支撑件或其他合适的结构(未示出))间接地贴合到基底104。

根据一些实施例，一些突起102的靠近基底104的表面106的端部120嵌入基底104中。根据一些实施例，一些突起102的靠近基底104的表面106的端部120摩擦配合(frictionfit)到基底104中。根据一些实施例，一些突起102的靠近基底104的表面106的端部120热接合到基底104或热接合到基底104中。根据一些实施例，一些突起102的靠近基底104的表面106的端部120化学接合到基底104或化学接合到基底104中。根据一些实施例，一些突起102的靠近基底104的表面106的端部120机械接合到基底104或机械接合到基底104中。根据一些实施例，至少一些突起102包括至少一种晶片修整材料124。

根据一些实施例，突起群簇114中的至少一些突起102接合在一起，并作为群组贴合到基底104。根据一些实施例，突起群簇114中的至少一些突起102单独贴合到基底104。

根据一些实施例，一些突起102具有均匀的长度。根据一些实施例，一些突起102具有不均匀的长度，使得突起群簇114中的一些突起102的长度不同于突起群簇114中的一些其他突起102的长度。根据一些实施例，突起群簇114中的一些突起102具有第一长度，突起群簇114中的一些其他突起102具有第二长度，且突起群簇114中的另一些其他突起102具有第三长度。根据一些实施例，第一长度不同于第二长度及第三长度，且第二长度不同于第三长度。根据一些实施例，突起群簇114包括多于三种不同长度的突起102。

根据一些实施例，在使用时，突起群簇114中的一些突起102具有第一抛光性能，突起群簇114中的一些其他突起102具有第二抛光性能，且突起群簇114中的另一些其他突起102具有第三抛光性能。根据一些实施例，第一抛光性能大于第二抛光性能，且第二抛光性能大于第三抛光性能。根据一些实施例，最初第一抛光性能大于第二抛光性能及第三抛光性能，而随后第二抛光性能大于第一抛光性能及第三抛光性能。根据一些实施例，第三抛光性能大于第一抛光性能及第二抛光性能。

根据一些实施例，突起群簇114中的一些突起102由于在修整期间与一个或多个抛光垫的摩擦接触而随着时间磨损。根据一些实施例，当突起群簇114最初用于修整抛光垫时，较长的突起102(例如至少一个突起102a)比较短的突起(例如至少一个其他突起102b)更大程度地接触抛光垫的表面。根据一些实施例，更大程度地接触抛光垫的表面的突起具有更大的抛光效果或性能。当突起群簇114随着时间的推移对垫进行抛光时，平均来说，较长的突起比较短的突起将磨损得更快。根据一些实施例，当较长突起的晶片修整材料124磨损到尖端部分126处或其下方时，突起在抛光时变得不太有效。然而，根据一些实施例，较短突起的修整材料的全部或部分长度维持突起群簇114的有效抛光性能。因此，根据一些实施例，最初较长的突起比较短的突起如此更大程度地接触抛光垫，且较长的突起比较短的突起具有更有效的抛光性能。随着使用时间的推移，较长的突起磨损，而相对较短的突起比磨损的较长的突起具有更大的抛光效果。根据一些实施例，与所有突起具有相同长度的突起群簇相比，具有不同长度的突起的突起群簇的抛光效果或性能水平被保持到更高的程度。

参考图5，根据一些实施例，突起102包含多于一种材料，且有时被称为复合突起。根据一些实施例，复合突起包括抛光组件128及加强组件130。根据一些实施例，抛光组件128突出超过加强组件130的尖端部分126。根据一些实施例，在尖端部分126下方，加强组件130完全包围或围绕抛光组件128。根据一些实施例，在尖端部分126下方，加强组件130部分地包围或围绕抛光组件128。根据一些实施例，加强组件130环绕抛光组件128。根据一些实施例，加强组件130部分地环绕抛光组件128。根据一些实施例，加强组件130支撑(buttess)抛光组件128的整个周界。根据一些实施例，加强组件130支撑抛光组件128的周界的一部分。根据一些实施例，加强组件130支撑抛光组件128的一侧。根据一些实施例，加强组件130支撑抛光组件128的多于一侧。根据一些实施例，加强组件130是护套(sheath)。根据一些实施例，加强组件130具有孔、间隙或狭缝。根据一些实施例，加强组件130具有封闭主体(closed body)。根据一些实施例，加强组件130包括区段。根据一些实施例，加强组件130包括多个螺纹。

图6是根据一些实施例的包含多于一种材料的突起102的剖视图。根据一些实施例，抛光组件128沿着加强组件130的内部部分纵向延伸。根据一些实施例，抛光组件128沿着加强组件130的中心部分纵向延伸。根据一些实施例，抛光组件128部分地沿着加强组件130的中心部分延伸。根据一些实施例，抛光组件128沿着加强组件130的外围部分延伸。根据一些实施例，抛光组件128的长度大于加强组件130的长度。根据一些实施例，抛光组件128的长度小于加强组件130的长度，并且抛光组件128突出超过尖端部分126。

根据一些实施例，抛光组件128是单一组件。根据一些实施例，抛光组件128包括多于一个组件。根据一些实施例，抛光组件128包括两个或更多个耦合的组件。根据一些实施例，抛光组件128包括两个或更多个不同的组件。根据一些实施例，抛光组件128包含材料的复合物。根据一些实施例，抛光组件128包含一种或多种修整纤维。根据一些实施例，抛光组件128包含至少一种碳纤维。

根据一些实施例，抛光组件128是非柔性的。根据一些实施例，抛光组件128是显著非柔性的。根据一些实施例，抛光组件128是刚性的。根据一些实施例，抛光组件128是显著刚性的。根据一些实施例，抛光组件128是易碎的。

根据一些实施例，抛光组件128的拉伸强度大于300千磅/平方英寸(kilopoundsper square inch，ksi)且小于700ksi。根据一些实施例，抛光组件128的拉伸强度大于450ksi且小于550ksi。

根据一些实施例，抛光组件128的密度大于1.0g/cm³且小于3.0g/cm³。根据一些实施例，抛光组件128的密度大于1.5g/cm³且小于1.7g/cm³。

根据一些实施例，抛光组件128的弹性模量大于15兆磅/平方英寸(mega-poundsper square inch，Msi)且小于30Msi。根据一些实施例，抛光组件128的弹性模量大于18Msi且小于22Msi。

根据一些实施例，抛光组件128具有耐化学性。根据一些实施例，抛光组件128在高于300°华氏度的温度下保持稳定。根据一些实施例，抛光组件128的热膨胀系数为负的。

根据一些实施例，抛光组件128包含碳。根据一些实施例，抛光组件128包含碳晶体。根据一些实施例，抛光组件128包含碳纤维。根据一些实施例，抛光组件128的碳含量大于90重量％。

根据一些实施例，抛光组件128包含玻璃。根据一些实施例，抛光组件128包含玻璃纤维。根据一些实施例，抛光组件128包含塑料。根据一些实施例，抛光组件128包含塑料纤维。根据一些实施例，抛光组件128包含碳、玻璃或塑料中的至少一种的复合物。根据一些实施例，抛光组件128包含碳纤维、玻璃纤维或塑料纤维中的至少一种的多种。

根据一些实施例，抛光组件128是乱层(turbostratic)的。根据一些实施例，抛光组件128是石墨的。根据一些实施例，抛光组件128是具有石墨组分及乱层组分的混杂结构。

根据一些实施例，抛光组件128的直径小于1微米(mm)。根据一些实施例，抛光组件128的直径大于1mm且小于120mm。根据一些实施例，抛光组件128的直径小于加强组件130的直径。根据一些实施例，抛光组件包括直径小于加强组件130的直径的多个组件。

根据一些实施例，加强组件130是单一组件。根据一些实施例，加强组件130由多于一个组件构成。根据一些实施例，加强组件130由两个或更多个缠结的组件构成。根据一些实施例，加强组件130由两个或更多个不同的组件构成。根据一些实施例，加强组件130是复合物质。

根据一些实施例，加强组件130具有与抛光组件128的性质相似的性质。根据一些实施例，加强组件130具有与抛光组件128的性质不同的性质。根据一些实施例，加强组件130是非柔性的。根据一些实施例，加强组件130是轻微柔性的。根据一些实施例，加强组件130是刚性的。根据一些实施例，加强组件130是显著刚性的。根据一些实施例，加强组件130的刚性比抛光组件128更大。根据一些实施例，加强组件130的易碎性比抛光组件128更小。根据一些实施例，加强组件130比抛光组件128更抗断裂。

根据一些实施例，加强组件130具有耐化学性。根据一些实施例，加强组件130几乎不或不摄入及吸收很少水分。根据一些实施例，加强组件130具有耐热性，且在较宽的温度范围内保持机械强度及尺寸。根据一些实施例，加强组件130是刚性的且抗蠕变(creep)，并且在广泛的环境条件下保持刚度及强度。

根据一些实施例，加强组件130的拉伸强度大于10ksi且小于20ksi。根据一些实施例，加强组件130的拉伸强度大于12ksi且小于16ksi。

根据一些实施例，加强组件130的密度大于0.5g/cm³且小于3.0g/cm³。根据一些实施例，加强组件130的密度大于1.2g/cm³且小于1.4g/cm³。

根据一些实施例，加强组件130的弹性模量大于0.25Msi且小于1Msi。根据一些实施例，加强组件130的弹性模量大于0.5Msi且小于0.6Msi。

根据一些实施例，加强组件130具有耐化学性。根据一些实施例，加强组件130在高于300°华氏度的温度下保持稳定。根据一些实施例，加强组件130的热膨胀系数为正的。

根据一些实施例，加强组件130包含聚合物。根据一些实施例，加强组件130包含半结晶热塑性塑料。根据一些实施例，加强组件130包含聚醚醚酮(polyetheretherketone，PEEK)。

根据一些实施例，突起102包括包含碳、碳晶体或碳纤维的抛光组件128，以及包含聚合物、半结晶热塑性塑料或PEEK的加强组件130。

图7示出根据一些实施例的不同长度的若干突起102，即第一突起102x、第二突起102y及第三突起102z。根据一些实施例，第一突起102x的加强组件130x具有长度L₁，第二突起102y的加强组件130y具有长度L₂，且第三突起102z的加强组件130z具有长度L₃。根据一些实施例，加强组件130x的长度L₁是从加强尖端126x到加强端部120x的距离，加强组件130y的长度L₂是从加强尖端126y到加强端部120y的距离，且加强组件130z的长度L₃是从加强尖端126z到加强端部120z的距离。根据一些实施例，加强组件130的初始长度是在第一次使用加强组件来修整抛光垫之前加强组件的长度。根据一些实施例，加强组件130x、130y及130z的初始长度L₁、L₂及L₃大于1毫米(mm)且小于20mm。根据一些实施例，如果加强组件130x、130y及130z的初始长度L₁、L₂及L₃处于1mm到20mm的范围内，则在加强组件130x、130y及130z的整个工艺寿命期间，从抛光垫移除碎屑、污染物、非均匀性等的移除率维持实质上恒定。根据一些实施例，第一长度L₁不同于第二长度L₂，且第三长度L₃不同于第一长度L₁及第二长度L₂。根据一些实施例，如果加强组件130x、130y及130z的初始长度大于20mm，则加强组件130x、130y及130z中的至少一些弯曲、搭扣(buckle)等，这会抑制对碎屑、污染物、不均匀性等的移除。根据一些实施例，如果加强组件130x、130y及130z的初始长度小于1mm，则抛光垫修整装置100的使用寿命降低到期望的阈值以下。

根据一些实施例，加强组件130x、130y及130z的直径D₁、D₂及D₃大于1mm且小于120mm。根据一些实施例，加强组件130x、130y及130z的直径D₁、D₂及D₃与一起贴合到基底104的突起102的数量成反比。根据一些实施例，直径D₁、D₂及D₃越大，一起贴合到基底104的突起102的数量越少。根据一些实施例，直径D₁、D₂及D₃越小，一起贴合到基底104的突起102的数量越大。根据一些实施例，直径D₁、D₂及D₃在1mm到120mm范围内的加强组件130x、130y及130z提供贴合到基底104的一定量的突起102，以通过抛光垫修整装置100充分修整抛光垫。

根据一些实施例，加强组件130x、130y及130z的直径D₁、D₂及D₃是相同的。根据一些实施例，加强组件130x、130y及130z的直径D₁、D₂及D₃是不同的。根据一些实施例，一些加强组件具有第一直径，且一些其他加强组件具有第二直径。根据一些实施例，第一直径不同于第二直径。根据一些实施例，一些加强组件具有第一直径，一些其他加强组件具有第二直径，且另外一些其他加强组件具有第三直径。根据一些实施例，第一直径不同于第二直径，且第三直径不同于第一直径及第二直径。

根据一些实施例，突起102x、102y及102z之间的初始长度的差异(d₁、d₂及d₁+d₂)大于0.1mm且小于20mm。根据一些实施例，大于0.1mm且小于20mm的初始长度的差异提供：下一个较低长度的突起102y将在较长的突起102x磨损并变得在修整抛光垫时无效之前接触抛光垫，使得至少一些突起保持与抛光垫接触。根据一些实施例，若干突起中的一些突起具有第一长度，且若干突起中的一些其他突起具有第二长度。根据一些实施例，第一长度不同于第二长度。根据一些实施例，若干突起中的一些突起具有第一长度，若干突起中的一些其他突起具有第二长度，且若干突起中的另一些其他突起具有第三长度。根据一些实施例，第一长度不同于第二长度，且第三长度不同于第一长度及第二长度。

根据一些实施例，若干突起中的一些突起之间的长度的差异d₁不同于若干突起中的一些其他突起之间的长度的差异d₂。根据一些实施例，d₁≠d₂。

图8示出根据一些实施例的晶片抛光装置800。根据一些实施例，晶片抛光装置800包括耦合到三个支撑臂812的三个板802、三个晶片抛光垫804、三个浆料注入单元806、四个抛光头单元808及三个抛光垫修整装置100。根据一些实施例，所述三个板802被配置成接收所述三个晶片抛光垫804。根据一些实施例，所述三个晶片抛光垫804被配置成固定在所述三个板802的顶表面之上。根据一些实施例，晶片抛光装置800包括耦合到所述四个抛光头单元808的四个支撑结构814。根据一些实施例，所述四个支撑结构814是棒、梁、杆或其他合适的结构中的至少一者，并且与旋转点820相交。根据一些实施例，所述三个抛光垫修整装置100通过所述一个或多个安装机构119(图1)耦合到所述三个支撑臂812。

根据一些实施例，晶片抛光装置800包括装载板单元816，装载板单元816被配置成固定晶片以进行抛光。根据一些实施例，装载板单元816包括保持单元818，保持单元818被配置成固定晶片的堆叠。根据一些实施例，所述四个抛光头单元808的下侧被配置成将来自保持单元818的晶片固定到所述四个抛光头单元808的下侧。根据一些实施例，所述四个抛光头单元808的下侧包括卡盘(未示出)，所述卡盘被配置成固定来自保持单元818的顶部晶片。根据一些实施例，晶片抛光装置800被配置成使所述四个支撑结构814在顺时针或逆时针方向上围绕旋转点820旋转90度增量。

根据一些实施例，晶片抛光装置800被配置成在保持单元818处接收晶片或晶片的堆叠。根据一些实施例，保持单元818及所述四个抛光头单元808被配置成将晶片从保持单元818转移到位于装载站LD处的所述四个抛光头单元808的下侧。根据一些实施例，晶片抛光装置800被配置成使所述四个支撑结构814在顺时针或逆时针方向上旋转，以将晶片从站LD输送到站A、B及C，并返回到站LD。根据一些实施例，装载的晶片在站A、B及C处被抛光。根据一些实施例，装载的晶片在站A、B或C中的一者处被抛光。根据一些实施例，装载的晶片在站A、B或C中的一者或多者处被抛光。

根据一些实施例，所述三个板802被配置成围绕轴旋转，从而旋转固定到所述三个板802的所述三个晶片抛光垫804。根据一些实施例，所述三个浆料注入单元806被配置成向所述三个晶片抛光垫804供应浆料(slurry)。根据一些实施例，所述四个抛光头单元808被配置成将晶片压靠在所述三个晶片抛光垫804上。根据一些实施例，所述四个抛光头单元808被配置成相对于所述三个晶片抛光垫804使晶片旋转。根据一些实施例，晶片抛光装置800被配置成枢转(pivot)所述三个支撑臂812并旋转所述三个抛光垫修整装置100以修整所述三个晶片抛光垫804。

图9示出根据一些实施例的修整装置900的运动。根据一些实施例，修整装置900包括板802、支撑臂812及抛光垫修整装置100。根据一些实施例，修整装置900被配置成围绕中心点904旋转板802，围绕枢轴点908枢转支撑臂812，以及围绕中心点912旋转抛光垫修整装置100。根据一些实施例，板802被配置成接收抛光垫(未示出)。

根据一些实施例，机械的、电的、磁性的或基于其他合适的动力及传输系统耦合到板802，并且被配置成使板802围绕中心点904在顺时针方向或逆时针方向中的至少一个方向上旋转。根据一些实施例，支撑臂812的靠近枢轴点908的端部耦合到机械的、电的、磁性的或基于其他合适的动力及传输系统，所述系统被配置成使支撑臂812围绕枢轴点908在交替方向上枢转。根据一些实施例，修整装置900被配置成使抛光垫修整装置100围绕中心点912在顺时针方向或逆时针方向中的至少一个方向上旋转。根据一些实施例，修整装置900被配置成同时旋转板802、枢转支撑臂812及旋转抛光垫修整装置100。根据一些实施例，配合或贴合到板802的抛光垫通过旋转板802、枢转支撑臂812或旋转抛光垫修整装置100中的至少一者来修整。

图10是根据一些实施例的修整装置900的侧视图。根据一些实施例，修整装置900包括板802、支撑臂812及具有突起102的抛光垫修整装置100。根据一些实施例，一些突起102包括抛光组件及加强组件。根据一些实施例，一些突起102包含聚合物作为加强组分，所述聚合物包围作为抛光组分的碳纤维。

根据一些实施例，一种用于修整半导体晶片抛光垫的装置包括基底、纤维及从基底的表面突出且包围纤维的聚合物。

在上述用于修整半导体晶片抛光垫的装置中，其中所述纤维是碳纤维。

在上述用于修整半导体晶片抛光垫的装置中，其中所述聚合物环绕所述纤维。

在上述用于修整半导体晶片抛光垫的装置中，其中所述纤维从所述基底的所述表面突出。

在上述用于修整半导体晶片抛光垫的装置中，其中：所述聚合物从所述基底的所述表面突出第一距离，所述纤维从所述基底的所述表面突出第二距离，且所述第一距离不同于所述第二距离。

在上述用于修整半导体晶片抛光垫的装置中，其中所述第二距离大于所述第一距离。

根据一些实施例，一种用于修整半导体晶片抛光垫的装置包括基底及从基底的表面突出的第一突起。根据一些实施例，第一突起的第一部分包含聚合物，且第一突起的第二部分包含碳。

在上述用于修整半导体晶片抛光垫的装置中，其中所述聚合物包括聚醚醚酮。

在上述用于修整半导体晶片抛光垫的装置中，其中所述第一突起的所述第一部分围绕所述第一突起的所述第二部分。

在上述用于修整半导体晶片抛光垫的装置中，其中：所述第一突起的所述第一部分从所述基底的所述表面突出第一距离，所述第一突起的所述第二部分从所述基底的所述表面突出第二距离，且所述第二距离不同于所述第一距离。

在上述用于修整半导体晶片抛光垫的装置中，包括：第二突起，从所述基底的所述表面突出，其中：所述第一突起从所述基底的所述表面突出第一距离，所述第二突起从所述基底的所述表面突出第二距离，且所述第二距离大于所述第一距离。

根据一些实施例，一种用于修整半导体晶片抛光垫的装置包括基底、在基底上的第一位置处从基底的表面突出的第一突起群簇、以及在与基底上的第一位置不同的基底上的第二位置处从基底的表面突出的第二突起群簇。

在上述用于修整半导体晶片抛光垫的装置中，其中所述第一突起群簇中的突起包含包围碳纤维的聚合物。

在上述用于修整半导体晶片抛光垫的装置中，其中：所述聚合物从所述基底的所述表面突出第一距离，所述碳纤维从所述基底的所述表面突出第二距离，且所述第二距离大于所述第一距离。

在上述用于修整半导体晶片抛光垫的装置中，其中：所述基底是盘状的，使得所述基底的周界界定圆，所述第一突起群簇位于距所述圆的中心第一距离处，所述第二突起群簇位于距所述圆的所述中心第二距离处，且所述第一距离大于所述第二距离。

在上述用于修整半导体晶片抛光垫的装置中，包括：第一多个突起群簇，包括所述第一突起群簇；以及第二多个突起群簇，包括所述第二突起群簇，其中：所述基底是盘形的，使得所述基底的周界界定圆，所述第一多个突起群簇在距所述基底的所述周界第一距离处形成第一圆，所述第二多个突起群簇在距所述基底的所述周界第二距离处形成第二圆，且所述第一距离大于所述第二距离。

在上述用于修整半导体晶片抛光垫的装置中，其中：所述第一突起群簇中的第一突起包含包围第一碳纤维的第一聚合物，且所述第二突起群簇中的第二突起包含包围第二碳纤维的第二聚合物。

在上述用于修整半导体晶片抛光垫的装置中，其中存在以下中的至少一种情况：远离所述基底的所述表面的所述第一突起的第一端部不被所述第一聚合物覆盖，以及远离所述基底的所述表面的所述第二突起的第二端部不被所述第二聚合物覆盖。

在上述用于修整半导体晶片抛光垫的装置中，其中：所述第一突起群簇中的第一突起从所述基底的所述表面突出第一距离，所述第一突起群簇中的第二突起从所述基底的所述表面突出第二距离，且所述第二距离大于所述第一距离。

以上概述了若干实施例的特征，以使本领域中的技术人员可更好地理解本公开的各个方面。本领域中的技术人员应理解，其可容易地使用本公开作为设计或修改其他工艺及结构的基础来施行与本文中所介绍的实施例相同的目的或实现与本文中所介绍的实施例相同的优点。本领域中的技术人员还应认识到，这些等效构造并不背离本公开的精神及范围，而且他们可在不背离本公开的精神及范围的条件下对其作出各种改变、代替及变更。

尽管已采用结构特征或方法动作专用的语言阐述了本主题，然而应理解，随附权利要求书的主题未必仅限于上述具体特征或动作。确切来说，上述具体特征及动作是作为实施权利要求中的至少一些权利要求的示例性形式而公开的。

本文中提供实施例的各种操作。阐述一些或所有所述操作的次序不应被理解为暗示这些操作必须依照次序进行。应理解，替代次序也将具有本说明的有益效果。此外，应理解，并非所有操作均必须存在于本文中提供的每一实施例中。此外，应理解，在一些实施例中，并非所有操作均是必要的。

应理解，在一些实施例中，例如出于简洁及易于理解的目的，本文中绘示的层、特征、元件等是以相对于彼此的特定尺寸(例如，结构尺寸或取向)进行说明，且所述层、特征、元件等的实际尺寸实质上不同于本文中所示出的尺寸。

此外，本文中使用“示例性”来指充当例子、实例、示例等，而未必指为有利的。本申请中使用的“或”旨在指包含的“或”而不是指排他的“或”。此外，本申请及随附权利要求书中使用的“一(a及an)”一般被理解为指“一个或多个”，除非另有指明或从上下文中清楚地表明指单数形式。此外，A及B中的至少一者和/或类似表述一般指A或B，或A与B两者。此外，就使用“包含(includes)”、“具有(having、has)”、“带有(with)”或其变型的程度来说，这些用语旨在以类似于用语“包括(comprising)”的方式表示包含。此外，除非另有指明，否则“第一”、“第二”等并不旨在暗示时间方面、空间方面、次序等。确切来说，这些用语仅用作特征、元件、项目等的标识符、名称等。例如，第一元件及第二元件一般对应于元件A及元件B、或两个不同元件、或两个相同元件、或同一元件。

此外，尽管已针对一种或多种实施方案示出并阐述了本公开，然而本领域中的一般技术人员在阅读及理解本说明书及附图后将想到等效更改及修改。本公开包括所有此种修改及更改，且仅受限于以上权利要求书的范围。特别对于由上述组件(例如，元件、资源等)实行的各种功能来说，用于阐述此种组件的用语旨在对应于实行所述组件的指定功能的(例如，功能上等效的)任意组件(除非另有表明)，即使所述组件在结构上不与所公开的结构等效。另外，尽管可能仅相对于若干实施方案中的一种实施方案公开了本公开的特定特征，然而在对于任意给定或特定应用来说可能为期望的及有利的时，此种特征可与其他实施方案的一种或多种其他特征进行组合。

Claims

1.一种用于修整半导体晶片抛光垫的装置，包括：

基底；

纤维；以及

聚合物，从所述基底的表面突出且包围所述纤维。