CN112391698B - 纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管 - Google Patents

纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管 Download PDF

Info

Publication number
CN112391698B
CN112391698B CN201910762802.9A CN201910762802A CN112391698B CN 112391698 B CN112391698 B CN 112391698B CN 201910762802 A CN201910762802 A CN 201910762802A CN 112391698 B CN112391698 B CN 112391698B
Authority
CN
China
Prior art keywords
zinc
zinc oxide
precursor
quantum dot
spinning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910762802.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112391698A (zh
Inventor
吴劲衡
吴龙佳
何斯纳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL Technology Group Co Ltd
Original Assignee
TCL Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TCL Technology Group Co Ltd filed Critical TCL Technology Group Co Ltd
Priority to CN201910762802.9A priority Critical patent/CN112391698B/zh
Publication of CN112391698A publication Critical patent/CN112391698A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112391698B publication Critical patent/CN112391698B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • DTEXTILES; PAPER
    • D01NATURAL OR MAN-MADE THREADS OR FIBRES; SPINNING
    • D01FCHEMICAL FEATURES IN THE MANUFACTURE OF ARTIFICIAL FILAMENTS, THREADS, FIBRES, BRISTLES OR RIBBONS; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OF CARBON FILAMENTS
    • D01F9/00Artificial filaments or the like of other substances; Manufacture thereof; Apparatus specially adapted for the manufacture of carbon filaments
    • D01F9/08Artificial filaments or the like of other substances; Manufacture thereof; Apparatus specially adapted for the manufacture of carbon filaments of inorganic material
    • D01F9/10Artificial filaments or the like of other substances; Manufacture thereof; Apparatus specially adapted for the manufacture of carbon filaments of inorganic material by decomposition of organic substances
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/16Electron transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Textile Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

本发明属于平板显示技术领域,具体涉及一种纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管。本发明所提供的纳米材料的制备方法包括以下步骤:提供锌前驱体、氨基化合物、聚合物和溶剂,将锌前驱体、氨基化合物、聚合物溶解在溶剂中,制备纺丝溶液;将纺丝溶液进行纺丝处理,制备前驱体纤维;在含氧气氛下,将前驱体纤维进行高温烧结处理,获得氨基化氧化锌纳米纤维。通过结合纺丝处理以及在含氧气氛下高温烧结的技术,合成了一种氧化锌纳米纤维,具有纤维细长的特性和交错的形貌,并在合成过程中同步对氧化锌进行表面氨基化修饰改性,大大提升了氧化锌纳米材料的电子传输效率。

Description

纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管
技术领域
本发明属于平板显示技术领域,具体涉及一种纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管。
背景技术
量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)是一种电致发光器件,具有光谱连续可调、发光光谱窄、量子效率高等优点,在显示领域有着光明的应用前景。QLED主要包括相对设置的阴极和阳极,设置在阴极和阳极之间的量子点发光层,以及设置在量子点发光层和阴极之间的电子传输层,通过量子点发光层两侧注入的电子和空穴在量子点发光层复合发光。目前,QLED器件的发光效率仍受电子传输材料的限制而难以达到商业化生产的要求,其中,较低的电子传输效率是限制其发光性能的原因之一。
氧化锌是一种直接宽带隙的n型半导体,在室温下的禁带宽度为3.37ev,这种能带结构特点决定了氧化锌可成为合适的电子传输层材料,且氧化锌还具有化学性质稳定、资源丰富和价格便宜等特点,故采用基于氧化锌纳米材料的电子传输材料来制备QLED的电子传输层,成为了量子点发光二极管的制备技术中比较热门的研究内容之一。现有技术中,一般利用氧化锌纳米颗粒作为QLED的电子传输材料,然而,研究发现,即便对该氧化锌纳米颗粒进行各种表面修饰,其电子传输效率依然不能满足商业化生产的要求,仍需进一步改进。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种纳米材料的制备方法及由此得到的纳米材料,旨在提升基于氧化锌纳米材料的纳米材料的电子传输效率。
本发明的另一发明目的在于提供一种量子点发光二极管。
为了实现上述发明目的,本发明提供了下述技术方案:
一种纳米材料的制备方法,包括以下步骤:
提供锌前驱体、氨基化合物、聚合物和溶剂,将所述锌前驱体、所述氨基化合物、所述聚合物溶解在所述溶剂中,制备纺丝溶液;
将所述纺丝溶液进行纺丝处理,制备前驱体纤维;
在含氧气氛下,将所述前驱体纤维进行高温烧结处理,获得氨基化氧化锌纳米纤维。
本发明提供的上述纳米材料的制备方法,通过结合纺丝处理以及在含氧气氛下高温烧结的技术,合成了一种氧化锌纳米纤维,具有纤维细长的特性和网络交错的形貌,并在合成过程中同步对氧化锌进行表面氨基化修饰改性,使得氧化锌纳米纤维的表面带有氨基活性基团,大大提升了氧化锌纳米材料的电子传输效率,方法简单,操作简便,易于控制,安全稳定。
相应的,一种纳米材料,包括:氨基化氧化锌纳米纤维。
本发明提供的纳米材料,为氨基化氧化锌纳米纤维,一方面,其具有纤维细长的特性和交错的形貌,有助于提升电子在传输膜层中的传输效率;另一方面,其表面具有多个氨基活性基团,可在多根纤维交错的接触位点形成给电子共轭效应,提高纤维与纤维之间的接触位点的电子云密度,形成电子高通量通道,减少多根氧化锌纳米纤维之间电子传输的瓶颈效应,从而大大提高氧化锌纳米材料的电子传输效率。
相应的,一种量子点发光二极管,包括相对设置的阴极和阳极,设置在所述阴极和所述阳极之间的量子点发光层,以及设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的电子传输层,所述电子传输层的材料包括:由前述制备方法制得的纳米材料或上述纳米材料。
本发明提供的量子点发光二极管,其电子传输层的材料包括上述制备方法制得的纳米材料,其具有良好的电子传输性能,且水溶性好,易于成膜,稳定性高,可从整体上提高量子点发光二极管的发光性能。
附图说明
图1为本发明实施例提供的纳米材料的制备方法流程图;
图2为本发明实施例提供的一种纳米材料的结构示意图;
图3为本发明实施例提供的一种量子点发光二极管的结构示意图;
附图标记:衬底1,阳极2,空穴传输层3,量子点发光层4,电子传输层5,阴极6。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
本发明实施例说明书中所提到的各组分的质量不仅仅可以指代各组分的具体含量,也可以表示各组分间质量的比例关系,因此,只要是按照本发明实施例说明书组合物各组分的含量按比例放大或缩小均在本发明实施例说明书公开的范围之内。具体地,本发明实施例说明书中所述的质量可以是μg、mg、g、kg等医药领域公知的重量单位。
为了提升基于氧化锌纳米材料的纳米材料的电子传输效率,本发明实施例提供了一种纳米材料的制备方法及由此得到的纳米纤维,其具体技术方案如下:
一种纳米材料的制备方法,请参阅图1,包括以下步骤:
S01、提供锌前驱体、氨基化合物、聚合物和溶剂,将所述锌前驱体、所述氨基化合物、所述聚合物溶解在所述溶剂中,制备纺丝溶液;
S02、将所述纺丝溶液进行纺丝处理,制备前驱体纤维;
S03、在含氧气氛下,将所述前驱体纤维进行高温烧结处理,获得氨基化氧化锌纳米纤维。
本发明实施例提供的上述纳米材料的制备方法,通过结合纺丝处理以及在含氧气氛下高温烧结的技术,合成了一种氧化锌纳米纤维,具有纤维细长的特性和交错的形貌,并在合成过程中同步对氧化锌进行表面氨基化修饰改性,使得氧化锌纳米纤维的表面带有氨基活性基团,大大提升了氧化锌纳米材料的电子传输效率,方法简单,操作简便,易于控制,安全稳定。
具体的,在步骤S01中,所述锌前驱体为通过反应提供锌原子的前体物质,包括但不限于锌的无机物或锌的有机物。在一些实施方式中,所述锌前驱体优选为氯化锌、硫酸锌、醋酸锌、二甲基锌和二乙基锌中的至少一种。
作为一种实施方式,所述纺丝溶液中,所述锌前驱体的浓度为100-300mg/mL。当所述锌前驱体的浓度小于100mg/mL时,在经过后续的高温烧结处理后,前驱体纤维会直接断裂形成纳米棒、纳米颗粒等,无法形成纤维状的氧化锌纳米材料;当所述锌前驱体的浓度大于300mg/mL时,纺丝溶液为乳浊液,无法形成均匀连续的前驱体纤维。
所述氨基化合物为含氨基基团的化合物,其氨基基团的个数至少为一个,作为氧化锌氨基化的氨基配体。在一些实施方式中,所述氨基化合物优选为乙醇胺、正辛胺和乙二胺中的至少一种。
作为一种实施方式,制备纺丝溶液的步骤中,所述氨基化合物与所述锌前驱体按照摩尔比为(1-5):1的比例溶解在所述溶剂中。当所述氨基化合物与所述锌前驱体的摩尔比小于1:1时,参与反应的氨基化合物数量过低,无法达到有效提升材料电子传输效率的效果;当所述氨基化合物与所述锌前驱体的摩尔比大于5:1时,参与反应的氨基化合物数量过高,容易导致氧化锌纳米纤维发生团聚形成过大的颗粒,影响后续的成膜性能。
所述聚合物为有机高分子,用于促进形成前驱体纤维。在一些实施方式中,所述聚合物优选为聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚氯乙烯(PVC)、丙烯腈-苯乙烯-丁二烯共聚物(ABS)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰胺(PA)和聚苯硫醚(PPS)中的至少一种,和/或PVP、PE、PP、PVC、ABS、PMMA、EVA、PET、PA、PPS中的至少一种的聚合单体。
所述溶剂用于溶解所述锌前驱体、所述氨基化合物和所述聚合物,以制备均一的纺丝溶液。在一些实施方式中,所述溶剂选为有机溶剂,其至少对所述锌前驱体和所述氨基化合物具有良好的溶解度。在一些实施例中,所述溶剂选为乙醇、N,N-二甲基甲酰胺、四氢呋喃(THF)和二甲基亚酰(DMSO)中的至少一种。
作为一种实施方式,所述聚合物的添加体积为所述溶剂的体积的10%-30%。在该比例范围内,聚合物可以在溶剂中形成均一的溶液;当所述聚合物的用量过低时,无法在纺丝处理过程中形成前驱体纤维;当所述聚合物的用量过高时,容易导致纺丝溶液结块。
作为一种实施方式,将所述锌前驱体、所述氨基化合物、所述聚合物溶解在所述溶剂的步骤包括:将所述锌前驱体和所述氨基化合物完全溶解在所述溶剂中,得到混合液;然后,在所述混合液中加入所述聚合物,搅拌至所述聚合物均匀分散为止。
具体的,在步骤S02中,将所述纺丝溶液进行纺丝处理,以制备前驱体纤维,使得氧化锌产物具有交错网状的形貌。在一些实施方式中,所述纺丝处理优选为气纺丝法,相对于常规的静电纺丝法,气纺丝法具有简便、快速、低耗能、低成本的优点。在一些实施例中,所述气纺丝法的参数设置为:纺丝溶液流速设置为1.5-3.0mL/h,气压设置为30-60MPa,湿度设置为10%-40%。
具体的,在步骤S03中,含氧气氛用于提供氧原子,包括但不限于空气气氛和氧气气氛等。在高温烧结过程中,锌前驱体与氧发生反应生成氧化锌晶粒,同时在逐渐烧结的过程中,氨基化合物以配位键与氧化锌晶粒表面的锌原子键合连接,实现对氧化锌的氨基化。高温烧结处理后得到的氨基化氧化锌纳米纤维,由于纤维细长的特性,有利于电子在单根纤维上的传输;网络交错的形貌,有助于电子在传输膜层的传输,从而提升电子传输效率。同时,氧化锌纤维表面的氨基配体,在多根纤维交错的接触位点上形成给电子共轭效应,可以提高纤维与纤维之间接触位点的电子云密度,形成电子高通量通道,减少多根纤维之间电子传输的瓶颈效应。
在一些实施方式中,所述高温烧结的温度优选为300-500℃,在该温度范围内进行高温烧结,可使得本发明实施例方法制备得到的氨基化氧化锌纳米纤维的综合性能最佳。进一步的,所述高温烧结的时间为0.5-1小时,使得材料烧结完全,并有效避免时间过长导致颗粒发生团聚。在一实施例中,所述高温烧结处理包括:以2-5℃/min的升温速率从室温升温至300-500℃,保温烧结0.5-1小时。
作为一种实施方式,将所述前驱体纤维进行高温烧结处理的步骤之前,对所述前驱体纤维进行烘干。
作为一种实施方式,将所述前驱体纤维进行高温烧结处理的步骤之后,对高温烧结产物进行冷却使之降低至室温,然后研磨使其具有合适的长度,例如纤维长度为10-100μm。
在本发明实施例提供的上述优化的各原料的摩尔比例、浓度、温度、时间等条件参数的综合作用下,可使得通过本发明实施例提供的制备方法得到的纳米材料的综合性能最优。
相应的,一种由上述制备方法制得的纳米材料,所述纳米材料包括:氨基化氧化锌纳米纤维。
本发明实施例提供的纳米材料,为氨基化氧化锌纳米纤维,一方面,其具有纤维细长的特性和网络交错的形貌,有助于提升电子在传输膜层中的传输效率;另一方面,其表面具有多个氨基活性基团,可在多根纤维交错的接触位点形成给电子共轭效应,提高纤维与纤维之间的接触位点的电子云密度,形成电子高通量通道,减少多根氧化锌纳米纤维之间电子传输的瓶颈效应,从而大大提高氧化锌纳米材料的电子传输效率。
具体的,所述氨基化氧化锌纳米材料为一种表面带有氨基活性基团的氧化锌纳米纤维,由于具有纤维细长的特性和交错的形貌,以及氧化锌纤维表面的氨基活性基团,相对于氧化锌纳米颗粒,其电子传输效率得到大大提升。氨基以配位键的方式与氧化锌表面的锌原子键合连接,形成氨基配体。在一些实施例中,如图2所示,部分氨基裸露于氧化锌纳米纤维的表面,部分氨基连接在氧化锌纳米纤维内部。
作为一种实施方式,所述氨基化氧化锌纳米纤维中,氮原子与锌原子的摩尔比为(1-5):1。当氮原子与锌原子的摩尔比小于1:1时,无法达到有效提升材料电子传输效率的效果;当氮原子与锌原子的摩尔比大于5:1时,容易导致氧化锌纳米纤维发生团聚形成过大的颗粒,影响其成膜性能。
作为一种实施方式,所述氨基化氧化锌纳米纤维的直径为5-10nm,长度为10-100μm。该规格范围内的氧化镍纳米纤维可采用溶液制备,较好地分散于溶剂中,利于成膜。
相应的,一种量子点发光二极管,包括相对设置的阴极和阳极,设置在所述阴极和所述阳极之间的量子点发光层,以及设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的电子传输层,所述电子传输层的材料包括:前述纳米材料,或上述制备方法制得的纳米材料。
本发明实施例提供的量子点发光二极管,其电子传输层的材料包括上述制备方法制得的纳米材料,其具有良好的电子传输性能,且水溶性好,易于成膜,稳定性高,可从整体上提高量子点发光二极管的发光性能。
作为一种实施方式,所述电子传输层的厚度为10-100nm,优选为50nm。
所述量子点发光二极管均包括依次层叠设置的阳极、量子点发光层、电子传输层和阴极,可以理解,除了上述量子点发光层和电子传输层,所述量子点发光二极管还可以包括其他膜层结构,例如:衬底、空穴注入层、空穴传输层、电子注入层等。在一些实施方式中,所述量子点发光二极管可为正型结构,也可为反型结构,其中,正型结构和反型结构的区别主要在于:正型结构的阳极连接衬底,并以该阳极作为底电极层叠设置在衬底的表面;反型结构的阴极连接衬底,并以该阴极作为底电极层叠设置在衬底的表面。
在一些实施例中,如图3所示,所述量子点发光二极管为正型结构,包括依次层叠设置的衬底1、阳极2、空穴传输层3、量子点发光层4、电子传输层5和阴极6。其中,其中,所述衬底1为玻璃片;所述阳极2为ITO基板;所述空穴传输层3的材料为金属氧化物;所述电子传输层5的材料为氨基化氧化锌纳米纤维;所述阴极6的材料为金属铝。所述量子点发光层4的量子点材料为红、绿、蓝量子点材料中的一种,具有激发光谱宽并且连续分布,发射光谱稳定性高等特点。可以为CdS、CdSe、CdTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP、CuInS、CuInSe,以及各种核壳结构量子点或合金结构量子点中的至少一种。
相应的,本发明实施例还提供了上述量子点发光二极管的制备方法,包括以下步骤:
1)提供衬底,依次在所述衬底上沉积阳极、空穴传输层、量子点发光层;
2)以上述方法制备的氨基化氧化锌纳米纤维作为电子传输层材料,将其沉积于所述量子点发光层上,之后,蒸镀阴极于该电子传输层上,得到量子点发光二极管。
进一步的,将得到的QLED进行封装处理,所述封装处理可采用常用的机器封装,也可以采用手动封装。在一些实施例中,所述封装处理的环境中,氧含量和水含量均低于0.1ppm,以保证器件的稳定性。
为使本发明上述实施细节和操作能清楚地被本领域技术人员理解,以及本发明实施例一种纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管的进步性能显著地体现,以下通过实施例对本发明的实施进行举例说明。
实施例1
本实施例制备了一种纳米材料,为采用乙醇胺作为氨基配体制备的氨基化氧化锌纳米纤维,具体工艺流程如下:
S11、将氯化锌粉末溶于乙醇中,配制成浓度为200mg/mL的锌的前驱体溶液;随后,在该锌的前驱体溶液中加入乙醇胺,使得Zn2+与乙醇胺的摩尔比为1:3;之后,继续加入约占乙醇体积20%的PVP,搅拌至PVP均匀分散于混合液中,制备纺丝溶液;
S12、采用气纺丝法将所述纺丝溶液进行纺丝处理,获得棉花状的团絮物,得到前驱体纤维;
S13、烘干上述前驱体纤维,然后,在空气气氛下,将所述前驱体纤维于350℃下进行高温烧结2小时,之后待烧结产物降至室温后进行研磨,得到直径为5-10nm、长10-100μm、形貌为交错网状的氨基化氧化锌纳米纤维。
将上述制备得到的氨基化氧化锌纳米纤维作为电子传输层材料,制备获得QLED发光器件A。QLED发光器件A为正置型结构,包括阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极,所述阳极材料为ITO电极,所述空穴传输层材料为氧化镍,所述发光层为CdSe@ZnS绿色量子点,所述阴极为Al。
实施例2
本实施例制备了一种纳米材料,为采用正辛胺作为氨基配体制备的氨基化氧化锌纳米纤维,具体工艺流程如下:
S21、将醋酸锌粉末溶于DMF中,配制成浓度为100mg/mL的锌的前驱体溶液;随后,在该锌的前驱体溶液中加入正辛胺,使得Zn2+与正辛胺的摩尔比为1:1;之后,继续加入约占DMF体积20%的PVP,搅拌至PVP均匀分散于混合液中,制备纺丝溶液;
S22、采用气纺丝法将所述纺丝溶液进行纺丝处理,获得棉花状的团絮物,得到前驱体纤维;
S23、烘干上述前驱体纤维,然后,在氧气气氛下,将所述前驱体纤维于500℃下进行高温烧结2小时,之后待烧结产物降至室温后进行研磨,得到直径为5-10nm、长10-100μm、形貌为交错网状的氨基化氧化锌纳米纤维。
将上述制备得到的氨基化氧化锌纳米纤维作为电子传输层材料,制备获得QLED发光器件B。QLED发光器件B为正置型结构,包括阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极,所述阳极材料为ITO电极,所述空穴传输层材料为氧化镍,所述发光层为CdSe@ZnS绿色量子点,所述阴极为Al。
实施例3
本实施例制备了一种纳米材料,为采用乙醇胺作为氨基配体制备的氨基化氧化锌纳米纤维,具体工艺流程如下:
S31、将醋酸锌粉末溶于乙醇中,配制成浓度为300mg/mL的锌的前驱体溶液;随后,在该锌的前驱体溶液中加入正辛胺,使得Zn2+与正辛胺的摩尔比为1:5;之后,继续加入约占乙醇体积20%的PVC,搅拌至PVC均匀分散于混合液中,制备纺丝溶液;
S32、采用气纺丝法将所述纺丝溶液进行纺丝处理,获得棉花状的团絮物,得到前驱体纤维;
S33、烘干上述前驱体纤维,然后,在空气气氛下,将所述前驱体纤维于350℃下进行高温烧结2小时,之后待烧结产物降至室温后进行研磨,得到直径为5-10nm、长10-100μm、形貌为交错网状的氨基化氧化锌纳米纤维。
将上述制备得到的氨基化氧化锌纳米纤维作为电子传输层材料,制备获得QLED发光器件C。QLED发光器件C为反置型结构,包括阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极,所述阳极材料为Al电极,所述空穴传输层材料为氧化镍,所述发光层为CdSe@ZnS绿色量子点,所述阴极为ITO基板。
对比例1
1、将氯化锌粉末溶于乙醇中,配制成浓度为200mg/mL的锌的前驱体溶液;随后,在该锌的前驱体溶液中加入乙醇胺,使得Zn2+与乙醇胺的摩尔比为1:3,得到混合液;烘干,得混合物;
2、在空气气氛下,将混合物于350℃下进行高温烧结2小时,之后待烧结产物降至室温后进行研磨,得到粒径为5-10nm的氨基化氧化锌纳米颗粒。
将上述制备得到的氨基化氧化锌纳米颗粒作为电子传输层材料,制备获得QLED发光器件D。
对比例2
本对比例与实施例2的区别在于:制备纺丝溶液的步骤中,省略添加正辛胺;制得的氧化锌纳米纤维作为电子传输层材料,制备获得QLED发光器件E;
其余地方与实施例2基本相同,此处不再一一赘述。
对比例3
本对比例与实施例3的区别在于:制备纺丝溶液的步骤中,省略添加正辛胺;制得的氧化锌纳米纤维作为电子传输层材料,制备获得QLED发光器件F;
其余地方与实施例3基本相同,此处不再一一赘述。
对实施例1-3中制备得到的电子传输薄膜、对比例1-3中的电子传输薄膜和量子点发光二极管进行性能测试,测试指标和测试方法如下:
(1)电子迁移率:测试量子点发光二极管的电流密度(J)-电压(V),绘制曲线关系图,对关系图中空间电荷限制电流(SCLC)区的进行拟合,然后根据著名的Child’s law公式计算电子迁移率:
J=(9/8)εrε0μeV2/d3
其中,J表示电流密度,单位mAcm-2;εr表示相对介电常数,ε0表示真空介电常数;μe表示电子迁移率,单位cm2V-1s-1;V表示驱动电压,单位V;d表示膜厚度,单位m。
(2)电阻率:采用同一电阻率测试仪器测定电子传输薄膜电阻率。
(3)外量子效率(EQE):采用EQE光学测试仪器测定。
注:电子迁移率和电阻率测试为单层薄膜结构器件,即:阴极/电子传输薄膜/阳极。外量子效率测试为所述的QLED器件,即:阳极/空穴传输薄膜/量子点/电子传输薄膜/阴极,或者阴极/电子传输薄膜/量子点/空穴传输薄膜/阳极。
测试结果如下表1所示:
表1
Figure BDA0002170918780000121
从上表1可见,本发明实施例1-3提供的材料电阻率明显低于对比例1-3中的电子传输薄膜的电阻率,而电子迁移率明显高于对比例1-3中的电子传输层材料。
从上表1可见,本发明实施例1-3提供的量子点发光二极管的EQE高于对比例1-3中。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种纳米材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供锌前驱体、氨基化合物、聚合物和溶剂,将所述锌前驱体溶于所述溶剂中,配置成锌前驱体溶液,在所述锌前驱体溶液中加入所述氨基化合物和所述聚合物,制备纺丝溶液;其中,所述锌前驱体溶液中所述锌前驱体的浓度为100-300mg/mL,所述氨基化合物包括乙醇胺、正辛胺和乙二胺中的至少一种;
将所述纺丝溶液进行纺丝处理,制备前驱体纤维;
在含氧气氛下,将所述前驱体纤维进行高温烧结处理,获得氨基化氧化锌纳米纤维;其中,所述高温烧结处理的温度为300-500℃;
其中,所述制备纺丝溶液的步骤中,所述氨基化合物与所述锌前驱体按照摩尔比为(1-5):1的比例溶解在所述溶剂中。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,制备纺丝溶液的步骤中,所述聚合物的添加体积为所述溶剂的体积的10%-30%。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,将所述纺丝溶液进行纺丝处理的步骤中,采用气纺丝法。
4.根据权利要求1至3任一项所述的制备方法,其特征在于,将所述前驱体纤维进行高温烧结处理的步骤之后,将氨基化氧化锌纳米纤维进行研磨,直至所述氨基化氧化锌纳米纤维的长度为10-100μm。
5.根据权利要求1至3任一项所述的制备方法,其特征在于,所述锌前驱体包括氯化锌、硫酸锌、醋酸锌、二甲基锌和二乙基锌中的至少一种。
6.一种如权利要求1至5任一项所述的纳米材料的制备方法制备得到的纳米材料,其特征在于,包括:氨基化氧化锌纳米纤维。
7.根据权利要求6所述的纳米材料,其特征在于,所述氨基化氧化锌纳米纤维中,氮原子与锌原子的摩尔比为(1-5):1。
8.根据权利要求6所述的纳米材料,其特征在于,所述氨基化氧化锌纳米纤维的直径为5-10nm,长度为10-100μm。
9.一种量子点发光二极管,包括相对设置的阴极和阳极,设置在所述阴极和所述阳极之间的量子点发光层,以及设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的电子传输层,其特征在于,所述电子传输层的材料包括:由权利要求1至5任一项所述的制备方法制得的纳米材料或权利要求6至8任一项所述的纳米材料。
10.根据权利要求9所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述电子传输层的厚度为10-100nm。
CN201910762802.9A 2019-08-19 2019-08-19 纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管 Active CN112391698B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910762802.9A CN112391698B (zh) 2019-08-19 2019-08-19 纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910762802.9A CN112391698B (zh) 2019-08-19 2019-08-19 纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112391698A CN112391698A (zh) 2021-02-23
CN112391698B true CN112391698B (zh) 2022-10-11

Family

ID=74603285

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910762802.9A Active CN112391698B (zh) 2019-08-19 2019-08-19 纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112391698B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115568241B (zh) * 2022-11-29 2023-03-03 广东聚华新型显示研究院 发光器件及其制备方法、显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102218271A (zh) * 2010-04-19 2011-10-19 韩国科学技术研究院 以金属氧化物超细纤维为基本成分的耐热性复合分离膜以及利用其制备的蓄电池
CN102331443A (zh) * 2011-07-13 2012-01-25 东华大学 一种丙酮气敏传感器及其制备方法
KR20140014686A (ko) * 2012-07-25 2014-02-06 서울대학교산학협력단 단일 노즐 동시전기방사 방법을 이용한 질소가 도핑된 산화아연 돌기가 표면에 붙어있는 산화주석 나노섬유 복합체 광촉매의 제조방법
CN105131335A (zh) * 2015-10-12 2015-12-09 中国科学院山西煤炭化学研究所 氨基化氧化锌纳米线-碳纤维杂化增强体及其制法
CN109148542A (zh) * 2018-08-30 2019-01-04 京东方科技集团股份有限公司 一种qled显示基板及其制作方法、qled显示装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2751316B1 (en) * 2011-08-30 2017-11-29 Cornell University Metal and ceramic nanofibers
ITMI20131831A1 (it) * 2013-11-05 2015-05-06 Eni Spa Celle solari polimeriche invertite e processo per la produzione delle stesse
CN106654026B (zh) * 2016-11-22 2018-12-28 纳晶科技股份有限公司 量子点电致发光器件、具有其的显示装置及照明装置
CN108457001B (zh) * 2018-04-11 2021-05-14 青岛大学 静电纺丝法获取ZnO/Ag纳米杂化电子传输薄膜的制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102218271A (zh) * 2010-04-19 2011-10-19 韩国科学技术研究院 以金属氧化物超细纤维为基本成分的耐热性复合分离膜以及利用其制备的蓄电池
CN102331443A (zh) * 2011-07-13 2012-01-25 东华大学 一种丙酮气敏传感器及其制备方法
KR20140014686A (ko) * 2012-07-25 2014-02-06 서울대학교산학협력단 단일 노즐 동시전기방사 방법을 이용한 질소가 도핑된 산화아연 돌기가 표면에 붙어있는 산화주석 나노섬유 복합체 광촉매의 제조방법
CN105131335A (zh) * 2015-10-12 2015-12-09 中国科学院山西煤炭化学研究所 氨基化氧化锌纳米线-碳纤维杂化增强体及其制法
CN109148542A (zh) * 2018-08-30 2019-01-04 京东方科技集团股份有限公司 一种qled显示基板及其制作方法、qled显示装置

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Jesse S. Hyslop 等.Synthesis and characterization of [Zn(acetate)2(amine)x]compounds (x=1 or 2) and their use as precursors to ZnO.《Materials Science in Semiconductor Processing》.2015,第38卷 *
Photoluminescence and optical dispersion parameters of N-doped ZnO nano-fiber thin films;M. S. Abd El-saddek 等;《Journalof Electroceram 》;20121228;第30卷;第152-158页 *
Synthesis and characterization of [Zn(acetate)2(amine)x]compounds (x=1 or 2) and their use as precursors to ZnO;Jesse S. Hyslop 等;《Materials Science in Semiconductor Processing》;20150514;第38卷;第278-289页 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN112391698A (zh) 2021-02-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6523252B2 (ja) デンドリマーでカプセル化されたナノ粒子を含むカプセル化バリアスタック
CN109935714B (zh) 电子传输材料及其制备方法和发光二极管
CN113903865B (zh) 氧化锌纳米材料及其制备方法、发光器件
CN112538163B (zh) 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管
CN109980126B (zh) 载流子传输材料、载流子传输薄膜及其制备方法和应用
CN112391698B (zh) 纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管
CN113809272A (zh) 氧化锌纳米材料及制备方法、电子传输薄膜、发光二极管
CN112390280A (zh) 氧化锌纳米材料的制备方法和电子传输材料、量子点发光二极管
CN113838985B (zh) 氧化锌纳米材料及其制备方法、发光器件
CN112410932B (zh) 纳米材料及其制备方法
CN112410933B (zh) 纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管
CN112349850A (zh) 无机半导体材料及其制备方法
CN108695137B (zh) 一种交联纳米颗粒薄膜及制备方法与薄膜光电子器件
CN109935732A (zh) 空穴传输材料、qled器件及其制备方法
CN111384249B (zh) 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管
CN113831908A (zh) 量子点材料及制备方法、量子点发光二极管及制备方法
CN112542554B (zh) 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管
CN112397670B (zh) 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管
CN117186871B (zh) 复合材料、薄膜、发光器件及其制备方法、mini-LED背光模组及显示装置
CN112397620B (zh) 纳米复合颗粒及其制备方法和应用
CN113054062B (zh) 纳米材料及其制备方法、量子点发光二极管及发光装置
CN112625671B (zh) 核壳纳米材料及其制备方法、应用和量子点发光二极管
CN113045211B (zh) 复合材料及其制备方法、应用、发光二极管及其制备方法
CN109935704A (zh) Qled器件及其制备方法
CN112420936B (zh) 纳米材料及其制备方法、应用和量子点发光二极管

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: 516006 TCL science and technology building, No. 17, Huifeng Third Road, Zhongkai high tech Zone, Huizhou City, Guangdong Province

Applicant after: TCL Technology Group Co.,Ltd.

Address before: 516006 Guangdong province Huizhou Zhongkai hi tech Development Zone No. nineteen District

Applicant before: TCL Corp.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant