CN112332138B - 电接点材料、端子配件、连接器及线束 - Google Patents

电接点材料、端子配件、连接器及线束 Download PDF

Info

Publication number
CN112332138B
CN112332138B CN202010757556.0A CN202010757556A CN112332138B CN 112332138 B CN112332138 B CN 112332138B CN 202010757556 A CN202010757556 A CN 202010757556A CN 112332138 B CN112332138 B CN 112332138B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
less
thickness
contact material
electrical contact
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010757556.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112332138A (zh
Inventor
白井善晶
斋藤宁
古川欣吾
公文代充弘
细江晃久
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Wiring Systems Ltd
AutoNetworks Technologies Ltd
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Wiring Systems Ltd
AutoNetworks Technologies Ltd
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Wiring Systems Ltd, AutoNetworks Technologies Ltd, Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Wiring Systems Ltd
Publication of CN112332138A publication Critical patent/CN112332138A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112332138B publication Critical patent/CN112332138B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02—Contact members
    • H01R13/03—Contact members characterised by the material, e.g. plating, or coating materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C9/00—Alloys based on copper
    • C22C9/02—Alloys based on copper with tin as the next major constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H01B1/026—Alloys based on copper
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B7/00—Insulated conductors or cables characterised by their form
    • H01B7/0045—Cable-harnesses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02—Contact members
    • H01R13/03—Contact members characterised by the material, e.g. plating, or coating materials
    • H01R13/035—Plated dielectric material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R4/00—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation
    • H01R4/10—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation effected solely by twisting, wrapping, bending, crimping, or other permanent deformation
    • H01R4/18—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation effected solely by twisting, wrapping, bending, crimping, or other permanent deformation by crimping
    • H01R4/183—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation effected solely by twisting, wrapping, bending, crimping, or other permanent deformation by crimping for cylindrical elongated bodies, e.g. cables having circular cross-section
    • H01R4/184—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation effected solely by twisting, wrapping, bending, crimping, or other permanent deformation by crimping for cylindrical elongated bodies, e.g. cables having circular cross-section comprising a U-shaped wire-receiving portion
    • H01R4/185—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation effected solely by twisting, wrapping, bending, crimping, or other permanent deformation by crimping for cylindrical elongated bodies, e.g. cables having circular cross-section comprising a U-shaped wire-receiving portion combined with a U-shaped insulation-receiving portion
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771—Transition metal-base component
    • Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
    • Y10T428/12903—Cu-base component

Abstract

提供一种即使相对于配合件滑动，接触电阻也低的电接点材料、端子配件、连接器及线束。电接点材料具备基材、设置于所述基材的表面的包覆层及设置于所述包覆层的表面的氧化物层，所述基材含Cu，所述包覆层含Zn、Cu及Sn，所述氧化物层由含Zn、Cu及Sn的氧化物构成，在将负载载荷设为1N、将滑动速度设为100μm/sec、将行程设为50μm、将往复次数设为10次而使半径1mm的球状的压头相对于所述氧化物层直线状地滑动时，所述往复次数从1次到10次的最大的接触电阻为5mΩ以下。

Description

电接点材料、端子配件、连接器及线束
技术领域
本公开涉及电接点材料、端子配件、连接器及线束。
背景技术
专利文献1公开了在基材的表面从基材侧依次设置有合金层和导电性皮膜层(氧化物层)的连接器用电接点材料。基材由Cu(铜)等金属材料构成。合金层含Sn(锡)及Cu作为必须元素，进一步含有从由Zn(锌)、Co(钴)、Ni及Pd(铅)构成的组中选择的1种或2种以上的添加元素。导电性皮膜层由含有合金层的构成元素的氧化物等构成。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-067861号公报
发明内容
发明所要解决的课题
电接点材料根据用途会相对于配合件滑动。因此，希望电接点材料即使相对于配合件滑动，与配合件的接触电阻也低。
因此，本公开的目的之一在于提供即使相对于配合件滑动，与配合件的接触电阻也低的电接点材料、端子配件及连接器。另外，本公开的其他的目的之一在于提供导电性优良的线束。
用于解决课题的技术方案
本公开的电接点材料具备：
基材；
设置于所述基材的表面的包覆层；及
设置于所述包覆层的表面的氧化物层，
所述基材含Cu，
所述包覆层含Zn、Cu及Sn，
所述氧化物层由含Zn、Cu及Sn的氧化物构成，
在将负载载荷设为1N、将滑动速度设为100μm/sec、将行程设为50μm、将往复次数设为10次而使半径1mm的球状的压头相对于所述氧化物层直线状地滑动时，所述往复次数从1次到10次的最大的接触电阻为5mΩ以下。
本公开的端子配件具备本公开的电接点材料。
本公开的连接器具备本公开的端子配件。
本公开的线束具备：
电线；及
安装于所述电线的本公开的端子配件或本公开的连接器。
发明效果
本公开的电接点材料、本公开的端子配件及本公开的连接器即使相对于配合件滑动，与配合件的接触电阻也低。
本公开的线束的导电性优良。
附图说明
图1是示出实施方式1的电接点材料的概略的剖视图。
图2是对制造实施方式1的电接点材料的制造方法进行说明的说明图。
图3是示出实施方式2的电接点材料的概略的剖视图。
图4是对制造实施方式2的电接点材料的制造方法进行说明的说明图。
图5是对实施方式3的线束的概略进行说明的说明图。
标号说明
1 电接点材料
2 基材
3 包覆层
30 基础层
31 第一层
32 第二层
4 氧化物层
10 原材
12 基材
13 包覆层
130 基础原材层
131 第一原材层
132 第二原材层
133 第三原材层
100 线束
200 端子配件
210 接线筒部
220 绝缘筒部
230 嵌合部
231 箱部
232、233 弹性片
300 电线
310 导体
320 绝缘层
具体实施方式
《本公开的实施方式的说明》
首先，列出本公开的实施方式进行说明。
(1)本公开的一种方式的电接点材料具备：
基材；
设置于所述基材的表面的包覆层；及
设置于所述包覆层的表面的氧化物层，
所述基材含Cu，
所述包覆层含Zn、Cu及Sn，
所述氧化物层由含Zn、Cu及Sn的氧化物构成，
在将负载载荷设为1N、将滑动速度设为100μm/sec、将行程设为50μm、将往复次数设为10次而使半径1mm的球状的压头相对于所述氧化物层直线状地滑动时，所述往复次数从1次到10次的最大的接触电阻为5mΩ以下。
上述电接点材料即使在电接点材料的使用时相对于配合件滑动，与配合件的接触电阻也低。这是由于往复次数从1次到10次的最大的接触电阻低。即，上述电接点材料的耐磨损性优良。
另外，上述电接点材料的基材难以氧化。这是由于上述电接点材料具有含有上述特定的元素的包覆层及氧化物层。
进一步地，上述电接点材料即使在与配合件的接触压力小且在使用时施加于电接点材料的载荷小的情况下，也能够确保与配合件良好的电连接。上述氧化物层为低电阻，容易确保导电性。因此，上述电接点材料经由导电性的氧化物层及包覆层而能够在与配合件之间确保良好的电连接。
(2)作为上述电接点材料的一种方式，可以举出：
在将所述往复次数设为100时，所述往复次数从1次到100次的最大的接触电阻为5mΩ以下。
上述电接点材料的耐磨损性进一步优良。这是由于往复次数从1次到100次的最大的接触电阻低。即，上述电接点材料能够作为相对于配合件滑动的构件长期使用。
(3)作为上述电接点材料的一种方式，可以举出：
所述包覆层具有从所述基材侧设置于所述基材的表面的第一层及第二层，
所述第一层含Zn、Cu及Sn，
所述第二层含Sn，
所述第二层的厚度为0.50μm以下。
上述结构在磨损性方面优良。由于第二层的厚度充分薄，因此即使第二层与配合件滑动，也容易抑制含有第二层的构成材料的氧化物的粉末大量地形成。因此，能够抑制氧化物的粉末陷入电接点材料与配合件的接触部位之间。因此，上述电接点材料能够在与配合件之间确保良好的电连接。
(4)作为上述(3)的上述电接点材料的一种方式，可以举出：
在将所述第一层所含的C、O、Zn、Cu及Sn的合计含有量设为100原子％时，所述第一层所含的Zn、Cu及Sn的各自的含有量如下：
Zn为0.01原子％以上且50原子％以下，
Cu为10原子％以上且90原子％以下，
Sn为10原子％以上且90原子％以下。
若第一层中的上述3种元素的含有量为上述范围内，则包覆层容易进一步抑制基材的氧化。
(5)作为上述电接点材料的一种方式，可以举出：
所述包覆层具有从所述基材侧依次设置于所述基材的表面的基础层、第一层及第二层，
所述基础层含Ni，
所述第一层含Ni、Zn、Cu及Sn，
所述第二层含Sn，
所述第二层的厚度为0.50μm以下。
上述电接点材料在磨损性方面优良。这是由于如上述那样第二层的厚度充分薄。
另外，上述电接点材料能够长期地使用。这是由于即使进行将上述电接点材料长时间暴露于高温环境下这样的加速劣化试验，上述电接点材料与配合件的接触电阻也低。即，上述电接点材料的耐热性也优良。耐热性优良的理由可以举出如以下所示那样具有基础层、虽不了解详细原因但认为含有上述4种元素的第一层有帮助。
在热量作用时，基础层容易抑制基材中的Cu朝向氧化物层的扩散。因此，在氧化物层中，使接触电阻增加的Cu的氧化物难以增加。因此，抑制氧化物层中的接触电阻的增加。即，该氧化物层为低电阻，容易确保导电性。因此，在上述电接点材料中，即使热量进行作用也能够经由导电性的氧化物层及包覆层而在与配合件之间确保良好的电连接。详细内容后述，上述电接点材料通过具有基础层，能够可靠地具有含有上述4种元素的第一层。
(6)作为上述(5)的上述电接点材料的一种方式，可以举出：
在将所述第一层所含的C、O、Ni、Zn、Cu及Sn的合计含有量设为100原子％时，所述第一层所含的Ni、Zn、Cu及Sn的各自的含有量如下：
Ni为15原子％以上且35原子％以下，
Zn为5原子％以上且30原子％以下，
Cu为1原子％以上且30原子％以下，
Sn为25原子％以上且55原子％以下。
若第一层中的上述4种元素的含有量为上述范围内，则上述电接点材料的耐热性进一步优良。
(7)作为上述(3)～上述(6)中任一个的上述电接点材料的一种方式，可以举出：
所述第一层的厚度为0.1μm以上且5.0μm以下。
若第一层的厚度为0.1μm以上，则基材难以氧化。这是由于通过第一层的厚度充分厚而包覆层本身的厚度容易变厚。特别地，若含有上述4种元素的第一层的厚度为0.1μm以上，则电接点材料的耐热性优良。
若第一层的厚度为5.0μm以下，则电接点材料的生产性优良。这是由于第一层的厚度不会过厚而能够缩短第一层的形成时间，进而缩短包覆层的形成时间。
(8)作为上述电接点材料的一种方式，可以举出：
所述氧化物层的厚度为0.01μm以上且5.0μm以下。
若氧化物层的厚度为0.01μm以上，则基材难以氧化。这是由于氧化物层的厚度充分厚。
若氧化物层的厚度为5.0μm以下，则氧化物层的接触电阻低。这是由于氧化物层的厚度不会过厚。因此，具有该氧化物层的电接点材料能够在与配合件之间确保更良好的电连接。
(9)本公开的一种方式的端子配件，
具备上述(1)～上述(8)中任一种电接点材料。
上述的结构由于具备上述的电接点材料，因此耐磨损性优良。
(10)本公开的一种方式的连接器具备上述(9)的端子配件。
上述的结构由于具备上述的端子配件，因此耐磨损性优良。
(11)本公开的一种方式的线束，具备：
电线；及
安装于所述电线的上述(9)的端子配件或上述(10)的连接器。
上述的结构即使相对于配合件滑动，由于在上述的端子配件或上述的连接器的端子配件与导体之间能够进行良好的电连接，因此导电性也优良。
《本公开的实施方式的详细内容》
以下对本公开的实施方式的详细内容进行说明。图中的同一标号表示同一名称物。
《实施方式1》
〔电接点材料〕
参照图1对实施方式1的电接点材料1进行说明。本方式的电接点材料1具备基材2、包覆层3及氧化物层4。基材2含Cu。本方式的电接点材料1的特征之一在于以下的(1)～(3)点。
(1)包覆层3含有特定的材质。
(2)氧化物层4由特定的材质构成。
(3)滑动试验后的接触电阻低。
以下，对各结构详细地进行说明。图1示出电接点材料1中的沿包覆层3及氧化物层4的层叠方向的剖视图。从图1的包覆层3的基础层30至第二层32的各层的厚度及氧化物层4的厚度为示意性地示出，未必对应实际的厚度。这一点在图3中也一样。
[基材]
基材2由纯Cu或Cu合金构成。由于基材2含Cu而导电性优良。基材2的形状可以适当地选择板状、棒状等各种形状。基材2的尺寸可以根据电接点材料1的用途适当地选择各种尺寸。
[包覆层]
包覆层3抑制基材2的氧化。包覆层3设置于基材2的表面。包覆层3在本方式中具有从基材2侧朝向氧化物层4侧依次设置于基材2的表面的基础层30、第一层31及第二层32的三层构造。
(基础层)
基础层30设置于包覆层3中的最内侧，即，基材2的紧上方。基础层30含Ni。对于基础层30，作为除Ni以外的元素可以举出例如含有从由Zn、Cu及Sn构成的组中选择的1种以上的元素。基础层30中的Ni的含有量比第一层31及第二层32中的Ni的含有量多。当将基础层30所含的Ni、Zn、Cu、Sn的合计含有量设为100原子％时，基础层30中的Ni的含有量可以举出例如为90原子％以上。该基础层30中的Ni的含有量可以举出为100原子％以下。基础层30中的Ni的含有量还可以举出为95原子％以上且100原子％以下，还可以举出为98原子％以上且100原子％以下，特别地可以举出为99原子％以上且100原子％以下。基础层30中的Ni的含有量能够通过使用能量分散型荧光X射线分析(EDX)装置并将EDX装置的加速电压设为15kV来进行测定。
基础层30的厚度可以举出例如超过0.5μm。若基础层30的厚度超过0.5μm，则电接点材料1可以长期地使用。即使进行将电接点材料1长时间曝晒在高温环境下这样的加速劣化试验，电接点材料1与配合件的接触电阻也低。即，电接点材料1的耐热性优良。基础层30由于厚度厚而在热量进行作用时容易抑制基材2中的Cu朝向氧化物层4的扩散。因此，在氧化物层4中，使接触电阻增加的Cu的氧化物难以增加。因此，抑制氧化物层4中的接触电阻的增加。即，氧化物层4为低电阻，容易确保导电性。因此，在电接点材料1中，即使热量进行作用，也能够经由导电性的氧化物层4及包覆层3而在与配合件之间确保良好的电连接。另外，若基础层30的厚度超过0.5μm，则如在详细内容后述的制造方法中说明的那样，包覆层3能够可靠地具有后述的含有特定的元素的第一层31。
在基础层30的厚度越厚，则耐热性越优良的基础上，包覆层3能够更可靠地具有第一层31。基础层30的厚度进一步可以举出为1.0μm以上，特别地可以举出为1.5μm以上。基础层30的厚度的上限例如可以举出为4.0μm。若基础层30的厚度为4.0μm以下，则电接点材料1的生产性优良。这是由于基础层30的厚度不会过厚，能够缩短基础层30的形成时间，进而缩短包覆层3的形成时间。
基础层30的厚度能够使用扫描电子显微镜(SEM)如以下那样进行测定。取电接点材料1中的沿包覆层3及氧化物层4的层叠方向的任意的截面。截面的数量既可以是一个也可以是多个。从截面取2个以上的反射电子像的观察视野。既可以从一个截面取全部的观察视野，也可以从多个截面各自取一个以上的观察视野。各观察视野的尺寸为30μm×40μm。在各观察视野中测定5个部位以上的基础层30中的沿包覆层3的层叠方向的长度。取测定出的全部的基础层30的平均值。将该平均值设为基础层30的厚度。
(第一层)
第一层31设置于基础层30与第二层32之间。第一层31含Ni、Zn、Cu及Sn这4种元素。认为即使热量作用于电接点材料1，含这4种元素的第一层31也有助于接触电阻的上升的抑制。即，电接点材料1通过具有该第一层31而耐热性优良。与这4种元素的存在形态无关。作为存在形态可以举出单体金属、合金、化合物、单体金属与化合物的复合体、合金与化合物的复合体等。上述合金含有从由上述4种元素构成的组中选择的2种以上的元素即可。当然，上述合金也可以含有全部上述4种元素。上述化合物含有从上述4种元素中选择的1种以上的元素即可。第一层31除了上述4种元素，可以举出还含有C(碳)、O(氧)。
在将第一层31所含的C、O、Ni、Zn、Cu及Sn的合计含有量设为100原子％时，第一层31所含的Ni、Zn、Cu及Sn的各自的含有量，例如以下那样。Ni的含有量可以举出为15原子％以上且35原子％以下。Zn的含有量可以举出为5原子％以上且30原子％以下。Cu的含有量可以举出为1原子％以上且30原子％以下。Sn的含有量可以举出为25原子％以上且55原子％以下。若第一层31所含的上述4种元素各自的含有量在上述范围内，则电接点材料1的耐热性优良。Ni的含有量进一步可以举出为17原子％以上且33原子％以下，特别地可以举出为20原子％以上且30原子％以下。Zn的含有量进一步可以举出为7原子％以上且25原子％以下，特别地可以举出为10原子％以上且20原子％以下。Cu的含有量进一步可以举出为5原子％以上且28原子％以下，特别地可以举出为10原子％以上且25原子％以下。Sn的含有量进一步可以举出为30原子％以上且50原子％以下，特别地可以举出为35原子％以上且45原子％以下。第一层31所含的元素的含有量的测定方法与基础层30的测定方法相同。
第一层31的厚度可以举出例如为0.1μm以上且5.0μm以下。若第一层31的厚度为0.1μm以上，则电接点材料1的耐热性优良。这是由于第一层31的厚度充分厚。该第一层31容易抑制基材2的氧化。这是由于包覆层3本身的厚度容易变厚。若第一层31的厚度为5.0μm以下，则电接点材料1的生产性优良。这是由于第一层31的厚度不会过厚，能够缩短第一层31的形成时间，进而缩短包覆层3的形成时间。第一层31的厚度进一步可以举出为0.5μm以上且4.5μm以下、1.0μm以上且3.5μm以下，特别地可以举出为1.2μm以上且2.5μm以下。特别地，优选第一层31的厚度为1.2μm以上且小于2.0μm。第一层31的厚度的求取方法与基础层30的厚度的求取方法相同。
(第二层)
第二层32设置于包覆层3中的最外侧，即，氧化物层4的紧下方。第二层32含Sn。第二层32可以举出例如含有从由Ni，Zn及Cu构成的组中选择的1种以上的元素作为Sn以外的元素。另外，第二层32除了上述4种元素外，可以举出含有C、O。第二层32中的Sn的含有量比基础层30及第一层31中的Sn的含有量多。在将第二层32所含的C、O、Ni、Zn、Cu、Sn的合计含有量设为100原子％时，第二层32中的Sn的含有量可以举出例如为40原子％以上。该第二层32中的Sn的含有量可以举出为90原子％以下。第二层32中的Sn的含有量进一步可以举出为45原子％以上且80原子％以下，特别地可以举出为50原子％以上且75原子％以下。第二层32所含的元素的含有量的测定方法与基础层30的测定方法相同。
第二层32的厚度可以举出例如为0.50μm以下。若第二层32的厚度为0.50μm以下，则即使电接点材料1相对于配合件滑动也容易抑制接触电阻的上升。即，电接点材料1通过具有该第二层32，耐磨损性优良。耐磨损性优良的理由为第二层32的厚度充分薄。若第二层32的厚度充分薄，则即使该第二层32与配合件滑动，也能够抑制含有第二层32的构成材料的氧化物的粉末大量地形成。因此，能够抑制氧化物的粉末陷入电接点材料1与配合件的接触部位之间。因此，电接点材料1即使相对于配合件滑动，也能够在与配合件之间确保良好的电连接。第二层32的厚度越薄则越有助于耐磨损性的提高。第二层32的厚度进一步地可以举出为0.30μm以下，特别地可以举出为0.15μm以下。
第二层32的厚度的下限可以举出例如为0.1μm左右。若第二层32的厚度为0.1μm以上，则电接点材料1的耐热性优良。这是由于第二层32的厚度不会过薄。在热量作用时，第二层32容易抑制第一层31中的Cu朝向氧化物层4的扩散。因此，在氧化物层4中，使接触电阻增加的Cu的氧化物难以增加，抑制了接触电阻的增加。即，氧化物层4为低电阻，容易确保导电性。因此，即使热量作用，电接点材料1也能够经由导电性的氧化物层4及包覆层3而在与配合件之间确保良好的电连接。在此基础上，该第二层32容易抑制基材2的氧化。这是由于第二层32的厚度不会过薄而包覆层3的厚度容易变厚。第二层32的厚度的求取方法与基础层30的厚度的求取方法相同。
[氧化物层]
氧化物层4设置于包覆层3的表面。即，氧化物层4构成电接点材料1的最表面。氧化物层4由含Zn、Cu及Sn的氧化物构成。在氧化物层4中，例如，ZnO、SnO、SnO2、CuO、CuO2等氧化物可以混合存在。氧化物层4也可以含有由上述各种氧化物构成的化合物。氧化物层4例如也可以含有将ZnO中的Zn的一部分置换为Cu或Sn而成的(Zn,Cu)O或(Zn,Sn)O。在氧化物层4中，Cu的氧化物与其他的氧化物相比较少。具体而言，在氧化物层4中，Cu的氧化物与Zn的氧化物相比较少。Cu的氧化物少的氧化物层4是低电阻，容易确保导电性。
当设氧化物层4所含的O、Zn、Cu及Sn这4种元素的合计含有量为100原子％时，上述4种元素各自的含有量例如以下所示。O的含有量可以举出为超过0原子％且70原子％以下。Zn的含有量可以举出为超过0原子％且70原子％以下。Cu的含有量可以举出为超过0原子％且30原子％以下。Sn的含有量可以举出为超过0原子％且30原子％以下。若各元素的含有量在上述范围内，则氧化物层4容易提高导电率。在此基础上，容易抑制基材2的氧化。O的含有量进一步地可以举出为0.1原子％以上且60原子％以下。Zn的含有量进一步地可以举出为0.1原子％以上且60原子％以下。Cu的含有量进一步地可以举出为0.1原子％以上且20原子％以下。Sn的含有量进一步地可以举出为0.1原子％以上且20原子％以下。氧化物层4的组成与第一层31一样使用EDX装置来求出。
氧化物层4的厚度例如可以举出为0.01μm以上且5.0μm以下。若氧化物层4的厚度为0.01μm以上，则基材2难以氧化。这是由于氧化物层4的厚度充分厚。若氧化物层4的厚度为5.0μm以下，则氧化物层4的接触电阻低。这是由于氧化物层4的厚度不会过厚。因此，具有该氧化物层4的电接点材料1能够经由导电性的氧化物层4及包覆层3而在与配合件之间确保更良好的电连接。氧化物层4的厚度进一步地可以举出为0.02μm以上且3.0μm以下，特别地可以举出为0.03μm以上且1.0μm以下。氧化物层4的厚度的求取方法与基础层30的厚度的求取方法一样。
[特性]
电接点材料1的滑动试验后的接触电阻低。滑动试验通过使镀金后的半径1mm的球状的压头相对于电接点材料1直线状地滑动来进行。镀金的纯度为实质K24。镀金的厚度为0.4μm。压头的滑动在常温环境下进行。压头的负载载荷为1N。滑动速度为100μm/sec。行程为50μm。往复次数为从1次到10次或从1次到100次。针对每1次往复而测定接触电阻。测定次数(N数)为2次。在往复次数为从1次到10次时，电接点材料1中的最大的接触电阻为5mΩ以下。该电接点材料1的耐磨损性优良。因此，该电接点材料1能够作为相对于配合件滑动的构件来适当地利用。该电接点材料1中的最大的接触电阻进一步优选为3mΩ以下，特别地优选为2.5mΩ以下。另外，在使往复次数为从1次到100次时，电接点材料1中的最大的接触电阻也优选为5mΩ以下。该电接点材料1的耐磨损性进一步优良。因此，该电接点材料1能够作为相对于配合件滑动的构件长期地使用。该电接点材料1中的最大的接触电阻进一步优选为4.5mΩ以下，特别地优选为4.0mΩ以下。
[制造方法]
参照图2，对制造本方式的电接点材料1的电接点材料的制造方法进行说明。图2示出电接点材料1的原材10中的沿包覆层13的层叠方向的截面。该点在后述的图4中也一样。电接点材料的制造方法具备准备原材10的工序S1及对原材10实施热处理的工序S2。
(工序S1)
准备的原材10具备基材12和包覆层13。基材12是上述的电接点材料1中的基材2。包覆层13具有在基材12的表面从基材12侧依次设置的基础原材层130、第一原材层131、第二原材层132及第三原材层133的四层构造。
〈基础原材层〉
基础原材层130在后述的热处理后，形成上述的电接点材料1的基础层30。基础原材层130由纯Ni或Ni合金构成。Ni合金可以举出含有例如从由Sn、Zn及Cu构成的组中选择的1种以上的元素作为Ni以外的添加元素。热处理后的基础层30的厚度与热处理前的基础原材层130的厚度相比倾向于变薄。因此，基础原材层130的厚度比基础层30的厚度厚。基础原材层130的厚度可以举出例如为0.5μm以上。若基础原材层130的厚度为0.5μm以上，则容易抑制因热处理而基材12中的Cu朝向包覆层13的表面侧的扩散。由于能够抑制Cu的扩散，因此容易可靠地形成含有上述的特定的元素的第一层31。在此基础上，容易形成上述的Cu的含有量少的氧化物层4。基础原材层130的厚度越厚则越能得到这些效果。基础原材层130的厚度进一步地可以举出为0.7μm以上，特别地可以举出为1.0μm以上。基础原材层130的厚度的上限可以举出例如为4.0μm左右。
〈第一原材层〉
第一原材层131在后述的热处理后，主要形成上述的电接点材料1的第二层32。该第一原材层131的一部分在后述的热处理后，形成上述的电接点材料1的第一层31。
第一原材层131由纯Sn或Sn合金构成。Sn合金可以举出含有例如从由Cu及Zn构成的组中选择的1种以上的元素作为Sn以外的添加元素。第一原材层131中的Sn的含有量比第二原材层132、第三原材层133中的Sn的含有量多。在将第一原材层131所含的C、O、Ni、Zn、Cu、Sn的合计含有量设为100原子％时，第一原材层131中的Sn的含有量可以举出例如为90原子％以上。该第一原材层131中的Sn的含有量可以举出为100原子％以下。第一原材层131中的Sn的含有量进一步地可以举出为95原子％以上且100原子％以下，特别地可以举出为99原子％以上且100原子％以下。
第一原材层131的厚度对所得到的电接点材料1的第二层32的厚度有影响。第一原材层131的厚度可以举出例如为0.5μm以上且小于2.0μm。若使第一原材层131的厚度为0.5μm以上，则第一原材层131容易抑制基材12中的Cu朝向包覆层13的表面侧的扩散。在此基础上，若使第一原材层131的厚度为0.5μm以上，则容易使电接点材料1的第二层32的厚度为0.1μm以上。若使第一原材层131的厚度小于2.0μm，则容易使电接点材料1的第二层32厚度为0.50μm以下。在此基础上，若使第一原材层131的厚度为小于2.0μm，则容易缩短包覆层13的形成时间。第一原材层131的厚度进一步地可以举出为0.5μm以上且1.7μm以下，特别地可以举出为0.75μm以上且1.5μm以下。
〈第二原材层〉
第二原材层132在后述的热处理后，主要形成上述的电接点材料1的氧化物层4。该第二原材层132的一部分在后述的热处理后，形成上述的电接点材料1的第一层31。
第二原材层132由纯Zn或Zn合金构成。Zn合金可以举出含有Sn作为Zn以外的添加元素。第二原材层132中的Zn的含有量比第一原材层131中的Zn的含有量多。在将第二原材层132所含的C、O、Ni、Zn、Cu、Sn的合计含有量设为100原子％时，第二原材层132中的Zn的含有量可以举出例如为90原子％以上。该第二原材层132中的Zn的含有量可以举出为100原子％以下。第二原材层132中的Zn的含有量进一步地可以举出为95原子％以上且100原子％以下，特别地可以举出为99原子％以上且100原子％以下。
第二原材层132的厚度可以举出为0.1μm以上且小于1.0μm。若使第二原材层132的厚度为0.1μm以上，则第二原材层132容易抑制基材12中的Cu朝向包覆层13的表面侧的扩散。在此基础上，容易形成上述的氧化物层4。若使第二原材层132的厚度小于1.0μm，则容易使氧化物层4含有Sn、Zn。在此基础上，使氧化物层4难以含有Cu。第二原材层132的厚度进一步地可以举出为0.1μm以上且0.5μm以下，特别地可以举出为0.2μm以上且0.4μm以下。
〈第三原材层〉
第三原材层133在后述的热处理后，主要形成上述的电接点材料1的第一层31。该第三原材层133的一部分在后述的热处理后，形成上述的电接点材料1的氧化物层4。
第三原材层133是包覆层13的最表层。第三原材层133由纯Cu或Cu合金构成。Cu合金可以举出含有Sn作为Cu以外的添加元素。第三原材层133中的Cu的含有量比第一原材层131中的Cu的含有量多。在将第三原材层133所含的C、O、Ni、Zn、Cu、Sn的合计含有量设为100原子％时，第三原材层133中的Cu的含有量可以举出例如为90原子％以上。该第三原材层133中的Cu的含有量可以举出为100原子％以下。第三原材层133中的Cu的含有量进一步地可以举出为95原子％以上且100原子％以下，特别地可以举出为99原子％以上且100原子％以下。
第三原材层133的厚度可以举出例如为0.1μm以上且1.0μm以下。若使第三原材层133的厚度为0.1μm以上，则容易形成上述的氧化物层4。若使第三原材层133的厚度为1.0μm以下，则容易使电接点材料1的氧化物层4含有Sn、Zn。并且，使电接点材料1的氧化物层4难以含有Cu。第三原材层133的厚度进一步地可以举出为0.1μm以上且0.5μm以下，特别地可以举出为0.2μm以上且0.4μm以下。
基础原材层130～第三原材层133的各层的形成可以通过镀敷法进行。作为镀敷法可以举出电镀、无电解镀敷、熔融镀敷等。各层的形成可以利用公知的镀敷处理条件。
(工序S2)
在热处理中，将热处理温度设为Sn的熔点以上的温度，将保持时间设为规定时间。热处理温度是原材10的温度。保持时间是将原材10的温度保持为上述热处理温度的时间。通过该热处理，液相状态的Sn和Zn、Cu适当地反应。通过该热处理能够制作在基材12的表面从基材12侧依次具有上述的包覆层13和氧化物层4的电接点材料1。
热处理温度可以举出为232℃以上且500℃以下。若热处理温度为232℃以上，则能够使Sn为液相状态，容易在电接点材料1的最表面形成Cu的含有量少且Sn、Zn的含有量多的氧化物层4。若热处理温度为500℃以下，则容易抑制Cu向包覆层13的表面侧的扩散。热处理温度进一步地可以举出为240℃以上且450℃以下，特别地可以举出为250℃以上且400℃以下。
保持时间可以举出为1秒以上且5分钟以下。若保持时间为1秒以上，则能够使Sn为液相状态，容易在电接点材料1的最表面形成Cu的含有量少且Sn、Zn的含有量多的氧化物层4。若保持时间为5分钟以下，则容易抑制Cu向包覆层13的表面侧的扩散。保持时间进一步地可以举出为2秒以上且4分钟以下，特别地可以举出为3秒以上且3分钟以下。
热处理的气氛可以举出为氧气氛。
〔作用效果〕
本方式的电接点材料1即使相对于配合件滑动，与配合件的接触电阻也低。在此基础上，本方式的电接点材料1即使进行了在高温环境下长时间暴露这样的加速劣化试验，与配合件的接触电阻也低。
《实施方式2》
〔电接点材料〕
参照图3，对实施方式2的电接点材料1进行说明。在本方式的电接点材料1中，包覆层3的构造与实施方式1的电接点材料1不同。具体而言，本方式中的包覆层3的不具有基础层30(参照图1)而具有第一层31和第二层32的二层构造的点与实施方式1的电接点材料1不同。以下的说明以与实施方式1的不同点为中心进行。与实施方式1相同的结构的说明省略。
[包覆层]
(第一层)
第一层31设置于包覆层3中的最内侧，即，基材2的紧上方。第一层31的Ni的含有量少或不含Ni的点及Zn、Cu及Sn的各自的含有量与实施方式1中的包覆层3的第一层31不同。与Zn、Cu及Sn这3种元素的存在形态无关。作为存在形态，如上所述，可以举出单体金属、合金、化合物、单体金属和化合物的复合体、合金和化合物的复合体等。上述合金含有从由上述3种元素构成的组中选择的2种以上的元素即可。当然，上述合金也可以含有全部的上述3种元素。上述化合物含有从上述3种元素中选择的1种以上的元素即可。第一层31除了上述3种元素可以举出含有C、O。
在将第一层31所含的C、O、Zn、Cu及Sn的合计含有量设为100原子％时，第一层31所含的Zn、Cu及Sn的元素的各自的含有量，例如，如以下所述。Zn的含有量可以举出为0.01原子％以上且50原子％以下。Cu的含有量可以举出为10原子％以上且90原子％以下。Sn的含有量可以举出为10原子％以上且90原子％以下。Zn的含有量进一步地可以举出为0.1原子％以上且30原子％以下，特别地可以举出为1原子％以上且20原子％以下。Cu的含有量进一步地可以举出为40原子％以上且88原子％以下，特别地可以举出为50原子％以上且85原子％以下。Sn的含有量进一步地可以举出为10原子％以上且50原子％以下，特别地可以举出为10原子％以上且30原子％以下。
(第二层)
第二层32设置于包覆层3中的最外侧，即，氧化物层4的紧下方。第二层32的Ni的含有量少或不含Ni的点及Sn的含有量与实施方式1中的包覆层3的第二层32不同。第二层32中的Sn的含有量比第一层31中的Sn的含有量多。在将第二层32所含的C、O、Zn、Cu、Sn的合计含有量设为100原子％时，第二层32中的Sn的含有量可以举出例如为40原子％以上。该第二层32中的Sn的含有量可以举出为90原子％以下。第二层32中的Sn的含有量进一步地可以举出为45原子％以上且80原子％以下，特别地可以举出为50原子％以上且75原子％以下。
[制造方法]
参照图4，对制造本方式的电接点材料1的电接点材料的制造方法进行说明。在电接点材料的制造方法中，包覆层13的构造与上述的制造方法不同。具体而言，原材10的包覆层13不具有基础原材层(参照图2)而具有第一原材层131、第二原材层132及第三原材层133的三层构造的点与上述的制造方法不同。即，除了在基材12的紧上方设置第一原材层131的点以外，与上述的制造方法一样。
〔作用效果〕
本方式的电接点材料1与实施方式1的电接点材料1一样，即使相对于配合件滑动，与配合件的接触电阻也低。
《实施方式3》
〔线束〕
实施方式1、2的电接点材料1能够适宜地利用于端子配件。作为端子配件，能够适宜地利用于在连接器具备的端子配件、在线束具备的端子配件、在线束具备的连接器的端子配件等。在实施方式3中，作为实施方式1或实施方式2的电接点材料1的适用例，参照图5对具备电线300和端子配件200的线束100进行说明。
电线300具备导体310和覆盖导体310的外周的绝缘层320。电线300可以利用公知的电线。
端子配件200具备接线筒部210、绝缘筒部220及嵌合部230。这些接线筒部210、绝缘筒部220和嵌合部230形成为一列。在接线筒部210的一侧设置有绝缘筒部220，在接线筒部210的另一侧设置有嵌合部230。
接线筒部210是连接电线300的导体310的导体连接部。接线筒部210具有压接导体310的一对压接片。绝缘筒部220压接电线300的绝缘层320。嵌合部230在本方式中为雌型，具备筒状的箱部231及在箱部231的内面对向配置的弹性片232、233。弹性片232、233中的至少一方由实施方式1或实施方式2的电接点材料1构成。
雄型的嵌合部插入雌型的嵌合部230的箱部231。雄型的嵌合部的图示省略。雄型的嵌合部被雌型的嵌合部230的弹性片232、233的作用力牢固地夹持。雌型的端子配件200与雄型的端子配件电连接。由于电接点材料1即使在与配合件的接触压力小的情况下，也能够抑制接触电阻的增加，因此能够适宜地利用于弹性片232、233小的端子配件200。
〔作用效果〕
本方式的线束100的导电性优良。雌型的嵌合部230中的弹性片232、233中的至少一方由耐磨损性优良的电接点材料1构成。因此，即使雌型的嵌合部230与雄型的嵌合部滑动，也能够在两嵌合部彼此之间进行良好的电连接。
《试验例》
在试验例中制作电接点材料，并测定电接点材料的接触电阻。
〔样品制作〕
各样品的电接点材料与上述的制造方法同样地，经准备原材的工序和对原材实施热处理的工序而制作。
[原材的准备]
对于原材，通过在基材的表面设置沿基材的厚度方向从基材侧依次具有基础原材层、第一原材层、第二原材层及第三原材层的四层构造的包覆层来进行准备。
对于基材，使用了由Cu合金构成的金属板。
各原材层的形成通过电镀法进行。
作为基础原材层形成了纯Ni镀层。根据EDX装置(Carl Zeiss公司制造)的成分分析的结果，基础原材层不含Ni以外的元素。如表1所示，基础原材层的厚度为1.5μm。
作为第一原材层形成了纯Sn镀层。如表1所示，第一原材层的厚度为从0.5μm～2.0μm选择的厚度。
作为第二原材层形成了纯Zn镀层。如表1所示，第二原材层的厚度为0.2μm。
作为第三原材层形成了纯Cu镀层。如表1所示，第三原材层的厚度为0.2μm。
[热处理]
通过以使各原材的温度为270℃的方式对原材进行加热来进行对各原材的热处理。保持为上述温度的时间为3分钟。加热气氛为氧气氛。在经过加热时间后，将得到的电接点材料冷却至常温。
【表1】
Figure BDA0002612066190000231
〔截面观察/成分分析〕
观察电接点材料的截面，并且分析设置于基材的表面的包覆层的成分。截面为沿基材的厚度方向的截面。在截面的观察中使用了SEM。在成分的分析中使用了上述的EDX装置。EDX装置的加速电压为15kV。结果，可知电接点材料形成有在基材的表面从基材侧依次具有基础层、第一层、第二层及氧化物层这4层的包覆层。具体而言，可知基础层含Ni。在基础层除了Ni以外也含Zn、Cu及Sn。可知第一层含Ni、Zn、Cu及Sn。可知第二层含Sn。第二层除了Sn以外也含Ni、Zn及Cu。可知氧化物层由含Zn、Cu及Sn的氧化物构成。氧化物层不含除了Zn、Cu及Sn以外的金属元素。在表2示出第一层所含的Ni、Zn、Cu及Sn的各自的含有量。在表2示出的各元素的含有量是在将C、O、Ni、Zn、Cu及Sn的合计含有量设为100原子％时的值。
〔厚度测定〕
如以下那样求各层的厚度。沿包覆层的层叠方向取一个截面。使用SEM，从截面取2个反射电子像。各反射电子像的尺寸为30μm×40μm。在各反射电子像中，测定5个部位以上的沿包覆层的层叠方向的各层的长度。取测定的基础层的长度的平均值、第一层的长度的平均值、第二层的长度的平均值及氧化物层的长度的平均值。将各平均值设为各层的厚度。在表2示出样品No.1～No.3、No.101的电接点材料中的各层的厚度。
〔接触电阻的测定〕
作为各电接点材料的接触电阻，测定(1)初期的接触电阻，(2)加速劣化试验后的接触电阻，(3)滑动试验后的接触电阻。在表2中示出这些结果。在表2中，在加速劣化试验后的接触电阻的栏中示出的“-”意味着接触电阻过大无法通过所使用的测定装置进行测定。
对于各接触电阻，使镀金的半径1mm的球状的压头以1N的载荷接触于电接点材料的氧化物层，使用四端子法的电阻测定装置进行测定。镀金的纯度为实质K24。镀金的厚度为0.4μm。
(1)初期的接触电阻是在上述的热处理后且后述的加速劣化试验前及滑动试验前的常温的电接点材料的接触电阻。
(2)加速劣化试验通过将电接点材料在160℃的大气气氛下放置120小时来进行。在加速劣化试验后，将冷却至常温的电接点材料的接触电阻作为加速劣化试验后的接触电阻。
(3)滑动试验通过使上述压头相对于电接点材料的氧化物层直线状地滑动来进行。压头的负载载荷为1N。滑动速度为100μm/sec。行程为50μm。往复次数为100次。针对每1次往复而测定接触电阻。测定次数(N数)为2。表2示出往复次数从1次到10次的接触电阻中的最大的接触电阻的平均值以及往复次数从1次到100次的接触电阻中的最大的接触电阻的平均值来作为滑动试验后的接触电阻。
【表2】
Figure BDA0002612066190000251
【表3】
Figure BDA0002612066190000252
如表3所示，样品No.1～No.3的电接点材料的滑动试验后的接触电阻低。具体而言，往复次数从1次到10次的最大的接触电阻为5mΩ以下，进一步地为3mΩ以下、2.5mΩ以下。特别地，样品No.1、No.2的电接点材料的往复次数从1次到100次的最大的接触电阻也为5mΩ以下，进一步地为4.5mΩ以下、4.0mΩ以下。由此可知样品No.1～No.3的电接点材料耐磨损性优良，特别地，样品No.1、No.2的电接点材料耐磨损性优良。
另外，样品No.1～No.3的电接点材料的初期的接触电阻低。具体而言，初期的接触电阻为3.5mΩ以下。特别地，可知样品No.2、No.3的电接点材料的加速劣化试验后的接触电阻也低。具体而言，加速劣化试验后的接触电阻为4mΩ以下。由此可知样品No.2、No.3的电接点材料耐热性也优良。
样品No.101的电接点材料的滑动试验后的接触电阻高。具体而言，往复次数从1次到10次的最大的接触电阻和往复次数从1次到100次的最大的接触电阻均超过5mΩ。由此可知样品No.101的电接点材料耐磨损性不良。该样品No.101的电接点材料的初期的接触电阻和加速劣化试验后的接触电阻均低。具体而言，初期的接触电阻为3.5mΩ以下。另外，加速劣化试验后的接触电阻为4mΩ以下。由此可知样品No.101的电接点材料耐热性优良。
本发明不受这些例示限定，由要求保护的范围所示，意图包含与要求保护的范围均等含义及范围内的所有变更。

Claims (18)

1.一种电接点材料，具备：
基材；
设置于所述基材的表面的包覆层；及
设置于所述包覆层的表面的氧化物层，
所述基材含Cu，
所述包覆层具有从所述基材侧依次设置于所述基材的表面的第一层及第二层，
所述第一层含Zn、Cu及Sn，
所述第二层含Sn，
所述第二层的厚度为0.50μm以下，
所述氧化物层由含Zn、Cu及Sn的氧化物构成，
在将负载载荷设为1N、将滑动速度设为100μm/sec、将行程设为50μm、将往复次数设为10次而使半径1mm的球状的压头相对于所述氧化物层直线状地滑动时，所述往复次数从1次到10次的最大的接触电阻为5mΩ以下。
2.一种电接点材料，具备：
基材；
设置于所述基材的表面的包覆层；及
设置于所述包覆层的表面的氧化物层，
所述基材含Cu，
所述包覆层具有从所述基材侧依次设置于所述基材的表面的基础层、第一层及第二层，
所述基础层含Ni，
所述第一层含Ni、Zn、Cu及Sn，
所述第二层含Sn，
所述第二层的厚度为0.50μm以下，
所述氧化物层由含Zn、Cu及Sn的氧化物构成，
在将负载载荷设为1N、将滑动速度设为100μm/sec、将行程设为50μm、将往复次数设为10次而使半径1mm的球状的压头相对于所述氧化物层直线状地滑动时，所述往复次数从1次到10次的最大的接触电阻为5mΩ以下。
3.根据权利要求1所述的电接点材料，其中，
在将所述往复次数设为100时，所述往复次数从1次到100次的最大的接触电阻为5mΩ以下。
4.根据权利要求2所述的电接点材料，其中，
在将所述往复次数设为100时，所述往复次数从1次到100次的最大的接触电阻为5mΩ以下。
5.根据权利要求1或3所述的电接点材料，其中，
在将所述第一层所含的C、O、Zn、Cu及Sn的合计含有量设为100原子％时，所述第一层所含的Zn、Cu及Sn的各自的含有量如下：
Zn为0.01原子％以上且50原子％以下，
Cu为10原子％以上且90原子％以下，
Sn为10原子％以上且90原子％以下。
6.根据权利要求2或4所述的电接点材料，其中，
在将所述第一层所含的C、O、Ni、Zn、Cu及Sn的合计含有量设为100原子％时，所述第一层所含的Ni、Zn、Cu及Sn的各自的含有量如下：
Ni为15原子％以上且35原子％以下，
Zn为5原子％以上且30原子％以下，
Cu为1原子％以上且30原子％以下，
Sn为25原子％以上且55原子％以下。
7.根据权利要求1～4中任一项所述的电接点材料，其中，
所述第一层的厚度为0.1μm以上且5.0μm以下。
8.根据权利要求5所述的电接点材料，其中，
所述第一层的厚度为0.1μm以上且5.0μm以下。
9.根据权利要求6所述的电接点材料，其中，
所述第一层的厚度为0.1μm以上且5.0μm以下。
10.根据权利要求1～4中任一项所述的电接点材料，其中，
所述氧化物层的厚度为0.01μm以上且5.0μm以下。
11.根据权利要求5所述的电接点材料，其中，
所述氧化物层的厚度为0.01μm以上且5.0μm以下。
12.根据权利要求6所述的电接点材料，其中，
所述氧化物层的厚度为0.01μm以上且5.0μm以下。
13.根据权利要求7所述的电接点材料，其中，
所述氧化物层的厚度为0.01μm以上且5.0μm以下。
14.根据权利要求8所述的电接点材料，其中，
所述氧化物层的厚度为0.01μm以上且5.0μm以下。
15.根据权利要求9所述的电接点材料，其中，
所述氧化物层的厚度为0.01μm以上且5.0μm以下。
16.一种端子配件，其中，
具备权利要求1～15中任一项所述的电接点材料。
17.一种连接器，其中，
具备权利要求16所述的端子配件。
18.一种线束，具备：
电线；及
安装于所述电线的权利要求16所述的端子配件或权利要求17所述的连接器。
CN202010757556.0A 2019-08-05 2020-07-31 电接点材料、端子配件、连接器及线束 Active CN112332138B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-143903 2019-08-05
JP2019143903A JP7352852B2 (ja) 2019-08-05 2019-08-05 電気接点材料、端子金具、コネクタ、及びワイヤーハーネス

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112332138A CN112332138A (zh) 2021-02-05
CN112332138B true CN112332138B (zh) 2022-06-10

Family

ID=74188510

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010757556.0A Active CN112332138B (zh) 2019-08-05 2020-07-31 电接点材料、端子配件、连接器及线束

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20210044045A1 (zh)
JP (1) JP7352852B2 (zh)
CN (1) CN112332138B (zh)
DE (1) DE102020004695A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6936836B2 (ja) 2019-08-09 2021-09-22 株式会社オートネットワーク技術研究所 端子付き電線
JP6957568B2 (ja) * 2019-08-09 2021-11-02 株式会社オートネットワーク技術研究所 端子付き電線

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101743345A (zh) * 2007-05-29 2010-06-16 古河电气工业株式会社 电气电子零件用金属材料
JP2015067861A (ja) * 2013-09-30 2015-04-13 株式会社オートネットワーク技術研究所 コネクタ用電気接点材料及びその製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015133306A (ja) 2014-01-16 2015-07-23 株式会社オートネットワーク技術研究所 コネクタ用電気接点材料及びその製造方法
JP2015176839A (ja) 2014-03-18 2015-10-05 株式会社オートネットワーク技術研究所 端子付き被覆電線およびワイヤーハーネス
EP3456871B1 (en) * 2016-05-10 2023-03-15 Mitsubishi Materials Corporation Tinned copper terminal material, terminal, and electrical wire end part structure

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101743345A (zh) * 2007-05-29 2010-06-16 古河电气工业株式会社 电气电子零件用金属材料
JP2015067861A (ja) * 2013-09-30 2015-04-13 株式会社オートネットワーク技術研究所 コネクタ用電気接点材料及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN112332138A (zh) 2021-02-05
JP2021025089A (ja) 2021-02-22
US20210044045A1 (en) 2021-02-11
DE102020004695A1 (de) 2021-02-11
JP7352852B2 (ja) 2023-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4653133B2 (ja) めっき材料および前記めっき材料が用いられた電気電子部品
EP2533364A1 (en) Crimp terminal, connection structure, and method of manufacturing crimp terminal
CN105593411B (zh) 连接器用电接点材料及其制造方法
CN112332138B (zh) 电接点材料、端子配件、连接器及线束
EP2896724B1 (en) Tin-plated copper-alloy terminal material
WO2007097338A1 (ja) めっき材料および前記めっき材料が用いられた電気電子部品
WO2007060953A1 (ja) アルミ撚線用圧着端子および前記圧着端子が接続されたアルミ撚線の端末構造
JP2005126763A (ja) 被覆材、それを用いた電気・電子部品、それを用いたゴム接点部品、及び被覆材の製造方法
US20200366020A1 (en) Connector terminal, electrical wire with terminal, and terminal pair
CN112332139B (zh) 电触点材料、端子配件、连接器和线束
JP6365182B2 (ja) コネクタ用電気接点材料及びその製造方法
JP7121232B2 (ja) 銅端子材、銅端子及び銅端子材の製造方法
CN109845041B (zh) 连接端子及连接端子的制造方法
JP7333010B2 (ja) 電気接点材料、端子金具、コネクタ、ワイヤーハーネス、及び電気接点材料の製造方法
CN107849721B (zh) 耐热性优异的镀覆材料及其制造方法
CN111525312B (zh) 金属件及连接端子
JP2019112666A (ja) 導電材
JP7087732B2 (ja) コネクタ端子用導電部材及びコネクタ端子
CN116895955A (zh) 带端子导体
CN111525313B (zh) 金属件及连接端子
JP6583490B2 (ja) コネクタ用電気接点材料
US9514858B2 (en) Oxidation-resistant elongate electrically conductive element
JP6282205B2 (ja) 電気接点材料の製造方法
JP2015220212A (ja) アルミニウム端子
TW202233896A (zh) 鍍覆材料及電子零件

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant